KR20130084588A - 성막장치 - Google Patents

성막장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130084588A
KR20130084588A KR1020120096412A KR20120096412A KR20130084588A KR 20130084588 A KR20130084588 A KR 20130084588A KR 1020120096412 A KR1020120096412 A KR 1020120096412A KR 20120096412 A KR20120096412 A KR 20120096412A KR 20130084588 A KR20130084588 A KR 20130084588A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
anode
main
film forming
film
auxiliary anode
Prior art date
Application number
KR1020120096412A
Other languages
English (en)
Inventor
료지 치쿠고
Original Assignee
스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 filed Critical 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
Publication of KR20130084588A publication Critical patent/KR20130084588A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 성막처리의 안정성을 향상시키는 것을 과제로 한다.
플라즈마빔(P)에 의하여 성막재료(Ma)를 가열하고, 성막재료(Ma)로부터 기화된 성막재료입자(Mb)를 기판(11)에 부착시켜 성막하는 성막장치(1)로서, 진공환경을 형성하는 진공용기(10)와, 진공용기(10) 내에 배치되어, 성막재료(Ma)를 보유함과 함께, 플라즈마빔(P)의 유도를 행하는 주양극(3)과, 주양극(3)을 둘러싸도록 배치되어, 주양극(3)에 의한 플라즈마빔(P)의 유도를 보조하는 보조양극(4)을 구비하고, 보조양극(4)은, 진공용기(10)와 전기적으로 단락되어 있다. 이로써, 성막처리 중에 도전성의 부착물의 낙하 등이 발생했다고 하여도, 보조양극(4)의 전위의 변화를 방지할 수 있다. 그 결과, 성막조건의 변화를 방지할 수 있어, 성막처리의 안정성을 향상시키는 것이 가능해진다.

Description

성막장치{Film Forming Apparatus}
본 발명은, 성막장치에 관한 것이다.
피처리물의 표면에 성막재료를 성막하는 방법으로서, 예를 들면, 이온플레이팅법이 있다. 이 이온플레이팅법에서는, 진공용기 내에 있어서 성막재료에 플라즈마빔을 조사함으로써, 성막재료를 이온화하여 확산시키고, 피처리물의 표면에 이온화된 성막재료를 부착시켜서 성막한다. 예를 들면, 일본공개특허공보 평8-232060호에는, 이와 같은 이온플레이팅법을 이용한 플라즈마 처리장치가 개시되어 있다.
일본공개특허공보 평8-232060호에 기재된 플라즈마 처리장치는, 보조하스의 전위가 주하스의 전위 및 진공장치의 전위와는 상이한 구조를 가진다. 이와 같은 플라즈마 처리장치에서는, 성막처리 중에, 도전성의 부착물이 보조하스와 진공용기와의 사이에 낙하하여 보조하스와 진공용기에 접함으로써, 보조하스와 진공용기가 전기적으로 단락되어, 보조하스의 전위가 변화될 우려가 있다. 이와 같이, 성막처리 중에 보조하스의 전위가 변화되면, 보조하스의 방전상태가 변화되어 성막조건이 변할 우려가 있다. 이로 인하여, 성막처리의 안정성의 향상이 더욱 요망되고 있다.
따라서 본 발명은, 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 성막처리의 안정성을 향상 가능한 구조를 가지는 성막장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 성막장치는, 플라즈마빔에 의하여 성막재료를 가열하고, 성막재료로부터 기화된 입자를 피성막물에 부착시켜 성막하는 성막장치로서, 진공환경을 형성하는 진공용기와, 진공용기 내에 배치되어, 성막재료를 보유함과 함께, 플라즈마빔의 유도를 행하는 주양극과, 주양극을 둘러싸도록 배치되어, 주양극에 의한 플라즈마빔의 유도를 보조하는 보조양극을 구비하고, 보조양극은, 진공용기에 전기적으로 단락되어 있다.
이 성막장치에 있어서는, 보조양극은, 진공용기에 전기적으로 단락되어 있다. 이로 인하여, 성막처리 중에 도전성의 부착물의 낙하 등이 발생했다고 하여도, 보조양극의 전위의 변화를 방지할 수 있다. 그 결과, 성막조건의 변화를 방지할 수 있어, 성막처리의 안정성을 향상시키는 것이 가능해진다.
보조양극은, 플라즈마빔의 유도를 보조하기 위한 전자석과, 전자석을 수용하는 도전성의 용기를 가져도 되고, 용기는, 진공용기에 전기적으로 단락되어도 된다. 이 경우, 보조양극의 용기와 진공용기를 전기적으로 단락함으로써, 전자석에 의하여 플라즈마빔의 유도를 보조하는 보조양극에 있어서, 성막처리 중에 있어서의 보조양극의 전위의 변화를 방지할 수 있다. 그 결과, 성막조건의 변화를 방지할 수 있어, 성막처리의 안정성을 향상시키는 것이 가능해진다.
보조양극을 지지하는 도전성의 지지부재를 더욱 구비하여도 되고, 보조양극은, 지지부재를 통하여 진공용기에 전기적으로 단락되어도 된다. 이 경우, 보조양극을 지지부재에 직접 고정하기만 하면 되는 간단한 구조에 의하여, 보조양극과 진공용기를 전기적으로 단락할 수 있다.
주양극은 주하스를 가져도 된다. 또, 주하스는 도전성의 재료에 의하여 구성됨과 함께, 피성막물을 향하는 방향으로 연장되는 원통형의 외측벽과, 상기 외측벽의 상기 피성막물로부터 먼 측의 단부에 형성되어 원통의 직경 방향으로 뻗어나온 판형부재를 가져도 된다. 또, 판형부재와 지지부재와의 사이에 형성된 절연부재를 더욱 구비하여도 된다. 이 경우, 주양극과 보조양극(및 보조양극을 지지하는 지지부재)은 절연부재에 의하여 절연되기 때문에, 보조양극(및 보조양극을 지지하는 지지부재)이 진공용기에 전기적으로 단락되어도, 주양극으로의 영향을 방지하여, 성막조건이 변하는 것을 방지할 수 있다.
지지부재는, 주양극의 외측벽을 둘러싸도록 형성된 절연체에 의하여 구성되는 개구부를 가져도 된다. 이 경우, 주양극과 지지부재와의 사이에 도전성의 부착물이 낙하하여도, 절연체에 의하여 구성되는 개구부에 의하여 주양극과 지지부재는 절연되기 때문에, 주양극으로의 영향을 방지하여, 성막조건이 변하는 것을 방지할 수 있다.
주양극은 주하스를 가져도 된다. 또, 주하스는 도전성의 재료에 의하여 구성됨과 함께, 피성막물을 향하는 방향으로 연장되는 원통형의 외측벽과, 상기 외측벽의 상기 피성막물로부터 먼 측의 단부에 형성되어 원통의 직경 방향으로 뻗어나온 판형부재를 가져도 된다. 또, 판형부재와 지지부재와의 사이에는 간극이 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 주양극과 보조양극(및 보조양극을 지지하는 지지부재)은, 사이에 간극이 형성됨으로써 절연되기 때문에, 보조양극(및 보조양극을 지지하는 지지부재)이 진공용기에 전기적으로 단락되어도, 주양극으로의 영향을 방지하여, 성막조건이 변하는 것을 방지할 수 있다.
지지부재와 주양극의 외측벽과의 사이에는 간극이 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 주양극의 외측벽과 보조양극(및 보조양극을 지지하는 지지부재)은, 사이에 간극이 형성됨으로써 절연되기 때문에, 보조양극(및 보조양극을 지지하는 지지부재)이 진공용기에 전기적으로 단락되어도, 주양극으로의 영향을 방지하여, 성막조건이 변하는 것을 방지할 수 있다.
보조양극 상에 설치된 커버를 더욱 구비하여도 되고, 커버는, 주양극 상에 개구를 가지며, 보조양극부터 진공용기의 측벽까지 뻗도록 하여도 된다. 이 경우, 도전성의 부착물 등이 보조양극과 진공용기와의 사이에 침입하는 것을 방지할 수 있어, 메인터넌스 작업의 간소화가 가능해진다. 또, 보조양극과 진공용기와의 사이에 플라즈마빔이 침입하는 것을 방지할 수 있어, 이상 방전 등을 억제할 수 있다.
커버는, 도전성을 가지고, 보조양극에 전기적으로 단락되어도 된다. 이 경우, 커버를 보조양극 상에 재치하기만 하면 되는 간단한 구조에 의하여, 도전성의 부착물 및 플라즈마빔이 보조양극과 진공용기와의 사이에 침입하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 성막처리의 안정성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 성막장치의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 도 1의 성막장치의 전기적인 접속 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 성막장치의 변형예의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다. 다만, 이하의 설명에 있어서는, 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여, 중복되는 설명을 생략한다.
도 1은, 본 실시형태에 따른 성막장치의 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 성막장치(1)는, 이른바 이온플레이팅법에 이용되는 이온플레이팅 장치이다. 다만, 도면에는, 설명을 용이하게 하기 위하여 XYZ 직교좌표계도 나타나 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 성막장치(1)는, 플라즈마원(2)과, 주양극(3)과, 보조양극(4)과, 지지부재(5)와, 반송기구(7)와, 진공용기(10)를 구비한다.
진공용기(10)는, 도시하지 않은 진공펌프에 의하여 진공환경을 형성하는 용기로서, 도전성의 재료(예를 들면, 구리, 스테인리스 등)에 의하여 구성되어 있다. 진공용기(10)는, 성막 대상인 피처리물로서의 기판(11)(피성막물)을 반송하기 위한 반송실(10a)과, 성막재료(Ma)를 확산시키는 성막실(10b)과, 플라즈마원(2)으로부터 조사되는 플라즈마빔(P)을 진공용기(10) 내에 수용하는 플라즈마 입구(10c)를 가진다. 반송실(10a), 성막실(10b), 및, 플라즈마 입구(10c)는, 서로 연통되어 있다. 반송실(10a)은, 소정의 반송방향(도면 중의 화살표(A))으로 뻗어있고, 성막실(10b) 상에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서는, 반송방향(A)은 X축을 따라 설정되어 있다.
플라즈마원(2)은, 압력구배형의 플라즈마원이고, 그 본체부분이 성막실(10b)의 측벽(플라즈마 입구(10c))에 설치되어 있다. 플라즈마원(2)에 있어서 생성된 플라즈마빔(P)은, 플라즈마 입구(10c)로부터 성막실(10b) 내로 출사된다. 플라즈마빔(P)의 출사 방향은, 플라즈마 입구(10c)에 설치된 도시하지 않은 스티어링코일에 의하여 제어된다.
주양극(3)은, 성막재료(Ma)를 보유함과 함께, 플라즈마빔(P)의 유도를 행하기 위한 부분이다. 주양극(3)은, 성막실(10b) 내에 설치되고, 반송기구(7)로부터 보아 Z축 방향의 부방향으로 배치되어 있다. 주양극(3)은, 주하스(31)를 가진다. 주하스(31)는, 도전성의 재료(예를 들면, 구리, 스테인리스 등)에 의하여 구성된 원통형의 부재로서, 이 주하스(31)의 중앙부에는, 성막재료(Ma)를 충전하기 위한 개구가 형성되어 있다. 그리고, 성막재료(Ma)의 선단부분이, 이 개구로부터 노출되어 있다. 주하스(31)는, 플라즈마원(2)으로부터 출사된 플라즈마빔(P)을 주하스(31) 자신 또는 성막재료(Ma)로 유도한다. 또, 주하스(31)에는, 기판(11)을 향하는 방향(Z방향)으로 연장하는 원통형의 외측벽(31a)과, 외측벽(31a)의 단부(기판(11)으로부터 먼 측의 단부)에 형성된 판형부재(31b)가 형성되어 있다. 판형부재(31b)는, 외측벽(31a)보다, 직경 방향(외측벽(31)의 원통 형상의 직경 방향)으로 뻗어나온 형상으로 되어 있다. 판형부재(31b)는, 도전성의 재료(예를 들면, 구리, 스테인리스 등)에 의하여 구성되어 있다. 판형부재(31b)와 후술하는 지지부재(5)의 베이스플레이트(5a)와의 사이에는, 절연부재(5c)가 형성되어 있다. 주하스(31)의 판형부재(31b)의 상면은, 지지부재(5)의 베이스플레이트(5a)의 하면에 절연부재(5c)를 통하여 접속되어 있고, 주하스(31)와 베이스플레이트(5a)는 전기적으로 절연되어 있다. 주하스(31)(주양극(3))와 베이스플레이트(5a)(보조양극(4))는 절연부재(5c)에 의하여 절연되기 때문에, 베이스플레이트(5a)(보조양극(4))가 진공용기(10)에 전기적으로 단락되어도, 주하스(31)(주양극(3))로의 영향을 방지하여, 성막조건이 변하는 것을 방지할 수 있다.
보조양극(4)은, 주양극(3)에 의한 플라즈마빔(P)의 유도를 보조하기 위한 부분이다. 보조양극(4)은, 성막재료(Ma)를 보유하는 주하스(31)의 주위에 배치되어 있고, 고리형의 용기(4a)와, 용기(4a) 내에 수용된 코일(4b)(전자석) 및 영구자석(4c)을 가진다. 용기(4a)는, 도전성의 재료(예를 들면, 구리, 스테인리스 등)에 의하여 구성되어 있다. 코일(4b) 및 영구자석(4c)은, 코일(4b)에 흐르는 전류량에 따라, 주하스(31)에 입사되는 플라즈마빔(P)의 방향, 또는, 성막재료(Ma)에 입사되는 플라즈마빔(P)의 방향을 제어한다.
지지부재(5)는, 주양극(3) 및 보조양극(4)을 지지하는 부재이다. 지지부재(5)는, 베이스플레이트(5a)와, 지주(5b)와, 절연부재(5c)를 가진다. 베이스플레이트(5a)는, 그 상면에 보조양극(4)을 고정시키는 도전성의 판형부재이다. 베이스플레이트(5a)는, 주양극(3)의 외측벽(31a)을 둘러싸도록 형성된 개구부(5d)를 가지고, 개구부(5d)는 절연체에 의하여 구성되어 있다. 주양극(3)의 외측벽(31a)과 베이스플레이트(5a)와의 사이에 도전성의 부착물이 낙하하여도, 절연체에 의하여 구성되는 개구부(5d)에 의하여 외측벽(31a)과 베이스플레이트(5a)는 절연되기 때문에, 주양극(3)으로의 영향을 방지하여, 성막조건이 변하는 것을 방지할 수 있다. 지주(5b)는, 베이스플레이트(5a)를 지지하는 도전성의 부재로서, 성막실(10b)의 바닥면에 설치되어 있다. 베이스플레이트(5a) 및 지주(5b)는, 예를 들면 스테인리스강 등에 의하여 구성되어 있다. 절연부재(5c)는, 주하스(31)를 지지하는 절연성의 부재로서, 베이스플레이트(5a)와 주하스(31)와의 사이에 설치되어 있다. 절연부재(5c)는, 예를 들면 베이스플레이트(5a)의 하면에 설치되고, 주하스(31)의 바닥부에 설치된 판형부재(31b)의 상면에 접속된다.
반송기구(7)는, 반송실(10a) 내에 설치된 복수의 반송롤러(71)에 의하여 구성되어 있다. 반송기구(7)는, 기판(11)을 보유하는 트레이(72)를, 성막재료(Ma)와 대향시킨 상태로 반송방향(A)으로 반송한다. 반송롤러(71)는, 반송방향(A)을 따라 등간격으로 나열되어 있고, 트레이(72)를 지지하면서 반송방향(A)으로 트레이(72)를 반송할 수 있다. 다만, 기판(11)은, 예를 들면 유리 기판, 플라스틱 기판 및 반도체 기판 등의 판형부재이다.
성막재료(Ma)로서는, ITO 및 ZnO 등의 투명도전재료, SiON 등의 절연밀봉재료가 예시된다. 성막재료(Ma)가 절연성물질로 이루어지는 경우, 주하스(31)에 플라즈마빔(P)이 조사되면, 플라즈마빔(P)으로부터의 전류에 의하여 주하스(31)가 가열되고, 성막재료(Ma)의 선단부분이 증발(기화)되어, 플라즈마빔(P)에 의하여 이온화된 성막재료입자(Mb)가 성막실(10b) 내에 확산된다. 또, 성막재료(Ma)가 도전성 물질로 이루어지는 경우, 주하스(31)에 플라즈마빔(P)이 조사되면, 플라즈마빔(P)이 성막재료(Ma)에 직접 입사되어, 성막재료(Ma)의 선단부분이 가열되어 증발되고, 플라즈마빔(P)에 의하여 이온화된 성막재료입자(Mb)가 성막실(10b) 내에 확산된다. 성막실(10b) 내에 확산된 성막재료입자(Mb)는, 성막실(10b)의 위쪽(Z축 정방향)으로 이동하여, 반송실(10a) 내에 있어서 기판(11)의 표면에 부착된다.
다만, 성막재료(Ma)는, 소정 길이의 원주 형상의 고체로 성형되어 있고, 한번에 복수의 성막재료(Ma)가 주양극(3)에 세트된다. 그리고, 최상부의 성막재료(Ma)의 선단부분이 주하스(31)의 상단과의 소정의 위치 관계를 유지하도록, 성막재료(Ma)의 소비에 맞추어, 스러스트(6)에 의하여 성막재료(Ma)가 주양극(3)의 아래쪽으로부터 순차 압출된다.
도 2는, 성막장치(1)의 전기적인 접속 관계를 설명하기 위한 도면이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 진공용기(10)는, 접지전위(GND)에 접속되어 있다. 보조양극(4)의 용기(4a)는, 베이스플레이트(5a) 및 지주(5b)를 통하여 진공용기(10)에 전기적으로 단락되어 있다. 이로 인하여, 보조양극(4)의 용기(4a)의 전위는, 진공용기(10)의 전위와 동일한 것으로, 접지전위(GND)이다. 플라즈마원(2)과 주하스(31)와의 사이에 전원(PS)이 접속되어 있고, 주하스(31)와 베이스플레이트(5a)와의 사이에 절연부재(5c)가 설치되어 있다. 또, 주하스(31)는, 저항기(R)를 통하여 진공용기(10)에 접속되어 있다. 이로 인하여, 주하스(31)는, 진공용기(10)에 대하여 정전위로 유지되어 있다.
이와 같이 구성된 성막장치(1)에서는, 보조양극(4)의 용기(4a)는 진공용기(10)에 전기적으로 단락되어 있다. 즉, 보조양극(4)의 전위는 접지전위(GND)(0V)가 된다. 이로 인하여, 성막처리 중에 도전성의 부착물의 낙하 등에 의하여, 보조양극(4)의 용기(4a)와 진공용기(10)가 전기적으로 접속되었다고 하여도, 용기(4a)와 진공용기(10)는 당초부터 전기적으로 단락되어 있기 때문에, 보조양극(4)의 용기(4a)의 전위 변화는 발생하지 않는다. 따라서, 방전상태의 변화를 억제할 수 있고, 성막조건의 변화를 방지할 수 있다. 그 결과, 기판(11)에 성막되는 막질의 변화를 억제할 수 있어, 성막처리의 안정성을 향상시키는 것이 가능해진다.
종래의 성막장치에서는, 보조양극은, 주양극 및 진공용기에 대하여 전기적으로 절연되어 있으므로, 구조가 복잡했다. 한편, 성막장치(1)에서는, 보조양극(4)을 베이스플레이트(5a)에 직접 고정하기만 하면 되는 간단한 구조로 할 수 있다.
도 3은, 성막장치(1)의 변형예의 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 성막장치(1)는, 도 1의 구성에 대하여, 파티클 포획판(12)과, 커버(13)를 더욱 구비한다. 여기에서는, 파티클 포획판(12) 및 커버(13)를 설명하고, 다른 구성요소에 대해서는, 상기 실시형태와 동일하므로 그 설명을 생략한다.
파티클 포획판(12)은, 성막재료입자(Mb)를 포획하여 보유하는 부재이다. 파티클 포획판(12)은, 측벽(10d)의 내면을 따라 배치되어 있다. 파티클 포획판(12)의 표면에는, 복수의 오목부와 복수의 볼록부가 형성되어, 성막재료입자(Mb)가 효과적으로 포획된다. 파티클 포획판(12)은, 도전성을 가지고, 예를 들면 구리에 의하여 구성된다. 파티클 포획판(12)의 두께는, 예를 들면 4mm 정도이다. 파티클 포획판(12)은, 볼트 등의 도전성의 고정부재에 의하여 진공용기(10)의 측벽(10d)에 고정된다. 이로 인하여, 파티클 포획판(12)은 진공용기(10)에 전기적으로 단락되어 있고, 파티클 포획판(12)의 전위는 접지전위(GND)이다.
커버(13)는, 보조양극(4) 및 보조양극(4)의 외주둘레부터 진공용기(10)의 측벽(10d)의 내면까지를 덮는 판형의 부재이다. 커버(13)는, 보조양극(4) 상에 형성되어 있다. 커버(13)는, 주양극(3) 상에 개구를 가지고, 그 바깥둘레가 진공용기(10)의 측벽(10d)의 내면을 따르고 있다. 커버(13)는, 도전성을 가지고, 예를 들면 스테인리스강에 의하여 구성되어 있다. 커버(13)의 두께는, 예를 들면 3mm 정도이다. 커버(13)는, 보조양극(4) 상에 재치됨으로써 장착된다. 이로 인하여, 보조양극(4)의 용기(4a)에 전기적으로 단락되어 있고, 커버(13)의 전위는 접지전위(GND)이다. 다만, 파티클 포획판(12)이 보조양극(4)의 상면에서 아래쪽까지 뻗어있는 경우에는, 커버(13)의 바깥둘레는, 파티클 포획판(12)을 따른 형상이 된다.
이 변형예에서는, 보조양극(4) 및 보조양극(4)의 외주둘레부터 진공용기(10)의 측벽(10d)의 내면까지를 덮도록, 커버(13)가 설치되어 있다. 이로 인하여, 도전성의 부착물 등이 보조양극(4)과 진공용기(10)와의 사이에 침입하는 것을 방지할 수 있어, 메인터넌스 작업의 간소화가 가능해진다. 또, 보조양극(4)과 진공용기(10)와의 사이에 플라즈마빔(P)이 침입하는 것을 방지할 수 있어, 이상 방전 등을 억제할 수 있다.
또, 보조양극(4)이 진공용기(10)에 전기적으로 단락되어 있으므로, 진공용기(10)에 전기적으로 단락된 커버(13)를 보조양극(4) 상에 재치하기만 하면 되는 간단한 구조로 할 수 있다. 또, 파티클 포획판(12)을 더 설치했을 경우, 보조양극(4)과 진공용기(10)의 측벽(10d)의 내면을 일체로 커버할 수 있다. 이로 인하여, 도전성의 부착물 등이 보조양극(4)과 진공용기(10)와의 사이에 침입하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있어, 보수 작업을 한층 더 간소화할 수 있다. 또, 보조양극(4)과 진공용기(10)와의 사이에 플라즈마빔(P)이 침입하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있어, 이상 방전 등을 더욱 억제할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 성막장치는 본 실시형태에 기재된 것으로 한정되지 않는다. 판형부재(31b)와 지지부재(5)의 베이스플레이트(5a)와의 사이에는 절연부재(5c)를 설치하지 않고, 간극을 형성하도록 하여도 된다. 주양극(3)(의 판형부재(31b))과 보조양극(4)(및 보조양극(4)을 지지하는 지지부재(5))은, 사이에 간극이 형성됨으로써 절연되기 때문에, 보조양극(4)(및 보조양극(4)을 지지하는 지지 부재(5))이 진공용기(10)에 전기적으로 단락되어도, 주양극(3)으로의 영향을 방지하여, 성막조건이 변하는 것을 방지할 수 있다. 또, 베이스플레이트(5a)에 절연체에 의하여 구성되는 개구부(5d)를 형성하지 않고, 베이스플레이트(5a)와 주양극(3)의 외측벽(31a)과의 사이에 간극을 형성하도록 하여도 된다. 주양극(3)의 외측벽(31a)과 보조양극(4)(및 보조양극(4)을 지지하는 지지부재(5))은, 사이에 간극이 형성됨으로써 절연되기 때문에, 보조양극(4)(및 보조양극(4)을 지지하는 지지부재(5))이 진공용기(10)에 전기적으로 단락되어도, 주양극(3)으로의 영향을 방지하여, 성막조건이 변하는 것을 방지할 수 있다.
1:성막장치 3:주양극
4:보조양극 4a:용기
4b:코일(전자석) 5:지지부재
10:진공용기 10d:측벽
11:기판(피성막물) 13:커버
Ma:성막재료 Mb:성막재료입자
P 플라즈마빔

Claims (9)

  1. 플라즈마빔에 의하여 성막재료를 가열하고, 상기 성막재료로부터 기화된 입자를 피성막물에 부착시켜 성막하는 성막장치로서,
    진공환경을 형성하는 진공용기와,
    상기 진공용기 내에 배치되어, 상기 성막재료를 보유함과 함께, 상기 플라즈마빔의 유도를 행하는 주양극과,
    상기 주양극을 둘러싸도록 배치되어, 상기 주양극에 의한 상기 플라즈마빔의 유도를 보조하는 보조양극을 구비하고,
    상기 보조양극은, 상기 진공용기에 전기적으로 단락되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조양극은,
    상기 플라즈마빔의 유도를 보조하기 위한 전자석과,
    상기 전자석을 수용하는 도전성의 용기를 가지고,
    상기 용기는, 상기 진공용기에 전기적으로 단락되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보조양극을 지지하는 도전성의 지지부재를 더욱 구비하고,
    상기 보조양극은, 상기 지지부재를 통하여 상기 진공용기와 전기적으로 단락되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 주양극은 주하스를 가지고,
    상기 주하스는 도전성의 재료에 의하여 구성됨과 함께, 상기 피성막물을 향하는 방향으로 연장되는 원통형의 외측벽과, 상기 외측벽의 상기 피성막물로부터 먼 측의 단부에 형성되어 원통의 직경 방향으로 뻗어나온 판형부재를 가지며,
    상기 판형부재와 상기 지지부재와의 사이에 형성된 절연부재를 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 지지부재는, 상기 주양극의 상기 외측벽을 둘러싸도록 형성된 절연체에 의하여 구성되는 개구부를 가지는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 주양극은 주하스를 가지고,
    상기 주하스는 도전성의 재료에 의하여 구성됨과 함께, 상기 피성막물을 향하는 방향으로 연장하는 원통형의 외측벽과, 상기 외측벽의 상기 피성막물로부터 먼 측의 단부에 형성되어 원통의 직경 방향으로 뻗어나온 판형부재를 가지며,
    상기 판형부재와 상기 지지부재와의 사이에는 간극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지부재와 상기 주양극의 상기 외측벽과의 사이에는 간극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보조양극 상에 설치된 커버를 더욱 구비하고,
    상기 커버는, 상기 주양극 상에 개구를 가지며, 상기 보조양극부터 상기 진공용기의 측벽까지 뻗어있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 커버는, 도전성을 가지고,
    상기 커버는, 상기 보조양극에 전기적으로 단락되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
KR1020120096412A 2012-01-17 2012-08-31 성막장치 KR20130084588A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-007178 2012-01-17
JP2012007178A JP2013147684A (ja) 2012-01-17 2012-01-17 成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130084588A true KR20130084588A (ko) 2013-07-25

Family

ID=48753120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120096412A KR20130084588A (ko) 2012-01-17 2012-08-31 성막장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2013147684A (ko)
KR (1) KR20130084588A (ko)
CN (1) CN103205718A (ko)
TW (1) TW201331398A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI503433B (zh) * 2013-10-08 2015-10-11 不二越股份有限公司 成膜裝置及成膜方法
KR101778597B1 (ko) 2015-03-25 2017-09-14 (주)에스엔텍 대면적 기재의 성막을 위한 성막장치
CN116884827B (zh) * 2023-09-06 2023-12-05 艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司 真空等离子装置及加工方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3406769B2 (ja) * 1996-03-19 2003-05-12 日本電子株式会社 イオンプレーティング装置
JPH10176263A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd イオンプレーティング装置の運転方法
JP3189038B2 (ja) * 1997-01-14 2001-07-16 住友重機械工業株式会社 真空成膜装置の材料供給装置
JP3156176B2 (ja) * 1997-05-15 2001-04-16 住友重機械工業株式会社 真空成膜装置
JPH116049A (ja) * 1997-06-12 1999-01-12 Nippon Sheet Glass Co Ltd 真空成膜装置
JP3189042B2 (ja) * 1997-07-24 2001-07-16 住友重機械工業株式会社 真空成膜の材料供給装置
JP2002115049A (ja) * 2001-08-31 2002-04-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2006348318A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Sumitomo Heavy Ind Ltd ハース機構、ハンドリング機構、及び成膜装置
JP2010222620A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Seiko Epson Corp 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013147684A (ja) 2013-08-01
CN103205718A (zh) 2013-07-17
TW201331398A (zh) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107849690B (zh) 成膜装置
CN101641765B (zh) 通过式沉积***以及采用通过式沉积***的沉积方法和沉积设备
JP5580760B2 (ja) 多点クランプを用いた物理蒸着装置及び方法
KR20010080470A (ko) 반도체 웨이퍼 처리 시스템에서 고주파 복귀 전류 경로제어를 제공하는 장치
KR102020683B1 (ko) 이온주입장치를 위한 고전압전극의 절연구조
CN104217913A (zh) 绝缘结构及绝缘方法
KR20130084588A (ko) 성막장치
JP2011179119A (ja) 熱拡散器を用いた物理蒸着装置及び方法
CN111364008B (zh) 负离子生成装置
KR20170094442A (ko) Pvd 유전체 증착을 위한 장치
KR101785178B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2010222687A (ja) 成膜用マスク
JP2023120247A (ja) 負イオン照射装置
JP5456716B2 (ja) 成膜装置
US6770178B2 (en) Cathodic arc disposable sting shielding
KR102156989B1 (ko) 진공 아크 성막 장치 및 성막 방법
JP4772398B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
CN109957752B (zh) 基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法
JP2018016856A (ja) 成膜装置
US20130075253A1 (en) Titanium diboride coating for plasma processing apparatus
KR100481881B1 (ko) 투명도전막 부착 기판의 제조장치
JP6067483B2 (ja) プラズマ測定装置及び成膜装置
JP2014065938A (ja) 成膜装置
JP6087212B2 (ja) 蒸発装置
JP7120540B2 (ja) イオン照射装置、イオン照射方法、成膜装置、及び成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application