KR20130101838A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
전기적 특성 및 유연성을 향상하도록 본 발명은 기판, 상기 기판상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 전극과 절연되도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 형성되고 적어도 일 영역에서 상기 게이트 전극과 중첩되고 유기 반도체 물질을 함유하는 활성층, 상기 활성층 상부에 형성되고 개구부를 구비하는 화소 정의막, 상기 개구부에 대응되도록 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 상기 중간층 상에 형성되는 대향 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 길게 연장된 형태로 형성되어 화소 전극 기능을 하고 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층을 구비하고, 상기 제2 도전층은 상기 중간층과 접하도록 형성된 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 전기적 특성 및 유연성을 향상하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 중간층, 화소 전극 및 대향 전극을 구비한다. 중간층은 유기 발광층을 구비하고, 화소 전극 및 대향 전극에 전압을 가하면 유기 발광층에서 가시광선을 발생하게 된다.
한편, 최근 사용자의 편의를 위하여 휘거나 접기 용이하도록 유연성을 갖는 유기 발광 표시 장치에 대한 관심이 증대하고 있다.
그러나 유연성을 확보하면서 전기적 특성을 유지할 수 있는 재료 선택의 곤란성 및 이를 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 공정의 곤란성으로 인하여 사용자가 원하는 수준의 유연성 및 전기적 특성을 동시에 구비한 유기 발광 표시 장치를 구현하는 데 한계가 있다.
본 발명은 전기적 특성 및 유연성을 용이하게 향상하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 기판, 상기 기판상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 전극과 절연되도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 형성되고 적어도 일 영역에서 상기 게이트 전극과 중첩되고 유기 반도체 물질을 함유하는 활성층, 상기 활성층 상부에 형성되고 개구부를 구비하는 화소 정의막, 상기 개구부에 대응되도록 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 상기 중간층 상에 형성되는 대향 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 길게 연장된 형태로 형성되어 화소 전극 기능을 하고 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층을 구비하고, 상기 제2 도전층은 상기 중간층과 접하도록 형성된 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 화소 정의막은 HOMO 에너지 준위가 상기 제2 도전층의 일함수보다 낮은 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 화소 정의막은 전자 주입 물질 또는 전자 수송 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 화소 정의막은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, LiQ 또는 AlQ3를 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 상기 제2 도전층을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 도전층은 Mo, Al, Ti 또는 W를 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제2 도전층은 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 유기 반도체 물질은 [1]벤조싸이에노[3,2-b]벤조싸이오펜(BTBT: [1]Benzothieno[3,2-b]benzothiophene), dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT), 펜타센(pentacene) 또는 TIPS(Triisopropylsilylethynyl)-펜타센을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막을 더 포함하고, 상기 활성층은 상기 게이트 절연막과 접하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제2 도전층은 상기 게이트 절연막과 이격되도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 게이트 전극은 Mo, Al, Ti 또는 W를 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 활성층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 이격된 영역 및 상기 소스 전극의 상면 및 상기 드레인 전극의 상면에 접하도록 배치되고, 상기 활성층의 폭 중 상기 소스 전극에서 상기 드레인 전극을 향하는 방향과 수직한 방향에 대응하는 폭은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 폭과 동일하거나 그보다 클 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 화소 전극의 기능을 하는 전극은 애노드 기능을 할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 전극과 절연되도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 배치되고 적어도 일 영역에서 상기 게이트 전극과 중첩되도록 배치되고 유기 반도체 물질을 함유하는 활성층을 형성하는 단계, 상기 활성층 상부에 개구부를 구비하는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 개구부에 대응되도록 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층을 형성하는 단계 및 상기 중간층 상에 대향 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 길게 연장된 형태로 형성하여 화소 전극 기능을 하고 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층을 구비하고, 상기 제2 도전층은 상기 중간층과 접하도록 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 활성층은 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정으로 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 화소 정의막은 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정으로 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 중간층은 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정으로 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 대향 전극은 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정으로 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 A에서 본 평면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 2는 도 1의 A에서 본 평면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101), 게이트 전극(103), 소스 전극(105), 드레인 전극(106), 활성층(108), 화소 정의막(109), 중간층(110) 및 대향 전극(111)을 포함한다.
각 부재의 구성에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나 기판(101)의 유연성 향상을 위하여 투명한 플라스틱 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 이 때 기판(101)을 형성하는 플라스틱 재질은 다양한 유기물들 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
기판(101)상에 버퍼층(102)이 형성된다. 버퍼층(102)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. 버퍼층(102)은 필수 구성요소는 아니며, 필요에 따라서는 구비되지 않을 수도 있다.
버퍼층(102)은 기판(101)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 기판(101)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다.
버퍼층(102)상에 게이트 전극(103)이 형성된다. 게이트 전극(103)은 Mo, Al, Ti 또는 W를 함유한다. 구체적인 예로서 게이트 전극(103)은 Mo/Al/Mo의 적층 구조를 가질 수 있다. 또 다른 예로서 게이트 전극(103)은 Ti/Al/Ti의 적층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 전극(103)상에 게이트 절연막(104)이 형성된다. 게이트 절연막(104)은 다양한 절연 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
게이트 절연막(104)상에 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)이 형성된다. 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106) 중 어느 하나는 길게 형성되어 화소 전극의 기능을 한다. 본 실시예에서는 드레인 전극(106)이 화소 전극의 기능을 한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
소스 전극(105)은 제1 도전층(105a) 및 제2 도전층(105b)을 구비한다. 소스 전극(105)의 제1 도전층(105a)은 Mo, Al, Ti 또는 W를 함유한다. 구체적인 예로서 소스 전극(105)의 제1 도전층(105a)은 Mo/Al/Mo의 적층 구조를 가질 수 있다. 또 다른 예로서 소스 전극(105)의 제1 도전층(105a)은 Ti/Al/Ti의 적층 구조를 가질 수도 있다. 소스 전극(105)의 제2 도전층(105b)은 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 함유한다.
드레인 전극(106)은 제1 도전층(106a) 및 제2 도전층(106b)을 구비한다. 드레인 전극(106)의 제1 도전층(106a)은 Mo, Al, Ti 또는 W를 함유한다. 구체적인 예로서 드레인 전극(106)의 제1 도전층(106a)은 Mo/Al/Mo의 적층 구조를 가질 수 있다. 또 다른 예로서 드레인 전극(106)의 제1 도전층(106a)은 Ti/Al/Ti의 적층 구조를 가질 수도 있다. 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)은 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 함유한다.
소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)상에 활성층(108)이 형성된다. 활성층(108)은 적어도 게이트 전극(103)과 중첩되도록 형성된다. 특히 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)사이의 이격된 공간에 배치되고 게이트 절연막(104)과 접한다. 활성층(108)은 유기 반도체 물질을 함유한다. 구체적으로 활성층(108)은 [1]벤조싸이에노[3,2-b]벤조싸이오펜(BTBT: [1]Benzothieno[3,2-b]benzothiophene), dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT), 펜타센(pentacene) 또는 TIPS(Triisopropylsilylethynyl)-펜타센을 함유한다.
활성층(108)은 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)의 상면의 소정의 영역과 중첩되지 않도록 형성된다. 즉 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)의 영역 중 중간층(110)과 접하는 영역과 이격되도록 활성층(108)이 형성된다.
이 때 활성층(108)의 일 방향의 폭(L), 즉 활성층(108)의 폭들 중 소스 전극(105)에서 드레인 전극(106)을 향하는 방향과 수직한 방향의 폭(L)을 최대한 크게 한다. 즉 적어도 활성층(108)의 폭(L)이 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)의 폭에 대응하거나 그보다 크게 한다.
활성층(108)상에 화소 정의막(109)이 형성된다. 화소 정의막(109)은 개구부(109a)를 구비하는데, 개구부(109a)는 드레인 전극(106)의 상면의 소정의 영역에 대응되도록 형성된다. 즉, 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)의 영역 중 활성층(108)과 중첩되지 않는 소정의 영역이 개구부(109a)에 대응한다.
화소 정의막(109)은 다양한 물질을 함유하는데, 특히 HOMO 에너지 준위가 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)보다 낮은 물질을 함유한다. 구체적으로 화소 정의막(109)은 전자 주입 물질 또는 전자 수송 물질을 함유한다. 예를들면 화소 정의막(109)은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 또는 Alq3를 함유할 수 있다.
화소 정의막(109)상에 중간층(110)이 형성된다. 중간층(110)은 유기 발광층을 구비한다. 중간층(110)은 화소 정의막(109)의 개구부(109a)에 대응하도록 형성된다. 이를 통하여 중간층(110)은 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)과 접한다.
중간층(110)은 저분자 또는 고분자 유기막으로 형성할 수 있는데, 중간층(110)이 저분자 유기막으로 형성되는 경우, 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 유기 발광층, 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등을 구비할 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트(Starburst)형 아민류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB 등으로 형성할 수 있다.
정공 수송층(HTL)은 N,N'-비스(3-메틸페닐)- N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD)등으로 형성될 수 있다.
전자 주입층(EIL)은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 등의 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
전자 수송층(ETL)은 Alq3를 이용하여 형성할 수 있다.
유기 발광층은 호스트 물질과 도판트 물질을 포함할 수 있다.
유기 발광층의 호스트 물질로는 트리스(8-히드록시-퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3), 9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (AND), 3-Tert-부틸-9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (TBADN), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (DPVBi), 4,4'-비스Bis(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (p-DMDPVBi), Tert(9,9-디아릴플루오렌)s (TDAF), 2-(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (BSDF), 2,7-비스(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (TSDF), 비스(9,9-디아릴플루오렌)s (BDAF), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디-(tert-부틸)페닐 (p-TDPVBi), 1,3-비스(카바졸-9-일)벤젠 (mCP), 1,3,5-트리스(카바졸-9-일)벤젠 (tCP), 4,4',4"-트리스(카바졸-9-일)트리페닐아민 (TcTa), 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐 (CBP), 4,4'-비스Bis(9-카바졸일)-2,2'-디메틸-비페닐 (CBDP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디메틸-플루오렌 (DMFL-CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-비스bis(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-4CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디-톨일-플루오렌 (DPFL-CBP), 9,9-비스(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-2CBP) 등이 사용될 수 있다.
유기 발광층의 도판트 물질로는 DPAVBi (4,4'-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴]비페닐), ADN (9,10-디(나프-2-틸)안트라센), TBADN (3-터트-부틸-9,10-디(나프-2-틸)안트라센) 등이 사용될 수 있다.
화소 전극의 기능을 하는 드레인 전극(106)은 애노드 기능을 하고, 대향 전극(111)은 캐소드 기능을 한다.
대향 전극(111)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca의 금속으로 형성될 수 있다. 또한 대향 전극(111)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하여 형성될 수도 있다.
도시하지 않았으나 제2 전극(111)상에 봉지 부재(미도시)를 형성할 수 있고, 봉지 부재(미도시)는 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기물로 이루어진 막과 에폭시, 폴리이미드와 같은 유기물로 이루어진 막이 교대로 성막된 구조를 취할 수 있다.
본 실시예는 유기 반도체 물질을 함유하는 활성층(108)을 포함하여 유기 발광 표시 장치(100)의 유연성을 용이하게 향상한다. 이를 통하여 접히거나(foldable) 감을 수 있는(rollable) 유기 발광 표시 장치(100)를 구현할 수 있다.
또한 소스 전극(105)과 드레인 전극(106) 중 어느 하나의 전극이 길게 형성되어 화소 전극의 기능을 하므로 유기 발광 표시 장치(100)의 두께를 감소하고 제조 공정이 현저하게 감소한다.
특히, 본 실시예에서는 드레인 전극(106)이 화소 전극의 기능을 하는데, 드레인 전극(106)이 제1 도전층(106a) 및 제2 도전층(106b)을 구비한다. 제1 도전층(106a)과 제2 도전층(106b)을 별도로 형성하여 TFT의 전기적 특성과 중간층(110)에서의 광효율을 동시에 향상한다.
즉 제1 도전층(106a)을 전기 전도도가 우수한 재료, 예를들면 Mo, Al, Ti 또는 W를 이용하여 형성하여 활성층(108)을 통한 소스 전극(105)과 드레인 전극(106)사이의 전류 흐름을 원활하게 한다. 그리고 제2 도전층(106b)은 일함수가 낮은 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 함유하도록 형성하여 드레인 전극(106)에서 중간층(110)으로 정공의 주입이 용이하도록 한다.
또한 본 실시예는 화소 정의막(109)이 전자 주입 물질 또는 전자 수송 물질을 함유하도록 한다. 구체적으로 화소 정의막(109)의 HOMO 에너지 준위는 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)의 일함수보다 낮게 된다. 이를 통하여 화소 전극 기능을 하는 드레인 전극(106)으로부터 중간층(110)으로 정공 주입 시 정공이 화소 정의막(109)으로 새어 나가는 것을 방지한다. 또한 활성층(108)로부터 화소 정의막(109)으로의 정공 누출을 방지한다. 이를 통하여 드레인 전극(106)으로부터 중간층(110)으로 정공 주입 능력을 향상하여 중간층(110)에 정공 존재할 확률을 현저하게 증가하여 중간층(110)에서 정공과 전자의 재결합 효율을 향상한다. 결과적으로 유기 발광 표시 장치(100)의 전기적 특성이 향상되고, 휘도가 향상된다.
이 때 활성층(108)의 일 방향의 폭(L), 즉 활성층(108)의 폭들 중 소스 전극(105)에서 드레인 전극(106)을 향하는 방향과 수직한 방향의 폭(L)을 최대한 크게 한다. 즉 적어도 활성층(108)의 폭(L)이 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)의 폭에 대응하거나 그보다 크게 한다. 즉 박막 트랜지스터의 채널의 폭을 늘려서 활성층(108)을 통한 소스 전극(105)과 드레인 전극(106)사이의 전하의 이동도를 최대화한다. 이를 통하여 유기 발광 표시 장치(100)의 전기적 특성을 용이하게 향상할 수 있다.
도 3a 내지 도 3f는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
각 도면들을 참조하면서 구체적으로 설명하기로 한다.
먼저 도 3a를 참조하면 기판(101)상에 버퍼층(102)을 형성된다. 버퍼층(102)은 필수 구성요소는 아니며, 필요에 따라서는 구비되지 않을 수도 있다.
그리고 나서 도 3b를 참조하면 버퍼층(102)상에 게이트 전극(103)을 형성한다. 그리고, 게이트 전극(103)상에 절연 물질을 이용하여 게이트 절연막(104)을 형성한다.
그리고 나서 도 3c를 참조하면 게이트 절연막(104)상에 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)을 형성한다. 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106) 중 드레인 전극(106)이 화소 전극의 기능을 하도록 길게 형성한다.
소스 전극(105)은 제1 도전층(105a) 및 제2 도전층(105b)을 구비한다. 드레인 전극(106)은 제1 도전층(106a) 및 제2 도전층(106b)을 구비한다. 다양한 방법을 이용하여 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)을 형성할 수 있는데, 구체적인 예로서 Mo, Al, Ti 또는 W를 함유하는 층을 형성한 후에 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 함유하는 층을 형성하고 나서 1회의 패터닝 공정을 거쳐 게이트 전극(103)의 소정의 영역과 중첩되지 않도록 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)을 형성할 수 있다.
그리고 나서 도 3d를 참조하면 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)상에 활성층(108)을 형성한다. 활성층(108)은 적어도 게이트 전극(103)과 중첩되도록 형성한다. 특히 소스 전극(105) 및 드레인 전극(106)사이의 이격된 공간에 배치되고 게이트 절연막(104)과 접한다. 활성층(108)은 유기 반도체 물질을 함유한다.
활성층(108)은 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)의 상면의 소정의 영역과 중첩되지 않도록 형성한다. 활성층(108)의 패턴 형성 시 포토 리소그래피법 등과 같은 습식 공정을 이용하지 않고 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정을 이용한다. 이를 통하여 활성층(108)의 유기 반도체 물질이 손상되는 것을 효과적으로 방지한다.
그리고 나서 도 3e를 참조하면 활성층(108)상에 화소 정의막(109)을 형성한다. 화소 정의막(109)은 개구부(109a)를 구비하는데, 개구부(109a)는 드레인 전극(106)의 상면의 소정의 영역에 대응되도록 형성된다. 즉, 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)의 영역 중 활성층(108)과 중첩되지 않는 소정의 영역이 개구부(109a)에 대응한다.
화소 정의막(109)은 다양한 물질을 함유하는데, 특히 HOMO 에너지 준위가 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)보다 낮은 물질을 함유한다. 구체적으로 화소 정의막(109)은 전자 주입 물질 또는 전자 수송 물질을 함유한다. 예를들면 화소 정의막(109)은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 또는 Alq3를 함유할 수 있다.
화소 정의막(109)의 형성 시 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정을 이용한다. 화소 정의막(109)패턴 형성 시 포토 리소그래피법 등과 같은 습식 공정을 이용하지 않고 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정을 이용하여 화소 정의막(109)형성 시 활성층(108)의 유기 반도체 물질이 손상되는 것을 효과적으로 방지한다.
그리고 나서 도 3f를 참조하면 화소 정의막(109)상에 중간층(110) 및 제2 전극(111)을 형성한다. 중간층(110)은 유기 발광층을 구비한다. 중간층(110)은 화소 정의막(109)의 개구부(109a)에 대응하도록 형성된다. 이를 통하여 중간층(110)은 드레인 전극(106)의 제2 도전층(106b)과 접한다.
중간층(110)의 패턴 형성 시 포토 리소그래피법 등과 같은 습식 공정을 이용하지 않고 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정을 이용한다. 이를 통하여 중간층(110) 및 활성층(108) 이 손상되는 것을 효과적으로 방지한다.
도시하지 않았으나 제2 전극(111)상에 봉지 부재(미도시)를 형성할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 유기 발광 표시 장치
101: 기판
103: 게이트 전극
104: 게이트 절연막
105: 소스 전극
106: 드레인 전극
108: 활성층
109: 화소 정의막
109a: 개구부
110: 중간층
111: 대향 전극
101: 기판
103: 게이트 전극
104: 게이트 절연막
105: 소스 전극
106: 드레인 전극
108: 활성층
109: 화소 정의막
109a: 개구부
110: 중간층
111: 대향 전극
Claims (18)
- 기판;
상기 기판상에 형성되는 게이트 전극;
상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 전극과 절연되도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극;
상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 형성되고 적어도 일 영역에서 상기 게이트 전극과 중첩되고 유기 반도체 물질을 함유하는 활성층;
상기 활성층 상부에 형성되고 개구부를 구비하는 화소 정의막;
상기 개구부에 대응되도록 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층; 및
상기 중간층 상에 형성되는 대향 전극을 포함하고,
상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 길게 연장된 형태로 형성되어 화소 전극 기능을 하고 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층을 구비하고, 상기 제2 도전층은 상기 중간층과 접하도록 형성된 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 화소 정의막은 HOMO 에너지 준위가 상기 제2 도전층의 일함수보다 낮은 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 화소 정의막은 전자 주입 물질 또는 전자 수송 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 화소 정의막은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, LiQ 또는 AlQ3를 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 상기 제2 도전층을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전층은 Mo, Al, Ti 또는 W를 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 도전층은 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 유기 반도체 물질은 [1]벤조싸이에노[3,2-b]벤조싸이오펜(BTBT: [1]Benzothieno[3,2-b]benzothiophene), dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT), 펜타센(pentacene) 또는 TIPS(Triisopropylsilylethynyl)-펜타센을 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막을 더 포함하고,
상기 활성층은 상기 게이트 절연막과 접하도록 배치된 유기 발광 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제2 도전층은 상기 게이트 절연막과 이격되도록 배치된 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 게이트 전극은 Mo, Al, Ti 또는 W를 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 활성층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 이격된 영역 및 상기 소스 전극의 상면 및 상기 드레인 전극의 상면에 접하도록 배치되고,
상기 활성층의 폭 중 상기 소스 전극에서 상기 드레인 전극을 향하는 방향과 수직한 방향에 대응하는 폭은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 폭과 동일하거나 그보다 큰 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 화소 전극의 기능을 하는 전극은 애노드 기능을 하는 유기 발광 표시 장치. - 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 전극과 절연되도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 배치되고 적어도 일 영역에서 상기 게이트 전극과 중첩되도록 배치되고 유기 반도체 물질을 함유하는 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 상부에 개구부를 구비하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 개구부에 대응되도록 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층을 형성하는 단계; 및
상기 중간층 상에 대향 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 길게 연장된 형태로 형성하여 화소 전극 기능을 하고 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층을 구비하고, 상기 제2 도전층은 상기 중간층과 접하도록 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 활성층은 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정으로 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 화소 정의막은 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정으로 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 중간층은 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정으로 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 대향 전극은 증착 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정으로 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
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