KR20070056626A - 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070056626A KR20070056626A KR1020050115542A KR20050115542A KR20070056626A KR 20070056626 A KR20070056626 A KR 20070056626A KR 1020050115542 A KR1020050115542 A KR 1020050115542A KR 20050115542 A KR20050115542 A KR 20050115542A KR 20070056626 A KR20070056626 A KR 20070056626A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- dopant
- forming
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 7
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Phospho Chemical class 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 도펀트를 함유하는 하부막을 형성하는 단계, 하부막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 반도체 물질층을 형성하는 단계, 반도체 물질층을 결정화하고, 동시에 도펀트를 확산시키는 단계, 반도체 물질층을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계, 반도체층 위에 각각 소스 및 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극과 드레인 전극과 일체로 형성되는 제1 전극을 형성하는 단계 및 제1 전극 위에 유기 발광층 및 제2 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함한다.
유기발광표시장치, 박막트랜지스터, 도펀트, 도핑, 불순물
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조한 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 제조한 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 개략 단면도이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 별도의 도핑 장비 없이도 반도체층에 선택적으로 도펀트를 도핑하여 소스 및 드레인 영역을 형성할 수 있는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 유기 물질에 애노드 전극과 캐소드 전극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합(recombination)하여 여기자(exciton)을 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상을 이용한 자체 발광형 표시 장치이다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 백라이트와 같은 별도의 광원이 요구되지 않 아 액정 표시 장치에 비해 소비 전력이 낮을 뿐만 아니라 광시야각 및 빠른 응답속도 확보가 용이하다는 장점이 있어 차세대 표시 장치로서 주목 받고 있다.
유기 발광 표시 장치의 발광 소자는 정공 주입 전극인 애노드 전극, 유기 발광층, 및 전자 주입 전극인 캐소드 전극으로 이루어지고, 유기 발광층이 적(Red; R), 녹(G; Green) 및 청(Blue; B)을 내는 각각의 유기 물질로 이루어져 풀 칼라(full color)를 구현한다.
유기 발광 표시 장치는 구동 방식에 따라 수동 구동형(passive matrix type)과 능동 구동형(active matrix type)으로 구분된다. 수동 구동형 유기 발광 표시 장치는 제조 공정이 단순하고 제조비용이 저렴하지만 소비 전력이 크고 대면적화에 부적합한 단점이 있다.
반면, 능동 구동형 유기 발광 표시 장치는 수동 구동형 유기 발광 표시 장치에 비해 공정이 복잡하고 제조 비용이 높지만, R, G, B 독립 구동 방식으로 낮은 소비 전력, 고정세, 빠른 응답 속도, 광시야각 및 박형화 구현이 가능하다는 장점이 있다.
능동 구동형 유기 발광 표시 장치는 화소당 적어도 2개의 박막 트랜지스터를 구비하는 데, 상기한 박막 트랜지스터의 반도체층에는 고농도로 도펀트가 도핑된 소스 및 드레인 영역이 형성된다.
상기와 같은 소스 및 드레인 영역을 형성하는 방법으로는 반도체층의 일정 부분에 도펀트 이온을 주입한 후, 이를 열처리하여 활성화하는 방법이 있다.
그런데 상기와 같이, 고농도의 도펀트를 도핑하여 소스 및 드레인 영역을 형 성하는 방법은 그 공정이 복잡하고, 이온 주입기와 같은 고가의 장비를 사용하여야 하므로 제조 공정에 많은 비용이 소요되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 도핑을 위한 별도의 장비 또는 장치 없이 반도체층에 도펀트를 도핑하여 소스 및 드레인 영역을 간단한 공정으로 형성할 수 있는 유기 발광 표시의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 도펀트를 함유하는 하부막을 형성하는 단계, 하부막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 반도체 물질층을 형성하는 단계, 반도체 물질층을 결정화하고, 동시에 도펀트를 확산시키는 단계, 반도체 물질층을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계, 반도체층 위에 각각 소스 및 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극과 드레인 전극과 일체로 형성되는 제1 전극을 형성하는 단계 및 제1 전극 위에 유기 발광층 및 제2 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함한다.
이 경우, 도펀트는 B, Ga, In, P, As 또는 Sb일 수 있다.
또한, 하부막은 규소 산화물계 물질 또는 규소 질화물계 물질 중 어느 하나에 도펀트를 첨가한 물질로 형성될 수 있다.
또한, 하부막을 형성하는 단계는 하부막을 스핀 코팅하여 이루어질 수 있다.
또한, 하부막을 형성하는 단계는 실록산(siloxane)계 용매, 실라젠(silazane)계 용매 및 실리케이트(silicate)계 용매 중 어느 하나에 도펀트가 첨가된 물질을 스핀 코팅하여 이루어질 수 있다.
또한, 하부막을 형성하는 단계는 하부막을 증착하여 이루어질 수 있다.
또한, 하부막을 형성하는 단계는 비피에스지(Boro Phospho Silicate Glass, BPSG), 피에스지(Phospho Silicate Glass, PSG) 또는 비에스지(Boro Silicate Glass, BSG)를 증착하여 이루어질 수 있다.
또한, 반도체 물질층을 결정화하고, 도펀트를 확산시키는 단계는, 고상 결정화에 의해 이루어질 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 의해 제조되는 유기 발광 표시 장치의 화소(P)를 나타낸 평면도이다. 유기 발광 표시 장치의 기판에는 화소(P)가 매트릭스 형태로 배열된다.
화소(P)에는 기판의 일 방향을 따라 스캔 라인(SL)이 배치되고 스캔 라인(SL)에 교차하는 방향을 따라 이격되어 데이터 라인(DL)과 전원 라인(VDD)이 배치되며, 스캔 라인(SL), 데이터 라인(DL) 및 전원 라인(VDD)에 의해 정의되는 영역에 제1 및 제2 박막 트랜지스터(이하, 'TFT'라 한다.)(T1, T2), 캐패시터(Cst) 및 발광 소자(L)가 각각 형성된다.
제1 TFT(T1)는 스캔 라인(SL)과 데이터 라인(DL)에 각각 연결되어 스캔 라인 (SL)의 스위칭 신호에 따라 데이터 라인(DL)에서 입력되는 데이터 전압을 제2 TFT(T2)의 게이트 전극에 인가하고, 캐패시터(Cst)는 제1 TFT(T1) 및 전원 라인(VDD)에 각각 연결되어 데이터 라인(DL)으로부터 인가되는 전압에 따라 제2 TFT(T2)의 게이트 전극과 전원 라인(VDD)의 전압차만큼의 전하를 축적한다.
또한, 제2 TFT(T2)는 전원 라인(VDD) 및 캐패시터(Cst)에 각각 연결되어 캐패시터(Cst)에 저장된 전압차와 제2 TFT(T2)의 Vth의 전압값의 차의 제곱에 비례하는 출력전류를 발광 소자(L)로 공급한다. 이때, 출력 전류 (Id)는 아래의 수학식 1로 나타낼 수 있다.
여기서, β는 상수, Vgs 는 캐패시터(Cst)에 저장된 제2 TFT(T2)의 게이트 전극과 전원 라인(VDD) 간의 전압차, Vth는 문턱 전압(threshold voltage)을 나타낸다.
본 실시예에서는 일례로 화소에 2개의 TFT와 1개의 캐패시터가 형성되는 것을 설명하고 도면에 도시하였으나, 본 발명은 TFT와 캐패시터의 개수 및 배열에 한정되지 않는다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선 상의 단면도이다. 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 유기 발광 표시 장치(100)의 기판(110) 위에는 하부막(120) 이 형성된다. 이때, 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등의 절연성 재료 또는 스테인리스 강 등의 금속성 재료로 형성될 수 있다.
하부막(120)은 규소 산화물계 물질 또는 규소 질화물계 물질 중 어느 하나에 도펀트가 첨가되어 형성될 수 있다. 이 경우, 하부막(120)은 B, Ga, In, P, As, 또는 Sb 등의 도펀트를 함유한다.
이때, 하부막(120)은 스핀 온 글라스(spin on glass, SOG)막에 도펀트가 첨가되어 형성될 수 있으며, 규소-탄소 결합 구조 및 탄소-수소 결합 구조 중 적어도 어느 하나의 결합 구조를 포함한다.
또한, 하부막(120)은 비피에스지(Boro Phospho Silicate Glass, BPSG), 피에스지(Phospho Silicate Glass, PSG) 또는 비에스지(Boro Silicate Glass, BSG)와 같은 물질이 증착되어 형성될 수도 있다.
이와 같이, 하부막(120)이 도펀트를 함유하는 물질로 이루어짐으로써, 소스 및 드레인 영역(154, 156)을 간단한 방법으로 형성할 수 있어 제조 비용이 절감될 수 있는데, 이에 대하여는 후술하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서 좀더 상세히 설명한다.
하부막(120) 위에는 게이트 전극(130)이 형성된다. 이 경우, 게이트 전극(130)은 고온에서 확산되지 않는 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 전극(130)은 반도체층(150)의 일부, 특히 채널 영역(152)과 중첩되도록 형성된다.
한편, 게이트 전극(130) 위에는 규소 산화물, 규소 질화물 또는 이들의 2중 층으로 형성되는 게이트 절연막(140)이 형성 되고, 게이트 절연막(140) 위에는 반 도체층(150)이 형성된다. 반도체층(150)은 다결정 규소로 형성될 수 있다. 반도체층(150)은 채널 영역(152)과, 채널 영역(152)의 양 옆으로 도펀트가 도핑되어 형성된 소스 영역(154) 및 드레인 영역(156)을 포함한다.
이때, 소스 영역(154) 및 드레인 영역(156)에는 상기한 하부막(120)이 함유하는 B, Ga, In, P, As, 또는 Sb 등의 동일한 도펀트가 도핑될 수 있으며, 도펀트의 도핑 방법에 대하여는 후술하도록 한다.
반도체층(150) 위에는 각각 소스 및 드레인 영역(154, 156)에 전기적으로 연결되는 소스 전극(164) 및 드레인 전극(166)이 형성되고, 이와 같은 층으로 드레인 전극(166)에서 일체로 형성되는 제1 전극(182)이 형성된다.
이와 같이, 제1 전극(182)이 별도의 층을 이루지 않고, 드레인 전극(166)과 일체로 형성되므로, 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 더욱 간소화 시킬 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에는 상기한 반도체층(150), 소스 전극(164), 드레인 전극(166) 및 제1 전극(182)을 덮는 화소 정의막(190)이 형성되고, 화소 정의막(190)은 제1 전극(182)을 노출시키는 개구부(190a)를 갖는다. 그리고 개구부(190a) 내의 제1 전극(182) 상에는 유기 발광층(186)이 형성되고, 화소 정의막(190)의 상에는 제2 전극(184)이 형성되어 유기 발광층(186)과 접한다. 즉, 유기 발광층(186)은 화소 정의막(190)의 개구부(190a) 내에서 제1 전극(182)과 제2 전극(184) 사이에 배치된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 전극(182), 유기 발광층(186) 및 제2 전극 (184)은 유기 발광 소자(180)를 형성한다. 여기서, 제1 전극(182)은 유기 발광 소자(180)의 애노드 전극이 되고, 제2 전극(184)은 유기 발광 소자(180)의 캐소드 전극이 될 수 있다.
그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 전극(182)이 유기 발광 소자(180)의 캐소드 전극이 되고, 제2 전극(184)이 유기 발광 소자(180)의 애노드 전극이 될 수도 있다.
이때, 제1 전극(182)과 제2 전극(184) 중 어느 하나는 투명한 도전성 물질로 형성되고 다른 하나는 반투명 또는 반사형 물질로 형성될 수 있다.
제1 전극(182)과 제2 전극(184) 중 어느 하나를 투명한 도전성 물질로 형성하고, 다른 하나를 반투명한 물질로 형성하면, 유기 발광 표시 장치는 양면 발광형 표시 장치가 된다. 또한, 제1 전극(182)은 반사형 물질로 형성하고 제2 전극(184)을 투명한 도전성 물질로 형성하면 전면 발광형 표시 장치가 되고, 그 반대의 경우 유기 발광 표시 장치는 배면 발광형 표시 장치가 된다.
여기서, 투명한 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 물질을 사용할 수 있다.
또한, 반사형 물질로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 불화리튬/칼슘(LiF/Ca), 불화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 등의 물질을 사용할 수 있다.
또한, 소스 전극(164), 드레인 전극(166) 및 제1 전극(182)은 서로 다른 이 종의 재질로 만들어진 다중층으로 형성하여 각 재질이 갖는 단점을 보완할 수 있다.
한편, 유기 발광층(186)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광층(186)을 이루는 물질에 따라 이의 주위에 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 정공 저지층(hole blocking layer, HBL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL), 전자 주입층(electron-injection layer, EIL), 전자 저지층(electron blocking layer, EBL) 등이 더 형성될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명하도록 한다. 도 3a 내지 도 3f에는 그 제조 공정을 개략적으로 도시하였다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(110) 상에 하부막(120)을 형성하고 그 위에 게이트 전극(130)을 형성한다.
하부막(120)은 기판(110) 상에 스핀 온 글라스막을 도포한 후, 도포된 스핀 온 글라스막을 경화시켜 형성할 수 있으며, 이 경우, 하부막(120)은 실록산(siloxane)계 용매, 실라젠(silazane)계 용매 및 실리케이트(silicate)계 용매 중 어느 하나에 도펀트가 첨가된 물질을 스핀 코팅하여 형성될 수 있다.
또한, 하부막(120)을 BPSG, PSG 또는 BSG와 같은 물질을 증착하여 형성할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 게이트 전극(130)을 고온에서 다른 층으로 확산하지 않는 재료로 형성하고, 사진 식각 공정을 통해 패터닝할 수 있다. 이때, 게이트 전극(130)의 재료 및 디자인 룰(design rule)에 따라 습식 식각 또는 건식 식각할 수 있다.
다음으로, 도 3b에 도시한 바와 같이, 하부막(120) 위에 게이트 전극(130)을 덮는 게이트 절연막(140)과 반도체 물질층(150a)을 순차로 형성한다. 이때, 반도체 물질층(150a)은 비정질 규소를 증착하여 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3c에 도시한 바와 같이, 열처리를 통해 반도체 물질층을 결정화하여 다결정 규소층을 형성한다. 이때, 결정화되는 동안, 반도체 물질층에는 도펀트가 확산되어 도핑 영역(151a)이 형성되고, 활성화된다. 즉, 비정질 규소의 열처리를 통한 고상 결정화(Solid Phase Crystallization, SPC) 과정에서 도펀트의 확산 및 활성화가 동시에 일어나게 된다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 이온 주입기 등의 별도 증착 장비 없이 도펀트를 도핑하여 결정화, 확산 및 활성화가 동시에 이루어지므로 기존의 이온 주입과 열처리를 통한 활성화 공정에 의하는 방법에 비해 공정이 단순해 진다.
한편, 도펀트의 확산 과정에서 게이트 전극(130)의 상부와 대응되는 부분(152a)으로는 도펀트 물질이 확산되지 않으므로 즉, 게이트 전극(130)을 마스크로 사용하게 되므로 이 부분에는 채널 영역이 형성되고, 이의 양측으로 소스 및 드레인 영역이 형성된다.
이 경우 전술한 바와 같이, 게이트 전극(130)을 고온에서도 확산이 일어나지 않는 재료로 형성함으로써 게이트 전극(130)에서 게이트 절연막(140) 또는 반도체층(150)으로 확산이 일어나지 않게 된다.
다음으로, 도 3d에 도시한 바와 같이, 반도체 물질층을 패터닝하여 반도체층(150)을 형성한다. 이 경우, 반도체층(150)은 사진 식각 공정을 통하여 패터닝될 수 있다.
다음으로, 도 3e에 도시한 바와 같이, 반도체층(150) 위에 소스 전극(164) 및 드레인 전극(166)을 형성하고, 드레인 전극(166)과 일체로 이루어지는 제1 전극(182)을 형성한다. 이때, 소스 전극(164) 및 드레인 전극(166)은 각각 반도체층(150)의 소스 영역(154) 및 드레인 영역(156)과 연결된다.
상기와 같이, 제1 전극(182)을 드레인 전극(166)과 일체로 동시에 형성함에 따라 유기 발광 표시 장치의 제조 공정은 더욱 간소해 진다.
소스 전극(164), 드레인 전극(166) 및 제1 전극(182)은 유기 발광 표시 장치를 양면 발광형 또는 배면 발광형으로 형성하는 경우에는 투명한 도전성 물질로 형성하고, 전면 발광형으로 형성하는 경우에는 반사형 물질로 형성한다.
다음으로, 도 3f에 도시한 바와 같이, 반도체층(150), 소스 전극(164), 드레인 전극(166) 및 제1 전극(182)을 덮는 화소 정의막(190)을 형성한다.
이때, 화소 정의막(190)은 제1 전극(182)의 일부를 드러내는 개구부(190a)를 가지며, 개구부(190a) 내의 제1 전극(182) 위에 유기 발광층(186)을 형성한다.
그리고 그 위에 제2 전극(186)을 형성하여 유기 발광 표시 장치를 완성한다. 여기서, 제2 전극(186)은 유기 발광 표시 장치를 양면 발광형 또는 전면 발광형으 로 형성하고자 할 때에는 투명한 도전성 물질로 형성하고, 배면 발광형으로 형성하는 경우에는 반사형 물질로 형성한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
전술한 바와 같이 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따르면 도펀트 물질을 함유하는 하부막을 사용하여 이를 소스 및 드레인 영역에 확산시킴으로써 도핑을 위한 별도의 장비가 필요하지 않게 되어 유기 발광 표시 장치의 제조 비용을 절감할 수 있게 된다.
또한, 고상 결정화를 통해 반도체층의 결정화, 도펀트의 확산을 통한 도핑 및 도펀트의 활성화가 동시에 일어나고, 제1 전극을 소스 및 드레인 전극과 동시에 형성하여 공정이 단순해 진다.
Claims (8)
- 기판 위에 도펀트를 함유하는 하부막을 형성하는 단계;상기 하부막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 위에 반도체 물질층을 형성하는 단계;상기 반도체 물질층을 결정화하고, 동시에 상기 도펀트를 확산시키는 단계;상기 반도체 물질층을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 위에 각각 상기 소스 및 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극과 상기 드레인 전극과 일체로 형성되는 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 위에 유기 발광층 및 제2 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 도펀트는 B, Ga, In, P, As 또는 Sb인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 하부막은 규소 산화물계 물질 또는 규소 질화물계 물질 중 어느 하나에 상기 도펀트를 첨가한 물질로 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 하부막을 형성하는 단계는, 상기 하부막을 스핀 코팅하여 이루어지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제4 항에 있어서,상기 하부막을 형성하는 단계는, 실록산(siloxane)계 용매, 실라젠(silazane)계 용매 및 실리케이트(silicate)계 용매 중 어느 하나에 상기 도펀트가 첨가된 물질을 스핀 코팅하여 이루어지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 하부막을 형성하는 단계는, 상기 하부막을 증착하여 이루어지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제6 항에 있어서,상기 하부막을 형성하는 단계는, 비피에스지(Boro Phospho Silicate Glass, BPSG), 피에스지(Phospho Silicate Glass, PSG) 또는 비에스지(Boro Silicate Glass, BSG)를 증착하여 이루어지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 반도체 물질층을 결정화하고, 상기 도펀트를 확산시키는 단계는, 고상 결정화에 의해 이루어지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050115542A KR100728196B1 (ko) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050115542A KR100728196B1 (ko) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070056626A true KR20070056626A (ko) | 2007-06-04 |
| KR100728196B1 KR100728196B1 (ko) | 2007-06-13 |
Family
ID=38354366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050115542A KR100728196B1 (ko) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100728196B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100931491B1 (ko) * | 2008-04-07 | 2009-12-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| US8461591B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| US8508125B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-08-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| KR20130101838A (ko) * | 2012-03-06 | 2013-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100724316B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2007-06-04 | 주식회사 엘지생명과학 | 마이크로 플루이딕 칩 및 그 용도 |
-
2005
- 2005-11-30 KR KR1020050115542A patent/KR100728196B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100931491B1 (ko) * | 2008-04-07 | 2009-12-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| US8598781B2 (en) | 2008-04-07 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display (OLED) and its method of fabrication |
| US8461591B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| US8508125B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-08-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| KR20130101838A (ko) * | 2012-03-06 | 2013-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100728196B1 (ko) | 2007-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10818739B2 (en) | Manufacture method of an OLED back plate | |
| KR100573132B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100782461B1 (ko) | Ｔｆｔ패널 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 구비하는 유기전계 발광 표시 장치 | |
| KR100647599B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20160139115A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| TW200529695A (en) | Organic electroluminescence display device and its fabrication method | |
| US20150060784A1 (en) | Organic light emitting display and method for manufacturing the same | |
| KR20170080996A (ko) | 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20160106848A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100774961B1 (ko) | 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20170065069A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20160092110A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100728129B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100615211B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100728196B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100615199B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 | |
| KR100573134B1 (ko) | 전계 발광 표시장치 | |
| KR100659714B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| KR101965256B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100728128B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| KR100603335B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100684738B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20070111061A (ko) | 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100669704B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 | |
| KR100669709B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130530 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140530 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150601 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |