KR100931329B1 - Injection nozzle unit and plasma substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

소스가스 분사량을 균일하게 유지하고, 플라즈마의 밀도가 균일하게 발생시키는 플라즈마 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명은, 한 종류 또는 두 종류 이상의 소스가스를 기판의 중앙 부분과 가장자리 부분에 균일한 양으로 분사할 수 있는 분사노즐유닛을 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치가 개시된다. 특히, 상기 분사노즐유닛은 기판의 가장자리를 향해 유선형의 완곡부를 갖는 가스유로가 구비되어, 기판 가장자리로 향하는 가스 유동을 원활하게 하고, 원뿔대 형상의 분사노즐유닛이 회전함에 따라 분사되는 소스가스의 양을 균일하게 유지시키고, 그에 따라 프로세스 챔버 내부에 발생하는 플라즈마 밀도의 균일도를 향상시킬 수 있다. 더불어, 플라즈마에 의한 기판의 표면처리 효율과 품질을 향상시키는 효과가 있다.A plasma substrate processing apparatus for maintaining a uniform source gas injection amount and generating a uniform plasma density is disclosed. The present invention discloses a plasma substrate processing apparatus having a spray nozzle unit capable of spraying one or two or more kinds of source gases in a uniform amount to a central portion and an edge portion of a substrate. In particular, the injection nozzle unit is provided with a gas flow path having a streamlined curved portion toward the edge of the substrate to facilitate the gas flow toward the substrate edge, the amount of source gas injected as the truncated cone nozzle injection nozzle unit rotates Can be maintained uniformly, thereby improving the uniformity of the plasma density occurring inside the process chamber. In addition, there is an effect of improving the surface treatment efficiency and quality of the substrate by the plasma.

플라즈마 기판 처리 장치, HDP, CVD, 분사노즐, 회전노즐 Plasma Substrate Processing Equipment, HDP, CVD, Injection Nozzle, Rotary Nozzle

Description

분사노즐유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치{NOZZLE UNIT AND APPARTUS OF PLASMA PROCESSING FOR SUBSTRATE HAVING THE NOZZLE UNIT}Injection nozzle unit and plasma substrate processing apparatus having the same {NOZZLE UNIT AND APPARTUS OF PLASMA PROCESSING FOR SUBSTRATE HAVING THE NOZZLE UNIT}

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판의 표면처리를 하는 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소스가스를 균일하게 분사하여 플라즈마의 밀도와 균일성을 향상시키기 위한 분사노즐유닛과 상기 분사노즐유닛을 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for surface treatment of a substrate using plasma, and more particularly, comprising a spray nozzle unit and the spray nozzle unit for uniformly spraying source gas to improve the density and uniformity of plasma. A plasma substrate processing apparatus.

플라즈마는 직류(DC)나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유전자에 의해 발생되며, 여기된 자유전자는 가스분자와 충돌하여 이온(ion)이나 전자(electron), 라디칼(radical)과 같은 활성족(active species)을 발생시킨다. 그리고 상기 활성족은 전기장 혹은 자기장이 인가되면 플라즈마 내에서 혹은 플라즈마와 접하고 있는 물체의 표면상으로 상기 활성족 입자들이 가속되거나 확산됨에 따라, 상기 물체와 상기 활성족 입자 사이에 화학적 및 물리적 반응이 발생하여 물체 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이 활성족(플라즈마)에 의해 물질의 표면 특성을 변화시키는 것을 '표면처리'라고 한다.Plasma is generated by free electrons excited by direct current (DC) or high frequency electromagnetic fields, and the excited free electrons collide with gas molecules to generate active species such as ions, electrons, and radicals. species). When the active group or the magnetic field is applied, chemical and physical reactions occur between the object and the active group particles as the active group particles are accelerated or diffused in the plasma or on the surface of the object in contact with the plasma. To change the properties of the object surface. In this way, the surface property of the material is changed by the active group (plasma) is called 'surface treatment'.

일반적으로 반도체 제조 공정에서의 플라즈마 처리 방법이란 반응 물질을 플 라즈마 상태로 만들어 기판 상에 박막을 형성하거나, 플라즈마 상태의 반응 물질을 이용하여 기판의 표면을 세정(cleaning), 애싱(ashing) 또는 식각(etching) 처리하는 것을 말한다.In general, a plasma processing method in a semiconductor manufacturing process refers to forming a thin film on a substrate by forming a reactive material in a plasma state, or cleaning, ashing, or cleaning the surface of the substrate using a reactive material in a plasma state. Etching process.

최근 반도체 제조 공정에서 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세가공의 요구가 증가하고 있다. 즉, sub-micron급의 미세 패턴에 있어서 균일한 두께의 박막을 형성하거나, 식각 또는 애싱과 같은 표면처리 품질의 향상이 중요하며, 이는 고밀도 플라즈마를 이용하여 향상시킬 수 있다. 특히, 반도체 기판의 직경이 8 인치를 초과하는 대구경 웨이퍼 사용이 증가함에 따라, 플라즈마 처리 장치 내에서 플라즈마 밀도를 균일하게 형성하는 것에 대한 요구도 커지고 있다.Recently, as the degree of integration of semiconductor devices increases in the semiconductor manufacturing process, the demand for micromachining increases. That is, in the sub-micron class fine pattern, it is important to form a thin film having a uniform thickness or to improve the surface treatment quality such as etching or ashing, which can be improved by using a high density plasma. In particular, as the use of large-diameter wafers with diameters of semiconductor substrates exceeding 8 inches increases, the demand for uniform plasma density in a plasma processing apparatus also increases.

그러나, 종래의 플라즈마 처리 장치는 소스가스가 유입되는 부분과 나머지 다른 부분에서의 소스가스의 밀도가 불균일하여, 상기 기판의 플라즈마 표면처리 결과가 불량해지는 문제점이 있었다. 그리고, 이와 같은 불균일은 기판의 크기가 커질수록 더욱 심화된다. 따라서, 기판에 대해 균일하게 소스가스를 공급할 수 있는 플라즈마 처리 장치에 대한 요구가 점차 증가하고 있다.However, the conventional plasma processing apparatus has a problem in that the density of the source gas in the portion into which the source gas is introduced and the other portions is uneven, resulting in poor plasma surface treatment of the substrate. Such nonuniformity is intensified as the size of the substrate increases. Therefore, there is a growing demand for a plasma processing apparatus capable of uniformly supplying source gas to a substrate.

한편, 기존의 플라즈마 기판 처리 장치는 유입되는 소스가스의 상당량이 플라즈마로 변화되지 못하므로, 소스가스의 소비량이 크고, 신속하게 소스가스 및 플라즈마를 기판으로 공급하지 못하는 문제점 있다. 그리고, 이로 인해 상기 기판에 대한 표면처리 속도가 저하되는 문제점이 있었다.On the other hand, in the conventional plasma substrate processing apparatus, since a considerable amount of the incoming source gas is not changed into plasma, the consumption of the source gas is large and there is a problem in that the source gas and the plasma cannot be supplied to the substrate quickly. And, due to this there was a problem that the surface treatment rate for the substrate is lowered.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 기판 처리 장치에 있어서, 기판의 중앙 부분과 가장자리 부분까지 소스가스를 균일하게 공급하여 균일하게 표면처리를 할 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in the plasma substrate processing apparatus, there is provided a plasma substrate processing apparatus capable of uniformly surface treatment by uniformly supplying source gas to the center portion and the edge portion of the substrate. It is to.

또한, 본 발명은 플라즈마의 발생 효율을 향상시키고, 소스가스의 유량을 균일하게 하여 상기 소스가스의 플라즈마 전환 효율을 향상시키고, 소스가스의 소모량을 절감할 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a plasma substrate processing apparatus that can improve the generation efficiency of the plasma, uniform the flow rate of the source gas to improve the plasma conversion efficiency of the source gas, and reduce the consumption of the source gas. .

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 플라즈마 기판 처리 장치에 있어서, 소스가스를 기판의 가장자리 부분까지 균일하게 분사하는 분사노즐유닛을 개시한다. 상세하게는, 상기 분사노즐유닛은,기판의 중심 부분으로 제1 소스가스를 분사하는 제1 가스유로, 상기 제1 가스유로의 둘레에 형성되어 상기 기판의 가장자리 부분으로 제2 소스가스를 분사하고 유선형 단면을 갖는 제2 가스유로 및 상기 제2 가스유로를 따라 유동하는 상기 제2 소스가스에 의해 상기 제1 가스유로 내부의 상기 제1 소스가스가 상기 제2 가스유로로 유입되도록 상기 제1 가스유로와 상기 제2 가스유로를 연통시키는 제3 가스유로를 포함하여 구성된다. 그리고 상기 분사노즐유닛은 하부로 갈수록 단면적이 증가하는 원뿔대 형태를 갖고 회전 가능하게 형성된 회전체 형태를 가질 수 있다.According to embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, in the plasma substrate processing apparatus, the injection nozzle unit for uniformly injecting the source gas to the edge of the substrate is disclosed. Specifically, the injection nozzle unit is a first gas flow path for injecting the first source gas to the center portion of the substrate, is formed around the first gas flow path to inject a second source gas to the edge portion of the substrate The first gas so that the first source gas inside the first gas passage flows into the second gas passage by the second gas passage having a streamlined cross section and the second source gas flowing along the second gas passage; And a third gas flow passage communicating the flow path with the second gas flow passage. The injection nozzle unit may have a truncated conical shape in which a cross-sectional area increases toward a lower portion thereof and is rotatably formed.

실시예에서, 상기 분사노즐유닛은 상기 회전체의 중심을 관통하여 상기 제1 가스유로가 형성되고, 상기 회전체의 외주면을 따라 상기 제2 가스유로가 형성된다.In an embodiment, the injection nozzle unit is formed through the center of the rotating body the first gas flow path, the second gas flow path is formed along the outer peripheral surface of the rotating body.

실시예에서, 상기 제2 가스유로를 따라 유동하는 소스가스에 의해 상기 제1 가스유로 내부의 소스가스가 상기 제2 가스유로로 유입되도록 형성된 제3 가스유로가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제3 가스유로는 상기 제1 가스유로와 상기 제2 가스유로를 연통시키도록 형성되고, 상기 제1 가스유로보다 작은 직경을 갖는다.In an embodiment, a third gas passage may be formed such that the source gas inside the first gas passage enters the second gas passage by the source gas flowing along the second gas passage. Here, the third gas passage is formed to communicate the first gas passage and the second gas passage, and has a diameter smaller than that of the first gas passage.

한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 상술한 분사노즐유닛을 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치가 구비된다. 상세하게는, 상기 플라즈마 기판 처리 장치는, 기판이 수용되고, 플라즈마 발생 공간을 제공하는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어, 상기 기판을 지지하는 서셉터, 상기 프로세스 챔버로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부, 상기 프로세스 챔버 일측에 구비되어, 상기 소스가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 전극부를 포함하고, 상기 소스가스를 상기 기판의 가장자리 부분까지 균일하게 분사하는 분사노즐유닛을 포함한다.On the other hand, according to other embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, there is provided a plasma substrate processing apparatus having the above-described injection nozzle unit. In detail, the plasma substrate processing apparatus includes a process chamber in which a substrate is accommodated and provides a plasma generation space, a susceptor provided in the process chamber to support the substrate, and a source supplying source gas to the process chamber. And a gas supply unit and an electrode unit provided at one side of the process chamber to excite the source gas in a plasma state, and uniformly inject the source gas to an edge portion of the substrate.

본 발명에 따르면, 첫째, 기판의 중심을 향하는 유로와, 기판의 가장자리를 향하는 유로를 구비함으로써, 소스가스를 효율적으로 균일하게 분사할 수 있다. 따라서, 균일한 밀도를 갖는 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 기판의 표면처리 공정의 효율 및 결과 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판의 표면처리 속도를 증가시킬 수 있다.According to the present invention, first, by providing a flow path toward the center of the substrate and a flow path toward the edge of the substrate, the source gas can be efficiently and uniformly injected. Therefore, it is possible to generate a plasma having a uniform density, it is possible to improve the efficiency and result quality of the surface treatment process of the substrate. In addition, it is possible to increase the surface treatment speed of the substrate.

둘째, 분사노즐유닛을 회전시킴으로써 기판의 가장자리 부분까지 소스가스가 균일하게 분사될 수 있다.Second, the source gas can be uniformly injected to the edge of the substrate by rotating the injection nozzle unit.

또한, 소스가스를 프로세스 챔버 내의 플라즈마 발생영역으로 신속하고 큰 손실 없이 공급할 수 있고, 소스가스의 불필요한 소비를 줄일 수 있다.In addition, the source gas can be supplied to the plasma generating region in the process chamber quickly and without large loss, and unnecessary consumption of the source gas can be reduced.

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이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사노즐유닛을 설명하기 위한 사시도이고, 도 3은 상기 분사노즐유닛의 단면도이다. 그리고, 도 4는 도 2의 분사노즐유닛의 회전체의 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a plasma substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a perspective view for explaining a spray nozzle unit according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the spray nozzle unit. 4 is a perspective view of a rotating body of the injection nozzle unit of FIG. 2.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치에 대해 설명한다.Hereinafter, a plasma substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1을 참조하면, 플라즈마 기판 처리 장치(100)는 프로세스 챔버(110), 서셉터(120), 소스가스 공급부(140), 전극부(150) 및 분사노즐유닛(160)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the plasma substrate processing apparatus 100 includes a process chamber 110, a susceptor 120, a source gas supply unit 140, an electrode unit 150, and an injection nozzle unit 160.

본 발명에서 플라즈마 기판 처리 장치(100)는 플라즈마(P)를 이용하여 기판(10)에 대한 표면처리를 수행하는 장치를 말한다. 여기서, 표면처리라 함은 상기 기판(10) 표면과 플라즈마(P)의 이온 또는 라디칼을 반응시킴으로써 상기 기판(10) 표면 특성을 변화시키는 것을 말한다.In the present invention, the plasma substrate processing apparatus 100 refers to an apparatus for performing a surface treatment on the substrate 10 by using the plasma (P). Here, the surface treatment refers to changing the surface characteristics of the substrate 10 by reacting the surface of the substrate 10 with ions or radicals of the plasma P.

예를 들어, 상기 기판(10)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(10)은 LCD, PDP와 같은 평판 디스플레이 장치용 유리기판일 수 있다.For example, the substrate 10 may be a silicon wafer that becomes a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate 10 may be a glass substrate for a flat panel display device such as an LCD and a PDP.

상기 소스가스는 상기 기판(10)의 종류 또는 표면처리 공정의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 표면처리 공정은 표면개질(surface modification), Si 식각, 포토레지스트 식각, 살균 및 증착 중 어느 하나의 공정일 수 있다.The source gas may vary depending on the type of the substrate 10 or the type of surface treatment process. For example, the surface treatment process may be any one of surface modification, Si etching, photoresist etching, sterilization and deposition.

이하, 본 발명에서는, 반도체 기판에 대한 화학기상증착 공정을 수행하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착(high density plasma chemical vapor deposition, HDP CVD) 장치를 예로 들어 설명하기로 한다.Hereinafter, a high density plasma chemical vapor deposition (HDP CVD) apparatus performing a chemical vapor deposition process on a semiconductor substrate will be described as an example.

그러나, 본 발명이 화학기상증착에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따른 플라즈마 기판 처리 장치는 건식 세정이나 식각 및 애싱과 같은 다른 형태의 플라즈마 처리 장치에 이용될 수도 있을 것이다.However, the present invention is not limited to chemical vapor deposition, and the plasma substrate processing apparatus according to the present invention may be used for other types of plasma processing apparatus such as dry cleaning, etching and ashing.

상기 프로세스 챔버(110)는 상기 기판(10)이 수용되어, 상기 기판(10)에 대한 표면처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 예를 들어, 상기 프로세스 챔버(110)는 상기 기판(10)에 대응되는 원기둥 형태를 갖는다.The process chamber 110 may accommodate the substrate 10 to provide a space in which a surface treatment process is performed on the substrate 10. For example, the process chamber 110 may have a cylindrical shape corresponding to the substrate 10.

상기 프로세스 챔버(110)는 상기 기판(10)의 표면처리를 위한 플라즈마(P)가 발생되는 소정의 공간을 제공한다.The process chamber 110 provides a predetermined space in which the plasma P for surface treatment of the substrate 10 is generated.

여기서, 상기 플라즈마(P)는 진공에 가까운 저압 분위기에서 형성될 수 있다. 그리고, 상기 프로세스 챔버(110)는 진공을 유지할 수 있는 밀폐 구조를 갖는다.The plasma P may be formed in a low pressure atmosphere close to a vacuum. In addition, the process chamber 110 has a sealed structure capable of maintaining a vacuum.

상기 전극부(150)는 상기 프로세스 챔버(110) 일측에 구비되어 상기 프로세스 챔버(110) 내부에 전기장을 발생시키고, 상기 소스가스를 플라즈마(P) 상태로 여기시킨다. 또한, 상기 전극부(150)는 상기 발생된 플라즈마(P)를 상기 프로세스 챔버(110) 내로 제공하는 역할을 한다.The electrode unit 150 is provided at one side of the process chamber 110 to generate an electric field in the process chamber 110 and to excite the source gas to the plasma (P) state. In addition, the electrode unit 150 serves to provide the generated plasma P into the process chamber 110.

그리고, 상기 전기장 내로 상기 소스가스가 공급되면, 상기 전기장의 에너지에 의해 전자가 가속되고, 상기 가속된 전자와 상기 소스가스 분자가 서로 가속되고 충돌됨에 따라, 상기 소스가스 분자가 이온과 라디칼로 분해된다. 즉, 상기 소스가스는 플라즈마(P) 상태가 된다. 그리고, 상기 플라즈마(P)는 상기 전기장에 의해 상기 기판(10)으로 가속되어 상기 기판(10) 표면과 반응하게 된다.When the source gas is supplied into the electric field, electrons are accelerated by the energy of the electric field, and as the accelerated electrons and the source gas molecules are accelerated and collided with each other, the source gas molecules are decomposed into ions and radicals. do. That is, the source gas is in the plasma P state. In addition, the plasma P is accelerated to the substrate 10 by the electric field to react with the surface of the substrate 10.

상세하게는, 상기 전극부(150)는 상기 소스가스를 플라즈마(P) 상태로 여기시키고, 발생된 플라즈마(P)의 입자들을 상기 프로세스 챔버(110) 내로 가속시킬 수 있도록, 상기 프로세스 챔버(110) 상부에 복수회 권선된 코일일 수 있다. 예를 들어, 상기 전극부(150)는 상기 프로세스 챔버(110) 상부에 대응되고, 평면형태의 나선형 코일일 수 있다. 또한, 상기 전극부(150)는 상기 소스가스 공급부(140)의 소스가스 공급관 외측을 따라 복수회 권선될 수 있다.In detail, the electrode unit 150 excites the source gas into the plasma P state and accelerates the generated particles of the plasma P into the process chamber 110. It may be a coil wound multiple times on the top. For example, the electrode unit 150 may correspond to an upper portion of the process chamber 110 and may be a spiral coil having a planar shape. In addition, the electrode unit 150 may be wound a plurality of times along the outside of the source gas supply pipe of the source gas supply unit 140.

상기 전극부(150)의 형태와 배치는 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 상기 전극부(150)를 형성하는 코일의 크기와 권선수는 상기 소스가스를 플라즈 마(P) 상태로 여기시키고, 상기 프로세스 챔버(110) 내부에 형성할 수 있는 실질적으로 다양하게 형성될 수 있을 것이다.The shape and arrangement of the electrode unit 150 is not limited to the above-described embodiment, and the size and the number of windings of the coil forming the electrode unit 150 excite the source gas in a plasma (P) state. It may be formed in various ways that can be formed in the process chamber 110.

한편, 본 발명에서는 상기 전극부(150)는 플라즈마(P)를 발생시키기 위해 2개의 코일 형태의 전극을 구비하고 있으나, 상기 프로세스 챔버(110) 상부에 하나의 코일 형태의 전극이 구비되는 것도 가능할 것이다.On the other hand, in the present invention, the electrode unit 150 is provided with two coil-shaped electrodes to generate the plasma (P), it is also possible to be provided with one coil-shaped electrode on the process chamber 110 above. will be.

상기 서셉터(susceptor)(120)는 상기 프로세스 챔버(110) 하부에 구비되어, 상기 기판(10)을 지지한다. 예를 들어, 상기 서셉터(120)는 정전기력에 의해 상기 기판(10)을 고정시키는 정전척(electrostatic chuck)일 수 있다.The susceptor 120 is provided under the process chamber 110 to support the substrate 10. For example, the susceptor 120 may be an electrostatic chuck that fixes the substrate 10 by electrostatic force.

여기서, 상기 서셉터(120)는 접지되어 상기 전극부(150)에 대한 그라운드 전극 역할을 한다. 또는, 상기 전극부(150) 뿐만 아니라 상기 서셉터(120)에도 고주파 전원이 인가될 수 있다. 즉, 상기 서셉터(120)는 상기 표면처리 공정 동안 상기 기판(10)을 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 플라즈마(P)의 이온과 라디칼과 같은 입자가 상기 기판(10)에 충분히 높은 에너지를 가지고 충돌할 수 있도록 바이어스 전압을 제공하게 된다.Here, the susceptor 120 is grounded to serve as a ground electrode for the electrode unit 150. Alternatively, high frequency power may be applied to the susceptor 120 as well as the electrode unit 150. That is, the susceptor 120 not only fixes the substrate 10 during the surface treatment process, but also particles such as ions and radicals of the plasma P collide with the substrate 10 with a sufficiently high energy. To provide a bias voltage.

상기 소스가스 공급부(140)는 상기 프로세스 챔버(110) 상부에 구비되어, 상기 프로세스 챔버(110) 내부로 소스가스를 공급한다. 여기서, 상기 소스가스 공급부(140)는 2 종류의 소스가스를 공급할 수 있다. 상기 소스가스 공급부(140)는 제1 소스가스(S1)를 공급하는 제1 소스가스 공급부(141)와, 제2 소스가스(S2)를 공급하는 제2 소스가스 공급부(142)를 포함할 수 있다.The source gas supply unit 140 is provided above the process chamber 110 to supply source gas into the process chamber 110. Here, the source gas supply unit 140 may supply two types of source gas. The source gas supply unit 140 may include a first source gas supply unit 141 for supplying a first source gas S1 and a second source gas supply unit 142 for supplying a second source gas S2. have.

그리고, 상기 제1 소스가스 공급부(141)와 상기 제2 소스가스 공급부(142)를 각각 상기 프로세스 챔버(110)에 연결시키는 제1 가스공급관(143)과 제2 가스공급관(145)이 구비된다.In addition, a first gas supply pipe 143 and a second gas supply pipe 145 are provided to connect the first source gas supply unit 141 and the second source gas supply unit 142 to the process chamber 110, respectively. .

여기서, 상기 소스가스는 상기 표면처리 공정에 따라 적당하게 선택된다. 예를 들어, 상기 제1 소스가스(S1)는 플라즈마(P) 상태로 여기되는 가스일 수 있다. 그리고, 상기 제2 소스가스(S2)는 상기 플라즈마(P)의 반응성을 이용하여 상기 기판(10) 표면과 반응하는 원료물질을 포함하는 가스일 수 있다.Here, the source gas is appropriately selected according to the surface treatment process. For example, the first source gas S1 may be a gas excited in a plasma P state. The second source gas S2 may be a gas including a raw material reacting with the surface of the substrate 10 by using the reactivity of the plasma P.

본 실시예에서는 상기 기판(10)의 가장자리 부분까지 상기 소스가스(S1, S2)를 공급하는 유로가 형성된 분사노즐유닛(130)을 구비함으로써, 상기 기판(10) 전체에 균일하게 소스가스를 공급하고, 균일하게 플라즈마(P)를 발생킨다.In the present embodiment, by supplying the injection nozzle unit 130, the flow path for supplying the source gas (S1, S2) to the edge portion of the substrate 10, the source gas is uniformly supplied to the entire substrate 10 And plasma P is generated uniformly.

이하, 도 3과 도 4를 참조하여 상기 분사노즐유닛(160)에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the injection nozzle unit 160 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도면을 참조하면, 상기 분사노즐유닛(160)은 상기 소스가스 공급부(140)와 연결되어 상기 프로세스 챔버(110) 내로 상기 소스가스를 분사하는 제1 가스유로(163)와 제2 가스유로(165)가 각각 구비된다. 상기 제1 가스유로(163)는 상기 제1 소스가스(S1)를 상기 기판의 중심 부분으로 분사한다. 그리고, 상기 제2 가스유로(165)는 상기 제2 소스가스(S2)가 상기 기판(10)의 가장자리 부분으로 공급한다. 특히, 상기 제2 가스유로(165)는 상기 제2 소스가스(S2)가 원활하게 공급될 수 있도록 상기 기판(10)의 가장자리를 향해 경사지게 형성되되, 그 단면 형태가 유선형으로 형성된다.Referring to the drawings, the injection nozzle unit 160 is connected to the source gas supply unit 140 to inject the source gas into the process chamber 110 and the first gas passage 163 and the second gas passage 165. Are respectively provided. The first gas passage 163 injects the first source gas S1 into the center portion of the substrate. In the second gas passage 165, the second source gas S2 is supplied to an edge portion of the substrate 10. In particular, the second gas passage 165 is formed to be inclined toward the edge of the substrate 10 so that the second source gas (S2) can be supplied smoothly, the cross-sectional shape is formed in a streamlined shape.

상기 제1 가스유로(163)는 상기 제1 소스가스 공급부(141)와 연결되고, 상기 제2 가스유로(165)는 상기 제2 소스가스 공급부(142)와 연결된다. 그리고, 상기 제1 가스유로(163)와 상기 제2 가스유로(165)는 상기 분사노즐유닛(160) 내부에서 혼합되지 않도록 서로 독립된 유로를 형성한다.The first gas channel 163 is connected to the first source gas supply unit 141, and the second gas channel 165 is connected to the second source gas supply unit 142. In addition, the first gas passage 163 and the second gas passage 165 form an independent passage so as not to be mixed inside the injection nozzle unit 160.

상기 분사노즐유닛(160)은 회전 가능하게 형성된다. 상세하게는, 상기 분사노즐유닛(160)은 상기 제1 가스유로(163)와 상기 제2 가스유로(165)가 형성된 회전체(162)와 상기 회전체(162)를 회전 가능하게 지지하는 지지체(161)로 이루어진다.The injection nozzle unit 160 is rotatably formed. In detail, the injection nozzle unit 160 supports the rotatable body 162 and the rotatable body 162 in which the first gas channel 163 and the second gas channel 165 are formed. It consists of 161.

상기 제1 가스유로(163)는 상기 제1 소스가스(S1)를 상기 기판(10)의 중심 부분으로 분사하도록 상기 회전체(162)의 중심축을 방향을 따라 상기 회전체(162)를 관통하여 형성된다. 그리고, 상기 제2 가스유로(165)는 상기 제2 소스가스(S2)를 상기 기판(10)의 가장자리 부분으로 분사하도록 상기 회전체(162)의 둘레를 따라 형성된다. 즉, 상기 제2 가스유로(165)는 상기 회전체(162)와 상기 지지체(161)로 둘러싸여서 형성된다.The first gas passage 163 penetrates the rotating body 162 along a central axis of the rotating body 162 to inject the first source gas S1 into a central portion of the substrate 10. Is formed. In addition, the second gas passage 165 is formed along the circumference of the rotating body 162 to inject the second source gas S2 into the edge portion of the substrate 10. That is, the second gas passage 165 is formed surrounded by the rotating body 162 and the support 161.

특히, 상기 회전체(162)는 상기 제2 가스유로(165)가 유선형의 곡선 형태를 가질 수 있도록, 상기 제2 소스가스(S2)의 유동 방향을 따라 하부로 갈수록 단면적이 증가하는 원뿔대 형태를 가질 수 있다. 그리고, 상기 회전체(162)는 상기 제2 소스가스(S2)가 분산되는 원뿔대의 중심을 관통하는 축을 회전축으로 하여 회전한다.In particular, the rotor 162 may have a truncated cone shape in which a cross-sectional area increases downward along the flow direction of the second source gas S2 so that the second gas passage 165 may have a streamlined curved shape. Can have The rotor 162 rotates an axis passing through the center of the truncated cone in which the second source gas S2 is dispersed as a rotation axis.

그러나, 상기 회전체(162)의 형태는 이에 한정되는 것은 아니며, 중심축을 기준으로 회전 가능하도록 형성되고, 실질적으로 다양한 다각 기둥 형태를 가질 수 있을 것이다.However, the shape of the rotating body 162 is not limited thereto, and may be formed to be rotatable based on a central axis, and may have various polygonal pillar shapes.

여기서, 상기 회전체(162)에 회전 구동력을 제공하기 위한 회전 구동부(170) 가 구비된다.Here, the rotation drive unit 170 for providing a rotational driving force to the rotating body 162 is provided.

상기 제2 가스유로(165)는 상기 회전체(162)의 외측면과 상기 지지체(161)의 내측면을 경계로 하여 형성된다. 특히, 상기 제2 가스유로(165)는 상기 기판(10)의 가장자리까지 상기 제2 소스가스(S2)를 분사할 수 있도록, 상기 기판(10)의 가장자리를 향해 경사지게 형성된다. 또한, 상기 제2 가스유로(165)는 상기 제2 소스가스(S2)의 유동이 원활하게 이루어질 수 있도록, 상기 제2 가스유로(165) 내부에 곡선 형태로 만곡부가 형성된다.The second gas flow passage 165 is formed with the outer surface of the rotating body 162 and the inner surface of the support 161 as a boundary. In particular, the second gas passage 165 is formed to be inclined toward the edge of the substrate 10 so as to spray the second source gas S2 to the edge of the substrate 10. In addition, the second gas passage 165 has a curved portion formed in a curved shape inside the second gas passage 165 so that the flow of the second source gas (S2) can be made smoothly.

도면에 도시한 바와 같이, 상기 회전체(162)는 외주면이 오목하게 요입되는 형태를 갖는 원뿔대 형태를 가질 수 있다. 그리고, 상기 지지체(161)는 상기 회전체(162)에 대응되어, 오목하게 요입부가 형성된다. 따라서, 상기 제2 가스유로(165)는 상기 제2 소스가스(S2)의 유동 방향을 따라 중앙 부분에서는 볼록하고, 양단부에서는 점차 단면적이 감소하는 타원 형태를 가질 수 있다.As shown in the figure, the rotating body 162 may have a truncated cone shape having a shape in which the outer circumferential surface is concave concave. In addition, the support 161 corresponds to the rotating body 162, and a concave recess is formed. Therefore, the second gas passage 165 may have an ellipse shape that is convex at the central portion along the flow direction of the second source gas S2 and gradually decreases in cross-sectional area at both ends.

여기서, 상기 제2 소스가스(S2)는 상기 제2 가스유로(165)의 형상에 의해 상기 기판(10)의 가장자리 부분으로 분사될 수 있다. 그러나, 상기 회전체(162)가 회전함으로써 상기 제2 소스가스(S2)가 상기 기판(10)의 가장자리 부분으로 보다 효율적으로 분사된다.Here, the second source gas S2 may be injected to the edge portion of the substrate 10 by the shape of the second gas passage 165. However, as the rotor 162 rotates, the second source gas S2 is more efficiently injected to the edge portion of the substrate 10.

상기 제3 가스유로(167)는 상기 제1 가스유로(163)와 상기 제2 가스유로(165)를 연결시키고, 상기 제1 소스가스(S1)가 상기 제2 가스유로(165)로 유입되도록 형성된다. 예를 들어, 상기 제3 가스유로(167)는 상기 제1 가스유로(163)을 관통하여 상기 제2 가스유로(165)를 연통시키도록 형성된 홀이다.The third gas passage 167 connects the first gas passage 163 and the second gas passage 165 so that the first source gas S1 flows into the second gas passage 165. Is formed. For example, the third gas passage 167 is a hole formed to communicate with the second gas passage 165 through the first gas passage 163.

특히, 상기 제3 가스유로(167)는 상기 제1 가스유로(163) 및 상기 제2 가스유로(165)에 비해 작은 직경을 갖는 미세홀로서, 벤투리 효과(venturi effect)에 의해 상기 제1 소스가스(S1)를 상기 제2 가스유로(165)로 유입시킨다.In particular, the third gas passage 167 is a microhole having a smaller diameter than the first gas passage 163 and the second gas passage 165, and the first gas passage 167 is formed by a venturi effect. Source gas S1 is introduced into the second gas passage 165.

여기서, 상기 제3 가스유로(167)에 의한 벤투리 효과를 효율적으로 발생시킬 수 있도록, 상기 제3 가스유로(167)는 상기 제1 가스유로(163)와 상기 제2 가스유로(165)에 비해 작은 직경을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제3 가스유로(167)는 상기 제1 가스유로(163)의 내벽에 수직 방향, 즉, 상기 제1 가스유로(163)의 직경 방향으로 형성된 홀일 수 있다.Here, the third gas passage 167 may be connected to the first gas passage 163 and the second gas passage 165 to efficiently generate the Venturi effect by the third gas passage 167. It is desirable to have a small diameter in comparison. In addition, the third gas passage 167 may be a hole formed in a direction perpendicular to an inner wall of the first gas passage 163, that is, in a radial direction of the first gas passage 163.

또한, 상기 제3 가스유로(167)는 상기 제1 가스유로(163) 내부에서 소정 간격으로 복수개의 홀이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제3 가스유로(167)는 상기 제1 가스유로(163)와 상기 제2 가스유로(165)에서의 소스가스의 유량을 동일하게 유지할 수 있도록 형성된다. 예를 들어, 상기 제3 가스유로(167)는 도 3에 도시한 바와 직경 방향으로 2개의 홀이 형성될 수 있다. 또는, 상기 제3 가스유로(167)는 상기 제1 가스유로(163) 내측 벽면을 따라 90° 간격으로 형성된 4개의 홀일 수 있다. 또한, 상기 제3 가스유로(167)는 상기 제2 가스유로(165)로 균일하게 제1 소스가스(S1)가 유입될 수 있도록 상기 제1 가스유로(163)에 수직하게 형성되되, 360° 방향을 따라 형성될 수 있을 것이다. In addition, the third gas passage 167 may have a plurality of holes formed at predetermined intervals in the first gas passage 163. Here, the third gas passage 167 is formed to maintain the same flow rate of the source gas in the first gas passage 163 and the second gas passage 165. For example, the third gas passage 167 may be formed with two holes in the radial direction as shown in FIG. 3. Alternatively, the third gas passage 167 may be four holes formed at 90 ° intervals along an inner wall surface of the first gas passage 163. In addition, the third gas passage 167 is formed perpendicular to the first gas passage 163 so that the first source gas S1 may be uniformly introduced into the second gas passage 165, and is 360 °. It may be formed along the direction.

한편, 상기 제2 가스유로(165)을 따라 상기 제2 소스가스(S2)가 유동함에 따라 벤투리 효과에 의해 상기 제3 가스유로(167)의 양단부에는 압력차가 발생하게 된다. 특히, 상기 제3 가스유로(167)에서 상기 제1 가스유로(163) 내측 벽면에 노 출된 단부에 부압(負壓)이 형성됨에 따라 상기 제1 가스유로(163) 내부의 상기 제1 소스가스(S1)의 일부가 상기 제2 가스유로(165)로 유입된다.Meanwhile, as the second source gas S2 flows along the second gas passage 165, pressure differences are generated at both ends of the third gas passage 167 due to the Venturi effect. In particular, as the negative pressure is formed at an end portion exposed from the third gas passage 167 to the inner wall surface of the first gas passage 163, the first source gas inside the first gas passage 163. A portion of S1 flows into the second gas passage 165.

그리고, 상기 회전체(162)의 회전과 상기 제2 가스유로(165)의 형상으로 인해 상기 소스가스가 상기 기판(10)의 가장자리 부분까지 균일하게 분사될 수 있다. 또한, 상기 프로세스 챔버(110) 내에서 상기 기판(10)에 비교적 인접한 위치에서 상기 플라즈마(P)가 발생하도록 한다.In addition, the source gas may be uniformly injected to the edge portion of the substrate 10 due to the rotation of the rotating body 162 and the shape of the second gas passage 165. In addition, the plasma P is generated at a position relatively adjacent to the substrate 10 in the process chamber 110.

여기서, 상기 분사노즐유닛(160)과 상기 플라즈마(P) 사이에 아크 방전이 발생하는 것을 방지하기 위해, 상기 분사노즐유닛(160)은 유전체 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 내지 제3 가스유로(163, 165, 167) 내부는 유전체가 구비된다. 또는, 상기 분사노즐유닛(160) 하부에 유전체를 구비하는 것도 가능할 것이다.Here, in order to prevent arc discharge between the injection nozzle unit 160 and the plasma P, the injection nozzle unit 160 is preferably formed of a dielectric material. In addition, a dielectric is provided in the first to third gas passages 163, 165, and 167. Alternatively, a dielectric may be provided below the injection nozzle unit 160.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치(100)의 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, an operation of the plasma substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described.

먼저, 처리하고자 하는 대상이 되는 기판(10)을 프로세스 챔버(110)에 투입한다. 그리고, 상기 기판(10)에 대해 수행하고자 하는 표면처리 공정의 종류에 따라 적당한 소스가스를 상기 프로세스 챔버(110) 내부로 공급한다.First, the substrate 10 to be processed is introduced into the process chamber 110. In addition, a suitable source gas is supplied into the process chamber 110 according to the type of surface treatment process to be performed on the substrate 10.

여기서, 상기 소스가스는 상기 표면처리 공정에 따라 적당하게 선택된다. 또한, 상기 소스가스는 플라즈마(P) 상태로 여기시키는 제1 소스가스(S1)와 상기 기판(10)과의 반응물질을 포함하는 제2 소스가스(S2)를 포함할 수 있다.Here, the source gas is appropriately selected according to the surface treatment process. In addition, the source gas may include a second source gas S2 including a reactant between the first source gas S1 and the substrate 10 to be excited in a plasma P state.

상기 소스가스가 공급되고, 전극부(150)에 고주파 전원이 인가되어 상기 프 로세스 챔버(110) 내부에 전기장을 발생시킨다.The source gas is supplied, and a high frequency power is applied to the electrode unit 150 to generate an electric field inside the process chamber 110.

즉, 상기 전극부(150)에 고주파 전원이 인가됨에 따라, 상기 프로세스 챔버(110) 내부에는 상기 전극부(150)가 이루는 평면, 즉, 상기 프로세스 챔버(110) 상면과 수직한 방향(10)과 수직 방향으로 유도 전기장이 형성된다. 그리고, 상기 전기장 내부에서 상기 소스가스의 분자가 가속되어 서로 충돌함에 따라 상기 소스가스 분자가 이온 및 라디칼로 분해되어 플라즈마(P) 상태가 된다.That is, as the high frequency power is applied to the electrode unit 150, the plane of the electrode unit 150 is formed inside the process chamber 110, that is, the direction 10 perpendicular to the upper surface of the process chamber 110. An induction electric field is formed in the direction perpendicular to the. As the molecules of the source gas are accelerated and collide with each other in the electric field, the source gas molecules are decomposed into ions and radicals to form a plasma (P) state.

본 발명에 의하면, 상기 분사노즐유닛(160)을 구비함으로써 상기 소스가스가 상기 프로세스 챔버(110) 내에서 효율적으로 플라즈마(P) 상태로 여기되고, 여기된 플라즈마(P)가 상기 기판(10)에 높은 에너지로 충돌하게 되므로, 상기 표면처리 공정 동안 소비되는 소스가스의 소비량을 절감시킬 수 있다.According to the present invention, by providing the injection nozzle unit 160, the source gas is efficiently excited to the plasma P state in the process chamber 110, the excited plasma (P) is the substrate 10 Because of the high energy in the collision, the consumption of source gas consumed during the surface treatment process can be reduced.

상세하게는, 상기 소스가스가 빠른 속도로 확산되지 못하는 경우, 상기 소스가스 공급부(140)에 가까운 부분과 먼 부분에서 상기 플라즈마(P) 밀도의 차이가 발생할 수 있다. 그러나, 상기 분사노즐유닛(160)은 유선형의 단면을 갖고, 상기 기판(10)의 가장자리를 향해 경사지게 제2 가스유로(165)가 형성됨으로써, 상기 기판(10)의 가장자리까지 균일하게 소스가스를 공급할 수 있다. 또한, 상기 분사노즐유닛(160)은 회전함으로써, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)를 균일하고, 신속하게 분사할 수 있다.In detail, when the source gas is not diffused at a high speed, a difference in the density of the plasma P may occur at a portion close to and far from the source gas supply unit 140. However, the injection nozzle unit 160 has a streamlined cross section, and the second gas passage 165 is formed to be inclined toward the edge of the substrate 10, thereby uniformly supplying source gas to the edge of the substrate 10. Can supply In addition, the injection nozzle unit 160 rotates to uniformly and rapidly inject the first source gas S1 and the second source gas S2.

상기 분사노즐유닛(160)은 상기 제1 가스유로(163)와 상기 제2 가스유로(165)를 연결시키는 제3 가스유로(167)가 형성됨으로써, 상기 제1 가스유로(163)와 상기 제2 가스유로(165) 사이의 가스 분사량 차이가 발생하는 것을 억제하고, 상기 기판(10)의 중심 부분과 가장자리 부분에서의 소스가스의 분사량을 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 상기 기판(10)에 대한 표면처리 공정, 예를 들어, 박막의 증착 또는 상기 기판(10) 표면의 식각이 균일하게 수행되어, 양호한 품질의 표면처리 결과를 얻을 수 있고, 생산성과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The injection nozzle unit 160 is formed with a third gas passage 167 connecting the first gas passage 163 and the second gas passage 165 to form the first gas passage 163 and the first gas passage 163. The gas injection amount difference between the two gas passages 165 can be suppressed from occurring, and the injection amount of the source gas at the center portion and the edge portion of the substrate 10 can be kept constant. Therefore, the surface treatment process for the substrate 10, for example, the deposition of a thin film or the etching of the surface of the substrate 10 is performed uniformly, it is possible to obtain a good quality surface treatment results, productivity and reliability Can be improved.

따라서, 이와 같은 플라즈마(P)의 밀도가 균일하게 제공될수록 상기 소스가스의 분해를 촉진시키고, 상기 기판(10)의 표면처리 속도, 예를 들어, 박막의 증착 속도 또는 상기 기판(10)의 식각 속도를 향상시키게 된다. 또한, 상기 기판(10) 표면 전체에 균일하게 플라즈마(P)가 발생되므로, 양호한 품질의 상기 기판(10)의 표면처리 결과를 얻을 수 있고, 생산성과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Therefore, as the density of the plasma P is uniformly provided, the decomposition of the source gas is accelerated, and the surface treatment rate of the substrate 10, for example, the deposition rate of the thin film or the etching of the substrate 10. It will speed up. In addition, since the plasma P is uniformly generated on the entire surface of the substrate 10, it is possible to obtain a surface treatment result of the substrate 10 of good quality and to improve productivity and reliability.
As described above, although described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치를 도시한 단면도;1 is a cross-sectional view showing a plasma substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 플라즈마 기판 처리 장치에서 분사노즐유닛을 설명하기 위한 사시도;FIG. 2 is a perspective view illustrating a spray nozzle unit in the plasma substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.

도 3는 도 2의 분사노즐유닛의 단면도;3 is a cross-sectional view of the injection nozzle unit of FIG.

도 4는 도 2의 분사노즐유닛의 회전체를 설명하기 위한 사시도이다.FIG. 4 is a perspective view illustrating a rotating body of the injection nozzle unit of FIG. 2.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 기판 100: 플라즈마 기판 처리 장치10: substrate 100: plasma substrate processing apparatus

110: 프로세스 챔버 120: 서셉터110: process chamber 120: susceptor

140: 소스가스 공급부 141: 제1 소스가스 공급부140: source gas supply unit 141: first source gas supply unit

142: 제2 소스가스 공급부 143: 제1 가스공급관142: second source gas supply unit 143: first gas supply pipe

145: 제2 가스공급관 150: 전극부145: second gas supply pipe 150: electrode

160: 분사노즐유닛 161: 지지체160: injection nozzle unit 161: support

162: 회전체 163: 제1 가스유로162: rotor 163: first gas flow path

165: 제2 가스유로 167: 제3 가스유로165: second gas passage 167: third gas passage

170: 회전 구동부 P: 플라즈마170: rotary drive unit P: plasma

S1: 제1 소스가스 S2: 제2 소스가스S1: first source gas S2: second source gas

Claims (7)

기판의 중심 부분으로 제1 소스가스를 분사하는 제1 가스유로;A first gas passage for injecting a first source gas into a central portion of the substrate; 상기 제1 가스유로의 둘레에 형성되어 상기 기판의 가장자리 부분으로 제2 소스가스를 분사하고 유선형 단면을 갖는 제2 가스유로; 및A second gas passage formed around the first gas passage and injecting a second source gas to an edge portion of the substrate and having a streamlined cross section; And 상기 제2 가스유로를 따라 유동하는 상기 제2 소스가스에 의해 상기 제1 가스유로 내부의 상기 제1 소스가스가 상기 제2 가스유로로 유입되도록 상기 제1 가스유로와 상기 제2 가스유로를 연통시키는 제3 가스유로;The first gas passage communicates with the second gas passage so that the first source gas inside the first gas passage flows into the second gas passage by the second source gas flowing along the second gas passage. A third gas passage to be made; 를 포함하고,Including, 하부로 갈수록 단면적이 증가하는 원뿔대 형태를 갖고 회전 가능하게 형성된 회전체 형태를 갖는 플라즈마 기판 처리 장치의 분사노즐유닛.An injection nozzle unit of a plasma substrate processing apparatus having a truncated conical shape with a cross-sectional area increasing downwardly and having a rotatable shape rotatably formed. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 가스유로는 상기 회전체의 중심을 관통하여 형성되고, 상기 제2 가스유로는 상기 기판의 가장자리를 향해 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리 장치의 분사노즐유닛.And the first gas passage is formed through the center of the rotating body, and the second gas passage is inclined toward the edge of the substrate. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제3 가스유로는 상기 제1 가스유로 내부에 형성되고, 상기 제1 가스유로보다 작은 직경을 갖는 홀인 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리 장치의 분사노즐유닛.And the third gas passage is a hole formed inside the first gas passage and having a diameter smaller than that of the first gas passage. 기판이 수용되고, 플라즈마 발생 공간을 제공하는 프로세스 챔버;A process chamber in which the substrate is accommodated and which provides a plasma generating space; 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어, 상기 기판을 지지하는 서셉터;A susceptor provided in the process chamber to support the substrate; 상기 프로세스 챔버로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부;A source gas supply unit supplying a source gas to the process chamber; 상기 프로세스 챔버 일측에 구비되어, 상기 소스가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 전극부; 및An electrode unit provided at one side of the process chamber to excite the source gas into a plasma state; And 상기 소스가스를 상기 프로세스 챔버로 분사하는 제1항, 제4항 및 제6항 중 어느 한 항의 분사노즐유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리 장치.A plasma substrate processing apparatus comprising the injection nozzle unit of any one of claims 1, 4 and 6 for injecting the source gas into the process chamber.
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