KR20140017276A - Manufacturing method of sensor panel with anti-reflection layer - Google Patents

Manufacturing method of sensor panel with anti-reflection layer Download PDF

Info

Publication number
KR20140017276A
KR20140017276A KR1020120084025A KR20120084025A KR20140017276A KR 20140017276 A KR20140017276 A KR 20140017276A KR 1020120084025 A KR1020120084025 A KR 1020120084025A KR 20120084025 A KR20120084025 A KR 20120084025A KR 20140017276 A KR20140017276 A KR 20140017276A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
bridge
layer
substrate
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020120084025A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김근호
류승봉
방정민
고용남
Original Assignee
(주)인터플렉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)인터플렉스 filed Critical (주)인터플렉스
Priority to KR1020120084025A priority Critical patent/KR20140017276A/en
Priority to PCT/KR2013/006886 priority patent/WO2014021629A1/en
Priority to JP2015525353A priority patent/JP2015529899A/en
Publication of KR20140017276A publication Critical patent/KR20140017276A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/0418—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers for error correction or compensation, e.g. based on parallax, calibration or alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

Provided is a manufacturing method of a sensor panel comprising: a step of patterning a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a circuit board; a step of forming an insulation layer on the first bridge; a step of forming a second bridge on the insulation layer; and a step of forming an anti-reflection layer on the second bridge.

Description

반사방지층을 포함하는 센서 패널 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF SENSOR PANEL WITH ANTI-REFLECTION LAYER}Sensor panel manufacturing method including an anti-reflection layer {MANUFACTURING METHOD OF SENSOR PANEL WITH ANTI-REFLECTION LAYER}

본 발명은 터치 패널용 센서 패널의 제조 방법에 관한 것으로서 특히, 반사방지층을 포함하는 센서 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a sensor panel for a touch panel, and more particularly, to a method for manufacturing a sensor panel including an antireflection layer.

근래 들어 휴대용 장치의 발달로 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 게임기, 학습보조장치 및 카메라 등이 널리 사용되고 있으며, 이러한 장치들의 입력방식이 기존의 마우스나 키보드에서 터치방식으로 진화하고 있다. 특히, 터치 패널용 센서 패널은 조작의 용이하고 각종 디스플레이 장치에 폭넓게 응용될 수 있다는 점에서 널리 사용되고 있다.Recently, with the development of portable devices, smart phones, tablet computers, game consoles, learning aids, and cameras are widely used, and the input method of these devices has evolved from a mouse or a keyboard to a touch method. In particular, a sensor panel for a touch panel is widely used in that it is easy to operate and can be widely applied to various display devices.

이러한 터치 패널용 센서 패널은 기본적으로 기판, 금속 배선층, 센서 전극층을 구비하는데, 실외 태양광이나 실내 조명등이 상기 센서 패널에 구비되어 있는 금속 배선층 또는 센서전극층에 의해 반사되어 시인성을 떨어뜨리게 된다.The touch panel sensor panel basically includes a substrate, a metal wiring layer, and a sensor electrode layer, and outdoor sunlight or indoor lighting is reflected by the metal wiring layer or sensor electrode layer provided in the sensor panel, thereby reducing visibility.

한편, 상기와 같은 외광으로 인한 반사를 방지하여 시인성을 개선하는 방법으로는 크게 AG 코팅(Anti-Glare coating)과 AR 코팅(Anti-Reflection coating) 방법이 있다.On the other hand, as a method of improving the visibility by preventing reflection due to the external light as described above, there are largely AG coating (Anti-Glare coating) and AR coating (Anti-Reflection coating) method.

AG 코팅(Anti-Glare coating)은 기재 표면에 수십~수백 나노 미터 크기의 거칠기(roughness)를 갖는 요철을 형성하여 외부광으로 인한 확산 반사(diffuse reflection)를 방지하는 것이다. AR 코팅(Anti-Reflection coating)은 굴절률이 서로 다른 두 층 이상의 박막을 형성하여 외부광으로 인한 직접 반사(specular reflection)를 방지하는 것이다. 상기 AG 코팅은 확산 반사를 방지하는 반면 상기 요철로 인한 화상의 선명도가 떨어지는 단점이 있기 때문에, 선명한 화상을 구현해야 하는 곳에서는 표면 요철이 없는 상태에서 직접 반사의 반사율을 감소시킬 수 있는 AR 코팅이 사용된다.The AG coating (Anti-Glare coating) is to form the irregularities having roughness of several tens to hundreds of nanometers on the surface of the substrate to prevent diffuse reflection due to external light. Anti-reflection coating is to form a thin film of two or more layers with different refractive indices to prevent direct reflection due to external light. While the AG coating prevents diffuse reflection, the sharpness of the image due to the unevenness is deteriorated. Therefore, an AR coating capable of reducing the reflectance of the direct reflection in the absence of surface irregularities is required where a clear image is to be realized. Used.

일반적으로 공정에 사용되는 base기판에는 상기와 같은 반사 방지를 위한 처리가 되어 있는데, 이를 이용한 공정 과정에서 이러한 반사 방지 처리가 손상되거나 상기 base 기판에 새로운 구성요소가 추가되는 경우가 있다.In general, the base substrate used in the process is subjected to the anti-reflection treatment as described above, the anti-reflection treatment may be damaged or new components are added to the base substrate in the process using the same.

이러한 경우에는 상기 반사 방지 처리가 손상된 영역 및 추가된 구성요소 상에 별도로 반사 방지 처리가 요청된다. In such a case, antireflection treatment is separately required on the region where the antireflection treatment is damaged and the added component.

본 발명은 터치 패널용 센서 패널 상에 반사 방지층을 형성하여 외광으로 인한 반사를 막을 수 있는 센서 패널의 제조방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a sensor panel that can prevent reflection due to external light by forming an antireflection layer on a sensor panel for a touch panel.

본 발명은 터치 패널용 센서 패널 상에 반사 방지층을 형성함에 있어서, 공정을 간소화한 제조방법을 제공하고자 한다.The present invention is to provide a method of manufacturing a simplified process in forming an anti-reflection layer on a sensor panel for a touch panel.

기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 패터닝하는 단계, 상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 상에 제 2 브릿지를 형성하는 단계 및 상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하는 센서 패널 제조 방법을 제공한다.Patterning a first sensor electrode, a first bridge and a second sensor electrode on a substrate, forming an insulating layer on the first bridge, forming a second bridge on the insulating layer and the second It provides a sensor panel manufacturing method comprising the step of forming an anti-reflection layer on the bridge.

상기 절연층을 형성하는 단계는 상기 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극이 패터닝된 기판 상에 절연물질을 전면 도포하는 단계 및 상기 절연층을 식각하여 상기 제 1 브릿지 상에 절연층 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the insulating layer may include applying an insulating material to the substrate on which the first sensor electrode, the first bridge, and the second sensor electrode are patterned, and etching the insulating layer to form an insulating layer on the first bridge. Forming a pattern may be included.

상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계는 상기 절연층이 형성된 기판의 전면에 제 2 브릿지 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 상기 제 2 브릿지 형성용 물질을 식각하여 제 2 브릿지를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the second bridge may include applying a second bridge forming material to the entire surface of the substrate on which the insulating layer is formed, and forming a second bridge by etching the second bridge forming material. Can be.

상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계는, 상기 절연층이 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계 및 제 2 브릿지 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering)하여 상기 절연층 상에 제 2 브릿지를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the second bridge may include disposing a fine metal mask (FMM) on the substrate on which the insulating layer is formed, and depositing or sputtering a material for forming the second bridge on the insulating layer. And forming a second bridge in the.

상기 반사방지층을 형성하는 단계는, 상기 제 2 브릿지가 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계 및 상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성하기 위하여 반사방지층 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering)하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the anti-reflection layer may include disposing an FMM (Fine Metal Mask) on the substrate on which the second bridge is formed and depositing an anti-reflection layer forming material on the second bridge to form an anti-reflection layer. Or sputtering.

상기 반사방지층을 형성하는 단계는, 저굴절층 형성용 물질을 이용하여 저굴절층을 형성하는 단계 및 고굴절층 형성용 물질을 이용하여 고굴절층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the antireflection layer may include forming a low refractive layer by using a material for forming a low refractive layer and forming a high refractive layer by using a material for forming a high refractive layer.

상기 저굴절층을 형성하는 단계 및 고굴절층을 형성하는 단계는 각각 2회 내지 5회 반복 실시할 수 있다.The forming of the low refractive layer and the forming of the high refractive layer may be repeated two to five times, respectively.

상기 저굴절층 형성용 물질은 MgF2, NaF 및 CaF2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The material for forming the low refractive index layer is MgF 2 , NaF and CaF 2 It may include any one of.

상기 고굴절층 형성용 물질은 CeF3, Al2O3, ZrO2 , TiO2 및 Nb2Ox 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The material for forming the high refractive index layer is CeF 3 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 And Nb 2 O x .

외광으로 인한 반사를 방지하여 시인성을 개선할 수 있는 센서 패널 제조 방법을 제공한다. 또한 동일한 Fine Metal Mask를 사용하여 증착하는 방식을 통하여 제조공정을 간소화할 수 있다.It provides a sensor panel manufacturing method that can improve the visibility by preventing reflection due to external light. In addition, the manufacturing process can be simplified by depositing using the same fine metal mask.

도 1은 기판 상에 제 1 센서전극 및 제 2 센서전극이 패터닝된 상태를 도시한 도이다.
도 2는 상기 기판 전면에 절연물질이 도포된 상태를 도시한 도이다.
도 3은 상기 도포된 절연물질을 식각하는 단계를 도시한 도이다.
도 4는 상기 절연물질이 패터닝되어 절연층이 형성된 상태를 도시한 도이다.
도 5는 상기 절연층 상에 제 2 브릿지를 형성하는 단계를 도시한 도이다.
도 6은 상기 제 2 브릿지 상에 저굴절층을 형성하는 단계를 도시한 도이다.
도 7은 상기 저굴절층 상에 고굴절층을 형성하는 단계를 도시한 도이다.1 is a view illustrating a state in which a first sensor electrode and a second sensor electrode are patterned on a substrate.
2 is a diagram illustrating a state in which an insulating material is coated on the entire surface of the substrate.
3 is a diagram illustrating a step of etching the applied insulating material.
4 illustrates a state in which an insulating layer is formed by patterning the insulating material.
5 is a diagram illustrating a step of forming a second bridge on the insulating layer.
6 is a diagram illustrating a step of forming a low refractive layer on the second bridge.
7 is a diagram illustrating a step of forming a high refractive layer on the low refractive layer.

이하, 구체적인 도면을 참조하여 본 발명의 예들을 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 범위가 하기 설명하는 실시예나 도면들로 한정되는 것은 아니다. 이하에서 설명되는 내용과 도면에 도시된 실시예들로부터 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.Hereinafter, examples of the present invention will be described in more detail with reference to specific drawings. The scope of the present invention is not limited to the embodiments or drawings described below. Various equivalents and modifications may be made from the embodiments described in the following description and the drawings.

본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 표현하기 위해 사용된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.The terminologies used herein are terms used to describe embodiments of the present invention, which may vary depending on the user, the intention of the operator, or the practice of the field to which the present invention belongs. Therefore, the definition of these terms should be based on the contents throughout this specification.

참고로, 상기 도면에서는, 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하였다. 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.For reference, in order to facilitate understanding, each component and its shape or the like are briefly drawn or exaggerated in the above drawings. The same reference numerals denote the same elements in the drawings.

또한, 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 또는 구성요소의 '상'에 있다 라고 기재되는 경우에는, 상기 어떤 층이나 구성요소가 상기 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.It will also be understood that where a layer or element is described as being on the " top " of another layer or element, it is to be understood that not only is the layer or element disposed in direct contact with the other layer or element, To the case where the third layer is disposed interposed between the first and second layers.

도 1 내지 도 8은 본 발명에 따른 센서 패널의 제조방법을 순차적으로 도시한 도이다.1 to 8 are diagrams sequentially illustrating a method of manufacturing a sensor panel according to the present invention.

도 1은 기판 상에 제 1 센서전극 및 제 2 센서전극이 패터닝된 상태를 도시한 도이다.1 is a view illustrating a state in which a first sensor electrode and a second sensor electrode are patterned on a substrate.

도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 제 1 센서전극(211)(도시되지 않음), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)을 형성한다.Referring to FIG. 1, a first sensor electrode 211 (not shown), a first bridge 212, and a second sensor electrode 221 are formed on a substrate 110.

상기 기판(110)은 글라스재 기판일 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 고분자 필름, 플라스틱 또는 금속 중 어느 하나에 의하여 형성될 수 있다. 이하에서 상기 기판(110)은 PET인 것으로 가정하고 설명한다.The substrate 110 may be a glass substrate, but is not necessarily limited thereto, and may be formed of any one of a polymer film, a plastic, and a metal. Hereinafter, it is assumed that the substrate 110 is PET.

상기 기판(110) 상에는 상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)이 동일층 상에 패터닝되어 형성된다.The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 are patterned on the same layer on the substrate 110.

상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 금속 또는 도전성을 갖는 투명재료로 형성될 수 있다. 이러한 도전성을 갖는 투명 재료로서 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)을 사용할 수 있다.The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed of a metal or a transparent material having conductivity. A transparent conductive oxide (TCO: Transparent Conductive Oxide) can be used as the transparent material having such conductivity.

이러한 투명 전도성 산화물(TCO)로는 산화인듐-산화주석(ITO:Indium Tin Oxide), 산화인듐-산화아연(IZO:Indium Zinc Oxide), AZO, 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다.As the transparent conductive oxide (TCO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnO), or the like can be used.

상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 동일한 재료에 의하여 형성될 수도 있고, 서로 다른 재료에 의하여 형성될 수도 있다. 제조상 편의성을 고려할 때 상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 동일한 재료로 형성되는 것이 바람직하다.The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed of the same material or may be formed of different materials. In consideration of manufacturing convenience, the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed of the same material.

상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 상기 기판(110) 상에 투명 도전성 산화물을 스퍼터(sputerring)하거나 증착하여 형성될 수 있다. 또한 마스크를 이용한 포토 리소그라피(photo lithograpy) 방식을 사용하여 형성될 수도 있다.The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed by sputtering or depositing a transparent conductive oxide on the substrate 110. Or may be formed using a photolithography method using a mask.

도 2는 상기 기판 전면에 절연물질이 도포된 상태를 도시한 도이다.2 is a diagram illustrating a state in which an insulating material is coated on the entire surface of the substrate.

상기 절연물질은 투명한 합성수지 등 전기 절연성의 투명한 재질로 형성될 수 있다. 이러한 절연물질로는 실리콘 계열의 SiOX 등이 사용될 수 있다. The insulating material may be formed of an electrically insulating transparent material such as a transparent synthetic resin. As the insulating material, silicon-based SiO X may be used.

상기 절연물질의 굴절률은 후술할 제 2 브릿지 형성용 물질에 따라 달라질 수 있다. 상기 제 2 브릿지 형성용 물질이 고굴절 물질(n:1.6 이상)인 경우에는 상기 절연물질의 굴절률은 1.3 이상 1.5 이하의 범위 값을 가질 수 있으며, 상기 제 2 브릿지 형성용 물질이 저굴절 물질(n:1.5 이하)인 경우에는 상기 절연물질의 굴절율은 1.6 이상 2.5 이하의 범위 값을 가질 수 있다.The refractive index of the insulating material may vary depending on the material for forming the second bridge, which will be described later. When the second bridge forming material is a high refractive material (n: 1.6 or more), the refractive index of the insulating material may have a range of 1.3 or more and 1.5 or less, and the second bridge forming material is a low refractive material (n : 1.5 or less), the refractive index of the insulating material may have a range value of 1.6 or more and 2.5 or less.

상기 절연물질이 이루는 층과 제 2 브릿지 형성용 물질층이 하나의 저굴절층 및 고굴절층으로 형성되어 반사 방지 기능을 할 수 있다.The insulating material layer and the second bridge forming material layer may be formed of one low refractive index layer and a high refractive layer to prevent reflection.

도 3은 상기 도포된 절연물질을 식각하는 상태를 도시한 도이다.3 is a view illustrating a state of etching the coated insulating material.

상기 절연층(300)은 제 1 브릿지(212)를 모두 포함하는 영역 상에 형성될 수 있다. 따라서 상기 제 1 브릿지(212)를 모두 포함하는 영역을 제외한 나머지 영역에 존재하는 절연물질을 물리적으로 제거하기 위한 방법으로 마스크를 이용하여 식각(etching)하는 포토 리소그라피(photo lithograpy)방식을 사용할 수 있다.The insulating layer 300 may be formed on an area including all of the first bridges 212. Therefore, as a method for physically removing the insulating material present in the remaining areas except for the area including all of the first bridges 212, a photo lithograpy method of etching using a mask may be used. .

상기 절연물질이 전면 도포된 기판(110) 상에 마스크를 이용하여 상기 제 1 브릿지(212)를 모두 포함하는 영역을 노광시킨다. 상기 노광 후 현상하는 과정을 통하여 상기 제 1 브릿지(212)를 모두 포함하는 영역에만 절연층(300)을 형성할 수 있다.An area including all of the first bridges 212 is exposed on the substrate 110 on which the insulating material is entirely coated using a mask. The insulating layer 300 may be formed only in a region including all of the first bridges 212 through the development after the exposure.

도 4는 상기 절연물질이 패터닝되어 절연층이 형성된 상태를 도시한 도이다.4 illustrates a state in which an insulating layer is formed by patterning the insulating material.

상기 절연층(300)은 상기 제 1 브릿지(212)(미도시)가 모두 포함되는 영역 및 상기 제 1 센서전극(211) 일부 상에 오버랩(overlap)되어 형성될 수 있다.The insulating layer 300 may be formed by overlapping an area including all of the first bridges 212 (not shown) and a portion of the first sensor electrode 211.

도 5는 상기 절연층(300) 상에 제 2 브릿지(222)를 형성하는 단계를 도시한 도이다.FIG. 5 illustrates a step of forming a second bridge 222 on the insulating layer 300.

상기 절연층(300) 상에 제 2 브릿지(222)를 형성하는 방법은 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 방식을 이용할 수 있다.The method of forming the second bridge 222 on the insulating layer 300 may use an evaporation method or a sputtering method.

상기 증착(evaporation)은 진공챔버 내에서 증발재료(evaporant)를 밑에 두고 이를 가열해 상부에 배치된 기판에 증발재료를 증착하는 방식으로 증착 방향에 따라 크게 상향식 증착 및 하향식 증착으로 나눌 수 있다.The evaporation may be divided into a bottom-up deposition and a top-down deposition method according to the deposition direction by depositing an evaporant material under the evaporant in a vacuum chamber and depositing the evaporation material on a substrate disposed thereon.

상기 스퍼터링(sputtering)이라 함은, 스퍼터 증착(Sputtering Deposition), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD), 플라즈마 증착(Plasma Deposition) 등의 다양한 증착 기법으로 해석될 수 있다.The sputtering may be interpreted as various deposition techniques such as sputtering deposition, chemical vapor deposition (CVD), and plasma deposition.

FMM(Fine Metal Mask)를 이용한 증착 또는 스퍼터링 방식은 진공챔버 안에서 박막의 금속 Mask를 기판에 배치한 후 증발 재료를 가열하여 증발시킴으로서 원하는 영역에만 증착할 수 있도록 하는 방식이다. 이러한 FMM 증착방식은 주로 저분자 재료의 증착에 사용될 수 있으며, 20μm 범위 내의 정밀도를 가질 수 있다. The deposition or sputtering method using a FMM (Fine Metal Mask) is a method in which a metal mask of a thin film is placed on a substrate in a vacuum chamber, and then vaporized by heating an evaporation material so that it can be deposited only in a desired area. This FMM deposition method can be mainly used for the deposition of low molecular materials, and may have a precision within the range of 20μm.

도 5를 참조하면, 절연층(300)이 형성된 기판(110)을 반전(flipflop)시켜 진공챔버(500) 내에 배치시킨 후, 상기 기판(110) 상에 Fine Metal Mask(600)를 배치시킨 상태에서 상기 제 2 브릿지(222) 형성용 물질을 증착 또는 스퍼터링 할 수 있다.Referring to FIG. 5, after the substrate 110 on which the insulating layer 300 is formed is flipped and disposed in the vacuum chamber 500, the fine metal mask 600 is disposed on the substrate 110. The material for forming the second bridge 222 may be deposited or sputtered at.

상기 Fine Metal Mask(600)은 원하는 영역을 제외한 부분에 제 2 브릿지(222)가 형성되는 것을 방지하기 위한 마스크(610) 영역 및 증착이 이루어지는 개구부(620) 영역을 포함할 수 있다.The fine metal mask 600 may include a mask 610 region for preventing the second bridge 222 from being formed in a portion other than a desired region and an opening 620 region in which deposition is performed.

상기 제 2 브릿지(222)는 상기 제 2 브릿지(222)가 상기 제 1 센서전극(211)과 도전되는 것을 방지하기 위하여 상기 절연층(300)의 폭보다 작은 폭을 가져야 하며, 상기 제 2 센서전극(221)과는 도전되어야 하므로 상기 절연층(300)의 길이보다 길어야 한다.The second bridge 222 should have a width smaller than the width of the insulating layer 300 in order to prevent the second bridge 222 from conducting with the first sensor electrode 211, and the second sensor Since the electrode 221 is to be electrically conductive, it must be longer than the length of the insulating layer 300.

따라서 상기 도 5에서 사용되는 Fine Metal Mask의 개구부(610)의 폭은 상기 절연층(300)의 폭보다 작은 폭을 가져야 하며, 상기 개구부(610)의 길이는 상기 절연층(300)의 길이보다 길어야 한다.Therefore, the width of the opening 610 of the fine metal mask used in FIG. 5 should have a width smaller than the width of the insulating layer 300, and the length of the opening 610 is greater than the length of the insulating layer 300. It should be long.

상기 Fine Metal Mask의 두께는 10μm 이상 100μm 이하의 범위 값을 가질 수 있다.The thickness of the fine metal mask may have a range value of 10 μm or more and 100 μm or less.

상기 Fine Metal Mask와 상기 기판(110) 사이의 거리는 0.1mm 이상 1.0mm 이하의 범위 값을 가질 수 있다.The distance between the fine metal mask and the substrate 110 may have a range value of 0.1 mm or more and 1.0 mm or less.

또한, 상기 제 2 브릿지(222) 형성용 물질을 증발재료(evaporant)로 사용할 수 있는데, 이러한 증발재료로는 금속 또는 도전성을 갖는 투명재료가 될 수 있다. 상기 금속으로 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 니켈(Ni) 등을 사용할 수 있으며, 상기 도전성을 갖는 투명 재료로서 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)을 사용할 수 있다. 이러한 투명 전도성 산화물(TCO)로는 ITO, IZO, AZO, ZnO 등을 사용할 수 있다.In addition, the material for forming the second bridge 222 may be used as an evaporant, and the evaporation material may be a metal or a transparent material having conductivity. Silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), zinc (Zn), nickel (Ni), etc. may be used as the metal, and as the transparent material having the above conductivity Transparent conductive oxide (TCO) may be used. As the transparent conductive oxide (TCO), ITO, IZO, AZO, ZnO, or the like may be used.

도 6은 상기 제 2 브릿지(222) 상에 저굴절층(410)을 형성하는 단계를 도시한 도이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a step of forming a low refractive layer 410 on the second bridge 222.

도 6을 참조하면, 진공챔버(500) 내에 상기 제 2 브릿지(222)가 형성된 기판 및 상기 기판 상에 상기 Fine Metal Mask(600)를 배치시킨 상태에서 증발재료(evaporant) 물질만을 저굴절층(410) 형성용 물질로 교체하여 증착 또는 스퍼터링 방법을 이용하여 상기 저굴절층(410)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6, in the vacuum chamber 500, the substrate having the second bridge 222 and the fine metal mask 600 disposed on the substrate may include only an evaporant material. The low refractive index layer 410 may be formed using a deposition or sputtering method by replacing the forming material.

상기 저굴절층(410) 형성용 물질은 MgF2(n=1.38), NaF(n=1.33), SiO2(n=1.46) 및 CaF2(n=1.44) 중 어느 하나가 선택적으로 사용될 수 있다. 이외에도 굴절률 1.3 이상 1.5 이하의 범위 내 값을 가지는 재료가 사용될 수 있다.As the material for forming the low refractive layer 410, any one of MgF 2 (n = 1.38), NaF (n = 1.33), SiO 2 (n = 1.46), and CaF 2 (n = 1.44) may be selectively used. . In addition, a material having a value within the range of the refractive index 1.3 or more and 1.5 or less may be used.

도 7은 상기 저굴절층(410) 상에 고굴절층(420)을 형성하는 단계를 도시한 도이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a step of forming a high refractive layer 420 on the low refractive layer 410.

도 7을 참조하면, 진공챔버(500) 내에 상기 저굴절층(410)이 형성된 기판(110) 및 상기 기판(110) 상에 상기 Fine Metal Mask(600)를 배치시킨 상태에서 증발재료(evaporant) 물질만을 고굴절층(420) 형성용 물질로 교체하여 증착 또는 스퍼터링 방법을 이용하여 상기 고굴절층(410)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7, the substrate 110 having the low refractive index layer 410 formed in the vacuum chamber 500 and the fine metal mask 600 disposed on the substrate 110 may be evaporated. The high refractive index layer 410 may be formed using a deposition or sputtering method by replacing only a material with a material for forming the high refractive index layer 420.

상기 고굴절층(420) 형성용 물질은 CeF3(n=1.65), Al2O3(n=1.76), ZrO2(n=2.10), TiO2(n=2.50) 및 Nb2OX(n=2.3) 중 어느 하나가 선택적으로 사용될 수 있다. 이외에도 굴절률 1.6 이상 2.5 이하의 범위 내 값을 가지는 재료가 사용될 수 있다.The material for forming the high refractive layer 420 is CeF 3 (n = 1.65), Al 2 O 3 (n = 1.76), ZrO 2 (n = 2.10), TiO 2 (n = 2.50) and Nb 2 O X (n = 2.3) can be optionally used. In addition, a material having a value in the range of refractive index 1.6 or more and 2.5 or less may be used.

상기 도 7 내지 도 8에 개시된 저굴절층(410) 및 고굴절층(420) 형성은 2회 이상 5회 이하의 횟수로 반복되어 실시될 수 있다.The formation of the low refractive layer 410 and the high refractive layer 420 disclosed in FIGS. 7 to 8 may be repeated two or more times and five times or less.

상기와 같이 동일한 Fine Metal Mask(600)를 사용하고 증발재료만 교체하여 상기 제 2 브릿지(222), 저굴절층(410) 및 고굴절층(420)을 형성할 수 있다.As described above, the second bridge 222, the low refractive layer 410, and the high refractive layer 420 may be formed by using the same fine metal mask 600 and replacing only the evaporation material.

이상에서 설명된 센서 패널의 제조방법은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.The manufacturing method of the sensor panel described above is merely exemplary, and the protection scope of the present invention may include various modifications and equivalents from those skilled in the art.

100 : 센서 패널 110 : 기판
211 : 제 1 센서전극 212 : 제 1 브릿지
221 : 제 2 센서전극 222 : 제 2 브릿지
300 : 절연층 400 : 반사방지층
410 : 저굴절 재료층 420 : 고굴절 재료층100: sensor panel 110: substrate
211: first sensor electrode 212: first bridge
221: second sensor electrode 222: second bridge
300: insulating layer 400: antireflection layer
410: low refractive material layer 420: high refractive material layer

Claims (9)

기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 패터닝하는 단계;
상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 제 2 브릿지를 형성하는 단계; 및
상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조 방법.Patterning a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a substrate;
Forming an insulating layer on the first bridge;
Forming a second bridge on the insulating layer; And
And forming an anti-reflection layer on the second bridge. 제 1 항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는,
상기 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극이 패터닝된 기판 상에 절연물질을 전면 도포하는 단계; 및
상기 절연층을 식각하여 상기 제 1 브릿지 상에 절연층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조 방법.The method of claim 1, wherein the forming of the insulating layer,
Applying an insulating material on the substrate on which the first sensor electrode, the first bridge, and the second sensor electrode are patterned; And
And etching the insulating layer to form an insulating layer pattern on the first bridge. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계는,
상기 절연층이 형성된 기판의 전면에 제 2 브릿지 형성용 물질을 전면 도포하는 단계; 및
상기 제 2 브릿지 형성용 물질을 식각하여 제 2 브릿지를 형성하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조방법.The method of claim 1, wherein the forming of the second bridge comprises:
Applying a second bridge forming material on the entire surface of the substrate on which the insulating layer is formed; And
And etching the material for forming the second bridge to form a second bridge. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계는,
상기 절연층이 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계; 및
제 2 브릿지 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering)하여 상기 절연층 상에 제 2 브릿지를 형성하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조방법.The method of claim 1, wherein the forming of the second bridge comprises:
Disposing a fine metal mask (FMM) on the substrate on which the insulating layer is formed; And
And evaporating or sputtering a material for forming a second bridge to form a second bridge on the insulating layer. 제 1 항에 있어서, 상기 반사방지층을 형성하는 단계는,
상기 제 2 브릿지가 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계; 및
상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성하기 위하여 반사방지층 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering)하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조방법.The method of claim 1, wherein the forming of the antireflective layer comprises:
Disposing a fine metal mask (FMM) on the substrate on which the second bridge is formed; And
And evaporating or sputtering a material for forming an anti-reflection layer to form an anti-reflection layer on the second bridge. 제 5 항에 있어서, 상기 반사방지층을 형성하는 단계는,
저굴절층 형성용 물질을 이용하여 저굴절층을 형성하는 단계; 및
고굴절층 형성용 물질을 이용하여 고굴절층을 형성하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조방법.The method of claim 5, wherein the forming of the anti-reflection layer is performed by:
Forming a low refractive layer by using a material for forming a low refractive layer; And
Forming a high refractive layer by using a material for forming a high refractive index layer; sensor panel manufacturing method comprising a. 제 6 항에 있어서, 상기 저굴절층을 형성하는 단계 및 고굴절층을 형성하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시하는 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조방법.The method of claim 6, wherein the forming of the low refractive layer and the forming of the high refractive layer are performed twice to five times, respectively. 제 6 항에 있어서, 상기 저굴절층 형성용 물질은 MgF2, NaF 및 CaF2 중 어느 하나를 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조방법.The method of claim 6, wherein the material for forming the low refractive index layer is MgF 2 , NaF and CaF 2 Sensor panel manufacturing method, characterized in that the material containing any one. 제 6 항에 있어서, 상기 고굴절층 형성용 물질은 CeF3, Al2O3, ZrO2 , TiO2 및 Nb2Ox 중 어느 하나를 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조방법.The method of claim 6, wherein the material for forming the high refractive index layer is CeF 3 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 And Nb 2 O x The sensor panel manufacturing method characterized in that the material comprising any one.
KR1020120084025A 2012-07-31 2012-07-31 Manufacturing method of sensor panel with anti-reflection layer KR20140017276A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120084025A KR20140017276A (en) 2012-07-31 2012-07-31 Manufacturing method of sensor panel with anti-reflection layer
PCT/KR2013/006886 WO2014021629A1 (en) 2012-07-31 2013-07-31 Sensor panel having anti-reflection layer, and method for manufacturing same
JP2015525353A JP2015529899A (en) 2012-07-31 2013-07-31 Sensor panel including antireflection layer and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120084025A KR20140017276A (en) 2012-07-31 2012-07-31 Manufacturing method of sensor panel with anti-reflection layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140017276A true KR20140017276A (en) 2014-02-11

Family

ID=50265959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120084025A KR20140017276A (en) 2012-07-31 2012-07-31 Manufacturing method of sensor panel with anti-reflection layer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140017276A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI509477B (en) Touch panel and method for manufacturing the same
US9164631B2 (en) Capacitive touch panel having a plurality of sensing units connected by bridge wires
JP2015529899A (en) Sensor panel including antireflection layer and method of manufacturing the same
JP6377735B2 (en) Method for producing transparent body for touch panel and system for producing transparent body for touch screen panel
CN104281303B (en) A kind of display device, touch screen and its manufacturing method
JP4349794B2 (en) Method for producing conductive transparent substrate with multilayer antireflection film
JP6292225B2 (en) Transparent conductor
KR101676546B1 (en) Touch panel sensor
US20160179234A1 (en) Touch sensor for touch screen panel, manufacturing method thereof, and touch screen panel including same
TWI556146B (en) Display touch device
JPWO2014171149A1 (en) Transparent conductor and method for producing the same
JP6344095B2 (en) Transparent conductor and touch panel
WO2015194320A1 (en) Transparent conductor and touchscreen
JP6206262B2 (en) Transparent conductor, method for producing the same, and conductive paste
TWI640435B (en) Refractive index matching film and ito conductive film
KR101205006B1 (en) Transparent and conductive substrate and manufacturing method thereof
KR20140017276A (en) Manufacturing method of sensor panel with anti-reflection layer
JP4245339B2 (en) Method for producing conductive transparent substrate with multilayer film
CN103914164A (en) Touch panel
KR101205005B1 (en) Transparent and conductive substrate and manufacturing method thereof
JP2016177940A (en) Method for producing transparent conductive body
KR101521329B1 (en) Sensor panel with anti-reflection layer
KR102325408B1 (en) Manufacturing Method of Cover for Touch Screen Panel and Touch Sensor for Touch Screen Panel
KR102174137B1 (en) Method for manufacturing Touch Screen Pannel and Touch Screen Pannel
WO2015151677A1 (en) Transparent conductive member and method for producing transparent conductive member

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application