KR20130141963A - Film for enhancing visibility of oled and fabrication method thereof - Google Patents

Film for enhancing visibility of oled and fabrication method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20130141963A
KR20130141963A KR1020120065128A KR20120065128A KR20130141963A KR 20130141963 A KR20130141963 A KR 20130141963A KR 1020120065128 A KR1020120065128 A KR 1020120065128A KR 20120065128 A KR20120065128 A KR 20120065128A KR 20130141963 A KR20130141963 A KR 20130141963A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
oled
visibility
polymer film
resin
Prior art date
Application number
KR1020120065128A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
송진원
김선태
Original Assignee
주식회사 큐디솔루션
한밭대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 큐디솔루션, 한밭대학교 산학협력단 filed Critical 주식회사 큐디솔루션
Priority to KR1020120065128A priority Critical patent/KR20130141963A/en
Publication of KR20130141963A publication Critical patent/KR20130141963A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/951Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95101Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies in a liquid medium
    • H01L2224/95102Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies in a liquid medium being a colloidal droplet
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Abstract

Provided are a film for enhancing visibility of OLED and a method of fabricating thereof. In particular, the present invention relates to a film for enhancing visibility of OLED capable of enhancing visibility by forming a light crystal layer containing a quantum dot inside a polymer film member to convert and output the wavelength of light exposes thereto.

Description

OLED용 시인성 향상 필름 및 그 제조방법{Film for enhancing visibility of OLED and Fabrication Method thereof}Visible visibility film for OLED and its manufacturing method {Film for enhancing visibility of OLED and Fabrication Method about}

본 발명은 OLED용 시인성 향상 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 투명한 고분자 필름기재 내부에 양자점을 포함하는 광결정층을 형성하여 입사되는 광의 파장을 변환하여 출력함으로써, 시인성을 향상시킬 수 있는 OLED용 시인성 향상 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a visibility improving film for OLED and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a visibility-improving film for OLEDs and a method of manufacturing the same, which can improve visibility by forming a photonic crystal layer including quantum dots in a transparent polymer film substrate and converting and outputting the wavelength of incident light. .

유기 발광 소자(Organic Light emitting diode: OLED)는 자발광형 소자로 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점이 있다.Organic light emitting diodes (OLEDs) are self-luminous devices that have a wide viewing angle and excellent contrast, fast response time, excellent luminance, driving voltage and response speed, and multi-coloring. .

일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.A typical organic light emitting device may have a structure in which an anode is formed on a substrate, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are sequentially formed on the anode. Here, the hole transporting layer, the light emitting layer, and the electron transporting layer are organic thin films made of organic compounds.

상기 애노드 및 캐소드 간에 전압이 인가되면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영여겡서 재결합하여 엑시톤을 생성한다. 이 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.When a voltage is applied between the anode and the cathode, holes injected from the anode move to the light emitting layer via the hole transport layer, and electrons injected from the cathode move to the light emitting layer via the electron transport layer. Carriers such as holes and electrons recombine in the light emitting layer to produce excitons. The excitons change from excited state to ground state and light is generated.

이와 같이 유기 발광 소자의 내부에서 생성된 광의 일부는 외부 환경으로 방출되고, 외광에 의하여 반사될 수도 있다. 이에 의하여 OLED의 휘도 및 콘트라스트비 저하가 일어날 수 있는바, 이에 대한 개선이 필요하다.
As described above, part of the light generated inside the organic light emitting device is emitted to the external environment, and may be reflected by external light. As a result, a decrease in luminance and contrast ratio of the OLED may occur, and an improvement thereof is required.

본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위하여, 유기 발광 소자의 내부에서 생성되는 광의 파장을 광결정층을 이용하여 미리 결정된 파장을 갖는 광을 생성함으로써 시인성이 개선되며, 박형화가 달성되는 OLED용 시인성 개선 필름 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, an object of the present invention is to improve visibility by generating light having a predetermined wavelength by using a photonic crystal layer with a wavelength of light generated inside an organic light emitting device, and visibility for OLEDs in which thinning is achieved. It is to provide an improved film and a method of manufacturing the same.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 OLED용 시인성 개선 필름은 제 1 고분자 필름기재, 상기 제 1 고분자 필름기재에 형성되며, 콜로이드 입자들을 포함하는 광결정층 및 상기 광결정층에 적층 형성되는 제 2 고분자 필름기재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In order to achieve the above object, the visibility-improving film for OLED of the present invention is formed on a first polymer film substrate, the first polymer film substrate, a photonic crystal layer including colloidal particles, and a second polymer laminated on the photonic crystal layer. It is characterized by including a film base material.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 OLED용 시인성 개선 필름의 제조방법은 (a) 제 1 고분자 필름기재를 준비하는 단계; (b) 상기 제 1 고분자 필름기재에 콜로이드 입자들을 포함하는 광결정층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 광결정층의 상부에 제 2 고분자 필름기재를 적층형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In addition, the method of manufacturing a visibility improving film for an OLED of the present invention for achieving the above object comprises the steps of (a) preparing a first polymer film substrate; (b) forming a photonic crystal layer including colloidal particles on the first polymer film substrate; And (c) laminating a second polymer film substrate on the photonic crystal layer.

본 발명에 따른 OLED용 시인성 개선필름에 의하여, 이를 사용하는 OLED의 시인성이 개선된다.By the visibility improvement film for OLED which concerns on this invention, the visibility of OLED using this is improved.

또한, 본 발명의 필름은 양자점의 크기, 종류를 변경하는 것에 의하여 OLED로부터 방출되는 광의 파장을 자유롭게 변환할 수 있다.
In addition, the film of the present invention can freely convert the wavelength of light emitted from the OLED by changing the size and type of the quantum dots.

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 OLED용 시인성 개선필름의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of the visibility improvement film for OLED according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the present embodiments to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims.

이하, 도면에 의하여 본 발명에 따른 OLED용 시인성 개선필름 및 이의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
Hereinafter, the visibility improvement film for OLED according to the present invention and a manufacturing method thereof according to the drawings will be described.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 OLED용 시인성 개선필름은 제 1 고분자 필름기재(10), 광결정층(20) 및 제 2 고분자 필름기재(30)를 포함한다.
As shown in FIG. 1, the visibility improving film for an OLED of the present invention includes a first polymer film substrate 10, a photonic crystal layer 20, and a second polymer film substrate 30.

먼저 제 1 고분자 필름기재(10)는 후술할 광결정층(20)이 형성되는 지지체의 역할이며, 투명성을 갖는 재료로 형성된다. 따라서 제 1 고분자 필름기재(10)의 재료는 투명성을 갖는다면 특별히 한정되지 않는다. First, the first polymer film substrate 10 serves as a support on which the photonic crystal layer 20 to be described later is formed, and is formed of a material having transparency. Therefore, the material of the first polymer film base material 10 is not particularly limited as long as it has transparency.

다만, 상기 제 1 고분자 필름기재(10)가 열가소성 수지 또는 UV 경화성 수지를 포함하는 경우, 별도의 접착제 내지 봉지제층 등 없이도 가압 또는 열처리 또는 UV 조사에 의해 상기 광결정층(20)과 합지하는 것이 가능하므로 바람직하다.However, when the first polymer film substrate 10 includes a thermoplastic resin or a UV curable resin, the first polymer film substrate 10 may be laminated with the photonic crystal layer 20 by pressure or heat treatment or UV irradiation without a separate adhesive or encapsulant layer. Therefore, it is preferable.

또한, 상기 제 1 고분자 필름기재(10)는 광투과성이 우수한 것이라면 본 발명에 채택가능한 바, 특별히 한정되지는 않으나 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리에틸렌프탈레이트계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리술폰계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리메틸메타크릴레이트계 수지, 아세틸셀룰로오스계 수지, 상기 수지들 중 2 이상을 포함하는 공중합체, 및 이들의 유도체를 포함한 군으로부터 선택될 수 있다.In addition, the first polymer film substrate 10 may be adopted in the present invention as long as it is excellent in light transmittance, but is not particularly limited to polyethylene terephthalate resin, polycarbonate resin, polyethylene phthalate resin, polyimide resin, Polyamide resins, polyether resins, polysulfone resins, polypropylene resins, polymethyl methacrylate resins, acetyl cellulose resins, copolymers comprising two or more of the above resins, and derivatives thereof It may be selected from the group containing.

다음으로, 본 발명의 상기 광결정층(20)은 상기 제 1 고분자 필름기재(10)에 형성되며, 콜로이드 입자들을 포함한다. Next, the photonic crystal layer 20 of the present invention is formed on the first polymer film substrate 10 and includes colloidal particles.

여기에서 상기 "콜로이드"란 물질의 분산 상태를 나타내는 용어로서, 일반적으로 분자나 이온보다 큰 미립자가 응집 또는 침전하지 않고 기체, 액체 또는 고체 중에 분산된 상태를 나타내는 용어이고, "콜로이드 입자"란 기체, 액체 또는 고체 중에 분산되어 "콜로이드" 상태로 존재하는 입자를 지칭하는 용어이다.As used herein, the term "colloid" refers to a dispersion state of a substance, and generally refers to a state in which particulates larger than molecules or ions are dispersed in a gas, a liquid, or a solid without aggregation or precipitation. The term refers to particles dispersed in a liquid or solid and present in a "colloidal" state.

본 발명에 있어서 상기 콜로이드 입자는 특히 양자점인 것이 바람직하며, 상기 양자점을 포함하는 광결정층(20)은 상기 제 1 고분자 필름기재(10)의 상부면에서 박막형태로 존재하게 된다.In the present invention, the colloidal particles are particularly preferably quantum dots, and the photonic crystal layer 20 including the quantum dots is present in the form of a thin film on the upper surface of the first polymer film substrate 10.

여기에서 상기 양자점은 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb, H 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.Here, the quantum dot is Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr , B, N, Sb, H and combinations of two or more thereof.

본 발명의 광결정층(20)은 제 1 고분자 필름기재(10)에 입사되는 광을 미리 결정된 파장의 광으로 변환하여, 파장 변환된 광을 발생시킨다. 여기에서, 미리 결정된 파장이란 본 발명의 시인성 향상 필름(100)을 통해 최종 출력하고자 하는 광의 파장을 의미하며, 이는 광결정층(20)에 포함되는 양자점의 크기에 의하여 결정된다.The photonic crystal layer 20 of the present invention converts light incident on the first polymer film substrate 10 into light having a predetermined wavelength, thereby generating wavelength converted light. Here, the predetermined wavelength means the wavelength of the light to be finally output through the visibility enhancing film 100 of the present invention, which is determined by the size of the quantum dots included in the photonic crystal layer 20.

즉, 광결정층(20)에 의한 파장 변환 기능은 광결정층(20)에 포함된 양자점에 의하여 달성되는 것이므로, 여기에서 양자점에 대하여 더욱 상세히 설명하기로 한다.That is, since the wavelength conversion function by the photonic crystal layer 20 is achieved by the quantum dots included in the photonic crystal layer 20, the quantum dots will be described in more detail here.

양자점은 수 나노 크기의 결정 구조를 갖는 물질로 양자제한 효과를 나타내는 물질이다. 양자점은 통상의 형광체보다 강한 빛을 좁은 파장대에서 발생시킨다. 양자점의 이러한 발광은 전도대에서 가전자대로 들뜬 상태의 전자가 전이하면서 발생되며, 같은 물질의 경우에도 입자 크기에 다라 파장이 달라지는 특성을 나타낸다. 양자점의 크기를 조절하면 입사되는 광을 파장변환하여 출력할 수 있는데, 양자점의 크기(직경)가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하고, 양자점의 크기가 커질수록 긴 파장의 빛을 발광한다.A quantum dot is a material having a crystal structure of several nano size, and exhibits a quantum limiting effect. Quantum dots generate light that is stronger than conventional phosphors in a narrow wavelength band. This luminescence of quantum dots is generated by the transition of electrons excited in the valence band in the conduction band, and even in the same material, the wavelength varies depending on the particle size. When the size of the quantum dot is adjusted, the incident light can be output by converting the wavelength. As the size (diameter) of the quantum dot decreases, light of short wavelength is emitted, and as the size of the quantum dot increases, light of long wavelength is emitted.

다음으로, 제 2 고분자 필름기재(30)는 상술한 제 1 고분자 필름기재(10)와 같은 재료로 형성될 수 있으며, 상술한 광결정층(20)의 상부면에 적층된다. 제 2 고분자 필름기재(30)에 관한 설명은 제 1고분자 필름기재(10)와 동일한 바, 상세히 설명하는 것은 생략한다.
Next, the second polymer film substrate 30 may be formed of the same material as the first polymer film substrate 10 described above, and is stacked on the upper surface of the photonic crystal layer 20 described above. Since the description of the second polymer film substrate 30 is the same as that of the first polymer film substrate 10, detailed description thereof will be omitted.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 시인성 개선 필름(100)은 광 파장 변환을 위한 광결정층(20)을 제 1 고분자 필름기재(10)와 제 2 고분자 필름기재(30)가 압착되어 합지된 필름 형상의 구조를 형성한다. 광결정층(20)에 포함된 양자점은 산소, 수분 등과 접촉하게 되면 손상되어 신뢰성이 떨어지므로, 광결정층(20)을 제 1 고분자 필름기재(10) 및 제 2 고분자 필름기재(30)로 밀폐하여 광결정층(20)의 수명단축을 방지하기 위함이다.
As such, in the visibility improving film 100 according to the exemplary embodiment, the first polymer film substrate 10 and the second polymer film substrate 30 are pressed and laminated on the photonic crystal layer 20 for optical wavelength conversion. To form a film-like structure. The quantum dots included in the photonic crystal layer 20 are damaged when they come in contact with oxygen, moisture, and the like, and thus the reliability thereof is decreased. Thus, the photonic crystal layer 20 is sealed with the first polymer film substrate 10 and the second polymer film substrate 30. This is to prevent shortening the life of the photonic crystal layer 20.

이하에서는 본 발명의 OLED용 시인성 개선 필름의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, the manufacturing method of the visibility improvement film for OLED of this invention is demonstrated in detail.

본 발명에 의한 OLED용 시인성 개선 필름의 제조방법은 (a) 제 1 고분자 필름기재를 준비하는 단계; (b) 상기 제 1 고분자 필름기재에 콜로이드 입자들을 포함하는 광결정층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 광결정층의 상부에 제 2 고분자 필름기재를 적층형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Method for producing a visibility improving film for an OLED according to the present invention comprises the steps of (a) preparing a first polymer film substrate; (b) forming a photonic crystal layer including colloidal particles on the first polymer film substrate; And (c) laminating a second polymer film substrate on the photonic crystal layer.

(a)단계는 제 1 고분자 필름기재를 준비하는 단계로, 제 1 고분자 필름기재에 대한 설명은 상술한 바와 같다.Step (a) is a step of preparing a first polymer film substrate, the description of the first polymer film substrate is as described above.

(b)단계는 상기 제 1 고분자 필름기재(10)에 콜로이드 입자들을 포함하는 광결정층(20)을 형성하는 단계이다. 여기에서 콜로이드 입자는 양자점인 것이 바람직하며, 광결정층(20)을 형성하기 위해서는 상기 콜로이드 입자를 분산매질에 분산시켜 형성한 용액을 도포한다. Step (b) is a step of forming the photonic crystal layer 20 including colloidal particles on the first polymer film substrate 10. Here, the colloidal particles are preferably quantum dots, and in order to form the photonic crystal layer 20, a solution formed by dispersing the colloidal particles in a dispersion medium is applied.

(b)단계에서는 상기 용액을 제 1 고분자 필름기재(10)에 도포하되, 상기 용액이 제 1 고분자 필름기재(10)의 상부면에서 박막을 형성할 수 있도록 하여야 한다. 이를 위해 상기 용액을 제 1 고분자 필름기재에 도포하기 위한 방법으로 스핀-코팅법, 졸-겔 반응법, 딥 코팅법, 금속-유기 화학적 기상 증착법 등 다양한 공지의 방법이 사용될 수 있다.
In the step (b), the solution is applied to the first polymer film base 10, so that the solution can form a thin film on the upper surface of the first polymer film base 10. To this end, various known methods such as spin-coating, sol-gel reaction, dip coating, and metal-organic chemical vapor deposition may be used as a method for applying the solution to the first polymer film substrate.

(c)단계에서는 제 2 고분자 필름기재(30)를 광결정층(20)에 합지하는 단계로, 상기 제 2 고분자 필름기재(30)에 대해서는 상술한 바 있으므로, 여기에서는 설명을 생략한다.In the step (c), the second polymer film substrate 30 is laminated on the photonic crystal layer 20. Since the second polymer film substrate 30 has been described above, the description thereof will be omitted.

(d)단계에서는 (c)단계까지 제조된 시인성 향상 필름을 절단하여 작은 절편으로 된 필름을 획득하는 단계이다. 즉, 대면적의 제 1 고분자 필름기재(10), 광결정층(20), 제 2 고분자 필름기재(30)를 형성하고, 이렇게 제조된 필름을 절단하여 복수 개의 필름을 획득한다.
Step (d) is a step of obtaining a film of small fragments by cutting the visibility enhancement film produced up to step (c). That is, the first polymer film base material 10, the photonic crystal layer 20, and the second polymer film base material 30 having a large area are formed, and the thus prepared film is cut to obtain a plurality of films.

본 발명은 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be defined by the claims.

Claims (11)

제 1 고분자 필름기재; 및
상기 제 1 고분자 필름기재에 형성되며, 콜로이드 입자들을 포함하는 광결정층; 및
상기 광결정층에 적층 형성되는 제 2 고분자 필름기재를 포함하는 OLED용 시인성 향상 필름.
A first polymer film substrate; And
A photonic crystal layer formed on the first polymer film substrate and including colloidal particles; And
The visibility improvement film for OLED containing the 2nd polymer film base material laminated | stacked on the said photonic crystal layer.
제 1항에 있어서,
상기 콜로이드 입자는 양자점인 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름.
The method of claim 1,
The colloidal particles are visibility improvement film for OLED, characterized in that the quantum dots.
제 1항에 있어서,
상기 콜로이드 입자는 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb, H 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 양자점인 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름.
The method of claim 1,
The colloidal particles are Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, It is B, N, Sb, H, and the visibility improvement film for OLED characterized by the above-mentioned.
제 1항에 있어서,
상기 제 1 고분자 필름기재 및 제 2 고분자 필름기재 중 적어도 어느 하나는 열가소성 수지 또는 UV경화성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름.
The method of claim 1,
At least one of the first polymer film base material and the second polymer film base material is a visibility improvement film for OLED, characterized in that it comprises a thermoplastic resin or a UV curable resin.
제 1항에 있어서,
상기 제 1 고분자 필름기재 및 제 2 고분자 필름기재 중 적어도 어느 하나는 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리에틸렌프탈레이트계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리술폰계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리메틸메타크릴레이트계 수지, 아세틸셀룰로오스계 수지, 상기 수지들 중 2 이상을 포함하는 공중합체, 및 이들의 유도체를 포함한 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름.
The method of claim 1,
At least one of the first polymer film substrate and the second polymer film substrate is polyethylene terephthalate resin, polycarbonate resin, polyethylene phthalate resin, polyimide resin, polyamide resin, polyether resin, polysul Visibility for the OLED, characterized in that selected from the group comprising a cyclic resin, polypropylene resin, polymethyl methacrylate resin, acetyl cellulose resin, a copolymer comprising two or more of the above resins, and derivatives thereof Enhancement film.
(a) 제 1 고분자 필름기재를 준비하는 단계;
(b) 상기 제 1 고분자 필름기재에 콜로이드 입자들을 포함하는 광결정층을 형성하는 단계; 및
(c) 상기 광결정층의 상부에 제 2 고분자 필름기재를 적층형성하는 단계를 포함하는 OLED용 시인성 향상 필름의 제조방법.
(a) preparing a first polymer film substrate;
(b) forming a photonic crystal layer including colloidal particles on the first polymer film substrate; And
(c) a method of manufacturing a visibility improving film for OLED, comprising laminating a second polymer film substrate on top of the photonic crystal layer.
제 6항에 있어서,
상기 콜로이드 입자는 양자점인 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름의 제조방법.
The method according to claim 6,
The colloidal particle is a manufacturing method of the visibility improving film for OLED, characterized in that the quantum dot.
제 6항에 있어서,
상기 콜로이드 입자는 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb, H 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 양자점인 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름의 제조방법.
The method according to claim 6,
The colloidal particles are Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb, H, and a method for producing a visibility-improving film for OLED, characterized in that the quantum dot selected from the group consisting of two or more of these.
제 6항에 있어서,
상기 (b)단계는 상기 콜로이드 입자들을 포함하는 용액을 상기 제 1 고분자 기재필름에 도포하여 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름의 제조방법.
The method according to claim 6,
The step (b) is a method of manufacturing a visibility improving film for OLED, characterized in that to form a thin film by applying a solution containing the colloidal particles to the first polymer base film.
제 9항에 있어서,
상기 박막은 상기 제 1 고분자 기재필름에 스핀 코팅법으로 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름의 제조방법.
The method of claim 9,
The thin film is a method of manufacturing a visibility improving film for OLED, characterized in that formed by applying a spin coating method to the first polymer base film.
제 9항에 있어서,
상기 (c)단계 이후에,
(d) 상기 OLED용 시인성 향상 필름을 절단하여 복수개의 절편으로 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED용 시인성 향상 필름의 제조방법.
The method of claim 9,
After step (c),
(d) cutting the visibility enhancing film for OLED to form a plurality of fragments;
Method for producing a visibility-improving film for OLED, characterized in that it further comprises.
KR1020120065128A 2012-06-18 2012-06-18 Film for enhancing visibility of oled and fabrication method thereof KR20130141963A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120065128A KR20130141963A (en) 2012-06-18 2012-06-18 Film for enhancing visibility of oled and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120065128A KR20130141963A (en) 2012-06-18 2012-06-18 Film for enhancing visibility of oled and fabrication method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130141963A true KR20130141963A (en) 2013-12-27

Family

ID=49985739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120065128A KR20130141963A (en) 2012-06-18 2012-06-18 Film for enhancing visibility of oled and fabrication method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130141963A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016085298A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 주식회사 아모그린텍 Quantum dot film and manufacturing method therefor
US9806275B2 (en) 2014-11-17 2017-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090127291A (en) * 2007-02-27 2009-12-10 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Oled with colour conversion
JP2011502333A (en) * 2007-10-30 2011-01-20 イーストマン コダック カンパニー Device containing quantum dots without blinking
KR20110136676A (en) * 2010-06-14 2011-12-21 삼성엘이디 주식회사 Light emitting device package using quantum dot, illumination apparatus and dispaly apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090127291A (en) * 2007-02-27 2009-12-10 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Oled with colour conversion
JP2011502333A (en) * 2007-10-30 2011-01-20 イーストマン コダック カンパニー Device containing quantum dots without blinking
KR20110136676A (en) * 2010-06-14 2011-12-21 삼성엘이디 주식회사 Light emitting device package using quantum dot, illumination apparatus and dispaly apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9806275B2 (en) 2014-11-17 2017-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
WO2016085298A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 주식회사 아모그린텍 Quantum dot film and manufacturing method therefor
CN107209416A (en) * 2014-11-28 2017-09-26 阿莫绿色技术有限公司 Quantum dot film and its manufacture method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7564067B2 (en) Device having spacers
US9267664B2 (en) Patterned color conversion film and display device using the same
TWI403209B (en) Electroluminescent device having improved light output
KR100734842B1 (en) Organic-inorganic hybrid nanocomposite thin films for high-powered and/or broadband photonic device applications and methods for fabticating the same and photonic device having the thin films
WO2016061840A1 (en) White light oled device structure
US10692941B2 (en) Organic light emitting diode display
WO2012014629A1 (en) Sealing film and organic light emitting diode using same
US20180047791A1 (en) Display device
JP2008507809A5 (en)
JP2008507809A (en) Top emission electroluminescent component comprising at least one organic layer
JP2009514178A (en) Structured luminescence conversion layer
US20180241005A1 (en) Distributed bragg reflector on color conversion layer with micro cavity for blue oled lighting application
Wang et al. Laser patterning of Y 3 Al 5 O 12: Ce 3+ ceramic phosphor platelets for enhanced forward light extraction and angular color uniformity of white LEDs
JP2013118171A (en) Organic light emitting display device and manufacturing method of the same
Ma et al. Nanoantenna‐enhanced light‐emitting diodes: Fundamental and recent progress
CN110335960B (en) OLED display panel, preparation method thereof and display device
US10115932B2 (en) Method of designing electroluminescent device, electroluminescent device manufactured with the design method, and method of manufacturing electroluminescent device with the design method
KR20120133062A (en) Quantum Dot Film and Fabrication Method thereof
KR20130141963A (en) Film for enhancing visibility of oled and fabrication method thereof
TW201440263A (en) Optical device and method for manufacturing the same
US20180248147A1 (en) Fabrication of color conversion layer by adhesive transfer method
EP2860152B1 (en) Method for fabricating microstructure to generate surface plasmon waves
US9774012B2 (en) Organic light-emitting component
US10147907B2 (en) Organic light emitting component with a plurality of nanostructures projecting into an emitter layer
JP2009266449A (en) Organic el element

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application