CN110945674A - 伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方法以及伸缩性显示器使用方法 - Google Patents

伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方法以及伸缩性显示器使用方法 Download PDF

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Abstract

本发明一实施例的伸缩性显示器包括：混合型伸缩性基板，被划分为低伸缩性区域和模量小于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域；驱动器件层，包括驱动器件及配线，上述驱动器件形成于上述低伸缩性区域，用于对发光层进行控制，上述配线形成于上述高伸缩性区域，与上述驱动器件的一部分电连接来施加电信号；以及发光层，形成于上述驱动器件层，与上述驱动器件层电连接并进行发光，在上述驱动器件和上述配线中，上述配线与伸缩性掩膜图案重叠，上述伸缩性掩膜图案具有与上述低伸缩性区域及上述高伸缩性区域中的一个伸缩性区域相对应的形状。

Description

伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方 法以及伸缩性显示器使用方法
技术领域
本发明涉及伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方法以及伸缩性显示器使用方法，更详细地，涉及包括伸缩性相对低的低伸缩性区域(lowstretchable region)和伸缩性相对高的高伸缩性区域(high stretchable region)的伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方法以及伸缩性显示器使用方法。
背景技术
传统显示器是指简单将电信号以视觉形态输出的装置。但是，最近，显示器并非仅用于显示信息，而是发展成保留柔性特性的形态。
柔性显示器进化成可以弯曲且卷绕的弯曲步骤(bendable stage)、如卷轴弯曲的卷曲步骤(rollable stage)、及如纸张折叠的步骤(Foldable stage)。而且，最近，显示器进化到向1轴或2轴拉伸或收缩并改变大小的伸缩性步骤(stretchable stage)。
尤其，如可穿戴设备，伸缩性显示器在符合需要伸缩性的市场特性方面受到瞩目。
但是，为了制作伸缩性显示器，需要解决多种技术问题。以往，在伸缩性显示器工序适用柔性显示器工序的情况下，以往的柔性显示器高分子基板的厚度较厚，因此，很难保留伸缩性。即，为使基板可以具有伸缩性而需要进一步减少厚度，因此，在伸缩性显示器制作工序适用以往的柔性显示器制作工序受限。
另一方面，开发了具有配置伸缩性低的器件的低伸缩性区域和配置伸缩性高的器件的高伸缩性区域的具有混合形态的伸缩性的伸缩性显示器。同样，单一像素大小仅是数十微米，因此，高伸缩性区域和低伸缩性区域也需要被图案化成至少数十微米单位。但是，至今，无法开发以数十微米单位以下图案化的伸缩性基板结构体及伸缩性显示器。
对此，本发明人员发明了通过简单的方法体现像素单位图案化并防止伸缩性基板受损的技术。
发明内容
技术问题
本发明的一目的在于，提供可以实现高伸缩性区域和低伸缩性区域的微细图案化的伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方法。
本发明的再一目的在于，提供将伸缩性基板的损伤最小化的伸缩性显示器及其制作方法。
本发明的另一目的在于，提供高伸缩性的伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方法以及伸缩性显示器使用方法。
本发明的还有一目的在于，提供经济性优秀的伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方法。
本发明的又一目的在于，提供工序简单的伸缩性基板结构体及其制作方法、伸缩性显示器及其制作方法。
本发明的又一目的在于，提供具有高的伸缩性并将画质的降低最小化的伸缩性显示器及其制作方法以及伸缩性显示器使用方法。
本发明所要解决的技术问题并不局限于此。
解决问题的方案
本发明一实施例的伸缩性显示器可包括：混合型伸缩性基板，被划分为低伸缩性区域和(modulus)模量小于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域；驱动器件层，包括驱动器件及配线，上述驱动器件形成于上述低伸缩性区域，用于对发光层进行控制，上述配线形成于上述高伸缩性区域，与上述驱动器件的一部分电连接来施加电信号；以及发光层，形成于上述驱动器件层，与上述驱动器件层电连接并进行发光，在上述驱动器件和上述配线中，上述配线与伸缩性掩膜图案重叠，上述伸缩性掩膜图案具有与上述低伸缩性区域及上述高伸缩性区域中的一个伸缩性区域相对应的形状。
根据一实施例，上述低伸缩性区域可呈被上述高伸缩性区域包围的岛形状(island shape)。
根据一实施例，模量可按与上述高伸缩性区域、上述高伸缩性区域上的上述伸缩性掩膜图案及上述伸缩性掩膜图案重叠的配线的顺序增加。
根据一实施例，上述伸缩性掩膜图案可包括非晶质金属合金或屏障。
根据一实施例，上述非晶质金属合金可以为由妨碍相互间规则性结构形成的至少2个金属构成的非晶质状态的合金。
根据一实施例，上述伸缩性掩膜图案可以保护上述伸缩性掩膜图案下的上述高伸缩性图案。
根据一实施例，上述驱动器件的一部分与上述配线可以电连接，上述驱动器件的一部分和上述配线可通过上述配线下的伸缩性掩膜图案发生高度差。
根据一实施例，还可包括覆盖上述驱动器件及上述配线的保护层，上述驱动器件的一部分和上述配线的一部分可以通过贯通上述保护层的互连线相互电连接。
根据一实施例，上述低伸缩性区域与上述高伸缩性区域的模量之差可以为10倍以上。
根据一实施例，当上述配线最大拉伸10％时，上述配线的电阻可以维持在1.5倍以内。
根据一实施例，上述发光层可以形成于上述低伸缩性区域的至少一部分及上述高伸缩性区域的至少一部分。
根据一实施例，在上述低伸缩性区域和上述高伸缩性区域中，上述发光层可选择性地形成于上述低伸缩性区域。
根据一实施例，上述发光层可包括以像素单位隔开的多个发光部，还包括保护上述隔开的多个发光部的封装层。
根据一实施例，在形成上述驱动器件层及上述发光层的面和另一面的上述伸缩性基板可形成提供上述伸缩性基板的伸缩路径(Stretching path)的槽(groove)。
根据一实施例，上述驱动器件层形成于显示区域，且还可包括形成于上述显示区域外侧的周边区域，用于向上述驱动器件层施加电信号的驱动电路器件。
根据一实施例，在上述驱动电路器件由集成电路(IC)芯片形成的情况下，上述驱动电路器件可形成于上述低伸缩性区域。
根据一实施例，在上述驱动电路器件由伸缩性膜形成的情况下，上述驱动电路器件可形成于上述高伸缩性区域。
根据一实施例，上述混合型伸缩性基板沿着上述混合型伸缩性基板的厚度方向具有褶皱，上述低伸缩性区域的褶皱可少于上述高伸缩性区域的褶皱。
根据一实施例，上述混合型伸缩性基板可以沿着第一轴及第二轴中的至少一个轴方向具有伸缩性，上述第一轴与第二轴方向不相同。
根据一实施例，上述混合型伸缩性基板可包括：第一伸缩状态，以褶皱的状态收缩；第二伸缩状态，上述褶皱的状态展开并比上述第一伸缩状态更被拉伸；以及第三伸缩状态，上述伸缩性基板的材料展开并比上述第二伸缩状态更被拉伸。
本发明一实施例的伸缩性显示器制作方法可包括：载体基板准备步骤，准备载体基板；伸缩性基板形成步骤，在上述载体基板形成伸缩性基板；伸缩性掩膜层形成步骤，在上述伸缩性基板形成伸缩性掩膜层；伸缩性掩膜图案形成步骤，在上述伸缩性掩膜层进行图案化来形成具有开口区域和隔断区域的伸缩性掩膜图案；混合型伸缩性基板形成步骤，通过上述伸缩性掩膜图案的上述开口区域和上述隔断区域，在上述伸缩性基板形成低伸缩性区域和模量低于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域；驱动器件层形成步骤，在上述低伸缩性区域形成用于对像素的发光层进行控制的驱动器件，在上述高伸缩性区域形成用于向上述驱动器件施加电信号的配线，上述配线在形成上述隔断区域的上述伸缩性掩膜图案形成；以及发光层形成步骤，形成与上述驱动器件层电连接来进行发光的发光层。
根据一实施例，上述伸缩性基板形成步骤可包括在上述载体基板粘结或溶液形成上述伸缩性基板的步骤。
根据一实施例，当上述粘结时，可以使用温度灵敏性两面粘结剂。
根据一实施例，上述伸缩性基板形成步骤可包括在使上述伸缩性基板向1轴或2轴拉伸的状态下附着于上述载体基板的步骤。
根据一实施例，本发明还可包括在向上述载体基板拉伸的状态下附着于上述伸缩性基板的情况下，朝向形成上述伸缩性基板的面和相反面的上述载体基板照射光来在上述伸缩性基板的一面形成用于提供伸缩***的槽的步骤。
根据一实施例，在形成上述槽的步骤中，形成上述槽的光源被上述伸缩性基板吸收并具有通过上述载体基板的特性。
根据一实施例，上述伸缩性掩膜层及上述伸缩性掩膜图案可包括非晶质金属合金或屏障。
根据一实施例，上述非晶质金属合金可以为由妨碍相互间规则性结构形成的至少2个金属构成的非晶质状态的合金。
根据一实施例，上述伸缩性掩膜图案形成步骤可包括将上述伸缩性掩膜层通过光刻方式形成上述伸缩性掩膜图案的步骤。
根据一实施例，上述混合型伸缩性基板形成步骤可包括通过以上述光刻方式形成的开口区域来使上述伸缩性基板固化并形成上述低伸缩性区域的步骤。
根据一实施例，上述低伸缩性区域可以呈岛屿形状。
根据一实施例，在上述驱动器件层形成步骤之后及上述发光层形成步骤之前，还可包括去除上述伸缩性掩膜图案的步骤。
根据一实施例，上述伸缩性掩膜图案可以从上述驱动器件层形成步骤的工序保护上述高伸缩性区域。
根据一实施例，在去除上述伸缩性掩膜图案的步骤之后，与上述配线重叠的区域的上述伸缩性掩膜图案残留，不与上述配线重叠的区域的上述伸缩性掩膜图案被去除。
根据一实施例，上述配线与上述伸缩性掩膜图案之间的蚀刻选择比例至少可以为10以上。
根据一实施例，在上述发光层中的至少一层可以向上述驱动器件层转移(transfer)。
根据一实施例，在上述发光层中的至少一层可以在上述驱动器件层气相蒸镀。
根据一实施例，上述发光层可形成于上述低伸缩性区域的至少一部分及上述高伸缩性区域的至少一部分。
根据一实施例，在上述驱动器件层形成步骤及上述发光层形成步骤之后，还可包括去除上述伸缩性掩膜图案的步骤。
根据一实施例，上述伸缩性掩膜图案可以从上述驱动器件层形成步骤及上述发光层形成步骤的工序保护上述高伸缩性区域。
根据一实施例，在去除上述伸缩性掩膜图案的步骤之后，与上述配线重叠的区域的上述伸缩性掩膜图案残留，不与上述配线重叠的区域的上述伸缩性掩膜图案被去除。
根据一实施例，在上述驱动器件层形成步骤中，在上述低伸缩性区域和上述高伸缩性区域中，在上述低伸缩性区域选择性地形成上述驱动器件，在上述发光层形成步骤中，在上述低伸缩性区域选择性地形成上述发光层。
根据一实施例，在上述发光层形成步骤之后，还可包括保护上述发光层的封装层形成步骤，去除上述伸缩性掩膜图案的步骤可以在上述封装层形成步骤之后执行。
根据一实施例，在上述封装层形成步骤中，形成于上述低伸缩性区域的上部的发光层为上述封装层，以像素单位覆盖来使上述高伸缩性区域上部的伸缩性掩膜图案露出。
根据一实施例，本发明还可包括在上述低伸缩性区域及上述高伸缩性区域形成覆盖上述封装层的辅助封装层的步骤。
根据一实施例，模量可按形成上述高伸缩性区域、上述高伸缩性区域上的上述伸缩性掩膜图案，及上述隔断区域的伸缩性掩膜图案上的配线的顺序增加。
根据一实施例，上述驱动器件层形成步骤还可包括形成用于覆盖上述驱动器件及上述配线的保护层的步骤。
根据一实施例，在上述驱动器件层形成步骤中，在形成上述保护层的步骤之后，可包括：形成使上述驱动器件的一部分和上述配线的一部分露出的贯通孔的步骤；以及通过上述贯通孔形成使上述驱动器件的一部分与上述配线的一部分电连接的互连线(interconnector)来解除基于上述配线下部的上述伸缩性掩膜图案的高度差的步骤。
根据一实施例，在形成上述发光层的步骤之后，还可包括可以从上述混合型伸缩性基板去除上述载体基板的步骤。
根据一实施例，上述载体基板受到光照射或拆装温度，由此可以从上述混合型伸缩性基板去除。
本发明一实施例的伸缩性基板结构体可包括：混合型伸缩性基板，被划分为低伸缩性区域和模量小于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域；以及伸缩性掩膜图案，具有与上述低伸缩性区域及上述高伸缩性区域中的一个伸缩性区域相对应的形状。
本发明一实施例的伸缩性基板结构体制作方法可包括：伸缩性掩膜层形成步骤，在伸缩性基板形成伸缩性掩膜层；伸缩性掩膜图案形成步骤，对上述伸缩性掩膜层进行图案化来形成具有开口区域和隔断区域的伸缩性掩膜图案；以及混合型伸缩性基板形成步骤，通过上述伸缩性掩膜图案的上述开口区域和上述隔断区域，在上述伸缩性基板形成低伸缩性区域和模量低于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域。
本发明一实施例的伸缩性显示器使用方法可包括：第一使用状态，上述伸缩性基板以形成褶皱的状态收缩；第二使用状态，上述褶皱的状态展开并比上述第一使用状态更被拉伸；以及第三使用状态，上述褶皱的状态展开的伸缩性基板的材料拉长并比上述第二使用状态更被拉伸。根据一实施例，伸缩性显示器可包括：伸缩性基板，被划分为低伸缩性区域和模量小于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域，沿着厚度方向形成褶皱；以及驱动器件层，包括驱动器件及配线，上述驱动器件形成于上述低伸缩性区域，用于对发光层进行控制，上述配线形成于上述高伸缩性区域，与上述驱动器件的一部分电连接来施加电信号。
根据一实施例，在上述第二使用状态中，形成于上述高伸缩性区域的配线的拉伸程度可大于形成于上述低伸缩性区域的驱动器件的拉伸程度。
发明的效果
根据本发明的一实施例，可通过伸缩性掩膜图案在伸缩性基板图案化划分高伸缩性区域和低伸缩性区域，因此，可以实现微细图案化。
根据本发明的一实施例，在工序过程中，伸缩性掩膜图案保护高伸缩性区域，因此，可以提供高可靠性。
根据本发明的一实施例，均可以提供基于几何特性的拉伸和基于材料特性的拉伸，因此，可以提供高伸缩性。
根据本发明的一实施例，在高伸缩性区域提供配线，在低伸缩性区域提供伸缩性低的驱动器件，而并非提供配线，由此，可以具有高的伸缩性并将画质的降低最小化。
根据本发明的一实施例，可以利用以往的显示器工序，因此，经济性和工序容易性将得到提高。
本发明的效果并不局限于此。
附图说明
图1为用于说明本发明第一实施例的伸缩性基板结构体及伸缩性显示器制作方法的流程图；
图2为用于详细说明图1的步骤S110及步骤S120的图；
图3为用于详细说明图1的步骤S130的图；
图4为用于详细说明图1的步骤S140的图；
图5为用于详细说明图1的步骤S150的图；
图6为用于详细说明图1的步骤S160的图；
图7为用于详细说明图1的步骤S170的图；
图8为用于详细说明图1的步骤S180的图；
图9及图10为用于详细说明图1的步骤S190的图；
图11为用于说明本发明第一实施例的伸缩性显示器使用方法的图；
图12为用于说明本发明第二实施例的伸缩性基板结构体及伸缩性显示器制作方法的流程图；
图13为用于详细说明图12的步骤S270的图；
图14为用于详细说明图12的步骤S280的图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明的技术思想并不局限于在此说明的实施例，而是可以具体化成其他形态。反而，在此介绍的实施例为了使所揭示的内容变得完整并向本发明所属技术领域的普通技术人员充分传递本发明的思想而提供。
在本说明书中，在一种结构要素形成于其他结构要素的情况下，可以直接形成于其他结构要素或者在中间隔着第三结构要素。并且，图中，膜及区域的厚度为了有效说明技术内容而被放大。
并且，在本说明书的多种实施例中，第一、第二、第三等的术语为了记述多种结构要素而使用，这些结构要素并不局限于如上所述的术语。这些术语仅用于区分两种结构要素。因此，在一个实施例中被提及为第一结构要素的结构要素可以在其他实施例中被提及为第二结构要素。在此说明且例示的各个实施例包括其互补性实施例。并且，在本说明书中，“和/或”包括前后罗列的结构要素中的至少一个。
在说明书中，只要在文脉上并未明确表示，单数的表现则包括复数的表现。并且，“包括或具有”等的术语用于指定在说明书中记载的特征、数字、步骤、结构要素或这些组合的存在，而并非排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、结构要素或这些组合的存在或附加可能性。并且，在本说明书中，“连接”包括间接连接多个结构要素及直接连接的情况。
并且，以下，在说明本发明的过程中，在判断为对于相关的公知功能或结构的具体说明使本发明的主旨不清楚的情况下，将省略对其的详细说明。
图1为用于说明本发明第一实施例的伸缩性基板结构体及伸缩性显示器制作方法的流程图。图2为用于详细说明图1的步骤S110及步骤S120的图。图3为用于详细说明图1的步骤S130的图。图4为用于详细说明图1的步骤S140的图。图5为用于详细说明图1的步骤S150的图。图6为用于详细说明图1的步骤S160的图。图7为用于详细说明图1的步骤S170的图。图8为用于详细说明图1的步骤S180的图。图9及图10为用于详细说明图1的步骤S190的图。
参照图1，本发明第一实施例的伸缩性基板结构体及伸缩性显示器制作方法可包括载体基板准备步骤S110、伸缩性基板形成步骤S120、伸缩性掩膜层形成步骤S130、伸缩性掩膜图案形成步骤S140、混合型伸缩性基板形成步骤S150、驱动器件层形成步骤S160、伸缩性掩膜图案去除步骤S170、发光层形成步骤S180、载体基板去除步骤步骤S190中的至少一个步骤。例如，本发明第一实施例的伸缩性基板结构体可以通过步骤S110至步骤S150制作，本发明第一实施例的伸缩性显示器可以通过步骤S110至S190制作。以下，说明各个步骤。
步骤S110
根据步骤S110，可以提供载体基板110(carrier substrate)。载体基板110可用于对伸缩性基板120进行支撑，以便可以在形成于载体基板110的上部面的伸缩性基板120形成各种器件。为此，可以由玻璃、塑料、金属板及硅晶圆中的至少一个物质形成。载体基板110的材料仅是一例，本发明并不局限于所列举的材料。
在伸缩性基板120形成需要的器件之后，载体基板110可以从伸缩性基板120去除。
步骤S120
根据步骤S120，可以形成伸缩性基板120。上述伸缩性基板120可以对伸缩性显示器赋予伸缩性，并可以形成各种器件。
为此，上述伸缩性基板120可以包含具有伸缩性的物质，例如，弹性体(elastomer)。并且，上述伸缩性基板120为了后述的高伸缩性区域SR及低伸缩性区域RR图案化，还可以包含与紫外线、等离子、离子束、中子束、化学溶液中的至少一个的处理反应的物质。
上述伸缩性基板120能够以多种状态形成于上述载体基板110。例如，如图2的(a)部分所示，上述伸缩性基板120能够以向至少一个轴拉伸的状态形成于上述载体基板110。例如，上述伸缩性基板120能够以向横轴及纵轴方向拉伸的状态形成于上述载体基板110。与此不同，上述伸缩性基板120能够以未被拉伸的状态形成于上述载体基板110。以下，为了说明的便利，说明上述伸缩性基板120以拉伸的状态形成于上述载体基板110的情况。
上述伸缩性基板120可通过多种方式形成于上述载体基板110。上述伸缩性基板120可形成于载体基板110，以便在后续工序中维持与上述载体基板110的粘结力，并在完成工序后能够从伸缩性基板120轻松去除载体基板110。例如，上述伸缩性基板120可通过两面粘结剂粘结在上述载体基板110。在此情况下，两面粘结剂可以为根据温度改变粘结力的粘结剂。例如，两面粘结剂可具有在零下30℃以下的温度条件下丧失粘结力的特性。在上述伸缩性基板120通过粘结剂粘结在上述载体基板110的情况下，如图2的(b)部分所示，在被拉伸的状态下利用辊粘结。作为另一例，上述伸缩性基板120可以在溶液状态下涂敷在上述载体基板110。在此情况下，上述伸缩性基板120能够以通过热处理拉伸的状态形成于上述载体基板110。
步骤S130
在步骤S130中，如图3所示，在上述伸缩性基板120可以形成伸缩性掩膜层130。在上述伸缩性基板120可以形成上述伸缩性掩膜层130，以便与上述伸缩性掩膜层130直接接触。
上述伸缩性掩膜层130可以执行如下功能，即，用于将伸缩性基板120图案化成高伸缩性区域及低伸缩性区域的掩膜的功能、在后续工序中保护伸缩性基板120的功能及提供伸缩性的功能。
为此，上述伸缩性掩膜层130可以由非晶质金属合金或有机屏障中的至少一个物质形成。非晶质金属合金包含由妨碍相互间规则性结构形成的2个以上的金属构成的一种合金，但并不局限于此。例如，非晶质金属合金可以由FeZr、CoNi、La-Al_Cu、Al-Sc、ZrTiCuNiBe、AuSi、CuZr、CuPd、CuCo、CuPdCoP、PdAgSi、PdAgSiP、PdAgSiGe、PtCuAgPBSi、CuZrTi、CuZrTiNi及CuZrTiAlBe中的至少一个物质形成。
并且，有机屏障可以由包含烷基硅氧(Alkylsiloxane)类的自组装单分子膜(Self-as sembled mono layer)或包含聚苯乙烯(Polystyrene)类的自组装纳米粒子膜(Self-asse mbled nano particle layer)中的至少一个物质形成。上述屏障可以为无机屏障，而并非为有机屏障，可以由包含有机及无机的复合屏障构成。
以下，为了说明的便利，说明上述伸缩性掩膜层130由非晶质金属合金形成的情况。
步骤S140
在步骤S140中，可以形成伸缩性掩膜图案。对步骤S130的伸缩性掩膜层130进行图案化来形成具有开口区域OP和隔断区域CL的伸缩性掩膜图案SMP。
上述伸缩性掩膜层130可通过多种方法形成具有开口区域OP和隔断区域CL的伸缩性掩膜图案SMP。例如，可通过光刻工序形成开口区域OP和隔断区域CL。
如图4的(a)部分所示，伸缩性基板120可分为形成发光层EL的显示区域AA和作为形成电信号施加配线及驱动电路器件的非显示区域的周边区域PA。
开口区域OP和隔断区域CL的形状及位置可以根据高伸缩性区域SR及低伸缩性区域RR在伸缩性基板120的形成位置确定。上述低伸缩性区域RR是指模量(modulus)大于上述高伸缩性区域SR的区域。由此，在通过开口区域OP定义的低伸缩性区域RR形成伸缩性低的各种器件，例如，晶体管、电容器，由此，可以在伸缩环境(stretching environment)中也可以赋予稳定性，在通过隔断区域CL形成的高伸缩性区域SR形成伸缩性高的配线，由此，可以赋予伸缩性。
例如，上述开口区域OP可以与显示区域AA的单位像素的至少一部分相对应。例如，上述开口区域OP与单位像素可以相同。除上述开口区域OP之外的区域可以为隔断区域CL。因此，隔断区域CL可以形成在与单位像素相邻的单位像素及周边区域PA。
如图4的(b)部分所示，通过步骤S140，伸缩性基板120可以向伸缩性掩膜图案S MP的开口区域OP露出，而伸缩性基板120可不向伸缩性掩膜图案的隔断区域CL露出。
通过开口区域OP露出的伸缩性基板120在后续工序中被固化，从而可以被赋予低伸缩性特性。隔断区域CL防止伸缩性基板120的固化来相对使隔断区域CL下方的伸缩性基板120作为高伸缩性区域残留。与此不同，可通过开口区域OP形成高伸缩性区域，通过隔断区域CL形成低伸缩性区域。
步骤S150
在步骤S150中，可以形成均具有高伸缩性区域及低伸缩性区域的混合型伸缩性基板。在本说明书中，混合型伸缩性基板是指被划分为高伸缩性区域及低伸缩性区域，即，被图案化的基板，也可以被称为伸缩性基板结构体。
如图5所示，对通过上述伸缩性掩膜图案SMP的开口区域OP露出的伸缩性基板120执行固化工序，由此，可以形成低伸缩性区域RR。例如，固化工序可以包括紫外线、等离子、离子束、中子束照射、溶液处理中的至少一个工序。在此情况下，可根据固化工序的处理方式控制低伸缩性区域的模量值。
另一方面，高伸缩性区域SR可通过上述伸缩性掩膜图案SMP隔断对于伸缩性基板120的固化处理，由此，可作为伸缩性大于低伸缩性区域RR的区域留下。
上述伸缩性掩膜图案SMP的开口区域OP呈被隔断区域CL包围的形状，因此，低伸缩性区域RR可呈被上述高伸缩性区域SR包围的岛屿形状。
根据步骤S150，可通过伸缩性掩膜图案SMP在伸缩性基板120形成高伸缩性区域SR及低伸缩性区域RR，因此，具有可以实现高伸缩性区域SR及低伸缩性区域RR的微细图案化的效果。
根据一实施例，通过开口区域OP形成低伸缩性区域RR，并被固化处理，以便从低伸缩性区域RR的中心越接近高伸缩性区域SR，模量逐渐改变。例如，向开口区域OP的中心部照射强的等离子，向开口区域OP的周边部照射微弱的等离子，由此，可以制作模量从低伸缩性区域RR向高伸缩性区域SR逐渐改变的混合型伸缩性基板。
根据一实施例，上述低伸缩性区域RR与上述高伸缩性区域SR的模量之差可以为10倍以上。
可通过以上说明的步骤S110至步骤S150制作伸缩性基板结构体。即，一实施例的伸缩性基板结构体可以包括伸缩性掩膜图案SMP，上述伸缩性掩膜图案SMP被划分为低伸缩性区域RR核模量低于上述低伸缩性区域RR的高伸缩性区域SR，且可以呈与在混合型伸缩性基板及上述低伸缩性区域RR及上述高伸缩性区域SR中的一个伸缩性区域相对应的形状。
在去除伸缩性基板结构体的载体基板110的情况下，被拉伸的伸缩性基板120收缩并向伸缩性基板120的厚度方向具有褶皱，上述低伸缩性区域RR可以具有少于上述高伸缩性区域SR的褶皱。由此，上述伸缩性基板120可以向第一轴及第二轴中的至少一个轴方向具有伸缩性，上述第一轴与第二轴方向不相同。
步骤S160
在步骤S160中，可以形成驱动器件层DR。驱动器件层DR可以包括用于驱动伸缩性显示器的各种驱动器件。例如，驱动器件层DR可以包括晶体管、电容器、配线等。更具体地，驱动器件层DR可以由用于对有机层的发光进行控制的晶体管及电容器的组合及施加电信号的配线形成。
在形成上述驱动器件层DR的结构中，伸缩性相对优秀的结构，例如，配线可形成于高伸缩性区域SR，伸缩性相对低的结构，例如，晶体管及电容器可形成于低伸缩性区域RR。
如图6的(a)部分及放大图所示，单位像素的驱动器件层可以由2个晶体管及1个电容器形成。这仅是用于说明的例，可以由更多的晶体管及更多的电容器形成。并且，上述配线可以包括：栅极配线，向各个单位像素施加栅极信号；数据配线，用于施加数据信号；以及ELVDD配线，用于施加发光电流。即，2个晶体管和1个电容器可形成于低伸缩性区域RR，配线SL可形成于高伸缩性区域SR。
上述配线SL可以由低电阻且具有伸缩性的物质形成。例如，上述配线SL可以由铝、银、铜中的至少一个物质形成。在此情况下，配线SL可以由与上述伸缩性掩膜图案SMP的蚀刻选择比最少相差10以上的物质形成。由此，在上述伸缩性掩膜图案SMP被蚀刻的期间，上述配线SL不会被蚀刻并残留。并且，当上述配线SL最大拉伸10％时，电阻维持在1.5倍以内。
如上所述，上述配线SL可以蒸镀在上述伸缩性基板120的高伸缩性区域SR。在此情况下，在上述高伸缩性区域SR形成伸缩性掩膜图案SMP，因此，上述配线SL可形成于上述伸缩性掩膜图案SMP。上述配线SL可通过光刻或可溶工序形成。
形成驱动器件层的晶体管能够给予多种通道层形成。上述通道层可以提供高移动度。例如，晶体管可以为将氧化物用成通道层的氧化物晶体管、将低温多晶硅用成通道层的低温多晶硅晶体管、将有机物用成通道层的有机晶体管及将单晶硅用呈通道层的单晶晶体管中的至少一个晶体管。以下，为了说明的便利，说明氧化物晶体管。
晶体管可以包括栅极GE、源极SE及漏极DE等的金属电极。
并且，晶体管的结构多种多样。例如，晶体管的结构可以为栅极位于通道层的上层的顶闸门结构(top gate structure)、栅极位于通道层的下层的底闸门结构(bottom gatestructure)、栅极位于如源极及漏极的层的平面结构(planar structure)中的一种。以下，为了说明的便利，说明底闸门结构。
为了理解的便利，参照作为图6的(a)部分的DRL1的剖视图的图6的(b)部分。DRL1是指与数据配线相连接的晶体管区域。
参照图6的(b)部分，在上述伸缩性基板120的高伸缩性区域SR形成伸缩性掩膜图案SMP的隔断区域CL。在所形成的上述伸缩性掩膜图案SMP可形成配线SL。在此情况下，上述伸缩性掩膜图案SMP可通过配线SL工序防止伸缩性基板120的高伸缩性区域SR受损。即，如上所述，上述伸缩性掩膜图案SMP执行用于划分伸缩性基板120的伸缩性的掩膜的功能，并执行在工序中保护伸缩性基板120的功能。
上述伸缩性基板120的低伸缩性区域RR可通过伸缩性掩膜图案SMP的开口区域OP露出。在露出的伸缩性基板120可蒸镀上述晶体管。例如，在上述伸缩性基板120可依次形成栅极GE、第一绝缘膜I1、氧化物通道层ACT、源极SE、漏极DE、第二绝缘膜I2。在此情况下，第一绝缘膜I1及第二绝缘膜I2可以由有机、无机或有机无机的复合材料形成，并可以由伸缩性材料形成。
在此情况下，栅极GE、源极SE及漏极DE可以与上述配线以相同物质形成。与此不同，栅极GE、源极SE及漏极DE可以与上述配线以不同的物质形成。
根据一实施例，形成于高伸缩性区域SR的配线SL与低伸缩性区域RR的晶体管的金属电极可以电连接。例如，形成于高伸缩性区域SR的栅极配线GL可以与形成于低伸缩性区域RR的晶体管的栅极GE电连接，形成于高伸缩性区域SR的数据配线DL可以与形成于低伸缩性区域RR的晶体管的源极GE电连接。
具体地，为了说明而继续参照图6的(b)部分，形成于高伸缩性区域SR的配线SL，例如，数据配线DL与形成于低伸缩性区域RR的晶体管的源极SE电连接，但是，在配线SL的下层形成伸缩性掩膜图案SMP，因此，在配线SL与源极SE之间可以发生高度差。因此，在覆盖配线和晶体管的第二绝缘层I2形成贯通孔，通过所形成的贯通孔形成互连线INT，由此可以解除高度差问题。
接着，参照作为图6的(a)部分的DRL2的剖面图的图6的(c)部分。DRL2是指栅极配线区域。
参照图6的(c)部分，可在高伸缩性区域SR形成伸缩性掩膜图案SMP，在上述伸缩性掩膜图案SMP可形成栅极配线GL。在上述栅极配线GL可以形成第二绝缘膜I2。如上所述，在上述高伸缩性区域SR形成伸缩性掩膜图案SMP，因此，当栅极配线GL形成工序时，可以将向高伸缩性区域SR施加的损伤最小化。
另一方面，根据一实施例，在驱动器件层中，晶体管及电容器也可以根据材料的种类具有伸缩性，且小于配线的伸缩性。
步骤S170
在步骤S170中，可以去除至少一部分的伸缩性掩膜图案。换句话说，在上述驱动器件层形成步骤S160之后及上述发光层形成步骤S180，可以去除上述伸缩性掩膜图案SMP的一部分。在此情况下，上述去除的伸缩性掩膜图案EMP上的绝缘层也可以一同被去除。
参照图7，在伸缩性基板120的高伸缩性区域SR中，未被配线覆盖而露出的伸缩性掩膜图案SMP可以通过前部面蚀刻方式去除。由此，如图7的(b)部分所示，配线SL下侧的伸缩性掩膜图案SMP将残留，相反，如图7的(c)部分所示，未被配线SL覆盖的伸缩性掩膜图案SMP可以被去除。在另一方面，与上述配线SL重叠的区域(overlap region)的上述伸缩性掩膜图案SMP将残留，不与上述配线SL重叠的区域(non-overlap region)的上述伸缩性掩膜图案SMP可被去除。
模量可按上述伸缩性基板120的高伸缩性区域SR、与上述高伸缩性区域SR重叠的上述伸缩性掩膜图案SMP及与上述伸缩性掩膜图案SMP重叠的配线SL的顺序增加。例如，上述高伸缩性区域SR的模量可以为0.01至0.1GPa，上述伸缩性掩膜图案SMP的模量为1至10GPa，上述配线SL的模量可以为10至100GPa。由此，对上述高伸缩性区域SR与上述配线SL之间的模量之差，残留的上述伸缩性掩膜图案SMP起到缓冲作用，由此可以进一步提高伸缩性特性。
步骤S180
在步骤S180中，可形成发光层EL。发光层EL可以包括空穴注入层HIL、空穴输送层HTL、有机层EL、电子输送层ETL、电子注入层EIL中的至少一个层。上述发光层EL也可以具有伸缩性。在此情况下，在上述发光层EL被拉伸10％的状态下，画质特性变化可以维持在25％以下。
根据一实施例，在形成上述发光层EL之前，可形成与晶体管电连接的第一像素电极PXE1。上述第一像素电极PXE1可以对上述发光层EL起到阳极的功能。在此情况下，上述第一像素电极PXE1可向各个像素提供。并且，在上述第一像素电极PXE1可以形成用于区分像素的有机堆(organic bank)。上述发光层EL可以在上述有机堆形成之后形成。
上述发光层EL可形成于低伸缩性区域RR的至少一部分。例如，上述发光层EL仅可形成于低伸缩性区域RR。与此不同，如图8的(a)部分及图8的(b)部分所示，上述发光层EL可形成于高伸缩性区域SR的至少一部分。为此，在单位像素可一同形成低伸缩性区域RR和高伸缩性区域SR。上述发光层EL可以从低伸缩性区域RR形成至高伸缩性区域SR，因此，发光面积将扩大。随着发光面积的扩大，也可以改善发光亮度特性。
上述发光层EL可通过多种方法形成。例如，上述发光层EL可通过利用荫罩(shadowmask)的气相蒸镀法形成。与此不同，如图8的(b)部分所示，在上述发光层EL中的至少一层可以转移到上述驱动器件层。上述发光层EL的尺寸大于驱动器件层，因此，使用对准(align)工序设备来进行转移。
尤其，在单位像素内混合存在低伸缩性区域RR及高伸缩性区域SR的状态下，在高伸缩性区域SR形成发光层EL的情况下，转移发光层的工序更加有力。上述发光层EL形成于去除伸缩性掩膜图案SMP而露出的伸缩性基板120的高伸缩性区域SR，在转移发光层EL的情况下，可以将能够向露出的伸缩性基板120施加的损伤最小化。
在形成上述发光层EL之后，可形成与上述发光层EL电连接的第二像素电极PXE2。上述第二像素电极PXE2可以对上述发光层EL起到阴极的工作。在此情况下，与上述第一像素电极PXE1可以向各个像素提供的情况不同，上述第二像素电极PXE2可以向多个像素提供。例如，上述第二像素电极PXE2可通过溅射工序蒸镀。
在形成上述第二像素电极PXE2之后，可以形成封装层Encap。上述封装层Encap可以执行隔断水分及空气的功能，以防止水分及空气向上述发光层EL渗透。为此，上述封装层Encap可以由包含无机物及无机物的有机无机复合膜形成。例如，上述封装层Encap可以包含氧化石墨烯(GRaphene oxide)及碳纳米管(Carbon nano tube(CNT))等的至少一种碳类无机材料和丙烯酸、硅氧烷、尿烷、乙烯、丙烯、二烯弹性聚合物树脂薄膜中的至少一个物质。
在此情况下，在顶部发光方式的情况下，上述封装层Encap可以由透明层形成。与此相反，在反射发光的情况下，上述封装层Encap可以由反射度高的物质形成。
在说明步骤S180的过程中，上述第一像素电极PXE1起到阳极功能，上述第二像素电极PXE2起到阴极功能，与此不同，上述第一像素电极PXE1起到阴极功能，上述第二像素电极PXE2起到阳极功能。
步骤S190
在步骤S190中，可以去除载体基板110。
在去除上述载体基板110之前，可以执行在上述伸缩性基板120形成用于提供伸缩路径(stretching pate)的槽的步骤。例如，在上述说明的步骤S120中，在拉伸伸缩性基板120的状态下形成上述载体基板110的情况下，在上述伸缩性基板120的下部面可以形成槽GR。
上述槽GR可形成于上述伸缩性基板120的一面，当上述伸缩性基板120在拉伸的状态下收缩时，可以提供伸缩路径，以可以按规定的形态收缩。
更具体地，参照图9，在上述伸缩性基板120的上部面A1形成驱动器件层DR、发光层EL、封装层Encap的状态下，在上述伸缩性基板120的下部面A2可以形成槽GR。
为此，可以向上述伸缩性基板120的下部面A2照射槽图案形成激光。槽图案形成激光使上述伸缩性基板120的表面分解成微细区域来形成槽GR。
为此，形成上述槽图案的激光可以为被上述伸缩性基板120吸收并形成槽GR且具有通过上述载体基板110的特性。在另一方面，将载体基板110及载体基板110与伸缩性基板120粘结的两面胶可以为提高槽图案形成激光波段的透射率的物质。可根据槽GR的宽度及深度控制激光的强度及聚集程度。
如图9的(b1)、(b2)、(b3)部分所示，上述槽GR的形态可以多种多样。由此，在上述伸缩性基板120的下部面A2可形成槽GR，因此，当伸缩性基板120拉伸及收缩时，可以提供伸缩路径。
槽形成步骤的执行顺序可以在上述步骤S120与步骤S130之间执行。
在形成槽的步骤之后，可以执行从上述伸缩性基板120去除上述载体基板110的步骤。可通过多种方式去除上述载体基板110。例如，可通过照射线形激光来从上述伸缩性基板120分离上述载体基板110。作为另一例，在上述载体基板110与上述伸缩性基板120通过在零下30度以下的温度条件下丧失粘结力的两面胶粘结的情况下，可以提供低温环境来从上述伸缩性基板120分离上述载体基板110。
以上述拉伸的状态去除与伸缩性基板120附着的载体基板110，由此，上述伸缩性基板120可以松弛，在上述伸缩性基板120，可以沿着上述槽GR方向形成褶皱。
在从上述伸缩性基板120去除上述载体基板110之后，可以执行后续工序，例如，将上述伸缩性基板120按需要的大小及单位板切割的工序及模块工序。另一方面，在将上述伸缩性基板120按需要的大小及单位板切割之后，可以从上述伸缩性基板120去除上述载体基板110。
另一方面，根据一实施例，本发明还可包括形成于上述显示区域外侧的周边区域PA并向上述驱动器件层施加电信号的驱动电路器件形成步骤。例如，在上述驱动电路器件由集成电路芯片形成的情况下，上述驱动电路器件可形成于上述低伸缩性区域RR。作为另一例，在驱动电路器件由伸缩性膜形成的情况下，上述驱动电路器件可形成于上述高伸缩性区域SR。驱动电路器件可以在载体基板去除步骤前或载体基板去除步骤后形成。
由此，可以通过步骤S110至步骤S190的伸缩性显示器制作方法提供伸缩性显示器。
以上，参照图1至图10，说明了本发明第一实施例的伸缩性基板结构体及其制作方法以及伸缩性显示器及其制作方法。以下，参照图11，说明根据本发明一实施例制作的伸缩性显示器的使用方法。
图11为用于说明本发明第一实施例的伸缩性显示器使用方法的图。
如图11的(a)部分、(b)部分、(c)部分所示，一实施例的伸缩性显示器的使用方法可包括：第一使用状态，上述伸缩性基板以形成褶皱的状态收缩；第二使用状态，形成上述褶皱的状态展开并比上述第一使用状态更被拉伸；以及第三使用状态，上述伸缩性基板的材料拉长并比上述第二使用状态更被拉伸。
在上述图1的步骤S120中，在将拉伸状态的伸缩性基板120形成于载体基板110的状态下制作伸缩性显示器，在去除载体基板110的情况下，随着伸缩性基板120的收缩，如图11的(a)部分所示，可以形成褶皱。在此情况下，在高伸缩性区域可以形成比低伸缩性区域更多的褶皱。
在此情况下，参照图11的(b)部分，在使用人员向一方向拉动第一使用状态的伸缩性显示器的情况下，伸缩性基板120的褶皱将会展开并提供第二使用状态。即，第二使用状态的低伸缩性区域RR的大于第一使用状态RRS1，高伸缩性区域SR大于第一使用状态SRS1。在此情况下，在高伸缩性区域SR形成比低伸缩性区域RR更多的褶皱，因此，高伸缩性区域的拉伸长度SRS1可以大于低伸缩性区域的拉伸长度RRS1。换句话说，形成于上述高伸缩性区域SR的配线SL可以比形成于上述低伸缩性区域RR的驱动器件更被拉伸。
进而，参照图11的(c)部分，在使用人员向一方向进一步拉动第二使用状态的伸缩性显示器的情况下，可根据伸缩性基板120所具有的材料特性追加拉伸。即，在伸缩性基板120的褶皱完全展开的状态下，通过伸缩性基板120的弹性提供追加拉伸长度。由此，第三使用状态的低伸缩性区域RR可大于第二使用状态RRS2，高伸缩性区域SR大于第二使用状态SRS2。
参照图11，根据上述本发明一实施例的伸缩性显示器的使用方法，在收缩的状态下，伸缩性基板的几何形状展开并赋予拉伸特性，追加地，可通过伸缩性基板的材料自身的弹性进一步赋予拉伸特性。由此，本发明一实施例的伸缩性显示器可提供高伸缩性。
例如，根据第一实施例，可提供沿着1轴至少具有20％的长度拉伸率，沿着2轴至少具有30％的面积拉伸率的伸缩性显示器。
以上，参照图11，说明了本发明第一实施例的伸缩性显示器的使用方法。以下，参照图12至图14，说明本发明第二实施例的伸缩性基板结构体及伸缩性显示器。
图12为用于说明本发明第二实施例的伸缩性基板结构体及伸缩性显示器制作方法的流程图，图13为用于详细说明图12的步骤S270的图，图14为用于详细说明图12的步骤S280的图。
参照图12，本发明第一实施例的伸缩性基板结构体及伸缩性显示器制作方法可包括载体基板准备步骤S210、伸缩性基板形成步骤S220、伸缩性掩膜层形成步骤S230、伸缩性掩膜图案形成步骤S240、混合型伸缩性基板形成步骤S250、驱动器件层形成步骤S260、发光层形成步骤S270、伸缩性掩膜图案去除步骤S280、载体基板去除步骤S290中的至少一个步骤。例如，本发明第二实施例的伸缩性基板结构体可通过步骤S210至步骤S250制作，本发明第二实施例的伸缩性显示器可通过步骤S210至S290制作。
根据本发明第一实施例，伸缩性掩膜图案去除步骤在驱动器件层形成步骤与发光层形成步骤之间执行，根据本发明第二实施例，伸缩性掩膜图案去除步骤在驱动器件层及发光层形成步骤之后执行。以下，将省略与第一实施例重复的步骤的说明，以不同结构为中心进行说明。
第二实施例的步骤S210至步骤S260分别与第一实施例的步骤S110至步骤S160相对应，因此，将省略对其的详细说明。
步骤S270
在步骤S270中，可以执行发光层形成步骤。即，在第一实施例中，在驱动器件层形成步骤之后执行伸缩性掩膜图案去除步骤，但是，在第二实施例中，在驱动器件层形成步骤之后及伸缩性掩膜图案去除步骤之前可以执行发光层形成步骤。
上述发光层EL形成于驱动器件层DR，并可形成于选择性区域，以在后续工序中使需要被去除的伸缩性掩膜图案SMP持续露出。例如，在上述高伸缩性区域SR及上述低伸缩性区域RR中，上述发光层EL可选择性地形成于低伸缩性区域RR。由此，高伸缩性区域SR的伸缩性掩膜图案SMP并未被发光层EL覆盖，而是持续露出，因此，可以在后续工序中去除。
上述发光层EL为了选择性地形成于低伸缩性区域RR而使形成上述发光层EL的各个层可以通过蒸镀区域开口的荫罩(shadow mask)气相蒸镀。由此，上述发光层EL形成于低伸缩性区域RR，因此，可以呈各个像素隔开的状态。
覆盖高伸缩性区域SR的伸缩性掩膜图案SMP可以在上述驱动器件层形成工序及发光层形成工序中，将可以向高伸缩性区域SR施加的损伤最小化。
虽然省略了说明，但在上述发光层EL下层和上层分别以各个像素形成第一像素电极PXE1及第二像素电极PXE2。
进而，以各个上述像素形成的发光层可以被以各个像素隔开的封装层Encap的保护。即，封装层Encap也能够以各个像素隔开来覆盖发光层EL，以可以使伸缩性掩膜图案SMP露出。上述封装层可以选择在后续的伸缩性掩膜图案去除工序中对蚀刻液具有强韧的特性的物质。例如，封装层Encap可以由包含SiNx、SiO2、SiOxNy、Al2O3等的无机薄膜及包含丙烯酸类、硅氧烷类、氨基甲酸酯类、环氧类、酰亚胺类高分子树脂等的有机薄膜中的至少一个物质形成。
在此情况下，当进行第二像素电极PXE2(未图示)及封装层Encap的图案化时，为了将向发光层EL施加的损伤最小化，第二像素电极PXE2(未图示)及封装层Encap可通过可溶性工序直接分配(dispensing)到需要的图案化。
根据步骤S270，如图13的(a)部分和示出图13的(a)部分的B-B'的剖面的图13的(b)部分所示，在高伸缩性区域SR形成伸缩性掩膜图案SMP和配线DL、ELVDD，在配线可形成绝缘层。另一方面，在低伸缩性区域RR中的包括晶体管及电容器等的个别像素可以形成发光层EL。进而，本发明可以形成按各个像素覆盖个别像素的发光层EL的封装层Encap。
步骤S280
在步骤S280中，可以执行伸缩性掩膜图案去除步骤。
即，可以去除覆盖高伸缩性区域SR的伸缩性掩膜图案SMP。在此情况下，上述发光层EL及封装层Encap形成于低伸缩性区域RR，以可以使覆盖高伸缩性区域SR的伸缩性掩膜图案SMP露出，因此，可以去除覆盖高伸缩性区域SR的伸缩性掩膜图案SMP。上述伸缩性掩膜图案SMP被蚀刻，由此，与上述配线SL重叠的区域的上述伸缩性掩膜图案SMP残留，不与上述配线SL重叠的区域的上述伸缩性掩膜图案SMP可以被去除。在此情况下，去除上述伸缩性掩膜图案SMP上的绝缘层也一同被去除。
在上述伸缩性掩膜图案去除步骤之后，在上述低伸缩性区域RR及上述高伸缩性区域SR可以形成覆盖上述封装层Encap的辅助封装层Sub-Encap。
根据步骤S280，如图14的(a)部分和示出图14的(a)部分的B-B'的剖面的图14的(b)部分所示，在高伸缩性区域SR形成伸缩性掩膜图案SMP与配线DL、ELVDD，在配线可以形成绝缘层。在此情况下，可以去除配线DL、ELVDD之间的伸缩性掩膜图案SMP。进而，在上述低伸缩性区域RR及上述高伸缩性区域SR可以形成覆盖上述封装层Encap的辅助封装层Sub-Encap。
步骤S290及后续工序与第一实施例的步骤S190及其后续工序相对应，因此，将省略对其的具体说明。
由此，可通过参照步骤S210至步骤S290说明的本发明第二实施例的伸缩性显示器制作方法提供伸缩性显示器。参照图11说明的本发明第一实施例的伸缩性显示器的使用方法也可以适用于第二实施例的伸缩性显示器。
上述本发明一实施例的伸缩性显示器包括：混合型伸缩性基板120，被划分为低伸缩性区域RR与模量大于上述低伸缩性区域RR的高伸缩性区域SR；驱动器件层DR，包括驱动器件及配线SL，上述驱动器件形成于上述低伸缩性区域RR，用于对发光层EL进行控制，上述件层DR形成于上述高伸缩性区域SR并与上述驱动器件的一部分电连接来施加电信号；以及发光层EL，形成于上述驱动器件层DR，与上述驱动器件层DR电连接来急性发光，在上述驱动器件和上述配线中，上述配线可形成于伸缩性掩膜图案SMP并与上述伸缩性掩膜图案SMP重叠。
根据一实施例，在伸缩性基板120被拉伸的状态下形成于上述载体基板110，随着在后续工序之后去除载体基板110，伸缩性基板120松弛并在伸缩性基板120沿着厚度方向形成褶皱。在此情况下，在伸缩性基板120形成褶皱的情况下，可以沿着褶皱方向形成伸缩性基板120。由此，一实施例的伸缩性显示器根据作为褶皱的几何特性和各个材料所具有的固有弹性特性提供更多的拉伸量。由此，可以提供高伸缩性。
一实施例的上述伸缩性掩膜图案SMP可以为用于将伸缩性基板120区分为高伸缩性区域SR及低伸缩性区域RR的掩膜图案。由此，可以实现高伸缩性区域SR及低伸缩性区域RR的微细图案化。并且，在上述伸缩性掩膜图案SMP后续工序中残留，由此，可通过后续工序将可以向高伸缩性区域SR施加的损伤最小化。尤其，在伸缩性基板120为了具有伸缩性特性而具有薄的厚度的情况下，伸缩性掩膜图案SMP可以保护高伸缩性区域SR，因此，可以制作伸缩性基板结构体及伸缩性显示器。进而，在上述伸缩性掩膜图案SMP中，与配线SL位于下侧，与配线SL重叠的部分残留，因此，可以计算伸缩性基板120与配线SL的模量之差。由此，在伸缩环境下也可以提高耐久性。
并且，根据一实施例，随着在配线SL下方残留伸缩性掩膜图案SMP，当配线SL与晶体管的电连接时，即使发生高度差，在覆盖配线SL与晶体管的绝缘层形成贯通孔，通过贯通孔形成互连线，由此，可以解除当电连接时所发生的的高度差问题。
并且，根据本发明第一实施例，在驱动器件层形成步骤与发光层形成步骤之间去除伸缩性掩膜图案去除，因此，在发光层EL可以从低伸缩性区域RR形成至高伸缩性区域SR方面，可以提高设计自由度。由此，可以提高发光面积，因此，可以提高亮度。并且，在发光层形成步骤之前，即使去除伸缩性掩膜图案SMP，在转移发光层EL的情况下，去除伸缩性掩膜图案SMP，从而可以将所露出的高伸缩性区域SR的损伤最小化。尤其，与驱动器件层相比，发光层EL的图案化的准确度相对低，因此，转移工序简单。
并且，根据本发明的第二实施例，在驱动器件层形成步骤和发光层形成步骤之后执行伸缩性掩膜图案去除步骤，因此，除驱动器件层DR及发光层EL之外，当形成像素电极PXE2及封装层Encap时，可以将向高伸缩性区域SR施加的损伤最小化。
以上，在说明本发明的一实施例的过程中，本发明并不局限于此，本发明的一实施例可适用于上部发光伸缩性显示器下部发光伸缩性显示器。
以上，使用优选实施例详细说明了本发明，本发明的范围并不局限于特定实施例，可以通过发明要求保护范围解释。并且，只要是本发明所属技术领域的普通技术人员，可以在不超出本发明的范围的情况下进行多种修改和变形。

Claims (20)

1.一种伸缩性显示器，其特征在于，包括：
混合型伸缩性基板，被划分为低伸缩性区域和模量小于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域；
驱动器件层，包括驱动器件及配线，上述驱动器件形成于上述低伸缩性区域，用于对发光层进行控制，上述配线形成于上述高伸缩性区域，与上述驱动器件的一部分电连接来施加电信号；以及
发光层，形成于上述驱动器件层，与上述驱动器件层电连接并进行发光，
在上述驱动器件和上述配线中，上述配线与伸缩性掩膜图案重叠，上述伸缩性掩膜图案具有与上述低伸缩性区域及上述高伸缩性区域中的一个伸缩性区域相对应的形状。
2.根据权利要求1所述的伸缩性显示器，其特征在于，模量按与上述高伸缩性区域、上述高伸缩性区域上的上述伸缩性掩膜图案及上述伸缩性掩膜图案重叠的配线的顺序增加。
3.根据权利要求1所述的伸缩性显示器，其特征在于，上述伸缩性掩膜图案包括非晶质金属合金或屏障。
4.根据权利要求1所述的伸缩性显示器，其特征在于，上述驱动器件的一部分与上述配线电连接，上述驱动器件的一部分和上述配线通过上述配线下的伸缩性掩膜图案发生高度差。
5.根据权利要求1所述的伸缩性显示器，其特征在于，上述低伸缩性区域与上述高伸缩性区域的模量之差为10倍以上。
6.根据权利要求1所述的伸缩性显示器，其特征在于，当上述配线最大拉伸10％时，电阻维持在1.5倍以内。
7.根据权利要求1所述的伸缩性显示器，其特征在于，在形成有上述驱动器件层及上述发光层的面和另一面的上述伸缩性基板形成用于提供上述伸缩性基板的伸缩路径的槽。
8.根据权利要求1所述的伸缩性显示器，其特征在于，上述混合型伸缩性基板沿着上述伸缩性基板的厚度方向具有褶皱。
9.根据权利要求1所述的伸缩性显示器，其特征在于，上述混合型伸缩性基板包括：
第一伸缩状态，以褶皱的状态收缩；
第二伸缩状态，上述褶皱的状态展开并比上述第一伸缩状态更被拉伸；以及
第三伸缩状态，上述伸缩性基板的材料展开并比上述第二伸缩状态更被拉伸。
10.一种伸缩性显示器制作方法，其特征在于，包括：
载体基板准备步骤，准备载体基板；
伸缩性基板形成步骤，在上述载体基板形成伸缩性基板；
伸缩性掩膜层形成步骤，在上述伸缩性基板形成伸缩性掩膜层；
伸缩性掩膜图案形成步骤，在上述伸缩性掩膜层进行图案化来形成具有开口区域和隔断区域的伸缩性掩膜图案；
混合型伸缩性基板形成步骤，通过上述伸缩性掩膜图案的上述开口区域和上述隔断区域，在上述伸缩性基板形成低伸缩性区域和模量低于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域；
驱动器件层形成步骤，在上述低伸缩性区域形成用于对像素的发光层进行控制的驱动器件，在上述高伸缩性区域形成用于向上述驱动器件施加电信号的配线，上述配线在形成上述隔断区域的上述伸缩性掩膜图案形成；以及
发光层形成步骤，形成与上述驱动器件层电连接来进行发光的发光层。
11.根据权利要求10所述的伸缩性显示器制作方法，其特征在于，上述伸缩性基板形成步骤包括在使上述伸缩性基板向1轴或2轴拉伸的状态下附着于上述载体基板的步骤。
12.根据权利要求11所述的伸缩性显示器制作方法，其特征在于，在形成上述槽的步骤中，形成上述槽的光源被上述伸缩性基板吸收并具有通过上述载体基板的特性。
13.根据权利要求10所述的伸缩性显示器制作方法，其特征在于，上述伸缩性掩膜层及上述伸缩性掩膜图案包括非晶质金属合金或屏障。
14.根据权利要求13所述的伸缩性显示器制作方法，其特征在于，上述非晶质金属合金为由妨碍相互间规则性结构形成的至少2个金属构成的非晶质状态的合金。
15.根据权利要求10所述的伸缩性显示器制作方法，其特征在于，在上述驱动器件层形成步骤之后及上述发光层形成步骤之前，还包括去除上述伸缩性掩膜图案的步骤。
16.根据权利要求10所述的伸缩性显示器制作方法，其特征在于，在上述驱动器件层形成步骤及上述发光层形成步骤之后，还包括去除上述伸缩性掩膜图案的步骤。
17.一种伸缩性基板结构体，其特征在于，包括：
混合型伸缩性基板，被划分为低伸缩性区域和模量小于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域；以及
伸缩性掩膜图案，具有与上述低伸缩性区域及上述高伸缩性区域中的一个伸缩性区域相对应的形状。
18.一种伸缩性基板结构体制作方法，其特征在于，包括：
伸缩性掩膜层形成步骤，在伸缩性基板形成伸缩性掩膜层；
伸缩性掩膜图案形成步骤，对上述伸缩性掩膜层进行图案化来形成具有开口区域和隔断区域的伸缩性掩膜图案；以及
混合型伸缩性基板形成步骤，通过上述伸缩性掩膜图案的上述开口区域和上述隔断区域，在上述伸缩性基板形成低伸缩性区域和模量低于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域。
19.一种伸缩性显示器使用方法，其中的伸缩性显示器包括：
伸缩性基板，被划分为低伸缩性区域和模量小于上述低伸缩性区域的高伸缩性区域，沿着厚度方向形成褶皱；以及
驱动器件层，包括驱动器件及配线，上述驱动器件形成于上述低伸缩性区域，用于对发光层进行控制，上述配线形成于上述高伸缩性区域，与上述驱动器件的一部分电连接来施加电信号，上述伸缩性显示器使用方法的特征在于，包括：
第一使用状态，上述伸缩性基板以形成褶皱的状态收缩；
第二使用状态，上述褶皱的状态展开并比上述第一使用状态更被拉伸；以及
第三使用状态，上述褶皱的状态展开的伸缩性基板的材料拉长并比上述第二使用状态更被拉伸。
20.根据权利要求19所述的伸缩性显示器使用方法，其特征在于，在上述第二使用状态中，形成于上述高伸缩性区域的配线的拉伸程度大于形成于上述低伸缩性区域的驱动器件的拉伸程度。
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