KR20140030073A - Conductive structure body and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

The present specification provides a conductive structure body which includes a base material, a conductive structure; and a dark coloring layer and a method for manufacturing the same. The conductive structure can prevent reflection due to the conductive layer without the effect of the conductivity of the conductive layer and improve the concealment of the conductive layer by improving absorbance. Therefore, a display panel with visibility can be developed by using the conductive structure.

Description

전도성 구조체 및 이의 제조방법{CONDUCTIVE STRUCTURE BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}CONDUCTIVE STRUCTURE BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 명세서는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원은 2012년 8월 31일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0096493호의 출원일의 이익을 주장하고, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.The present specification relates to a conductive structure and a method of manufacturing the same. This application claims the benefit of the application date of Korean Patent Application No. 10-2012-0096493 filed with the Korea Intellectual Property Office on August 31, 2012, the entire contents of which are incorporated herein.

일반적으로, 터치 스크린 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.Generally, the touch screen panel can be classified as follows according to the signal detection method. That is, a resistive type in which a position depressed by a pressure in a state where a direct current voltage is applied is sensed through a change in a current or a voltage value, and a resistive type in which a capacitance coupling is used in a state in which an alternating voltage is applied There is a capacitive type and an electromagnetic type in which a selected position is sensed as a change in voltage while a magnetic field is applied.

최근 대면적의 터치 스크린 패널에 대한 필요가 증가함에 따라 전극의 저항을 줄이면서도 시인성이 우수한 대형 터치 스크린 패널을 구현할 수 있는 기술 개발이 필요하였다.Recently, as the need for a large-area touch screen panel increases, there is a need for a technology that can realize a large touch screen panel having excellent visibility while reducing electrode resistance.

한국 공개 특허 제10-2010-0007605호Korean Patent Publication No. 10-2010-0007605

당 기술분야에서는, 상기 다양한 방식의 터치 스크린 패널의 성능 향상을 위한 기술 개발이 요구되고 있다.In the art, technology development for improving the performance of the various types of touch screen panels is required.

본 출원의 일 구현예는 기재; 전도성 층; 및 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체를 제공한다.One embodiment of the present application includes a substrate; Conductive layer; And a darkening layer satisfying Equation 1 and Equation 2 for light having at least one wavelength among light having a wavelength of 550 nm to 650 nm.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[수학식 2]&Quot; (2) "

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 수학식 1 또는 수학식 2에서,In Equation 1 or Equation 2,

｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고, R is a parameter for lowering the visibility of the conductive structure,

n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며, n is the refractive index, k is the extinction coefficient, R Metal is the reflectance of the conductive layer,

d는 암색화층의 두께이고, λ는 빛의 파장이다.d is the thickness of the darkening layer, and λ is the wavelength of light.

본 출원의 일 구현예는 기재 상에 전도성 층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.One embodiment of the present application to form a conductive layer on the substrate; And forming a darkening layer that satisfies Equation 1 and Equation 2 below with respect to light having at least one of wavelengths of 550 nm to 650 nm before, after, or before and after forming the conductive layer. It provides a method for producing a conductive structure comprising.

본 출원의 일 구현예는 기재 상에 패턴화된 전도성 층을 형성하는 단계; 및 상기 패턴화된 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 패턴화된 암색화 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.One embodiment of the present application to form a patterned conductive layer on the substrate; And patterned darkening that satisfies Equation 1 and Equation 2 below for light having a wavelength of 550 nm to 650 nm both before, after, or before and after forming the patterned conductive layer. It provides a method of manufacturing a conductive structure comprising the step of forming a layer.

본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다.One embodiment of the present application provides a touch screen panel including the conductive structure.

본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.One embodiment of the present application provides a display device including the conductive structure.

본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양전지를 제공한다.One embodiment of the present application provides a solar cell including the conductive structure.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 전도성 층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 층에 의한 반사를 방지할 수 있고, 흡광도를 향상시킴으로써 전도성 층의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 태양 전지를 개발할 수 있다.The conductive structure according to the embodiment of the present application may prevent reflection by the conductive layer without affecting the conductivity of the conductive layer, and improve the concealability of the conductive layer by improving the absorbance. In addition, a touch screen panel having improved visibility and a display device and a solar cell including the same may be developed using the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present application.

도 1 내지 도 3은 각각 본 출원의 일 구현예로서, 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체의 적층 구조를 예시한 도이다.
도 4 내지 도 6은 각각 본 출원의 일 구현예로서, 전도성 패턴층 및 암색화을 패턴층을 포함하는 전도성 구조체의 적층 구조를 예시한 도이다.
도 7은 본 출원의 일 구현예로서, 빛이 강도가 I0일 때, 암색화층 표면에서 1차 반사되는 빛의 강도, 암색화층 표면에서 2차 반사되는 빛의 강도, 전도성 층 표면에 도달하는 빛의 강도, 전도성 층 표면에서 반사되는 빛의 강도를 나타낸 것이다.
도 8은 본 출원의 일 구현예로서, Al 하부 전극을 사용하였을 때 AlOxNy(x > 0, y > 0)을 포함하는 암색화층을 300~800nm 파장 범위에서 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
도 9는 본 출원의 일 구현예로서, 90%의 반사율을 갖는 Al 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 색상을 나타낸 것이다.
도 10은 본 출원의 일 구현예로서, 표 2 중에 300~800nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하인 모든 경우를 그래프로 나타낸 것이다.
도 11은 도 10 중 S2, S3, S4, S5, S16, S17, S18 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 12는 도 10 중 S19, S20, S30, S31, S32, S33, S34, S35 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 13은 도 10 중 S44, S45, S46, S47, S48, S49, S59, S60 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 14는 도 10 중 S61, S62, S63, S73, S74, S75, S76, S77, S87, S88, S89 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 15는 도 10 중 S90, S91, S101, S102, S103, S104, S105, S115, S116, S117, S118 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 16은 본 출원의 일 구현예로서, Al 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
도 17은 본 출원의 일 구현예로서, Al 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 수학식 1의 파라미터 값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
도 18은 본 출원의 일 구현예로서, Al 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 A*값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
도 19는 본 출원의 일 구현예로서, Mo 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 수학식 1의 파라미터 값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다. 1 to 3 are diagrams each illustrating a laminated structure of a conductive structure including a darkening layer as an embodiment of the present application.
4 to 6 are views illustrating a laminated structure of a conductive structure including a conductive pattern layer and a darkening pattern layer, respectively, as an embodiment of the present application.
7 is an embodiment of the present application, when the light intensity is I 0 , the intensity of light reflected primarily from the surface of the darkening layer, the intensity of light reflected secondly from the surface of the darkening layer, to reach the conductive layer surface The intensity of the light, which is reflected by the surface of the conductive layer.
8 is an embodiment of the present application, when using the Al lower electrode, blackening when the darkening layer containing AlOxNy (x> 0, y> 0) when using the Macleod program in the 300 ~ 800nm wavelength range (Darkening) possible regions are shown.
FIG. 9 illustrates a color according to n and k values under an extinction interference condition of 600 nm when an Al bottom electrode having a reflectance of 90% is used as an embodiment of the present application.
FIG. 10 is a graph illustrating all cases in which the average percentage of parameters for lowering the visibility of the conductive structure in the wavelength region of 300 to 800 nm is 20% or less in Table 2 as one embodiment of the present application.
FIG. 11 shows graphs of S2, S3, S4, S5, S16, S17, and S18 in FIG.
FIG. 12 shows graphs of S19, S20, S30, S31, S32, S33, S34, and S35 in FIG.
FIG. 13 shows graphs of S44, S45, S46, S47, S48, S49, S59 and S60 in FIG.
FIG. 14 shows graphs of S61, S62, S63, S73, S74, S75, S76, S77, S87, S88 and S89 in FIG.
FIG. 15 shows graphs of S90, S91, S101, S102, S103, S104, S105, S115, S116, S117, and S118 in FIG.
FIG. 16 illustrates blackening (darkening) possible regions when simulated using the Macleod program under an extinction interference condition of 600 nm when using an Al bottom electrode.
FIG. 17 illustrates a blackening (darkening) possible region when the parameter value of Equation 1 is calculated according to n and k values under an extinction interference condition of 600 nm when an Al lower electrode is used as an embodiment of the present application. It is shown.
FIG. 18 illustrates a blackening (darkening) possible region when an A * value according to n and k values is calculated under an extinction interference condition of 600 nm when using an Al lower electrode. .
FIG. 19 illustrates a blackening (darkening) possible region when a parameter value of Equation 1 is calculated according to n and k values under an extinction interference condition of 600 nm when using a Mo lower electrode as an embodiment of the present application. It is shown.

이하, 본 출원을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present application will be described in more detail.

본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.In this specification, the term " display device " refers to a television, a computer monitor, or the like, and includes a display element for forming an image and a case for supporting the display element.

상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.Examples of the display device include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), an electrophoretic display, a cathode ray tube (CRT), and an OLED display . The display element may be provided with an RGB pixel pattern for image implementation and an additional optical filter.

한편, 디스플레이 장치와 관련하여, 스마트 폰 및 태블릿 PC, IPTV 등의 보급이 가속화됨에 따라 키보드나 리모컨 등 별도의 입력 장치 없이 사람의 손이 직접 입력 장치가 되는 터치 기능에 대한 필요성이 점점 커지고 있다. 또한, 특정 포인트 인식뿐만 아니라 필기가 가능한 다중 인식(multi-touch) 기능도 요구되고 있다.Meanwhile, as the spread of smart phones, tablet PCs, IPTVs, and the like is accelerated in connection with display devices, there is a growing need for a touch function in which a human hand becomes a direct input device without a separate input device such as a keyboard or a remote control. In addition, there is a demand for a multi-touch function capable of not only a specific point recognition but also writing.

현재, 상용화된 대부분의 터치 스크린 패널(TSP, touch screen panel)은 투명 전도성 ITO 박막을 기반으로 하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극 자체의 비교적 높은 면저항(최저 150 Ω/□, Nitto denko 社 ELECRYSTA 제품)으로 인한 RC 지연 때문에 터치 인식 속도가 느려지게 되고, 이를 극복하기 위한 추가적인 보상 칩(chip)을 도입해야 하는 등의 문제점이 있다.Currently, most commercially available touch screen panels (TSPs) are based on transparent conductive ITO thin films, but relatively large sheet resistance of the ITO transparent electrode itself (at least 150 Ω / □, Nitto) when large-area touch screen panels are applied Due to the RC delay caused by denko's ELECRYSTA product, the touch recognition speed is slowed and an additional compensation chip must be introduced to overcome this problem.

본 출원의 발명자들은 상기 투명 ITO 박막을 금속 미세 패턴으로 대체하기 위한 기술을 연구하였다. 이에, 본 출원의 발명자들은, 터치 스크린 패널의 전극 용도로서, 높은 전기전도도를 가지는 금속 박막인 Ag, Mo/Al/Mo, MoTi/Cu 등을 이용하는 경우에는, 특정 모양의 미세 전극 패턴을 구현하고자 할 때, 높은 반사도로 인하여 시인성 측면에 있어서 패턴이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점과 함께 외부 광에 대하여 높은 반사도 및 헤이즈(Haze) 값 등으로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, 제조공정시 고가의 타겟(target) 값이 들거나, 공정이 복잡한 경우가 많을 수 있음을 밝혀내었다.The inventors of the present application have studied a technique for replacing the transparent ITO thin film with a metal fine pattern. Thus, the inventors of the present application, when using a thin film of Ag, Mo / Al / Mo, MoTi / Cu, etc., which is a metal thin film having a high electrical conductivity as an electrode of the touch screen panel, to implement a fine electrode pattern of a specific shape In this case, it has been found that the pattern may be well recognized by the human eye in view of visibility due to high reflectance, and that glare may occur due to high reflectivity and haze value for external light. In addition, it has been found that an expensive target value may be involved in the manufacturing process or the process may be complicated.

그래서 본 출원의 일 구현예는, 종래의 ITO 기반의 투명 전도성 박막층을 사용한 터치 스크린 패널과 차별화될 수 있고, 금속 미세 패턴 전극의 은폐성 및 외부광에 대한 반사 및 회절 특성이 개선된 터치 스크린 패널에 적용할 수 있는 전도성 구조체를 제공하고자 한다.Thus, an embodiment of the present application may be differentiated from a touch screen panel using a conventional ITO-based transparent conductive thin film layer, and a touch screen panel having improved hiding property and reflection and diffraction characteristics of external metal light of a metal fine pattern electrode. To provide a conductive structure that can be applied to.

본 명세서에서 암색화층은 패턴화된 암색화층일 수도 있고, 또는 암색화 패턴층일 수 있다. 또한, 본 명세서에서 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있고, 또는 전도성 패턴층일 수 있다. In this specification, the darkening layer may be a patterned darkening layer, or may be a darkening pattern layer. In addition, the conductive layer herein may be a patterned conductive layer, or may be a conductive pattern layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 포함할 수 있다. The conductive structure according to the embodiment of the present application may include a darkening layer that satisfies Equation 1 and Equation 2 below for light having at least one wavelength among light having a wavelength of 550 nm to 650 nm.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 수학식 1 에서,In Equation 1,

｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고, R is a parameter for lowering the visibility of the conductive structure,

n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며, n is the refractive index, k is the extinction coefficient, R Metal is the reflectance of the conductive layer,

λ는 빛의 파장이다.λ is the wavelength of light.

[수학식 2]&Quot; (2) "

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 수학식 2에서,In Equation (2)

d는 암색화층의 두께이고, n은 굴절율이며, λ는 빛의 파장이다.d is the thickness of the darkening layer, n is the refractive index, and λ is the wavelength of light.

상기 N은 소멸간섭 조건에서의 상수를 의미한다.N is a constant in the extinction interference condition.

상기 수학식 1에서 n>0, k>0일 수 있다.In Equation 1, n> 0 and k> 0.

상기 수학식 2에서 n>0일 수 있다.In Equation 2, n> 0.

상기 수학식 1의 범위를 만족하는 경우, n, k, RMetal에 따라 암색화층을 구성할 수 있는 재료를 결정할 수 있고, 재료의 특정 조성비를 결정할 수 있다. When the range of Equation 1 is satisfied, a material constituting the darkening layer may be determined according to n, k, and R metal , and a specific composition ratio of the material may be determined.

또한, 상기 수학식 2의 범위를 만족하는 경우, 암색화층의 재료에 따라 달라지는 적절한 암색화층의 두께를 결정할 수 있다.In addition, when satisfying the range of Equation 2, it is possible to determine the thickness of the appropriate darkening layer depending on the material of the darkening layer.

즉, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 n과 k에 따라 암색화층을 구성하는 재료, 재료의 특정 조성비, 암색화층의 두께를 결정할 수 있다. That is, the conductive structure according to the embodiment of the present application may determine the material constituting the darkening layer, the specific composition ratio of the material, and the thickness of the darkening layer according to n and k.

상기 수학식 1의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜은 수학식 4의 ｜R1-R2｜로 나타낼 수 있고, 상기 수학식 1은 하기 수학식 4를 만족할 수 있다.The parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure of Equation 1 may be represented by | R 1 -R 2 | of Equation 4, and Equation 1 may satisfy Equation 4 below.

[수학식 4]&Quot; (4) "

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 수학식 4에서,In Equation (4)

R1은 암색화층의 1차 반사율이고, R2는 암색화층의 2차 반사율이다. R 1 is the primary reflectance of the darkening layer, and R 2 is the secondary reflectance of the darkening layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 상기 암색화층의 1차 반사율과 2차 반사율의 차이가 0.2 이하인 것을 만족할 수 있다.The conductive structure according to the embodiment of the present application may satisfy that the difference between the primary reflectance and the secondary reflectance of the darkening layer is 0.2 or less.

굴절율이

Figure pat00006
(n>0, k>0)인 물질에서의 1차 반사율 R1은 하기 수학식 5와 같다. Refractive index
Figure pat00006
The primary reflectivity R 1 in the material of (n> 0, k> 0) is given by Equation 5 below.

[수학식 5]&Quot; (5) "

Figure pat00007
Figure pat00007

그리고, 암색화층에서의 2차 반사율 R2은 하기 수학식 6과 같다. In addition, the secondary reflectance R 2 in the darkening layer is represented by the following equation (6).

[수학식 6] &Quot; (6) "

Figure pat00008
Figure pat00008

강도가 I0인 빛이 암색화층에 가해졌을 때, 일부는 1차적으로 암색화층 표면에서 반사되고, 나머지 빛은 암색화 층 내부로 통과된다. 이때, 암색화층 표면에서의 1차 반사율은 R1이고, 1차 반사된 빛의 강도는 R1I0이다. 그리고, 암색화층 표면에서의 2차 반사율은 R2이고, 2차 반사된 빛의 강도는 R2I0이다.When light of intensity I 0 is applied to the darkening layer, some of it is primarily reflected at the darkening layer surface and the remaining light is passed into the darkening layer. In this case, the primary reflectance on the darkening layer surface is R 1 , and the intensity of the primary reflected light is R 1 I 0 . The secondary reflectance at the darkening layer surface is R 2 , and the intensity of the secondary reflected light is R 2 I 0 .

또한, 나머지 빛 중 일부는 암색화층에 1차적으로 흡수되고, 일부는 암색화층을 통과하여 인접한 다른 층에 도달하게 된다. 이때, 암색화층의 두께가 d인 경우, 두께 d인 암색화층을 통과한 후 전도성 층 표면에 도달하는 빛의 강도는 하기 수학식 7과 같다. 하기 수학식 7에서 α는 선흡수계수이고, d는 암색화층의 두께이며, k는 소멸계수이고, λ는 빛의 파장이다.In addition, some of the remaining light is primarily absorbed by the darkening layer, and some passes through the darkening layer to reach other adjacent layers. In this case, when the darkening layer has a thickness d, the intensity of light reaching the surface of the conductive layer after passing through the darkening layer having a thickness d is expressed by Equation 7 below. In Equation 7, α is a linear absorption coefficient, d is a thickness of the darkening layer, k is an extinction coefficient, and λ is a wavelength of light.

[수학식 7][Equation 7]

전도성 층 표면에 도달하는 빛의 강도Intensity of light reaching the surface of the conductive layer

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 수학식 7에서 선흡수계수 α는 하기 수학식 8과 같다.In Equation 7, the linear absorption coefficient α is represented by Equation 8 below.

[수학식 8]&Quot; (8) "

Figure pat00010
Figure pat00010

그리고, 두께 d인 암색화층을 통과한 빛의 일부는 암색화층과 인접한 층, 구체적으로 전도성 층의 표면에서 암색화층의 방향으로 반사되게 되고, 이때의 전도성 층의 표면에서의 반사되는 빛의 강도는 하기 수학식 9와 같다. 여기서, RMetal은 전도성 층의 반사율을 의미한다.In addition, a portion of the light passing through the darkening layer having a thickness d is reflected in the direction of the darkening layer on the surface adjacent to the darkening layer, specifically, the conductive layer, and the intensity of reflected light on the surface of the conductive layer at this time is Equation 9 below. Here, R Metal means the reflectance of the conductive layer.

[수학식 9]&Quot; (9) "

전도성 층 표면에서 반사되는 빛의 강도Intensity of light reflected from the surface of the conductive layer

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 수학식 9로 표시되는 반사되는 빛 중 일부는 암색화층을 통과하면서 2차적으로 광흡수되고 나머지 일부는 암색화층의 표면으로 반사된다. 이때 반사되는 빛을 암색화층에서 2차 반사되는 빛이라고 하고, 이때 2차 반사율을 상기 수학식 6로 표시되는 R2라 한다. 또한, 암색화층 표면에서의 2차 반사된 빛의 강도 R2I0는 하기 수학식 10으로 표시된다.Some of the reflected light represented by Equation 9 is secondarily absorbed while passing through the darkening layer, and the other part is reflected to the surface of the darkening layer. In this case, the reflected light is referred to as light that is secondarily reflected by the darkening layer, and at this time, the secondary reflectance is referred to as R 2 represented by Equation 6 above. In addition, the intensity R 2 I 0 of the second reflected light on the darkening layer surface is represented by the following equation (10).

[수학식 10]&Quot; (10) "

Figure pat00012
Figure pat00012

도 7은 빛이 강도가 I0일 때, 암색화층 표면에서 1차 반사되는 빛의 강도, 수학식 10으로 표시되는 암색화층 표면에서 2차 반사되는 빛의 강도, 수학식 7로 표시되는 전도성 층 표면에 도달하는 빛의 강도, 수학식 9로 표시되는 전도성 층 표면에서 반사되는 빛의 강도를 나타낸 것이다. 7 is an intensity of light that is primarily reflected at the darkening layer surface when the light intensity is I 0 , an intensity of light that is secondarily reflected at the darkening layer surface represented by Equation 10, and a conductive layer represented by Equation 7 The intensity of light reaching the surface and the intensity of light reflected from the surface of the conductive layer represented by Equation 9 are shown.

상기 수학식 2로 표시되는 암색화층의 두께 d는 암색화 층 표면에서의 1차 반사와 2차 반사 파장이 180°의 위상 차이를 가지는 소멸간섭 조건에서의 관계식이다. The thickness d of the darkening layer represented by Equation 2 is a relational expression in the extinction interference condition in which the primary reflection and the secondary reflection wavelength on the surface of the darkening layer have a phase difference of 180 °.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재 및 전도성 층을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 암색화 층은 전도성 층의 어느 한 면에만 구비될 수 있고, 전도성 층의 양면 모두에 구비될 수 있다.The conductive structure according to the embodiment of the present application may further include a substrate and a conductive layer. Here, the darkening layer may be provided on only one side of the conductive layer, it may be provided on both sides of the conductive layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비되는 전도성 층; 및 상기 전도성 층 상에 구비되는 암색화 층을 포함할 수 있다.Conductive structure according to an embodiment of the present application is a substrate; A conductive layer provided on the substrate; And it may include a darkening layer provided on the conductive layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비되는 암색화 층; 및 상기 암색화 층 상에 구비되는 전도성 층을 포함할 수 있다.Conductive structure according to an embodiment of the present application is a substrate; A darkening layer provided on the substrate; And it may include a conductive layer provided on the darkening layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비되는 암색화 층; 상기 암색화 층 상에 구비되는 전도성 층; 및 상기 전도층 상에 구비되는 암색화 층을 포함할 수 있다.Conductive structure according to an embodiment of the present application is a substrate; A darkening layer provided on the substrate; A conductive layer provided on the darkening layer; And it may include a darkening layer provided on the conductive layer.

본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 전도성 층 또는 암색화 층은 패턴화된 것일 수 있다. 상기 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있고, 상기 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있다. 패턴의 형태는 후술한다.In one embodiment of the present application, the conductive layer or darkening layer may be patterned. The conductive layer may be a patterned conductive layer and the darkening layer may be a patterned darkening layer. The form of a pattern is mentioned later.

본 출원의 발명자들은, 유효 화면부에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 전도성 금속 미세 패턴의 시인성에 상기 패턴층에 의한 광반사 및 회절 특성이 주요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었으며, 이를 개선하고자 하였다. 구체적으로, 기존 ITO를 기반으로 한 터치 스크린 패널에서는 ITO 자체의 높은 투과도로 인하여 전도성 패턴의 반사도에 의한 문제가 그리 크게 나타나지 않았으나, 유효 화면부 내에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에서는 상기 전도성 금속 미세 패턴의 반사도 및 암색화 특성이 중요하다는 것을 밝혀내었다.The inventors of the present application, in the touch screen panel including a conductive metal fine pattern provided in the effective screen portion, the fact that the light reflection and diffraction characteristics by the pattern layer has a major influence on the visibility of the conductive metal fine pattern. It was found out and wanted to improve it. Specifically, in the touch screen panel based on the existing ITO, the problem caused by the reflectivity of the conductive pattern is not very large due to the high transmittance of the ITO itself, but in the touch screen panel including the conductive metal micro pattern provided in the effective screen unit It has been found that the reflectivity and darkening properties of the conductive metal micropattern are important.

본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에서 전도성 금속 미세 패턴의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선하기 위하여, 암색화 층을 도입할 수 있다. 상기 암색화 층은 터치 스크린 패널 내 전도성 층의 적어도 일면에 구비됨으로써 상기 전도성 층의 높은 반사도에 따른 시인성 저하문제를 크게 개선시킬 수 있다.In the touch screen panel according to the exemplary embodiment of the present application, in order to lower reflectivity of the conductive metal micropattern and improve absorbance characteristics, a darkening layer may be introduced. The darkening layer may be provided on at least one surface of the conductive layer in the touch screen panel, thereby greatly improving the visibility deterioration problem due to the high reflectivity of the conductive layer.

구체적으로, 상기 암색화 층은 흡광성을 가지기 때문에 전도성 층 자체로 입사되는 빛과 전도성 층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킴으로써 전도성 층에 의한 반사도를 낮출 수 있다. 또한, 상기 암색화 층은 전도성 층에 비하여 낮은 반사도를 가질 수 있다. 이에 의하여, 사용자가 직접 전도성 층을 바라보는 경우에 비하여 빛의 반사도를 낮출 수 있으므로, 전도성 층의 시인성을 크게 개선시킬 수 있다.Specifically, since the darkening layer has absorbance, the reflectivity of the conductive layer may be lowered by reducing the amount of light incident on the conductive layer itself and the light reflected from the conductive layer. In addition, the darkening layer may have a low reflectivity compared to the conductive layer. As a result, since the reflectivity of light can be lowered as compared with the case where the user directly looks at the conductive layer, the visibility of the conductive layer can be greatly improved.

본 명세서에서, 상기 암색화 층은 흡광성을 가져서 전도성 층 자체로 입사되는 빛과 전도성 층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킬 수 있는 층을 의미하는 것으로서, 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있고, 암색화 층은 흡광성 층, 흑화 층, 흑화성 층 등의 용어로 표현될 수 있고, 패턴화된 암색화 층은 패턴화된 흡광성 층, 패턴화된 흑화 층, 패턴화된 흑화성 층 등의 용어로 표현될 수 있다.In the present specification, the darkening layer refers to a layer having absorbance to reduce the amount of light incident on the conductive layer itself and the light reflected from the conductive layer, wherein the darkening layer is a patterned darkening layer. And the darkening layer may be expressed in terms of light absorbing layer, blackening layer, blackening layer, etc., and the patterned darkening layer may be patterned absorbing layer, patterned blackening layer, patterned blacking. It may be expressed in terms such as a chemical layer.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층 및 패턴화된 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하일 수 있고, 구체적으로 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하일 수 있다. In one embodiment of the present application, the conductive structure including the patterned conductive layer and the patterned darkening layer may have a sheet resistance of 1 Ω / □ or more and 300 Ω / □ or less, specifically 1 Ω / □ or more 100 Ω / □ or less, more specifically 1 Ω / □ or more and 50 Ω / □ or less, and even more specifically 1 Ω / □ or more and 20 Ω / □ or less.

전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하이면 종래의 ITO 투명 전극을 대체할 수 있는 효과가 있다. 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하인 경우, 또는 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하인 경우, 특히 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하인 경우에는 종래 ITO 투명 전극 사용시보다 면저항이 상당히 낮기 때문에 신호 인가시 RC 지연이 짧아져 터치 인식 속도를 현저하게 개선할 수 있으며, 이를 바탕으로 10인치 이상 대면적 터치스크린 적용이 용이하다는 장점이 있다.If the sheet resistance of the conductive structure is 1 Ω / □ or more and 300 Ω / □ or less, there is an effect of replacing the conventional ITO transparent electrode. When the sheet resistance of the conductive structure is 1 Ω / □ or more and 100 Ω / □ or less, or 1 Ω / □ or more and 50 Ω / □ or less, especially 1 Ω / □ or more and 20 Ω / □ or less, the sheet resistance of conventional conductive ITO transparent electrodes Due to this extremely low RC delay is shortened when the signal is applied, which significantly improves the touch recognition speed. Based on this, it is easy to apply a large area touch screen of 10 inches or more.

상기 전도성 구조체에서 패턴화 하기 이전의 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 구체적으로 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω/□ 이하이면, 특히 0.7 Ω/□ 이하이면, 패터닝 전의 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조 공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다. 상기 면저항은 전도성 층 또는 암색화 층의 두께에 따라 조절될 수 있다.The sheet resistance of the conductive layer or the darkening layer before patterning in the conductive structure may be greater than 0 Ω / □ and less than or equal to 2 Ω / □, specifically greater than 0 Ω / □ and less than 0.7 Ω / □. When the sheet resistance is 2 Ω / □ or less, especially 0.7 Ω / □ or less, the lower the sheet resistance of the conductive layer or the darkening layer before patterning, the easier the fine patterning design and manufacturing process, and the sheet resistance of the conductive structure after patterning It is lowered to have an effect of increasing the reaction rate of the electrode. The sheet resistance may be adjusted according to the thickness of the conductive layer or the darkening layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 암색화층의 소멸계수(Extinction coefficient ) k가 0.2 이상 2.5 이하, 구체적으로는 0.2 이상 1.2 이하, 더욱 구체적으로 0.4 이상 1 이하 또는 0.4 이상 0.8 이하 일 수 있다. The conductive structure according to the embodiment of the present application has an extinction coefficient of the darkening layer ( Extinction) coefficient ) k may be 0.2 or more and 2.5 or less, specifically 0.2 or more and 1.2 or less, more specifically 0.4 or more and 1 or less, or 0.4 or more and 0.8 or less.

상기 소멸계수 k가 0.2 이상이면 암색화를 가능하게 하는 효과가 있다. 상기 소멸계수 k는 흡수계수(Absorption Coefficient)라고도 하며, 특정 파장에서 전도성 구조체가 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정의할 수 있는 척도로서, 전도성 구조체의 투과도를 결정하는 요소이다. 예를 들어, 투명한 유전체(dielectric) 물질인 경우, k<0.2로 k값이 매우 작다. 그러나, 물질 내부에 금속 성분이 증가할수록 k값이 증가하게 된다. 만약, 더욱 더 금속 성분이 많아지면, 투과가 거의 일어나지 않고, 대부분 표면 반사만 일어나는 금속이 되며, 소멸계수 k는 2.5 초과가 되어 암색화층의 형성에는 바람직하지 않다. When the extinction coefficient k is 0.2 or more, there is an effect of enabling darkening. The extinction coefficient k, also called absorption coefficient, is a measure that can define how strongly the conductive structure absorbs light at a specific wavelength, and is a factor that determines the transmittance of the conductive structure. For example, for transparent dielectric materials, the k value is very small with k < 0.2. However, as the metal component increases in the material, the k value increases. If more and more metal components are added, almost no permeation occurs and most of the surface reflection is only a metal, and the extinction coefficient k is greater than 2.5, which is undesirable for the formation of a darkening layer.

상기 소멸계수 k가 0.2 이상 1.2 이하인 경우에는 상기 수학식 1을 만족하는 경우에 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜가 더욱 감소하여 더욱 암색화층의 암색화도가 증가하는 효과가 있다. 구체적으로 수학식 1에 따른 파라미터의 백분율이 20% 이하이거나 수학식 3에 따른 파라미터의 값이 51.8 이하인 경우에 대응된다. 또는 가시광선 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장 영역, 더욱 구체적으로 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 인 경우와 대응된다. 이 경우 전도성 층의 은폐성이 향상되고, 터치 스크린 패널에 적용시 시인성이 개선될 수 있다.When the extinction coefficient k is 0.2 or more and 1.2 or less, the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure is further reduced when the equation 1 is satisfied, thereby increasing the darkening degree of the darkening layer. Specifically, the case corresponds to a case where the percentage of the parameter according to Equation 1 is 20% or less or the value of the parameter according to Equation 3 is 51.8 or less. Or an average percentage of the parameter for reducing the visibility of the conductive structure in the visible light wavelength region, specifically, the wavelength region of 300 nm to 800 nm, more specifically, the wavelength region of 380 to 780 nm is 20%. In this case, concealability of the conductive layer may be improved, and when applied to a touch screen panel, visibility may be improved.

상기 소멸계수 k가 0.4 이상 1 이하인 경우에는 상기 수학식 1을 만족하는 경우에 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜가 더욱 감소하여 더욱 암색화층의 암색화도가 증가하는 효과가 있다. 구체적으로 수학식 1에 따른 파라미터의 백분율이 약 12% 이하이거나 수학식 3에 따른 파라미터의 값이 약 40 이하인 경우에 대응된다. 또는 가시광선 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장 영역, 더욱 구체적으로 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 약 15% 인 경우와 대응된다. 이 경우 전도성 층의 은폐성이 더욱 향상되고, 터치 스크린 패널에 적용시 시인성이 더욱 더 개선될 수 있다.When the extinction coefficient k is 0.4 or more and 1 or less, the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure is further reduced when the equation 1 is satisfied, thereby increasing the darkening degree of the darkening layer. Specifically, this corresponds to a case where the percentage of the parameter according to Equation 1 is about 12% or less or the value of the parameter according to Equation 3 is about 40 or less. Or an average percentage of the parameter for reducing the visibility of the conductive structure in the visible light wavelength region, specifically in the wavelength region of 300 nm to 800 nm, more specifically in the wavelength region of 380 to 780 nm. In this case, the concealability of the conductive layer is further improved, and when applied to the touch screen panel, visibility may be further improved.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체는 굴절율 n이 0 초과 내지 3이하일 수 있다.In one embodiment of the present application, the conductive structure may have a refractive index n greater than 0 to 3 or less.

하기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜또는 반사율에 관한 설명에서 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있고, 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있다.In the following description of the parameters | R | or reflectance for lowering the visibility of the conductive structure, the darkening layer may be a patterned darkening layer, and the conductive layer may be a patterned conductive layer.

본 명세서에 있어서, 상기 수학식 1의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜은 수학식 4의 ｜R1-R2｜로 나타낼 수 있다. 또한, 상기 ｜R｜은 측정하고자 하는 면의 반대면을 검은 층(perfect black)으로 처리한 후, 측정하고자 하는 면에 90°로 입사한 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대한 반사율을 의미할 수 있다. 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 수학식 1의 값이 0.2 이하인 경우 가시광선 전 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장, 더욱 구체적으로 380nm~780nm의 파장에 대하여도 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜이 0.2 이하가 될 수 있다. In the present specification, the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure of Equation 1 may be represented by | R 1 -R 2 | In addition, the | R | is at least one of light having a wavelength of 550 nm to 650 nm that is incident at 90 ° to the surface to be measured after treating the surface opposite to the surface to be measured with a perfect black. It may mean a reflectance for. When the value of Equation 1 is 0.2 or less with respect to light of at least one wavelength among light having a wavelength of 550 nm to 650 nm, the wavelength of the entire visible light, specifically, a wavelength of 300 nm to 800 nm, more specifically, a wavelength of 380 nm to 780 nm The parameter R | for reducing the visibility of the conductive structure may be 0.2 or less.

더욱 구체적으로 상기 ｜R｜은 측정하고자 하는 면의 반대면을 검은 층(perfect black)으로 처리한 후, 측정하고자 하는 면에 90°로 입사한 파장 파장이 600nm인 광에 대한 반사율을 의미할 수 있다. 파장이 600nm인 광에 대하여 수학식 1의 값이 0.2 이하인 경우 가시광선 전 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장, 더욱 구체적으로 380nm~780nm의 파장에 대하여도 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜이 0.2 이하가 될 수 있다. More specifically, the | R | may refer to a reflectance of light having a wavelength of 600 nm incident at 90 ° to the surface to be measured after treating the opposite side of the surface to be measured with a perfect black layer. have. When the value of Equation 1 is 0.2 or less for light having a wavelength of 600 nm, a parameter for lowering the visibility of the conductive structure in the entire visible light wavelength range, specifically, the wavelength of 300 nm to 800 nm, more specifically, the wavelength of 380 nm to 780 nm | R | can be less than or equal to 0.2.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 수학식 1로 표시되는 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜은 0.2 이하일 수 있고, 구체적으로 0.15 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 0.1 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 0.07 이하일 수 있고, 0.03 이하일 수 있다. 상기 ｜R｜은 작을수록 효과가 더욱 좋다.In one embodiment of the present application, the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure represented by Equation 1 may be 0.2 or less, specifically 0.15 or less, more specifically 0.1 or less, and even more specifically. It may be 0.07 or less, and may be 0.03 or less. The smaller | R | is, the better the effect is.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 수학식 1로 표시되는 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜의 백분율은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 7% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 ｜R｜의 백분율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.In one embodiment of the present application, the percentage of the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure represented by Equation 1 may be 20% or less, specifically 15% or less, and more specifically 10% or less. And even more specifically, 7% or less, and 3% or less. The smaller the percentage of R is, the better the effect is.

상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜의 측정은 상기 전도성 층이 기재와 암색화층 사이에 구비되고, 상기 암색화 층이 상기 전도성 층과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함할 때, 2면의 방향에서 측정한 것일 수 있다. 이 방향에서 측정하였을 때 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜은 0.2 이하일 수 있고, 구체적으로 0.15 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 0.1 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 0.07 이하일 수 있고, 0.03 이하일 수 있다. 상기 ｜R｜은 작을수록 효과가 더욱 좋다.The measurement of the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure may be measured in a direction opposite to the surface where the conductive layer is provided between the substrate and the darkening layer and the darkening layer is in contact with the conductive layer. Specifically, when the darkening layer includes a first surface in contact with the conductive layer and a second surface facing the first surface, the darkening layer may be measured in two directions. The parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure as measured in this direction may be 0.2 or less, specifically 0.15 or less, more specifically 0.1 or less, even more specifically 0.07 or less, and 0.03 or less. have. The smaller | R | is, the better the effect is.

또한, 상기 암색화 층이 상기 전도성 층과 기재 사이에 구비되고, 상기 기재측에서 측정한 것일 수 있다. 상기 기재측에서 ｜R｜을 측정하였을 때 ｜R｜은 0.2 이하일 수 있고, 구체적으로 0.15 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 0.1 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 0.07 이하일 수 있고, 0.03 이하일 수 있다. 상기 ｜R｜은 작을수록 효과가 더욱 좋다.In addition, the darkening layer may be provided between the conductive layer and the substrate and measured on the substrate side. When | R | is measured on the substrate side, | R | may be 0.2 or less, specifically 0.15 or less, more specifically 0.1 or less, even more specifically 0.07 or less, and 0.03 or less. The smaller | R | is, the better the effect is.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 반사율은 0.2 이하일 수 있고, 구체적으로 0.15 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 0.1 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 0.07 이하일 수 있고, 0.03 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.In one embodiment of the present application, the reflectivity of the conductive structure may be 0.2 or less, specifically 0.15 or less, more specifically 0.1 or less, even more specifically 0.07 or less, 0.03 or less. The smaller the reflectance, the better the effect.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 반사율의 백분율은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 7% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.In one embodiment of the present application, the percentage of reflectance of the conductive structure may be 20% or less, specifically 15% or less, more specifically 10% or less, even more specifically 7% or less, 3 It may be less than or equal to%. The smaller the reflectance, the better the effect.

본 명세서에 있어서, 반사율은 입사광을 100%로 하였을 때 광이 입사한 대상 패턴층 또는 전도성 구조체에 의하여 반사된 반사광 중 300~800 nm, 구체적으로 380~780 nm, 더욱 구체적으로 550~600 nm의 파장 값을 기준으로 측정한 값일 수 있다.In the present specification, the reflectance is 300 to 800 nm, specifically 380 to 780 nm, more specifically 550 to 600 nm of the reflected light reflected by the target pattern layer or conductive structure to which light is incident when the incident light is 100%. It may be a value measured based on the wavelength value.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함할 수 있다. 이때 상기 암색화 층의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 반사율(Rt)은 하기 수학식 11로 계산될 수 있다.In the conductive structure according to the embodiment of the present application, the darkening layer may include a first surface in contact with the conductive layer and a second surface facing the first surface. In this case, when the reflectance of the conductive structure is measured on the second surface side of the darkening layer, the reflectance Rt of the conductive structure may be calculated by Equation 11 below.

[수학식 11]&Quot; (11) &quot;

반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화 층의 반사율Reflectance (Rt) = reflectance of substrate + closure × reflectance of darkening layer

또한, 상기 전도성 구조체의 구성이 전도성 구조체 2종이 라미네이션된 경우에는 전도성 구조체의 반사율(Rt)는 하기 수학식 12으로 계산될 수 있다.In addition, when the conductive structure is laminated with two conductive structures, the reflectance Rt of the conductive structure may be calculated by Equation 12 below.

[수학식 12]&Quot; (12) &quot;

반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화 층의 반사율 × 2Reflectance (Rt) = reflectance of substrate + closure × reflectance of darkening layer × 2

상기 수학식 11 및 12에서 기재의 반사율은 터치 강화유리의 반사율일 수 있고, 표면이 필름인 경우에는 필름의 반사율일 수 있다.In Equations 11 and 12, the reflectance of the substrate may be the reflectance of the touch tempered glass, and when the surface is a film, it may be the reflectance of the film.

또한, 상기 폐쇄율은 전도성 구조체의 평면을 기준으로 전도성 패턴에 의하여 덮여지는 영역이 차지하는 면적 비율, 즉 (1 - 개구율)로 나타낼 수 있다.In addition, the closure rate may be expressed as an area ratio occupied by the area covered by the conductive pattern with respect to the plane of the conductive structure, that is, (1 − aperture ratio).

따라서, 패턴화된 암색화 층이 있는 경우와 없는 경우의 차이는 패턴화된 암색화 층의 반사율에 의하여 의존하게 된다. 이러한 관점에서, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 반사율(Rt)은 상기 패턴화된 암색화 층이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체 반사율(R0)에 비하여 10 ~ 20% 감소된 것일 수 있고, 20 ~ 30% 감소된 것일 수 있으며, 30 ~ 40% 감소된 것일 수 있고, 40 ~ 50% 감소된 것일 수 있으며, 50 ~ 70% 감소된 것일 수 있다. 즉, 상기 수학식 11 및 12에서 폐쇄율 범위를 1 ~ 10% 범위로 변화시키면서 반사율 범위를 1 ~ 30%까지 변화시키는 경우 최대 70%의 반사율 감소 효과를 나타낼 수 있고, 최소 10%의 반사율 감소 효과를 나타낼 수 있다.Thus, the difference between with and without the patterned darkening layer will depend on the reflectance of the patterned darkening layer. In this regard, the reflectance (Rt) of the conductive structure according to the embodiment of the present application is reduced by 10 to 20% compared to the conductive structure reflectance (R 0 ) having the same configuration except that there is no patterned darkening layer It may be, may be 20 to 30% reduced, may be 30 to 40% reduced, 40 to 50% reduced, 50 to 70% reduced. That is, when changing the reflectance range from 1 to 30% while changing the closing rate range to 1 to 10% in Equations 11 and 12, a reflectance reduction effect of up to 70% may be achieved, and at least 10% reflectance decreases. Can be effective.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 패턴화된 암색화 층은 상기 전도성 패턴과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함하고, 상기 암색화 패턴의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 반사율(Rt)은 상기 기재의 반사율(R0)과의 차이가 40% 이하일 수 있고, 30% 이하일 수 있으며, 20% 이하일 수 있고, 10% 이하일 수 있다.In the conductive structure according to the embodiment of the present application, the patterned darkening layer includes a first surface in contact with the conductive pattern and a second surface opposite to the first surface, When the reflectance of the conductive structure is measured at two sides, the reflectance (Rt) of the conductive structure may be 40% or less, 30% or less, and 20% or less from the reflectance (R 0 ) of the substrate. And may be up to 10%.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층의 두께는 상기 수학식 2를 만족할 수 있다. 구체적으로 상기 암색화 층의 두께는 20 nm 내지 150 nm 일 수 있다. 상기 암색화층은 사용하는 재료의 굴절율 및 제조 공정에 따라 바람직한 두께가 상이할 수 있으나, 식각(etching) 특성을 고려하면 두께가 20 nm 이상이면 공정 조절이 비교적 용이하고, 150 nm 이하이면 생산 속도 측면에서 비교적 유리할 수 있다. 상기 두께 범위에서 공정 조절이 쉽고, 생산 속도가 개선되어서 제조 공정에서 더욱 유리할 수 있다. 이 경우 반사율이 더욱 감소하여, 암색화 층이 더 잘 형성되어 더욱 유리한 효과가 있다. In one embodiment of the present application, the thickness of the darkening layer may satisfy the equation (2). Specifically, the thickness of the darkening layer may be 20 nm to 150 nm. The darkening layer may have a different preferred thickness depending on the refractive index and the manufacturing process of the material used, but considering the etching characteristics, if the thickness is 20 nm or more, it is relatively easy to control the process, and if it is 150 nm or less, the production speed may be different. Can be relatively advantageous. Easy to control the process in the thickness range, the production rate can be improved to be more advantageous in the manufacturing process. In this case, the reflectance is further reduced, so that the darkening layer is better formed to have a more advantageous effect.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 하기 수학식 3의 값이 51.8 이하인 것을 만족하는 암색화 층을 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 하기 수학식 3의 값이 40 이하인 것을 만족하는 암색화 층을 포함할 수 있다. The conductive structure according to the embodiment of the present application may include a darkening layer satisfying that the value of Equation 3 below 51.8. More specifically, it may include a darkening layer satisfying that the value of Equation 3 is 40 or less.

[수학식 3]&Quot; (3) &quot;

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 수학식 3에서, In Equation (3)

A* 는 특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고, n, k 및 RMetal 은 수학식 1에서의 정의와 동일하다. 예를 들어, A* 는 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대한 밝기를 나타내는 파라미터일 수 있고, 더욱 구체적으로 파장이 600nm인 광에 대한 밝기를 나타내는 파라미터일 수 있다.A * is a parameter representing brightness for a specific wavelength, n, k and R Metal is the same as the definition in equation (1). For example, A * may be a parameter indicating brightness for light of at least one wavelength of light having a wavelength of 550 nm to 650 nm, and more specifically, a parameter indicating brightness for light having a wavelength of 600 nm.

[수학식 13] &Quot; (13) &quot;

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 L* 는 가시광선 전 파장 영역에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고, 구체적으로, CIE(국제조명위원회: Commission Internationale de l'Eclairage) L*a*b* 색좌표 기준으로 명도값을 나타낸다. The L * is a parameter representing the brightness of the entire wavelength range of the visible light, and specifically, the brightness value is expressed based on CIE (Commission Internationale de l'Eclairage) L * a * b * color coordinates.

[수학식 14]&Quot; (14) &quot;

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 수학식 13의 경우 암색화층의 반사율이 0.9% 이상인 경우에는 하기 수학식 14를 만족하므로, L* 는 하기 수학식 15를 만족할 수 있다. In the case of Equation 13, when the reflectance of the darkening layer is 0.9% or more, Equation 14 is satisfied, so L * may satisfy Equation 15 below.

[수학식 15]&Quot; (15) &quot;

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 Y는 CIE XYZ 좌표계의 삼색 자극값(Tri Stimulus Value) 중 초록색에 해당하는 자극값을 의미하고, 하기 수학식 16을 만족한다. 또한, 상기 Yn은 CIE XYZ 좌표계의 삼색 자극값(Tri Stimulus Value) 중 흰색에 해당하는 자극값의 정규화된(Normalized) 값을 의미하고, 하기 수학식 17을 만족한다. The Y means a stimulus value corresponding to green among Tri Stimulus Values of the CIE XYZ coordinate system, and satisfies Equation 16 below. In addition, Yn means a normalized value of a stimulus value corresponding to white among Tri Stimulus Values of a CIE XYZ coordinate system, and satisfies Equation 17 below.

[수학식 16]&Quot; (16) &quot;

Figure pat00017
Figure pat00017

[수학식 17]&Quot; (17) &quot;

Figure pat00018
Figure pat00018

상기 수학식 16 또는 수학식 17에서, R은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터를 의미하고, S는 스펙트럼의 출력분포 함수를 의미하며, y는 삼색 자극값에 대한 반응을 수치로 기술한 색 대응함수(Color matching Funtion)를 의미한다. In Equation 16 or Equation 17, R denotes a parameter for lowering the visibility of the conductive structure, S denotes an output distribution function of the spectrum, and y denotes a color correspondence numerically describing the response to the tricolor stimulus value. It means a function (Color matching Funtion).

수학식 15 내지 17에서, 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터가 파장에 무관하게 일정하다고 가정하면 (Y/Yn)이 R과 동일하므로, 특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A* 는 상기 수학식 3을 만족한다. In Equations 15 to 17, assuming that a parameter for lowering the visibility of the conductive structure is constant regardless of the wavelength, since (Y / Yn) is equal to R, the parameter A * representing the brightness for a specific wavelength is represented by Equation 3 above. To satisfy.

특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A* 가 작을수록 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜가 작아져서 유리한 효과가 있다. 예를 들어, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 51.8 이하이면 가시광선 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장 영역, 더욱 구체적으로 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하일 수 있다. 이때 A*가 40 이하이면 가시광선 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장 영역, 더욱 구체적으로 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 15% 이하 정도로 더욱 낮아질 수 있다. 이 경우 전도성 층의 은폐성이 더욱 향상되고, 터치 스크린 패널에 적용시 시인성이 더욱 더 개선될 수 있다.The smaller the parameter A * representing the brightness for a specific wavelength, the smaller the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure, which is advantageous. For example, if the parameter A * indicating brightness for a wavelength of 600 nm is 51.8 or less, the visibility of the conductive structure in the visible wavelength range, specifically in the wavelength range of 300 nm to 800 nm, more specifically in the wavelength range of 380 to 780 nm, may be lowered. The average percentage of the parameters for may be 20% or less. In this case, when A * is 40 or less, the average percentage of parameters for lowering the visibility of the conductive structure in the visible wavelength region, specifically, the wavelength region of 300 nm to 800 nm, and more specifically, the wavelength region of 380 to 780 nm may be further lowered to about 15% or less. Can be. In this case, the concealability of the conductive layer is further improved, and when applied to the touch screen panel, visibility may be further improved.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체 내에는 핀홀이 거의 없을 수 있고, 상기 핀홀이 존재한다 하더라도 그 지름이 3 마이크로미터 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1 마이크로미터 이하일 수 있다. 상기 전도성 구조체 내에서 핀홀 지름이 3 마이크로미터 이하인 경우에는 단선의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체 내에서 핀홀이 거의 없어서 갯수가 매우 적은 경우에는 단선의 발생을 방지할 수 있다. In one embodiment of the present application, there may be little pinhole in the conductive structure, even if the pinhole is present, its diameter may be 3 micrometers or less, and more specifically 1 micrometer or less. When the pinhole diameter is 3 micrometers or less in the conductive structure, it is possible to prevent the occurrence of disconnection. In addition, when there are few pinholes in the conductive structure and the number is very small, it is possible to prevent the occurrence of disconnection.

본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층의 적어도어느 일 면에 구비될 수 있다. 구체적으로,상기 전도성 층의 어느 한 면에만 구비될 수 있고, 양면 모두에 구비될 수도 있다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may be provided on at least one side of the conductive layer. Specifically, it may be provided on only one side of the conductive layer, may be provided on both sides.

본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층과 동시에 또는 별도로 패턴화될 수 있다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may be patterned simultaneously or separately with the conductive layer.

본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 패턴화된 암색화 층과 상기 패턴화된 전도성 층은 동시에 또는 별도의 패터닝 공정에 의하여 적층 구조를 형성할 수 있다. 이러한 점에서, 흡광 물질의 적어도 일부가 전도성 패턴 내에 함몰 또는 분산되어 있는 구조나 단일층의 전도성 패턴이 추가 표면처리에 의하여 표면측 일부가 물리적 또는 화학적 변형이 이루어진 구조와는 차별될 수 있다.In one embodiment of the present application, the patterned darkening layer and the patterned conductive layer may form a laminated structure by a simultaneous or separate patterning process. In this regard, the structure in which at least a portion of the light absorbing material is recessed or dispersed in the conductive pattern or the conductive pattern of a single layer may be differentiated from the structure in which a part of the surface side is physically or chemically modified by further surface treatment.

또한, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 층은 접착층 또는 점착층을 개재하지 않고, 직접 상기 기재 상에 또는 직접 상기 전도성 층 상에 구비될 수 있다. 상기 접착층 또는 점착층은 내구성이나 광학 물성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 접착층 또는 점착층을 이용하는 경우와 비교할 때 제조방법이 전혀 상이하다. 더욱이, 접착층이나 점착층을 이용하는 경우에 비하여, 본 출원의 일 구현예에서는 기재 또는 전도성 층과 암색화 층의 계면 특성이 우수하다.In addition, in the conductive structure according to the embodiment of the present application, the darkening layer may be provided directly on the substrate or directly on the conductive layer without an adhesive layer or an adhesive layer. The adhesive layer or adhesive layer may affect durability or optical properties. In addition, the conductive structure according to the embodiment of the present application is completely different in the manufacturing method compared to the case using the adhesive layer or the adhesive layer. Furthermore, compared to the case of using an adhesive layer or an adhesive layer, in one embodiment of the present application is excellent in the interface characteristics of the substrate or the conductive layer and the darkening layer.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may be made of a single layer, may be made of two or more layers.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층은 무채색(無彩色) 계열의 색상을 띠는 것이 바람직하다. 이때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고, 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다.In one embodiment of the present application, it is preferable that the darkening layer has an achromatic color. In this case, the achromatic color refers to a color that appears when light incident on the surface of an object is not selectively absorbed and is evenly reflected and absorbed for the wavelength of each component.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층의 재료는 상기 수학식 1 내지 3을 만족하는 것이면 특별히 제한되지 않고, 사용될 수 있다. 예컨대, 컬러필터에서의 블랙매트리스 재료로 사용되는 것들을 사용할 수 있다. 또한, 반사방지기능이 부여된 재료를 사용할 수도 있다. In one embodiment of the present application, the material of the darkening layer is not particularly limited as long as it satisfies Equation 1 to 3, it can be used. For example, those used as black mattress materials in color filters can be used. It is also possible to use a material provided with an antireflection function.

예컨대, 상기 암색화 층은 금속, 이의 산화물, 이의 질화물, 이의 산질화물 및 이의 탄화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하여 사용할 수 있다. 상기 금속의 산화물, 질화물, 산질화물 또는 탄화물은 당업자가 설정한 증착 조건 등에 의하여 형성할 수 있다. 상기 금속은 니켈(Ni), 바나듐(V), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 티탄(Ti), 철(Fe), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상일 수 있다. For example, the darkening layer may include one or two or more selected from the group consisting of metals, oxides thereof, nitrides thereof, oxynitrides thereof, and carbides thereof. Oxides, nitrides, oxynitrides or carbides of the metal can be formed by deposition conditions set by those skilled in the art. The metal is nickel (Ni), vanadium (V), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium (Nb), titanium (Ti), iron (Fe), chromium (Cr), cobalt ( Co), aluminum (Al) and copper (Cu) may be one or two or more selected from the group consisting of.

구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 Ni 및 Mo를 동시에 포함할 수 있다. 상기 암색화 층은 Ni 50 ~ 98 원자% 및 Mo 2 ~ 50 원자%를 포함할 수 있으며, 그 외 금속, 예컨대 Fe, Ta, Ti 등의 원자를 0.01 ~ 10 원자%를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 암색화 층은, 필요한 경우, 질소 0.01 ~ 30 원자% 또는 산소 및 탄소 4 원자% 이하를 더 포함할 수도 있다.As a specific example, the darkening layer may include Ni and Mo simultaneously. The darkening layer may include 50 to 98 atomic% of Ni and 2 to 50 atomic% of Mo, and may further include 0.01 to 10 atomic% of other metals such as Fe, Ta, Ti, and the like. Here, if necessary, the darkening layer may further include 0.01 to 30 atom% of nitrogen or 4 atom% or less of oxygen and carbon.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속은 금속 또는 금속의 합금일 수 있다. 구체적으로 TiO2 -x, SiO2 -x, MgF2 -x 및 SiN1 .3-x(-1≤x≤1)에서 선택되는 유전성 물질 및 철(Fe), 코발트(Co), 티탄(Ti), 바나듐(V), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag) 중에서 선택되는 금속을 포함할 수 있으며, 철(Fe), 코발트(Co), 티탄(Ti), 바나듐(V), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag) 중에서 선택되는 2 이상의 금속의 합금을 더 포함할 수도 있다. As another specific example, the darkening layer may include at least one of a dielectric material and a metal. The metal may be a metal or an alloy of a metal. Specifically, a dielectric material selected from TiO 2 -x , SiO 2 -x , MgF 2 -x, and SiN 1 -x (-1 ≦ x ≦ 1 ) and iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (Ti ), Vanadium (V), aluminum (Al), molybdenum (Mo), copper (Cu), gold (Au) and silver (Ag) may include a metal selected from, iron (Fe), cobalt (Co) It may further comprise an alloy of two or more metals selected from titanium (Ti), vanadium (V), aluminum (Al), molybdenum (Mo), copper (Cu), gold (Au) and silver (Ag).

본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 층은 금속의 산화물, 금속의 질화물, 금속의 산질화물 및 금속의 탄화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하고, 상기 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 추가로 포함할 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present application, the darkening layer includes one or two or more selected from the group consisting of an oxide of a metal, a nitride of a metal, an oxynitride of a metal, and a carbide of a metal, wherein the dielectric material and the metal It may further comprise at least one.

상기 유전성 물질은 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 점차적으로 감소되도록 분포되어 있고, 상기 금속 및 합금 성분은 그 반대로 분포되어 있는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 유전성 물질의 함량은 20 ~ 50 중량%, 상기 금속의 함량은 50 ~ 80 중량%인 것이 바람직하다. 상기 암색화 층이 합금을 더 포함하는 경우, 상기 암색화 층은 유전성 물질 10 ~ 30 중량%, 금속 50 ~ 80 중량% 및 합금 5 ~ 40 중량%를 포함하는 것이 바람직하다.The dielectric material is distributed such that it gradually decreases away from the direction in which external light is incident, and the metal and alloy components are distributed in the opposite direction. At this time, the content of the dielectric material is 20 to 50% by weight, the content of the metal is preferably 50 to 80% by weight. When the darkening layer further comprises an alloy, the darkening layer preferably comprises 10 to 30% by weight of the dielectric material, 50 to 80% by weight of the metal and 5 to 40% by weight of the alloy.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 니켈과 바나듐의 합금, 니켈과 바나듐의 산화물, 질화물 또는 산질화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 박막으로 이루어질 수 있다. 이때, 바나듐은 26 ~ 52 원자%로 함유되는 것이 바람직하며, 니켈에 대한 바나듐의 원자비는 26/74 ~ 52/48인 것이 바람직하다.As another specific example, the darkening layer may be formed of a thin film including at least one of an alloy of nickel and vanadium, an oxide of nickel and vanadium, nitride, and oxynitride. At this time, it is preferable that vanadium is contained in 26 to 52 atomic%, and the atomic ratio of vanadium to nickel is preferably 26/74 to 52/48.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 2 이상의 원소를 갖고, 하나의 원소 조성비율이 외광이 입사하는 방향에 따라 100 옴스트롬당 최대 약 20%씩 증가하는 천이층을 포함할 수 있다. 이 때, 하나의 원소는 니켈(Ni), 바나듐(V), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 티탄(Ti), 철(Fe), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 구리(Cu)과 같은 금속 원소일 수 있으며, 금속 원소 이외의 원소는 산소, 질소 또는 탄소일 수 있다.As another specific example, the darkening layer may include a transition layer having two or more elements, and one elemental composition ratio increases by up to about 20% per 100 ohms according to the direction in which external light is incident. At this time, one element is nickel (Ni), vanadium (V), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium (Nb), titanium (Ti), iron (Fe), chromium (Cr). ), Cobalt (Co), aluminum (Al), copper (Cu) may be a metal element, and elements other than the metal element may be oxygen, nitrogen or carbon.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 제1 산화크롬층, 금속층, 제2 산화크롬층 및 크롬 미러를 포함할 수 있으며, 이때 크롬을 대신하여 니켈(Ni), 바나듐(V), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 티탄(Ti), 철(Fe), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있다. 상기 금속층은 10 ~ 30 nm의 두께, 상기 제1 산화크롬층은 35 ~ 41 nm의 두께, 상기 제2 산화크롬층은 37 ~ 42 nm의 두께를 갖는 것이 바람직하다.As another specific example, the darkening layer may include a first chromium oxide layer, a metal layer, a second chromium oxide layer, and a chromium mirror, wherein nickel (Ni), vanadium (V), and tungsten may be substituted for chromium. And metals selected from (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium (Nb), titanium (Ti), iron (Fe), cobalt (Co), aluminum (Al), and copper (Cu). have. Preferably, the metal layer has a thickness of 10 to 30 nm, the first chromium oxide layer has a thickness of 35 to 41 nm, and the second chromium oxide layer has a thickness of 37 to 42 nm.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층으로는 알루미나(Al2O3)층, 크롬산화물(Cr2O3)층 및 크롬(Cr)층의 적층 구조를 사용할 수 있다. 여기서, 상기 알루미나층은 반사 특성의 개선 및 광확산 방지특성을 갖고, 상기 크롬산화물층은 경면 반사율을 감소시켜 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있다.As another specific example, a layered structure of an alumina (Al 2 O 3 ) layer, a chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer, and a chromium (Cr) layer may be used as the darkening layer. Here, the alumina layer has an improvement in reflection characteristics and light diffusion prevention characteristics, and the chromium oxide layer may improve contrast characteristics by reducing mirror reflectance.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 알루미늄 나이트라이드(AlNx) 및 Al으로 이루어진 적층 구조를 사용할 수 있다. 여기서, 상기 알루미늄나이트라이드(AlNx)층은 전체 층의 반사율을 감소시켜 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있다.As another specific example, the darkening layer may use a laminated structure made of aluminum nitride (AlNx) and Al. Here, the aluminum nitride (AlNx) layer may improve the contrast property by reducing the reflectance of the entire layer.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층의 어느 한 면에만 구비될 수도 있고, 양면 모두에 구비될 수도 있다. 여기서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층과 동일한 형상의 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 패턴화된 암색화 층의 패턴 규모가 상기 패턴화된 전도성 층과 완전히 동일할 필요는 없으며, 패턴화된 암색화 층에서 패턴의 선폭이 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 출원의 범위에 포함된다. 구체적으로, 상기 패턴화된 암색화 층에서 패턴의 선폭은 상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭의 80% 내지 120% 일 수 있다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may be provided on only one side of the conductive layer, may be provided on both sides. Here, the darkening layer may have a pattern having the same shape as the conductive layer. However, the pattern scale of the patterned darkening layer need not be exactly the same as the patterned conductive layer, and the line width of the pattern in the patterned darkening layer is narrower than the line width of the pattern in the patterned conductive layer. Or broad cases are included in the scope of the present application. Specifically, the line width of the pattern in the patterned darkening layer may be 80% to 120% of the line width of the pattern in the patterned conductive layer.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 암색화 층은 상기 패턴화된 전도성 층의 패턴의 선폭에 비하여 작거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 패턴화된 암색화 층은 상기 패턴화된 전도성 층이 구비된 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가질 수 있다.In one embodiment of the present application, the patterned darkening layer may have a pattern shape having a line width smaller or larger than the line width of the pattern of the patterned conductive layer. For example, the patterned darkening layer may have an area of 80% to 120% of the area provided with the patterned conductive layer.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층의 패턴은 전도성 층의 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태인 것이 바람직하다.In one embodiment of the present application, the pattern of the darkening layer is preferably in the form of a pattern having a line width equal to or larger than the line width of the pattern of the conductive layer.

상기 패턴화된 암색화 층이 상기 패턴화된 전도성 층의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 패턴 형상을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 패턴화된 암색화 층이 패턴화된 전도성 층을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 패턴화된 전도성 층 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 패턴화된 암색화 층에서 패턴의 선폭이 상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭과 동일하여도 본 출원이 목적하는 효과를 달성할 수 있다.When the patterned darkening layer has a pattern shape having a line width larger than the line width of the patterned conductive layer, the patterned darkening layer covers the patterned conductive layer when viewed by a user. Since it can be made larger, there is an advantage that it can effectively block the effect of the gloss or reflection of the patterned conductive layer itself. However, even if the line width of the pattern in the patterned darkening layer is the same as the line width of the pattern in the patterned conductive layer, the desired effect can be achieved in the present application.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.In the conductive structure according to the embodiment of the present application, a transparent substrate may be used as the substrate, but is not particularly limited. For example, glass, a plastic substrate, a plastic film, and the like may be used.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01 마이크로미터 내지 10 마이크로미터인 것이 전도성 층의 전도도 및 패턴 형성 공정의 경제성 측면에서 보다 우수한 효과를 나타낼 수 있다.In one embodiment of the present application, the thickness of the conductive layer is not particularly limited, but 0.01 to 10 micrometers may exhibit a better effect in terms of conductivity of the conductive layer and the economics of the pattern forming process.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층의 재료는 비저항 1×10-6 Ω·cm 내지 30×10-6 Ω·cm의 물질이 적절하며, 바람직하게는 1×10-6 Ω·cm 내지 7×10-6 Ω·cm 일 수 있다. In one embodiment of the present application, the material of the conductive layer is a material of a specific resistance of 1 × 10 -6 Ω · cm to 30 × 10 -6 Ω · cm, suitable, preferably 1 × 10 -6 Ω · cm to It may be 7 × 10 −6 Ω · cm.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 전도성 층의 재료는 금속, 금속 합금, 금속 산화물 및 금속 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것이 좋다. 상기 전도성 층의 재료는 전기 전도도가 우수하고, 식각(etching)이 용이한 금속 재료일수록 좋다. 다만, 일반적으로 전기 전도도가 우수한 재료는 반사도가 높은 단점이 있다. 그러나, 본 출원에서는 상기 암색화 층을 사용함으로써 반사도가 높은 재료를 이용하여 전도성 층을 형성할 수 있다. 본 출원에서는 반사도가 70 ~ 80% 이상인 재료를 이용하는 경우에도, 상기 암색화 층을 추가함으로써 반사도를 낮추고, 전도성 층의 은폐성을 향상시킬 수 있으며, 콘트라스트 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.In the conductive structure according to the embodiment of the present application, the material of the conductive layer may include one or two or more selected from the group consisting of metals, metal alloys, metal oxides and metal nitrides. The material of the conductive layer is a metal material that is excellent in electrical conductivity and easy to etch. However, in general, a material having excellent electrical conductivity has a disadvantage of high reflectivity. However, in the present application, the conductive layer may be formed using a material having high reflectivity by using the darkening layer. In the present application, even when using a material having a reflectivity of 70 to 80% or more, by adding the darkening layer, the reflectivity can be lowered, the concealability of the conductive layer can be improved, and the contrast characteristics can be maintained or improved.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층의 재료의 구체적인 예로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 네오디뮴(Nd), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 이의 산화물 및 이의 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 중에서 선택되는 둘 이상의 합금일 수 있다. 더욱 구체적으로는 몰리브덴, 알루미늄 또는 구리를 포함할 수 있다. 상기 전도성 층은 단일막 또는 다층막일 수 있다. In one embodiment of the present application, specific examples of the material of the conductive layer are copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), neodymium (Nd), molybdenum (Mo), nickel (Ni), oxides thereof and It may comprise one or two or more selected from the group consisting of nitrides thereof. For example, it may be two or more alloys selected from the above metals. More specifically, it may include molybdenum, aluminum or copper. The conductive layer may be a single film or a multilayer film.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭은 0 마이크로미터 초과 10 마이크로미터 이하일 수 있고, 구체적으로 0.1 마이크로미터 이상 10 마이크로미터 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 0.2 마이크로미터 이상 8 마이크로미터 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 0.5 마이크로미터 이상 5 마이크로미터 이하일 수 있다.In one embodiment of the present application, the line width of the pattern in the patterned conductive layer may be greater than 0 micrometers and less than or equal to 10 micrometers, specifically, may be greater than or equal to 0.1 micrometers and less than or equal to 10 micrometers, and more specifically greater than or equal to 0.2 micrometers. It may be 8 micrometers or less, and even more specifically 0.5 micrometers or more and 5 micrometers or less.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층의 개구율, 즉 패턴에 의하여 덮여지지 않는 면적 비율은 70% 이상일 수 있고, 85% 이상일 수 있으며, 95% 이상일 수 있다. 또한, 상기 패턴화된 전도성 층의 개구율은 90 내지 99.9%일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, the opening ratio of the patterned conductive layer, that is, the area ratio not covered by the pattern may be 70% or more, 85% or more, and 95% or more. In addition, the opening ratio of the patterned conductive layer may be 90 to 99.9%, but is not limited thereto.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층의 패턴은 규칙적 패턴일 수도 있고, 불규칙적인 패턴일 수도 있다.In one embodiment of the present application, the pattern of the patterned conductive layer may be a regular pattern or an irregular pattern.

상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 출원에서 불규칙 패턴과 패턴화된 암색화 층을 함께 사용하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 패턴화된 암색화 층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.As the regular pattern, a pattern form of the related art such as a mesh pattern can be used. The irregular pattern is not particularly limited, but may be a boundary line shape of the Voronoi diagram. When the irregular pattern and the patterned darkening layer are used together in the present application, the diffraction pattern of the reflected light by the directional illumination may be eliminated by the irregular pattern, and the scattered light may be scattered by the patterned darkening layer. Due to the influence can be minimized, problems in visibility can be minimized.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 예를 하기 도 1 내지 도 3에 예시하였다. 도 1 내지 도 3은 기재, 전도성 층 및 암색화 층의 적층 순서를 예시하기 위한 것이며, 상기 전도성 층 및 상기 암색화 층은 실제로 터치 스크린 패널 등의 미세 투명 전극 용도로 적용시 전면층이 아니라 패턴 형태일 수 있다.Examples of the conductive structure according to the embodiment of the present application are illustrated in FIGS. 1 to 3 below. 1 to 3 illustrate a stacking order of a substrate, a conductive layer, and a darkening layer, wherein the conductive layer and the darkening layer are actually a pattern, not a front layer, when applied to a fine transparent electrode such as a touch screen panel. It may be in the form.

도 1에 따르면, 상기 암색화 층(200)이 상기 기재(100)와 상기 전도성 층(300) 사이에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재 측에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다. Referring to FIG. 1, the darkening layer 200 is disposed between the substrate 100 and the conductive layer 300. This can greatly reduce the reflectivity by the conductive layer when the user looks at the touch screen panel from the substrate side.

도 2에 따르면, 상기 암색화 층(200)이 상기 전도성 층(300) 위에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재측의 반대면에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다. Referring to FIG. 2, the darkening layer 200 is disposed on the conductive layer 300. This can greatly reduce the reflectivity by the conductive layer when the user looks at the touch screen panel from the opposite side of the substrate side.

도 3에 따르면, 상기 암색화 층(200, 220)이 상기 기재(100)와 상기 전도성 층(300) 사이와, 상기 전도성 층(300) 위에 모두 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 터치 스크린 패널을 기재측에서 바라보는 경우와 그 반대측에서 바라보는 경우 모두 전도성 층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.Referring to FIG. 3, the darkening layers 200 and 220 are disposed between the substrate 100 and the conductive layer 300 and on the conductive layer 300. This can greatly reduce the reflectivity by the conductive layer when the user views the touch screen panel from the substrate side and from the opposite side.

상기 도 1 내지 도 3의 설명에서 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있고, 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있다. 1 to 3, the conductive layer may be a patterned conductive layer, and the darkening layer may be a patterned darkening layer.

도 4 내지 도 6은 각각 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 패턴층 및 암색화을 패턴층을 포함하는 전도성 구조체의 적층 구조를 예시한 도이다. 4 to 6 are diagrams illustrating a laminated structure of a conductive structure including a conductive pattern layer and a darkening pattern layer, respectively, according to one embodiment of the present application.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 암색화 층이 전도성 층의 적어도 일면에 구비된 것일 수 있다. The structure of the conductive structure according to the embodiment of the present application may be a darkening layer is provided on at least one side of the conductive layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재, 암색화 층, 전도성 층 및 암색화 층이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체는 최외곽의 암색화 층 상에 추가의 전도성 층 및 암색화 층을 포함할 수 있다.The structure of the conductive structure according to the embodiment of the present application may be a structure in which the substrate, the darkening layer, the conductive layer, and the darkening layer are sequentially stacked. The conductive structure may also include additional conductive and darkening layers on the outermost darkening layer.

즉, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재/암색화 층/전도성 층의 구조, 기재/전도성 층/암색화 층의 구조, 기재/암색화 층/전도성 층/암색화 층의 구조, 기재/전도성 층/암색화 층/전도성 층의 구조, 기재/암색화 층/전도성 층/암색화 층/전도성 층/암색화 층의 구조, 기재/암색화 층/전도성 층/암색화 층/전도성 층/암색화 층/전도성 층/암색화 층의 구조 등일 수 있다.That is, the structure of the conductive structure according to the embodiment of the present application is the structure of the substrate / darkening layer / conductive layer, the structure of the substrate / conductive layer / darkening layer, of the substrate / darkening layer / conductive layer / darkening layer Structure, structure of substrate / conductive layer / darkening layer / conductive layer, structure of substrate / darkening layer / conductive layer / darkening layer / conductive layer / darkening layer, substrate / darkening layer / conductive layer / darkening layer The structure of the conductive layer / darkening layer / conductive layer / darkening layer and the like.

상기 설명에서 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있고, 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있다. In the above description the conductive layer can be a patterned conductive layer and the darkening layer can be a patterned darkening layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전도성 층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여, 구체적으로 파장이 600 nm 인 광에 대하여 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 형성하는 단계를 포함한다. Method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present application comprises the steps of forming a conductive layer on the substrate; And Equation 1 and Equation 2 for light having a wavelength of at least one of 550 nm to 650 nm, specifically for light having a wavelength of 600 nm, before, after, or before and after forming the conductive layer. Forming a satisfactory darkening layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 전도성 층 및 암색화 층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 패터닝하는 단계는 상기 암색화 층을 형성하는 단계 이후에 포함될 수도 있다. Method for producing a conductive structure according to an embodiment of the present application may further comprise the step of patterning the conductive layer and the darkening layer respectively or simultaneously. The patterning step may be included after the step of forming the darkening layer.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화 층을 형성하고, 상기 암색화 층을 형성한 이후에 전도성 층을 형성하고, 상기 전도성 층을 형성한 이후에 암색화 층을 형성할 수 있으며, 상기 암색화 층 및 전도성 층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present application, the method of manufacturing the conductive structure is to form a darkening layer on the substrate, after forming the darkening layer to form a conductive layer, the darkening after forming the conductive layer A layer may be formed, and may include patterning the darkening layer and the conductive layer separately or simultaneously.

상기 전도성 구조체의 제조방법에서 패턴화 하기 이전의 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 바람직하게는 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω/□ 이하이면, 특히 0.7 Ω/□ 이하이면, 패터닝 전의 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조 공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다.In the manufacturing method of the conductive structure, the sheet resistance of the conductive layer or the darkening layer before patterning may be more than 0 mV / □ and less than 2 mV / □, preferably more than 0 mV / □ and 0.7 mV / □. When the sheet resistance is 2 Ω / □ or less, especially 0.7 Ω / □ or less, the lower the sheet resistance of the conductive layer or the darkening layer before patterning, the easier the fine patterning design and manufacturing process, and the sheet resistance of the conductive structure after patterning It is lowered to have an effect of increasing the reaction rate of the electrode.

본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 패턴화된 전도성 층을 형성하는 단계; 및 상기 패턴화된 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여, 구체적으로 파장이 600 nm 인 광에 대하여 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 패턴화된 암색화 층을 형성하는 단계를 포함한다. Method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present application comprises the steps of forming a patterned conductive layer on the substrate; And at least one of light having a wavelength of 550 nm to 650 nm before, after, or before and after forming the patterned conductive layer, specifically for light having a wavelength of 600 nm. Forming a patterned darkening layer that satisfies Equation 2.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 패턴화된 암색화 층을 형성하고, 상기 패턴화된 암색화 층을 형성한 이후에 패턴화된 전도성 층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present application, the method of manufacturing the conductive structure includes forming a patterned darkening layer on a substrate and forming the patterned conductive layer after forming the patterned darkening layer. can do.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 패턴화된 전도성 층을 형성하고, 상기 패턴화된 전도성 층을 형성한 이후에 패턴화된 암색화 층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present application, the method of manufacturing the conductive structure may include forming a patterned conductive layer on the substrate and forming a patterned darkening layer after forming the patterned conductive layer. Can be.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 패턴화된 암색화 층을 형성하고, 상기 패턴화된 암색화 층을 형성한 이후에 패턴화된 전도성 층을 형성하고, 패턴화된 전도성 층을 형성한 이후에 패턴화된 암색화 층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present application, the method of manufacturing the conductive structure forms a patterned darkening layer on the substrate, and after forming the patterned darkening layer to form a patterned conductive layer, the pattern The method may further include forming a patterned darkening layer after forming the electrically conductive layer.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화층은 상기 수학식 3의 값이 51.8 이하인 것, 더욱 구체적으로 상기 수학식 3의 값이 40 이하인 것을 만족할 수 있다.In one embodiment of the present application, the patterned darkening layer or the darkening layer may satisfy that the value of Equation 3 is 51.8 or less, and more specifically, the value of Equation 3 is 40 or less.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화 층을 형성하는 단계에서, 패턴화된 암색화 층 또는 암색화 층의 형성은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있고, 구체적으로는 스퍼터링 방법에 의해 형성할 수 있다.In one embodiment of the present application, in the forming of the patterned darkening layer or darkening layer, the formation of the patterned darkening layer or darkening layer may use a method known in the art. For example, it can be formed by a method such as evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating or electroless plating, lamination of metal foil, and specifically, can be formed by sputtering method. .

예를 들어, 암색화층의 형성시에 AlOxNy(x, y는 각각 Al 1원자에 대한 O와 N의 원자 수의 비)와 같이 Al 금속 타겟을 사용하여 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 방법을 이용하면 O2와 N2 와 같은 반응성 가스의 분압 조절로 공정을 수행할 수 있다.For example, using reactive metal sputtering using an Al metal target such as AlOxNy (x, y is the ratio of the number of atoms of O to N to Al atoms) for the formation of a darkening layer, The process can be carried out by controlling the partial pressure of reactive gases such as 2 and N 2 .

예를 들어, Cu를 포함하는 전도성 층과 CuOx(x는 Cu 1원자에 대한 O의 원자 수의 비)를 포함하는 암색화 층을 형성하는 경우, 스퍼터링 가스(sputtering gas)로 불활성 기체, 예를 들어, Ar과 같은 기체를 사용할 경우 CuOx 단일 물질 스퍼터링 타겟(sputtering target)을 사용함으로써 얻는 장점이 있다. 그래서, CuOx 단일 물질 타겟을 사용하므로 반응성 가스의 분압 조절이 필요 없어서 공정 조절이 비교적 용이하고, 최종 전도성 구조체의 형성에서도 Cu 에천트를 이용하여 일괄에칭이 가능하다는 장점을 가진다.For example, when forming a conductive layer comprising Cu and a darkening layer comprising CuOx (x is the ratio of the number of atoms of O to Cu 1 atom), an inert gas such as sputtering gas may be used. For example, the use of a gas such as Ar has the advantage of using a CuOx single material sputtering target. Therefore, since CuOx single material target is used, process control is relatively easy because the partial pressure of reactive gas is not necessary, and batch etching is possible using Cu etchant even in the formation of the final conductive structure.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층의 형성방법으로는 특별히 한정되지 않으며, 패턴화된 전도성 층을 직접 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있고, 전도성 층을 형성한 후 이를 패턴화하는 방법을 이용할 수 있다.In an embodiment of the present application, the method of forming the patterned conductive layer is not particularly limited, and the patterned conductive layer may be formed by a direct printing method, or after forming the conductive layer and patterning the same. The method can be used.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 전도성 재료의 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 전도성 재료 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.In one embodiment of the present application, when the patterned conductive layer is formed by a printing method, an ink or a paste of a conductive material may be used, and the paste may be a binder resin, a solvent, a glass frit, or the like, in addition to the conductive material. It may further include.

전도성 층을 형성한 후 이를 패턴화하는 경우 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다.When the conductive layer is formed and then patterned, a material having etching resist properties may be used.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층은 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 전도성 층의 형성방법으로서 유기 금속, 나노 금속 또는 이들의 복합체 용액을 기판 상에 코팅한 후, 소성 및/또는 건조에 의하여 전도도를 부여하는 방법을 이용할 수도 있다. 상기 유기 금속으로는 유기 은을 사용할 수 있으며, 상기 나노 금속으로는 나노 은 입자 등을 사용할 수 있다.In one embodiment of the present application, the conductive layer may be formed by a method such as evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating or electroless plating, lamination of metal foil, or the like. As a method of forming the conductive layer, a method of applying conductivity by firing and / or drying after coating an organic metal, a nano metal, or a composite solution thereof on a substrate may be used. Organic silver may be used as the organic metal, and nano silver particles may be used as the nano metal.

본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층의 패턴화는 에칭 레지스트 패턴을 이용한 방법을 이용할 수 있다. 에칭 레지스트 패턴은 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 인쇄법 또는 포토리소그래피법이 더욱 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 전도성 박막층을 에칭하여 패터닝하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 스트립(strip) 공정에 의해 쉽게 제거할 수 있다.In one embodiment of the present application, the patterning of the conductive layer may use a method using an etching resist pattern. The etch resist pattern can be formed using a printing method, a photolithography method, a photography method, a method using a mask or laser transfer, for example, thermal transfer imaging, and the like. Preferred but not limited thereto. The conductive thin film layer may be etched and patterned using the etching resist pattern, and the etching resist pattern may be easily removed by a strip process.

본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다. 예컨대, 정전용량식 터치스크린 패널에 있어서, 상기 본 출원의 일 구현예에 다른 전도성 구조체는 터치 감응식 전극 기판으로 사용될 수 있다. One embodiment of the present application provides a touch screen panel including the conductive structure. For example, in the capacitive touch screen panel, the conductive structure according to the embodiment of the present application may be used as the touch sensitive electrode substrate.

본 출원의 일 구현예는 상기 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.One embodiment of the present application provides a display device including the touch screen panel.

본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 전술한 기재, 패턴화된 전도성 층 및 패턴화된 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 구조체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 본 출원의 터치 스크린 패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나, 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 구조체만 전술한 기재, 패턴화된 전도성 층 및 패턴화된 암색화 층을 포함하는 것이기만 해도 좋으며, 추가로 포함되는 구조체는 패턴화된 암색화 층을 포함하지 않아도 좋다. 또한, 2개 이상의 구조체 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 좋다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이 때 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.The touch screen panel according to the embodiment of the present application may further include an additional structure in addition to the conductive structure including the substrate, the patterned conductive layer, and the patterned darkening layer. In this case, the two structures may be arranged in the same direction, or the two structures may be arranged in directions opposite to each other. The two or more structures that may be included in the touch screen panel of the present application need not be the same structure, and only one of the structures closest to the user, preferably the side closest to the user, the above-described substrate, patterned conductive layer and patterned dark color It may be merely to include a white layer, and the additionally included structure may not include a patterned darkening layer. Moreover, the layer laminated structure in two or more structures may mutually differ. When two or more structures are included, an insulating layer may be provided therebetween. At this time, the insulating layer may be further given the function of the adhesive layer.

본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면　및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된　전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.Touch screen panel according to an embodiment of the present application is a lower substrate; An upper substrate; And a V electrode layer provided on one or both surfaces of the lower substrate and the surface in contact with the upper substrate. The electrode layers can perform X-axis position detection and Y-axis position detection functions, respectively.

이때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 출원에 따른 전도성 구조체인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 전도성 패턴을 가질 수 있다.In this case, an electrode layer provided on a surface of the lower substrate and the upper substrate of the lower substrate; And one or both of the electrode layer provided on the surface in contact with the upper substrate and the lower substrate of the upper substrate may be a conductive structure according to an embodiment of the present application described above. If only one of the electrode layers is the conductive structure according to the present application, the other may have a conductive pattern known in the art.

상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의　전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될　수　있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 중의 전도성 층의 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 전도성 층의 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름, 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 스크린 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.When an electrode layer is provided on one surface of both the upper substrate and the lower substrate to form a two-layer electrode layer, an insulating layer or a spacer is provided between the lower substrate and the upper substrate so as to maintain a constant distance between the electrode layers and prevent connection. It can be equipped. The insulating layer may include a pressure-sensitive adhesive or a UV or thermosetting resin. The touch screen panel may further include a ground portion connected to the pattern of the conductive layer in the aforementioned conductive structure. For example, the ground portion may be formed at an edge portion of a surface on which the pattern of the conductive layer of the substrate is formed. In addition, at least one surface of the laminate including the conductive structure may be provided with at least one of an antireflection film, a polarizing film, and a fingerprint film. But may further include other types of functional films other than the above-described functional films according to design specifications. The touch screen panel may be applied to display devices such as OLED display panels, liquid crystal displays, and cathode-ray tubes (CRTs) and PDPs.

본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 패턴화된 전도성 층 및 패턴화된 암색화 층이 구비될 수 있다.In the touch screen panel according to the exemplary embodiment of the present application, a patterned conductive layer and a patterned darkening layer may be provided on both surfaces of the substrate, respectively.

본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 상기 전도성 구조체 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며. 이 때 유효화면부와 전극부 및 패드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있다.The touch screen panel according to the exemplary embodiment of the present application may further include an electrode part or a pad part on the conductive structure. In this case, the effective screen unit, the electrode unit, and the pad unit may be formed of the same conductor.

본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 패턴화된 암색화 층은 사용자가 바라보는 측에 구비될 수 있다.In the touch screen panel according to the exemplary embodiment of the present application, the patterned darkening layer may be provided on the side of the user.

본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등에 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체가 사용될 수 있다. One embodiment of the present application provides a display device including the conductive structure. In the display device, a conductive structure according to an embodiment of the present application may be used in a color filter substrate or a thin film transistor substrate.

본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양 전지를 제공한다. 예컨대, 태양 전지는 애노드전극, 캐소드 전극, 광활성층, 정공수송층 및/또는 전자수송층을 포함할 수 있는데, 본 출원의 일 구현예에 따는 전도성 구조체는 상기 애노드 전극 및/또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다. One embodiment of the present application provides a solar cell including the conductive structure. For example, the solar cell may include an anode electrode, a cathode electrode, a photoactive layer, a hole transport layer and / or an electron transport layer, the conductive structure according to an embodiment of the present application may be used as the anode electrode and / or cathode electrode. .

상기 전도성 구조체는 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 ITO를 대체할 수 있고, 플렉서블(flexible) 가능 용도로 활용할 수 있다. 또한, CNT, 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다. The conductive structure can replace the conventional ITO in a display device or a solar cell, and can be utilized as a flexible application. In addition, it can be utilized as a next-generation transparent electrode together with CNT, conductive polymer, and graphene.

이하 실시예를 통하여 본 출원을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 출원을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니다.
The present application will be described in more detail with reference to the following Examples. However, the following examples are intended to illustrate the present application, whereby the scope of the present application is not limited.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

하기 표 1과 같이 매트릭스 형태로 변수를 구성하고, Al 하부 전극을 이용하여 검증을 실시하였다. Variables were configured in a matrix form as shown in Table 1 below, and verification was performed using an Al lower electrode.

Figure pat00019
Figure pat00019

Al 하부 전극을 사용하였을 때 AlOxNy(x > 0, y > 0) 을 포함하는 암색화층을 300~800nm 파장 범위에서 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도 8에 도시하였다. The darkening (darkening) possible region when the darkening layer containing AlOxNy (x> 0, y> 0) was simulated using the Macleod program in the wavelength range of 300 to 800 nm when the Al lower electrode was used is shown in FIG. 8. It was.

또한, 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 색상을 도 9에 나타내었다. 이는 Al 하부 전극이 90%의 반사율을 갖는 구조일 때 수학식 1의 값에 의해 계산한 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율 값을 색차로 변환하여 나타낸 것이다. In addition, the color according to the n, k value in the extinction interference condition of 600nm wavelength is shown in FIG. This is represented by converting the percentage value of the parameter to lower the visibility of the conductive structure calculated by the value of Equation 1 when the Al lower electrode has a reflectance of 90% to the color difference.

또한, 550nm, 600nm, 650nm의 파장의 소멸간섭 조건과 하부 전극이 약 90%의 반사율을 갖는 구조일 때 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션한 결과를 나타낸 것이다.In addition, the simulation results using the Macleod program when the interference interference conditions of the wavelength of 550nm, 600nm, 650nm and the lower electrode has a reflectance of about 90%.

표 2에서는 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션한 550nm, 600nm, 650nm의 파장에서의 각각의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율 값, 380~780nm의 파장 영역에서 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율 값 및 이때 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*를 나타낸 것이다. 표 2에서 S1~S126은 표 1에 대응되고, 이때의 n, k값도 표 1에 대응된다. Table 2 shows the percentage values of the parameters for decreasing the visibility of each conductive structure at the wavelengths of 550 nm, 600 nm and 650 nm simulated using the Macleod program, and the average of the parameters for reducing the visibility of the conductive structures in the wavelength range of 380 to 780 nm. The parameter A *, which represents the percentage value and the brightness for a wavelength of 600 nm, is then shown. In Table 2, S1 to S126 correspond to Table 1, and the n and k values at this time also correspond to Table 1.

## R(%) @550nmR (%) @ 550nm R(%) @ 600nmR (%) @ 600nm R(%) @650nmR (%) @ 650nm 380~780nm
Avg. R(%)380 ~ 780nm
Avg. R (%) A*A * S1S1 91.6 91.6 91.2 91.2 90.7 90.7 90.890.8 96.5 96.5 S2S2 15.0 15.0 20.1 20.1 25.5 25.5 19.119.1 51.9 51.9 S3S3 2.4 2.4 5.3 5.3 9.0 9.0 6.36.3 27.6 27.6 S4S4 4.7 4.7 6.0 6.0 8.1 8.1 7.47.4 29.4 29.4 S5S5 11.0 11.0 11.5 11.5 12.6 12.6 12.712.7 40.4 40.4 S6S6 18.3 18.3 18.4 18.4 18.9 18.9 19.219.2 50.0 50.0 S7S7 25.5 25.5 25.5 25.5 25.7 25.7 2626 57.5 57.5 S8S8 32.4 32.4 32.3 32.3 32.4 32.4 32.632.6 63.6 63.6 S9S9 38.8 38.8 38.7 38.7 38.8 38.8 38.938.9 68.6 68.6 S10S10 44.6 44.6 44.6 44.6 44.6 44.6 44.744.7 72.6 72.6 S11S11 49.9 49.9 49.9 49.9 49.9 49.9 5050 76.0 76.0 S12S12 54.7 54.7 54.7 54.7 54.7 54.7 54.754.7 78.9 78.9 S13S13 59.0 59.0 59.0 59.0 59.0 59.0 5959 81.3 81.3 S14S14 62.8 62.8 62.8 62.8 62.8 62.8 62.862.8 83.3 83.3 S15S15 88.8 88.8 87.8 87.8 87.0 87.0 87.987.9 95.1 95.1 S16S16 14.4 14.4 18.1 18.1 22.8 22.8 19.419.4 49.6 49.6 S17S17 0.8 0.8 3.0 3.0 6.4 6.4 5.25.2 20.1 20.1 S18S18 2.3 2.3 3.2 3.2 5.2 5.2 5.35.3 20.9 20.9 S19S19 8.0 8.0 8.2 8.2 9.3 9.3 1010 34.5 34.5 S20S20 14.8 14.8 14.8 14.8 15.3 15.3 1616 45.3 45.3 S21S21 21.7 21.7 21.5 21.5 21.8 21.8 22.422.4 53.5 53.5 S22S22 28.3 28.3 28.2 28.2 28.3 28.3 28.728.7 60.0 60.0 S23S23 34.5 34.5 34.4 34.4 34.4 34.4 34.734.7 65.3 65.3 S24S24 40.2 40.2 40.2 40.2 40.2 40.2 40.440.4 69.6 69.6 S25S25 45.5 45.5 45.5 45.5 45.5 45.5 45.645.6 73.2 73.2 S26S26 50.3 50.3 50.3 50.3 50.3 50.3 50.450.4 76.2 76.2 S27S27 54.7 54.7 54.6 54.6 54.6 54.6 54.754.7 78.8 78.8 S28S28 58.6 58.6 58.6 58.6 58.6 58.6 58.658.6 81.1 81.1 S29S29 86.1 86.1 84.3 84.3 82.9 82.9 8585 93.6 93.6 S30S30 15.1 15.1 16.8 16.8 20.4 20.4 20.520.5 48.0 48.0 S31S31 0.7 0.7 1.7 1.7 4.5 4.5 5.35.3 13.9 13.9 S32S32 1.3 1.3 1.5 1.5 3.2 3.2 4.64.6 12.9 12.9 S33S33 6.3 6.3 6.2 6.2 7.1 7.1 8.58.5 29.9 29.9 S34S34 12.6 12.6 12.4 12.4 12.8 12.8 14.114.1 41.8 41.8 S35S35 19.2 19.2 18.9 18.9 19.1 19.1 20.120.1 50.5 50.5 S36S36 25.5 25.5 25.2 25.2 25.3 25.3 26.126.1 57.3 57.3 S37S37 31.5 31.5 31.3 31.3 31.3 31.3 31.831.8 62.7 62.7 S38S38 37.0 37.0 36.9 36.9 36.9 36.9 37.237.2 67.2 67.2 S39S39 42.2 42.2 42.1 42.1 42.1 42.1 42.342.3 70.9 70.9 S40S40 46.9 46.9 46.8 46.8 46.8 46.8 4747 74.1 74.1 S41S41 51.2 51.2 51.2 51.2 51.2 51.2 51.351.3 76.8 76.8 S42S42 55.2 55.2 55.2 55.2 55.1 55.1 55.255.2 79.1 79.1 S43S43 84.0 84.0 81.0 81.0 78.6 78.6 82.382.3 92.1 92.1 S44S44 17.0 17.0 16.2 16.2 18.2 18.2 22.122.1 47.3 47.3 S45S45 1.9 1.9 1.2 1.2 2.9 2.9 6.46.4 10.9 10.9 S46S46 1.4 1.4 0.7 0.7 1.8 1.8 4.74.7 6.7 6.7 S47S47 5.8 5.8 5.0 5.0 5.6 5.6 8.18.1 26.8 26.8 S48S48 11.6 11.6 10.9 10.9 11.1 11.1 13.113.1 39.4 39.4 S49S49 17.7 17.7 17.1 17.1 17.2 17.2 18.718.7 48.4 48.4 S50S50 23.7 23.7 23.2 23.2 23.2 23.2 24.424.4 55.3 55.3 S51S51 29.4 29.4 29.0 29.0 29.0 29.0 29.829.8 60.8 60.8 S52S52 34.8 34.8 34.5 34.5 34.4 34.4 3535 65.3 65.3 S53S53 39.7 39.7 39.5 39.5 39.5 39.5 39.939.9 69.1 69.1 S54S54 44.3 44.3 44.2 44.2 44.1 44.1 44.444.4 72.4 72.4 S55S55 48.6 48.6 48.5 48.5 48.4 48.4 48.648.6 75.1 75.1 S56S56 52.5 52.5 52.4 52.4 52.4 52.4 52.552.5 77.5 77.5 S57S57 82.4 82.4 78.0 78.0 74.4 74.4 79.779.7 90.8 90.8 S58S58 19.9 19.9 16.6 16.6 16.6 16.6 2424 47.7 47.7 S59S59 4.0 4.0 1.6 1.6 2.0 2.0 8.18.1 13.2 13.2 S60S60 2.6 2.6 0.7 0.7 0.9 0.9 5.75.7 6.2 6.2 S61S61 6.1 6.1 4.6 4.6 4.6 4.6 8.38.3 25.5 25.5 S62S62 11.3 11.3 10.1 10.1 10.0 10.0 12.912.9 38.0 38.0 S63S63 17.0 17.0 16.0 16.0 15.8 15.8 18.118.1 47.0 47.0 S64S64 22.7 22.7 21.9 21.9 21.7 21.7 23.323.3 53.9 53.9 S65S65 28.1 28.1 27.5 27.5 27.3 27.3 28.528.5 59.4 59.4 S66S66 33.2 33.2 32.7 32.7 32.6 32.6 33.533.5 63.9 63.9 S67S67 38.0 38.0 37.6 37.6 37.5 37.5 38.138.1 67.7 67.7 S68S68 42.4 42.4 42.2 42.2 42.1 42.1 42.542.5 71.0 71.0 S69S69 46.5 46.5 46.4 46.4 46.3 46.3 46.646.6 73.8 73.8 S70S70 50.3 50.3 50.2 50.2 50.2 50.2 50.450.4 76.2 76.2 S71S71 81.5 81.5 75.7 75.7 70.5 70.5 77.477.4 89.7 89.7 S72S72 23.7 23.7 17.8 17.8 15.6 15.6 26.226.2 49.3 49.3 S73S73 7.1 7.1 2.8 2.8 1.5 1.5 10.310.3 19.0 19.0 S74S74 4.6 4.6 1.3 1.3 0.4 0.4 7.27.2 11.5 11.5 S75S75 7.2 7.2 4.8 4.8 4.0 4.0 9.29.2 26.0 26.0 S76S76 11.8 11.8 9.9 9.9 9.3 9.3 13.213.2 37.6 37.6 S77S77 17.0 17.0 15.5 15.5 15.0 15.0 1818 46.3 46.3 S78S78 22.2 22.2 21.1 21.1 20.6 20.6 22.922.9 53.0 53.0 S79S79 27.3 27.3 26.4 26.4 26.1 26.1 27.827.8 58.5 58.5 S80S80 32.2 32.2 31.5 31.5 31.2 31.2 32.532.5 62.9 62.9 S81S81 36.8 36.8 36.2 36.2 36.0 36.0 36.936.9 66.7 66.7 S82S82 41.0 41.0 40.6 40.6 40.4 40.4 41.141.1 69.9 69.9 S83S83 45.0 45.0 44.7 44.7 44.6 44.6 45.145.1 72.7 72.7 S84S84 48.7 48.7 48.5 48.5 48.4 48.4 48.748.7 75.1 75.1 S85S85 81.1 81.1 74.0 74.0 67.1 67.1 75.475.4 88.9 88.9 S86S86 28.2 28.2 19.9 19.9 15.2 15.2 28.628.6 51.8 51.8 S87S87 11.0 11.0 4.7 4.7 1.6 1.6 12.912.9 25.8 25.8 S88S88 7.3 7.3 2.6 2.6 0.5 0.5 9.29.2 18.6 18.6 S89S89 9.0 9.0 5.5 5.5 3.9 3.9 10.510.5 28.1 28.1 S90S90 12.8 12.8 10.2 10.2 9.0 9.0 1414 38.2 38.2 S91S91 17.5 17.5 15.4 15.4 14.5 14.5 18.318.3 46.2 46.2 S92S92 22.3 22.3 20.7 20.7 20.0 20.0 22.922.9 52.7 52.7 S93S93 27.1 27.1 25.9 25.9 25.2 25.2 27.427.4 57.9 57.9 S94S94 31.6 31.6 30.7 30.7 30.2 30.2 31.931.9 62.3 62.3 S95S95 36.0 36.0 35.3 35.3 34.9 34.9 36.136.1 66.0 66.0 S96S96 40.1 40.1 39.5 39.5 39.2 39.2 40.140.1 69.1 69.1 S97S97 43.9 43.9 43.5 43.5 43.2 43.2 43.943.9 71.9 71.9 S98S98 47.5 47.5 47.1 47.1 47.0 47.0 47.547.5 74.3 74.3 S99S99 81.2 81.2 73.1 73.1 64.4 64.4 73.873.8 88.5 88.5 S100S100 33.0 33.0 22.8 22.8 15.6 15.6 31.131.1 54.9 54.9 S101S101 15.4 15.4 7.3 7.3 2.3 2.3 15.715.7 32.5 32.5 S102S102 10.6 10.6 4.5 4.5 1.0 1.0 11.511.5 25.4 25.4 S103S103 11.3 11.3 6.8 6.8 4.2 4.2 12.312.3 31.2 31.2 S104S104 14.3 14.3 10.9 10.9 9.0 9.0 15.215.2 39.4 39.4 S105S105 18.4 18.4 15.8 15.8 14.3 14.3 1919 46.7 46.7 S106S106 22.8 22.8 20.8 20.8 19.6 19.6 23.223.2 52.7 52.7 S107S107 27.2 27.2 25.6 25.6 24.7 24.7 27.527.5 57.7 57.7 S108S108 31.5 31.5 30.3 30.3 29.5 29.5 31.731.7 61.9 61.9 S109S109 35.6 35.6 34.6 34.6 34.1 34.1 35.735.7 65.5 65.5 S110S110 39.5 39.5 38.7 38.7 38.3 38.3 39.539.5 68.6 68.6 S111S111 43.1 43.1 42.6 42.6 42.2 42.2 43.143.1 71.3 71.3 S112S112 46.6 46.6 46.1 46.1 45.8 45.8 46.546.5 73.6 73.6 S113S113 81.7 81.7 72.9 72.9 62.5 62.5 72.572.5 88.4 88.4 S114S114 38.0 38.0 26.3 26.3 16.8 16.8 33.833.8 58.3 58.3 S115S115 20.2 20.2 10.6 10.6 3.7 3.7 18.818.8 38.9 38.9 S116S116 14.4 14.4 7.0 7.0 2.1 2.1 14.214.2 31.8 31.8 S117S117 14.1 14.1 8.5 8.5 4.9 4.9 14.314.3 35.0 35.0 S118S118 16.3 16.3 12.1 12.1 9.4 9.4 16.716.7 41.4 41.4 S119S119 19.8 19.8 16.5 16.5 14.5 14.5 20.120.1 47.6 47.6 S120S120 23.7 23.7 21.1 21.1 19.5 19.5 23.923.9 53.1 53.1 S121S121 27.7 27.7 25.7 25.7 24.5 24.5 27.827.8 57.8 57.8 S122S122 31.7 31.7 30.1 30.1 29.1 29.1 31.731.7 61.8 61.8 S123S123 35.5 35.5 34.3 34.3 33.5 33.5 35.535.5 65.2 65.2 S124S124 39.2 39.2 38.2 38.2 37.6 37.6 39.239.2 68.2 68.2 S125S125 42.7 42.7 41.9 41.9 41.4 41.4 42.642.6 70.8 70.8 S126S126 45.9 45.9 45.4 45.4 45.0 45.0 45.945.9 73.1 73.1

상기 표 2의 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션한 결과를 보면, 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이면 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하인 것을 확인할 수 있다. 또한, 파장이 600nm인 광에 대하여 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이면 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하인 것을 확인할 수 있다. According to the simulation results using the Macleod program of Table 2, when the percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure with respect to light of at least one wavelength among the light having a wavelength of 550 nm to 650 nm is 20% or less, It can be seen that the average percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure in the wavelength region is 20% or less. In addition, when the percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure for the light having a wavelength of 600nm is 20% or less, it can be confirmed that the average percentage of the parameter for reducing the visibility of the conductive structure in the wavelength region of 380 ~ 780nm is 20% or less. have.

또한, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 51.8 이하이면 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하이고, A*가 40 이하이면 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 15% 이하 정도로 더욱 낮아지는 것을 확인할 수 있다. In addition, if the parameter A * indicating brightness for a wavelength of 600 nm is 51.8 or less, the average percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure in the wavelength region of 380 to 780 nm is 20% or less, and if A * is 40 or less, 380 to It can be seen that the average percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure in the wavelength region of 780nm is further lowered to about 15% or less.

또한, 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이거나 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*의 값이 51.8 이하인 경우, 또는 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 인 경우를 표 1에 대응하여 보면, k값의 범위가 0.2 내지 1.2인 것을 확인할 수 있다. 또한, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 약 40 이하이거나 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 약 12% 이하이거나 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 약 15% 이하이면 k값의 범위가 0.4 내지 1.0인 것을 확인할 수 있다. In addition, when the percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure is 20% or less or the value of the parameter A * representing the brightness for the wavelength of 600 nm is 51.8 or less, or the visibility of the conductive structure in the wavelength region of 380 to 780 nm is reduced. Looking at the case where the average percentage of the parameter for 20% corresponding to Table 1, it can be seen that the range of k value is 0.2 to 1.2. In addition, the parameter A * indicating brightness for a wavelength of 600 nm is about 40 or less, or the percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure is about 12% or less, or a parameter for decreasing the visibility of the conductive structure in the wavelength region of 380 to 780 nm. When the average percentage is about 15% or less, it can be seen that the range of k value is 0.4 to 1.0.

상기 표 2중에 300~800nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하인 모든 경우를 그래프로 도 10에 나타내었다. In Table 2, all cases in which the average percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure in the wavelength region of 300 to 800 nm is 20% or less are shown in a graph of FIG. 10.

또한, 도 10 중 S2, S3, S4, S5, S16, S17, S18 의 그래프를 도 11에 나타내었고, S19, S20, S30, S31, S32, S33, S34, S35 의 그래프를 도 12에 나타내었고, S44, S45, S46, S47, S48, S49, S59, S60 의 그래프를 도 13에 나타내었다. 또한, S61, S62, S63, S73, S74, S75, S76, S77, S87, S88, S89 의 그래프를 도 14에 나타내었고, S90, S91, S101, S102, S103, S104, S105, S115, S116, S117, S118 의 그래프를 도 15에 나타내었다.In addition, graphs of S2, S3, S4, S5, S16, S17, and S18 in FIG. 10 are shown in FIG. 11, and graphs of S19, S20, S30, S31, S32, S33, S34, and S35 are shown in FIG. The graphs of S44, S45, S46, S47, S48, S49, S59 and S60 are shown in FIG. In addition, graphs of S61, S62, S63, S73, S74, S75, S76, S77, S87, S88, and S89 are shown in FIG. 14, and S90, S91, S101, S102, S103, S104, S105, S115, S116, The graph of S117, S118 is shown in FIG.

한편, 600 nm 파장의 소멸간섭 조건과 Al 하부 전극이 90%의 반사율을 갖는 구조일 때 계산한 파라미터 값은 하기 표 3과 같다. 표 3에서는 600nm의 파장에서의 n, k값에 따라 수학식 1의 값에 의해 계산한 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율 값, 수학식 2의 값에 의해 계산한 암색화층의 두께 및 수학식 3에 의해 계산한 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*을 나타내었다. Meanwhile, the parameter values calculated when the extinction interference condition of 600 nm wavelength and the Al lower electrode have a 90% reflectivity are shown in Table 3 below. Table 3 shows the percentage value of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure calculated by the value of Equation 1 according to the values of n and k at a wavelength of 600 nm, the thickness of the darkening layer calculated by the value of Equation 2, and The parameter A * which represents the brightness | luminance with respect to the wavelength of 600 nm computed by Formula 3 is shown.

## 소멸간섭파장
(nm)Extinction interference wavelength
(nm) 전극층 반사율 (%)
@소멸간섭파장Electrode Layer Reflectance (%)
@Interference interference 소멸간섭파장에서At extinction interference 암색화층
두께
(nm)Darkening layer
thickness
(nm) Total R(%)
절대값Total R (%)
Absolute value A*A * nn kk 1One 600600 9090 1One 00 150.00 150.00 90.00 90.00 96.00 96.00 22 600600 9090 1One 0.20.2 150.00 150.00 24.37 24.37 56.46 56.46 33 600600 9090 1One 0.40.4 150.00 150.00 3.16 3.16 20.67 20.67 44 600600 9090 1One 0.60.6 150.00 150.00 6.35 6.35 30.28 30.28 55 600600 9090 1One 0.80.8 150.00 150.00 13.28 13.28 43.18 43.18 66 600600 9090 1One 1One 150.00 150.00 19.87 19.87 51.69 51.69 77 600600 9090 1One 1.21.2 150.00 150.00 26.44 26.44 58.45 58.45 88 600600 9090 1One 1.41.4 150.00 150.00 32.88 32.88 64.20 64.20 99 600600 9090 1One 1.61.6 150.00 150.00 39.02 39.02 68.77 68.77 1010 600600 9090 1One 1.81.8 150.00 150.00 44.75 44.75 72.73 72.73 1111 600600 9090 1One 22 150.00 150.00 50.00 50.00 76.07 76.07 1212 600600 9090 1One 2.22.2 150.00 150.00 54.75 54.75 78.90 78.90 1313 600600 9090 1One 2.42.4 150.00 150.00 59.02 59.02 81.30 81.30 1414 600600 9090 1One 2.62.6 150.00 150.00 62.83 62.83 83.35 83.35 .
.
..
.
. 113113 600600 9090 2.62.6 00 57.69 57.69 52.47 52.47 77.56 77.56 114114 600600 9090 2.62.6 0.20.2 57.69 57.69 24.40 24.40 56.49 56.49 115115 600600 9090 2.62.6 0.40.4 57.69 57.69 6.40 6.40 30.40 30.40 116116 600600 9090 2.62.6 0.60.6 57.69 57.69 5.44 5.44 27.95 27.95 117117 600600 9090 2.62.6 0.80.8 57.69 57.69 13.57 13.57 43.61 43.61 118118 600600 9090 2.62.6 1One 57.69 57.69 19.52 19.52 51.29 51.29 119119 600600 9090 2.62.6 1.21.2 57.69 57.69 24.20 24.20 56.29 56.29 120120 600600 9090 2.62.6 1.41.4 57.69 57.69 28.17 28.17 60.04 60.04 121121 600600 9090 2.62.6 1.61.6 57.69 57.69 31.73 31.73 63.12 63.12 122122 600600 9090 2.62.6 1.81.8 57.69 57.69 35.06 35.06 65.80 65.80 123123 600600 9090 2.62.6 22 57.69 57.69 38.24 38.24 68.20 68.20 124124 600600 9090 2.62.6 2.22.2 57.69 57.69 41.31 41.31 70.39 70.39 125125 600600 9090 2.62.6 2.42.4 57.69 57.69 44.29 44.29 72.42 72.42 126126 600600 9090 2.62.6 2.62.6 57.69 57.69 47.17 47.17 74.30 74.30

상기 표 3을 보면, 파장이 600nm인 광에 대하여 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이거나, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 51.8 이하이면 k값의 범위가 0.4 내지 1인 것을 확인할 수 있다. In Table 3, if the percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure for light having a wavelength of 600 nm is 20% or less, or the parameter A * representing the brightness for the wavelength of 600 nm is 51.8 or less, the range of k value is 0.4. It can be confirmed that it is from 1 to.

상기 표 2에서의 600 nm 기준으로 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도 16에 도시하였고, 상기 표 3에서의 600 nm 기준으로 수학식 1에 따른 계산값인 흑화(암색화)가능 영역을 도 17에 도시하였다.The blackening (darkening) possible area when the simulation using the Macleod program on the 600 nm reference in Table 2 is shown in FIG. 16, and the blackening value calculated according to Equation 1 on the 600 nm reference in Table 3 above (Darkening) possible regions are shown in FIG. 17.

도 16과 도 17을 비교하여 보면, Macleod 프로그램에 의한 값의 결과와 수학식 1에 의한 값은 경향성과 범위가 비슷한 것을 확인할 수 있었다. Comparing FIG. 16 with FIG. 17, it can be seen that the result of the Macleod program and the value of Equation 1 are similar in tendency and range.

또한, 수학식 3에 따라 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 A*값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도 18에 도시하였다. 도 18을 도 16 및 도 17과 비교하여 보면, A*값에 따른 색상 영역은 Macleod 프로그램에 의한 값의 결과와 수학식 1에 의한 값의 결과와 경향성과 범위가 유사한 것을 확인할 수 있었다.
In addition, FIG. 18 illustrates a blackening (darkening) possible region when the A * values according to n and k values are calculated under an extinction interference condition of 600 nm wavelength according to Equation (3). When comparing FIG. 18 with FIG. 16 and FIG. 17, it can be seen that the color gamut according to the A * value is similar in tendency and range to the result of the value obtained by the Macleod program and the result obtained by the equation (1).

<실시예 2><Example 2>

상기 실시예 1에서의 표 1과 같이 매트릭스 형태로 변수를 구성하고, Mo 하부 전극을 이용하여 검증을 실시하였다. 이때 암색화층의 형성 재료는 하기 표 4의 n, k 값의 범위를 가지는 물질이면 무방하고, 예컨대, Mo 산화물, Mo질화물, AlOxNy(x > 0, y > 0) 일 수 있다. Variables were configured in a matrix form as shown in Table 1 in Example 1, and verification was performed using the Mo lower electrode. In this case, the material for forming the darkening layer may be any material having a range of n and k values in Table 4 below, and may be, for example, Mo oxide, Mo nitride, and AlO x N y (x> 0, y> 0).

600nm의 파장의 소멸간섭 조건과 Mo 하부 전극이 57.5%의 반사율을 갖는 구조일 때의 파라미터 값은 하기 표 4와 같다. 표 4에서는 600nm의 파장에서의 n, k값에 따라 수학식 1의 값에 의해 계산한 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율 값, 수학식 2의 값에 의해 계산한 암색화층의 두께 및 수학식 3에 의해 계산한 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*를 나타내었다. The parameter values when the extinction interference condition of the wavelength of 600nm and the Mo lower electrode has a reflectance of 57.5% are shown in Table 4 below. Table 4 shows the percentage value of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure calculated by the value of Equation 1 according to the values of n and k at the wavelength of 600 nm, the thickness of the darkening layer calculated by the value of Equation 2, and The parameter A * which represents the brightness | luminance with respect to the wavelength of 600 nm calculated by Formula 3 is shown.

## 소멸간섭파장
(nm)Extinction interference wavelength
(nm) 전극층 반사율 (%)
@소멸간섭파장Electrode Layer Reflectance (%)
@Interference interference 소멸간섭파장에서At extinction interference 암색화층
두께
(nm)Darkening layer
thickness
(nm) Total R(%)
절대값Total R (%)
Absolute value A*A * nn kk 1One 600600 57.557.5 1One 00 150.00 150.00 57.50 57.50 80.46 80.46 22 600600 57.557.5 1One 0.20.2 150.00 150.00 15.21 15.21 45.92 45.92 33 600600 57.557.5 1One 0.40.4 150.00 150.00 0.63 0.63 5.71 5.71 44 600600 57.557.5 1One 0.60.6 150.00 150.00 7.04 7.04 31.90 31.90 55 600600 57.557.5 1One 0.80.8 150.00 150.00 13.47 13.47 43.46 43.46 66 600600 57.557.5 1One 1One 150.00 150.00 19.91 19.91 51.74 51.74 77 600600 57.557.5 1One 1.21.2 150.00 150.00 26.45 26.45 58.46 58.46 88 600600 57.557.5 1One 1.41.4 150.00 150.00 32.88 32.88 64.06 64.06 99 600600 57.557.5 1One 1.61.6 150.00 150.00 39.02 39.02 68.77 68.77 1010 600600 57.557.5 1One 1.81.8 150.00 150.00 44.75 44.75 72.73 72.73 1111 600600 57.557.5 1One 22 150.00 150.00 50.00 50.00 76.07 76.07 1212 600600 57.557.5 1One 2.22.2 150.00 150.00 54.75 54.75 78.90 78.90 1313 600600 57.557.5 1One 2.42.4 150.00 150.00 59.02 59.02 81.30 81.30 1414 600600 57.557.5 1One 2.62.6 150.00 150.00 62.83 62.83 83.35 83.35 1515 600600 57.557.5 1.21.2 00 125.00 125.00 56.20 56.20 79.73 79.73 1616 600600 57.557.5 1.21.2 0.20.2 125.00 125.00 18.21 18.21 49.75 49.75 1717 600600 57.557.5 1.21.2 0.40.4 125.00 125.00 2.80 2.80 19.21 19.21 1818 600600 57.557.5 1.21.2 0.60.6 125.00 125.00 5.40 5.40 27.84 27.84 1919 600600 57.557.5 1.21.2 0.80.8 125.00 125.00 11.64 11.64 40.65 40.65 2020 600600 57.557.5 1.21.2 1One 125.00 125.00 17.56 17.56 48.95 48.95 2121 600600 57.557.5 1.21.2 1.21.2 125.00 125.00 23.48 23.48 55.57 55.57 2222 600600 57.557.5 1.21.2 1.41.4 125.00 125.00 29.39 29.39 61.12 61.12 2323 600600 57.557.5 1.21.2 1.61.6 125.00 125.00 35.13 35.13 65.85 65.85 2424 600600 57.557.5 1.21.2 1.81.8 125.00 125.00 40.59 40.59 69.89 69.89 2525 600600 57.557.5 1.21.2 22 125.00 125.00 45.70 45.70 73.35 73.35 2626 600600 57.557.5 1.21.2 2.22.2 125.00 125.00 50.41 50.41 76.32 76.32 2727 600600 57.557.5 1.21.2 2.42.4 125.00 125.00 54.72 54.72 78.88 78.88 2828 600600 57.557.5 1.21.2 2.62.6 125.00 125.00 58.62 58.62 81.08 81.08 2929 600600 57.557.5 1.41.4 00 107.14 107.14 53.13 53.13 77.95 77.95 3030 600600 57.557.5 1.41.4 0.20.2 107.14 107.14 19.18 19.18 50.89 50.89 3131 600600 57.557.5 1.41.4 0.40.4 107.14 107.14 3.63 3.63 22.40 22.40 3232 600600 57.557.5 1.41.4 0.60.6 107.14 107.14 4.94 4.94 26.55 26.55 3333 600600 57.557.5 1.41.4 0.80.8 107.14 107.14 11.11 11.11 39.77 39.77 3434 600600 57.557.5 1.41.4 1One 107.14 107.14 16.62 16.62 47.78 47.78 3535 600600 57.557.5 1.41.4 1.21.2 107.14 107.14 22.02 22.02 54.05 54.05 3636 600600 57.557.5 1.41.4 1.41.4 107.14 107.14 27.38 27.38 59.33 59.33 3737 600600 57.557.5 1.41.4 1.61.6 107.14 107.14 32.66 32.66 63.89 63.89 3838 600600 57.557.5 1.41.4 1.81.8 107.14 107.14 37.77 37.77 67.85 67.85 3939 600600 57.557.5 1.41.4 22 107.14 107.14 42.62 42.62 71.30 71.30 4040 600600 57.557.5 1.41.4 2.22.2 107.14 107.14 47.17 47.17 74.30 74.30 4141 600600 57.557.5 1.41.4 2.42.4 107.14 107.14 51.39 51.39 76.91 76.91 4242 600600 57.557.5 1.41.4 2.62.6 107.14 107.14 55.27 55.27 79.20 79.20 4343 600600 57.557.5 1.61.6 00 93.75 93.75 49.11 49.11 75.52 75.52 4444 600600 57.557.5 1.61.6 0.20.2 93.75 93.75 18.79 18.79 50.44 50.44 4545 600600 57.557.5 1.61.6 0.40.4 93.75 93.75 3.54 3.54 22.09 22.09 4646 600600 57.557.5 1.61.6 0.60.6 93.75 93.75 5.21 5.21 27.33 27.33 4747 600600 57.557.5 1.61.6 0.80.8 93.75 93.75 11.36 11.36 40.19 40.19 4848 600600 57.557.5 1.61.6 1One 93.75 93.75 16.59 16.59 47.74 47.74 4949 600600 57.557.5 1.61.6 1.21.2 93.75 93.75 21.55 21.55 53.54 53.54 5050 600600 57.557.5 1.61.6 1.41.4 93.75 93.75 26.43 26.43 58.45 58.45 5151 600600 57.557.5 1.61.6 1.61.6 93.75 93.75 31.26 31.26 62.72 62.72 5252 600600 57.557.5 1.61.6 1.81.8 93.75 93.75 35.97 35.97 66.50 66.50 5353 600600 57.557.5 1.61.6 22 93.75 93.75 40.51 40.51 69.83 69.83 5454 600600 57.557.5 1.61.6 2.22.2 93.75 93.75 44.82 44.82 72.77 72.77 5555 600600 57.557.5 1.61.6 2.42.4 93.75 93.75 48.88 48.88 75.38 75.38 5656 600600 57.557.5 1.61.6 2.62.6 93.75 93.75 52.66 52.66 77.67 77.67 5757 600600 57.557.5 1.81.8 00 83.33 83.33 44.64 44.64 72.66 72.66 5858 600600 57.557.5 1.81.8 0.20.2 83.33 83.33 17.51 17.51 48.90 48.90 5959 600600 57.557.5 1.81.8 0.40.4 83.33 83.33 2.81 2.81 19.26 19.26 6060 600600 57.557.5 1.81.8 0.60.6 83.33 83.33 5.98 5.98 29.36 29.36 6161 600600 57.557.5 1.81.8 0.80.8 83.33 83.33 12.10 12.10 41.38 41.38 6262 600600 57.557.5 1.81.8 1One 83.33 83.33 17.12 17.12 48.42 48.42 6363 600600 57.557.5 1.81.8 1.21.2 83.33 83.33 21.74 21.74 53.75 53.75 6464 600600 57.557.5 1.81.8 1.41.4 83.33 83.33 26.21 26.21 58.24 58.24 6565 600600 57.557.5 1.81.8 1.61.6 83.33 83.33 30.62 30.62 62.19 62.19 6666 600600 57.557.5 1.81.8 1.81.8 83.33 83.33 34.95 34.95 65.71 65.71 6767 600600 57.557.5 1.81.8 22 83.33 83.33 39.16 39.16 68.86 68.86 6868 600600 57.557.5 1.81.8 2.22.2 83.33 83.33 43.20 43.20 71.69 71.69 6969 600600 57.557.5 1.81.8 2.42.4 83.33 83.33 47.05 47.05 74.22 74.22 7070 600600 57.557.5 1.81.8 2.62.6 83.33 83.33 50.68 50.68 76.49 76.49 7171 600600 57.557.5 22 00 75.00 75.00 40.00 40.00 69.47 69.47 7272 600600 57.557.5 22 0.20.2 75.00 75.00 15.64 15.64 46.50 46.50 7373 600600 57.557.5 22 0.40.4 75.00 75.00 1.63 1.63 13.40 13.40 7474 600600 57.557.5 22 0.60.6 75.00 75.00 7.07 7.07 31.96 31.96 7575 600600 57.557.5 22 0.80.8 75.00 75.00 13.15 13.15 42.98 42.98 7676 600600 57.557.5 22 1One 75.00 75.00 18.01 18.01 49.51 49.51 7777 600600 57.557.5 22 1.21.2 75.00 75.00 22.36 22.36 54.40 54.40 7878 600600 57.557.5 22 1.41.4 75.00 75.00 26.49 26.49 58.50 58.50 7979 600600 57.557.5 22 1.61.6 75.00 75.00 30.53 30.53 62.11 62.11 8080 600600 57.557.5 22 1.81.8 75.00 75.00 34.51 34.51 65.36 65.36 8181 600600 57.557.5 22 22 75.00 75.00 38.40 38.40 68.31 68.31 8282 600600 57.557.5 22 2.22.2 75.00 75.00 42.16 42.16 70.98 70.98 8383 600600 57.557.5 22 2.42.4 75.00 75.00 45.78 45.78 73.40 73.40 8484 600600 57.557.5 22 2.62.6 75.00 75.00 49.23 49.23 75.59 75.59 8585 600600 57.557.5 2.22.2 00 68.18 68.18 35.35 35.35 66.02 66.02 8686 600600 57.557.5 2.22.2 0.20.2 68.18 68.18 13.41 13.41 43.37 43.37 8787 600600 57.557.5 2.22.2 0.40.4 68.18 68.18 0.14 0.14 1.25 1.25 8888 600600 57.557.5 2.22.2 0.60.6 68.18 68.18 8.38 8.38 34.76 34.76 8989 600600 57.557.5 2.22.2 0.80.8 68.18 68.18 14.38 14.38 44.78 44.78 9090 600600 57.557.5 2.22.2 1One 68.18 68.18 19.12 19.12 50.83 50.83 9191 600600 57.557.5 2.22.2 1.21.2 68.18 68.18 23.25 23.25 55.33 55.33 9292 600600 57.557.5 2.22.2 1.41.4 68.18 68.18 27.11 27.11 59.07 59.07 9393 600600 57.557.5 2.22.2 1.61.6 68.18 68.18 30.84 30.84 62.37 62.37 9494 600600 57.557.5 2.22.2 1.81.8 68.18 68.18 34.50 34.50 65.36 65.36 9595 600600 57.557.5 2.22.2 22 68.18 68.18 38.08 38.08 68.08 68.08 9696 600600 57.557.5 2.22.2 2.22.2 68.18 68.18 41.58 41.58 70.58 70.58 9797 600600 57.557.5 2.22.2 2.42.4 68.18 68.18 44.97 44.97 72.87 72.87 9898 600600 57.557.5 2.22.2 2.62.6 68.18 68.18 48.22 48.22 74.96 74.96 9999 600600 57.557.5 2.42.4 00 62.50 62.50 30.80 30.80 62.33 62.33 100100 600600 57.557.5 2.42.4 0.20.2 62.50 62.50 10.95 10.95 39.49 39.49 101101 600600 57.557.5 2.42.4 0.40.4 62.50 62.50 1.56 1.56 12.99 12.99 102102 600600 57.557.5 2.42.4 0.60.6 62.50 62.50 9.84 9.84 37.55 37.55 103103 600600 57.557.5 2.42.4 0.80.8 62.50 62.50 15.74 15.74 46.63 46.63 104104 600600 57.557.5 2.42.4 1One 62.50 62.50 20.36 20.36 52.24 52.24 105105 600600 57.557.5 2.42.4 1.21.2 62.50 62.50 24.32 24.32 56.41 56.41 106106 600600 57.557.5 2.42.4 1.41.4 62.50 62.50 27.95 27.95 59.84 59.84 107107 600600 57.557.5 2.42.4 1.61.6 62.50 62.50 31.42 31.42 62.86 62.86 108108 600600 57.557.5 2.42.4 1.81.8 62.50 62.50 34.80 34.80 65.59 65.59 109109 600600 57.557.5 2.42.4 22 62.50 62.50 38.11 38.11 68.10 68.10 110110 600600 57.557.5 2.42.4 2.22.2 62.50 62.50 41.36 41.36 70.43 70.43 111111 600600 57.557.5 2.42.4 2.42.4 62.50 62.50 44.51 44.51 72.57 72.57 112112 600600 57.557.5 2.42.4 2.62.6 62.50 62.50 47.56 47.56 74.55 74.55 113113 600600 57.557.5 2.62.6 00 57.69 57.69 26.39 26.39 58.40 58.40 114114 600600 57.557.5 2.62.6 0.20.2 57.69 57.69 8.37 8.37 34.74 34.74 115115 600600 57.557.5 2.62.6 0.40.4 57.69 57.69 3.40 3.40 21.56 21.56 116116 600600 57.557.5 2.62.6 0.60.6 57.69 57.69 11.39 11.39 40.23 40.23 117117 600600 57.557.5 2.62.6 0.80.8 57.69 57.69 17.17 17.17 48.47 48.47 118118 600600 57.557.5 2.62.6 1One 57.69 57.69 21.68 21.68 53.69 53.69 119119 600600 57.557.5 2.62.6 1.21.2 57.69 57.69 25.49 25.49 57.55 57.55 120120 600600 57.557.5 2.62.6 1.41.4 57.69 57.69 28.93 28.93 60.72 60.72 121121 600600 57.557.5 2.62.6 1.61.6 57.69 57.69 32.18 32.18 63.49 63.49 122122 600600 57.557.5 2.62.6 1.81.8 57.69 57.69 35.33 35.33 66.00 66.00 123123 600600 57.557.5 2.62.6 22 57.69 57.69 38.40 38.40 68.31 68.31 124124 600600 57.557.5 2.62.6 2.22.2 57.69 57.69 41.41 41.41 70.46 70.46 125125 600600 57.557.5 2.62.6 2.42.4 57.69 57.69 44.35 44.35 72.46 72.46 126126 600600 57.557.5 2.62.6 2.62.6 57.69 57.69 47.21 47.21 74.32 74.32

상기 표 4를 보면, 파장이 600nm인 광에 대하여 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이면 k값의 범위가 0.2 내지 1인 것을 확인할 수 있다. 또한, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 51.8 이하이면 k값의 범위가 0.2 내지 1인 것을 확인할 수 있다.Referring to Table 4, when the percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure for light having a wavelength of 600nm is 20% or less, it can be seen that the range of k value is 0.2 to 1. Moreover, when parameter A * which shows the brightness | luminance with respect to the wavelength of 600 nm is 51.8 or less, it can be confirmed that the range of k value is 0.2-1.

Mo의 가시광선 영역의 평균 반사율은 57.5(%)로 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이면 k값의 범위가 0.2 내지 1로서, Al 전극층을 사용한 경우에 비해서 낮은 반사율을 갖는 k영역이 늘어난 것을 확인할 수 있었다. The average reflectance of the visible light region of Mo is 57.5 (%). When the percentage of the parameter for lowering the visibility of the conductive structure is 20% or less, the range of k value is 0.2 to 1, which has a lower reflectance than that of the Al electrode layer. The k area was increased .

하부 전극이 57.5%의 반사율을 갖는 Mo 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 수학식 1의 파라미터 값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도 19에 도시하였다.When the lower electrode uses a Mo lower electrode having a reflectance of 57.5%, a blackening (darkening) possible area when the parameter value of Equation 1 is calculated according to the values of n and k under an extinction interference condition of 600 nm wavelength is shown in FIG. 19. Shown in

본 출원이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 출원의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

이상으로 본 출원의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 출원의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백하다. 따라서, 본 출원의 실질적인 범위는 첨부된 청구항과 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.Having described specific portions of the present application in detail, those skilled in the art will appreciate that these specific embodiments are merely preferred embodiments and that the scope of the present application is not limited thereto. Accordingly, the actual scope of the present application will be defined by the appended claims and their equivalents.

100: 기재
200: 암색화 층
220: 암색화 층
300: 전도성 층
201: 암색화 패턴층
221: 암색화 패턴층
301: 전도성 패턴층100: substrate
200: darkening layer
220: darkening layer
300: conductive layer
201: darkening pattern layer
221: darkening pattern layer
301: conductive pattern layer

Claims (41)

기재;
전도성 층; 및
파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체:
[수학식 1]
Figure pat00020

[수학식 2]
Figure pat00021

상기 수학식 1 또는 수학식 2에서,
｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고,
n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며,
d는 암색화층의 두께이고, λ는 빛의 파장이다.materials;
Conductive layer; And
A conductive structure comprising a darkening layer that satisfies Equation 1 and Equation 2 below for light having at least one wavelength among light having a wavelength of 550 nm to 650 nm:
[Equation 1]
Figure pat00020

&Quot; (2) &quot;
Figure pat00021

In Equation 1 or Equation 2,
R is a parameter for lowering the visibility of the conductive structure,
n is the refractive index, k is the extinction coefficient, R Metal is the reflectance of the conductive layer,
d is the thickness of the darkening layer, and λ is the wavelength of light. 청구항 1에 있어서,
파장이 600nm인 광에 대하여 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
And a darkening layer satisfying Equations 1 and 2 for light having a wavelength of 600 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화층은 하기 수학식 3의 값이 51.8 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체:
[수학식 3]
Figure pat00022

상기 수학식 3에서,
A* 는 특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고, n, k 및 RMetal 은 수학식 1에서의 정의와 동일하다. The method according to claim 1,
The darkening layer is a conductive structure, characterized in that the value of the following equation 3 is 51.8 or less:
&Quot; (3) &quot;
Figure pat00022

In Equation (3)
A * is a parameter representing brightness for a specific wavelength, n, k and R Metal is the same as the definition in equation (1). 청구항 3에 있어서,
상기 암색화층은 상기 수학식 3의 값이 40 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method of claim 3,
The darkening layer is a conductive structure, characterized in that the value of the equation (3) is 40 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화층은 하기 수학식 15의 값이 40 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체:
[수학식 15]
Figure pat00023

상기 수학식 15에서,
L*는 가시광선 전 파장 영역에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고,
Y는 CIE XYZ 좌표계의 삼색 자극값(Tri Stimulus Value) 중 초록색에 해당하는 자극값이며,
Yn은 CIE XYZ 좌표계의 삼색 자극값(Tri Stimulus Value) 중 흰색에 해당하는 자극값의 정규화된(Normalized) 값이다.The method according to claim 1,
The darkening layer is a conductive structure, characterized in that the value of Equation 15 is 40 or less:
&Quot; (15) &quot;
Figure pat00023

In Equation 15,
L * is a parameter representing brightness over the entire visible wavelength range.
Y is a stimulus value corresponding to green among Tri Stimulus Values of the CIE XYZ coordinate system.
Yn is a normalized value of a stimulus value corresponding to white among Tri Stimulus Values of a CIE XYZ coordinate system. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화층의 소멸계수 k는 0.2 이상 2.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The extinction coefficient k of the darkening layer is a conductive structure, characterized in that 0.2 or more and 2.5 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화층의 소멸계수 k는 0.2 이상 1.2 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The extinction coefficient k of the darkening layer is a conductive structure, characterized in that 0.2 or more and 1.2 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화층의 소멸계수 k는 0.4 이상 1.0 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The extinction coefficient k of the darkening layer is a conductive structure, characterized in that 0.4 or more and 1.0 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 층이 기재와 암색화층 사이에 구비되고,
상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터는 상기 암색화 층이 상기 전도성 층과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The conductive layer is provided between the substrate and the darkening layer,
The parameter for reducing the visibility of the conductive structure is a conductive structure, characterized in that measured in the direction opposite to the surface where the darkening layer is in contact with the conductive layer. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화 층이 상기 전도성 층과 기재 사이에 구비되고,
상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터는 상기 기재측에서 측정한 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The darkening layer is provided between the conductive layer and the substrate,
A parameter for reducing the visibility of the conductive structure is measured on the substrate side. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화층의 굴절율 n은 0 초과 3 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The refractive index n of the darkening layer is a conductive structure, characterized in that more than 0 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜은 0.15 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
And the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure is 0.15 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜은 0.1 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure is a conductive structure, characterized in that less than 0.1. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜은 0.07 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
And the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure is 0.07 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜은 0.03 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
And the parameter | R | for reducing the visibility of the conductive structure is 0.03 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화층의 두께 d는 20 nm 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The thickness d of the darkening layer is a conductive structure, characterized in that 20 nm to 150 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화 층 또는 전도성 층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The sheet resistance of the darkening layer or conductive layer is greater than 0 Ω / □ 2 Ω / □ or less conductive structure. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화 층은 금속, 이의 산화물, 이의 질화물, 이의 산질화물 및 이의 탄화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The darkening layer is conductive structure, characterized in that it comprises one or more selected from the group consisting of metals, oxides thereof, nitrides thereof, oxynitrides thereof and carbides thereof. 청구항 18에 있어서,
상기 금속은 Ni, V, W, Ta, Mo, Nb, Ti, Fe, Cr, Co, Al 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.19. The method of claim 18,
The metal is a conductive structure, characterized in that one or more selected from the group consisting of Ni, V, W, Ta, Mo, Nb, Ti, Fe, Cr, Co, Al and Cu. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화 층은 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
And the darkening layer comprises at least one of a dielectric material and a metal. 청구항 20에 있어서,
상기 유전성 물질은 TiO2 -x, SiO2 -x, MgF2 -x 및 SiN1 .3-x(-1≤x≤1)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method of claim 20,
The dielectric material is selected from the group consisting of TiO 2 -x , SiO 2 -x , MgF 2 -x and SiN 1-3 - ( - 1 ≦ x ≦ 1 ). 청구항 20에 있어서,
상기 금속은 Fe, Co, Ti, V, Al, Cu, Mo, Au 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 합금인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method of claim 20,
The metal is a conductive structure, characterized in that one or more alloys selected from the group consisting of Fe, Co, Ti, V, Al, Cu, Mo, Au and Ag. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 층의 두께는 0.01 마이크로미터 내지 10 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The conductive layer has a thickness of 0.01 micrometers to 10 micrometers. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 층은 금속, 금속 합금, 금속 산화물 및 금속 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하고,
상기 물질은 비저항이 1×10-6 Ω·cm 내지 30×10-6 Ω·cm 인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The conductive layer comprises one or more materials selected from the group consisting of metals, metal alloys, metal oxides and metal nitrides,
The material has a resistivity of 1 × 10 −6 Pa · cm to 30 × 10 −6 Pa · cm. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 층은 Cu, Al, Ag, Nd, Mo, Ni, 이의 산화물 및 이의 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
And the conductive layer comprises one or more selected from the group consisting of Cu, Al, Ag, Nd, Mo, Ni, oxides thereof and nitrides thereof. 청구항 1에 있어서,
상기 암색화 층이 상기 전도성 층의 적어도 일면에 구비된 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The darkening layer is a conductive structure, characterized in that provided on at least one side of the conductive layer. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 층 또는 암색화 층은 패턴화된 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.The method according to claim 1,
The conductive layer or the darkening layer is patterned. 청구항 27에 있어서,
상기 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/□ 내지 300 Ω/□ 인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.28. The method of claim 27,
The conductive structure has a sheet resistance of 1 면 / □ to 300 Ω / □ conductive structure, characterized in that. 청구항 27에 있어서,
상기 전도성 층 및 암색화 층은 패턴화된 것이고,
상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭은 10 마이크로미터 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.28. The method of claim 27,
The conductive layer and the darkening layer are patterned,
And wherein the line width of the pattern in the patterned conductive layer is 10 micrometers or less. 청구항 27에 있어서,
상기 전도성 층 및 암색화 층은 패턴화된 것이고,
상기 패턴화된 암색화 층에서 패턴의 선폭은 상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.28. The method of claim 27,
The conductive layer and the darkening layer are patterned,
And wherein the line width of the pattern in the patterned darkening layer is equal to or greater than the line width of the pattern in the patterned conductive layer. 청구항 27에 있어서,
상기 전도성 층 및 암색화 층은 패턴화된 것이고,
상기 패턴화된 암색화 층은 상기 패턴화된 전도성 층이 구비된 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체. 28. The method of claim 27,
The conductive layer and the darkening layer are patterned,
Wherein the patterned darkening layer has an area of 80% to 120% of the area provided with the patterned conductive layer. 청구항 1 내지 청구항 31 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널.32. A touch screen panel comprising the conductive structure of any of claims 1-31. 청구항 1 내지 청구항 31 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치.32. A display device comprising the conductive structure of any one of claims 1 to 31. 청구항 1 내지 청구항 31 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 태양전지.32. A solar cell comprising the conductive structure of claim 1. 기재 상에 전도성 층을 형성하는 단계; 및
상기 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법:
[수학식 1]
Figure pat00024

[수학식 2]
Figure pat00025

상기 수학식 1 또는 수학식 2에서,
｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고,
n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며,
d는 암색화층의 두께이고, λ는 빛의 파장이다.Forming a conductive layer on the substrate; And
Forming a darkening layer that satisfies Equation 1 and Equation 2 below with respect to light having at least one of wavelengths of 550 nm to 650 nm before, after, or before and after forming the conductive layer. Manufacturing method of conductive structure:
[Equation 1]
Figure pat00024

&Quot; (2) &quot;
Figure pat00025

In Equation 1 or Equation 2,
R is a parameter for lowering the visibility of the conductive structure,
n is the refractive index, k is the extinction coefficient, R Metal is the reflectance of the conductive layer,
d is the thickness of the darkening layer, and λ is the wavelength of light. 청구항 35에 있어서,
상기 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.36. The method of claim 35,
The sheet resistance of the conductive layer or the darkening layer is a method for producing a conductive structure, characterized in that more than 0 Ω / □ 2 Ω / □ or less. 청구항 35에 있어서,
전도성 층 및 암색화 층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.36. The method of claim 35,
And patterning the conductive layer and the darkening layer, respectively or simultaneously. 기재 상에 패턴화된 전도성 층을 형성하는 단계; 및
상기 패턴화된 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 패턴화된 암색화 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법:
[수학식 1]
Figure pat00026

[수학식 2]
Figure pat00027

상기 수학식 1 또는 수학식 2에서,
｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고,
n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며,
d는 암색화층의 두께이고, λ는 빛의 파장이다.Forming a patterned conductive layer on the substrate; And
A patterned darkening layer that satisfies Equation 1 and Equation 2 below for light of at least one of wavelengths of 550 nm to 650 nm before, after, or before and after forming the patterned conductive layer. Method for producing a conductive structure comprising the step of forming:
[Equation 1]
Figure pat00026

&Quot; (2) &quot;
Figure pat00027

In Equation 1 or Equation 2,
R is a parameter for lowering the visibility of the conductive structure,
n is the refractive index, k is the extinction coefficient, R Metal is the reflectance of the conductive layer,
d is the thickness of the darkening layer, and λ is the wavelength of light. 청구항 35 내지 청구항 38 중 어느 한 항에 있어서,
상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화층은 파장이 600nm인 광에 대하여 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.The method of any one of claims 35 to 38,
Wherein the patterned darkening layer or the darkening layer satisfies Equation 1 and Equation 2 for light having a wavelength of 600 nm. 청구항 35 내지 청구항 38 중 어느 한 항에 있어서,
상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화층은 하기 수학식 3의 값이 51.8 이하인 것을 만족하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법:
[수학식 3]
Figure pat00028

상기 수학식 3에서,
A* 는 특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고, n, k 및 RMetal 은 수학식 1에서의 정의와 동일하다. The method of any one of claims 35 to 38,
The patterned darkening layer or the darkening layer is a method for producing a conductive structure, characterized in that the value of the following equation 3 is 51.8 or less:
&Quot; (3) &quot;
Figure pat00028

In Equation (3)
A * is a parameter representing brightness for a specific wavelength, n, k and R Metal is the same as the definition in equation (1). 청구항 35 내지 청구항 38 중 어느 한 항에 있어서,
상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화 층의 형성은 스퍼터링 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
The method of any one of claims 35 to 38,
Forming the patterned darkening layer or darkening layer is a method of manufacturing a conductive structure, characterized in that using a sputtering method.
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