KR20130110103A - Photosensitive resin composition for insulating film, insulating film, and method of forming insulating film - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A photosensitive resin composition forms an insulating film with excellent insulating properties and chemical properties and has a wide exposure margin when forming the pattern of the insulating film. CONSTITUTION: A photosensitive resin composition contains an alkali-developable resin, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator, and a compound represented by chemical formula 1. The alkali-soluble resin is a copolymer including a structure unit derived from an unsaturated compound including an epoxy group. The ratio of a structure unit derived from an unsaturated compound including the epoxy group in the alkali soluble resin is 20-60 wt%. The mole ratio of the photopolymerization initiator to the compound represented by chemical formula 1 is 2.5/7.5 - 9.5/0.5.

Description

절연막 형성용 감광성 수지 조성물, 절연막 및 절연막의 형성 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INSULATING FILM, INSULATING FILM, AND METHOD OF FORMING INSULATING FILM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition for forming an insulating film, a method of forming an insulating film, and a method of forming an insulating film,

본 발명은 절연막 형성용 감광성 수지 조성물, 상기 절연막 형성용 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 절연막 및 상기 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용하는 절연막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition for forming an insulating film, an insulating film formed by the photosensitive resin composition for forming an insulating film, and a method of forming an insulating film using the photosensitive resin composition for forming an insulating film.

종래부터 액정 표시 소자, 집적회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는 층상으로 배치된 배선 사이를 절연하기 위해서 배선간에 절연막 등이 형성되어 있다. 이 절연막은 무기막이나 유기막 등 다양한 재료로 형성되지만, 유기막의 경우 열경화성 수지 조성물 또는 감광성 수지 조성물을 이용해 형성되는 경우가 많다.2. Description of the Related Art Conventionally, in an electronic component such as a liquid crystal display element, an integrated circuit element, or a solid-state image pickup element, an insulating film or the like is formed between wirings in order to insulate layers arranged in layers. The insulating film is formed of various materials such as an inorganic film and an organic film, but in the case of an organic film, it is often formed using a thermosetting resin composition or a photosensitive resin composition.

이와 같은 절연막 형성용으로 사용되는 감광성 수지 조성물로는 불포화 이중 결합을 포함하는 모노머와, 카르복시산과 불포화 이중 결합을 포함하는 모노머와, 알릴기를 포함하는 특정 구조의 모노머의 공중합체로서, 분자량 분포(Mw/Mn)가 1.0~3.5인 알칼리 가용성 수지와 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 중합성 화합물과 광 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1을 참조).The photosensitive resin composition used for forming such an insulating film is a copolymer of a monomer having an unsaturated double bond, a monomer having a carboxylic acid and an unsaturated double bond, and a monomer having a specific structure containing an allyl group, and has a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.0 to 3.5, a polymerizable compound having an ethylenic unsaturated bond, and a photoinitiator (see Patent Document 1).

일본 특개 2012-012602호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-012602

그러나, 특허문헌 1에 기재된 감광성 수지 조성물은 절연성이 양호한 절연막을 형성할 수 있어도, 절연막의 패턴을 형성할 때의 노광 마진이 좁아 가공 조건의 선택의 자유도가 낮다는 문제가 있다. 또, 절연막은 그 가공 공정, 또는 절연막을 포함하는 전자 부품의 가공 공정에 있어서, 예를 들면 레지스트 박리액 등의 여러 가지의 약액에 노출되는 경우가 있기 때문에 내약품성이 뛰어난 것이 요구된다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 감광성 수지 소자 조성물은 레지스트 박리액 등의 약액에 대한 내구성이 반드시 충분하지 않다.However, even though the photosensitive resin composition described in Patent Document 1 can form an insulating film having good insulating property, there is a problem that the exposure margin at the time of forming the pattern of the insulating film is narrow and the degree of freedom in selecting the processing condition is low. The insulating film is required to have excellent chemical resistance because the insulating film may be exposed to various chemical solutions such as a resist stripping liquid in the processing step or the processing step of an electronic part including an insulating film. However, the photosensitive resin composition disclosed in Patent Document 1 has insufficient durability against a chemical liquid such as a resist stripping liquid.

본 발명은 상기의 과제를 감안해 이루어진 것으로, 절연성과 내약품성이 뛰어난 절연막을 형성할 수 있으며, 절연막의 패턴을 형성할 때의 노광 마진이 넓은 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은 전술한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용해 형성된 절연막 및 전술한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용하는 절연막의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition for forming an insulating film which can form an insulating film excellent in insulating property and chemical resistance and has a large exposure margin when forming a pattern of an insulating film. It is another object of the present invention to provide a method for forming an insulating film using the aforementioned photosensitive resin composition for forming an insulating film and a method for forming an insulating film using the above photosensitive resin composition for forming an insulating film.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 열심히 연구를 거듭했다. 그 결과, (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 광중합성 모노머 및 (C) 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물에 있어서, 특정 구조의 화합물을 배합하고, (A) 알칼리 가용성 수지로서 특정량의 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위를 포함하는 수지를 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는 본 발명은 이하의 것을 제공한다.The present inventors have studied hard to solve the above problems. As a result, it has been found that a photosensitive resin composition comprising (A) an alkali-soluble resin, (B) a photopolymerizable monomer, and (C) a photopolymerization initiator, The present inventors have found that the above problems can be solved by using a resin containing a constituent unit derived from an unsaturated compound containing an unsaturated group. Specifically, the present invention provides the following.

본 발명의 제 1 태양은 (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 광중합성 모노머, (C) 광중합 개시제 및 (D) 하기 식 (1)로 나타내는 화합물을 함유하고, A first aspect of the present invention relates to a photosensitive resin composition comprising (A) an alkali-soluble resin, (B) a photopolymerizable monomer, (C) a photopolymerization initiator, and (D)

상기 (A) 알칼리 가용성 수지가 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위를 포함하는 공중합체이며, Wherein the alkali-soluble resin (A) is a copolymer comprising a constituent unit derived from an unsaturated compound containing an epoxy group,

상기 (A) 알칼리 가용성 수지에 있어서의, 상기 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위의 비율이 20~60 질량％인 절연막 형성용 감광성 수지 조성물이다.Soluble resin is a photosensitive resin composition for forming an insulating film wherein the proportion of the constituent unit derived from the unsaturated compound containing an epoxy group in the alkali-soluble resin (A) is 20 to 60% by mass.

Figure pat00001
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(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. 단, R1 및 R2 중 적어도 한쪽은 유기기를 나타낸다. R1 및 R2는 그것들이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. R3은 단결합 또는 유기기를 나타낸다. R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 또는 유기기를 나타낸다. R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기를 나타낸다. 단, R6 및 R7이 수산기가 되는 경우는 없다. R6, R7, R8 및 R9는 이들의 2 이상이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. R10은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다.)(Shown in, R 1 and R 2 are a hydrogen atom or an organic each independently formula: provided that at least one of R 1 and R 2 represents an organic group. R 1 and R 2 and year they are bonded form a cyclic structure may be, or may include a combination of the hetero atom. R 3 represents a single bond or an organic represents a group. R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group , silanol group, represents a nitro group, a sulfinyl group, a sulfo group, sulfonate group, phosphino group, a phosphine P group, a phosphono group, phosphonate group, or an organic. R 6, R 7, R 8 And R 9 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, A phosphono group, a phosphonate group, an amino group , Ammonium represents import or an organic group. However, R 6 and R 7 is optionally, and there is no case where the hydroxyl group. R 6, R 7, R 8 and R 9 form a cyclic structure by the combination of these 2 or more, And R 10 represents a hydrogen atom or an organic group.

본 발명의 제 2 태양은 제 1 태양과 관련된 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용해 형성된 절연막이다.A second aspect of the present invention is an insulating film formed using the photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the first aspect.

본 발명의 제 3 태양은 제 1 태양과 관련된 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포해 감광성 수지층을 형성하는 도포 공정과, A third aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: applying a photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the first aspect onto a substrate to form a photosensitive resin layer;

상기 감광성 수지층을 소정의 절연막의 패턴에 따라 노광하는 노광 공정과,An exposure step of exposing the photosensitive resin layer according to a pattern of a predetermined insulating film,

상기 노광된 감광성 수지층을 현상하여 절연막의 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 절연막의 형성 방법이다.And developing the exposed photosensitive resin layer to form a pattern of an insulating film.

본 발명에 따르면, 절연성과 내약품성이 뛰어난 절연막을 형성할 수 있고, 절연막의 패턴을 형성할 때의 노광 마진이 넓은 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 전술한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용해 형성된 절연막 및 전술한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용하는 절연막의 형성 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an insulating film excellent in insulating properties and chemical resistance, and capable of providing a photosensitive resin composition for forming an insulating film having a large exposure margin when forming a pattern of an insulating film. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method of forming an insulating film using the photosensitive resin composition for forming an insulating film and the above-described photosensitive resin composition for forming an insulating film.

≪절연막 형성용 감광성 수지 조성물≫&Quot; Photosensitive resin composition for forming insulating film &

본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물(이하, 「감광성 수지 조성물」이라고도 함)은 (A) 알칼리 가용성 수지(이하, 「(A) 성분」이라고도 함), (B) 광중합성 모노머(이하, 「(B) 성분」이라고도 함), (C) 광중합 개시제(이하, 「(C) 성분」이라고도 함) 및 (D) 상술한 식 (1)로 나타내는 화합물(이하, 「(D) 성분」이라고도 함)을 적어도 함유하고 있다. 이하, 본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 대해서 설명한다.(Hereinafter, also referred to as a "component (A)"), (B) a photopolymerizable monomer (hereinafter also referred to as a "photosensitive resin composition"), (Hereinafter also referred to as a "component (B)"), a photopolymerization initiator (hereinafter also referred to as "component (C)") and a compound represented by the formula (1) ). Each component contained in the photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the present invention will be described below.

＜(A) 알칼리 가용성 수지＞<(A) Alkali-soluble resin>

알칼리 가용성 수지란, 수지 농도 20 질량％의 수지 용액(용매：프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트)에 의해 막 두께 1㎛의 수지막을 기판 상에 형성하고, 농도 0.05 질량％의 KOH 수용액에 1분간 침지했을 때에 막 두께 0.01㎛ 이상 용해하는 것을 말한다.The alkali-soluble resin is a resin film having a thickness of 1 占 퐉 formed on a substrate by a resin solution (solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate) having a resin concentration of 20% by mass and immersed in a KOH aqueous solution having a concentration of 0.05% by mass for 1 minute Quot; means that the film thickness is 0.01 占 퐉 or more.

(A) 알칼리 가용성 수지로는 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위를 포함하는 공중합체를 이용한다. (A) 알칼리 가용성 수지에 있어서의, 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위의 비율은 20~60 질량％이며, 20~40 질량％가 바람직하다. 이와 같은 비율로 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위를 포함하는 (A) 알칼리 가용성 수지를 이용함으로써, 감광성 수지 조성물에 의해 절연성이 뛰어난 절연막을 형성하기 쉽다.As the alkali-soluble resin (A), a copolymer containing a constituent unit derived from an unsaturated compound containing an epoxy group is used. The proportion of the constituent unit derived from an unsaturated compound containing an epoxy group in the alkali-soluble resin (A) is 20 to 60% by mass, preferably 20 to 40% by mass. By using the alkali-soluble resin (A) containing a constituent unit derived from an unsaturated compound containing an epoxy group at such a ratio, it is easy to form an insulating film having excellent insulating property by the photosensitive resin composition.

(A) 성분으로서 이용하는 수지는 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위를 소정량 함유하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 종래부터 여러 가지의 감광성 수지 조성물에서 사용되고 있던 알칼리 가용성 수지로부터 적절히 선택해 사용할 수 있다. (A) 성분으로서 바람직한 수지로는 내약품성이 뛰어난 절연막을 얻기 쉽다는 점으로부터, (a1) 불포화 카르복시산과 (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물을 적어도 중합시킨 공중합체 (A1)을 포함하는 것을 들 수 있다.The resin used as the component (A) is not particularly limited as long as it contains a predetermined amount of a constituent unit derived from an unsaturated compound containing an epoxy group, and can be appropriately selected from alkali-soluble resins conventionally used in various photosensitive resin compositions . (A1) include a copolymer (A1) in which at least an unsaturated carboxylic acid (a1) and an epoxy group-containing unsaturated compound (a2) are polymerized from the viewpoint of obtaining an insulating film excellent in chemical resistance .

(a1) 불포화 카르복시산으로는 (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산；말레산, 푸말산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산；이들 디카르복시산의 무수물；등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 공중합 반응성, 얻어지는 수지의 알칼리 용해성, 입수의 용이성 등의 점으로부터, (메타)아크릴산 및 무수 말레산이 바람직하다. 이들 (a1) 불포화 카르복시산은 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.(a1) Examples of the unsaturated carboxylic acid include monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid; and anhydrides of these dicarboxylic acids . Of these, (meth) acrylic acid and maleic anhydride are preferable from the viewpoints of copolymerization reactivity, alkali solubility of the resin to be obtained, ease of obtaining water, and the like. These (a1) unsaturated carboxylic acids may be used alone or in combination of two or more.

(a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물로는 (a2-I) 지환식 에폭시기를 가지는 불포화 화합물과 (a2-II) 지환식 에폭시기를 가지지 않는 불포화 화합물이 들 수 있으며, (a2-I) 지환식 에폭시기를 가지는 불포화 화합물이 바람직하다.Examples of the epoxy group-containing unsaturated compound (a2) include an unsaturated compound having an alicyclic epoxy group (a2-I) and an unsaturated compound having no alicyclic epoxy group (a2-II) Unsaturated compounds are preferred.

(a2-I) 지환식 에폭시기를 가지는 불포화 화합물에 있어서, 지환식 에폭시기를 구성하는 지환식 기는 단환이어도 다환이어도 된다. 단환의 지환식 기로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 또, 다환의 지환식 기로는 노르보르닐기, 이소보닐기, 트리시클로노닐기, 트리시클로데실기, 테트라시클로도데실기 등을 들 수 있다. 이들 (a2-I) 지환식 에폭시기 함유 불포화 화합물은 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.In the unsaturated compound having (a2-I) alicyclic epoxy group, the alicyclic group constituting the alicyclic epoxy group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. Examples of the polycyclic alicyclic group include a norbornyl group, an isobonyl group, a tricyclononyl group, a tricyclodecyl group, and a tetracyclododecyl group. These (a2-I) alicyclic epoxy group-containing unsaturated compounds may be used alone or in combination of two or more.

구체적으로, (a2-I) 지환식 에폭시기 함유 불포화 화합물로는 예를 들면, 하기 식 (a2-1)~(a2-16)으로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 현상성을 적당한 것으로 하기 위해서는 하기 식 (a2-1)~(a2-6)으로 나타내는 화합물이 바람직하고, 하기 식 (a2-1)~(a2-4)로 나타내는 화합물이 보다 바람직하다.Specifically, examples of the unsaturated compound containing an alicyclic epoxy group (a2-I) include compounds represented by the following formulas (a2-1) to (a2-16). Among these, compounds represented by the following formulas (a2-1) to (a2-6) are preferable, and compounds represented by the following formulas (a2-1) to (a2-4) are more preferable .

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Figure pat00004
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상기 식 중, R11은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R12는 탄소수 1~6의 2가의 지방족 포화 탄화 수소기를 나타내며, R13은 탄소수 1~10의 2가의 탄화수소기를 나타내고, n는 0~10의 정수를 나타낸다. R12로는 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기가 바람직하다. R13으로는 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 페닐렌기, 시클로헥실렌기, -CH2-Ph-CH2-(Ph는 페닐렌기를 나타냄)가 바람직하다.Wherein R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 12 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, R 13 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and n represents 0 to 10 Lt; / RTI &gt; R 12 is preferably a linear or branched alkylene group such as methylene, ethylene, propylene, tetramethylene, ethylethylene, pentamethylene, and hexamethylene. Examples of R 13 include methylene, ethylene, propylene, tetramethylene, ethylethylene, pentamethylene, hexamethylene, phenylene, cyclohexylene, -CH 2 -Ph-CH 2 - (Ph represents a phenylene group).

(a2-II) 지환식 기를 갖지 않는 에폭시기 함유 불포화 화합물로는 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜 (메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸 (메타)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 에폭시알킬 에스테르류；α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 6,7-에폭시헵틸 등의 α-알킬아크릴산 에폭시알킬 에스테르류； 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 공중합 반응성, 경화 후의 수지의 강도 등의 점으로부터, 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜 (메타)아크릴레이트 및 6,7-에폭시헵틸 (메타)아크릴레이트가 바람직하다. 이들 (a2-II) 지환식 기를 갖지 않는 에폭시기 함유 불포화 화합물은 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.Examples of the epoxy group-containing unsaturated compound having no (a2-II) alicyclic group include glycidyl (meth) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (Meth) acrylic acid epoxyalkyl esters such as 7-epoxyheptyl (meth) acrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, glycidyl α- And? -Alkylacrylic acid epoxyalkyl esters such as 6,7-epoxyheptyl ethyl acrylate; and the like. Of these, glycidyl (meth) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate and 6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate are preferred from the viewpoint of copolymerization reactivity and strength of the resin after curing Do. These epoxy group-containing unsaturated compounds having no (a2-II) alicyclic group may be used alone or in combination of two or more.

공중합체 (A1)은 상기 (a1) 불포화 카르복시산 및 (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물과 함께, (a3) 에폭시기를 갖지 않는 지환식 기 함유 불포화 화합물을 중합시킨 것이어도 된다.The copolymer (A1) may be obtained by polymerizing (a3) an alicyclic group-containing unsaturated compound having no epoxy group together with the unsaturated carboxylic acid (a1) and the unsaturated compound containing an epoxy group (a2).

(a3) 지환식 기 함유 불포화 화합물로는 지환식 기를 가지는 불포화 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 지환식 기는 단환이어도 다환이어도 된다. 단환의 지환식 기로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 또, 다환의 지환식 기로는 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소보닐기, 트리시클로노닐기, 트리시클로데실기, 테트라시클로도데실기 등을 들 수 있다. 이들 (a3) 지환식 기 함유 불포화 화합물은 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.(a3) The alicyclic group-containing unsaturated compound is not particularly limited as long as it is an unsaturated compound having an alicyclic group. The alicyclic group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. Examples of the polycyclic alicyclic group include adamantyl, norbornyl, isobonyl, tricyclononyl, tricyclodecyl and tetracyclododecyl. These (a3) alicyclic group-containing unsaturated compounds may be used alone or in combination of two or more.

구체적으로, (a3) 지환식 기 함유 불포화 화합물로는 예를 들면 하기 식 (a3-1)~(a3-7)로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성이 양호한 감광성 수지 조성물을 얻기 쉽다는 점으로부터, 하기 식 (a3-3)~(a3-8)로 나타내는 화합물이 바람직하고, 하기 식 (a3-3), (a3-4)으로 나타내는 화합물이 보다 바람직하다.Specifically, (a3) the alicyclic group-containing unsaturated compound includes, for example, compounds represented by the following formulas (a3-1) to (a3-7). Among these, compounds represented by the following formulas (a3-3) to (a3-8) are preferable, and the following formulas (a3-3) and (a3-4) are preferable from the viewpoint of easily obtaining a photosensitive resin composition having good developability. Is more preferable.

Figure pat00005
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Figure pat00006
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상기 식 중, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22는 단결합 또는 탄소수 1~6의 2가의 지방족 포화 탄화 수소기를 나타내며, R23은 수소 원자 또는 탄소수 1~5의 알킬기를 나타낸다. R22로는 단결합, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기가 바람직하다. R23으로는 예를 들면 메틸기, 에틸기가 바람직하다.In the formula, R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 22 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R 23 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 22 is preferably a single bond, a straight chain or branched alkylene group such as methylene, ethylene, propylene, tetramethylene, ethylethylene, pentamethylene or hexamethylene. As R 23 , for example, methyl group and ethyl group are preferable.

공중합체 (A1)은 상기 이외의 다른 화합물을 추가로 공중합시킨 것이어도 된다. 이와 같은 다른 화합물로는 (메타)아크릴산 에스테르류, (메타)아크릴아미드류, 알릴 화합물, 비닐에테르류, 비닐에스테르류, 스티렌류 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.The copolymer (A1) may be obtained by further copolymerizing a compound other than the above. Other such compounds include (meth) acrylic acid esters, (meth) acrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes and the like. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

(메타)아크릴산 에스테르류로는 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 프로필 (메타)아크릴레이트, 아밀 (메타)아크릴레이트, t-옥틸 (메타)아크릴레이트 등의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬 (메타)아크릴레이트；클로로에틸 (메타)아크릴레이트, 2,2-디메틸히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 모노(메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트, 푸르푸릴 (메타)아크릴레이트； 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic esters include linear or branched (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate and t- Chain alkyl (meth) acrylates such as chloroethyl (meth) acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, trimethylolpropane mono (Meth) acrylate, furfuryl (meth) acrylate, and the like.

(메타)아크릴아미드류로는 (메타)아크릴아미드, N-알킬 (메타)아크릴아미드, N-아릴 (메타)아크릴아미드, N,N-디알킬 (메타)아크릴아미드, N,N-아릴 (메타)아크릴아미드, N-메틸-N-페닐 (메타)아크릴아미드, N-히드록시에틸-N-메틸 (메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다.The (meth) acrylamides include (meth) acrylamide, N-alkyl (meth) acrylamide, N-aryl (meth) acrylamide, N, N-dialkyl (Meth) acrylamide, N-methyl-N-phenyl (meth) acrylamide and N-hydroxyethyl-N-methyl (meth) acrylamide.

알릴 화합물로는 아세트산 알릴, 카프로산 알릴, 카프릴산 알릴, 라우르산 알릴, 팔미트산 알릴, 스테아르산 알릴, 벤조산 알릴, 아세토아세트산 알릴, 젖산 알릴 등의 알릴 에스테르류；알릴 옥시에탄올； 등을 들 수 있다.Examples of the allyl compound include allyl esters such as allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, and allyl lactate; allyloxyethanol; .

비닐에테르류로는 헥실 비닐에테르, 옥틸 비닐에테르, 데실 비닐에테르, 에틸헥실 비닐에테르, 메톡시에틸 비닐에테르, 에톡시에틸 비닐에테르, 클로로에틸 비닐에테르, 1-메틸-2,2-디메틸프로필 비닐에테르, 2-에틸부틸 비닐에테르, 히드록시에틸 비닐에테르, 디에틸렌글리콜 비닐에테르, 디메틸아미노에틸 비닐에테르, 디에틸아미노에틸 비닐에테르, 부틸아미노에틸 비닐에테르, 벤질 비닐에테르, 테트라히드로푸르푸릴 비닐에테르 등의 알킬 비닐에테르；비닐페닐에테르, 비닐톨릴에테르, 비닐클로로페닐에테르, 비닐-2,4-디클로로페닐에테르, 비닐나프틸에테르, 비닐안트라닐에테르 등의 비닐아릴에테르；등을 들 수 있다.Examples of vinyl ethers include hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2- But are not limited to, ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether And vinyl aryl ethers such as vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorophenyl ether, vinyl-2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether and vinyl anthranyl ether.

비닐에스테르류로는 비닐부틸레이트, 비닐이소부틸레이트, 비닐트리메틸아세테이트, 비닐디에틸아세테이트, 비닐발레이트, 비닐카프로에이트, 비닐클로로아세테이트, 비닐디클로로아세테이트, 비닐메톡시아세테이트, 비닐부톡시아세테이트, 비닐페닐아세테이트, 비닐아세토아세테이트, 비닐락테이트, 비닐-β-페닐부틸레이트, 벤조산 비닐, 살리실산 비닐, 클로로벤조산 비닐, 테트라클로로벤조산 비닐, 나프토에산 비닐 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl esters include vinyl butyrate, vinyl isobutylate, vinyl trimethylacetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valerate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate, vinyl Phenyl acetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenyl butyrate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorobenzoate, vinyl tetrachlorobenzoate and vinyl naphthoate.

스티렌류로는 스티렌；메틸스티렌, 디메틸스티렌, 트리메틸스티렌, 에틸스티렌, 디에틸스티렌, 이소프로필스티렌, 부틸스티렌, 헥실스티렌, 시클로헥실스티렌, 데실스티렌, 벤질스티렌, 클로로메틸스티렌, 트리플루오로메틸스티렌, 에톡시메틸스티렌, 아세톡시메틸스티렌 등의 알킬스티렌；메톡시스티렌, 4-메톡시-3-메틸스티렌, 디메톡시스티렌 등의 알콕시스티렌；클로로스티렌, 디클로로스티렌, 트리클로로스티렌, 테트라클로로스티렌, 펜타클로로스티렌, 브로모스티렌, 디브로모스티렌, 요오드스티렌, 플루오로스티렌, 트리플루오로스티렌, 2-브로모-4-트리플루오로메틸스티렌, 4-플루오로-3-트리플루오로메틸스티렌 등의 할로스티렌； 등을 들 수 있다.Examples of the styrene include styrene, such as styrene, methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, diethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, cyclohexylstyrene, decylstyrene, benzylstyrene, chloromethylstyrene, trifluoromethyl Alkylstyrenes such as styrene, ethoxymethylstyrene and acetoxymethylstyrene, alkoxystyrenes such as methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene and dimethoxystyrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene and tetrachloro But are not limited to, styrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, trifluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethylstyrene, And halostyrene such as methylstyrene.

공중합체 (A1)에서 차지하는 상기 (a1) 불포화 카르복시산 유래의 구성 단위의 비율은 1~25 질량％인 것이 바람직하고, 8~16 질량％인 것이 보다 바람직하다. 또, 공중합체 (A1)에서 차지하는 상기 (a3) 지환식 기 함유 불포화 화합물 유래의 구성 단위의 비율은 1~30 질량％인 것이 바람직하고, 5~20 질량％인 것이 보다 바람직하다.The proportion of the constituent unit derived from the (a1) unsaturated carboxylic acid in the copolymer (A1) is preferably 1 to 25% by mass, and more preferably 8 to 16% by mass. The proportion of the structural unit derived from the (a3) alicyclic group-containing unsaturated compound in the copolymer (A1) is preferably from 1 to 30% by mass, and more preferably from 5 to 20% by mass.

공중합체 (A1)의 질량 평균 분자량(Mw：겔 투과 크로마토그래피(GPC)의 스티렌 환산에 의한 측정치. 본 명세서에서 동일함)은 2000~200000인 것이 바람직하고, 5000~30000인 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 감광성 수지 조성물의 막 형성능, 노광 후의 현상성의 밸런스를 취하기 쉬운 경향이 있다.The mass average molecular weight (Mw: measured value by gel permeation chromatography (GPC) in terms of styrene conversion, in this specification) of the copolymer (A1) is preferably from 2,000 to 200,000, and more preferably from 5,000 to 30,000. Within the above range, there is a tendency that the film forming ability of the photosensitive resin composition and the balance of developability after exposure tends to be balanced.

공중합체 (A1)는 공지의 라디칼 중합법에 의해 제조할 수 있다. 즉, 각 화합물 및 공지의 라디칼 중합 개시제를 중합 용매에 용해한 후, 가열 교반함으로써 제조할 수 있다.The copolymer (A1) can be produced by a known radical polymerization method. That is, they can be produced by dissolving each compound and a known radical polymerization initiator in a polymerization solvent and then heating and stirring.

또, (A) 알칼리 가용성 수지로는 상기 (a1) 불포화 카르복시산로부터 유래하는 구성 단위와, 상기 (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위와, 후술하는 (B) 광중합성 모노머의 중합 가능 부위를 가지는 구성 단위를 적어도 가지는 공중합체 (A2)를 포함하는 수지도 매우 적합하게 사용할 수 있다. 알칼리 가용성 수지 (A)가 공중합체 (A2)를 포함하는 경우, 감광성 수지 조성물의 기판에 대한 밀착성, 감광성 수지 조성물의 경화 후의 파괴 강도를 높일 수 있다.The alkali-soluble resin (A) is preferably an alkali-soluble resin having a structural unit derived from the unsaturated carboxylic acid (a1), a structural unit derived from the unsaturated compound containing the epoxy group (a2) (A2) having at least a constitutional unit having a repeating unit represented by the following general formula (1) can also be suitably used. When the alkali-soluble resin (A) contains the copolymer (A2), the adhesion of the photosensitive resin composition to the substrate and the strength of the photosensitive resin composition after curing can be increased.

공중합체 (A2)는 공중합체 (A1)에 대해서 다른 화합물로서 기재된 (메타)아크릴산 에스테르류, (메타)아크릴아미드류, 알릴 화합물, 비닐에테르류, 비닐에스테르류, 스티렌류 등을 추가로 공중합시킨 것이어도 된다.The copolymer (A2) is obtained by further copolymerizing (meth) acrylic acid esters, (meth) acrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters and styrenes described as different compounds with respect to the copolymer .

(B) 광중합성 모노머와의 중합 가능 부위를 가지는 구성 단위는 (B) 광중합성 모노머와의 중합 가능 부위로서 에틸렌성 불포화기를 가지는 것이 바람직하다. 공중합체 (A2)는 상기 (a1) 불포화 카르복시산로부터 유래하는 구성 단위와, 상기 (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위를 가지는 공중합체에 있어서의 에폭시기의 일부와 (a1) 불포화 카르복시산을 반응시킴으로써 조제할 수 있다.(B) a constituent unit having a polymerizable moiety with a photopolymerizable monomer is preferably an ethylenic unsaturated group as a polymerizable moiety with (B) the photopolymerizable monomer. The copolymer (A2) is obtained by reacting a part of the epoxy group in the copolymer having the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid (a1) and the constituent unit derived from the unsaturated compound containing the epoxy group (a2) with the unsaturated carboxylic acid (a1) .

공중합체 (A2)의 질량 평균 분자량은 2000~50000인 것이 바람직하고, 5000~30000인 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 감광성 수지 조성물의 막 형성능, 노광 후의 현상성의 밸런스를 취하기 쉬운 경향이 있다.The mass average molecular weight of the copolymer (A2) is preferably from 2,000 to 50,000, more preferably from 5,000 to 30,000. Within the above range, there is a tendency that the film forming ability of the photosensitive resin composition and the balance of developability after exposure tends to be balanced.

(A) 알칼리 가용성 수지의 함유량은 감광성 수지 조성물의 고형분에 대해서 30~90 질량％인 것이 바람직하고, 45~75 질량％인 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 현상성의 밸런스를 잡기 쉬운 경향이 있다.The content of the alkali-soluble resin (A) in the photosensitive resin composition is preferably 30 to 90% by mass, more preferably 45 to 75% by mass, based on the solid content of the photosensitive resin composition. In the above range, there is a tendency that the developing property tends to be balanced.

＜(B) 광중합성 모노머＞&Lt; (B) Photopolymerizable monomer &gt;

본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물에 함유되는 (B) 광중합성 모노머로는 에틸렌성 불포화기를 가지는 모노머를 바람직하게 이용할 수 있다. 이 에틸렌성 불포화기를 가지는 모노머에는 단관능 모노머와 다관능 모노머가 있다.As the photopolymerizable monomer (B) contained in the photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the present invention, a monomer having an ethylenic unsaturated group can be preferably used. Monomers having an ethylenic unsaturated group include monofunctional monomers and polyfunctional monomers.

단관능 모노머로는 (메타)아크릴아미드, 메틸올 (메타)아크릴아미드, 메톡시메틸 (메타)아크릴아미드, 에톡시메틸 (메타)아크릴아미드, 프로폭시메틸 (메타)아크릴아미드, 부톡시메톡시메틸 (메타)아크릴아미드, N-메틸올 (메타)아크릴아미드, N-히드록시메틸 (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴산, 푸말산, 말레산, 무수 말레산, 이타콘산, 무수 이타콘산, 시트라콘산, 무수 시트라콘산, 크로톤산, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판설폰산, tert-부틸아크릴아미드설폰산, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 2-페녹시-2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시-2-히드록시프로필프탈레이트, 글리세린 모노(메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트, 디메틸아미노 (메타)아크릴레이트, 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로에틸 (메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필 (메타)아크릴레이트, 프탈산 유도체의 하프 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 단관능 모노머는 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.Examples of the monofunctional monomer include (meth) acrylamide, methylol (meth) acrylamide, methoxymethyl (meth) acrylamide, ethoxymethyl (meth) acrylamide, propoxymethyl (meth) acrylamide, butoxymethoxy (Meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid, itaconic anhydride, maleic anhydride, maleic anhydride, Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl ) Acrylate, 2-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) (Meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, dimethylamino (meth) acrylate, glycidyl (Meth) acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, and half . These monofunctional monomers may be used alone or in combination of two or more.

한편, 다관능 모노머로는 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 글리세린 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 2,2-비스(4-(메타)아크릴옥시디에톡시페닐)프로판, 2,2-비스(4-(메타)아크릴옥시폴리에톡시페닐)프로판, 2-히드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필 (메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르 디(메타)아크릴레이트, 프탈산디글리시딜에스테르 디(메타)아크릴레이트, 글리세린 트리아크릴레이트, 글리세린 폴리글리시딜에테르 폴리(메타)아크릴레이트, 우레탄 (메타)아크릴레이트(즉, 톨릴렌 디이소시아네이트), 트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트와 헥사메틸렌 디이소시아네이트 등과 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트의 반응물, 메틸렌비스(메타)아크릴아미드, (메타)아크릴아미드 메틸렌에테르, 다가 알코올과 N-메틸올 (메타)아크릴아미드의 축합물 등의 다관능 모노머나, 트리아크릴포르말 등을 들 수 있다. 이들 다관능 모노머는 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.Examples of the polyfunctional monomer include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, butyleneglycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (Meth) acryloxypolyethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4- (meth) acryloxy diethoxyphenyl) propane, (Meth) acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di (Meth) acrylate, glycerin triacrylate, glycerin polyglycidyl ether poly (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate (i.e., tolylene diisocyanate), trimethylhexamethylene diisocyanate (Meth) acrylamide, (meth) acrylamide methylene ether, polyhydric alcohol and N-methylol (meth) acrylamide, a reaction product of 2-hydroxyethyl Polyfunctional monomers such as condensates, and triacryl amides. These multifunctional monomers may be used alone or in combination of two or more.

이들 에틸렌성 불포화기를 가지는 모노머 중에서도 절연막 형성용 감광성 수지 조성물의 기판에 대한 밀착성, 감광성 수지 조성물의 경화 후의 강도를 높이는 점으로부터, 3 관능 이상의 다관능 모노머가 바람직하고, 6 관능 이상의 다관능 모노머가 보다 바람직하다.Among these monomers having an ethylenic unsaturated group, polyfunctional monomers having three or more functionalities are preferable, and polyfunctional monomers having six or more functional groups are preferred because of the adhesion of the photosensitive resin composition for forming an insulating film to the substrate and the strength of the photosensitive resin composition after curing. desirable.

(B) 성분의 함유량은 절연막 형성용 감광성 수지 조성물의 고형분에 대해서 5~60 질량％인 것이 바람직하고, 10~50 질량％인 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 감도, 현상성, 해상성의 밸런스를 취하기 쉬운 경향이 있다.The content of the component (B) is preferably 5 to 60 mass%, more preferably 10 to 50 mass%, based on the solid content of the photosensitive resin composition for forming an insulating film. When the content is in the above range, there is a tendency to balance the sensitivity, developability and resolution.

＜(C) 광중합 개시제＞<(C) Photopolymerization initiator>

본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물에 함유되는 (C) 광중합 개시제로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 광중합 개시제를 이용할 수 있다.The photopolymerization initiator (C) contained in the photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the present invention is not particularly limited, and conventionally known photopolymerization initiators can be used.

광중합 개시제로서 구체적으로는 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 비스(4-디메틸아미노페닐)케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일], 1-(O-아세틸옥심), (9-에틸-6-니트로-9H-카르바졸-3-일)[4-(2-메톡시-1-메틸에톡시)-2-메틸페닐]메탄온 O-아세틸옥심, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(O-벤조일옥심)], 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 4-벤조일-4'-메틸디메틸설피드, 4-디메틸아미노벤조산, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산부틸, 4-디메틸아미노-2-에틸헥실벤조산, 4-디메틸아미노-2-이소아밀벤조산, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤질디메틸케탈, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, o-벤조일벤조산메틸, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 티옥산텐, 2-클로로티옥산텐, 2,4-디에틸티옥산텐, 2-메틸티옥산텐, 2-이소프로필티옥산텐, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥시드, 쿠멘퍼옥시드, 2-메르캅토벤조이미달, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)-이미다졸릴 2량체, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, p,p'-비스디메틸아미노벤조페논, 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인 n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인부틸에테르, 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-tert-부틸아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, p-tert-부틸디클로로아세토페논, α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디벤조스베론, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스-(9-아크리디닐)헵탄, 1,5-비스-(9-아크리디닐)펜탄, 1,3-비스-(9-아크리디닐)프로판, p-메톡시트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.Specific examples of the photopolymerization initiator include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1- [4- (2- hydroxyethoxy) Methyl-1-propan-1-one, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy- 2-methylpropan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, bis (4-dimethylaminophenyl) 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, ethanone, 1 (9-ethyl-6-nitro-9H-carbazol-3-yl) 1- [4- (2-methoxy-1-methylethoxy) -2-methylphenyl] methanone O-acetyloxime, Benzoyloxime)], 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 4-benzoyl-4'-methyldimethylsulfide, 4-dimethylaminobenzoic acid, 4-dimethylamino Methylbenzoic acid, methyl benzoate, methyl benzoate, ethyl benzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, butyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylamino-2-ethylhexylbenzoic acid, Dimethyl ketal, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime, methyl o-benzoylbenzoate, 2,4- , 4-dimethylthioxanthone, 1-chloro-4-propoxycitoxone, thioxanthene, 2-chlorothioxanthene, 2,4-diethylthioxanthene, 2- 2-ethyl anthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, azobisisobutyronitrile, benzoyl peroxide, cumene peroxide, 2 2-mercaptobenzothiazole, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (m-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, Benzophenone, 2-chlorobenzophenone, p, p'-bisdimethylamino Benzophenone, 4,4'-bisdiethylaminobenzophenone, 4,4'-dichlorobenzophenone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl Ether, benzoin isopropyl ether, benzoin n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin butyl ether, acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, p-dimethylacetophenone, P-tert-butyltrichloroacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, alpha, alpha -dichloroacetophenone, p-tert- Phenoxyacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, dibenzosuberone, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, (9-acridinyl) pentane, 1,3-bis- (9-acridinyl) propane, p-methoxytriazine, 2,4 (Trichloromethyl) -s-triazine, 2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan-2-yl) ethenyl] -4,6-bis Azine, 2- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-n-butoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s- Triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (3-bromo-4-methoxy) phenyl- 4-methoxy) phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (3-bromo- - trichloromethyl-6- (2-bromo-4 -Methoxy) styrylphenyl-s-triazine. These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도, 옥심계의 광중합 개시제를 이용하는 것이 감도의 면에서 특히 바람직하다. 옥심계의 광중합 개시제 중에서, 특히 바람직한 것으로는 에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일], 1-(O-아세틸옥심), (9-에틸-6-니트로-9H-카르바졸-3-일)[4-(2-메톡시-1-메틸에톡시)-2-메틸페닐]메탄온 O-아세틸옥심 및 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(O-벤조일옥심)]을 들 수 있다.Among them, it is particularly preferable to use an oxime-type photopolymerization initiator in terms of sensitivity. Among the oxime-based photopolymerization initiators, particularly preferred are ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol- Yl) [4- (2-methoxy-1-methylethoxy) -2-methylphenyl] methanone O-Acetyl oxime and 1,2-octanedione , 1- [4- (phenylthio) -, 2- (O-benzoyloxime)].

(C) 성분의 함유량은 절연막 형성용 감광성 수지 조성물의 고형분에 대해서 0.5~30 질량％인 것이 바람직하고, 1~20 질량％인 것이 보다 바람직하다. (C) 성분의 함유량을 상기의 범위로 함으로써, 내약품성이 뛰어난 절연막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The content of the component (C) is preferably from 0.5 to 30 mass%, more preferably from 1 to 20 mass%, based on the solid content of the photosensitive resin composition for forming an insulating film. By setting the content of the component (C) within the above range, a photosensitive resin composition capable of forming an insulating film excellent in chemical resistance can be obtained.

또, 이 (C) 성분에 광개시 조제를 조합해도 된다. 광개시 조제로는 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리이소프로판올아민, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산이소아밀, 4-디메틸아미노벤조산 2-에틸헥실, 벤조산 2-디메틸아미노에틸, N,N-디메틸파라톨루이딘, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 9,10-디메톡시안트라센, 2-에틸-9,10-디메톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 2-에틸-9,10-디에톡시안트라센, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-메톡시벤조티아졸, 3-메르캅토프로피오네이트산, 3-메르캅토프로피오네이트산메틸, 펜타에리스톨테트라메르캅토아세테이트, 3-메르캅토프로피오네이트 등의 티올 화합물 등을 들 수 있다. 이들 광개시 조제는 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.The photoinitiator may be combined with the component (C). Examples of the photoinitiator include triethanolamine, methyldiethanolamine, triisopropanolamine, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylaminobenzoic acid isoamyl, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, Dimethylaminoethyl benzoate, N, N-dimethylparatoluidine, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 9,10- dimethoxyanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, Diethoxy anthracene, 2-ethyl-9,10-diethoxy anthracene, 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzooxazole, 2-mercaptobenzoimidazole, 2-mercapto-5- And thiol compounds such as methoxybenzothiazole, 3-mercaptopropionate acid, methyl 3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetramercaptoacetate and 3-mercaptopropionate. These photoinitiators may be used alone or in combination of two or more.

＜(D) 식 (1)로 나타내는 화합물＞&Lt; (D) Compound represented by formula (1) &gt;

본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물은 하기 식 (1)로 나타내는 화합물을 함유한다. 감광성 수지 조성물에 이 화합물을 함유시킴으로써, 감광성 수지 조성물의 노광 마진을 넓게 할 수 있다. 또, 식 (1)로 나타내는 화합물은 감광성 수지 조성물의 감도나, 얻어지는 절연막 강도에 악영향을 주기 어렵다.The photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the present invention contains a compound represented by the following formula (1). By containing this compound in the photosensitive resin composition, the exposure margin of the photosensitive resin composition can be widened. In addition, the compound represented by the formula (1) does not adversely affect the sensitivity of the photosensitive resin composition and the obtained insulating film strength.

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타내지만, R1 및 R2 중 적어도 한쪽은 유기기를 나타낸다.In the formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, but at least one of R 1 and R 2 represents an organic group.

R1 및 R2에 있어서의 유기기로는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는 이 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다. 이 유기기는 통상은 1가이지만, 환상 구조를 형성하는 경우 등에는 2가 이상의 유기기가 될 수 있다.Examples of the organic group for R 1 and R 2 include an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group, and an aralkyl group. This organic group may contain a bond or a substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group. The organic group may be any of linear, branched and cyclic. This organic group is usually monovalent, but in the case of forming a cyclic structure, it may be a divalent or higher-valent organic group.

R1 및 R2는 그것들이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 더 포함하고 있어도 된다. 환상 구조로는 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있으며, 축합환이어도 된다.R 1 and R 2 may combine to form a cyclic structure or may further contain a bond of a heteroatom. Examples of the cyclic structure include a heterocycloalkyl group and a heteroaryl group, and condensed rings may be used.

R1 및 R2의 유기기 중의 탄화수소기 이외의 결합으로는 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 산소 원자, 질소 원자, 규소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 들 수 있다. 구체적인 예로는 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-：R은 수소 원자 또는 유기기를 나타냄), 카보네이트 결합, 설포닐 결합, 설피닐 결합, 아조 결합 등을 들 수 있다.The bond other than the hydrocarbon group in the organic group of R 1 and R 2 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired and includes a bond including a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom or a silicon atom . Specific examples thereof include an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, an imino bond (-N═C (-R) R represents a hydrogen atom or an organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, a sulfinyl bond, and an azo bond.

내열성의 관점으로부터, R1 및 R2의 유기기 중의 탄화수소기 이외의 결합으로는 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-：R은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타냄), 카보네이트 결합, 설포닐 결합, 설피닐 결합이 바람직하다.From the viewpoint of heat resistance, examples of the bond other than the hydrocarbon group in the organic group of R 1 and R 2 include an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, -N═C (-R) -, -C (═NR) -: R represents a hydrogen atom or a monovalent organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond or a sulfinyl bond is preferable.

R1 및 R2의 유기기 중의 탄화수소기 이외의 치환기로는 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 실릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 티오카르바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카르복실기, 카르복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 히드록시이미노기, 알킬에테르기, 알케닐에테르기, 알킬티오에테르기, 알케닐티오에테르기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아미노기(-NH2, -NHR, -NRR'：R 및 R'는 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타냄) 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 포함되는 수소 원자는 탄화수소기에 의해 치환되어 있어도 된다. 또, 상기 치환기에 포함되는 탄화수소기는 직쇄상, 분기쇄상 및 환상 중 어느 하나여도 된다.Substituents other than the hydrocarbon groups in the organic group of R 1 and R 2 are not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired and examples thereof include halogen atoms, hydroxyl groups, mercapto groups, sulfide groups, cyano groups, isocyanato groups, A silanol group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a carbamoyl group, a thiocarbamoyl group, a nitro group, a nitroso group, a carboxyl group, a carboxylate group, a carboxylate group, an isocyanate group, a thiocyanate group, an isothiocyanate group, A sulfonyl group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonate group, a hydroxyimino group, an alkyl ether group, an alkenyl ether group, an acyl group, an acyl group, (-NH 2 , -NHR, -NRR ': R and R' each independently represent a hydrocarbon group), and the like can be given as examples of the alkyl group, the alkenyl group, the aryl group, . The hydrogen atom contained in the substituent may be substituted by a hydrocarbon group. The hydrocarbon group contained in the substituent may be any of straight chain, branched chain and cyclic.

R1 및 R2의 유기기 중의 탄화수소기 이외의 치환기로는 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 실릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 티오카르바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카르복실기, 카르복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 히드록시이미노기, 알킬에테르기, 알케닐에테르기, 알킬티오에테르기, 알케닐티오에테르기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기가 바람직하다.Examples of substituents other than the hydrocarbon groups in the organic group of R 1 and R 2 include halogen atoms, hydroxyl groups, mercapto groups, sulfide groups, cyano groups, isocyanato groups, cyanate groups, isocyanate groups, thiocyanate groups, A carboxyl group, an acyl group, an acyloxy group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonyl group, a sulfonyl group, a sulfonyl group, a silyl group, a silanol group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a carbamoyl group, a thiocarbamoyl group, , A sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonate group, a hydroxyimino group, an alkyl ether group, an alkenyl ether group, an alkylthioether group, an alkenylthioether group, , An arylthioether group is preferable.

이상의 것 중에서도, R1 및 R2로는 적어도 한쪽이 탄소수 1~12의 알킬기 혹은 탄소수 1~12의 아릴기이든가, 서로 결합해 탄소수 2~20의 헤테로시클로알킬기 혹은 헤테로아릴기를 형성하는 것인 것이 바람직하다. 헤테로시클로알킬기로는 피페리디노기, 모르폴리노기 등을 들 수 있고, 헤테로아릴기로는 이미다졸릴기, 피라졸릴기 등을 들 수 있다.Of these, at least one of R 1 and R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an aryl group having 1 to 12 carbon atoms, or may be bonded to each other to form a heterocycloalkyl group or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms Do. Examples of the heterocycloalkyl group include a piperidino group and a morpholino group. Examples of the heteroaryl group include an imidazolyl group and a pyrazolyl group.

상기 식 (1) 중, R3은 단결합 또는 유기기를 나타낸다.In the above formula (1), R 3 represents a single bond or an organic group.

R3에 있어서의 유기기로는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등으로부터 1개의 수소 원자를 없앤 기를 들 수 있다. 이 유기기는 이 유기기 중에 치환기를 포함하고 있어도 된다. 치환기로는 R1 및 R2에서 예시한 것을 들 수 있다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상 중 어느 하나여도 된다.Examples of the organic group for R 3 include a group for eliminating one hydrogen atom from an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. This organic group may contain a substituent in the organic group. Examples of the substituent include those exemplified as R 1 and R 2 . The organic group may be either straight chain or branched chain.

이상의 것 중에서도, R3으로는 단결합, 또는 탄소수 1~12의 알킬기 혹은 탄소수 1~12의 아릴기로부터 1개의 수소 원자를 없앤 기인 것이 바람직하다.Among the above, it is preferable that R 3 is a group which removes one hydrogen atom from a single bond, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an aryl group having 1 to 12 carbon atoms.

상기 식 (1) 중, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 또는 유기기를 나타낸다.Wherein R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, A sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonate group, or an organic group.

R4 및 R5에 있어서의 유기기로는 R1 및 R2에서 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 R1 및 R2의 경우와 마찬가지로 이 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다.Examples of the organic group for R 4 and R 5 include those exemplified for R 1 and R 2 . As in the case of R 1 and R 2 , this organic group may contain a bond or a substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group. The organic group may be any of linear, branched and cyclic.

이상의 것 중에서도, R4 및 R5로는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 4~13의 시클로알킬기, 탄소수 4~13의 시클로알케닐기, 탄소수 7~16의 아릴옥시알킬기, 탄소수 7~20의 아랄킬기, 시아노기를 가지는 탄소수 2~11의 알킬기, 수산기를 가지는 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕시기, 탄소수 2~11의 아미드기, 탄소수 1~10의 알킬티오기, 탄소수 1~10의 아실기, 탄소수 2~11의 에스테르기(-COOR, -OCOR：R은 탄화수소기를 나타냄), 탄소수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 R4 및 R5 양쪽 모두가 수소 원자이든가, 또는 R4가 메틸기이며, R5가 수소 원자이다.Among them, R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a cycloalkenyl group having 4 to 13 carbon atoms, an aryloxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms, An aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 11 carbon atoms having a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyl group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an amide group having 2 to 11 carbon atoms, An acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an ester group having 2 to 11 carbon atoms (-COOR, -OCOR, wherein R is a hydrocarbon group), an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an electron donating group and / An aryl group having 6 to 20 carbon atoms which is substituted, a benzyl group substituted with an electron-donating group and / or an electron-withdrawing group, a cyano group, or a methylthio group. More preferably, both of R 4 and R 5 are hydrogen atoms, or R 4 is a methyl group, and R 5 is a hydrogen atom.

상기 식 (1) 중, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기, 또는 유기기를 나타낸다.R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, Sulfo group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, amino group, ammonia group, or organic group.

R6, R7, R8 및 R9에 있어서의 유기기로는 R1 및 R2에서 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 R1 및 R2의 경우와 마찬가지로, 이 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다.Examples of the organic group for R 6 , R 7 , R 8 and R 9 include those exemplified as R 1 and R 2 . As in the case of R 1 and R 2 , this organic group may contain a bond or a substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group. The organic group may be any of linear, branched and cyclic.

또한, 상기 식 (1) 중, R6 및 R7이 수산기가 되는 경우는 없다.In the above formula (1), R 6 and R 7 do not form a hydroxyl group.

R6, R7, R8 및 R9는 이들 2 이상이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. 환상 구조로는 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있으며, 축합환이어도 된다. 예를 들면, R6, R7, R8 및 R9는 이들 2 이상이 결합하여 R6, R7, R8 및 R9가 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유해 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성해도 된다.R 6 , R 7 , R 8 and R 9 may combine with each other to form a cyclic structure or may contain a heteroatom bond. Examples of the cyclic structure include a heterocycloalkyl group and a heteroaryl group, and condensed rings may be used. For example, R 6 , R 7 , R 8, and R 9 may be bonded to each other to form an atom of a benzene ring to which R 6 , R 7 , R 8, and R 9 are bonded to form an naphthalene, anthracene, phenanthrene, Or the like may be formed.

이상의 것 중에서도, R6, R7, R8 및 R9로는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 4~13의 시클로알킬기, 탄소수 4~13의 시클로알케닐기, 탄소수 7~16의 아릴옥시알킬기, 탄소수 7~20의 아랄킬기, 시아노기를 가지는 탄소수 2~11의 알킬기, 수산기를 가지는 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕시기, 탄소수 2~11의 아미드기, 탄소수 1~10의 알킬티오기, 탄소수 1~10의 아실기, 탄소수 2~11의 에스테르기, 탄소수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기, 니트로기인 것이 바람직하다.Of the above groups, R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a cycloalkenyl group having 4 to 13 carbon atoms, An aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 11 carbon atoms having a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyl group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an amide group having 2 to 11 carbon atoms, An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an ester group having 2 to 11 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an electron donating group and / An aryl group, an electron-donating group and / or a benzyl group substituted with an electron-withdrawing group, cyano group, methylthio group or nitro group.

또, R6, R7, R8 및 R9로는 이들 2 이상이 결합하여 R6, R7, R8 및 R9가 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유해 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성하고 있는 경우에도 흡수 파장이 장파장화되는 점으로부터 바람직하다.In addition, R 6, R, etc. 7, R 8 and R 9 roneun R 6, R 7, R 8 and R 9 are sharing a benzene ring atom bonded naphthalene, anthracene, phenanthrene, indene combine these two or more of Even when a condensed ring is formed, the absorption wavelength is preferably long.

보다 바람직하게는 R6, R7, R8 및 R9 모두가 수소 원자이든가, 또는 R6, R7, R8 및 R9 중 어느 하나가 니트로기이며, 나머지 3개가 수소 원자이다.More preferably, all of R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are hydrogen atoms, or any one of R 6 , R 7 , R 8 and R 9 is a nitro group, and the remaining three are hydrogen atoms.

상기 식 (1) 중, R10은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. In the above formula (1), R 10 represents a hydrogen atom or an organic group.

R10에 있어서의 유기기로는 R1 및 R2에서 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 R1 및 R2의 경우와 마찬가지로, 이 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다.Examples of the organic group for R 10 include those exemplified for R 1 and R 2 . As in the case of R 1 and R 2 , this organic group may contain a bond or a substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group. The organic group may be any of linear, branched and cyclic.

상기 식 (1)로 나타내는 화합물은 벤젠환의 파라 위치에 -OR10기를 가지기 때문에, 용매에 대한 용해성이 양호하다.Since the compound represented by the above formula (1) has a -OR 10 group at the para position of the benzene ring, the solubility in a solvent is good.

이상의 것 중에서도, R10으로는 수소 원자, 또는 탄소수 1~12의 알킬기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 보다 바람직하다.Among them, R 10 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably a methyl group.

상기 식 (1)로 나타내는 화합물 가운데, 특히 바람직한 구체적인 예로는 하기 식으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.Particularly preferred specific examples among the compounds represented by the above formula (1) include compounds represented by the following formulas.

Figure pat00008
Figure pat00008

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 식 (1)로 나타내는 화합물의 합성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 따라서 합성하는 것이 가능하다.The method for synthesizing the compound represented by the formula (1) is not particularly limited, but it can be synthesized according to the method described in the following examples.

절연막 형성용 감광성 수지 조성물에 있어서의, (D) 성분인 상기 식 (1)로 나타내는 화합물의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. (D) 성분의 사용량은 (C) 성분의 함유량의 (D) 성분의 함유량에 대한 몰비율((C) 성분 함유량/(D) 성분 함유량)이 2.5/7.5~9.5/0.5가 되는 양이 바람직하고, 3/7~9/1이 되는 양이 보다 바람직하다. 이와 같은 양으로 (D) 성분을 이용함으로써, 노광 마진이 넓은 감광성 수지 조성물을 조제하기 쉽다.The content of the compound represented by the formula (1) as the component (D) in the photosensitive resin composition for forming an insulating film is not particularly limited within the range not hindering the object of the present invention. The amount of the component (D) used is preferably such that the molar ratio of the content of the component (C) to the content of the component (D) (content of the component (C) / content of the component (D)) is from 2.5 / 7.5 to 9.5 / 0.5 , And more preferably 3/7 to 9/1. By using the component (D) in such an amount, it is easy to prepare a photosensitive resin composition having a large exposure margin.

＜(E) 착색제＞<(E) Colorant>

본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물은 추가로 (E) 착색제를 포함해도 된다.The photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the present invention may further contain (E) a coloring agent.

본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물에 함유되는 (E) 착색제로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 칼라 인덱스(C.I.；The Society of Dyers and Colourists사 발행)에 있어서, 피그먼트(Pigment)로 분류되고 있는 화합물, 구체적으로는 하기의 같은 칼라 인덱스(C.I.) 번호가 붙여져 있는 것을 이용하는 것이 바람직하다.The colorant (E) contained in the photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the present invention is not particularly limited, and for example, a color index (CI: published by The Society of Dyers and Colourists) , Specifically those having a color index (CI) number given below are preferably used.

매우 적합하게 사용할 수 있는 황색 안료의 예로는 C.I. 피그먼트 옐로우 1(이하, 「C.I. 피그먼트 옐로우」는 동일하여 번호만을 기재함), 3, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 20, 24, 31, 53, 55, 60, 61, 65, 71, 73, 74, 81, 83, 86, 93, 95, 97, 98, 99, 100, 101, 104, 106, 108, 109, 110, 113, 114, 116, 117, 119, 120, 125, 126, 127, 128, 129, 137, 138, 139, 147, 148, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 166, 167, 168, 175, 180 및 185를 들 수 있다.Examples of yellow pigments that can be used very suitably include C.I. 13, 14, 15, 16, 17, 20, 24, 31, 53, 55, 60, and 60 of pigment yellow 61, 65, 71, 73, 74, 81, 83, 86, 93, 95, 97, 98, 99, 100, 101, 104, 106, 108, 109, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 166, 167, 168, 175, 180, 185, have.

매우 적합하게 사용할 수 있는 등색(橙色) 안료의 예로는 C.I. 피그먼트 오렌지 1(이하, 「C.I. 피그먼트 오렌지」는 동일하여 번호만을 기재함), 5, 13, 14, 16, 17, 24, 34, 36, 38, 40, 43,46, 49, 51, 55, 59, 61, 63, 64, 71 및 73을 들 수 있다.Examples of orange pigments that can be used very suitably include C.I. Pigment Orange 1 (hereinafter, &quot; CI Pigment Orange &quot; is the same and only the numbers are listed), 5,13,14,16,17,24,34,36,38,40,43,46,49,51, 55, 59, 61, 63, 64, 71 and 73, respectively.

매우 적합하게 사용할 수 있는 보라색 안료의 예로는 C.I. 피그먼트 바이올렛 1(이하, 「C.I. 피그먼트 바이올렛」은 동일하여 번호만을 기재함), 19, 23, 29, 30, 32, 36, 37, 38, 39, 40 및 50을 들 수 있다.Examples of purple pigments which can be used very suitably include C.I. Pigment Violet 1 (hereinafter, "C.I. Pigment Violet" is the same and only the numbers are described below), 19, 23, 29, 30, 32, 36, 37, 38, 39, 40 and 50.

매우 적합하게 사용할 수 있는 적색 안료의 예로는 C.I. 피그먼트 레드 1(이하, 「C.I. 피그먼트 레드」는 동일하여 번호만을 기재함), 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 21, 22, 23, 30, 31, 32, 37, 38, 40, 41, 42, 48：1, 48：2, 48：3,48：4, 49：1, 49：2, 50：1, 52：1, 53：1, 57, 57：1, 57：2, 58：2, 58：4, 60：1, 63：1, 63：2, 64：1, 81：1, 83, 88, 90：1, 97, 101, 102, 104, 105, 106, 108, 112, 113, 114, 122, 123, 144, 146, 149, 150, 151, 155, 166, 168, 170, 171, 172, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 185, 187, 188, 190, 192, 193, 194, 202, 206, 207, 208, 209, 215, 216, 217, 220, 223, 224, 226, 227, 228, 240, 242, 243, 245, 254, 255, 264 및 265를 들 수 있다.Examples of red pigments that can be used very suitably include C.I. Pigment Red 1 (hereinafter, &quot; CI Pigment Red &quot; is the same and only the numbers are described below), 2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,14,15,16, 48, 48: 3,4: 48,4: 49: 1, 49: 1, 48: 58: 2, 58: 4, 60: 1, 63: 1, 63: 2, 64: 1, 81: 1, 83, 88, 90: 1, 97, 101, 102, 104, 105, 106, 108, 112, 113, 114, 122, 123, 144, 146, 149, 150, 151, 155, 166, 168, 170, 171, 172, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 185, 187, 188, 190, 192, 193, 194, 202, 206, 207, 208, 209, 215, 216, 217, 220, 223, 224, 226, 227, 228, 240, 242, 243, 245, 254, 255, 264 and 265.

매우 적합하게 사용할 수 있는 청색 안료의 예로는 C.I. 피그먼트 블루 1(이하, 「C.I. 피그먼트 블루」는 동일하여 번호만을 기재함), 2, 15, 15：3, 15：4, 15：6, 16, 22, 60, 64 및 66을 들 수 있다.Examples of blue pigments which can be used very suitably include C.I. Pigment Blue 1 (hereinafter, "CI Pigment Blue" is the same and only the numbers are listed), 2, 15, 15: 3, 15: 4, 15: 6, 16, 22, 60, have.

매우 적합하게 사용할 수 있는 상기의 다른 색상의 안료의 예로는 C.I. 피그먼트 그린 7, C.I. 피그먼트 그린 36, C.I. 피그먼트 그린 37 등의 녹색 안료, C.I. 피그먼트 브라운 23, C.I. 피그먼트 브라운 25, C.I. 피그먼트 브라운 26, C.I. 피그먼트 브라운 28 등의 갈색 안료, C.I. 피그먼트 블랙 1, C.I. 피그먼트 블랙 7 등의 흑색 안료를 들 수 있다.Examples of pigments of other colors which can be used very suitably include C.I. Pigment Green 7, C.I. Pigment Green 36, C.I. Green pigments such as Pigment Green 37, C.I. Pigment Brown 23, C.I. Pigment Brown 25, C.I. Pigment Brown 26, C.I. Brown pigments such as Pigment Brown 28, C.I. Pigment Black 1, C.I. Pigment Black 7 and the like.

또, 착색제를 차광제로 하는 경우, 차광제로는 흑색 안료를 이용하는 것이 바람직하다. 흑색 안료로는 카본 블랙, 페릴렌 블랙, 티탄 블랙, 구리, 철, 망간, 코발트, 크롬, 니켈, 아연, 칼슘, 은 등의 금속 산화물, 복합 산화물, 금속 황화물, 금속 황산염 또는 금속 탄산염 등, 유기물, 무기물을 불문하고 각종 안료를 들 수 있다. 이들 중에서도, 높은 차광성을 가지는 카본 블랙을 이용하는 것이 바람직하다.When a colorant is used as the light shielding agent, it is preferable to use a black pigment as the light shielding agent. Examples of the black pigment include organic pigments such as carbon black, perylene black, titanium black, metal oxides such as copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, zinc, calcium and silver, complex oxides, metal sulfides, metal sulfates, , And various pigments regardless of the inorganic matter. Among these, it is preferable to use carbon black having high light shielding properties.

카본 블랙으로는 채널 블랙, 퍼니스 블랙, 서멀 블랙, 램프 블랙 등의 공지의 카본 블랙을 이용할 수 있지만, 차광성이 뛰어난 채널 블랙을 이용하는 것이 바람직하다. 또, 수지 피복 카본 블랙을 사용해도 된다.As the carbon black, known carbon black such as channel black, furnace black, thermal black and lamp black can be used, but it is preferable to use channel black excellent in light shielding property. Resin-coated carbon black may also be used.

또, 카본 블랙의 색조를 조정하기 위해서, 보조 안료로서 상기의 유기 안료를 적절히 첨가해도 된다.In order to adjust the color tone of the carbon black, the above organic pigment may be suitably added as an auxiliary pigment.

상기의 착색제를 감광성 수지 조성물에 대해 균일하게 분산시키기 위해서, 추가로 분산제를 사용해도 된다. 이와 같은 분산제로는 폴리에틸렌이민계, 우레탄 수지계, 아크릴 수지계의 고분자 분산제를 이용하는 것이 바람직하다. 특히, 착색제로서 카본 블랙을 이용하는 경우에는 분산제로서 아크릴 수지계의 분산제를 이용하는 것이 바람직하다.In order to uniformly disperse the above coloring agent in the photosensitive resin composition, a dispersing agent may be further used. As such a dispersing agent, it is preferable to use a polymeric dispersant of a polyethylene imine type, a urethane resin type or an acrylic resin type. Particularly, when carbon black is used as the colorant, it is preferable to use an acrylic resin-based dispersant as the dispersant.

또, 무기 안료와 유기 안료는 각각 단독 또는 2종 이상 병용해도 되지만, 병용하는 경우에는 무기 안료와 유기 안료의 총량 100 질량부에 대해서, 유기 안료를 10~80 질량부의 범위에서 이용하는 것이 바람직하고, 20~40 질량부의 범위에서 이용하는 것이 보다 바람직하다.The inorganic pigments and the organic pigments may be used alone or in combination of two or more. When used in combination, the organic pigments are preferably used in an amount of from 10 to 80 parts by mass per 100 parts by mass of the total amount of the inorganic pigments and the organic pigments, And more preferably in the range of 20 to 40 parts by mass.

감광성 수지 조성물에 있어서의 착색제의 사용량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 적절히 선택할 수 있으며, 전형적으로는 감광성 수지 조성물의 고형분의 합계 100 질량부에 대해서, 5~70 질량부가 바람직하고, 25~60 질량부가 보다 바람직하다.The amount of the coloring agent to be used in the photosensitive resin composition may be appropriately selected so as not to impair the object of the present invention. Typically, it is preferably 5 to 70 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total amount of the solid components of the photosensitive resin composition, To 60 parts by mass is more preferable.

착색제는 분산제를 이용해 적당한 농도로 분산시킨 분산액으로 한 후, 감광성 수지 조성물에 첨가하는 것이 바람직하다.The colorant is preferably added to the photosensitive resin composition after preparing a dispersion in which the colorant is dispersed at a suitable concentration using a dispersant.

＜(F) 광 흡수제＞&Lt; (F) Light absorber &gt;

본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 (F) 광 흡수제(이하, 「(F) 성분」이라고도 함)를 포함하고 있어도 된다. (F) 광 흡수제로는 특별히 한정되지 않고, 노광광을 흡수할 수 있는 것을 이용할 수 있지만, 특히, 200~450nm의 파장 영역의 빛을 흡수하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 나프탈렌 화합물, 디나프탈렌 화합물, 안트라센 화합물, 페난트롤린 화합물, 염료 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the present invention may contain (F) a light absorbent (hereinafter also referred to as &quot; component (F) &quot; (F) The light absorbing agent is not particularly limited, and any material capable of absorbing exposure light can be used. In particular, it is preferable to absorb light in a wavelength range of 200 to 450 nm. Examples thereof include naphthalene compounds, dinaphthalene compounds, anthracene compounds, phenanthroline compounds, and dyes.

구체적으로는 α-나프톨, β-나프톨, α-나프톨메틸에테르, α-나프톨에틸에테르, 1,2-디히드록시나프탈렌, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌, 1,8-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 2,7-디히드록시나프탈렌, 안트라센, 9,10-디히드록시안트라센 등의 나프탈렌 유도체 또는 안트라센 혹은 그 유도체；아조계 염료, 벤조페논계 염료, 아미노케톤계 염료, 퀴놀린계 염료, 안트라퀴논계 염료, 디페닐시아노아크릴레이트계 염료, 트리아진계 염료, p-아미노벤조산계 염료 등의 염료；등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 나프탈렌 유도체를 이용하는 것이 바람직하고, 수산기를 가지는 나프탈렌 유도체가 특히 바람직하다. 이들 광 흡수제는 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.Specific examples include α-naphthol, β-naphthol, α-naphthol methyl ether, α-naphthol ethyl ether, 1,2-dihydroxynaphthalene, 1,3-dihydroxynaphthalene, Dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, Naphthalene derivatives such as hydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, anthracene and 9,10-dihydroxyanthracene, anthracene or derivatives thereof, azo dyes, benzophenone dyes, amino ketone dyes, quinoline dyes , Dyes such as anthraquinone dyes, diphenylcyanoacrylate dyes, triazine dyes and p-aminobenzoic acid dyes. Among them, it is preferable to use a naphthalene derivative, and a naphthalene derivative having a hydroxyl group is particularly preferable. These light absorbers may be used alone or in combination of two or more.

(F) 성분의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 100 질량부에 대해서 0.01~10 질량부인 것이 바람직하고, 0.05~7 질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1~5 질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the component (F) is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.05 to 7 parts by mass, further preferably 0.1 to 5 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total of the components (A) and (B) Do.

＜(S) 유기용제＞<(S) Organic solvents>

본 발명에 관한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물은 도포성의 개선이나, 점도 조정을 위해, (S) 유기용제(이하, 「(S) 성분」이라고도 함)를 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition for forming an insulating film according to the present invention preferably contains (S) an organic solvent (hereinafter also referred to as an "(S) component") for improving the applicability and adjusting the viscosity.

유기용제로서 구체적으로는 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜 모노알킬에테르류；에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류；디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등의 다른 에테르류；메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온 등의 케톤류；2-히드록시프로피온산 메틸, 2-히드록시프로피온산 에틸 등의 젖산 알킬에스테르류；2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 히드록시아세트산 에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산 메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산 에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 포름산 n-펜틸, 아세트산 i-펜틸, 프로피온산 n-부틸, 부티르산 에틸, 부티르산 n-프로필, 부티르산 i-프로필, 부티르산 n-부틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 n-프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소부탄산 에틸 등의 다른 에스테르류；톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류；N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류；등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 알킬렌글리콜 모노알킬에테르류, 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류, 상술한 다른 에테르류, 젖산 알킬에스테르류, 상술한 다른 에스테르류가 바람직하고, 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류, 상술한 다른 에테르류, 상술한 다른 에스테르류가 보다 바람직하다. 이들 용제는 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.Specific examples of the organic solvent include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono- propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, Glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether and the like Alkylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) (Poly) alkylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monoethyl ether acetate, and other ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and tetrahydrofuran; Ketones such as ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone and 3-heptanone, alkyl lactates such as methyl 2-hydroxypropionate and ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy- , Methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3-ethoxy Methyl propionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl- Propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, n-pentyl formate, i-pentyl acetate, n-propyl acetate, n- Other esters such as butyl, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, i-propyl butyrate, n-butyl butyrate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, n-propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate and ethyl 2-oxobutanoate ; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; amides such as N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide. Of these, alkylene glycol monoalkyl ether acetates, alkylene glycol monoalkyl ether acetates, the above-mentioned other ethers, alkyl ester of lactic acid and the above-mentioned other esters are preferable, and alkylene glycol monoalkyl ether acetates, One other ether, and the other esters described above are more preferable. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

(S) 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로 도포막 두께에 따라 적절히 설정된다. 감광성 수지 조성물의 점도는 5~500cp인 것이 바람직하고, 10~50cp인 것이 보다 바람직하며, 20~30cp인 것이 더욱 바람직하다. 또, 고형분 농도는 5~100 질량％인 것이 바람직하고, 20~50 질량％인 것이 보다 바람직하다.The content of the component (S) is not particularly limited and is appropriately set in accordance with the coating film thickness at a concentration applicable to a substrate or the like. The viscosity of the photosensitive resin composition is preferably 5 to 500 cp, more preferably 10 to 50 cp, and even more preferably 20 to 30 cp. The solid concentration is preferably 5 to 100% by mass, and more preferably 20 to 50% by mass.

＜그 밖의 성분＞&Lt; Other components &gt;

본 발명에 관한 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 계면활성제, 밀착성 향상제, 열중합 금지제, 소포제 등의 첨가제를 함유시킬 수 있다. 어떠한 첨가제도 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. 계면활성제로는 음이온계, 양이온계, 비이온계 등의 화합물을 들 수 있고, 밀착성 향상제로는 종래 공지의 실란 커플링제를 들 수 있으며, 열중합 금지제로는 히드로퀴논, 히드로퀴논 모노에틸에테르 등을 들 수 있고, 소포제로는 실리콘계, 불소계 화합물 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention may contain an additive such as a surfactant, an adhesion improver, a thermal polymerization inhibitor, and a defoaming agent, if necessary. Any additive may be any conventionally known one. Examples of the surfactant include anionic, cationic, and nonionic surfactants. Examples of the adhesion improver include conventionally known silane coupling agents. Examples of the thermal polymerization inhibitor include hydroquinone, hydroquinone monoethyl ether, and the like. Examples of the antifoaming agent include silicon compounds and fluorine compounds.

＜감광성 수지 조성물의 조제 방법＞&Lt; Preparation method of photosensitive resin composition &gt;

본 발명에 관한 감광성 수지 조성물은 상기 각 성분을 3본 롤 밀, 볼 밀, 샌드 밀 등의 교반기로 혼합(분산·혼련)하고, 필요에 따라 5㎛ 멤브레인 필터 등의 필터로 여과해 조제할 수 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention can be prepared by mixing (dispersing and kneading) each of the above components with a stirrer such as a three-roll mill, a ball mill or a sand mill, filtering the mixture with a filter such as a 5 μm membrane filter have.

≪절연막≫«Insulating film»

본 발명에 관한 절연막은 상술한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용하는 것 외에는 감광성 수지 조성물을 이용해 형성된 종래의 절연막과 동일하다. 이하에서는 절연막의 형성 방법에 대해서만 설명한다.The insulating film according to the present invention is the same as the conventional insulating film formed by using the photosensitive resin composition except that the above-described photosensitive resin composition for forming an insulating film is used. Hereinafter, only a method of forming an insulating film will be described.

상술한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용하여 절연막을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 종래부터 채용되고 있는 방법으로부터 적절히 선택할 수 있다. 바람직한 절연막의 형성 방법으로는 상술한 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포해 감광성 수지층을 형성하는 도포 공정과, 감광성 수지층을 소정의 절연막의 패턴에 따라 노광하는 노광 공정과, 노광된 감광성 수지층을 현상하여 절연막의 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 방법을 들 수 있다.The method for forming the insulating film using the above-described photosensitive resin composition for forming an insulating film is not particularly limited and may be suitably selected from conventional methods. A preferable method of forming the insulating film includes a coating step of applying the above-described photosensitive resin composition for forming an insulating film onto a substrate to form a photosensitive resin layer, an exposure step of exposing the photosensitive resin layer according to a pattern of a predetermined insulating film, And a developing step of developing the photosensitive resin layer to form a pattern of the insulating film.

우선, 도포 공정에서는 절연막이 형성되어야 할 기판 상에 롤 코터, 리버스 코터, 바 코터 등의 접촉 전사형 도포 장치나 스피너(회전식 도포 장치), 커텐 플로우 코터 등의 비접촉형 도포 장치를 이용하여 본 발명에 관한 감광성 수지 조성물을 도포하고, 필요에 따라 건조에 의해 용매를 제거하여 감광성 수지층을 형성한다.First, in the coating step, a non-contact type coating device such as a contact transfer type coating device such as a roll coater, a reverse coater, or a bar coater, a spinner (rotary coating device), or a curtain flow coater is used on a substrate on which an insulating film is to be formed And the solvent is removed by drying as required to form a photosensitive resin layer.

다음에, 표면에 감광성 수지층이 형성된 기판은 노광 공정에 제공된다. 노광 공정에서는 네가티브형의 마스크를 통하여 감광성 수지층에 자외선, 엑시머 레이저광 등의 활성 에너지선을 조사해 감광성 수지층을 소정의 절연막의 패턴에 따라 부분적으로 노광한다. 노광에는 고압 수은등, 초고압 수은등, 크세논 램프, 카본 아크등 등의 자외선을 발하는 광원을 이용할 수 있다. 노광량은 감광성 수지 조성물의 조성에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 10~600 mJ/㎠ 정도가 바람직하다.Next, a substrate provided with a photosensitive resin layer on its surface is provided in an exposure process. In the exposure step, an active energy ray such as ultraviolet rays or excimer laser light is irradiated to the photosensitive resin layer through a negative type mask to partially expose the photosensitive resin layer according to a pattern of a predetermined insulating film. For exposure, a light source that emits ultraviolet rays such as a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a carbon arc, or the like can be used. The exposure dose varies depending on the composition of the photosensitive resin composition but is preferably, for example, about 10 to 600 mJ / cm 2.

상술한 감광성 수지 조성물은 노광 마진이 넓기 때문에, 노광부를 볼록부로 하고, 미노광부를 오목부로 하는 패턴을 형성할 때에 노광량을 올려도 미노광부가 알칼리에 대해서 불용화되기 어렵다. 이 때문에, 상술한 감광성 수지 조성물을 이용함으로써, 노광부를 볼록부로 하고, 미노광부를 오목부로 하는 패턴을 양호한 형상의 패턴으로서 형성하기 쉽다. 미노광부를 홀부로 하는 홀 패턴에서는 노광량을 올렸을 경우에, 특히 원하는 형상의 홀을 형성하기 어렵지만, 상술한 감광성 수지 조성물을 이용함으로써 원하는 형상의 홀을 구비하는 홀 패턴을 형성하기 쉽다.Since the photosensitive resin composition described above has a wide exposure margin, it is difficult for the unexposed portion to be insolubilized with respect to alkali even when the exposure portion is formed as a convex portion and the pattern having the concave portion as the unexposed portion is formed. Therefore, by using the above-described photosensitive resin composition, it is easy to form a pattern having the exposed portion as the convex portion and the unexposed portion as the concave portion as a good-shaped pattern. In the hole pattern having the unexposed portion as a hole portion, it is difficult to form a hole having a desired shape particularly when the exposure amount is increased. However, it is easy to form a hole pattern having a hole having a desired shape by using the photosensitive resin composition described above.

현상 공정에서는 노광 후의 감광성 수지층을 현상액으로 현상함으로써, 소정의 패턴의 절연막을 형성한다. 현상 방법은 특별히 한정되지 않고, 침지법, 스프레이법 등을 이용할 수 있다. 현상액의 구체적인 예로는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 유기계의 것이나, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 암모니아, 4급 암모늄염 등의 수용액을 들 수 있다. 본 발명에 관한 감광성 수지 조성물은 적당한 현상성을 나타내기 때문에 적정한 현상이 가능하다.In the developing step, the exposed photosensitive resin layer is developed with a developing solution to form an insulating film of a predetermined pattern. The developing method is not particularly limited, and a dipping method, a spraying method, or the like can be used. Specific examples of the developing solution include organic ones such as monoethanolamine, diethanolamine and triethanolamine, and aqueous solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, ammonia and quaternary ammonium salts. The photosensitive resin composition according to the present invention exhibits appropriate developability, so that appropriate development is possible.

그리고, 필요에 따라 현상 후의 절연막의 패턴에 포스트 베이크를 실시하여 가열 경화한다. 포스트 베이크의 온도는 150~250℃가 바람직하다.If necessary, post-baking is performed on the pattern of the insulating film after the development, followed by heating and curing. The temperature of the post-baking is preferably 150 to 250 ° C.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

＜< 실시예Example 1~9,  1 to 9, 비교예Comparative Example 1~4＞ 1 to 4>

하기 표 1에 나타내는 각 성분을 혼합하여 고형분 함유량이 24 질량％가 되도록 용제에 용해해 감광성 수지 조성물을 조제했다. 또한, 용제로는 PGMEA를 이용했다.Each component shown in Table 1 below was mixed and dissolved in a solvent such that the solid content was 24% by mass to prepare a photosensitive resin composition. In addition, PGMEA was used as a solvent.

Figure pat00011
Figure pat00011

[(A) 성분][Component (A)] [

(A) 성분인 알칼리 가용성 수지로서 하기 표 2에 기재된 아크릴 수지 또는 카르도 수지를 이용했다. 표 2에 기재된 값은 아크릴 수지의 질량에 대한 각 구성 단위의 함유량(질량％)이다. 또, 카르도 수지는 이하의 방법에 의해 합성한 것을 이용했다.As the alkali-soluble resin as the component (A), the acrylic resin or the carboxyl resin described in the following Table 2 was used. The values shown in Table 2 are the content (mass%) of each constituent unit with respect to the mass of the acrylic resin. The cardo resin was synthesized by the following method.

Figure pat00012
Figure pat00012

표 2에 기재된 반복 단위는 이하와 같다.The repeating units shown in Table 2 are as follows.

Figure pat00013
Figure pat00013

(카르도 수지의 합성법)(Synthesis method of cardo resin)

우선, 500㎖ 4구 플라스크 중에 비스페놀 플루오렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 235) 235g, 테트라메틸암모늄 클로라이드 110mg, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀 100mg 및 아크릴산 72.0g을 넣고, 이것에 25㎖/분의 속도로 공기를 불어 넣으면서 90~100℃에서 가열 용해했다. 다음에, 용액이 백탁한 상태인 채 서서히 승온해 120℃로 가열하여 완전 용해시켰다. 이때, 용액은 점차 투명 점조가 되었지만, 그대로 교반을 계속했다. 그 동안, 산가를 측정하고 1.0mg KOH/g 미만이 될 때까지 가열 교반을 계속했다. 산가가 목표치에 이를 때까지 12시간을 필요로 했다. 그리고 실온까지 냉각해 무색 투명하고 고체상인 하기 식으로 나타내는 비스페놀 플루오렌형 에폭시 아크릴레이트를 얻었다.235 g of bisphenol fluorene type epoxy resin (epoxy equivalent 235), 110 mg of tetramethylammonium chloride, 100 mg of 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol and 72.0 g of acrylic acid were placed in a 500 ml four- With stirring at a rate of 25 ml / min. Then, the solution was slowly heated to a cloudy state and heated to 120 캜 to be completely dissolved. At this time, the solution gradually became a transparent point group, but stirring was continued. During this time, the acid value was measured and the heating and stirring were continued until it was less than 1.0 mg KOH / g. It took 12 hours to reach the target price. The mixture was then cooled to room temperature to obtain a bisphenol fluorene-type epoxy acrylate represented by the following formula which was colorless transparent and solid.

Figure pat00014
Figure pat00014

다음에, 이와 같이 하여 얻어진 상기의 비스페놀 플루오렌형 에폭시 아크릴레이트 307.0g에 3-메톡시부틸아세테이트 600g를 가하고 용해한 후, 벤조페논테트라카르복시산 2무수물 80.5g 및 브롬화 테트라에틸암모늄 1g를 혼합하고, 서서히 승온해 110~115℃에서 4시간 반응시켰다. 산 무수물기의 소실을 확인한 후, 1,2,3,6-테트라히드로 무수 프탈산 38.0g를 혼합하고, 90℃에서 6시간 반응시켜 카르도 수지를 얻었다. 산 무수물기의 소실은 IR 스펙트럼에 의해 확인했다.Subsequently, 600 g of 3-methoxybutyl acetate was added to 307.0 g of the bisphenol fluorene-type epoxy acrylate thus obtained, and then 80.5 g of benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 1 g of tetraethylammonium bromide were mixed. Then, The reaction was allowed to proceed at 110 to 115 ° C for 4 hours. After disappearance of the acid anhydride group was confirmed, 38.0 g of 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride was mixed and reacted at 90 DEG C for 6 hours to obtain a cardboard resin. The disappearance of the acid anhydride group was confirmed by IR spectrum.

[(B) 성분][Component (B)] [

(B) 성분인 광중합성 모노머로서 이하의 것을 이용했다.The following photopolymerizable monomer (B) was used.

DPHA：디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트DPHA: dipentaerythritol hexaacrylate

[(C) 성분][Component (C)] [

(C) 성분인 광중합 개시제로는 이하의 것을 이용했다.The following photopolymerization initiator was used as the component (C).

OXE01：1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(O-벤조일옥심)](BASF사제 「IRGACURE OXE01」) OXE01: 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (O-benzoyloxime)] (IRGACURE OXE01,

OXE02：에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일], 1-(O-아세틸옥심)(BASF사제 「IRGACURE OXE02」) (OXE02: ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-

NCI-831：ADEKA 사제 「NCI-831」 NCI-831: "NCI-831" manufactured by ADEKA

[(D) 성분][Component (D)] [

실시예 및 비교예에 있어서, (D) 성분인 식 (1)로 나타내는 화합물로는 하기의 MCIMA를 이용했다. MCIMA의 합성 방법에 대해서 이하에 적는다.In the examples and comparative examples, the following MCIMA was used as the compound represented by the formula (1) as the component (D). The synthesis method of MCIMA is described below.

Figure pat00015
Figure pat00015

(MCIMA의 합성법)(Synthesis method of MCIMA)

3-(4-메톡시페닐)아크릴산 클로라이드 5.90g(30mmol)을 50㎖의 건조한 에테르에 용해하고, 트리에틸아민 4.59㎖(당량비 1.1), 이미다졸 2.25㎖(당량비 1.1)을 가해 실온에서 1시간 교반했다. 물 50㎖, 포화 NaHCO3 수용액 50㎖ 및 1N 염산으로 세정 후, 황산마그네슘으로 건조해 감압하에서 농축시켰다. 헥산-아세트산 에틸을 전개 용매로 하고, 실리카 겔을 지지 담체로 하여 칼럼 크로마토그라피에 의해 정제를 실시해 MCIMA(3.41g, 15mmol)를 얻었다. 아크릴산 클로라이드 기준의 수율은 50％였다.5.90 g (30 mmol) of 3- (4-methoxyphenyl) acrylic acid chloride were dissolved in 50 ml of dry ether, 4.59 ml (equivalent ratio 1.1) of triethylamine and 2.25 ml (equivalent ratio 1.1) Lt; / RTI &gt; 50 ml of water, 50 ml of a saturated aqueous solution of NaHCO 3 and 1N hydrochloric acid, dried over magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure. Purification was carried out by column chromatography using hexane-ethyl acetate as a developing solvent and silica gel as a support carrier to obtain MCIMA (3.41 g, 15 mmol). The yield based on acrylic acid chloride was 50%.

실시예 1~9 및 비교예 1~4의 감광성 수지 조성물을 이용해 형성된 절연막에 대해서, 이하의 방법에 따라서 비유전률의 측정과 내약품성의 평가를 실시했다. 또, 실시예 1~9 및 비교예 1~4의 감광성 수지 조성물에 대해서, 이하의 방법에 따라서, 노광 마진을 측정했다.The dielectric constant of the insulating film formed using the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 was measured according to the following method and the chemical resistance was evaluated. In addition, for the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4, the exposure margin was measured by the following method.

(비유전률 측정 방법)(Relative dielectric constant measurement method)

신에츠 화학공업 주식회사제의 저(低)저항 기판에 상기 각 실시예 및 비교예에서 조제한 감광성 수지 조성물을 스피너(미카사 스피너 IH-360S, 미카사 주식회사제)에 의해 200~1000rpm 정도의 회전수로 스핀 도포한 후, 도막을 80℃에서 5분간 건조시켜 막 두께 1㎛의 감광성 수지층을 형성했다. 다음에, 노광 장치(EXM-1066, 주식회사 오크제작소제)에 의해 노광량 50mJ/㎠로 감광성 수지층을 노광했다. 노광된 감광성 수지층에 230℃에서 20분간의 조건으로 포스트 베이크를 실시해 절연막을 형성했다. 형성된 절연막의 비유전률을 비유전률 측정 장치(SSM495, 일본 SSM 주식회사제)에 의해 측정했다. 측정된 비유전률을 표 3에 적는다.The photosensitive resin compositions prepared in the above Examples and Comparative Examples were spin-coated on a low-resistance substrate of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. with a spinner (Micasa Spinner IH-360S, manufactured by Mikasa) at a rotation speed of about 200 to 1000 rpm Then, the coated film was dried at 80 DEG C for 5 minutes to form a photosensitive resin layer having a thickness of 1 mu m. Next, the photosensitive resin layer was exposed to light at an exposure dose of 50 mJ / cm 2 by an exposure apparatus (EXM-1066, manufactured by Oak Production Co., Ltd.). Post-baking was performed on the exposed photosensitive resin layer at 230 캜 for 20 minutes to form an insulating film. The relative dielectric constant of the formed insulating film was measured by a specific permittivity measuring device (SSM495, manufactured by SSM Corporation, Japan). The measured relative permittivities are listed in Table 3.

(노광 마진 측정 방법)(Exposure margin measurement method)

신에츠 화학공업 주식회사제의 기판에 상기 각 실시예 및 비교예로 조제한 감광성 수지 조성물을 스피너(미카사 스피너 IH-360S, 미카사 주식회사제)에 의해 200~1000rpm 정도의 회전수로 스핀 도포한 후, 도막을 100℃에서 2분간 건조시켜 막 두께 2~4㎛의 감광성 수지층을 형성했다. 다음에, 노광 장치(MPA-600FA, 캐논 주식회사제)에 의해 노광량 50mJ/㎠로 구경 5㎛의 홀 패턴용 마스크를 통해 감광성 수지층을 노광했다. 또, 노광 마진을 결정하기 위해서 노광량을 50mJ/㎠로부터 10mJ/㎠씩 증감시켜 구경 5㎛의 홀 패턴용 마스크를 통해 감광성 수지층을 노광했다. 다음에, 현상 장치(TR-6132U, 도쿄오카고교 주식회사제)를 이용하여 23℃에서 100초간 패들 방식에 의해 현상을 실시했다. 현상된 패턴에 230℃에서 20분간의 조건으로 포스트 베이크를 실시해 절연막을 형성했다. 구경 5㎛의 홀이 개구될 수 있었던 최소 노광량과 최대 노광량의 차이를 노광 마진으로 했다. 측정된 노광 마진을 표 3에 적는다.The photosensitive resin compositions prepared in the above Examples and Comparative Examples were spin-coated on a substrate made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. at a rotation speed of about 200 to 1000 rpm using a spinner (Mikasa Spinner IH-360S, manufactured by Mikasa Co., Ltd.) And dried at 100 DEG C for 2 minutes to form a photosensitive resin layer having a thickness of 2 to 4 mu m. Next, the photosensitive resin layer was exposed to light through a hole pattern mask having a diameter of 5 mu m at an exposure amount of 50 mJ / cm2 by an exposure apparatus (MPA-600FA, manufactured by Canon Inc.). In order to determine the exposure margin, the photosensitive resin layer was exposed through a hole pattern mask having a diameter of 5 탆 by increasing and decreasing the exposure amount from 50 mJ / cm 2 to 10 mJ / cm 2. Next, development was carried out by a paddle method at 23 DEG C for 100 seconds using a developing device (TR-6132U, manufactured by Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd.). Post-baking was performed on the developed pattern under the condition of 230 占 폚 for 20 minutes to form an insulating film. The difference between the minimum exposure dose and the maximum exposure dose at which holes with a diameter of 5 占 퐉 could be opened was defined as an exposure margin. Table 3 shows the measured exposure margins.

(내약품성 평가 방법)(Chemical resistance evaluation method)

신에츠 화학공업 주식회사제의 기판에 상기 각 실시예 및 비교예에서 조제한 감광성 수지 조성물을 스피너(미카사 스피너 IH-360S, 미카사 주식회사제)에 의해 200~1000rpm 정도의 회전수로 스핀 도포한 후, 도막을 100℃에서 2분간 건조시켜 막 두께 3㎛의 감광성 수지층을 형성했다. 다음에, 노광 장치(EXM-1066, 주식회사 오크제작소제)에 의해 노광량 50mJ/㎠로 감광성 수지층을 노광했다. 노광된 감광성 수지층에 230℃에서 20분간의 조건으로 포스트 베이크를 실시해 절연막을 형성했다.The photosensitive resin compositions prepared in the above Examples and Comparative Examples were spin-coated on a substrate made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. at a rotation speed of about 200 to 1000 rpm by using a spinner (Mikasa Spinner IH-360S, manufactured by Mikasa Co., Ltd.) And dried at 100 캜 for 2 minutes to form a photosensitive resin layer having a thickness of 3 탆. Next, the photosensitive resin layer was exposed to light at an exposure dose of 50 mJ / cm 2 by an exposure apparatus (EXM-1066, manufactured by Oak Production Co., Ltd.). Post-baking was performed on the exposed photosensitive resin layer at 230 캜 for 20 minutes to form an insulating film.

형성된 절연막을 레지스트 박리액(ST-106, 도쿄오카고교 주식회사제)에 60℃에서 3분 침지해 침지 전후의 막 두께의 변화에 의해 내약품성을 평가했다. 침지 후의 막 두께가 침지 전의 막 두께의 120％ 미만인 경우를 「○」라고 평가했다. 또, 침지 후의 막 두께가 침지 전의 막 두께의 120％ 이상인 경우를 「×」라고 평가했다. 내약품성의 평가 결과를 표 3에 적는다.The resulting insulating film was immersed in a resist stripping solution (ST-106, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 60 캜 for 3 minutes, and the chemical resistance was evaluated by a change in film thickness before and after immersion. A case where the film thickness after immersion was less than 120% of the film thickness before immersion was evaluated as &quot;? &Quot;. The case where the film thickness after immersion was 120% or more of the film thickness before immersion was evaluated as &quot; x &quot;. The evaluation results of the chemical resistance are shown in Table 3.

Figure pat00016
Figure pat00016

실시예 1~9에 따르면, (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 광중합성 모노머 및 (C) 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물에, (D) 전술한 식 (1)로 나타내는 화합물을 배합하고, (A) 성분으로서 수지 중의 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위의 함유량이 20~60 질량％인 수지를 이용함으로써, 내약품성이 뛰어나고, 또한 비유전률이 낮고 절연성이 뛰어난 절연막을 형성할 수 있으며, 노광 마진이 넓은 절연막 형성용 감광성 수지 조성물이 얻어지는 것을 알 수 있다.According to Examples 1 to 9, a photosensitive resin composition comprising (A) an alkali-soluble resin, (B) a photopolymerizable monomer and (C) a photopolymerization initiator, (D) a compound represented by the aforementioned formula (1) By using a resin having 20 to 60 mass% of a constituent unit derived from an unsaturated compound containing an epoxy group in the resin as the component (A), an insulating film excellent in chemical resistance, low in dielectric constant and excellent in insulation can be formed And a photosensitive resin composition for forming an insulating film having a wide exposure margin can be obtained.

비교예 1에 따르면, 감광성 수지 조성물에 있어서 (A) 성분인 수지 중의 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위의 함유량이 60 질량％를 넘는 경우, 형성되는 절연막의 비유전률이 높아지고, 절연성이 저하되는 것을 알 수 있다.According to Comparative Example 1, when the content of the constituent unit derived from the unsaturated compound containing an epoxy group in the resin as the component (A) in the photosensitive resin composition exceeds 60% by mass, the relative dielectric constant of the insulating film to be formed becomes high, .

비교예 2에 따르면, 감광성 수지 조성물이 (D) 전술한 식 (1)로 나타내는 화합물을 포함하지 않는 경우 감광성 수지 조성물의 노광 마진이 현저하게 저하되는 것을 알 수 있다.According to Comparative Example 2, when the photosensitive resin composition does not contain the compound represented by the above-mentioned formula (1) (D), the exposure margin of the photosensitive resin composition remarkably decreases.

비교예 3 및 4에 따르면, 감광성 수지 조성물에 있어서 (A) 성분인 수지 중의 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위의 함유량이 20 질량％를 밑도는 경우, 형성되는 절연막의 내약품성이 저하되는 것을 알 수 있다. 또, 이 경우 수지의 구조에 따라서는 형성되는 막의 절연성이 저하하거나 감광성 수지 조성물의 노광 마진이 좁아지거나 하는 것을 알 수 있다.According to Comparative Examples 3 and 4, when the content of the constituent unit derived from the unsaturated compound containing an epoxy group in the resin as the component (A) in the photosensitive resin composition is less than 20 mass%, the chemical resistance of the formed insulating film is lowered . In this case, depending on the structure of the resin, the insulating property of the film to be formed is lowered and the exposure margin of the photosensitive resin composition is narrowed.

Claims (4)

(A) 알칼리 가용성 수지, (B) 광중합성 모노머, (C) 광중합 개시제 및 (D) 하기 식 (1)로 나타내는 화합물을 함유하고,
상기 (A) 알칼리 가용성 수지가 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위를 포함하는 공중합체이며,
상기 (A) 알칼리 가용성 수지에 있어서의, 상기 에폭시기를 포함하는 불포화 화합물로부터 유래하는 구성 단위의 비율이 20~60 질량％인 절연막 형성용 감광성 수지 조성물.
Figure pat00017

(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. 단, R1 및 R2 중 적어도 한쪽은 유기기를 나타낸다. R1 및 R2는 그것들이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. R3은 단결합 또는 유기기를 나타낸다. R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 또는 유기기를 나타낸다. R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기를 나타낸다. 단, R6 및 R7이 수산기가 되는 경우는 없다. R6, R7, R8 및 R9는 이들의 2 이상이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. R10은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다.)(A) an alkali-soluble resin, (B) a photopolymerizable monomer, (C) a photopolymerization initiator, and (D)
Wherein the alkali-soluble resin (A) is a copolymer comprising a constituent unit derived from an unsaturated compound containing an epoxy group,
Wherein the ratio of the constituent unit derived from the unsaturated compound containing an epoxy group in the alkali-soluble resin (A) is 20 to 60% by mass.
Figure pat00017

(Shown in, R 1 and R 2 are a hydrogen atom or an organic each independently formula: provided that at least one of R 1 and R 2 represents an organic group. R 1 and R 2 and year they are bonded form a cyclic structure may be, or may include a combination of the hetero atom. R 3 represents a single bond or an organic represents a group. R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group , silanol group, represents a nitro group, a sulfinyl group, a sulfo group, sulfonate group, phosphino group, a phosphine P group, a phosphono group, phosphonate group, or an organic. R 6, R 7, R 8 And R 9 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, A phosphono group, a phosphonate group, an amino group , Ammonium represents import or an organic group. However, R 6 and R 7 is optionally, and there is no case where the hydroxyl group. R 6, R 7, R 8 and R 9 form a cyclic structure by the combination of these 2 or more, And R 10 represents a hydrogen atom or an organic group. 청구항 1에 있어서,
상기 (C) 성분의 함유량의, 상기 (D) 성분의 함유량에 대한 몰 비율이 2.5/7.5 ~ 9.5/0.5인 절연막 형성용 감광성 수지 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the molar ratio of the content of the component (C) to the content of the component (D) is 2.5 / 7.5 to 9.5 / 0.5. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 이용해 형성된 절연막.An insulating film formed using the photosensitive resin composition for forming an insulating film according to claim 1 or 2. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 절연막 형성용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 감광성 수지층을 형성하는 도포 공정과,
상기 감광성 수지층을 소정의 절연막의 패턴에 따라 노광하는 노광 공정과,
상기 노광된 감광성 수지층을 현상하여 절연막의 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 절연막의 형성 방법.A coating step of applying the photosensitive resin composition for forming an insulating film according to claim 1 or 2 on a substrate to form a photosensitive resin layer;
An exposure step of exposing the photosensitive resin layer according to a pattern of a predetermined insulating film,
And developing the exposed photosensitive resin layer to form a pattern of an insulating film.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102235159B1 (en) * 2014-04-15 2021-04-05 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Photosensitive resin composition, and insulating film and electric device using same
KR102311850B1 (en) * 2017-12-21 2021-10-12 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition and insulation pattern formed from the same
KR20190087173A (en) * 2018-01-16 2019-07-24 동우 화인켐 주식회사 Negative-type Photosensitive Resin Composition
KR20240013372A (en) 2022-07-22 2024-01-30 주식회사 이엔에프테크놀로지 Novel polymer and photosensitive resin composition comprising the same
KR20240025223A (en) 2022-08-18 2024-02-27 주식회사 이엔에프테크놀로지 Novel polymer and photosensitive resin composition comprising the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4367280A (en) * 1977-01-20 1983-01-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photopolymerizable composition
WO2010113813A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 大日本印刷株式会社 Base-generating agent, photosensitive resin composition, patterning material comprising the photosensitive resin composition, patterning method and article using the photosensitive resin composition
KR20110132984A (en) * 2010-06-03 2011-12-09 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the cured film, and display device
JP2012012602A (en) 2010-07-05 2012-01-19 Lg Chem Ltd Alkali-soluble resin polymer and negative photosensitive resin composition containing the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006133378A (en) * 2004-11-04 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photosensitive resin composition and photosensitive dry film using the same
WO2009123122A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-08 大日本印刷株式会社 Base-generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern formation method using the photosensitive resin composition, and article
JP5404028B2 (en) * 2008-12-25 2014-01-29 東京応化工業株式会社 Method for manufacturing substrate to be etched
JP2011095635A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Fujifilm Corp Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the composition
CN103076716B (en) * 2011-10-05 2017-10-17 东京应化工业株式会社 Resin combination, photosensitive polymer combination, pad and display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4367280A (en) * 1977-01-20 1983-01-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photopolymerizable composition
WO2010113813A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 大日本印刷株式会社 Base-generating agent, photosensitive resin composition, patterning material comprising the photosensitive resin composition, patterning method and article using the photosensitive resin composition
KR20110132984A (en) * 2010-06-03 2011-12-09 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the cured film, and display device
JP2011253110A (en) * 2010-06-03 2011-12-15 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, hardening film, hardening film formation method and display element
JP2012012602A (en) 2010-07-05 2012-01-19 Lg Chem Ltd Alkali-soluble resin polymer and negative photosensitive resin composition containing the same

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