KR20130125594A

KR20130125594A - 산화 마그네슘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Info

Publication number: KR20130125594A
Application number: KR1020120049237A
Authority: KR
Inventors: 박보근; 정택모; 김창균; 전동주; 김효숙; 이영국; 안기석; 이선숙; 임종선
Original assignee: 한국화학연구원
Priority date: 2012-05-09
Filing date: 2012-05-09
Publication date: 2013-11-19
Also published as: WO2013168941A1; KR101359518B1

Abstract

본 발명은 하기 화학식1로 표시되는 산화 마그네슘 전구체에 관한 것으로, 상기 산화 마그네슘 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

Description

산화 마그네슘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법{MAGNESIUM OXIDE PRECURSORS, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME}

본 발명은 신규의 산화 마그네슘 전구체에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 낮은 온도에서 쉽게 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막의 제조가 가능한 산화 마그네슘 전구체 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용하여 산화 마그네슘을 포함한 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.

산화 마그네슘(Magnesium oxide)은 매우 넓은 band gap (7.2eV), 뛰어난 열적 안정성(녹는점=2900°C), 낮은 유전상수(dielectric constant=9.8), 그리고 낮은 굴절률(refractive index) 등의 특성을 갖고, 이로 인해 박막의 완충막(buffer layer), 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막(protective layer), 광학 재료(optical materials) 등 다양한 분야에 응용된다 (Wang, L.; Yang, Y.; Ni, J.; Stern, C. L.; Marks, T. J. Chem. Mater. 2005, 17, 5697; Renault, O. Ph.D. Thesis; Institut National Polytechnique de Grenoble, Grenoble, France, 1998; Andoh, S.; Murase, K.; Umeda, S.; Nakayama, N. IEEE Trans. Electron Devices 1976, 23, 319; Hinds, B. J.; McNeely, R. J.; Chen, J.; Dias, C.; Studebaker, D. L.; Marks, T. J.; Hogan, T. P.; Schindler, J. L.; Kannewurf, C. R. J. Alloys Compd. 1997, 251, 328; Musolf, J.; Boeke, E.; Waffenschmidt, E.; He, X.; Heuken, M.; Heime, K. J. Alloys Compd. 1993, 195, 295; Tonouchi, M.; Sakaguchi, Y.; Kobayashi, T. J. Appl. Phys. 1987, 62, 961; Nashimoto, K.; Fork, D. K.; Geballe, T. H. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 1199; Basit, N. A.;Kim,H.K.; Blachere, J. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3941; Yoon, J.-G.; Kim, K. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2523). 또한, 산화 마그네슘 박막을 제조하기 위해 졸-겔(sol-gel), 스퍼터링(sputtering), PLD(pulsed laser ablation), CVD(chemical vapor deposition), MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition), ALD(atomic layer deposition) 등과 같은 다양한 방법이 이용되고 있다 (Lee, J. H.; Eun, J. H.; Park, S. Y.; Kim, S. G.; Kim, H. J. Thin Solid Films 2003, 435, 95-101; Ho, I. C.; Xu, Y. H.; Chakrabarti, S.; Ganguli, D.; Chaudhuri, S. Mater . Lett . 2003, 57, 4483-4492; Babcock, J. R.; Benson, D. D.; Wang, A. C.; Edleman, N. L.; Belot, J. A.; Metz, M. V.; Marks, T. J. Chem . Vapor Deposition 2000, 6, 180-183; Burton, B. B.; Goldstein, D. N.; George, S. M. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 1939; Davies,H.O.; Jones, A. C.; Leedham, T. J.;Crosbie,M. J.;Wright, P. J.; Boag, N. M.; Thompson, J. R. Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 71). 기존에 알려져 있고 널리 이용되고 있는 CVD용 산화 마그네슘 전구체로는 다이에틸마그네슘(diethylmagnesium), 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄다이오네이토)마그네슘(bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)magnesium), 비스(아세틸아세토네이토)마그네슘(bis(accetylacetonato)magnesium), 마그네슘 아세테이트(magnesium acetate), 마그네슘 2-에틸헥사노에이트(magnesium 2-ethylhexanoate), 그리고 비스(시클로펜타다이에닐)마그네슘 (bis(cyclopentadienyl)magnesium) 등이 있으나 다이에틸마그네슘을 제외한 대부분이 100°C 이상의 높은 온도에서 휘발되고 박막 증착시 H₂O 또는 O₂와 같은 산소 소스를 제공해 주어야 한다는 단점을 갖는다. 상기와 같은 전구체를 합성하기 위해 알킬(alkyls), 알콕사이드(alkoxide), 카복실레이트(carboxylates), 카바메이트(carbamates), 시클로펜타다이에닐(cyclopentadienyls), 그리고 β-다이케토네이트(β-diketonates) 와 같은 다양한 리간드가 이용되는데 그 중에서 β-다이케토네이트를 이용한 화합물의 경우 우수한 열적 안정성과 휘발성을 갖는 장점이 있어 최근 마그네슘 β-다이케토네이트(magnesium β-diketonate), 마그네슘 β-다이케토네이토알콕사이드(magnesium β-diketonatatoalkoxide), 그리고 마그네슘 β-케토이미네이트(magnesium β-ketoiminate)와 같은 화합물에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다 (Davies, H. O.; Jones, A. C.; Leedham, T. J.; Crosbie, M. J.; Wright, P. J.; Boag, N. M.; Thompson, J. R. Chem . Vap . Deposition 2000, 6, 71; Matthews, J. S.; Just, O.; Obi-Johnson, B.; Rees, Jr., W. S; Chem . Vap . Deposition 2000, 6, 129; Babcock, J. R.; Benson, D. D.; Wang, A.; Edleman, N. L.; Belot, J. A.; Metz, M. V.; Marks, T. J. Chem . Vap . Deposition 2000, 6, 180; Hill, M. R.; Jones, A. W.; Russel, J. R.; Roberts, N. K.; Lamb, R. N. J. Mater. Chem. 2004, 14, 3198; Carta, G.; El Habra, N.; Crociani, L.; Rossetto, G.; Zanella, P.; Zanella, A.; Paolucci, G.; Barreca, D.; Tondello, E. Chem. Vap. Deposition 2007, 13, 185; Jones, A. C. J. Mater. Chem. 2002, 12, 2576). 한국 공개특허공보 2001-0027037 에서는 마그네슘 아세테이트, 마그네슘 아세틸아세토네이트 등의 유기 마그네슘 화합물을 사용하여 화학기상증착법으로 박막을 형성하는 방법을 개시하고 있으나 상기 유기 마그네슘 화합물은 휘발성, 열적안정성 등이 충분하지 못하여 박막 제조 용이하지 않고 제조된 박막의 물성도 충분하지 못하다는 문제점이 있다.

한국 공개특허공보 2001-0027037 한국 공개특허공보 2008-0046485 한국 공개특허공보 2010-0071463

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 낮은 온도에서 쉽게 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막의 제조가 가능한 신규의 산화 마그네슘 전구체를 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 상기 산화 마그네슘 전구체를 제조하는 신규의 방법을 제공하고, 이를 이용하여 산화 마그네슘을 포함하는 박막을 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 산화 마그네슘을 포함하는 박막을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 산화 마그네슘 전구체를 제공한다.

[화학식 1]

(상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수이고, R1, R2, R3 및 R4 은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, R5 및 R6 은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 불소 또는 C1-C10의 알콕시기가 치환된 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)

또한 본 발명은 상기 화학식 1의 산화 마그네슘 전구체의 제조방법을 제공한다.

또한 본 발명은 상기 화학식 1의 산화 마그네슘 전구체를 이용하여 산화 마그네슘을 포함한 박막을 성장시키는 방법 및 이로부터 제조된 산화 마그네슘을 포함하는 박막을 제공한다.

본 발명의 화학식 1로 표시되는 산화 마그네슘 전구체는 서로 다른 두 개의 리간드를 갖는 화합물로 뛰어난 열적 안정성과 높은 휘발성을 가지고 있기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 제조할 수 있다.

도 1은 Mg(dmamp)(tmhd)에 대한 ¹H-NMR 스펙트럼이다.
도 2는 Mg(dmamp)(tmhd)에 대한 ¹³C-NMR 스펙트럼이다.
도 3은 Mg(dmamp)(tmhd)에 대한 FT-IR 스펙트럼이다.
도 4는 Mg(dmamp)(acac)에 대한 ¹H-NMR 스펙트럼이다.
도 5는 Mg(dmamp)(acac)에 대한 ¹³C-NMR 스펙트럼이다.
도 6은 Mg(dmamp)(acac)에 대한 FT-IR 스펙트럼이다.
도 7은 Mg(dmamp)(hfac)에 대한 ¹H-NMR 스펙트럼이다.
도 8은 Mg(dmamp)(hfac)에 대한 ¹³C-NMR 스펙트럼이다.
도 9는 Mg(dmamp)(hfac)에 대한 FT-IR 스펙트럼이다.
도 10은 Mg(dmamp)(tfac)에 대한 ¹H-NMR 스펙트럼이다.
도 11은 Mg(dmamp)(tfac)에 대한 ¹³C-NMR 스펙트럼이다.
도 12는 Mg(dmamp)(tfac)에 대한 FT-IR 스펙트럼이다.
도 13은 Mg(dmamp)(tmhd)에 대한 TG/DTA data이다.
도 14는 Mg(dmamp)(hfac)에 대한 TG/DTA data이다.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 산화 마그네슘 전구체에 관한 것이다.

[화학식 1]

(상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R1, R2, R3 및 R4 은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, R5 및 R6 은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 불소 또는 C1-C10의 알콕시기가 치환된 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)

상기 화학식 1로 표시되는 신규의 산화 마그네슘 전구체는 서로 다른 두개의 리간드 즉, β-다이케토네이트와 아미노알콕사이드 리간드를 갖는 마그네슘 화합물로, 열적으로 안정하고 좋은 휘발성을 가진다. 상기 산화 마그네슘 전구체는 흰색 또는 노란색 고체일 수 있다.

본 발명의 산화 마그네슘 전구체는 다양한 방법으로 제조될 수 있다.

바람직하게는 본 발명의 상기 화학식 1의 화합물은, 하기 화학식 2의 마그네슘 화합물과 하기 화학식 3의 아미노알콕시 알칼리금속 화합물 및 하기 화학식 4의 다이케톤 화합물을 반응시켜 얻을 수 있다.

[화학식 2]

R7-MgX

[화학식 3]

[화학식 4]

(상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 불소 또는 C1-C10의 알콕시기가 치환된 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R7은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 불소가 치환된 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, M은 Li 또는 Na이고, X는 F, Cl 또는 Br이다.)

상기 반응의 용매로는 톨루엔, 테트라하이드로퓨란, 헥산, 디에틸에테르 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있다.

상기 반응은 바람직하게는 실온에서 12시간 내지 24시간 동안 진행될 수 있으며, 흰색 또는 엷은 노란색 고체 화합물인 상기 화학식 1의 화합물을 얻을 수 있다.

상기 제조방법을 구체적으로 도시하면 하기 반응식 1과 같다.

[반응식 1]

[화학식 2] [화학식 3] [화학식 4] [화학식 1]

본 발명의 신규의 산화 마그네슘 전구체는 산화 마그네슘을 포함한 박막 제조용 전구체로서, 특히 산화 마그네슘 박막 제조 공정에 널리 사용되고 있는 화학 기상 증착법(CVD) 또는 원자층 증착법(ALD)을 사용하는 공정에 바람직하게 적용될 수 있다.

예컨대 화학기상증착법을 사용하는 경우 본 발명의 산화 마그네슘 전구체를 포함하는 반응물 및 산소 함유 기체 또는 유기물을 반응기에 공급함으로써 다양한 기재 위에 산화 마그네슘을 포함하는 박막을 형성할 수 있는데, 본 발명의 산화 마그네슘 전구체는 열적 안정성과 높은 휘발성을 가지고 있기 때문에 다양한 조건에서 박막을 제조하는 것이 가능하고 또한 양질의 박막을 제조할 수 있다.

또한 본 발명의 산화 마그네슘 전구체를 이용하여 ALD공정에 의해 산화마그네슘을 포함한 박막을 제조할 수 있는데, ALD공정에서 본 발명의 산화 마그네슘 전구체를 포함하는 반응물은 증착 챔버에 펄스 형태로 공급되며 상기 펄스가 웨이퍼 표면과 화학적 반응을 일으키며 정밀한 단층 막성장이 이루어진다. 본 발명의 산화 마그네슘 전구체는 열적 안정성과 높은 휘발성을 가지고 있기 때문에 ALD공정에 의해 쉽게 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 제조할 수 있다.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.

실시예

산화 마그네슘 전구체 물질의 합성

실시예 1: (1-디메틸아미노-2- 메틸 -2- 프로폭시 )( 테트라메틸헵탄디온 )마그네슘( II ) [Mg(dmamp)(tmhd)]의 제조

125mL 슈렝크 플라스크에 Na(dmamp) [1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시 나트륨, (1 g, 7.18 mmol, 1 eq)]를 THF에 녹인 후 -78˚C에서 MeMgBr (3.0M in Et₂O) [2.39 mL, 7.18 mmol, 1 eq]를 천천히 첨가하여 실온에서 12시간 교반하였다. 이 혼합 용액에 tmhd (테트라메틸헵탄디온 , 1.32 g, 7.18 mmol, 1 eq)를 천천히 첨가하여 실온에서 12시간 교반하고, 이 혼합물을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하여 흰색 고체 화합물을 얻었다(1.4 g, 60.9 %).

상기 얻어진 화합물 Mg(dmamp)(tmhd)에 대한 ¹H NMR, ¹³C NMR 및 FT-IR를 도 1 내지 도 3에 각각 나타내었다.

¹H NMR (C₆D₆, 300.13MHz): δ 1.28 (s, 18H, ^tBu), 1.31 (s, 6H, OC(C H ₃)₂), 2.12 (s, 6 H N(C H ₃)₂), 2.15 (s, 2H, CC H ₂N), 5.82 (s, 1H, C H ₂C=O).

¹³C NMR (C₆D₆, 75.04 MHz): δ 28.8, 32.9, 41.1, 47.3, 66.9, 72.9, 89.8, 201.1.

실시예 2: (1-디메틸아미노-2- 메틸 -2- 프로폭시 )(아세틸아세톤)마그네슘( II ) [Mg(dmamp)(acac)]의 제조

125mL 슈렝크 플라스크에 Na(dmamp) [1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시 나트륨, (1 g, 7.18 mmol, 1 eq)]를 THF에 녹인 후 -78˚C에서 MeMgBr (3.0M in Et₂O) [2.39 mL, 7.18 mmol, 1 eq]를 천천히 첨가하여 실온에서 12시간 교반 하였다. 이 혼합 용액에 acac (아세틸아세톤, 0.719 g, 7.18 mmol, 1 eq)를 천천히 첨가하여 실온에서 12시간 교반하고, 이 혼합물을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하여 흰색 고체 화합물을 얻었다(1.4 g, 68.9 %).

상기 얻어진 화합물 Mg(dmamp)(acac)에 대한 ¹H NMR, ¹³C NMR 및 FT-IR를 도 4 내지 도 6에 각각 나타내었다.

¹H NMR (C₆D₆, 300.13MHz): δ 1.33 (s, 6H, OC(C H ₃)₂), 1.90 (s, 6H, C H ₃C=O), 2.10 (s, 6 H N(C H ₃)₂), 2.16 (s, 2H, CC H ₂N), 5.37 (s, 1H, C H ₂C=O).

¹³C NMR (C₆D₆, 75.04 MHz): δ 28.1, 33.0, 47.2, 67.0, 72.8, 100.2, 191.5.

실시예 3: (1-디메틸아미노-2- 메틸 -2- 프로폭시 )( 헥사플루오로아세틸아세톤 )마그네슘( II ) [Mg( dmamp )( hfac )]의 제조

125 mL 슈렝크 플라스크에 Na(dmamp) [1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시 나트륨, (1 g, 7.18 mmol, 1 eq)]를 THF에 녹인 후 -78°C에서 MeMgBr (3.0M in Et₂O) [2.39 mL, 7.18 mmol, 1 eq]를 천천히 첨가하여 실온에서 12시간 교반 하였다. 이 혼합 용액에 hfac (헥사플루오로아세틸아세톤, 1.49 g, 7.18 mmol, 1 eq)를 천천히 첨가하여 실온에서 12시간 교반하고, 이 혼합물을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하여 점성 있는 엷은 노란색 고체 화합물을 얻었다(1.1 g, 44 %).

상기 얻어진 화합물 Mg(dmamp)(hfac)에 대한 ¹H-NMR, ¹³C-NMR 및 FT-IR를 도 7 내지 도 9에 각각 나타내었다.

¹H NMR (C₆D₆, 300.13MHz): δ 1.05 (s, 6H, OC(C H ₃)₂), 1.93 (s, 6 H N(C H ₃)₂), 1.93(s, 2H, CC H ₂N), 6.30 (s, 1H, C H ₂C=O).

¹³C NMR (C₆D₆, 75.04 MHz): δ 25.4, 47.6, 68.5, 89.9, 116.4, 120.2, 178.5.

실시예 4: (1-디메틸아미노-2- 메틸 -2- 프로폭시 )( 트리플루오로아세틸아세톤 )마그네슘( II ) [Mg( dmamp )( tfac )]의 제조

125 mL 슈렝크 플라스크에 Na(dmamp) [1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시 나트륨, (1 g, 7.18 mmol, 1 eq)]를 THF에 녹인 후 -78°C에서 MeMgBr (3.0M in Et₂O) [2.39 mL, 7.18 mmol, 1 eq]를 천천히 첨가하여 실온에서 12시간 교반 하였다. 이 혼합 용액에 tfac (트리플루오로아세틸아세톤, 1.10 g, 7.18 mmol, 1 eq)를 천천히 첨가하여 실온에서 12시간 교반하고, 이 혼합물을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하여 점성 있는 노란색 고체 화합물을 얻었다(1.34 g, 54 %).

상기 얻어진 화합물 Mg(dmamp)(tfac)에 대한 ¹H-NMR, ¹³C-NMR 및 FT-IR를 도 10 내지 도 12에 각각 나타내었다.

¹H NMR (C₆D₆, 300.13MHz): δ 1.17 (s, 6H, OC(C H ₃)₂), 1.73 (s, 3H, C H ₃C=O), 2.01 (s, 6 H N(C H ₃)₂), 2.32(s, 2H, CC H ₂N), 5.78 (s, 1H, C H ₂C=O).

¹³C NMR (C₆D₆, 75.04 MHz): δ 25.7, 28.8, 47.1, 68.0, 95.6, 117.9, 121.7, 171.6, 199.6.

실험예 1. 산화 마그네슘 전구체 물질의 분석

상기 실시예 1의 Mg(dmamp)(tmhd)와 실시예 3의 Mg(dmamp)(hfac)의 열적 안정성 및 휘발성과 분해 온도를 측정하기 위해, 열무게 분석(thermogravimetric analysis, TGA)법을 이용하였다. 상기 TGA 방법은 생성물을 10℃/분의 속도로 900℃까지 가온 시키면서, 1.5bar/분의 압력으로 아르곤 가스를 주입하였다. 실시예 1에서 합성한 산화 마그네슘 전구체 화합물의 TGA 그래프를 도 13에, 또한, 실시예 3에서 합성한 산화 마그네슘 전구체 화학물의 TGA 그래프를 도 14에 도시하였다. 도 13에서 알 수 있듯이 실시예 1의 마그네슘 화합물은 250℃부터 질량 감소가 일어났으며 330℃에서 최종 잔여량이 9.0%로 관찰되었다.

또한, 도 14에서와 같이 실시예 3에서 수득된 마그네슘 화합물은 180℃부터 질량 감소가 일어났으며 230℃ 에서 58.7%의 잔여량이 남았고, 340℃에서 최종 잔여량은 12.9%로 관찰되었다.

또한 상기 TGA데이터로 본 발명의 화합물의 휘발성 정도가 양호하다는 것을 알 수 있다.

Claims

하기 화학식1로 표시되는 산화 마그네슘 전구체:
[화학식 1]

(상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R1, R2, R3 및 R4 은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, R5 및 R6 은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 불소 또는 C1-C10의 알콕시기가 치환된 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)
하기 화학식 2의 마그네슘 화합물과 하기 화학식 3의 아미노알콕시 알칼리금속 화합물 및 하기 화학식 4의 다이케톤 화합물을 반응시키는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1 화합물의 제조방법.
[화학식 2]
R7-MgX
[화학식 3]

[화학식 4]

[화학식 1]

(상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 불소 또는 C1-C10의 알콕시기가 치환된 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R7은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 불소가 치환된 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, M은 Li 또는 Na이고, X는 F, Cl 또는 Br이다.)
청구항 1의 산화 마그네슘 전구체를 이용하여 산화 마그네슘을 포함한 박막을 성장시키는 방법.
청구항 3에 있어서,
박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
청구항 1의 산화 마그네슘 전구체를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 산화 마그네슘을 포함한 박막