KR20140004726A - 캡슐화를 포함하는 led 패키지 - Google Patents
캡슐화를 포함하는 led 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140004726A KR20140004726A KR1020137021666A KR20137021666A KR20140004726A KR 20140004726 A KR20140004726 A KR 20140004726A KR 1020137021666 A KR1020137021666 A KR 1020137021666A KR 20137021666 A KR20137021666 A KR 20137021666A KR 20140004726 A KR20140004726 A KR 20140004726A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- film
- reflective
- reflective structures
- encapsulant
- Prior art date
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title description 4
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
발광 소자들(110)은 막(210) 상에 위치되고, 그 후 막(210) 상에 배치되거나 형성된 반사 구조체(250)에 둘러싸여진다. 그 후, 반사 구조체(250)는 캡슐화제(270)로 채워져서 발광 소자(110)를 반사 구조체(250) 내에 부착시킨다. 그 후 막(210)이 제거될 수 있으며, 발광 소자(110)를 외부 전원에 결합시키기 위한 컨택들(230)을 노출시킨다. 반사 구조체(250) 내의 캡슐화된 발광 소자들(110)은 다이싱(diced)/싱귤레이팅(singulated) 되어 개별 발광 디바이스들을 제공한다. 캡슐화제(270)는 원하는 광학 기능을 제공하기 위해 몰딩되거나 다른 방법으로 쉐이핑될 수 있다.
Description
본 발명은 발광 디바이스의 분야에 관한 것으로, 특히 광 입사 면(light entrance surface)보다 큰 광 출사 면(light exit surface)을 갖는 실질적으로 플랫탑인 캡슐화제(flat-topped encapsulant)로 캡슐화된(encapsulated) 발광 디바이스 및 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
고체 상태 발광 디바이스(LED)는 계속 증가하는 다양한 애플리케이션들에 사용되고 있으며, 시장 규모의 증가로, 디바이스 당 비용은 점점 더 중요해지고 있다. 마찬가지로, 시장 경쟁의 증가로, 경쟁 제품의 상대적 성능도 점점 중요해지고 있다.
광 출력 효율을 향상시키기 위해서, 발광 디바이스들은 종종 스트레이 광을 원하는 방향으로 반사시키는 역할을 하는 반사 소자들을 포함한다. 도 1a 및 도 1b는 반사 소자들을 갖는 예시 발광 디바이스들을 도시한다.
도 1a에서, 발광 소자(110)는 종종 소자를 외부 전원에 결합시키기 위한 컨택(130)의 역할도 하는 반사 컵(120) 내에 배치된다. 소자(110)는 일반적으로 두 전극 사이에서 샌드위치 구성의 발광 물질을 포함할 것이며, 하부 전극은 반사 컵(120)을 통하여 컨택(130)에 연결되어 있고, 상부 전극은 다른 컨택(130)에 와이어 본딩(wire bonded) 되어 있다. 발광 소자(110), 반사 컵(120), 및 전극들(130)은 렌즈 형태로 몰딩된 에폭시와 같은 캡슐화 재료(170) 내에 후속하여 캡슐화 된다.
도 1b에서, 발광 소자(110)는 기판(160) 상에 장착되고, 소자(110)를 둘러싸는 영역은 백색 유전체와 같은 반사 층(125)으로 코팅된다. 이 예에서, 회로 트레이스들(140)은 소자(110)에 결합되고, 관통 홀 비아(through -hole via)(145)는 기판(160)의 하부면에서 트레이스들(140)을 전극들(135)에 결합시킨다. 이러한 방식으로, 발광 디바이스는 인쇄 회로 기판 또는 다른 장착 면 상에 직접 장착될 수 있다.
도 1a의 예시 디바이스는 집중 빔의 광 출력을 향하도록 쉐이핑되는(shaped) 반사 컵을 포함하는 것이 유리하지만, 제조 프로세스는 발광 소자(110)가 실장되고, 와이어 본딩 되고, 이후 캡슐화되는 동안 컵(120)의 지지물을 필요로 한다. 한편, 도 1b의 예시 디바이스의 제조는 도 1a의 디바이스의 제조보다 간단할 수 있지만, 일반적으로 캡슐화제(150)가 실질적으로 커야 하고 높은 추출 효율을 위해 곡면형일 필요가 있으며, 반사 표면(125)이 반사 컵(120) 만큼 광을 향하게 하지 않는다.
광 출력을 향상시키고 광을 전방으로 향하게 하는 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스의 간단한 제조 수단을 제공하는 것이 유리할 것이다.
본 장점 및/또는 다른 장점들은 막 상에 발광 소자들을 장착하고 나서, 반사 구조체로 막 상의 각각의 발광 소자를 둘러싸는 단계를 포함하는 제조 프로세스에 의해서 실현될 수 있다. 그 후, 반사 구조체가 캡슐화제로 채워져서 발광 소자를 반사 구조체 내에 부착시킨다. 그 후 막이 제거될 수 있으며, 발광 소자를 외부 전원에 결합시키기 위한 컨택들을 노출시킨다. 반사 구조체 내의 캡슐화된 발광 소자들은 다이싱(diced)/싱귤레이팅(singulated)되어 개별 발광 디바이스들을 제공한다. 캡슐화제는 원하는 광학 기능을 제공하기 위해 몰딩되거나 다른 방법으로 쉐이핑될 수 있다.
본 발명은 첨부 도면들을 참조하여 예시로써 더 자세히 설명되었다.
도 1a 및 도 1b는 예시 선행 기술 발광 디바이스들을 도시하고 있다.
도 2a-도 2d는 일체형 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스의 예시 제조를 도시하고 있다.
도 3a-도 3c는 일체형 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스의 예시 대안 특징들을 도시하고 있다.
도 4는 일체형 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스들을 제공하기 위한 예시 흐름도를 도시하고 있다.
도 5a-도 5b는 다수의 발광 소자를 갖는 발광 디바이스들에 대한 예시 구조체들을 도시하고 있다.
도면 전체에서, 동일한 참조 번호들은 유사하거나 대응하는 특징들 또는 기능들을 가리킨다. 도면들은 설명의 목적으로 포함되었으며 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것이 아니다.
도 1a 및 도 1b는 예시 선행 기술 발광 디바이스들을 도시하고 있다.
도 2a-도 2d는 일체형 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스의 예시 제조를 도시하고 있다.
도 3a-도 3c는 일체형 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스의 예시 대안 특징들을 도시하고 있다.
도 4는 일체형 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스들을 제공하기 위한 예시 흐름도를 도시하고 있다.
도 5a-도 5b는 다수의 발광 소자를 갖는 발광 디바이스들에 대한 예시 구조체들을 도시하고 있다.
도면 전체에서, 동일한 참조 번호들은 유사하거나 대응하는 특징들 또는 기능들을 가리킨다. 도면들은 설명의 목적으로 포함되었으며 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것이 아니다.
이하 설명에서, 제한이 아닌 설명의 목적으로, 본 발명의 개념에 대한 철저한 이해를 제공하기 위해서 특정 아키텍처, 인터페이스, 기술 등과 같은 특정 상세들이 진술되었다. 그러나, 본 발명이 이러한 특정 상세들에서 벗어난 다른 실시예들에서 실현될 수 있음은 당업자들에게 명백할 것이다. 마찬가지로, 본 설명의 텍스트는 도면에 도시된 실시예들에 관한 것이며, 청구항에 명시적으로 포함된 제한을 넘어 청구된 발명을 제한하고자 하는 것이 아니다. 단순성과 명확성을 위해, 공지된 디바이스들, 회로들, 및 방법들의 상세한 설명은 불필요한 상세로 본 발명의 설명을 모호하게 하지 않기 위해서 생략되었다.
도 2a-도 2d는 일체형 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스의 예시 제조를 도시하고 있다.
도 2a는 막(210) 상의 발광 소자들(110)의 배치를 도시하고 있다. 바람직한 실시예에서, 막(210)의 제거 시에 외부 전원으로의 결합을 용이하게 하기 위해서, 발광 소자들(110)은 그들의 하부 표면 상에 컨택들(230)을 갖도록 구성된다. 소자들(110)은 기존의 픽 앤 플레이스(pick and place) 프로세스를 사용하여 막(210) 상에 배치될 수 있다. 또는, 소자들(110)을 분리시켜 소자들(110)이 적절히 위치하게 하기 위해서, 후속하여 늘어나는 탄성 막 상에 소자들(110)의 블록이 배치될 수 있다. '막'이라는 용어는 일반적인 의미로 본 명세서에서 '기판'과 구별하기 위해서 사용되며, 막은 구조적인 지지를 제공하기 위해서 본질적으로 반드시 필요한 것은 아니다. 유연한 막은 특히 단단한 막에 비하여 낮은 비용 때문에 이 프로세스에 적합하지만, 단단한 막은 막의 반복 사용에 적합할 수 있다.
도 2b에서, 반사 구조체(250)가 막(210) 상에 위치되어 있으며, 각각의 발광 소자(110)를 둘러싸고 있다. 발광 디바이스의 예시 프레임의 평면도가 도 2c에 도시되어 있다. 이 예에서, 구조체(250)는 대응하는 발광 소자(110)에 대하여 비스듬한 평면들의 집합을 포함한다. 이 비스듬한 측벽들은 추가 광 추출을 위해서 광을 효과적으로 반사하는 역할을 하고, 반사 구조체(250)에 의해서 반사된 광을 발광 소자(110)로부터 전방으로 향하게 한다.
구조체(250)는 여러 가지 방법으로 막(210)에 추가될 수 있다. 발광 소자들(110)을 위한 개구를 갖는 반사 재료의 미리 형성된 프레임이 막(210) 위에 단순하게 배치될 수 있다. 또는, 구조체(250)는 반사 재료가 소자들(110)의 위치에 배치되는 것을 피하도록 패터닝된 몰드를 사용하여 막(210) 위에 직접 몰딩 될 수 있다. 예를 들면, 백색 유전체 재료의 슬러리(slurry)는 반도체 제조 분야에서 일반적인 기술들을 사용하여 막(210) 위에 사출 성형될 수 있다. 또는, 반사 구조체(250)를 형성하기 위해 쉐이핑된 구조체의 최상단에 반사 코팅이 도포될 수 있다.
또 다른 방법으로, 다수의 반사 구조체들을 포함하는 프레임을 제공하거나 형성하는 대신에, 개별 반사 구조체들(250)이 기존의 픽 앤 플레이스 프로세스를 사용하여 막 상에 배치될 수 있다. 발광 소자들(110)을 둘러싸는 반사 구조체들을 막 상에 배치하거나 형성하는 다른 기술들은 본 개시의 관점에서 당업자에게 명백할 것이다.
발광 소자들(110) 및 반사 구조체들(250)이 막(210) 상에 위치된 후에, 도 2d에 도시된 바와 같이, 캡슐화제(270)가 가해져서 반사 구조체들(250)이 채워지고 발광 소자들(110)을 이 반사 구조체들(250)에 부착시킨다. 캡슐화제가 발광 소자들(110)을 반사 구조체들(250)에 부착시키면, 막(210)이 제거되어 외부 전원으로의 결합을 위한 컨택들(230)을 노출시킬 수 있다.
컨택들(230)에 대한 결합을 더욱 용이하게 하기 위해, 반사 구조체(250)의 하부 층은 용이하게 제거가능한 재료를 포함할 수 있으며, 따라서 제거 시에 컨택들(230)은 구조체(250)의 남은 표면의 약간 아래로 연장될 수 있다. 반사 구조체 및/또는 LED 칩의 하부 컨택들에 도포되는 이러한 제거가능한 희생 층은 제거 후에 막으로부터 임의의 과잉 물질을 제거하기 위해서도 사용될 수 있다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 캡슐화제의 상부 표면은 평평할 수 있다. 많은 응용들에서, 발광 디바이스는 직선 도파로 또는 비교적 평평한 광 입력 표면을 갖는 다른 구조체에 결합될 수 있다. 예를 들면, 에지 광 도파로들(edge lit waveguides)은 디스플레이에 백라이팅을 제공하기 위해 점점 사용이 증가하고 있으며, 표면 광 도파로들(surface lit waveguides)은 고강도 에지 발광 램프(high intensity edge-emitting lamps)를 제공하기 위해 점점 사용이 증가하고 있다. 전송 소자 상의 평평한 표면에 대응하는 LED 상의 평평한 표면을 제공함으로써 도파로로의 광 결합 효율이 증가한다. 발광 소자 주위에 반사 구조체를 제공함으로써, 발광 디바이스의 출력 면의 크기 및 형태는, 발광 소자의 크기 및 형태에 대하여 실질적으로 독립적인 전송 소자에 부합하도록 커스터마이징(customized)될 수 있다.
당업자라면 반사 구조체들을 형성하기 위해서 임의의 다양한 형태가 사용될 수 있음을 인식할 것이다. 예를 들면, 도 3a는 도 2a의 평면 표면(250)에 비해서 곡선인 반사 표면(350)을 도시하고 있다. 마찬가지로, 도 3b는 위에서 본 원형인 구조체(360)를 도시하고 있다.
원하는 광학 효과를 달성하기 위해 캡슐화제 또한 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 캡슐화제는 넓은 출력 각도에 걸쳐 광 출력을 분산시키는 역할을 하는 도 1의 돔 형태의 캡슐화제(170)와 유사하게 돔 형태로 될 수 있다. 반면에, 도 3c는 리플렉터(reflector)와 함께 광을 추출하고 직사광(directed light) 출력을 제공하는 역할을 하는 더 복잡한 형태를 도시하고 있다.
도 4는 일체형 반사 구조체를 갖는 발광 디바이스의 제조를 용이하게 하기 위한 예시 흐름도를 도시하고 있다. 단계 410에서, 발광 소자들이 막 상에 배치되고, 단계 420에서, 발광 소자들을 위한 개구들을 갖는 반사 구조체들이 막 상에 배치되거나 형성된다.
구조체가 막 상에 제공되거나 형성될 수 있고, 발광 소자들을 수용하기 위해 제공된 개구들 내에 발광 소자들이 배치될 수 있다는 점에서, 당업자라면 이 배치 및/또는 형성의 순서가 반대로 될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 마찬가지로, 막 상의 구조체들의 배치는 반사 구조체들의 프레임의 하부 표면에 막을 도포하는 것에 의해서 영향을 받을 수 있다.
실시예에서 개구의 하단의 형태는 발광 소자의 형태에 대응하고, 개구는 각각의 발광 소자를 배치하기 위한 참조 데이터를 제공할 수 있으며, 이에 의해서 기존의 픽 앤 플레이스 프로세스에서 각각의 발광 소자의 정확한 배치를 용이하게 한다.
단계 430에서, 막 상의 원하는 상대적 위치에 반사 구조체 및 발광 소자들이 위치되어, 캡슐화제가 반사 구조체 내에 배치된다. 일반적으로, 캡슐화제가 구조체를 채울 것이지만, 원하는 광 출력 특성은 구조체를 부분적으로 채우는 것을 필요로 할 수 있다. 단계 440에서, 캡슐화제는 원하는 광 출력 특성에 따라 원하는 형태로 몰딩될 수 있다.
선택적으로, 캡슐화 전, 캡슐화 동안, 또는 캡슐화 후에 다른 소자들이 구조체에 추가될 수 있다. 예를 들면, 인광 물질과 같은 파장 변환 소자가, 발광 소자의 최상단 또는 캡슐화제의 최상단에 위치되거나 캡슐화제에 의해서 적층/샌드위치(sandwiched) 되는 개별 소자로서 추가될 수 있으며, 또는 캡슐화제 내에 인광 물질이 내장될 수 있다.
단계 450에서, 발광 소자가 반사 구조체에 부착되고, 일반적으로 발광 소자들 상의 컨택들을 노출시키기 위해서 막이 제거될 수 있다. 또는, 막은 발광 소자들에 연결들을 제공하는 역할을 하는 전도성 트레이스들을 포함할 수 있으며, 이러한 실시예에서 막은 제거되지 않을 것이다. 그 후 막은 히트 싱크로서의 역할을 하는 금속 스트립에 부착될 수 있다. LED는 실버 페이스트를 사용하여 막 상의 트레이스에 납땜되어 부착될 수 있고, 또는 마이크로스프링 또는 마이크로범프를 사용하여 전기적으로 연결될 수 있다.
단계 460에서, 복수의 반사 구조체들 및 발광 소자들이 개개의 발광 디바이스들로 분리되거나 '싱귤레이팅' 된다. 이 싱귤레이션(singulation)은 반사 구조체들의 특성을 따를 것이다. 단계 420에서, 구조체들이 막 위에 개별적으로 배치되거나 개별 구조로 막 상에 형성된다면, 단계 450에서의 막의 제거는 이 싱귤레이션을 초래할 것이다. 또는, 구조체들의 프레임이 막 상에 형성되거나 배치되는 경우, 이 싱귤레이션은 프레임을 적절히 슬라이싱/다이싱 하는 것에 의해서 영향을 받을 수 있다. 당업자라면 프레임의 이 슬라이싱/다이싱은 스코어 라인들 또는 그루브들과 같은 분리 피처들을 프레임 상에 형성함으로써 용이해질 수 있음을 인식할 것이다.
특히 주목할 사실은, 반사 구조체로서 사용되는 재료가 싱귤레이팅된 발광 디바이스들을 위한 의도된 운영 환경에 노출되기에 적합한 경우, 디바이스를 추가 '패키징' 하기 위해 추가 프로세스가 필요없다는 점이다. 실시예들이 반사 구조체들 사이의 공간을 최소화하도록 설계된 구조체들의 프레임을 설명하고 있지만, 당업자라면 구조체들의 형태가 싱귤레이팅된 발광 디바이스들의 원하는 전체 패키지 형태에 부합하도록 만들어질 수 있음을 인식할 것이다. 즉, 발광 소자가 싱귤레이팅 되어있는 각각의 반사 구조체의 캐비티의 크기 및 형태는 원하는 광 출력 특성에 기초할 수 있는 반면, 각각의 반사 표면의 외부 크기 및 형태는 원하는 패키지 특성에 기초할 수 있다.
본 발명이 도면 및 전술한 설명으로 상세히 도시되고 설명되었지만, 이러한 도시 및 설명은 제한이 아닌 설명과 예시를 고려한 것이며, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않는다.
예를 들면, 실시예들은 발광 소자들과 반사 구조체들 및 대칭 반사 구조체들 간의 일대일 대응을 포함하고 있지만, 당업자라면 이것이 한정된 특징이 아님을 인식할 것이다. 예를 들면, 도 5a는 사각형 반사 구조체(530)가 복수의 발광 소자들(110)을 둘러싸고 있는 '라이트 바(light bar)'의 실시예를 도시하고 있다. 마찬가지로, 도 5b는 복수의 발광 소자들(110)을 둘러싸고 있는 원형 반사 구조체(535)를 도시하고 있다. 선택적으로, 반사 재료의 바닥면은 자기 정렬을 용이하게 하는 특징과 납땜의 용이성을 위해 패터닝될 수 있다.
도 5a 또는 도 5b 중 어느 하나의 예시에서, 복수의 발광 소자들(110)은 일반적으로 다수의 소자들(110)에 결합되는 컨택들을 갖는 공통 기판 상에 위치될 수 있다. 또는, 각각의 소자(110)는 외부 전원으로의 독립적인 결합을 용이하게 하기 위해 막 상에 직접 위치될 수 있다. 반사 구조체 내에 다수의 발광 소자들을 수용하는 다른 방법들은 본 개시의 관점에서 당업자에게 명백할 것이다.
청구된 발명을 실현하는 데 있어 도면, 개시, 및 첨부된 청구항들에 대한 연구로부터 개시된 실시예들에 대한 다른 변형들이 당업자에 의해서 이해되고 달성될 수 있을 것이다. 예를 들면, 실시예들에서의 반사 구조체들이 광 입력 면적보다 큰 광 출력 면적을 포함하고 있지만, 당업자라면 반사 구조체들의 크기 및 형태는 일반적으로 특정 발광 소자로부터의 원하는 광 출력 특성을 따를 것이고 임의의 다양한 형태를 취할 수 있음을 인식할 것이다.
이러한 청구항들을 해석하는데 있어서, 다음이 이해되어야 한다:
a) 단어 "포함하다"는 주어진 청구항에 기재된 것 이외의 다른 구성요소들 또는 단계들의 존재를 제외하지 않는다.
b) 구성요소 앞의 단어 "a" 또는 "an"은 복수의 이러한 구성요소들의 존재를 제외하지 않는다.
c) 청구항 내의 어떠한 참조 기호들도 청구항의 범위를 한정하지 않는다.
d) 많은 "수단들"은 동일한 아이템 또는 하드웨어 또는 소프트웨어 구현 구조 또는 기능으로 표현될 수 있다.
e) 각각의 개시된 구성요소들은 하드웨어 부분들(예를 들면, 개별 및 통합 전자 회로를 포함함), 소프트웨어 부분들(예를 들면, 컴퓨터 프로그래밍), 및 이들의 임의의 조합으로 구성될 수 있다.
f) 하드웨어 부분들은 프로세서를 포함할 수 있고, 소프트웨어 부분들은 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체에 저장될 수 있고, 프로세서가 하나 이상의 개시된 구성요소의 일부 또는 모든 기능들을 수행하게 하도록 구성될 수 있다.
g) 하드웨어 부분들은 아날로그 부분 및 디지털 부분 중 하나 또는 둘 모두로 구성될 수 있다.
h) 임의의 개시된 디바이스들 또는 그들의 일부는 특별히 다르게 명시되지 않았으면 함께 결합되거나 추가 부분들로 분리될 수 있다.
i) 특별히 명시되지 않았으면 단계의 특정한 순서가 필요하지 않다.
j) 용어 "복수의" 구성요소는 둘 이상의 청구된 구성요소를 포함하고, 임의의 특정 범위의 수의 구성요소를 의미하지 않으며, 즉, 복수의 구성요소는 두 개의 구성요소만큼 적을 수 있고, 헤아릴 수 없는 수의 구성요소를 포함할 수 있다.
Claims (20)
- 막을 제공하는 단계,
상기 막 상에 복수의 발광 소자들을 추가하는 단계,
상기 막에 복수의 반사 구조체들을 추가하는 단계 - 상기 반사 구조체들은 하나 이상의 상기 발광 소자로부터의 광을 원하는 광 출력 방향으로 반사시키기 위해서 상기 막 상에 위치됨 -,
상기 반사 구조체들을 대응하는 하나 이상의 상기 발광 소자에 부착시키기 위해서 상기 반사 구조체들 내에 캡슐화제를 추가하는 단계, 및
상기 복수의 반사 구조체들을 싱귤레이팅하여(singulating) 각각의 반사 구조체에 부착된 상기 하나 이상의 발광 소자를 포함하는 발광 디바이스를 제공하는 단계
를 포함하는 방법. - 제1항에 있어서, 상기 캡슐화제를 추가하는 단계 후에 상기 막을 제거하는 단계를 포함하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 막에 부착됐던 상기 반사 구조체의 표면으로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 캡슐화제의 광 출력 표면을 쉐이핑하여(shaping) 평면 표면을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 캡슐화제의 광 출력 표면을 쉐이핑하여 비평면 표면을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 막에 복수의 반사 구조체들을 추가하는 단계는 상기 복수의 반사 구조체들을 포함하는 프레임을 상기 막에 부착하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 막에 복수의 반사 구조체들을 추가하는 단계는 상기 복수의 반사 구조체들을 상기 막에 형성하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 막 상의 상기 복수의 반사 구조체들은 상기 막 상에 상기 복수의 발광 소자를 위치시키기 위한 참조 데이터를 제공하는 방법.
- 제1항에 있어서, 복수의 파장 변환 소자를 추가하는 단계를 포함하는 방법.
- 발광 디바이스로서,
상부 표면, 하부 표면, 및 상기 상부 표면과 상기 하부 표면 사이로 연장하는 개구를 포함하는 구조체,
상기 구조체의 상기 하부 표면에 인접한 상기 개구 내에 위치하는 적어도 하나의 발광 소자, 및
상기 발광 소자를 상기 개구 내에 부착시키는 상기 개구 내의 캡슐화제
를 포함하고,
상기 개구 내의 하나 이상의 표면은 반사형인 발광 디바이스. - 제10항에 있어서, 상기 캡슐화제는 상기 발광 소자로부터 발하는 광에 대하여 원하는 광학 특성을 제공하기 위해 형성되는 발광 디바이스.
- 제10항에 있어서, 상기 캡슐화제는 상기 발광 디바이스를 광 전송 소자에 결합하기 위한 평면 표면을 형성하는 발광 디바이스.
- 제12항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광 소자는 복수의 발광 소자들을 포함하는 발광 디바이스.
- 제10항에 있어서, 상기 발광 디바이스의 표면 장착을 용이하게 하는, 상기 구조체의 상기 하부 표면에 인접한 상기 발광 소자 상의 컨택들(contacts)을 포함하는 발광 디바이스.
- 구조체로서,
막,
상기 막 상의 복수의 발광 소자들,
상기 막 상의 복수의 반사 구조체들 - 상기 반사 구조체들은 하나 이상의 상기 발광 소자로부터의 광을 원하는 광 출력 방향으로 반사시키기 위해서 상기 막 상에 위치됨 -, 및
대응하는 하나 이상의 상기 발광 소자를 상기 반사 구조체들을 통하여 연장하는 개구 내에 부착시키는, 상기 반사 구조체들 내의 캡슐화제
를 포함하는 구조체. - 제15항에 있어서, 상기 캡슐화제의 광 출력 표면은 평면인 구조체.
- 제15항에 있어서, 상기 캡슐화제의 광 출력 표면은 비평면인 구조체.
- 제15항에 있어서, 복수의 파장 변환 소자들을 포함하는 구조체.
- 제15항에 있어서, 상기 복수의 발광 소자들은 상기 막의 표면 상에 위치된 컨택들을 포함하는 구조체.
- 제15항에 있어서, 상기 복수의 반사 구조체들은 상기 막의 표면 상에 위치된 표면 층을 포함하고, 상기 표면 층은 상기 표면 층의 제거를 용이하게 하는 재료를 포함하는 구조체.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161433306P | 2011-01-17 | 2011-01-17 | |
US61/433,306 | 2011-01-17 | ||
PCT/IB2011/056005 WO2012101488A1 (en) | 2011-01-17 | 2011-12-29 | Led package comprising encapsulation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140004726A true KR20140004726A (ko) | 2014-01-13 |
KR101897308B1 KR101897308B1 (ko) | 2018-09-10 |
Family
ID=45560941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137021666A KR101897308B1 (ko) | 2011-01-17 | 2011-12-29 | 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법 및 그것을 포함하는 구조체 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8907364B2 (ko) |
EP (1) | EP2666193B1 (ko) |
JP (1) | JP5932835B2 (ko) |
KR (1) | KR101897308B1 (ko) |
CN (1) | CN103443943B (ko) |
TW (1) | TWI606615B (ko) |
WO (1) | WO2012101488A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160009691A (ko) * | 2013-05-20 | 2016-01-26 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013118076A1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Koninklijke Philips N.V. | Low cost encapsulated light-emitting device |
US9484504B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Micro LED with wavelength conversion layer |
US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
USD780704S1 (en) * | 2014-08-27 | 2017-03-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Light source module |
USD768584S1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-10-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Light source module |
CN105047793B (zh) * | 2015-08-20 | 2018-07-06 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管封装结构的制作方法 |
DE102016112293A1 (de) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement |
CN107845717A (zh) * | 2016-09-21 | 2018-03-27 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | Csp光源及其制造方法和制造模具 |
TWI635470B (zh) * | 2017-07-04 | 2018-09-11 | 錼創科技股份有限公司 | 發光模組及顯示裝置 |
DE102018112332A1 (de) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils |
JP7244771B2 (ja) * | 2020-04-02 | 2023-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源の製造方法 |
CN115084108A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-09-20 | 纳欣科技有限公司 | 发光模组及其制作方法、以及显示面板和电子设备 |
CN115528161A (zh) * | 2022-10-26 | 2022-12-27 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080083830A (ko) * | 2007-03-13 | 2008-09-19 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
KR20100061132A (ko) * | 2008-11-28 | 2010-06-07 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP2010239105A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-10-21 | Nichia Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3844196B2 (ja) | 2001-06-12 | 2006-11-08 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
JP4048783B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2008-02-20 | ソニー株式会社 | 電子装置の製造方法 |
JP3962282B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2007-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TW563263B (en) * | 2002-09-27 | 2003-11-21 | United Epitaxy Co Ltd | Surface mounting method for high power light emitting diode |
JP2005079329A (ja) | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
US7915085B2 (en) * | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
JP2006346961A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂膜の形成方法及び光半導体装置の製造方法 |
JP2009117536A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Towa Corp | 樹脂封止発光体及びその製造方法 |
JP5324114B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-10-23 | リンテック株式会社 | 発光モジュール用シートの製造方法、発光モジュール用シート |
TWI420695B (zh) * | 2008-10-21 | 2013-12-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 化合物半導體元件之封裝模組結構及其製造方法 |
WO2011093454A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
DE202010008705U1 (de) | 2010-10-04 | 2010-12-30 | Harvatek Corp. | Arrayartiges Multi-Chip-Gehäuse für LEDs |
-
2011
- 2011-12-29 EP EP11815634.8A patent/EP2666193B1/en active Active
- 2011-12-29 JP JP2013548898A patent/JP5932835B2/ja active Active
- 2011-12-29 CN CN201180065259.9A patent/CN103443943B/zh active Active
- 2011-12-29 US US13/993,733 patent/US8907364B2/en active Active
- 2011-12-29 WO PCT/IB2011/056005 patent/WO2012101488A1/en active Application Filing
- 2011-12-29 KR KR1020137021666A patent/KR101897308B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-01-17 TW TW101101821A patent/TWI606615B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080083830A (ko) * | 2007-03-13 | 2008-09-19 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
JP2010239105A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-10-21 | Nichia Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
KR20100061132A (ko) * | 2008-11-28 | 2010-06-07 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160009691A (ko) * | 2013-05-20 | 2016-01-26 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지 |
KR20200029519A (ko) * | 2013-05-20 | 2020-03-18 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8907364B2 (en) | 2014-12-09 |
CN103443943A (zh) | 2013-12-11 |
JP5932835B2 (ja) | 2016-06-08 |
WO2012101488A1 (en) | 2012-08-02 |
EP2666193A1 (en) | 2013-11-27 |
JP2014503122A (ja) | 2014-02-06 |
TW201238092A (en) | 2012-09-16 |
EP2666193B1 (en) | 2020-07-29 |
US20130285082A1 (en) | 2013-10-31 |
KR101897308B1 (ko) | 2018-09-10 |
CN103443943B (zh) | 2017-07-21 |
WO2012101488A9 (en) | 2013-09-06 |
TWI606615B (zh) | 2017-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101897308B1 (ko) | 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법 및 그것을 포함하는 구조체 | |
EP3044809B1 (en) | Frame based package for flip-chip led | |
JP2014503122A5 (ko) | ||
EP2197051B1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing same | |
US20110062471A1 (en) | Led module with high index lens | |
JP5860289B2 (ja) | Led装置の製造方法 | |
US9726802B2 (en) | Integrated back light unit | |
KR20170012472A (ko) | 만곡된 리드 프레임 상에 장착된 led들 | |
JP2011119557A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
WO2013118076A1 (en) | Low cost encapsulated light-emitting device | |
JP2014522129A (ja) | スロット内に形成される反射壁部を備えるled混合チャンバ | |
CN105393374B (zh) | 具有光学元件并且没有衬底载体的pc led | |
JP2016521011A (ja) | ドームを有するチップスケール発光デバイスパッケージ | |
JP2012134295A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
US9209373B2 (en) | High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink | |
JP2002009347A (ja) | Led光源およびその製造方法 | |
KR20160039269A (ko) | 내부의 높은 인덱스 기둥을 가지는 led 돔 | |
KR20120085085A (ko) | 칩 온 보드형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법 | |
JP2013507011A (ja) | 変換素子を介したオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの接続方法およびオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント | |
KR20140131974A (ko) | 기판상에 주조된 캡슐로 싸인 오목부를 지닌 반도체 레이저 칩 패키지 및 그것의 형성방법 | |
KR101086997B1 (ko) | 발광 소자 패키지와 그의 제조 방법 및 그를 이용한 카메라 플래시 모듈 | |
KR100609971B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 | |
KR101250381B1 (ko) | 광패키지 및 그 제조방법 | |
JP2009043821A (ja) | 光半導体モジュール | |
JP2007042822A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AMND | Amendment | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |