KR20130127151A - A baffle and an apparatus for treating a substrate with the baffle - Google Patents

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KR20130127151A
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Abstract

The present invention is to provide a baffle and an apparatus for treating a substrate with the baffle. The baffle has an injection plate with an injection hole for spraying plasma, and a fixing plate fixed at a process chamber for surrounding the injection plate. The radical penetration rate of the material of the injection plate is greater than the radical penetration rate of the material of the fixing plate. The brittleness of the material of the injection plate is greater than the brittleness of the material of the fixing plate.

Description

배플 및 이를 가지는 기판 처리 장치{A baffle and an apparatus for treating a substrate with the baffle}A baffle and an apparatus for treating a substrate with the baffle}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus and a method for processing a substrate using plasma.

반도체 소자의 제조를 위해서는 증착, 사진, 식각, 애싱, 세정, 연마 등 다양한 공정이 요구된다. 증착, 식각, 그리고 애싱 공정과 같이 많은 공정은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 처리한다. Manufacturing of semiconductor devices requires various processes such as deposition, photography, etching, ashing, cleaning, and polishing. Many processes, such as deposition, etching, and ashing processes, utilize plasma to process semiconductor substrates such as wafers.

플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정을 수행하는 장치의 일 예는 한국공개특허 2011-61334에 개시되어 있다. 상기 장치는 플라즈마 생성부와 공정 공간 사이에 배플을 가지고, 배플은 전기적으로 접지된다. 일반적으로 플라즈마는 라디칼(radical), 이온(ion), 그리고 전자(electron) 등으로 구성된다. 배플은 일부의 이온 및 전자를 흡수하고, 라디칼은 기판이 제공된 영역으로 통과시켜 웨이퍼 표면의 포토레지스트, 자연산화막, 또는 화학적으로 생성된 산화막을 제거한다.An example of an apparatus for performing a substrate treating process using plasma is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 2011-61334. The apparatus has a baffle between the plasma generator and the process space, the baffle being electrically grounded. In general, a plasma is composed of radicals, ions, and electrons. The baffle absorbs some of the ions and electrons, and the radicals pass through the area provided with the substrate to remove photoresist, native oxide, or chemically generated oxide on the wafer surface.

일반적으로 배플은 나사에 의해 챔버에 결합되므로, 배플에는 체결 홀이 형성된다. 배플은 체결 홀 가공시 깨지지 않도록 기계적 강도가 높은 알루미늄(Al)이나 산화막을 입힌 알루미늄(Anodizing Al)과 같은 단일의 재질로 제조된다. 그러나 알루미늄이나 산화막을 입힌 알루미늄 재질을 사용하는 경우 라디칼 통과량이 적어서 포토레지스트나 산화막의 제거율이 낮다. In general, the baffle is coupled to the chamber by a screw, so that a fastening hole is formed in the baffle. The baffle is made of a single material such as aluminum (Al) having high mechanical strength or aluminum coated with an oxide (Anodizing Al) so as not to be broken during processing of the fastening hole. However, in the case of using aluminum or aluminum coated with an oxide film, the radical passing amount is low, so that the removal rate of the photoresist or oxide film is low.

본 발명의 실시 예들은 새로운 구조의 배플 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention provide a baffle having a new structure and a substrate processing apparatus having the same.

또한, 본 발명은 라디칼 통과량이 우수하고, 동시에 외부 구조물에 체결을 위한 체결 홀을 용이하게 가공할 수 있는 배플 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다. In addition, the present invention is to provide a baffle and substrate processing apparatus having the same that can be easily processed the fastening hole for fastening to the external structure, and excellent in the amount of radical passing.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 반응실 및 상기 반응실의 상부에 제공된 플라즈마 발생실을 가지는 공정 챔버와; 상기 반응실 내에 배치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 플라즈마 발생실로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 플라즈마 발생실로 공급된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와; 그리고 상기 반응실과 상기 플라즈마 발생실 사이에 위치되며, 상기 플라즈마 발생실에서 발생된 플라즈마를 상기 반응실로 공급하도록 제공되는 복수의 분사 홀이 형성된 배플을 구비한다. 상기 배플은 상기 분사 홀이 형성된 분사 판과; 상기 분사 판의 둘레에 위치되며 상기 분사 판에 결합되는, 그리고 상기 공정 챔버에 고정되는 고정 판을 구비한다. 상기 분사 판은 제 1 재질로 제공되고, 상기 고정 판은 상기 제 1 재질과 상이한 제 2 재질로 제공된다. The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a process chamber having a reaction chamber and a plasma generation chamber provided above the reaction chamber; A support unit disposed in the reaction chamber and supporting a substrate; A gas supply unit supplying gas to the plasma generation chamber; A plasma source for generating a plasma from a gas supplied to the plasma generation chamber; And a baffle positioned between the reaction chamber and the plasma generation chamber and having a plurality of injection holes provided to supply plasma generated in the plasma generation chamber to the reaction chamber. The baffle includes an injection plate on which the injection hole is formed; And a stationary plate positioned around the spray plate and coupled to the spray plate and fixed to the process chamber. The injection plate is provided of a first material, and the fixing plate is provided of a second material different from the first material.

일 예에 의하면, 상기 고정 판은 링 형상으로 제공될 수 있다. 상기 고정 판에는 체결 홀이 형성되고, 상기 배플은 상기 체결 홀을 통해 삽입되는 체결 부재를 통해 상기 공정 챔버에 고정될 수 있다. According to one example, the fixing plate may be provided in a ring shape. A fastening hole is formed in the fixing plate, and the baffle may be fixed to the process chamber through a fastening member inserted through the fastening hole.

일 예에 의하면 상기 고정 판은 링 형상으로 제공되는 상판과; 상기 상판의 아래에서 상기 상판과 대향 되게 제공되는 하판을 구비하고, 상기 분사 판은 상기 상판과 상기 하판 사이에 제공될 수 있다. 상기 상판은 상기 분사 판의 둘레를 감싸도록 제공되는 상판 측부와; 상기 상판 측부 중 상부 영역에서 내측으로 돌출되는 상판 돌출부를 포함하고, 상기 하판은 상기 분사 판의 둘레를 감싸도록 제공되는 하판 측부와; 상기 상판 측부 중 하부 영역에서 내측으로 돌출되는 하판 돌출부를 포함하며, 상기 분사 판의 가장자리 영역은 상기 상판 돌출부, 상기 상판 측부, 상기 하판 측부, 그리고 상기 하판 돌출부에 의해 형성된 공간에 삽입될 수 있다. 상기 체결 홀은 상기 상판 측부에 형성된 상부 홀 및 상기 상부 홀로부터 연장되도록 상기 하판 측부에 형성된 하부 홀에 의해 제공될 수 있다. According to one example the fixing plate is a top plate provided in a ring shape; The lower plate is provided below the upper plate to face the upper plate, and the injection plate may be provided between the upper plate and the lower plate. The upper plate and the upper plate side portion provided to surround the circumference of the injection plate; A lower plate side part including an upper plate protrusion protruding inwardly from an upper region of the upper plate side part, wherein the lower plate is provided to surround a circumference of the injection plate; And a lower plate protrusion protruding inwardly from a lower region of the upper plate side, and an edge region of the injection plate may be inserted into a space formed by the upper plate protrusion, the upper plate side, the lower plate side, and the lower plate protrusion. The fastening hole may be provided by an upper hole formed in the upper plate side and a lower hole formed in the lower plate side to extend from the upper hole.

일 예에 의하면, 상기 고정 판은 그 내측 면에 상기 배플의 가장자리 영역이 삽입되는 홈이 형성될 수 있다. According to one example, the fixing plate may be formed with a groove in which the edge region of the baffle is inserted into the inner surface.

일 에에 의하면, 상기 고정 판과 상기 분사 판은 접착제에 의해 결합될 수 있다. In some embodiments, the fixing plate and the spray plate may be coupled by an adhesive.

일 예에 의하면, 상기 배플은 도전성 재질로 제공되어 상기 공정 챔버에 접촉되고, 상기 공정 챔버는 접지될 수 있다. In example embodiments, the baffle may be made of a conductive material to be in contact with the process chamber, and the process chamber may be grounded.

일 예에 의하면, 상기 제 1 재질은 상기 제 2 재질에 비해 라디칼 통과율이 높은 재질로 제공되고, 상기 제 2 재질은 상기 제 1 재질에 비해 취성(brittleness)에 강한 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제 1 재질은 석영(SiO2)을 포함하는 재질로 제공되고, 상기 제 2 재질은 알루미늄(Al) 또는 양극 처리된 알루미늄(Anodizing Al)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. According to an example, the first material may be provided as a material having a higher radical pass rate than the second material, and the second material may be provided as a material having stronger brittleness than the first material. For example, the first material may be provided as a material including quartz (SiO 2), and the second material may be provided as a material including aluminum (Al) or anodized aluminum.

또한, 본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에 제공되며, 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛의 상부에 배치되며, 플라즈마가 통과하는 분사 홀이 형성된 배플을 구비한다. 상기 배플은 상기 분사 홀이 형성된 분사 판과; 상기 분사 판을 감싸도록 제공되며, 상기 공정 챔버에 고정되는 고정 판을 구비한다. 상기 분사 판은 상기 고정 판에 비해 라디칼 통과율이 높은 재질로 제공된다. 상기 고정 판은 상기 분사 판에 비해 취성에 강한 재질로 제공될 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus of the present invention includes a process chamber; A support unit provided in the process chamber and supporting a substrate; A baffle is disposed above the support unit and has a spray hole through which plasma passes. The baffle includes an injection plate on which the injection hole is formed; It is provided to surround the injection plate, and has a fixed plate fixed to the process chamber. The injection plate is provided with a material having a higher radical pass rate than the fixed plate. The fixing plate may be provided of a material that is more brittle than the spray plate.

또한, 본 발명은 배플을 제공한다. 상기 배플은 상하로 관통된 홀이 형성된 분사 판과; 상기 분사 판에 결합되며 상기 분사 판을 감싸도록 제공되는, 그리고 외부 구조물과 체결을 위한 체결 홀이 형성된 고정 판을 포함한다. 상기 분사 판과 상기 고정 판은 서로 상이한 재질로 제공된다. 상기 분사 판은 상기 고정 판에 비해 라디칼 통과율이 더 높은 재질로 제공될 수 있다. 또한, 상기 고정 판은 상기 분사 판에 비해 취성(brittleness)에 강한 재질로 제공될 수 있다. The present invention also provides a baffle. The baffle may include a spray plate having a hole penetrating up and down; And a fixing plate coupled to the spray plate and provided to surround the spray plate, and having a fastening hole for fastening with the external structure. The spray plate and the fixed plate are provided with different materials from each other. The injection plate may be provided of a material having a higher radical pass rate than the fixed plate. In addition, the fixing plate may be provided with a material that is stronger in brittleness than the spray plate.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 배플의 결합 상태를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 1의 배플의 분해 상태를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 1의 배플의 단면도이다.
도 5는 도 1의 배플이 공정 챔버에 장착된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 2의 배플의 다른 실시 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 7은 도 6의 배플의 단면도이다.
도 8은 도 1의 배플의 또 다른 실시 예를 보여주는 부분 사시도이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view illustrating a coupling state of the baffle of FIG. 1. FIG.
3 is a perspective view illustrating an exploded state of the baffle of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view of the baffle of FIG. 1.
5 is a cross-sectional view illustrating a state in which the baffle of FIG. 1 is mounted in a process chamber.
6 is an exploded perspective view illustrating another embodiment of the baffle of FIG. 2.
7 is a cross-sectional view of the baffle of FIG. 6.
8 is a partial perspective view illustrating still another embodiment of the baffle of FIG. 1.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

본 발명의 실시 예에서 기판은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the substrate may be a semiconductor wafer. However, the substrate is not limited to this, and the substrate may be another kind of substrate such as a glass substrate.

또한, 본 발명의 실시 예에서 기판 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판 처리 장치는 애싱 공정과 같이 플라즈마를 이용하여 기판에 대해 소정의 처리를 하는 다른 종류의 공정을 수행하는 장치일 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus will be described using an apparatus for etching a substrate using plasma as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate processing apparatus may be an apparatus that performs another kind of process of performing a predetermined process on a substrate using plasma, such as an ashing process.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상의 박막을 식각한다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 etches a thin film on the substrate W using plasma. The thin film may be various kinds of films, such as a polysilicon film, a silicon oxide film, and a silicon nitride film. Further, the thin film may be a natural oxide film or a chemically produced oxide film.

기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(process chamber, 100), 지지 유닛(support unit, 200), 가스 공급 유닛(300)(gas supply unit), 플라즈마 소스(400, plasma source), 그리고 배플(500, baffle)을 가진다. The substrate processing apparatus 1 may include a process chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and a baffle 500. , baffle).

공정 챔버(100)는 처리실(120)과 플라즈마 발생실(140)을 가진다. 처리실(120)은 플라즈마에 의해 기판(W)이 처리되는 공간(121)을 제공한다. 플라즈마 발생실(140)은 공정 가스로부터 플라즈마가 발생되는 공간(149)을 제공한다. The process chamber 100 has a processing chamber 120 and a plasma generating chamber 140. The process chamber 120 provides a space 121 in which the substrate W is processed by plasma. The plasma generation chamber 140 provides a space 149 in which plasma is generated from the process gas.

처리실(120)은 내부에 상부가 개방된 공간(121)을 가진다. 처리실(120)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 처리실(120)의 측벽에는 개구(도시되지 않음)가 형성된다. 기판(W)은 개구를 통하여 처리실(120) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 처리실(120)의 바닥면에는 배기 홀(122)이 형성된다. 배기 홀(122)에는 배기 라인(126)이 연결된다. 배기 라인(126)에는 펌프(128)가 설치된다. 펌프(128)는 처리실(120) 내 압력을 공정 압력으로 조절한다. 처리실(120) 내 잔류 가스 및 반응 부산물은 배기 라인(126)을 통해 처리실(120) 외부로 배출된다. 처리실(120)의 외측에 월 히터(129)가 제공될 수 있다. 월 히터(129)는 코일 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 월 히터(129)는 공정 챔버(100)의 외벽 내부에 제공될 수 있다. The process chamber 120 has a space 121 having an upper portion opened therein. The process chamber 120 may be provided in a generally cylindrical shape. An opening (not shown) is formed in the side wall of the processing chamber 120. The substrate W enters into the process chamber 120 through the opening. The opening can be opened and closed by an opening / closing member such as a door (not shown). An exhaust hole 122 is formed in the bottom surface of the processing chamber 120. An exhaust line 126 is connected to the exhaust hole 122. The pump 128 is installed in the exhaust line 126. The pump 128 adjusts the pressure in the process chamber 120 to a process pressure. Residual gases and reaction byproducts in the process chamber 120 are discharged out of the process chamber 120 through the exhaust line 126. The wall heater 129 may be provided outside the processing chamber 120. The wall heater 129 may be provided in a coil shape. Optionally, the wall heater 129 may be provided inside the outer wall of the process chamber 100.

플라즈마 발생실(140)은 처리실(120)의 외부에 위치한다. 일 예에 의하면, 플라즈마 발생실(140)은 처리실(120)의 상부에 위치되며 처리실(120)에 결합된다. 플라즈마 발생실(140)은 가스 포트(142), 방전실(144), 그리고 확산실(146)을 가진다. 가스 포트(142), 방전실(144), 그리고 확산실(146)은 위에서부터 아래를 향하는 방향으로 순차적으로 제공된다. 가스 포트(142)는 외부로부터 가스를 공급받는다. 방전실(144)은 중공의 원통 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때 방전실(144) 내 공간(149)은 처리실(120) 내 공간(121)보다 좁게 제공된다. 방전실(144) 내에서 가스로부터 플라즈마가 발생된다. 확산실(146)은 방전실(144)에서 발생된 플라즈마를 처리실(120)로 공급한다. 확산실(146) 내 공간은 아래로 갈수록 점진적으로 넓어지는 부분을 가진다. 확산실(146)의 하단은 처리실(120)의 상단과 결합되며, 이들 사이에는 외부와의 밀폐를 위해 실링 부재(도시되지 않음)가 제공된다. The plasma generation chamber 140 is located outside the processing chamber 120. In one example, the plasma generating chamber 140 is located above the processing chamber 120 and is coupled to the processing chamber 120. The plasma generation chamber 140 has a gas port 142, a discharge chamber 144, and a diffusion chamber 146. The gas port 142, the discharge chamber 144, and the diffusion chamber 146 are sequentially provided in a direction from top to bottom. The gas port 142 receives gas from the outside. The discharge chamber 144 has a hollow cylindrical shape. As viewed from the top, the space 149 in the discharge chamber 144 is provided narrower than the space 121 in the process chamber 120. Plasma is generated from the gas in the discharge chamber 144. The diffusion chamber 146 supplies the plasma generated in the discharge chamber 144 to the processing chamber 120. The space in the diffusion chamber 146 has a portion that gradually widens downward. The lower end of the diffusion chamber 146 is coupled to the upper end of the process chamber 120, and a sealing member (not shown) is provided between the diffusion chambers and the outside to seal the outside.

공정 챔버(100)는 도전성 재질로 제공된다. 공정 챔버(100)는 접지라인(123)을 통해 접지될 수 있다. The process chamber 100 is provided with a conductive material. The process chamber 100 may be grounded through the ground line 123.

지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 지지판(220)과 지지축(240)을 가진다. 지지판(220)은 공간(121) 내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 지지판(220)은 지지축(240)에 의해 지지된다. 기판(W)은 지지판(220)의 상면에 놓인다. 지지판(220)의 내부에는 전극(미도시)이 제공되고, 기판(W)은 정전기력에 의해 기판(W)에 지지 될 수 있다. 지지판(220)의 내부에는 가열 부재(222)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(222)는 열선으로 제공될 수 있다. 또한, 지지판(220)의 내부에는 냉각 부재(224)가 제공될 수 있다. 냉각 부재(224)는 냉각수가 흐르는 냉각라인으로 제공될 수 있다. 가열 부재(222)는 기판(W)을 기 설정된 온도로 가열하고, 냉각 부재(224)는 기판(W)을 강제 냉각시킨다. The support unit 200 supports the substrate (W). The support unit 200 has a support plate 220 and a support shaft 240. The support plate 220 is located in the space 121 and is provided in a disc shape. The support plate 220 is supported by the support shaft 240. The substrate W is placed on the top surface of the support plate 220. An electrode (not shown) is provided inside the support plate 220, and the substrate W may be supported by the substrate W by an electrostatic force. The heating member 222 may be provided inside the support plate 220. According to one example, the heating member 222 may be provided as a hot wire. In addition, the cooling member 224 may be provided inside the support plate 220. The cooling member 224 may be provided as a cooling line through which cooling water flows. The heating member 222 heats the substrate W to a preset temperature, and the cooling member 224 forcibly cools the substrate W.

가스 공급 유닛(300)은 제 1 가스 공급 부재(320)와 제 2 가스 공급 부재(340)를 가진다. The gas supply unit 300 has a first gas supply member 320 and a second gas supply member 340.

제 1 가스 공급 부재(320)는 제 1 가스 공급라인(322) 및 제 1 가스 저장부(324)를 가진다. 제 1 가스 공급라인(322)은 가스 포트(142)에 결합된다. 가스 포트(142)를 통해 공급된 제 1 가스는 방전실(144)로 유입되고, 방전실(144)에서 플라즈마로 여기된다. 제 1 가스는 이불화메탄(CH2F2, Difluoromethane), 질소(N2), 그리고 산소(O2)를 포함할 수 있다. 선택적으로 제 1 가스는 사불화탄소(CF4, Tetrafluoromethane) 등 다른 종류의 가스를 더 포함할 수 있다.The first gas supply member 320 has a first gas supply line 322 and a first gas storage part 324. The first gas supply line 322 is coupled to the gas port 142. The first gas supplied through the gas port 142 flows into the discharge chamber 144 and is excited with plasma in the discharge chamber 144. The first gas may include difluoromethane (CH 2 F 2 ), nitrogen (N 2 ), and oxygen (O 2 ). Optionally, the first gas may further include other kinds of gases such as carbon tetrafluoride (CF 4 , Tetrafluoromethane).

제 2 가스 공급 부재(340)는 제 2 가스 공급라인(342) 및 제 2 가스 저장부(344)를 가진다. 제 2 가스는 제 1 가스로부터 발생된 플라즈마가 처리실(120)로 흐르는 경로 상에 공급된다. 일 예에 의하면, 제 2 가스 공급라인(342)은 후술하는 안테나(420)보다 아래 영역에서 방전실(144)에 결합된다. 제 2 소스 가스는 삼불화질소(NF3, Nitrogen trifluoride)를 포함할 수 있다. The second gas supply member 340 has a second gas supply line 342 and a second gas storage unit 344. The second gas is supplied on a path through which plasma generated from the first gas flows into the processing chamber 120. In an example, the second gas supply line 342 is coupled to the discharge chamber 144 in a region below the antenna 420 to be described later. The second source gas may include nitrogen trifluoride (NF 3).

상술한 구조로 인해 제 1 가스는 전력에 의해 직접 플라즈마로 여기되고, 제 2 가스는 제 1 가스와의 반응에 의해 플라즈마로 여기된다. Due to the above-described structure, the first gas is directly excited to the plasma by electric power, and the second gas is excited to the plasma by reaction with the first gas.

상술한 예에서 제 1 가스와 제 2 가스의 종류는 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 제 2 가스 공급 부재(340)의 제공 없이 제 1 가스 공급 부재(320)만 제공될 수 있다.In the above-described example, the type of the first gas and the second gas may be variously changed. In addition, only the first gas supply member 320 may be provided without providing the second gas supply member 340.

플라즈마 소스(400)는 방전실(144)에서 제 1 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 일 예에 의하면, 플라즈마 소스(400)는 유도 결합형 플라즈마 소스(400)일 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(420)와 전원(440)을 가진다. 안테나(420)는 방전실(144)의 외부에 제공되며 방전실(144)을 복수 회 감싸도록 제공된다. 안테나(420)의 일단은 전원(440)에 연결되고, 타단은 접지된다. 전원(440)은 안테나(420)에 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전원(440)은 안테나(420)에 고주파 전력을 인가할 수 있다.The plasma source 400 generates plasma from the first gas in the discharge chamber 144. According to one example, the plasma source 400 may be an inductively coupled plasma source 400. The plasma source 400 has an antenna 420 and a power source 440. The antenna 420 is provided outside the discharge chamber 144 and is provided to surround the discharge chamber 144 a plurality of times. One end of the antenna 420 is connected to the power source 440, the other end is grounded. The power source 440 applies power to the antenna 420. According to an example, the power source 440 may apply high frequency power to the antenna 420.

배플(500)은 처리실(120)과 플라즈마 발생실(140) 사이에 위치된다. 배플(500)은 플라즈마가 기판(W)에 공급될 때 처리실(120) 내 전체 영역에서 플라즈마의 밀도와 흐름을 균일하게 유지한다. 배플(500)은 접지된다. 일 예에 의하면, 배플(500)은 공정 챔버(100)에 접촉되도록 제공되어, 공정 챔버(100)를 통해 접지될 수 있다. 선택적으로 배플(500)은 별도의 접지 라인에 직접 연결될 수 있다. 따라서 배플(500)에 의해 라디칼은 처리실(120)로 공급되고, 이온과 전자는 처리실(120) 내로 유입이 방해된다. The baffle 500 is located between the processing chamber 120 and the plasma generating chamber 140. The baffle 500 maintains the density and flow of the plasma uniformly in the entire area of the processing chamber 120 when the plasma is supplied to the substrate W. The baffle 500 is grounded. In an example, the baffle 500 may be provided to contact the process chamber 100, and may be grounded through the process chamber 100. Optionally, the baffle 500 may be directly connected to a separate ground line. Therefore, radicals are supplied to the process chamber 120 by the baffle 500, and ions and electrons are prevented from entering the process chamber 120.

배플(500)은 공정 챔버(100)에 고정된다. 일 예에 의하면, 배플(500)은 플라즈마 발생실(140)의 하단에 결합될 수 있다. 도 2 내지 도 4는 배플(500)의 일 실시 예를 보여준다. 도 2는 배플(500)이 결합된 상태를 보여주는 사시도이고, 도 3은 배플(500)이 분리된 상태를 보여주는 사시도이며, 도 4는 배플(500)의 단면도이다. The baffle 500 is fixed to the process chamber 100. According to an example, the baffle 500 may be coupled to the lower end of the plasma generation chamber 140. 2 to 4 show one embodiment of the baffle 500. 2 is a perspective view illustrating a state in which the baffle 500 is coupled, FIG. 3 is a perspective view illustrating a state in which the baffle 500 is separated, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the baffle 500.

도 2 내지 도 4를 참고하면, 배플(500)은 분사 판(520)과 고정 판(540)을 가진다. 2 to 4, the baffle 500 has a spray plate 520 and a fixed plate 540.

분사 판(520)은 원판 형상으로 제공된다. 분사 판(520)은 대체로 기판(W)과 유사한 직경으로 제공될 수 있다. 분사 판(520)에는 그 상단부터 하단까지 연장되는 분사 홀들(522)이 형성된다. 분사 홀들(522)은 분사 판(520)의 각 영역에 대체로 동일한 밀도로, 그리고 동일한 직경으로 형성될 수 있다. 선택적으로 분사 홀들(522)은 분사 판(520)의 영역에 따라 상이한 밀도로 형성될 수 있다. 또한, 분사 홀들(522)은 분사 판(520)의 영역에 따라 상이한 직경으로 형성될 수 있다. 플라즈마는 분사 홀(522)을 통해 플라즈마 발생실(140)에서 처리실(120)로 공급된다.The jet plate 520 is provided in a disc shape. The jet plate 520 may be provided with a diameter substantially similar to the substrate (W). The injection plate 520 is formed with injection holes 522 extending from the top to the bottom thereof. The injection holes 522 may be formed at substantially the same density and the same diameter in each area of the injection plate 520. Optionally, the injection holes 522 may be formed at different densities according to the area of the injection plate 520. In addition, the injection holes 522 may be formed to have different diameters according to the area of the injection plate 520. The plasma is supplied from the plasma generation chamber 140 to the processing chamber 120 through the injection hole 522.

고정 판(540)은 분사 판(520)에 결합된다. 고정 판(540)은 링 형상을 가지며 분사 판(520)을 감싸도록 제공된다. 고정 판(540)에는 체결 홀들(542)이 형성된다. 체결 홀(542)은 고정 판(540)의 길이 방향을 따라 균일한 간격으로 복수 개 제공된다. 체결 홀(542)은 상하 방향으로 관통된 통공으로 제공될 수 있다. 체결 홀(542)의 내주 면에는 나사 산이 형성될 수 있다. 배플(500)은 체결 홀(542)을 통해 삽입되는 체결 부재(590)들에 의해 공정 챔버(100)에 고정된다. 체결 부재(590)로는 나사가 사용될 수 있다.The fixed plate 540 is coupled to the spray plate 520. The fixed plate 540 has a ring shape and is provided to surround the spray plate 520. Fastening holes 542 are formed in the fixing plate 540. A plurality of fastening holes 542 are provided at uniform intervals along the length direction of the fixing plate 540. The fastening hole 542 may be provided as a through hole penetrated in the vertical direction. A thread may be formed on an inner circumferential surface of the fastening hole 542. The baffle 500 is fixed to the process chamber 100 by fastening members 590 inserted through the fastening holes 542. A screw may be used as the fastening member 590.

실험에 의하면, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 알루미늄(Al), 그리고 양극 처리된 알루미늄(Anodizing Al) 각각의 단일 재질로 된 배플에 대해 라디칼 통과량을 측정했을 때, 석영, 알루미늄, 양극 처리된 알루미늄, 그리고 알루미나의 순서대로 라디칼 통과량이 우수하였다. 그러나 라디칼 통과량이 우수한 석영 재질의 배플에 체결 홀을 가공했을 때 석영은 취성에 약해서 잘 깨진다. 실험에 의하면, 석영, 알루미나, 알루미늄, 그리고 양극 처리된 알루미늄 각각의 단일 재질로 된 배플에 대해 취성을 측정하였을 때, 알루미늄, 양극 처리된 알루미늄, 알루미나, 그리고 석영 순으로 취성에 강하였다.Experiments have shown that when baffles of single material of quartz, alumina (Al2O3), aluminum (Al), and anodized aluminum are measured, the amount of radical passage is measured. The amount of radical passing was excellent in the order of the treated aluminum and alumina. However, when a fastening hole is processed in a quartz baffle having a high radical flow rate, quartz is brittle and brittle. According to the experiment, when brittleness was measured for a single baffle of quartz, alumina, aluminum, and anodized aluminum, the brittle was strong in the order of aluminum, anodized aluminum, alumina, and quartz.

본 발명의 실시 예에서, 분사 판(520)에는 분사 홀(522)이 형성되므로 라디칼을 잘 통과시켜야 한다. 또한, 고정 판(540)에는 체결 홀(542)이 형성되므로 가공이 쉬워야 한다. 또한, 고정 판(540)은 분사 판(520)을 감싸도록 제공되어 배플(500)의 외형을 이루므로 취급이 쉬어야 한다. 따라서 분사 판(520)은 고정 판(540)에 비해 상대적으로 라디칼 통과량이 많은 제 1 재질로 제공된다. 또한, 고정 판(540)은 분사 판(520)에 비해 상대적으로 취성이 강한 제 2 재질로 제공된다. 예컨대, 제 1 재질은 석영 또는 석영을 포함하는 재질이고, 제 2 재질은 알루미늄, 양극 처리된 알루미늄, 또는 이들 중 어느 하나를 포함하는 재질 일 수 있다. 그러나 고정 판(540) 및 분사 판(520)의 재질은 상술한 예로 한정되지 않으며, 라디칼 통과량 및 취성을 고려하여 다양하게 선택될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the injection plate 520 is formed because the injection hole 522 is to pass the radicals well. In addition, the fastening hole 542 is formed in the fixing plate 540, so processing should be easy. In addition, the fixing plate 540 is provided so as to surround the injection plate 520 to form the outline of the baffle 500 should be easy to handle. Therefore, the injection plate 520 is provided with a first material having a relatively large amount of radical passage compared to the fixed plate 540. In addition, the fixing plate 540 is provided with a second material that is relatively brittle than the injection plate 520. For example, the first material may be quartz or a material containing quartz, and the second material may be aluminum, anodized aluminum, or a material including any one of them. However, the material of the fixed plate 540 and the injection plate 520 is not limited to the above-described examples, and may be variously selected in consideration of the radical passing amount and brittleness.

다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 고정 판(540)은 상판(560)과 하판(580)을 가진다. 상판(560)과 하판(580)은 각각 환형의 링 형상으로 제공된다. 상판(560)은 상판 측부(564)와 상판 돌출부(566)를 가진다. 상판 측부(564)는 환형의 링 형상을 가지며, 그 내면의 직경은 대체로 분사 판(520)의 직경과 동일하게 제공된다. 상판 돌출부(566)는 환형의 링 형상을 가지며 상판 측부(564) 중 상부 영역에서 내측으로 돌출된다. 하판(580)은 하판 측부(584)와 하판 돌출부(586)를 가진다. 하판 측부(584)는 대체로 상판 측부(564)와 동일한 형상 및 크기로 제공된다. 하판 돌출부(586)는 하판 측부(584) 중 하부 영역에서 내측으로 돌출된다. 하판 돌출부(586)는 대체로 상판 돌출부(566)와 동일한 형상 및 크기로 제공된다. 상판 측부(564), 상판 돌출부(566), 하판 측부(584), 그리고 하판 돌출부(586)에 의해 고정 판(540)의 내측면에는 환형의 링 형상의 홈(544)이 형성된다. 2 to 4, the fixing plate 540 has an upper plate 560 and a lower plate 580. The upper plate 560 and the lower plate 580 are each provided in an annular ring shape. The top plate 560 has a top plate side portion 564 and a top plate protrusion 566. Top plate side 564 has an annular ring shape, the diameter of the inner surface of which is generally provided equal to the diameter of injection plate 520. The upper plate protrusion 566 has an annular ring shape and protrudes inward from the upper region of the upper plate side portion 564. The bottom plate 580 has a bottom plate side 584 and a bottom plate protrusion 586. Bottom plate side 584 is generally provided in the same shape and size as top plate side 564. The lower plate protrusion 586 protrudes inward from the lower region of the lower plate side 584. Lower plate protrusion 586 is generally provided in the same shape and size as top plate protrusion 566. An annular ring-shaped groove 544 is formed on the inner surface of the fixing plate 540 by the upper plate side 564, the upper plate protrusion 566, the lower plate side 584, and the lower plate protrusion 586.

분사 판(520)은 상판(560)과 하판(580) 사이에 제공되며, 홈(544)은 분사 판(520)의 가장자리 영역이 삽입되는 공간으로 제공된다. 홈(544)은 높이는 대체로 분사 판(520)의 두께와 동일하게 제공된다. 상술한 구조로 인해, 분사 판(520), 상판(560), 그리고 하판(580)이 조립된 상태에서 상부에서 바라볼 때 분사 판(520)의 가장자리 영역은 상판 돌출부(566)과 중첩되게 위치되고, 하부에서 바라볼 때 분사 판(520)의 가장자리 영역은 하판 돌출부(586)와 중첩되게 위치된다. The injection plate 520 is provided between the upper plate 560 and the lower plate 580, and the groove 544 is provided as a space into which the edge region of the injection plate 520 is inserted. The groove 544 is provided with a height approximately equal to the thickness of the jet plate 520. Due to the above-described structure, the edge region of the injection plate 520 is positioned to overlap with the upper plate protrusion 566 when the injection plate 520, the upper plate 560, and the lower plate 580 are viewed from the top when assembled. When viewed from the bottom, the edge region of the jet plate 520 is positioned to overlap the lower plate protrusion 586.

상판 측부(564)에는 복수의 상부 홀(562)이 형성된다. 하판 측부(584)에는 복수의 하부 홀(582)이 형성된다. 상부 홀(562)과 하부 홀(582)은 서로 동일한 수로 제공된다. 복수의 하부 홀(582)은 복수의 상부 홀(562)과 각각 마주보는 위치에 형성된다. 하나의 상부 홀(562)과 하나의 하부 홀(582)의 조합은 상술한 체결 홀(542)로서 기능한다. The upper side 564 is provided with a plurality of upper holes 562. The lower plate side portion 584 is provided with a plurality of lower holes 582. The upper hole 562 and the lower hole 582 are provided in the same number to each other. The plurality of lower holes 582 are formed at positions facing the plurality of upper holes 562, respectively. The combination of one upper hole 562 and one lower hole 582 functions as the fastening hole 542 described above.

도 5는 도 2의 배플(500)이 공정 챔버(100)에 고정된 상태를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 분사 판(520)은 상판(560)과 하판(580) 사이에 위치되고, 상판(560)과 하판(580)을 서로 접촉된다. 이후 상판(560)의 상부 홀(562)과 하판(580)의 하부 홀(582)이 서로 정렬된다. 체결 부재(590)가 하부 홀(582)과 상부 홀(562)을 관통된 후, 체결 부재(590)는 공정 챔버(100)에 형성된 나사 홈에 체결된다. 5 is a cross-sectional view illustrating a state in which the baffle 500 of FIG. 2 is fixed to the process chamber 100. Referring to FIG. 5, the injection plate 520 is positioned between the upper plate 560 and the lower plate 580, and the upper plate 560 and the lower plate 580 are in contact with each other. Thereafter, the upper hole 562 of the upper plate 560 and the lower hole 582 of the lower plate 580 are aligned with each other. After the fastening member 590 passes through the lower hole 582 and the upper hole 562, the fastening member 590 is fastened to a screw groove formed in the process chamber 100.

도 6과 도 7은 배플(500a)의 다른 예를 보여주는 도면이다. 도 6은 배플(500a)의 분해 사시도이고, 도 7은 도 6의 배플(500a)의 단면도이다. 도 6과 도 7을 참조하면, 배플(500a)은 분사 판(520a)과 고정 판(540a)을 가진다. 도 6의 배플(500a)은 고정 판(540a)의 형상을 제외하고는 대체로 도 2의 배플(500)과 유사하게 제공된다. 고정 판(540a)은 제 1 몸체(560a)와 제 2 몸체(580a)를 가진다. 제 1 몸체(560a)와 제 2 몸체(580a)는 각각 대체로 중심각이 180 도인 원호 형상을 가진다. 제 1 몸체(560a)와 제 2 몸체(580a)는 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가진다. 제 1 몸체(560a)와 제 2 몸체(580a) 각각의 내면에는 분사 판(520a)의 가장자리 영역이 삽입되는 홈(544a)이 형성된다. 또한, 제 1 몸체(560a)와 제 2 몸체(580a) 각각에는 상술한 체결 홀(542a)이 형성된다. 6 and 7 illustrate another example of the baffle 500a. 6 is an exploded perspective view of the baffle 500a, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the baffle 500a of FIG. 6 and 7, the baffle 500a has a spray plate 520a and a fixed plate 540a. The baffle 500a of FIG. 6 is provided similarly to the baffle 500 of FIG. 2 except for the shape of the fixed plate 540a. The fixing plate 540a has a first body 560a and a second body 580a. The first body 560a and the second body 580a each have an arc shape having a central angle of about 180 degrees. The first body 560a and the second body 580a are combined with each other to have an annular ring shape. Inner surfaces of each of the first body 560a and the second body 580a are formed with a groove 544a into which an edge region of the injection plate 520a is inserted. In addition, the above-described fastening hole 542a is formed in each of the first body 560a and the second body 580a.

도 8은 배플(500b)의 또 다른 예를 보여주는 부분 사시도이다. 도 8을 참조하면, 배플(500b)은 분사 판(520b)과 고정 판(540b)을 가진다. 고정 판(540b)은 대체로 일체로 된 환형의 링으로 제공된다. 분사 판(520b)의 외면은 접착제(550b)에 의해 고정 판(540)의 내면에 접착될 수 있다. 선택적으로 분사 판(520b)은 강제 끼움 방식으로 고정 판(540b)에 삽입될 수 있다.8 is a partial perspective view showing another example of the baffle 500b. Referring to FIG. 8, the baffle 500b has a spray plate 520b and a fixed plate 540b. The stationary plate 540b is provided in a generally annular annular ring. The outer surface of the jet plate 520b may be adhered to the inner surface of the fixing plate 540 by the adhesive 550b. Optionally, the injection plate 520b may be inserted into the fixed plate 540b in a forced fitting manner.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100 : 공정 챔버 120 : 처리실
140 : 플라즈마 발생실 200 : 지지 유닛
300 : 가스 공급 유닛 400 : 플라즈마 소스
500 : 배플 520 : 분사 판
540 : 고정 판 560 : 상판
580 : 하판100: process chamber 120: process chamber
140: plasma generating chamber 200: support unit
300: gas supply unit 400: plasma source
500: baffle 520: jet plate
540: fixed plate 560: top plate
580: bottom plate

Claims (24)

반응실 및 상기 반응실의 상부에 제공된 플라즈마 발생실을 가지는 공정 챔버와;
상기 반응실 내에 배치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 플라즈마 발생실로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 플라즈마 발생실로 공급된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와;
상기 반응실과 상기 플라즈마 발생실 사이에 위치되며, 상기 플라즈마 발생실에서 발생된 플라즈마를 상기 반응실로 공급하도록 제공되는 복수의 분사 홀이 형성된 배플을 구비하되,
상기 배플은,
상기 분사 홀이 형성된 분사 판과;
상기 분사 판의 둘레에 위치되며 상기 분사 판에 결합되는, 그리고 상기 공정 챔버에 고정되는 고정 판을 구비하되,
상기 분사 판은 제 1 재질로 제공되고, 상기 고정 판은 상기 제 1 재질과 상이한 제 2 재질로 제공되는 기판 처리 장치.A process chamber having a reaction chamber and a plasma generating chamber provided above the reaction chamber;
A support unit disposed in the reaction chamber and supporting a substrate;
A gas supply unit supplying gas to the plasma generation chamber;
A plasma source for generating a plasma from a gas supplied to the plasma generation chamber;
A baffle disposed between the reaction chamber and the plasma generation chamber, the baffle having a plurality of injection holes provided to supply the plasma generated in the plasma generation chamber to the reaction chamber,
The baffle,
An injection plate on which the injection hole is formed;
A fixed plate positioned around the spray plate and coupled to the spray plate and fixed to the process chamber,
The spray plate is provided with a first material, and the fixing plate is provided with a second material different from the first material. 제 1 항에 있어서,
상기 고정 판은 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The fixing plate is provided in a ring shape. 제 2 항에 있어서,
상기 고정 판에는 체결 홀이 형성되고,
상기 배플은 상기 체결 홀을 통해 삽입되는 체결 부재를 통해 상기 공정 챔버에 고정되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The fixing plate is formed with a fastening hole,
And the baffle is fixed to the process chamber through a fastening member inserted through the fastening hole. 제 3 항에 있어서,
상기 고정 판은,
링 형상으로 제공되는 상판과;
상기 상판의 아래에서 상기 상판과 대향되게 제공되는 하판을 구비하고,
상기 분사 판은 상기 상판과 상기 하판 사이에 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3, wherein
The fixing plate,
A top plate provided in a ring shape;
A lower plate provided below the upper plate so as to face the upper plate,
The spray plate is provided between the upper plate and the lower plate. 제 4 항에 있어서,
상기 상판은,
상기 분사 판의 둘레를 감싸도록 제공되는 상판 측부와;
상기 상판 측부 중 상부 영역에서 내측으로 돌출되는 상판 돌출부를 포함하고,
상기 하판은,
상기 분사 판의 둘레를 감싸도록 제공되는 하판 측부와;
상기 상판 측부 중 하부 영역에서 내측으로 돌출되는 하판 돌출부를 포함하며,
상기 분사 판의 가장자리 영역은 상기 상판 돌출부, 상기 상판 측부, 상기 하판 측부, 그리고 상기 하판 돌출부에 의해 형성된 공간에 삽입되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The above-
An upper plate side portion provided to surround a circumference of the jet plate;
A top plate protrusion protruding inwardly from an upper region of the top plate side portion,
The lower plate,
A lower plate side portion provided to surround a circumference of the spray plate;
A lower plate protrusion protruding inwardly from a lower region of the upper plate side portion,
The edge region of the jetting plate is inserted into a space formed by the upper plate protrusion, the upper plate side, the lower plate side, and the lower plate protrusion. 제 5 항에 있어서,
상기 체결 홀은 상기 상판 측부에 형성된 상부 홀 및 상기 상부 홀로부터 연장되도록 상기 하판 측부에 형성된 하부 홀에 의해 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 5, wherein
And the fastening hole is provided by an upper hole formed in the upper plate side and a lower hole formed in the lower plate side to extend from the upper hole. 제 1 항에 있어서,
상기 고정 판은 그 내측면에 상기 배플의 가장자리 영역이 삽입되는 홈이 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The fixing plate is a substrate processing apparatus having a groove in which the edge region of the baffle is formed on the inner side. 제 1 항에 있어서,
상기 고정 판과 상기 분사 판은 접착제에 의해 결합되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And the fixed plate and the spray plate are joined by an adhesive. 제 1 항에 있어서,
상기 배플은 도전성 재질로 제공되어 상기 공정 챔버에 접촉되고,
상기 공정 챔버는 접지되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The baffle is provided with a conductive material to be in contact with the process chamber,
And the process chamber is grounded. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 재질은 상기 제 2 재질에 비해 라디칼 통과율이 높은 재질로 제공되고,
상기 제 2 재질은 상기 제 1 재질에 비해 취성(brittleness)에 강한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 9,
The first material is provided as a material having a higher radical pass rate than the second material,
The second material is a substrate processing apparatus provided with a material stronger in brittleness than the first material. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 재질은 석영(SiO2)을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 9,
The first material is a substrate processing apparatus provided with a material containing quartz (SiO2). 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 재질은 알루미늄(Al) 또는 양극 처리된 알루미늄(Anodizing Al)을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The second material is a substrate processing apparatus provided with a material containing aluminum (Al) or anodized aluminum (Anodizing Al). 공정 챔버와;
상기 공정 챔버 내에 제공되며, 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛의 상부에 배치되며, 플라즈마가 통과하는 분사 홀이 형성된 배플을 구비하되,
상기 배플은,
상기 분사 홀이 형성된 분사 판과;
상기 분사 판을 감싸도록 제공되며, 상기 공정 챔버에 고정되는 고정 판을 구비하되,
상기 분사 판은 상기 고정 판에 비해 라디칼 통과율이 높은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.A process chamber;
A support unit provided in the process chamber and supporting a substrate;
It is disposed on the support unit, and provided with a baffle in which the injection hole for the plasma passes,
The baffle,
An injection plate on which the injection hole is formed;
It is provided to surround the injection plate, provided with a fixed plate fixed to the process chamber,
The injection plate is a substrate processing apparatus provided with a material having a higher radical pass rate than the fixed plate. 제 13 항에 있어서,
상기 고정 판은 상기 분사 판에 비해 취성에 강한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 13,
The fixing plate is provided with a material that is more brittle than the spray plate. 제 14 항에 있어서,
상기 분사 판은 석영(quartz) 재질로 제공되고, 상기 고정 판은 알루미늄(Al) 또는 양극 처리된 알루미늄(Anodizing Al)으로 제공되는 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
And the spray plate is made of quartz and the fixing plate is made of aluminum (Al) or anodized aluminum. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 고정 판은 링 형상으로 제공되고,
상기 고정 판의 내측면에는 상기 분사 판의 가장자리 영역이 삽입되는 홈이 형성되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 13 to 15,
The fixing plate is provided in a ring shape,
And a groove into which an edge region of the jet plate is inserted, on an inner side surface of the fixing plate. 제 16 항에 있어서,
상기 배플은 상기 고정 판에 형성된 체결 홀을 통해 삽입되는 체결 부재에 의해 상기 공정 챔버에 고정되는 기판 처리 장치.17. The method of claim 16,
And the baffle is fixed to the process chamber by a fastening member inserted through a fastening hole formed in the fixed plate. 배플에 있어서,
상하로 관통된 홀이 형성된 분사 판과;
상기 분사 판에 결합되며 상기 분사 판을 감싸도록 제공되는, 그리고 외부 구조물과 체결을 위한 체결 홀이 형성된 고정 판을 포함하되,
상기 분사 판과 상기 고정 판은 서로 상이한 재질로 제공되는 배플.In the baffle,
An injection plate having a hole penetrating up and down;
A fixing plate coupled to the spray plate and provided to surround the spray plate, and having a fastening hole for fastening with an external structure,
The baffle of the injection plate and the fixed plate is provided with a different material from each other. 제 18 항에 있어서,
상기 분사 판은 상기 고정 판에 비해 라디칼 통과율이 더 높은 재질로 제공되는 배플.The method of claim 18,
The baffle plate is provided with a material having a higher radical pass rate than the fixed plate. 제 19 항에 있어서,
상기 고정 판은 상기 분사 판에 비해 취성(brittleness)에 강한 재질로 제공되는 배플.The method of claim 19,
The fixing plate is a baffle provided with a material resistant to brittleness compared to the spray plate. 제 18 항에 있어서,
상기 분사 판은 석영(quartz)을 포함하는 재질로 제공되는 배플.The method of claim 18,
The injection plate is a baffle provided with a material containing quartz. 제 21 항에 있어서,
상기 고정 판은 알루미늄(Al) 또는 양극 처리된 알루미늄(Anodizing Al)을 포함하는 재질로 제공되는 배플.22. The method of claim 21,
The fixing plate is a baffle provided with a material containing aluminum (Al) or anodized aluminum (Anodizing Al). 제 18 항 내지 제 22 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 고정 판은 링 형상으로 제공되고,
상기 고정 판의 내측면에는 상기 분사 판의 가장자리 영역이 삽입되는 홈이 형성되는 배플.The method according to any one of claims 18 to 22,
The fixing plate is provided in a ring shape,
The baffle is formed on the inner surface of the fixing plate is a groove into which the edge region of the injection plate is inserted. 제 18 항 내지 제 22 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 고정 판은 상판 및 하판을 포함하고,
상기 상판은,
상기 분사 판의 둘레를 감싸도록 제공되는 상판 측부와;
상기 상판 측부 중 상부 영역에서 내측으로 돌출되는 상판 돌출부를 포함하고,
상기 하판은,
상기 분사 판의 둘레를 감싸도록 제공되는 하판 측부와;
상기 상판 측부 중 하부 영역에서 내측으로 돌출되는 하판 돌출부를 포함하며,
상기 분사 판의 가장자리 영역은 상기 상판 돌출부, 상기 상판 측부, 상기 하판 측부, 그리고 상기 하판 돌출부에 의해 형성된 공간에 삽입되는 배플.The method according to any one of claims 18 to 22,
The fixing plate includes an upper plate and a lower plate,
The above-
An upper plate side portion provided to surround a circumference of the jet plate;
A top plate protrusion protruding inwardly from an upper region of the top plate side portion,
The lower plate,
A lower plate side portion provided to surround a circumference of the spray plate;
A lower plate protrusion protruding inwardly from a lower region of the upper plate side portion,
An edge region of the jet plate is inserted into a space formed by the upper plate protrusion, the upper plate side portion, the lower plate side portion, and the lower plate protrusion.
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