KR20140013344A - A apparatus for heating substrates in high vacuum chamber, apparatus for aligning substrates having the same and heating apparatus using fir - Google Patents

A apparatus for heating substrates in high vacuum chamber, apparatus for aligning substrates having the same and heating apparatus using fir Download PDF

Info

Publication number
KR20140013344A
KR20140013344A KR1020120080040A KR20120080040A KR20140013344A KR 20140013344 A KR20140013344 A KR 20140013344A KR 1020120080040 A KR1020120080040 A KR 1020120080040A KR 20120080040 A KR20120080040 A KR 20120080040A KR 20140013344 A KR20140013344 A KR 20140013344A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heating
far
plate heater
far infrared
Prior art date
Application number
KR1020120080040A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101416588B1 (en
Inventor
성기현
Original Assignee
주식회사 선익시스템
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 선익시스템 filed Critical 주식회사 선익시스템
Priority to KR1020120080040A priority Critical patent/KR101416588B1/en
Publication of KR20140013344A publication Critical patent/KR20140013344A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101416588B1 publication Critical patent/KR101416588B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention relates to a substrate heating apparatus in a high vacuum chamber, a substrate aligning apparatus including the same and a heating apparatus using a far infrared ray, which can assure thermal uniformity by a heater pattern easily and can perform high temperature heating as having a simple structure of the whole apparatus, by heating a substrate uniformly using a far infrared ray plate heater radiating far infrared ray radiation with high efficiency in a chamber of high vacuum atmosphere. A substrate heating apparatus of the present invention includes: a chamber for forming a closed space of high vacuum atmosphere; a far infrared ray plate heater for heating a substrate installed in the chamber using far infrared rays; the substrate touching the bottom of the far infrared ray plate heater; a mask touching the bottom of the substrate in order to form a desired pattern on the substrate; and a heating line for supplying power to the far infrared ray plate heater.

Description

고진공 챔버 내에서의 기판 가열장치, 이를 포함한 기판 얼라인 장치 및 원적외선을 이용한 가열장치{A Apparatus for Heating Substrates in High Vacuum Chamber, Apparatus for Aligning Substrates Having the Same and Heating Apparatus Using FIR}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate heating apparatus in a high vacuum chamber, a substrate aligning apparatus including the substrate heating apparatus, and a heating apparatus using Far Infrared (HVAC)

본 발명은 고진공 챔버 내에서의 기판 가열장치, 이를 포함한 기판 얼라인 장치 및 원적외선을 이용한 가열장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고진공 분위기의 챔버 내에서 높은 효율의 원적외선 복사열을 내는 원적외선 플레이트 히터를 사용하여 기판을 균일하게 가열함으로써, 히터 패턴에 의한 열균일도 확보가 용이하고, 고온의 가열이 가능하며, 전체 장치의 구조가 간단한 고진공 챔버 내에서의 기판 가열장치, 이를 포함한 기판 얼라인 장치 및 원적외선을 이용한 가열장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate heating apparatus in a high vacuum chamber, a substrate aligning apparatus including the substrate heating apparatus, and a heating apparatus using far infrared rays. More particularly, the present invention relates to a far infrared ray plate heater A substrate heating apparatus in a high vacuum chamber which can easily heat uniformly by heating the substrate, can be heated at a high temperature and has a simple structure of the entire apparatus, a substrate aligning apparatus including the substrate heating apparatus and a far- And more particularly to a heating apparatus using the same.

최근 정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. 이러한 평판표시소자로는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다.2. Description of the Related Art In recent years, with the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, flat panel displays have been attracting attention as display devices. Examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED).

그 중에서 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.Among these organic electroluminescent devices, organic electroluminescent devices have very good advantages such as high response speed, lower power consumption than conventional liquid crystal display devices, light weight, no need for a separate backlight device, And has been gaining popularity as a next generation display device.

일반적으로 유기발광소자(이하, 'OLED'라 함)를 제조하는 공정 중 증착공정은 고진공 분위기의 챔버 내에서 기판의 온도를 올려서 증착함으로 진행된다. In general, in the process of manufacturing an organic light emitting device (hereinafter referred to as 'OLED'), a deposition process is performed by raising the temperature of a substrate in a chamber of a high vacuum atmosphere.

종래에는 고진공 상태에서 유리기판을 가열하기 위해서 저항가열방식 혹은 가열된 유체순환방식을 사용하였다. Conventionally, a resistance heating method or a heated fluid circulation method is used to heat a glass substrate in a high vacuum state.

도 1은 종래의 유체순환방식의 기판 가열장치를 도시한 것으로. 히팅 라인(21)(22)이 형성된 히팅블럭(20)과, 상기 히팅블럭(20)의 저면에 결합되는 기판(10)과, 기판(10)의 저면에 결합되는 마스크(12)와, 기판(10)과 마스크(12)를 고정시키기 위한 하우징(14)을 포함한다. FIG. 1 shows a conventional substrate circulating type substrate heating apparatus. A heating block 20 formed with heating lines 21 and 22, a substrate 10 coupled to a bottom surface of the heating block 20, a mask 12 coupled to a bottom surface of the substrate 10, (10) and a housing (14) for fixing the mask (12).

이와 같은 종래의 유체순환방식의 기판 가열장치는 상기 기판(10)과 히팅블럭(20)의 사이에 가스를 주입하여 온도를 균일하게 맞춰주는데, 상기 가스의 누출을 방지하기 위하여, 상기 기판(10)과 히팅블럭(20) 사이에는 오링(30)을 설치한다. In the conventional substrate heating apparatus of the fluid circulation type, gas is injected between the substrate 10 and the heating block 20 to uniformly adjust the temperature. In order to prevent leakage of the gas, the substrate 10 ) And the heating block (20).

상기 오링(30)은 상기 히팅블럭(20)의 하면에 구비되는데, 종래의 기술에서는 고온의 고진공 상태에서 오링(30)의 관리가 잘 되지않아 상기 오링(30)이 빠지는 현상이 발생하였다. The O-ring 30 is provided on the bottom surface of the heating block 20. However, in the conventional technology, the O-ring 30 is not well managed in a high-temperature high-vacuum state,

이에 따라, 기판의 온도를 균일하게 맞추기 위해 주입되는 가스가 누출되면, 챔버 내의 고진공 상태의 분위기가 깨지므로, 심각한 문제가 발생하는 것이었다. Accordingly, when the injected gas leaks to uniformly adjust the temperature of the substrate, the atmosphere in the high vacuum state in the chamber is broken, and serious problems have arisen.

또한, 상기 기판(10)을 가열하는 방식이 고전공 상태에서 낮은 효율의 대류열을 사용하는 것이었으므로, 열전달의 효율이 낮은 단점도 있었다. In addition, since the method of heating the substrate 10 uses convection heat of low efficiency in a state of high porosity, there is a disadvantage in that heat transfer efficiency is low.

또한, 열균일도 확보를 위해 기판(10)과 히팅블럭(20)의 접합면 사이에 가스를 사용하므로, 가스가 유입되거나 유출되는 가스 라인(23)이 히팅라인(21)(22)가 별도로 구비되어야 하는 등 그 구조가 복잡한 문제점이 있었다. Since the gas is used between the joining surfaces of the substrate 10 and the heating block 20 in order to secure thermal uniformity, the gas lines 23 into which the gas flows or flows out are separately provided with the heating lines 21 and 22 There is a problem that the structure is complicated.

또한, 쉐도우를 방지하기 위해 마스크(12)의 사용 시 구조의 복잡함으로 인해 자석의 설치가 어려운 단점이 있었다. Further, in order to prevent shadows, it is difficult to mount the magnets due to the complicated structure of the mask 12 when using the mask 12.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 유체순환방식이 아닌 원적외선을 방출하는 플레이트 히터를 이용하여 기판을 가열함으로써, 고진공 상태에서 높은 효율의 원적외선 복사열을 사용하여 기판을 가열할 수 있는 기판 가열장치를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of heating a substrate using a plate heater for emitting far infrared rays, The present invention has been made in view of the above problems.

또한, 플레이트 히터의 히터 패턴에 의한 열균일도를 확보하기 용이한 기판 가열장치 및 이를 포함한 기판 얼라인 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. It is another object of the present invention to provide a substrate heating apparatus which can easily ensure thermal uniformity by a heater pattern of a plate heater and a substrate aligning apparatus including the same.

또한, 기판을 가열하기 위한 구조가 간단하고, 고온으로 기판을 가열할 수 있는 기판 가열장치 및 이를 포함한 기판 얼라인 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide a substrate heating apparatus capable of heating a substrate at a high temperature with a simple structure for heating the substrate and a substrate aligning apparatus including the same.

또한, 고진공 상태에서 가열이 필요한 증발원과 챔버를 원적외선 방식으로 가열할 수 있는 가열장치를 제공하는데 그 목적이 있다. It is also an object of the present invention to provide a heating device capable of heating an evaporation source and a chamber, which require heating in a high vacuum state, in a far-infrared method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 고진공 분위기의 밀폐공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되는 기판을 원적외선을 이용하여 가열하기 위한 원적외선 플레이트 히터와, 상기 원적외선 플레이트 히터의 저면에 접촉되는 기판과, 상기 기판 상에 원하는 패턴을 형성하도록 기판의 저면에 접촉되는 마스크와, 상기 원적외선 플레이트 히터에 전원을 공급하기 위한 히팅 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치가 제공된다.In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a plasma display apparatus comprising: a chamber forming a closed space of a high vacuum atmosphere; a far infrared ray plate heater for heating a substrate provided in the chamber using far infrared rays; And a heating line for supplying power to the far-infrared ray plate heater. The substrate heating apparatus includes: a substrate;

본 발명에 있어서, 상기 마스크에 기판을 접촉시킬 수 있도록 상하로 이동하면서 상기 기판에 압력을 가하는 마그네트 플레이트와, 상기 기판과 마스크 및 마그네트 플레이트를 각각 상하로 이동하거나 회전할 수 있도록 동력을 전달하는 중공형 샤프트가 더 포함되며, 상기 히팅 라인은 상기 중공형 샤프트의 내부에 삽입되어 상기 원적외선 플레이트 히터에 연결될 수 있다. In the present invention, a magnet plate for applying pressure to the substrate while being moved up and down so as to contact the substrate with the mask, a hollow plate for transmitting power to move the substrate, the mask and the magnet plate up and down, Shaped shaft, and the heating line may be inserted into the hollow shaft and connected to the far infrared ray plate heater.

상기 히팅 라인에 전원공급을 하기 위한 슬립 링이 설치될 수 있다. And a slip ring for supplying power to the heating line may be installed.

상기 슬립 링은 상기 중공형 샤프트의 상단에 설치될 수 있다. The slip ring may be installed at the upper end of the hollow shaft.

한편, 상기 원적외선 플레이트 히터는 상기 기판에 열을 공급해주는 발열체와, 상기 발열체에서 상기 기판으로 복사되는 복사열의 효율을 높여주기 위해 상기 원적외선 플레이트 히터의 하부면에 형성되는 지지층과, 상기 원적외선 플레이트 히터에 전력을 공급하는 배선부와, 상기 배선부에서 공급되는 전력을 상기 지지층 쪽으로 흐르지 못하도록 상기 발열체 및 상기 배선부와 상기 지지층 사이에 구성된 절연층과, 상기 배선부와 상기 발열체의 파손방지 및 절연을 하기 위해 상기 발열체와 상기 배선부를 도포하여 보호하는 보호층으로 구성될 수 있다. The far infrared ray plate heater includes a heating element for supplying heat to the substrate, a supporting layer formed on a lower surface of the far infrared ray plate heater to increase efficiency of radiant heat radiated from the heating element to the substrate, An insulating layer formed between the heating element and the wiring portion and the supporting layer so as not to allow the electric power supplied from the wiring portion to flow to the supporting layer; and a protection layer for preventing and insulating the wiring portion and the heating element from damage And a protection layer for protecting the heating element and the wiring portion to protect the heating element.

여기서, 상기 지지층은 금속, 석영 또는 유리 중 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있으며, 그 중에서도 스테인레스 스틸 재질로 이루어질 수 있다. Here, the support layer may be made of any one of metal, quartz, and glass, and may be made of stainless steel.

또한, 상기 보호층은 세라믹 계열로 형성할 수 있다. The protective layer may be formed of a ceramic material.

여기서, 상기 발열체는 히터의 가열 시 원적외선만 통과시켜 원적외선을 방출하는 원적외선 방사재가 코팅된다. Here, the heating element is coated with a far-infrared ray emitting material that emits far-infrared rays through only the far-infrared ray when heating the heater.

한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판 얼라인 장치는 상기 마스크에 기판을 접촉시킬 수 있도록 상하로 이동하면서 상기 기판에 압력을 가하는 마그네트 플레이트와, 상기 기판과 마스크 및 마그네트 플레이트를 각각 상하로 이동하거나 회전할 수 있도록 동력을 전달하는 중공형 샤프트와, 상기 기판을 원적외선을 이용하여 가열하기 위한 원적외선 플레이트 히터와, 상기 중공형 샤프트의 내부에 삽입되어 상기 원적외선 플레이트 히터에 전원을 공급하기 위한 히팅 라인과, 상기 히팅 라인에 전원공급을 하기 위한 슬립 링을 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate aligning apparatus comprising: a magnet plate for applying pressure to a substrate while being moved up and down to contact the substrate with the mask; A hollow shaft for transferring power to move up or down or rotate, a far infrared ray plate heater for heating the substrate using far infrared rays, and a power supply for supplying power to the far infrared ray plate heater inserted into the hollow shaft And a slip ring for supplying power to the heating line.

한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 고진공 분위기의 밀폐공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버 내의 기판 상에 증착하기 위한 원료물질을 저장하는 증발원과, 원적외선을 이용하여 상기 챔버 또는 증발원을 가열하기 위한 원적외선 플레이트 히터와, 상기 원적외선 플레이트 히터에 전원을 공급하기 위한 히팅 라인을 포함하는 원적외선을 이용한 가열장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus including a chamber for forming a closed space of a high vacuum atmosphere, an evaporation source for storing a raw material for deposition on a substrate in the chamber, A far infrared ray plate heater for heating the far infrared ray plate heater, and a heating line for supplying power to the far infrared ray plate heater.

여기서, 상기 원적외선 플레이트 히터는 상기 챔버 또는 증발원에 열을 공급해주는 발열체와, 상기 발열체에서 복사되는 복사열의 효율을 높여주기 위해 상기 원적외선 플레이트 히터의 하부면에 형성되는 지지층과, 상기 원적외선 플레이트 히터에 전력을 공급하는 배선부와, 상기 배선부에서 공급되는 전력을 상기 지지층 쪽으로 흐르지 못하도록 상기 발열체 및 상기 배선부와 상기 지지층 사이에 구성된 절연층과, 상기 배선부와 상기 발열체의 파손방지 및 절연을 하기 위해 상기 발열체와 상기 배선부를 도포하여 보호하는 보호층으로 구성될 수 있다. The far infrared ray plate heater includes a heating element for supplying heat to the chamber or the evaporation source, a supporting layer formed on a lower surface of the far infrared ray plate heater to increase efficiency of radiant heat radiated from the heating element, An insulating layer formed between the heating element and the wiring portion and the supporting layer so as not to allow the electric power supplied from the wiring portion to flow to the supporting layer, and a protection layer for preventing and insulating the wiring portion and the heating element from damage And a protective layer that protects the heating element and the wiring portion by coating.

이상에서 본 바와 같은 본 발명에 의하면, 유체순환방식이 아닌 원적외선을 방출하는 플레이트 히터를 이용하여 기판을 가열함으로써, 고진공 상태에서 높은 효율의 원적외선 복사열을 사용하여 기판을 가열할 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, a substrate can be heated by using a far infrared ray radiation heat of high efficiency in a high vacuum state by heating a substrate using a plate heater that emits far infrared rays instead of a fluid circulation method.

또한, 플레이트 히터의 히터 패턴에 의한 열균일도를 확보하기 용이하고, 구조가 간단하고, 고온으로 기판을 가열할 수 있는 효과가 있다.In addition, it is easy to ensure thermal uniformity by the heater pattern of the plate heater, the structure is simple, and the substrate can be heated at a high temperature.

또한, 원적외선 가열방식을 이용하여 기판뿐 아니라 고진공 상태에서 가열이 필요한 증발원 또는 챔버에 응용하여 고효율의 가열장치를 제공할 수 있다. In addition, it is possible to provide a highly efficient heating apparatus by applying the present invention to an evaporation source or a chamber requiring heating in a high vacuum state as well as a substrate using a far infrared ray heating method.

도 1은 종래의 유체순환방식의 기판 가열장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 기판 가열장치를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 가열장치의 전체 구성을 도시한 것으로서, 기판 얼라인 장치에 설치된 구성을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 원적외선 히터의 구성을 보이기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명에 적용되는 슬립 링을 도시한 사시도이다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional substrate circulating type substrate heating apparatus.
2 is a cross-sectional view showing the substrate heating apparatus of the present invention.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing the entire structure of the substrate heating apparatus of the present invention, showing the structure provided in the substrate aligning apparatus.
4 is a sectional view showing a configuration of a far infrared ray heater according to the present invention.
5 is a perspective view showing a slip ring applied to the present invention.

이하에서는 상기한 바와 같은 본 발명에 따른 고진공 챔버 내에서의 기판 가열장치, 이를 포함한 기판 얼라인 장치 및 원적외선을 이용한 가열장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of a substrate heating apparatus, a substrate aligning apparatus including the substrate heating apparatus, and a heating apparatus using far-infrared rays in the high vacuum chamber according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 기판 가열장치를 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명의 기판 가열장치의 전체 구성을 도시한 것으로서, 기판 얼라인 장치에 설치된 구성을 도시한 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the substrate heating apparatus of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing the entire structure of the substrate heating apparatus of the present invention, showing the structure provided in the substrate aligning apparatus.

본 발명의 기판 가열장치는 OLED를 증착하는 고진공의 챔버(도시안함) 내에서 유체순환방식이 아닌 원적외선을 방출하는 원적외선 플레이트 히터(100)를 이용하여 기판(10)을 가열하는 구성을 갖는다. The substrate heating apparatus of the present invention has a configuration for heating the substrate 10 by using a far infrared ray plate heater 100 which emits far infrared rays in a high vacuum chamber (not shown) for depositing an OLED instead of a fluid circulation system.

이와 같은 본 발명의 기판 가열장치는 기판과 마스크의 미세정렬을 위한 얼라인 장치 또는 박막 증착장치 등에 적용될 수 있으며, 고진공 챔버 내에서 기판을 가열하는 모든 분야에 적용이 가능하다. The substrate heating apparatus of the present invention can be applied to an alignment apparatus or a thin film deposition apparatus for fine alignment of a substrate and a mask, and can be applied to all fields for heating a substrate in a high vacuum chamber.

본 발명은 그 일실시예로서, 기판 얼라인 장치에 설치된 기판 가열장치를 예로 들어 설명한다. As one embodiment of the present invention, a substrate heating apparatus provided in a substrate aligning apparatus will be described as an example.

구체적으로, 본 발명의 기판 가열장치는 고진공 분위기의 밀폐공간을 형성하는 챔버(도시안함) 내에 설치되는 기판(10)을 원적외선을 이용하여 가열하기 위한 원적외선 플레이트 히터(100)와, 상기 원적외선 플레이트 히터(100)에 전원을 공급하기 위한 히팅 라인(110)을 포함한다. More specifically, the substrate heating apparatus of the present invention includes a far infrared ray plate heater 100 for heating a substrate 10 provided in a chamber (not shown) forming a closed space of a high vacuum atmosphere using far infrared rays, And a heating line 110 for supplying power to the battery 100.

상기 기판(10)은 상기 원적외선 플레이트 히터(100)의 저면에 접촉가능하게 설치되는 것으로, 상기 기판(10)의 저면에는 기판(10) 상에 원하는 패턴을 형성하도록 마스크가 접촉가능하게 설치되고, 상기 마스크에 기판(10)을 접촉시키기 위해 상하로 이동하면서 상기 기판(10)에 압력을 가하는 마그네트 플레이트(130)가 포함된다. The substrate 10 is installed so as to be able to contact the bottom surface of the far infrared ray plate heater 100. A mask is provided on the bottom surface of the substrate 10 so as to form a desired pattern on the substrate 10, And a magnet plate 130 for applying pressure to the substrate 10 while moving up and down to bring the substrate 10 into contact with the mask.

상기 기판(10)과 마스크 및 마그네트 플레이트(130)의 설치구조 및 작동방법은 공지의 기술이 적용될 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다. Since a known technique can be applied to the mounting structure and operation method of the substrate 10, the mask and the magnet plate 130, a detailed description thereof will be omitted.

본 발명에서, 상기 기판(10)과 마스크 및 마그네트 플레이트(130)를 각각 상하로 이동하거나 회전할 수 있도록 동력을 전달하는 샤프트(120)는 내부가 상하방향으로 뚫려있는 중공형 형상으로서, 상기 중공형 샤프트(120)의 내부에는 상기 히팅 라인(110)이 삽입되어 상기 원적외선 플레이트 히터(100)에 연결됨으로써, 전원을 공급할 수 있다. In the present invention, the shaft 120, which transmits power to vertically move and rotate the substrate 10, the mask and the magnet plate 130 respectively, is a hollow shape having an interior opened in a vertical direction, The heating shaft 110 is inserted into the shaft 120 and connected to the far infrared ray plate heater 100 to supply power.

본 발명에서는 상기 히팅 라인(110)에 전원공급을 하기 위해, 회전체에 전원공급을 할 수 있는 슬립 링(slip ring)(140)이 구비된다. In the present invention, a slip ring 140 for supplying power to the heating line 110 is provided.

상기 슬립 링(140)은 주지하는 바와 같이, 회전하면서도 전원을 전달하여주는 장치로서, 상기 슬립 링(140)은 상기 중공형 샤프트(120)의 상단에 설치될 수 있다. The slip ring 140 may be installed at the upper end of the hollow shaft 120. The slip ring 140 may be provided at the upper end of the hollow shaft 120. [

이와 같은 구조에 의해, 상기 슬립 링(140)에서 상기 히팅 라인(110)을 통해 전원공급이 이루어지어, 상기 샤프트(120)의 회전 시에도 상기 원적외선 플레이트 히터(100)에 전원이 공급될 수 있다. Power is supplied from the slip ring 140 through the heating line 110 to the far infrared ray plate heater 100 even when the shaft 120 rotates .

본 발명의 원적외선 플레이트 히터는 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 기판(10)에 열을 공급해주는 발열체(106)와, 상기 발열체(106)에서 상기 기판(10)으로 복사되는 복사열의 효율을 높여주기 위해 상기 원적외선 플레이트 히터(100)의 하부면에 형성되는 지지층(102)과, 상기 원적외선 플레이트 히터(100)에 전력을 공급하는 배선부(108)와, 상기 배선부(108)에서 공급되는 전력을 상기 지지층(102) 쪽으로 흐르지 못하도록 상기 발열체(106) 및 상기 배선부(108)와 상기 지지층(102) 사이에 구성된 절연층(104)과, 상기 배선부(108)와 상기 발열체(106)의 파손방지 및 절연을 하기 위해 상기 발열체(106)와 상기 배선부(108)를 도포하여 보호하는 보호층(107)으로 구성된다. 4, the far infrared ray plate heater of the present invention includes a heating element 106 for supplying heat to the substrate 10 and a heating element 106 for improving the efficiency of radiant heat radiated from the heating element 106 to the substrate 10 A wiring layer 108 for supplying electric power to the far infrared ray plate heater 100 and a power supply part 108 for supplying electric power to the far infrared ray plate heater 100. The supporting part 102 is formed on the lower surface of the far infrared ray plate heater 100, An insulating layer 104 formed between the heating element 106 and the wiring part 108 and the supporting layer 102 so as not to flow toward the supporting layer 102; And a protective layer 107 for protecting and protecting the heating element 106 and the wiring portion 108 for preventing breakage and insulation.

상기 배선부(108)는 상기 발열체(106)의 양측에 설치되며, 상기 발열체(108)에 전력을 공급하여 가열시킨다. The wiring part 108 is provided on both sides of the heating element 106 and supplies power to the heating element 108 to heat it.

본 발명에서, 상기 지지층(102)은 금속, 석영 또는 유리 중 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있으며, 그 중에서도 스테인레스 스틸 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. In the present invention, the support layer 102 may be made of any one of metal, quartz, and glass, and is preferably made of stainless steel.

또한, 상기 발열체(106)는 히터의 가열 시 원적외선만 통과시켜 원적외선을 방출하는 원적외선 방사재가 코팅되며, 상기 원적외선 방사재로서는 예를 들어, 옥, 황토, 맥반석, 게르마늄, 숯 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The heating element 106 is coated with a far-infrared ray emitting material that emits far-infrared rays through only the far-infrared ray when the heater is heated. Examples of the far-infrared ray emitting material include at least one of ox, yellow loess, elvan, germanium, can do.

상기 보호층(107)은 고온에도 안정적인 세라믹 계열로 형성하는 것이 바람직하다. It is preferable that the protective layer 107 is formed in a stable ceramic system even at a high temperature.

이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 기판 가열장치는 원적외선을 통해 기판을 가열함으로써, 고진공 상태에서 높은 효율의 원적외선 복사열을 사용하여 기판(10)을 가열할 수 있으므로, 상기 기판(10)을 고온으로 가열할 수 있다. Since the substrate heating apparatus of the present invention having such a structure can heat the substrate 10 by using far-infrared radiation heat of high efficiency in a high vacuum state by heating the substrate through the far-infrared rays, can do.

또한, 상기 발열체(106)의 패턴 형상을 통해 열균일도 확보가 용이한 효과가 있다. In addition, there is an effect that heat uniformity can be easily ensured through the pattern shape of the heating element 106.

한편, 본 발명에서는 원적외선 가열방식을 이용하여 상술한 기판뿐 아니라 고진공 상태에서 가열이 필요한 증발원 또는 챔버의 가열에 응용할 수 있다. Meanwhile, the present invention can be applied not only to the above-described substrate but also to an evaporation source or a chamber requiring heating in a high vacuum state by using a far infrared ray heating method.

즉, 고진공 분위기의 밀폐공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버 내의 기판 상에 증착하기 위한 원료물질을 저장하는 증발원을 포함하는 박막증착장치에서, 상기 챔버 또는 증발원을 가열하기 위한 수단으로서, 원적외선을 이용한 원적외선 플레이트 히터를 설치하고, 상기 원적외선 플레이트 히터에 전원을 공급하기 위한 히팅 라인을 포함하도록 구성할 수 있다. That is, there is provided a thin film deposition apparatus including a chamber for forming a closed space of a high vacuum atmosphere, and an evaporation source for storing a raw material for deposition on the substrate in the chamber, wherein the means for heating the chamber or the evaporation source Infrared plate heater, and a heating line for supplying power to the far-infrared plate heater.

여기서, 상기 원적외선 플레이트 히터는 상기 챔버 또는 증발원에 열을 공급해주는 발열체와, 상기 발열체에서 복사되는 복사열의 효율을 높여주기 위해 상기 원적외선 플레이트 히터의 하부면에 형성되는 지지층과, 상기 원적외선 플레이트 히터에 전력을 공급하는 배선부와, 상기 배선부에서 공급되는 전력을 상기 지지층 쪽으로 흐르지 못하도록 상기 발열체 및 상기 배선부와 상기 지지층 사이에 구성된 절연층과, 상기 배선부와 상기 발열체의 파손방지 및 절연을 하기 위해 상기 발열체와 상기 배선부를 도포하여 보호하는 보호층으로 구성될 수 있다. The far infrared ray plate heater includes a heating element for supplying heat to the chamber or the evaporation source, a supporting layer formed on a lower surface of the far infrared ray plate heater to increase efficiency of radiant heat radiated from the heating element, An insulating layer formed between the heating element and the wiring portion and the supporting layer so as not to allow the electric power supplied from the wiring portion to flow to the supporting layer, and a protection layer for preventing and insulating the wiring portion and the heating element from damage And a protective layer that protects the heating element and the wiring portion by coating.

이와 같은 본 발명에서는 챔버 및 증발원의 가열을 고진공 상태에서 높은 효율의 원적외선 복사열을 사용하여 가열함으로써, 가열을 위한 구조가 간단하면서도 고온으로 가열할 수 있는 장점이 있다. In the present invention, the heating of the chamber and the evaporation source is performed by using a highly-efficient far-infrared radiation heat in a high vacuum state, thereby simplifying the structure for heating and heating it to a high temperature.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiment, but is capable of many modifications and variations within the scope of the appended claims. It is self-evident.

10 : 기판 100 : 원적외선 플레이트 히터
102 : 지지층 104 : 절연층
106 : 발열체 107 : 보호층
108 : 배선부 110 : 히팅 라인
120 : 중공형 샤프트 130 : 마그네트 플레이트
140 : 슬립 링(slip ring)10: substrate 100: far-infrared plate heater
102: support layer 104: insulating layer
106: heating element 107: protective layer
108: wiring part 110: heating line
120: hollow shaft 130: magnet plate
140: slip ring

Claims (14)

고진공 분위기의 밀폐공간을 형성하는 챔버;
상기 챔버 내에 설치되는 기판을 원적외선을 이용하여 가열하기 위한 원적외선 플레이트 히터;
상기 원적외선 플레이트 히터의 저면에 접촉되는 기판;
상기 기판 상에 원하는 패턴을 형성하도록 기판의 저면에 접촉되는 마스크; 및
상기 원적외선 플레이트 히터에 전원을 공급하기 위한 히팅 라인;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.A chamber forming a closed space of a high vacuum atmosphere;
A far infrared ray plate heater for heating the substrate installed in the chamber using far-infrared rays;
A substrate contacting the bottom surface of the far infrared ray plate heater;
A mask contacting the bottom surface of the substrate to form a desired pattern on the substrate; And
A heating line for supplying power to the far infrared plate heater;
Substrate heating apparatus comprising a. 청구항 1에 있어서,
상기 마스크에 기판을 접촉시킬 수 있도록 상하로 이동하면서 상기 기판에 압력을 가하는 마그네트 플레이트와,
상기 기판과 마스크 및 마그네트 플레이트를 각각 상하로 이동하거나 회전할 수 있도록 동력을 전달하는 중공형 샤프트가 더 포함되며,
상기 히팅 라인은 상기 중공형 샤프트의 내부에 삽입되어 상기 원적외선 플레이트 히터에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.The method according to claim 1,
A magnet plate applying pressure to the substrate while moving up and down to contact the substrate with the mask;
Further comprising a hollow shaft for transmitting power to move or rotate the substrate and the mask and the magnet plate up and down, respectively,
And the heating line is inserted into the hollow shaft and connected to the far-infrared plate heater. 청구항 2에 있어서,
상기 히팅 라인에 전원공급을 하기 위한 슬립 링이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.The method according to claim 2,
Substrate heating apparatus characterized in that the slip ring is provided for supplying power to the heating line. 청구항 3에 있어서,
상기 슬립 링은 상기 중공형 샤프트의 상단에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.The method according to claim 3,
The slip ring is substrate heating apparatus, characterized in that installed on the top of the hollow shaft. 청구항 1에 있어서,
상기 원적외선 플레이트 히터는 상기 기판에 열을 공급해주는 발열체;
상기 발열체에서 상기 기판으로 복사되는 복사열의 효율을 높여주기 위해 상기 원적외선 플레이트 히터의 하부면에 형성되는 지지층;
상기 원적외선 플레이트 히터에 전력을 공급하는 배선부;
상기 배선부에서 공급되는 전력을 상기 지지층 쪽으로 흐르지 못하도록 상기 발열체 및 상기 배선부와 상기 지지층 사이에 구성된 절연층; 및
상기 배선부와 상기 발열체의 파손방지 및 절연을 하기 위해 상기 발열체와 상기 배선부를 도포하여 보호하는 보호층;
으로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.The method according to claim 1,
The far-infrared plate heater includes a heating element for supplying heat to the substrate;
A support layer formed on a lower surface of the far-infrared plate heater to increase the efficiency of radiant heat radiated from the heating element to the substrate;
A wiring unit for supplying power to the far infrared plate heater;
An insulating layer configured between the heating element and the wiring portion and the supporting layer to prevent the power supplied from the wiring portion from flowing toward the support layer; And
A protective layer for coating and protecting the heating element and the wiring part to prevent breakage and insulation of the wiring part and the heating element;
Substrate heating apparatus, characterized in that consisting of. 청구항 5에 있어서,
상기 지지층은 금속, 석영 또는 유리 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.The method according to claim 5,
Wherein the support layer is made of any one of metal, quartz, and glass. 청구항 6에 있어서,
상기 지지층은 스테인레스 스틸 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.The method of claim 6,
Wherein the support layer is made of stainless steel. 청구항 5에 있어서,
상기 보호층은 세라믹 계열로 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.The method according to claim 5,
Wherein the protective layer is formed of a ceramic-based material. 청구항 5에 있어서,
상기 발열체는 히터의 가열 시 원적외선만 통과시켜 원적외선을 방출하는 원적외선 방사재가 코팅되는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.The method according to claim 5,
Wherein the heating element is coated with a far-infrared ray emitting material that emits far-infrared rays through only the far-infrared ray when heating the heater. 고진공 분위기의 밀폐공간을 형성하는 챔버 내에서 기판과 마스크의 미세정렬을 하기 위한 기판 얼라인 장치에 있어서,
상기 마스크에 기판을 접촉시킬 수 있도록 상하로 이동하면서 상기 기판에 압력을 가하는 마그네트 플레이트;
상기 기판과 마스크 및 마그네트 플레이트를 각각 상하로 이동하거나 회전할 수 있도록 동력을 전달하는 중공형 샤프트;
상기 기판을 원적외선을 이용하여 가열하기 위한 원적외선 플레이트 히터;
상기 중공형 샤프트의 내부에 삽입되어 상기 원적외선 플레이트 히터에 전원을 공급하기 위한 히팅 라인; 및
상기 히팅 라인에 전원공급을 하기 위한 슬립 링;
을 포함하는 기판 얼라인 장치.In the substrate alignment apparatus for fine alignment of the substrate and the mask in the chamber forming a closed space of a high vacuum atmosphere,
A magnet plate for applying pressure to the substrate while being moved up and down so that the substrate can be brought into contact with the mask;
A hollow shaft transmitting power to move or rotate the substrate, the mask, and the magnet plate, respectively;
A far infrared plate heater for heating the substrate using far infrared rays;
A heating line inserted into the hollow shaft to supply power to the far infrared plate heater; And
A slip ring for supplying power to the heating line;
Substrate alignment device comprising a. 청구항 10에 있어서,
상기 원적외선 플레이트 히터는 상기 기판에 열을 공급해주는 발열체;
상기 발열체에서 상기 기판으로 복사되는 복사열의 효율을 높여주기 위해 상기 원적외선 플레이트 히터의 하부면에 형성되는 지지층;
상기 원적외선 플레이트 히터에 전력을 공급하는 배선부;
상기 배선부에서 공급되는 전력을 상기 지지층 쪽으로 흐르지 못하도록 상기 발열체 및 상기 배선부와 상기 지지층 사이에 구성된 절연층; 및
상기 배선부와 상기 발열체의 파손방지 및 절연을 하기 위해 상기 발열체와 상기 배선부를 도포하여 보호하는 보호층;
으로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 얼라인 장치.The method of claim 10,
The far-infrared plate heater includes a heating element for supplying heat to the substrate;
A support layer formed on a lower surface of the far-infrared plate heater to increase the efficiency of radiant heat radiated from the heating element to the substrate;
A wiring unit for supplying power to the far infrared plate heater;
An insulating layer configured between the heating element and the wiring portion and the supporting layer to prevent the power supplied from the wiring portion from flowing toward the support layer; And
A protective layer for coating and protecting the heating element and the wiring part to prevent breakage and insulation of the wiring part and the heating element;
Substrate alignment device, characterized in that consisting of. 청구항 11에 있어서,
상기 발열체는 히터의 가열 시 원적외선만 통과시켜 원적외선을 방출하는 원적외선 방사재가 코팅되는 것을 특징으로 하는 기판 얼라인 장치.The method of claim 11,
The heating element is a substrate alignment device, characterized in that the far-infrared radiating material which emits far infrared rays by passing only the far infrared rays during heating of the heater is coated. 고진공 분위기의 밀폐공간을 형성하는 챔버;
상기 챔버 내의 기판 상에 증착하기 위한 원료물질을 저장하는 증발원;
원적외선을 이용하여 상기 챔버 또는 증발원을 가열하기 위한 원적외선 플레이트 히터; 및
상기 원적외선 플레이트 히터에 전원을 공급하기 위한 히팅 라인;
을 포함하는 원적외선을 이용한 가열장치.A chamber forming a closed space of a high vacuum atmosphere;
An evaporation source for storing raw materials for deposition on a substrate in the chamber;
A far infrared plate heater for heating the chamber or the evaporation source using far infrared rays; And
A heating line for supplying power to the far infrared plate heater;
Heating device using a far infrared ray comprising a. 청구항 13에 있어서,
상기 원적외선 플레이트 히터는 상기 챔버 또는 증발원에 열을 공급해주는 발열체;
상기 발열체에서 복사되는 복사열의 효율을 높여주기 위해 상기 원적외선 플레이트 히터의 하부면에 형성되는 지지층;
상기 원적외선 플레이트 히터에 전력을 공급하는 배선부;
상기 배선부에서 공급되는 전력을 상기 지지층 쪽으로 흐르지 못하도록 상기 발열체 및 상기 배선부와 상기 지지층 사이에 구성된 절연층; 및
상기 배선부와 상기 발열체의 파손방지 및 절연을 하기 위해 상기 발열체와 상기 배선부를 도포하여 보호하는 보호층;
으로 구성된 것을 특징으로 하는 가열장치.
The method according to claim 13,
The far-infrared plate heater includes a heating element for supplying heat to the chamber or the evaporation source;
A support layer formed on a lower surface of the far-infrared plate heater to increase the efficiency of radiant heat radiated from the heating element;
A wiring unit for supplying power to the far infrared plate heater;
An insulating layer configured between the heating element and the wiring portion and the supporting layer to prevent the power supplied from the wiring portion from flowing toward the support layer; And
A protective layer for coating and protecting the heating element and the wiring part to prevent breakage and insulation of the wiring part and the heating element;
Heating device, characterized in that consisting of.
KR1020120080040A 2012-07-23 2012-07-23 A Apparatus for Heating Substrates in High Vacuum Chamber, Apparatus for Aligning Substrates Having the Same and Heating Apparatus Using FIR KR101416588B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120080040A KR101416588B1 (en) 2012-07-23 2012-07-23 A Apparatus for Heating Substrates in High Vacuum Chamber, Apparatus for Aligning Substrates Having the Same and Heating Apparatus Using FIR

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120080040A KR101416588B1 (en) 2012-07-23 2012-07-23 A Apparatus for Heating Substrates in High Vacuum Chamber, Apparatus for Aligning Substrates Having the Same and Heating Apparatus Using FIR

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140013344A true KR20140013344A (en) 2014-02-05
KR101416588B1 KR101416588B1 (en) 2014-07-08

Family

ID=50263792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120080040A KR101416588B1 (en) 2012-07-23 2012-07-23 A Apparatus for Heating Substrates in High Vacuum Chamber, Apparatus for Aligning Substrates Having the Same and Heating Apparatus Using FIR

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101416588B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220104509A (en) * 2021-01-18 2022-07-26 주식회사 선익시스템 Alignment device including rotatable magnet member and control method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101214451B1 (en) * 2005-07-06 2012-12-21 주성엔지니어링(주) Apparatus for depositing the organic thin film
KR101139421B1 (en) * 2009-07-22 2012-04-27 주식회사 티엔텍 Sputtering system
TW201122149A (en) 2009-12-31 2011-07-01 Univ Nat Chiao Tung Reactor, chemical vapor deposition reactor, and metal organic chemical vapor deposition reactor
KR20120045722A (en) * 2010-11-01 2012-05-09 아프로시스템 주식회사 In line type multi layer heat treating apparatus and system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220104509A (en) * 2021-01-18 2022-07-26 주식회사 선익시스템 Alignment device including rotatable magnet member and control method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101416588B1 (en) 2014-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101312676B1 (en) Active cooling substrate support
TW201116492A (en) Device and treatment chamber for thermal treatment of substrates
EP2637478B1 (en) High frequency heating apparatus
US9150952B2 (en) Deposition source and deposition apparatus including the same
CN105074885B (en) For the modular substrate heater of efficient thermal cycle
KR101600265B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR20110082820A (en) Deposition source for manufacturing organic electroluminescence display panel and deposition apparatus having the same
TW201534758A (en) Chemical vapor deposition apparatus
TWI736639B (en) Support plate and an improved substrate support assembly and chamber using the same
JP3210415U (en) Thin film encapsulated mask preheating and substrate buffer chamber
KR101416588B1 (en) A Apparatus for Heating Substrates in High Vacuum Chamber, Apparatus for Aligning Substrates Having the Same and Heating Apparatus Using FIR
CN104112638B (en) A kind of plasma-reaction-chamber and its electrostatic chuck
TWI711104B (en) Heater block and substrate heat treatment apparatus using same
CN103966555A (en) Evaporation source heating device
EP2637479B1 (en) High frequency heating apparatus
KR101464207B1 (en) Flat panel display manufacturing apparatus and ir heater used in manufacturing flat panel display
CN110172683A (en) Heating mechanism, plasma chamber and the method to form a film on substrate
KR100830237B1 (en) A structure for susceptor in large area substrate processing system
KR20160075344A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN104934345A (en) Plasma device
KR101554466B1 (en) Linear Depositing System for Substrate Cooling
WO2018153151A1 (en) Transfer platform, attaching device, and attaching method thereof
WO2018196327A1 (en) Heating apparatus
KR102049741B1 (en) Apparatus for treating heat substrate
KR101010646B1 (en) Heater block

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170628

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180627

Year of fee payment: 5