KR20130080301A - Light emitting device and light emitting apparatus having the same - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 163
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 91
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 556
- 239000000463 material Substances 0.000 description 45
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 29
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 12
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 11
- -1 Al2O3 Chemical class 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000333 poly(propyleneimine) Polymers 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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Abstract
Description
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 발광 장치에 관한 것이다. The embodiment relates to a light emitting device and a light emitting device having the same.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.III-V nitride semiconductors (group III-V nitride semiconductors) are widely recognized as key materials for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LD) due to their physical and chemical properties. The III-V group nitride semiconductors are usually made of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y?
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that transmits and receives signals by converting electricity into infrared rays or light using characteristics of a compound semiconductor.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키 패드 발광부, 표시 장치, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다. LEDs or LDs using such nitride semiconductor materials are widely used in light emitting devices for obtaining light, and have been applied to light sources of various products such as keypad light emitting units, display devices, electronic displays, and lighting devices of mobile phones.
실시 예는 새로운 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a new light emitting device.
실시 예는 발광 구조물의 아래에 지지 부재 및 측면에 반사 부재를 갖는 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device having a support member and a reflective member on a side surface of the light emitting structure.
실시 예는 기판과 지지부재 사이에 발광 구조물을 배치하고, 상기 발광 구조물과 기판의 측면에 반사부재를 배치한 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device in which a light emitting structure is disposed between a substrate and a support member, and a reflective member is disposed on side surfaces of the light emitting structure and the substrate.
실시 예는 웨이퍼 레벨 패키징된 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a wafer level packaged light emitting device.
실시 예는 제1전극 및 제2전극의 둘레에 세라믹 재질의 첨가제를 갖는 지지부재를 포함하는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device including a support member having an additive of ceramic material around the first electrode and the second electrode.
실시 예는 발광 소자를 갖는 발광 장치, 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device, a light emitting device package and a lighting device having a light emitting device.
실시 예에 따른 발광소자는, 제1도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층 아래에 제2도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 적어도 한 층의 측면에 배치된 반사부재; 상기 제1도전형 반도체층 아래에 배치된 제1전극; 상기 제2도전형 반도체층 아래에 배치된 반사전극층; 상기 반사전극층 아래에 배치된 제2전극; 상기 제1전극 아래에 배치된 제1연결 전극; 상기 제2전극 아래에 배치된 제2연결 전극; 및 상기 제1전극 및 제1연결 전극과 상기 제2전극 및 상기 제2연결 전극의 둘레에 배치되며, 세라믹 재질을 포함하는 지지 부재를 포함한다. The light emitting device according to the embodiment may include a first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer under the first conductive semiconductor layer; A light emitting structure including an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A reflective member disposed on a side of at least one layer of the light emitting structure; A first electrode disposed under the first conductive semiconductor layer; A reflective electrode layer disposed under the second conductive semiconductor layer; A second electrode disposed under the reflective electrode layer; A first connection electrode disposed under the first electrode; A second connection electrode disposed under the second electrode; And a support member disposed around the first electrode, the first connection electrode, the second electrode, and the second connection electrode, and including a ceramic material.
실시 예에 따른 발광 장치는, 상기의 발광 소자; 제1패드 및 제2패드를 갖고, 상기 발광 소자의 제1연결 전극 및 제2연결 전극이 탑재된 모듈 기판을 포함하며, 상기 발광 소자의 제1연결 전극과 제2연결 전극, 및 지지 부재의 하면은 상기 모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 대응된다. The light emitting device according to the embodiment, the light emitting element; And a module substrate having a first pad and a second pad, on which the first connection electrode and the second connection electrode of the light emitting device are mounted, wherein the first connection electrode and the second connection electrode of the light emitting device and the support member are formed. The lower surface corresponds to the first pad and the second pad of the module substrate.
실시 예는 플립 방식에서의 발광 소자의 탑재 공정을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the mounting process of the light emitting device in the flip method.
실시 예는 웨이퍼 레벨에서 패키징된 발광 소자를 제공함으로써, 패키징 공정을 생략할 수 있어 제조 공정을 줄여줄 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device packaged at the wafer level, thereby eliminating the packaging process, thereby reducing the manufacturing process.
실시 예는 발광소자의 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the light extraction efficiency of the light emitting device.
실시 예는 발광소자의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the heat radiation efficiency of the light emitting device.
실시 예는 소자의 측면에 반사층을 배치하여, 소자 상면 방향으로의 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.According to the embodiment, the reflective layer may be disposed on the side surface of the device to improve light extraction efficiency toward the top surface of the device.
실시 예는 소자의 측면에 반사층 및 소자의 상면에 요철 구조를 배치하여, 소자 상면으로의 광 추출 효율을 극대화시켜 줄 수 있다. The embodiment may arrange the reflective layer on the side of the device and the concave-convex structure on the upper surface of the device, thereby maximizing light extraction efficiency to the upper surface of the device.
실시 예는 플립 방식으로 탑재된 발광 소자를 갖는 발광 장치 및 표시 장치, 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting device, the display device, and the lighting device having the light emitting device mounted in a flip method.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 저면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 제1측면도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자의 제2측면도이다.
도 5는 도 1의 발광 소자의 반사층을 나타낸 도면이다.
도 6은 도 1의 발광 소자의 반사층의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 1의 발광 소자의 반사층의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 9는 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 10은 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 11은 제5실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 12는 제6실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 13은 도 1의 발광 소자의 제1전극 및 제2전극을 나타낸 도면이다.
도 14는 제7실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 15는 도 1의 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 16은 도 1의 발광 소자를 갖는 발광 소자 패키지를 갖는 도면이다.
도 17은 도 1의 발광 소자를 갖는 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 18은 도 1의 발광 소자를 갖는 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 도 1의 발광 소자를 갖는 조명장치를 나타낸 도면이다.1 is a side sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.
FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device of FIG. 1.
3 is a first side view of the light emitting device of FIG. 1.
4 is a second side view of the light emitting device of FIG. 1.
5 is a view illustrating a reflective layer of the light emitting device of FIG. 1.
6 is a diagram illustrating another example of the reflective layer of the light emitting device of FIG. 1.
7 is a diagram illustrating still another example of a reflective layer of the light emitting device of FIG. 1.
8 is a side sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment.
9 is a side sectional view showing a light emitting device according to a third embodiment.
10 is a side sectional view showing a light emitting device according to the fourth embodiment.
11 is a side sectional view showing a light emitting device according to a fifth embodiment.
12 is a side sectional view showing a light emitting device according to the sixth embodiment.
13 is a view illustrating a first electrode and a second electrode of the light emitting device of FIG. 1.
14 is a side sectional view showing a light emitting device according to the seventh embodiment.
FIG. 15 is a view illustrating a light emitting module having the light emitting device of FIG. 1.
FIG. 16 is a view illustrating a light emitting device package having the light emitting device of FIG. 1.
17 is a diagram illustrating a display device having the light emitting device of FIG. 1.
18 is a diagram illustrating another example of the display device having the light emitting device of FIG. 1.
19 is a view showing a lighting device having a light emitting device of FIG.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " include both being formed" directly "or" indirectly " Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 저면도의 예를 나타낸 도면이다.1 is a side sectional view showing a light emitting device according to the first embodiment, and FIG. 2 is a view showing an example of a bottom view of the light emitting device of FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자(100)는 기판(111), 제1반도체층(113), 제1도전형 반도체층(115), 활성층(117), 제2도전형 반도체층(119), 반사 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 지지부재(151), 절연부재(181) 및 반사부재(191)를 포함한다.1 and 2, the
상기 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(111)의 하면에는 상기 기판(111)과 상기 제1반도체층(113) 사이에 요철 패턴과 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 상기의 요철 패턴은 상기 기판(111)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 패턴을 형성할 수 있다. 상기 요철 패턴은 스트라이프 형상 또는 볼록 렌즈 형상을 포함할 수 있다. 상기의 기판(111)은 투광성 기판을 일 예로 설명한다.The
상기 기판(111) 하면에는 제1반도체층(113)이 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 선택적으로 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 예컨대, III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A
상기 제1반도체층(113)은 버퍼층으로 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있다. The
상기 제1반도체층(113)은 언도프드(undoped) 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 언도프드 반도체층은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN계 반도체로 구현될 수 있다. 상기 언도프드 반도체층은 제조 공정시 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 되며, 상기 제1도전형 반도체층(115)의 도전형 도펀트 농도보다는 낮은 농도를 가지게 된다. 상기 제1반도체층(113)은 버퍼층 및 언도프드 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1반도체층(113) 아래에는 발광 구조물(120)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(120)은 III족-V족 화합물 반도체를 포함하며, 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖고, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다. The
상기 발광 구조물(120)은 제1도전형 반도체층(115), 제2도전형 반도체층(119), 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제2도전형 반도체층(119) 사이에 형성된 활성층(117)을 포함한다.The
상기 제1반도체층(113) 아래에는 제1도전형 반도체층(115)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖는 N형 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. A first
상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제1반도체층(113) 사이에는 서로 다른 반도체층들이 교대로 적층된 초 격자 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 초격자 구조는 격자 결함을 감소시켜 줄 수 있다. 상기 초 격자 구조의 각 층은 수 A 이상의 두께로 적층될 수 있다. A super lattice structure in which different semiconductor layers are alternately stacked may be formed between the first
상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 활성층(117) 사이에는 제1도전형 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(117)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1도전형 클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first conductive clad layer may be formed between the first
상기 제1도전형 반도체층(115) 아래에는 활성층(117)이 형성된다. 상기 활성층(117)은 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다.An
상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The period of the well layer / barrier layer may be formed in one or more cycles using, for example, a stacked structure of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN. The barrier layer may be formed of a semiconductor material having a band gap higher than that of the well layer.
상기 활성층(117) 아래에는 제2도전형 반도체층(119)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖는 P형 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. A second
상기 제2도전형 반도체층(119)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(117)을 보호할 수 있다.The second
또한 상기 제1도전형 반도체층(115)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(119)은 N형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. In addition, the first
상기 발광소자(100)는 상기 제1도전형 반도체층(115), 활성층(117) 및 상기 제2도전형 반도체층(119)을 발광 구조물(120)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 P는 P형 반도체층이며, 상기 N은 N형 반도체층이며, 상기 -은 P형 반도체층과 N형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(120)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(119)으로 설명하기로 한다.
The
상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에는 반사 전극층(131)이 형성된다. 상기 반사 전극층(131)은 오믹 접촉층, 반사층, 및 확산 방지층, 보호층 중 적어도 하나를 포함한다. The
상기 반사 전극층(131)은 오믹 접촉층/반사층/확산 방지층/보호층의 구조로 형성되거나, 반사층/확산 방지층/보호층의 구조로 형성되거나, 오믹 접촉층/반사층/보호층의 구조로 형성되거나, 반사층/확산 방지층으로 형성되거나, 반사층으로 형성될 수 있다.The
여기서, 상기 오믹 접촉층은 상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에 접촉되며, 그 접촉 면적은 상기 제2도전형 반도체층(119)의 하면 면적의 70% 이상으로 형성될 수 있다. 상기 오믹 접촉층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SnO, InO, INZnO, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Ni, Cr 및 이들의 선택적인 화합물 또는 합금 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 오믹 접촉층의 두께는 1~1,000Å로 형성될 수 있다. The ohmic contact layer may contact the bottom of the second
상기 반사층은 상기 오믹 접촉층 아래에 반사율이 70% 이상인 물질 예컨대, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir의 금속과 상기의 금속 중 2 이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 반사층의 금속은 상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에 오믹 접촉될 수 있으며, 이 경우 상기 오믹 접촉층은 형성하지 않을 수 있다. 상기 반사층의 두께는 1~10,000Å으로 형성될 수 있다. The reflective layer may be selected from a material having a reflectance of 70% or more below the ohmic contact layer, for example, a metal of Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, or Ir and at least two of the metals. The metal of the reflective layer may be in ohmic contact under the second
상기 확산 방지층은 Au, Cu, Hf, Ni, Mo, V, W, Rh, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti 및 이들 중에서 2이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 확산 방지층은 서로 다른 층의 경계에서 층간 확산을 방지하게 된다. 상기 확산 방지층의 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다. The diffusion preventing layer may be selected from Au, Cu, Hf, Ni, Mo, V, W, Rh, Ru, Pt, Pd, La, Ta and Ti and alloys of two or more thereof. The diffusion barrier prevents interdiffusion at the boundaries of the different layers. The thickness of the diffusion barrier layer may be formed to 1 ~ 10,000 ~.
상기 보호층은 Au, Cu, Hf, Ni, Mo, V, W, Rh, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti 및 이들 중에서 2이상의 합금 중에서 선택될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다.
The protective layer may be selected from Au, Cu, Hf, Ni, Mo, V, W, Rh, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti and two or more alloys thereof, and the thickness is 1 to 10,000 Å. It can be formed as.
상기 반사 전극층(131)은 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 상기 투광성 전극층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SnO, InO, INZnO, ZnO, IrOx, RuOx의 그룹 중에서 선택될 수 있다. 상기 투광성 전극층의 아래에는 반사층이 형성될 수 있으며, 상기 반사층은 제1굴절률을 갖는 제1층과 제2굴절률을 갖는 제2층이 교대로 2페어 이상 적층된 구조를 포함하며, 상기 제1 및 제2굴절률은 서로 다르고, 상기 제1층과 제2층은 1.5~2.4 사이의 물질 예컨대, 전도성 또는 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이러한 구조는 DBR(distributed bragg reflection) 구조로 정의될 수 있다. The
상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 반사 전극층(131) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
A light extraction structure such as roughness may be formed on a surface of at least one of the second
상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역(A1) 아래에는 제1전극(135)이 형성되며, 상기 반사 전극층(131)의 일부 아래에는 제2전극(137)이 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135) 아래에는 제1연결 전극(141)이 형성되며, 상기 제2전극(137) 아래에는 제2연결 전극(143)이 형성된다. 상기 영역(A1)은 에칭 과정에 의해 상기 제1도전형 반도체층(115)이 노출된 영역일 수 있다. 상기 제1전극(135) 및 상기 제1연결 전극(141)과, 상기 제2전극(137) 및 제2연결 전극(143) 각각은 복수로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1전극(135)는 상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역(A1)에 전기적으로 연결된다. 상기 제1전극(135)은 전극 패드를 포함할 수 있다. 상기 제1전극(135)은 일부 영역(A1) 이외의 영역 예컨대, 절연층(133)의 아래 영역에도 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1전극(135)은 상기 활성층(117) 및 제2도전형 반도체층(119)의 측면과 이격될 수 있으며, 상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역(A1) 보다 작은 면적으로 형성될 수 있다. The
상기 제2전극(137)은 상기 반사 전극층(131)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(119)과 물리적 또는/및 전기적으로 접촉될 수 있다. 상기 제2전극(137)은 전극 패드를 포함한다.
The
상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)은 접착층, 반사층, 확산 방지층, 및 본딩층 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 접착층은 상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역(A1) 아래에 오믹 접촉되며, Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~1,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 상기 접착층 아래에 형성되며, 그 물질은 Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다. 상기 확산 방지층은 상기 반사층 아래에 형성되며, 그 물질은 Ni, Mo, W, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å을 포함한다. 상기 본딩층은 상기 제1연결 전극(141)과 본딩되는 층이며, 그 물질은 Al, Ru, Rh, Pt 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다.The
상기 제1전극(135)과 상기 제2전극(137)은 동일한 적층 구조이거나 다른 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제2전극(137)의 적층 구조가 상기 제1전극(135)의 적층 구조보다 적을 수 있으며, 예컨대 상기 제1전극(135)은 접착층/반사층/확산 방지층/본딩층의 구조 또는 접착층/확산방지층/본딩층의 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제2전극(137)은 접착층/반사층/확산 방지층/본딩층의 구조 또는 접착층/확산방지층/본딩층의 구조로 형성될 수 있다. The
상기 제2전극(137)의 상면 면적은 상기 반사전극층(131)의 하면 면적과 동일한 면적이거나, 상기 제2연결 전극(143)의 상면 면적보다 적어도 큰 면적일 수 있다.The upper surface area of the
상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137) 중 적어도 하나는 전극 패드로부터 분기된 암(arm) 또는 핑거(finger) 구조와 같은 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 또한 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137)의 전극 패드는 하나 또는 복수로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. At least one of the
상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 전원을 공급하는 리드(lead) 기능과 방열 경로를 제공하게 된다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 기둥 형상일 수 있으며, 예컨대 구형, 원 기둥 또는 다각 기둥과 같은 형상이거나 랜덤한 형상을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 다각 기둥은 등각이거나 등각이 아닐 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 상면 또는 하면 형상은 원형, 다각형을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 하면은 상면과 다른 면적으로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 하면 면적은 상면 면적보다 더 크거나 작을 수 있다.The
상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143) 중 적어도 하나는 상기 발광 구조물(120)의 하면 너비보다는 작게 형성될 수 있고, 상기 각 전극(135,137)의 하면 너비 또는 직경 보다는 크게 형성될 수 있다. At least one of the
상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 직경 또는 너비는 1㎛~100,000㎛로 형성될 수 있으며, 그 높이는 1㎛~100,000㎛로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제1연결 전극(141)의 두께(H1)는 상기 제2연결 전극(143)의 두께(H2)보다 더 길게 형성될 수 있으며, 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 하면은 동일한 평면 (즉, 수평 면) 상에 배치될 수 있다.
The diameter or width of the
상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 어느 하나의 금속 또는 합금을 이용하여 단일 층으로 형성될 수 있으며, 상기의 단일 층의 너비 및 높이는 1㎛~100,000㎛로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 단일층 층의 두께는 상기 제2전극(143)의 두께보다 더 두꺼운 높이로 형성될 수 있다. The
상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, W 및 이들 금속의 선택적 합금 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)과의 접착력 향상을 위하여 In, Sn, Ni, Cu 및 이들의 선택적인 합금 중의 어느 한 금속으로 도금될 수 있다. 이때 도금두께는 1~100,000Å이 적용 가능하다.The
상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 표면에는 도금층이 더 형성될 수 있으며, 상기 도금층은 Tin 또는 이의 합금, Ni 또는 이의 합금, Tin-Ag-Cu 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 0.5㎛~10㎛로 형성될 수 있다. 이러한 도금층은 다른 본딩층과의 접합을 개선시켜 줄 수 있다.
A plating layer may be further formed on surfaces of the
상기 절연층(133)은 상기 반사 전극층(131) 아래에 형성될 수 있다. 상기 절연층(133)은 상기 제2도전형 반도체층(119)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 활성층(117)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역(A1)의 하면에 형성될 수 있다. 상기 절연층(133)은 상기 발광 구조물(120)의 하부 영역 중에서 상기 반사 전극층(131), 제1전극(135) 및 제2전극(137)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(120)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다.The insulating
상기 절연층(133)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(133)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(133)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(133)은 발광 구조물(120)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(120)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.The insulating
상기 절연층(133)은 상기 반사 전극층(131) 하면에 형성되지 않고, 상기 발광 구조물(120)의 표면에만 형성될 수 있다. 이는 상기 반사 전극층(131)의 하면에는 절연성의 지지 부재(151)가 형성됨으로써, 상기 절연층(133)을 상기 반사 전극층(131)의 하면까지 연장하지 않을 수 있다.The insulating
상기 절연층(133)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1층과 제2층이 교대로 배치된 DBR 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 어느 하나이며, 상기 제2층은 상기 제1층 이외의 물질 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 반사 전극층은 형성하지 않을 수 있다. The insulating
상기 절연층(133)은 100~10,000Å 두께로 형성되며, 다층 구조로 형성된 경우 각 층은 1~50,000Å의 두께이거나, 각 층당 100~10,000Å의 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 다층 구조의 절연층(133)에서 각 층의 두께는 발광 파장에 따라 반사 효율을 변화시켜 줄 수 있다.
The insulating
상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 재질은 Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, W 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1연결 전극(141)과 상기 제2연결 전극(143)은 상기 제1전극(135)와 상기 제2전극(137)과의 접착력을 위해 In, Sn, Ni, Cu 및 이들의 합금을 이용한 도금층을 포함할 수 있으며, 상기 도금층의 두께는 1~100,000Å로 형성될 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2 연결 전극(143)은 유테틱(eutectic) 본딩, 솔더 볼 또는 금속 범프로 본딩될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The material of the
상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 재질은 Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, W 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1연결 전극(141)과 상기 제2연결 전극(143)은 상기 제1전극(135)와 상기 제2전극(137)과의 접착력을 위해 In, Sn, Ni, Cu 및 이들의 합금을 이용한 도금층을 포함할 수 있으며, 상기 도금층의 두께는 1~100,000Å로 형성될 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2 연결 전극(143)은 솔더 볼 또는 금속 범프와 같은 단일 금속으로 사용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The material of the
상기 지지 부재(151)는 발광 소자(100)를 지지하는 지지층으로 사용된다. 상기 지지 부재(151)는 절연성 재질로 형성되며, 상기 절연성 재질은 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지층으로 형성된다. 다른 예로서, 상기 절연성 재질은 페이스트 또는 절연성 잉크를 포함할 수 있다. 상기 절연성 재질의 재질은 그 종류는 polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), 및 Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), 및 PAMAM 내부 구조 및 유기-실리콘 외면을 갖는 PAMAM-OS(organosilicon)를 단독 또는 이들의 조합을 포함한 수지로 구성될 수 있다. 상기 지지부재(151)는 상기 절연층(133)과 다른 물질로 형성될 수 있다.The
상기 지지 부재(151) 내에는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 여기서, 상기 지지 부재(151) 내에 첨가된 화합물은 열 확산제일 수 있으며, 상기 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 사용될 수 있으며, 이하 설명의 편의를 위해 열 확산제로 설명하기로 한다. 여기서, 상기 열 확산제는 절연성 재질 또는 전도성 재질일 수 있으며, 그 크기는 1Å~100,000Å으로 사용 가능하며, 열 확산 효율을 위해 1,000Å~50,000Å로 형성될 수 있다. 상기 열 확산제의 입자 형상은 구형 또는 불규칙한 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. At least one of compounds such as oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr may be added to the
상기 열 확산제는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 세라믹 재질은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic), 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic), 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 세라믹 재질은 질화물 또는 산화물과 같은 절연성 물질 중에서 열 전도도가 질화물이나 산화물보다 높은 금속 질화물로 형성될 수 있으며, 상기 금속 질화물은 예컨대, 열 전도도가 140 W/mK 이상의 물질을 포함할 수 있다. 상기 세라믹 재질은 예컨대, SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, BN, Si3N4, SiC(SiC-BeO), BeO, CeO, AlN와 같은 세라믹 (Ceramic) 계열일 수 있다. 상기 열 전도성 물질은 C (다이아몬드, CNT)의 성분을 포함할 수 있다. The heat spreader may include a ceramic material. The ceramic material may include a low temperature co-fired ceramic (LTCC), a high temperature co-fired ceramic (HTCC), an alumina, Quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fused silica, mullite, cordierite, zirconia, beryllia, ), And aluminum nitride. The ceramic material may be formed of a metal nitride having thermal conductivity higher than that of nitride or oxide among the insulating materials such as nitride or oxide, and the metal nitride may include a material having a thermal conductivity of, for example, 140 W / mK or more. The ceramic material may be, for example, SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , BN, Si 3 N 4 , SiC (SiC-
상기 지지 부재(151)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 지지 부재(151)는 내부에 세라믹 물질의 분말을 포함함으로써, 지지 부재(151)의 강도는 개선되고, 열 전도율 또한 개선될 수 있다.
The
상기 지지 부재(151) 내에 포함된 열 확산제는 1~99wt/% 정도의 함량 비율로 첨가될 수 있으며, 효율적인 열 확산을 위해 50~99wt% 범위의 함량 비율로 첨가될 수 있다. 이러한 지지 부재(151) 내에 열 확산제가 첨가됨으로써, 내부에서의 열 전도율은 더 개선될 수 있다. 또한 상기 지지 부재(151)의 열 팽창 계수는 4-11 [x106/℃]이며, 이러한 열 팽창 계수는 상기 기판(111) 예컨대, 사파이어 기판과 동일하거나 유사한 열 팽창 계수를 갖게 되므로, 상기 기판(111) 아래에 형성되는 발광 구조물(120)과의 열 팽창 차이에 의해 웨이퍼가 휘어지거나 결함이 발생되는 것을 억제하여 발광 소자의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The heat spreader included in the
여기서, 상기 지지 부재(151)의 하면 면적은 상기 기판(111)의 상면과 실질적으로 동일한 면적으로 형성될 수 있다. 상기 지지 부재(151)의 하면 면적은 상기 제1도전형 반도체층(115)의 상면 면적과 실질적으로 동일한 면적으로 형성될 수 있다. 또한 상기 지지 부재(151)의 하면 너비는 상기 기판(111)의 상면과 상기 제1도전형 반도체층(115)의 상면 너비와 동일한 너비로 형성될 수 있다. 이는 지지 부재(151)를 형성한 다음 개별 칩으로 분리함으로써, 상기 지지부재(151)과 상기 기판(111) 및 상기 제1도전형 반도체층(115)의 측면이 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 지지 부재(151)의 하면 면적은 상기 기판(111)의 상면(S5) 면적보다 더 넓거나 더 좁을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Here, an area of the lower surface of the
도 2를 참조하면, 상기 지지 부재(151)의 제1 및 제4측면(S3,S4)의 길이(D1)는 제1측면(S1)과 제2측면(S2) 사이의 간격일 수 있으며, 상기 지지부재(151)의 제1변(D1)에 대응되는 상기 기판(111)의 제1측면의 길이와 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다. 상기 지지부재(151)의 제1 및 제2측면(S1,S2)의 길이(D2)는 발광 소자의 제3측면(S3)과 제4측면(S4) 사이의 간격일 수 있으며, 상기 지지부재(151)의 제2변의 길이(D2)에 대응되는 상기 기판(111)의 제2측면(S2)의 길이와 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 지지 부재(151)의 각 측면(S1-S4)의 길이(D1,D2)는 상기 기판(111)의 각 변보다 길거나 작을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 제1연결 전극(141)과 제2연결 전극(143) 사이의 간격(D5)은 각 전극 패드 사이의 간격으로서, 발광 소자의 한 변의 길이의 1/2 이상 이격될 수 있다.Referring to FIG. 2, the length D1 of the first and fourth side surfaces S3 and S4 of the
상기 지지 부재(151)의 하면은 실질적으로 평탄한 면으로 형성되거나, 불규칙한 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The lower surface of the
상기 지지 부재(151)의 제1영역의 두께(T1)는 상기 제2연결 전극(143)의 두께(H2)보다 적어도 두껍게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 지지 부재(151)의 제1영역의 두께(T1)는 상기 제2연결 전극(143)의 두께(H2)보다 얇게 형성될 수 있으며, 이는 상기 절연층(133)의 두께를 상기 제2연결 전극(137)의 두께보다 더 두껍게 형성함으로써, 상기 지지 부재(151)의 두께가 얇아질 수 있다. 상기 지지 부재(151)의 제2영역의 두께(T2)는 상기 제1연결 전극(141)의 두께보다 더 두껍게 형성될 수 있다. 상기 지지 부재(151)의 두께(T1)은 1㎛~100,000㎛ 범위에서 형성될 수 있으며, 다른 예로서 50㎛~1,000㎛ 범위로 형성될 수 있다.The thickness T1 of the first region of the
상기 지지 부재(151)의 하면은 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137)의 하면보다 더 낮게 형성되고, 상기 제1연결 전극(141)의 하면, 상기 제2연결 전극(143)의 하면과 동일한 평면(즉, 수평 면) 상에 배치될 수 있다.The lower surface of the
상기 지지 부재(151)는 상기 제1전극(135), 제2전극(137), 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 둘레 면에 접촉된다. 이에 따라 상기 제1전극(135), 제2전극(137), 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)으로부터 전도된 열은 상기 지지 부재(151)를 통해 확산되고 방열될 수 있다. 이때 상기 지지 부재(151)는 내부의 열 확산제에 의해 열 전도율이 개선되고, 전 표면을 통해 방열을 수행하게 된다. 따라서, 상기 발광 소자(100)는 열에 의한 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The
또한 상기 지지 부재(151)의 한 측면 또는 한 측면 이상은 상기 발광 구조물(120) 및 상기 기판(111)의 측면과 동일한 평면 (즉, 수직 면) 상에 배치될 수 있다. 또한 상기 지지 부재(151)의 한 측면 또는 한 측면 이상은 상기 발광 구조물(120) 및 상기 기판(111)의 측면보다 더 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
In addition, one side or more than one side surface of the
상기 발광 구조물(120)의 측면(S1-S4)들 중 적어도 한 측면에는 절연부재(181) 및 반사부재(191) 중 적어도 하나가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 반사부재(191)와 상기 발광 구조물(120)의 측면(S1-S4) 사이에 절연부재(181)가 배치되거나, 상기 반사부재(191)이 절연성 접착층을 구비하거나 유전체층으로 적층된 경우, 상기의 절연 부재(181)는 제거될 수 있다. At least one of the insulating
상기 절연부재(181)는 절연성 재질로서, Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 불화물, 산화물, 황화물 중 적어도 하나를 포함하며, 예컨대 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 재질 중에서 선택될 수 있다. 상기 절연부재(181)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 다층으로 형성된 경우, 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 절연부재(181)는 절연 테이프 또는 절연 필름을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연부재(181)는 상기 반사부재(191)가 투광성 절연층을 구비한 경우, 형성하지 않을 수 있다. 또한 상기 절연부재(181)는 상기 절연층(133)과 동일한 물질로 동일 공정으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The insulating
상기 절연부재(181)는 상기 제2도전형 반도체층(119)의 측면부터 상기 제1반도체층(113)의 측면까지 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 절연부재(181)는 상기 제2도전형 반도체층(119)의 두께로 형성되거나, 상기 제2도전형 반도체층(119)/활성층(117)의 두께로 형성되거나, 발광 구조물(120)의 두께로 형성되거나, 또는 상기 제2도전형 반도체층(119)부터 기판(111)까지의 두께로 형성될 수 있다. 상기 절연부재(181)는 반도체층들(113,115,117,119)의 각 측면과 기판(111)의 측면들 중 적어도 하나의 측면에 형성될 수 있다. 상기 절연부재(181)는 상기 발광 구조물(120)의 측면에 연속적인 층으로 형성되거나, 불 연속적인 층으로 형성될 수 있다.The insulating
상기 절연부재(181)는 반도체층(113,115,117,119)의 측면과 상기 반사부재(191)의 사이에 접착될 수 있다. 상기 절연부재(181)는 반도체층(113,115,117,119)의 측면에 접착되며, 발광 구조물(120)의 층들(115,117,119)간 쇼트를 방지하고, 발광 구조물(120)을 보호하게 된다. 상기 절연부재(181)의 너비(T3)는 상기 제2도전형 반도체층(119)부터 상기 제2도전형 반도체층(119)의 두께보다 적어도 넓은 너비로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 절연 부재(181)의 너비(T3)는 상기 발광 구조물(120)의 두께 방향의 길이로 정의될 수 있다. 상기 절연부재(181)는 상기 기판(111)의 측면, 상기 절연층(133)의 측면, 상기 지지부재(151)의 측면 중 적어도 하나에 더 형성될 수 있다.The insulating
상기 반사부재(191)는 상기 절연부재(181) 상에 배치된다. 상기 반사부재(191)는 예컨대, 상기 절연부재(181)의 측면 상에 배치될 수 있다. 도 2와 같이, 반사부재(191)는 상기 발광 구조물(120)의 둘레에 배치된다. 상기 반사부재(191)는 상기 절연부재(181)의 측면에 연속적인 층으로 형성되거나, 불 연속적인 층으로 형성될 수 있다. 상기 반사부재(191)의 너비는 상기 절연부재(181)의 너비(T3)와 동일한 너비로 형성되거나, 더 넓은 너비로 형성될 수 있다. 이는 반사부재(191)가 상기 기판(111)의 측면, 상기 절연층(133)의 측면, 상기 지지부재(151)의 측면 중 적어도 하나에 더 형성될 수 있다. 도 3 및 도 4와 같이, 반사부재(191)는 상기 반도체층들의 측면(S1,S2)을 커버하는 너비(T3)로 형성될 수 있다.
The
상기 반사부재(191)는 반사층을 포함하며, 상기 발광 구조물(120)의 측면으로 방출되는 광을 반사시켜 주게 된다. 상기 반사부재(191)는 금속층, ODR(Omni directional reflector), 및 DBR(distributed bragg reflector) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
도 5는 도 1의 반사부재의 일 예를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating an example of the reflective member of FIG. 1.
도 5를 참조하면, 상기 반사부재(191)는 제1층(L1) 내지 제5층(L5)을 포함하며, 상기 제1층(L1)은 상기 절연부재의 측면에 접촉된 접촉층이며, 그 두께는 0.1Å~100Å으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1층(L1)은 금속 물질 예컨대, Ti, Ba, Sm, Ca, Li, Y, Lu, Th, La, Sc, Mg, As, Hf, Zr, Cd, In, Al, Zn, V, Ta, Nb, Cr 중 적어도 하나를 포함한다.Referring to FIG. 5, the
상기 제1층(L1)은 2층 이상으로 형성될 수 있으며, 각 층의 두께는 1~50,000Å로 형성될 수 있으며, 예컨대 각 층당 100~10,000Å 정도로 형성될 수 있다. 상기 제1층(L1)의 두께는 100~10,000Å로 형성될 수 있다.The first layer (L1) may be formed of two or more layers, the thickness of each layer may be formed of 1 ~ 50,000 Å, for example, may be formed of about 100 ~ 10,000 당 for each layer. The thickness of the first layer (L1) may be formed to 100 ~ 10,000Å.
다른 예로서, 상기 제1층(L1)은 상기 반도체층(113-119)의 적어도 한 측면 예컨대 반도체층(113-119)의 측면과 접촉을 하는 접촉층이며, 유전체층으로 형성될 수 있다. 상기 제1층(L1)의 두께는 0.1Å~5,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 제1층(L1)은 Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함한다. 또한 상기의 금속 물질을 이용하여 혼합물 내지는 화합물 형태로 형성될 수 있다. As another example, the first layer L1 may be a contact layer in contact with at least one side surface of the semiconductor layers 113-119, for example, the side surfaces of the semiconductor layers 113-119, and may be formed of a dielectric layer. The thickness of the first layer (L1) may be formed in 0.1Å ~ 5,000Å. The first layer L1 includes at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, Mg, In, and Sn. In addition, it may be formed in the form of a mixture or a compound using the metal material.
상기 제2층(L2)은 제1층(L1) 위에 형성된 반사층이며, 70% 이상의 반사율을 갖는 금속 물질을 포함한다. 상기 제2층(L1)의 두께는 1Å~50,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 제2층(L2)은 Al, Ag, Rh, Ru, Pd, Cr 중 적어도 하나 또는 상기 물질 중 적어도 하나를 갖는 합금 중에서 선택될 수 있다.The second layer L2 is a reflective layer formed on the first layer L1 and includes a metal material having a reflectance of 70% or more. The thickness of the second layer (L1) may be formed of 1Å ~ 50,000Å. The second layer L2 may be selected from at least one of Al, Ag, Rh, Ru, Pd, Cr, or an alloy having at least one of the above materials.
상기 제3층(L3)은 베리어 금속(barrier metal)층이며, 상기 제2층(L2)과 제4층(L4)이 서로 섞이는 것을 방지할 수 있다. 상기 제3층(L3)의 두께는 1Å~50,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 제3층(L)은 Ni, La, Ta, Mo, Pt, Ir, W, Ti, V, Zr, Hr 중 적어도 하나를 포함하거나, 상기의 금속을 갖는 혼합물 또는 화합물 중에서 선택될 수 있다. The third layer L3 is a barrier metal layer and may prevent the second layer L2 and the fourth layer L4 from mixing with each other. The thickness of the third layer (L3) may be formed of 1Å ~ 50,000Å. The third layer L may include at least one of Ni, La, Ta, Mo, Pt, Ir, W, Ti, V, Zr, and Hr, or may be selected from a mixture or a compound having the metal.
상기 제4층(L4)은 본딩 금속(bonding metal)층이며, 그 두께는 1Å~100,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 제4층(L4)은 Au, Pd, Al, Ag, Pt, In, Sn 중 적어도 하나를 포함하거나, 상기 금속을 갖는 혼합물 또는 화합물 중에서 선택될 수 있다. The fourth layer L4 may be a bonding metal layer, and the thickness of the fourth layer L4 may be 1 μm to 100,000 μm. The fourth layer L4 may include at least one of Au, Pd, Al, Ag, Pt, In, and Sn, or may be selected from a mixture or a compound having the metal.
상기 제5층(L)은 절연층이며, 그 두께는 1Å~50,000Å으로 정한다. 상기 제5층(L)은 Al, Si, Zn, Mg 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제5층(L5)은 상기 반사부재(191)를 보호하게 된다.
The fifth layer L is an insulating layer, and its thickness is determined to be 1 kPa to 50,000 kPa. The fifth layer L includes at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, and Mg. The fifth layer L5 protects the
도 5는 실시 예에 따른 반사부재의 다른 예이다.5 is another example of a reflective member according to an embodiment.
도 5를 참조하면, 반사부재(191)는 제1층(L11)내지 제6층(L16)을 포함하며, 상기 제1층(L11)과 제3층(L13) 사이에 반사층(L12)을 포함한다. 상기의 반사부재는 ODR 구조로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the
상기 제1층(L11)은 상기 반도체층들 중 적어도 한 층의 적어도 한 측면과 접촉을 하는 접촉층이며, 유전체층으로 형성될 수 있다. 상기 제1층(L11)의 두께는 0.1Å~5,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 제1층(L11)은 Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함한다. 또한 상기의 금속 물질을 이용하여 혼합물 내지는 화합물 형태로 형성될 수 있다. The first layer L11 is a contact layer in contact with at least one side of at least one of the semiconductor layers, and may be formed of a dielectric layer. The first layer L11 may have a thickness of about 0.1 mm to about 5,000 mm. The first layer L11 includes at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, Mg, In, and Sn. In addition, it may be formed in the form of a mixture or a compound using the metal material.
상기 반사부재(191)의 제1층(L11)이 유전체층으로 형성된 경우, 도 1의 절연부재는 형성하지 않고, 상기 제1층(L11)을 상기 반도체층 중 적어도 한 층의 측면에 접촉시켜 줄 수 있다.When the first layer L11 of the
상기 제1층(L11)과 제3층(L13) 사이에 제2층(L12)이 배치되며, 상기 제2층(L12)은 반사층으로서 다층(multi-layer)으로 적층될 수 있으며, 예컨대 상기 제2층(L12)은 저 굴절층(R1)과 상기 고 굴절층(R2)을 포함하며, 상기 저 굴절층(R1)과 고 굴절층(R2)을 교대로 배치한다. 상기 저 굴절층(R1)과 고 굴절층(R2)의 페어는 1페어 이상 예컨대, 1-30페어로 형성될 수 있다. 상기 저 굴절층(R1)과 고 굴절층(R2)의 굴절률 차이는 0.01 이상의 차이를 포함할 수 있다. 상기 저 굴절층(R1)과 고 굴절층(R2)은 서로 다른 유전체 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. A second layer L12 may be disposed between the first layer L11 and the third layer L13, and the second layer L12 may be stacked in a multi-layer as a reflective layer. The second layer L12 includes the low refractive layer R1 and the high refractive layer R2, and the low refractive layer R1 and the high refractive layer R2 are alternately disposed. The pair of the low refractive layer R1 and the high refractive layer R2 may be formed in one pair or more, for example, 1-30 pairs. The refractive index difference between the low refractive layer R1 and the high refractive layer R2 may include a difference of 0.01 or more. The low refractive layer R1 and the high refractive layer R2 may be selectively formed from different dielectrics, for example, SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 .
상기 저 굴절층(R1)의 두께는 0.1Å~5,000Å으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함한다. 또한 상기의 금속 물질을 이용하여 혼합물 내지는 화합물 형태로 형성될 수 있다. The low refractive index layer (R1) may be formed in a thickness of 0.1 ~ 5,000Å, the material is at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, Mg, In, Sn It includes one. In addition, it may be formed in the form of a mixture or a compound using the metal material.
상기 고 굴절층(R2)의 두께는 0.1Å~5,000Å으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함한다. 또한 상기의 금속 물질을 이용하여 혼합물 내지는 화합물 형태로 형성될 수 있다.The high refractive index layer (R2) may be formed in a thickness of 0.1 ~ 5,000Å, the material is at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, Mg, In, Sn It includes one. In addition, it may be formed in the form of a mixture or a compound using the metal material.
상기 저 굴절층(R1)과 고 굴절층(R2)의 물질은 서로 다를 수 있으며, 그 두께는 서로 동일하거나 다를 수 있다. The materials of the low refractive layer R1 and the high refractive layer R2 may be different from each other, and their thicknesses may be the same or different.
상기 제2층(L12)은 저 굴절층(R1)과 고 굴절층(R2)을 교대로 배치함으로서, 상기 발광 구조물로부터 방출된 파장에 대한 반사율을 개선시켜 줄 수 있다. The second layer L12 may alternately arrange the low refractive layer R1 and the high refractive layer R2 to improve reflectance of the wavelength emitted from the light emitting structure.
여기서, 상기 제1층(L11)에는 고 굴절층(R2)보다는 저 굴절층(R1)이 더 인접하게 배치될 수 있으며, 상기 고 굴절층(R2)과 저 굴절층(R1) 중 저 굴절층(R1)이 더 많을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 저 굴절층(R1)과 고 굴절층(R2) 사이에 다른 층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Here, the low refractive layer R1 may be disposed closer to the first layer L11 than the high refractive layer R2, and the low refractive layer among the high refractive layer R2 and the low refractive layer R1 is disposed. (R1) may be more, but not limited to this. In addition, another layer may be further disposed between the low refractive layer R1 and the high refractive layer R2, but is not limited thereto.
상기 제3층(L13)은 제2층(L12) 위에 금속의 반사층으로 형성되거나, 접착 물질층으로 형성될 수 있다. 상기 제3층(L13)의 두께는 1Å~50,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 제3층(L13)은 Al, Ag, Rh, Ru, Pd, Cr, Ni, La, Ta, Mo, Pt, Ir, W, Ti, V, Zr, Hr 중 적어도 하나 또는 상기 물질 중 적어도 하나를 갖는 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 제3층(L13)은 본딩층, 또는 베리어층으로 형성되거나, 형성하지 않을 수 있다.The third layer L13 may be formed as a reflective layer of metal on the second layer L12 or an adhesive material layer. The third layer L13 may have a thickness of about 1 μm to about 50,000 μm. The third layer L13 is at least one of Al, Ag, Rh, Ru, Pd, Cr, Ni, La, Ta, Mo, Pt, Ir, W, Ti, V, Zr, Hr or at least one of the above materials. It may be selected from the alloy having a. The third layer L13 may or may not be formed of a bonding layer or a barrier layer.
상기 제4층(L14)은 베리어 금속(barrier metal)층이며, 상기 제3층(L13)과 제5층(L15)이 서로 섞이는 것을 방지할 수 있다. 상기 제4층(L14)의 두께는 1Å~50,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 제4층(L14)은 Ni, La, Ta, Mo, Pt, Ir, W, Ti, V, Zr, Hr 중 적어도 하나를 포함하거나, 상기의 금속을 갖는 혼합물 또는 화합물 중에서 선택될 수 있다. The fourth layer L14 is a barrier metal layer and may prevent the third layer L13 and the fifth layer L15 from being mixed with each other. The fourth layer L14 may have a thickness of about 1 μm to about 50,000 μm. The fourth layer L14 may include at least one of Ni, La, Ta, Mo, Pt, Ir, W, Ti, V, Zr, and Hr, or may be selected from a mixture or a compound having the metal.
상기 제5층(L15)은 상기 제4층(L14)위에 형성되며, 본딩 금속(bonding metal)층이며, 그 두께는 1Å~100,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 제5층(L15)은 Au, Pd, Al, Ag, Pt, In, Sn 중 적어도 하나를 포함하거나, 상기 금속을 갖는 혼합물 또는 화합물 중에서 선택될 수 있다. The fifth layer L15 is formed on the fourth layer L14 and is a bonding metal layer, and the thickness of the fifth layer L15 may be 1 μm to 100,000 μm. The fifth layer L15 may include at least one of Au, Pd, Al, Ag, Pt, In, and Sn, or may be selected from a mixture or a compound having the metal.
상기 제6층(L16)은 상기 제5층(L15)위에 절연층으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1Å~50,000Å으로 정한다. 상기 제6층(L16)은 Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3내지 제5층(L23-L25)은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The sixth layer (L16) may be formed as an insulating layer on the fifth layer (L15), the thickness is set to 1Å ~ 50,000Å. The sixth layer L16 includes at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, Mg, In, and Sn. The third to fifth layers L23 to L25 may not be formed, but is not limited thereto.
도 6은 실시 예에 따른 반사부재의 또 다른 예이다.6 is another example of a reflective member according to an embodiment.
도 6을 참조하면, 반사부재는 제1층(L21)과 반사층(L22)을 포함하며, DBR 구조를 포함한다. 상기 제1층(L21)은 접촉층이며, 반도체층과 접촉되는 층이다. Referring to FIG. 6, the reflective member includes a first layer L21 and a reflective layer L22, and includes a DBR structure. The first layer L21 is a contact layer and is in contact with the semiconductor layer.
상기 제1층(L21)의 두께는 0.1Å~5,000Å으로 형성되며, 그 물질은 Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함하며, 상기의 금속 물질을 이용하여 혼합물 또는 화합물로 형성될 수 있다. The first layer L21 may have a thickness of 0.1 μm to 5,000 μm, and the material may include at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, Mg, In, and Sn. It may include, and may be formed as a mixture or a compound using the metal material.
상기 제1층(L21) 위에 반사층(L22)이 형성되며, 상기 반사층(L22)은 서로 다른 굴절률을 갖는 다층 구조의 적층을 포함한다. 상기 반사층(L22)은 저 굴절층(R3)과 고 굴절층(R4)을 포함하며, 상기 저 굴절층(R3)과 고 굴절층(R4)은 교대로 배치된다. 상기 저 굴절층(R3)과 고 굴절층(R4)의 페어는 1페어 이상 예컨대, 1-30페어로 형성될 수 있다. 상기 저 굴절층(R3)과 고 굴절층(R4)의 굴절률 차이는 0.01 이상의 차이를 포함할 수 있다. 상기 저 굴절층(R3)과 고 굴절층(R4) 사이에 다른 층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 저 굴절층(R3)과 고 굴절층(R4)은 유전체 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. A reflective layer L22 is formed on the first layer L21, and the reflective layer L22 includes a multilayer structure having different refractive indices. The reflective layer L22 includes a low refractive layer R3 and a high refractive layer R4, and the low refractive layer R3 and the high refractive layer R4 are alternately disposed. The pair of the low refractive layer R3 and the high refractive layer R4 may be formed in one pair or more, for example, 1-30 pairs. The difference in refractive index between the low refractive layer R3 and the high refractive layer R4 may include a difference of 0.01 or more. Another layer may be further disposed between the low refractive layer R3 and the high refractive layer R4, but is not limited thereto. The low refractive layer R3 and the high refractive layer R4 may be selectively formed from a dielectric such as SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 .
상기 저 굴절층(R3)의 두께는 0.1Å~5,000Å으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함한다. 또한 상기의 금속 물질을 이용하여 혼합물 내지는 화합물 형태로 형성될 수 있다. The low refractive index layer (R3) may be formed in a thickness of 0.1 ~ 5,000Å, the material is at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, Mg, In, Sn It includes one. In addition, it may be formed in the form of a mixture or a compound using the metal material.
상기 고 굴절층(R4)의 두께는 0.1Å~5,000Å으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 Al, Si, Zn, Mg, In, Sn 중 적어도 하나를 갖는 질화물, 산화물, 불화물, 또는 황화물 중 적어도 하나를 포함한다. 또한 상기의 금속 물질을 이용하여 혼합물 내지는 화합물 형태로 형성될 수 있다.The high refractive index layer (R4) may be formed in a thickness of 0.1 ~ 5,000Å, the material is at least one of nitride, oxide, fluoride, or sulfide having at least one of Al, Si, Zn, Mg, In, Sn It includes one. In addition, it may be formed in the form of a mixture or a compound using the metal material.
상기 저 굴절층(R3)과 고 굴절층(R4)의 물질은 서로 다를 수 있으며, 그 두께는 서로 동일하거나 다를 수 있다. The materials of the low refractive layer R3 and the high refractive layer R4 may be different from each other, and their thicknesses may be the same or different.
상기 반사층(L22)은 저 굴절층(R3)과 고 굴절층(R4)을 교대로 배치함으로서, 상기 발광 구조물로부터 방출된 파장에 대한 반사율을 개선시켜 줄 수 있다. The reflective layer L22 may improve the reflectance of the wavelength emitted from the light emitting structure by alternately disposing the low refractive layer R3 and the high refractive layer R4.
여기서, 상기 제1층(L11)에는 고 굴절층(R4)보다는 저 굴절층(R3)이 더 인접하게 배치될 수 있으며, 상기 고 굴절층(R4)과 저 굴절층(R3) 중 저 굴절층(R3)이 더 많을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the low refractive layer R3 may be disposed closer to the first layer L11 than the high refractive layer R4, and the low refractive layer among the high refractive layer R4 and the low refractive layer R3 may be disposed. (R3) may be more, but not limited to this.
상기의 발광 소자는 플립 방식으로 탑재되며, 상기 발광 구조물(120)의 측면으로 진행하는 광을 반사시켜 주어, 기판(111)의 상면과 측면을 통해 대부분의 광이 방출되도록 할 수 있다. 이에 따라 발광 소자 내에서의 광의 전반사 손실을 줄일 수 있다.
The light emitting device is mounted in a flip method, and reflects the light traveling toward the side of the
도 8은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 상기 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다.8 is a side sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment. In the description of the second embodiment, the same parts as the first embodiment will be referred to the first embodiment.
도 8을 참조하면, 발광 소자는 기판(111), 제1반도체층(113), 제1도전형 반도체층(115), 활성층(117), 제2도전형 반도체층(119), 반사 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 지지부재(151), 형광체층(161) 및 반사부재(192)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device includes a
상기 반사부재(192)는 상기 발광 구조물(120)의 측면 중에서 상기 제2도전형 반도체층(119)의 측면에 형성될 수 있다. 상기 반사부재(192)는 상기 제2도전형 반도체층(119)의 적어도 한 측면 또는 2측면 이상에 형성될 수 있다. The
상기 반사부재(192)는 상기 제2도전형 반도체층(119)의 측면에 접촉될 수 있으며, 상기 반도체층(113,115,117,119)들을 거쳐 입사되거나, 상기 반사 전극층(131)에 의해 반사된 광들을 반사시켜 주어, 활성층(117)의 아래 영역에서 측 방향으로 방출되는 광을 반사시켜 줄 수 있다.The
또한 상기 반사부재(192)는 상기 제2도전형 반도체층(119)부터 상기 활성층(117)의 측면 일부까지 형성될 수 있으며, 이 경우 절연 부재로 활성층(117)의 측면과 접촉되도록 배치할 수 있다. 또한 상기 반사부재(192)는 상기 절연층(133)의 측면에 접촉되거나, 일체로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the
상기 형광체층(161)은 상기 기판(111)의 상면에 배치된 상면부(61)와, 상기 기판(111)과 상기 반도체층(113,115,117,119)의 측면에 배치된 측면부(62)를 포함한다. 상기 형광체층(161)의 측면부(62)는 상기 기판(111) 및 상기 발광 구조물(120)의 적어도 한 측면에 형성되며, 상기 기판(111)의 측면부터 상기 활성층(117)의 측면까지 형성될 수 있으며, 또한 상기 반사부재(192)에 접촉될 수 있다. The
상기 형광체층(161)은 형광 필름이거나 도포된 층일 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 형광체층(161)은 투광성 수지층 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지층은 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 활성층(115)로부터 방출된 광의 일부를 여기시켜 다른 파장으로 발광하게 된다.The
상기 형광체층(161)의 두께는 1~100,000㎛로 형성될 수 있으며, 다른 예로서 1~10,000㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 형광체층(161)의 두께는 발광 구조물(120)의 두께 방향의 길이일 수 있다. The
상기 형광체층(161)은 서로 다른 형광체층을 포함할 수 있으며, 상기 서로 다른 형광체층은 제1층은 적색, 황색, 녹색 형광체층 어느 한 형광체층이고, 제2층은 상기 제1층 위에 형성되며 상기 제1층과 다른 형광체층으로 형성될 수 있다. 상기 형광체층(161)은 중첩되지 않는 제1영역과 제2영역에 서로 다른 형광체층을 배치할 수 있다. 상기 형광체층(161)과 상기 발광 구조물(120)의 측면에는 보호를 위한 투광성 수지 재질의 보호층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 형광체층(161)은 상기 기판(111)과 상기 발광 구조물(120) 사이에 투광성 층 예컨대, 투광성 접착층을 배치하여, 형광체층의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다. The
상기 기판(111)의 광 출사면인 상면은 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 상기 요철 패턴은 요 패턴과 철 패턴이 교대로 배치되며, 상기 철 패턴은 상기 기판 상면에 대해 양각 형상으로 형성될 수 있으며, 예컨대 반구형, 기둥형, 뿔 형상을 포함한다. 상기 기판 상면에는 상기의 요철 패턴보다 작은 사이즈의 미세 요철 패턴을 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체층은 상기의 요철 패턴에 의해 요철 층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The upper surface of the light emitting surface of the
도 9는 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 상기 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다.9 is a side sectional view showing a light emitting device according to the third embodiment. In the description of the third embodiment, the same parts as the first embodiment will be referred to the first embodiment.
도 9를 참조하면, 발광 소자(100)는 기판(111), 제1반도체층(113), 제1도전형 반도체층(115), 활성층(117), 제2도전형 반도체층(119), 반사 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 지지부재(151), 형광체층(161) 및 반사부재(193)를 포함한다.Referring to FIG. 9, the
상기 형광체층(161)은 반도체층(113,115,117,119)들의 측면과 기판(111)의 상면과 같은 광 출사 면에 형성될 수 있다. 상기 형광체층(161)의 측면부(62)는 상기 절연층(133)의 측면까지 형성되어, 상기 절연층(133)에 접촉될 수 있다.The
상기 형광체층(161)의 측면부(62)에는 반사부재(193)가 형성되며, 상기 반사부재(193)는 도 4 내지 도 6의 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A
상기 반사부재(193)는 상기 형광체층(161)의 측면부(62) 상에 형성되어, 상기 형광체층(161)의 측면부(62)로부터 입사되는 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 반사부재(193)는 상기 발광 구조물(120)에서 방출된 광과 상기 형광체층(161)에 의해 파장 변환된 광을 반사시켜 줄 수 있다.
The
도 10은 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 상기 제4실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다.10 is a side sectional view showing a light emitting device according to the fourth embodiment. In describing the fourth embodiment, the same parts as those in the first embodiment will be referred to the first embodiment.
도 10을 참조하면, 발광 소자는 기판(111), 제1반도체층(113), 제1도전형 반도체층(115), 활성층(117), 제2도전형 반도체층(119), 반사 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 지지부재(151), 절연부재(184) 및 반사부재(194)를 포함한다.Referring to FIG. 10, a light emitting device includes a
상기 기판(111)의 상면(S5)에는 제1요철 패턴을 갖는 제1패턴부(11) 및 상기 제1요철 패턴의 크기보다 작은 크기를 갖는 제2요철 패턴을 갖는 제2패턴부(12)를 포함한다. 상기 제1패턴부(11)와 상기 제2패턴부(12)는 상기 기판(111)의 상면(S5)에 형성됨으로써, 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The
또한 복수의 반도체층(113,115,117,119)의 측면에 절연부재(184)가 배치되고, 상기 절연부재(184) 상에 반사부재(194)가 배치된다. 상기 반사부재(194)는 상기 반도체층(113,115,117,119)의 측면을 통해 입사되는 광을 반사시켜 주게 된다. 이에 따라 기판(111)의 상면(S5)에서의 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
In addition, an insulating
도 11는 제5실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 상기 제5실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다.11 is a side sectional view showing a light emitting device according to the fifth embodiment. In the description of the fifth embodiment, the same parts as the first embodiment will be referred to the first embodiment.
도 12를 참조하면, 발광 소자는 기판(111), 제1반도체층(113), 제1도전형 반도체층(115), 활성층(117), 제2도전형 반도체층(119), 반사 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 지지부재(152,152A), 형광체층(162) 및 반사부재(195)를 포함한다.Referring to FIG. 12, the light emitting device includes a
상기 기판(111)의 상면에는 제1요철 패턴을 갖는 제1패턴부(11)와, 상기 제1패턴부(11)의 제1요철 패턴보다 작은 사이즈의 제2요철 패턴을 갖는 제2패턴부(12)를 포함한다. 상기 제1패턴부(11)와 제2패턴부(12)는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 전반사에 의한 광 손실을 줄여줄 수 있다.The
상기 기판(111)의 상면(S5), 상기 기판(111) 및 상기 반도체층(113,115,117,119)의 측면에는 형광체층(162)이 형성되며, 상기 형광체층(162)은 상기 기판(111)의 상면(S5)에서 제1패턴부(11)에 의해 요철 층을 갖는 상면부(63)와, 상기 기판(111) 및 상기 반도체층(113,115,117,119)의 측면에 배치된 측면부(64)를 포함한다. The
반사부재(195)는 상기 형광체층(162)의 측면부(64) 상에 부착된다. 상기 반사부재(195)의 구체적인 설명에 대해서는 상기의 실시 예를 참조하기로 한다.The
상기 반사부재(195)는 상기 형광체층(162)의 측면부(64)부터 상기 지지 부재(152,152A)의 측면까지 형성될 수 있다. 상기 반사부재(195)가 상기 지지 부재(152,152A)의 측면에 접촉됨으로써, 내습성이 강한 발광 소자를 제공할 수 있다.The
상기 지지 부재(152,152A)는 서로 다른 영역에 복수로 배치될 수 있으며, 상기 복수의 지지 부재(152,152A) 사이에는 분리 홈(152B)이 형성된다. 상기 분리 홈(152B)은 상기 지지 부재(152,152A)를 양측으로 분할시켜 준다. 제1지지 부재(152)는 상기 발광 구조물(120)의 제1영역 아래에 배치되며, 상기 제1연결 전극(141)의 둘레에 형성된다. 제2지지 부재(152A)는 상기 발광 구조물(120)의 제2영역 아래에 배치되며, 상기 제2연결 전극(143)의 둘레에 형성된다. The
상기 분리 홈(152B)은 상기 제1지지 부재(152)와, 상기 제2지지 부재(152A) 사이를 물리적 및 전기적으로 분리시켜 주며, 하부의 절연층(133)이 노출된다. The
상기 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A)는 절연성 물질 또는 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 절연성 재질은 상술한 열 확산제를 갖는 수지 재질이며, 상기 전도성 재질은 카본(Carbon), 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 전도성 물질이거나 금속으로도 형성될 수 있다. 상기 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A)가 전도성 재질인 경우, 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 재질과는 다른 재질로 형성될 수 있다. The
여기서, 상기 전도성 물질의 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A)는 은 분리 홈(152B)에 의해 분리됨으로써, 전기적인 쇼트 문제를 해결할 수 있다. Here, the
상기 분리 홈(152B)은 상기 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A) 사이의 간격(D6)을 갖고, 그 깊이는 상기 제2지지 부재(152A)의 두께(T1)로 형성될 수 있다. 상기 분리 홈(152B)은 상기 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A) 간의 전기적인 간섭을 방지하게 된다.The
상기 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A)의 하면은 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A)가 전도성 재질인 경우, 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)을 통해 탑재될 수 있다. Lower surfaces of the first and
상기 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A) 사이에는 세라믹 계열의 절연 물질이 더 배치될 수 있으며, 상기 세라믹 계열의 절연 물질은 상기 제1지지 부재(152)와 상기 제2지지 부재(152A)의 하면과 동일한 수평 면 상에 배치될 수 있다.
A ceramic-based insulating material may be further disposed between the
도 12는 제6실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 상기 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다.12 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a sixth embodiment. In the description of the third embodiment, the same parts as the first embodiment will be referred to the first embodiment.
도 12를 참조하면, 발광 소자는 제1도전형 반도체층(115), 활성층(117), 제2도전형 반도체층(119), 반사 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 지지부재(151), 형광체층(163), 절연부재(186) 및 반사부재(196)를 포함한다.Referring to FIG. 12, the light emitting device may include a first
발광 소자는 기판이 제거되며, 발광 구조물(120)의 상면이 노출된 구조이다. 상기 발광 구조물(120)의 상면은 요철 패턴(115A)으로 형성되며, 상기 요철 패턴(115A)의 철 패턴은 뿔 형상, 반구 형상, 기둥 형상 중 적어도 하나를 포함한다. 상기의 기판 제거 방법은 물리적 또는 화학적 방법을 이용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 요철 패턴(115A)는 제1도전형 반도체층(115)의 상면에 형성되며, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The light emitting device has a structure in which a substrate is removed and an upper surface of the
상기 발광 구조물(120)의 적어도 한 측면에는 절연부재(186)가 부착되고, 상기 절연부재(186) 상에는 반사부재(196)가 부착된다. 상기 절연부재(186) 및 상기 반사부재(196)에 대해서는 상기의 실시 예에 개시된 내용을 참조하기로 한다.An insulating
상기 반사부재(196)는 상기 발광 구조물(120)의 두께보다 넓은 너비로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The
도 13은 제6실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제6실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.13 is a side sectional view showing a light emitting device according to the sixth embodiment. In describing the sixth embodiment, the same parts as those of the first embodiment will be described with reference to the first embodiment.
도 13을 참조하면, 발광 소자는 투광성의 기판(111), 발광 구조물(120), 반사 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 지지부재(151), 절연부재(181) 및 반사부재(191)를 포함한다.Referring to FIG. 13, the light emitting device includes a
상기 발광 구조물(120)의 아래에 배치된 절연층(133)과 상기 발광 구조물(120)의 적어도 한 층의 측면에 배치된 상기 절연부재(181)는 동일한 재질로 형성될 수 있다. 또한 상기 절연층(131)과 상기 절연부재(181)는 서로 연결될 수 있으며, 하나의 공정에 의해 형성될 수 있다.The insulating
상기 반사부재(191)는 상기 절연층(133) 및 상기 절연부재(181) 상에 배치된다. 상기 반사 부재(191)는 금속층, ODR(Omni directional reflector), 및 DBR(distributed bragg reflector) 중 적어도 하나를 포함하거나, 도 5 내지 도 8의 구조 중에서 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 반사부재(191)의 일부(191A)는 상기 발광 구조물(120)의 아래에 배치되는 상기 절연층(133)의 일부에 형성되는 데, 이때 상기 반사 전극층(131)과 오버랩되지 않는 영역에 형성될 수 있다. 상기 반사부재(191)의 일부(191A)는 상기 발광 구조물(120)과 상기 제1전극(135) 및 제1연결 전극(141)과 대응되는 영역에 형성될 수 있다. 즉 상기 반사부재(191)의 일부(191A)는 상기 절연층(133)과 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제1전극(135)의 사이의 영역에서 상기 절연층(133)에 접착된다. 상기 반사부재(191)의 일부(191A) 상에는 다른 절연층(133)이 더 배치되어, 상기 제1연결 전극(141)과 상기 제1전극(135)와의 전기적인 접촉을 차단시켜 줄 수 있다.A
상기 반사부재(191)의 일부(191A)는 상기 제1도전형 반도체층(115)의 아래에 배치되며, 상기 절연층(133)과 지지부재(151) 사이의 영역에 형성될 수 있다.A
또한 상기 반사부재(191)의 일부(191A)는 상기 제1연결 전극(141)과 상기 제1전극(135) 중 적어도 하나와 접촉될 수 있으며, 이는 반사부재(191)가 제2전극(137)과 전기적으로 연결되지 않을 경우 가능하게 된다. In addition, the
상기 반사 부재(191)의 일부(191A)가 제1전극(135) 및 제1연결 전극(141)과 발광 구조물(120)의 사이의 영역으로 누설되는 빛을 차단함으로써, 광 손실을 차단하고 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. A
상기의 발광 소자에는 기판(111) 및 제1반도체층(113)이 제거될 수 있으며, 광 출사 영역의 일부인 상면에 기판(111)의 요철 패턴이나, 반도체층의 요철 패턴이 형성될 수 있다. 또한 상기 발광 소자의 광 출사 영역에 형광체층이 배치될 수 있으며, 상기에 개시된 실시 예를 선택적으로 적용할 수 있다.
The
도 14는 실시 예에 따른 제1전극 및 제2전극을 상세하게 나타낸 도면이다.14 is a view illustrating in detail a first electrode and a second electrode according to an embodiment.
도 14를 참조하면, 제1전극(135) 및 제2전극(137) 중 적어도 하나는 전극 패드(30A), 상기 전극 패드(30A) 아래에 제1접합 전극(30B) 및 상기 제1접합 전극(30B) 아래에 제2접합 전극(30C)을 포함한다. 상기 제1전극(135)의 전극 패드(30A)는 상기 제1도전형 반도체층(115)와 물리적으로 접촉될 수 있으며, 상기 제2전극(137)의 전극 패드(30A)는 상기 반사 전극층(131)과 물리적으로 접촉될 수 있다. 상기 제1접합 전극(30B)은 상기 전극 패드(30A)와 제2접합 전극(30C) 사이를 접합시켜 주며, 상기 제2접합 전극(30C)은 상기 제1접합 전극(30A)과 연결 전극(141,143) 사이를 접합시켜 준다. 상기 전극 패드(30A), 상기 제1접합 전극(30B) 및 상기 제2접합 전극(30C)은 서로 동일한 너비로 형성되거나, 적어도 하나가 다른 너비로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Referring to FIG. 14, at least one of the
상기 전극패드(30A)는 접착층(31), 상기 접착층(31) 아래에 반사층(32), 상기 반사층(32) 아래에 확산 방지층(33), 상기 확산 방지층(33) 아래에 본딩층(34)을 포함한다. 상기 접착층(31)은 상기 반사 전극층(130)이나 제1도전형 반도체층(115)의 아래에 접촉되며, Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~1,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 반사층(32)은 상기 접착층(31) 아래에 형성되며, 그 물질은 Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다. 상기 확산 방지층(33)은 상기 반사층(32) 아래에 형성되며, 그 물질은 Ni, Mo, W, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å을 포함한다. 상기 본딩층(34)은 Al, Au, Cu, Hf, Pd, Ru, Rh, Pt 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다. 상기 제2전극패드(130)는 상기 반사층(32)을 포함하지 않을 수 있다.The
상기 반사 전극층(130) 및 제2전극패드(30A) 중 적어도 하나는 도 2 또는 그 이외의 다른 실시 예(들)에 개시된 전극에 동일하게 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. At least one of the reflective electrode layer 130 and the
상기 제1접합 전극(30B)는 적어도 3개의 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1접합전극(30B)은 접착층(35), 상기 접착층(35) 아래에 지지층(36), 상기 지지층(36) 아래에 보호층(37)을 포함한다. 상기 접착층(35)은 상기의 전극패드(30A)와 접착되며, Cr, Ti, Co, Cu, Ni, V, Hf 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~1,000Å로 형성된다. 상기 지지층(36)은 상기 접착층(35)의 두께보다 두껍게 형성된 층으로서, Ag, Al, Au, Co, Cu, Hf, Mo, Ni, Ru, Rh, Pt, Pd 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~500,000Å의 범위이고, 다른 예로서 1,000~10,000Å의 두께로 형성될 수 있다. 상기 보호층(37)은 상기 반도체층에 미치는 영향을 보호하기 위한 층으로서, Au, Cu, Ni, Hf, Mo, V, W, Rh, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~50,000Å로 형성될 수 있다. The
다른 예로서, 상기 제1접합전극(30B)의 접착층(35)과 지지층(36)의 적층 주기는 반복적으로 적층될 수 있으며, 그 적층 주기는 1주기 이상으로 형성될 수 있다.As another example, the stacking period of the
상기 제2접합전극(30C)은 적어도 3개의 금속층으로 형성될 수 있으며, 접착층(38), 상기 접착층(38) 아래에 확산 방지층(39), 상기 확산 방지층(39) 아래에 본딩층(40)을 포함한다. 상기 접착층(38)은 상기 제1접합전극(30B)과 접착된 층으로서, Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택될 수 있으며, 그 두께는 1~1,000Å로 형성될 수 있다. 상기 확산 방지층(39)은 층간 확산을 방지하기 위한 층으로서, Ni, Mo, Hf, W, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti 및 이들의 2이상의 합금 중에서 선택될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(40)은 연결 전극(141,143)과의 본딩을 위한 층으로서, Au, Cu, Ni, Hf, Mo, V, W, Rh, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다. 상기 제2접합전극(30C)의 접착층(38)과 확산 방지층(39)의 적층 주기는 반복적으로 적층될 수 있으며, 그 적층 주기는 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 여기서, 제1전극(135)과 제2전극(137)은 전극 패드(30A), 제1접합 전극(30B)와 제2접합 전극(30C)들이 서로 동일한 적층 구조이거나, 다른 적층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The
도 15는 도 1의 발광 소자가 탑재된 발광 장치를 나타낸 도면이다.FIG. 15 illustrates a light emitting device on which the light emitting device of FIG. 1 is mounted.
도 15를 참조하면, 발광 소자(100)는 모듈 기판(170) 상에 플립 방식으로 탑재된다.Referring to FIG. 15, the
상기 모듈 기판(170)은 예컨대, 금속층(171) 및 상기 금속층(171)에 절연층(172), 상기 절연층(172) 상에 회로 패턴을 포함한다. 상기 회로 패턴은 상기 절연층(172) 상에 형성된 제1패드(173) 및 제2패드(174)를 포함하며, 상기 제1패드(173) 및 제2패드(174)는 랜드 패턴으로서, 전원을 공급해 주게 된다. 상기 절연층(172) 상에는 상기 패드(173,174) 영역을 제외한 영역에 보호층(175)이 형성되며, 상기 보호층(175)은 솔더 레지스트(Solder resist) 층 또는 절연층으로서, 백색 또는 녹색 보호층을 포함한다. 상기 보호층(175)은 광을 효율적으로 반사시켜 주어, 반사 광량을 개선시켜 줄 수 있다.The
상기 모듈 기판(170)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 모듈 기판(170)은 수지 계열의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 제1패드(173) 상에는 상기 발광 소자(101)의 제1연결 전극(141)이 대응되며, 상기 제2패드(174) 상에는 상기 발광 소자(101)의 제2연결 전극(143)이 대응된다. 상기 제1패드(173)과 상기 제1연결 전극(141)은 본딩 물질(177)에 의해 본딩되며, 상기 제2패드(174) 및 상기 제2연결 전극(143)은 본딩 물질(177)에 의해 본딩된다. The
상기 발광 소자(101)의 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 지지 부재(151)의 하면과 상기 모듈 기판(170)의 상면 사이의 간격은 동일한 간격으로 형성될 수 있다. Spaces between the bottom surface of the
상기 모듈 기판(170) 상에는 하나의 발광 소자(101)를 탑재한 구성에 대해 개시하였으나, 복수의 발광 소자를 어레이할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(101)는 측면에 절연부재(181) 및 반사부재(191)를 배치함으로써, 상 방향으로의 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
Although the configuration in which one light emitting device 101 is mounted on the
도 16은 도 1의 발광 소자가 탑재된 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다.16 is a view illustrating a light emitting device package in which the light emitting device of FIG. 1 is mounted.
도 16을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 몸체부(211)와, 상기 몸체부(211)에 설치된 제1리드 전극(215) 및 제2리드 전극(217)과, 몰딩 부재(219), 및 발광소자(100)를 포함한다.Referring to FIG. 16, the light emitting
상기 몸체부(211)는 고반사 수지 계열(예; PPA), 폴리머 계열, 플라스틱 계열 중에서 선택적으로 사출 성형되거나, 단층 또는 다층의 기판 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 몸체부(211)는 상부가 개방된 캐비티(212)를 포함하며, 상기 캐비티(212)의 둘레면(212A)은 상기 캐비티(212)의 바닥 또는 상기 발광 소자(100)의 지지부재(151)에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있다. The
상기 캐비티(212)는 하부 너비가 좁고 상부 너비가 넓게 형성될 수 있다. 또한 상기 캐비티(212)의 깊이는 상기 발광 소자(100)의 두께보다 두꺼운 깊이로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이는 발광 소자(100)의 측면에 배치된 반사부재(191)에 의해 상기 발광 소자(100)로부터 측 방향으로 방출되는 광이 감소되어, 상기 캐비티(212)의 높이를 낮추거나, 둘레면(212A)의 경사를 수직하게 배치할 수 있다. The
상기 캐비티(212)에는 제1리드 전극(215) 및 제2리드 전극(217)이 배치되며, 상기 제1리드 전극(215) 및 제2리드 전극(217)은 서로 이격된다. 상기 제1리드 전극(215)와 제2리드 전극(217) 사이에는 간극부(214)가 배치되며, 상기 간극부(214)는 상기 몸체(211)와 동일 재질이거나, 다른 절연 재질로 형성될 수 있다.The first
상기에 개시된 실시 예(들)의 발광 소자(100)는 상기 제1리드 전극(215) 및 제2리드 전극(217) 위에 플립 방식으로 본딩된다. 즉, 상기 발광 소자(100)의 제1연결 전극(141)은 제1리드 전극(215)에 본딩되며, 상기 제2연결 전극(143)은 제2리드 전극(217)에 본딩된다.The
상기 제1리드 전극(215) 및 상기 제2리드 전극(217)의 상면과 상기 발광 소자(100)의 하면 즉, 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 상기 지지 부재(151)의 하면 사이의 간격은 동일한 간격으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Upper surfaces of the first
상기 발광 소자(100)의 지지 부재(151)는 상기 제1리드 전극(215) 및 상기 제2리드 전극(217) 상에 이격되며, 전 표면을 통해 방열하게 된다. The
상기 캐비티(212) 내에는 몰딩 부재(219)가 형성되며, 상기 몰딩 부재(219)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질로 형성될 수 있으며, 형광체를 포함할 수 있다.A molding member 219 is formed in the
상기 발광소자(100)의 내부에서 발생된 광은 발광 소자(100)의 상면 및 측면을 통해 대부분의 광이 추출되며, 상기 추출된 광은 상기 몰딩 부재(219)를 통해 외부로 방출될 수 있다. 여기서, 상기 발광 소자(100)의 상면을 통해 추출되는 광량은 상기 반사부재(191)에 의해 증가될 수 있어, 발광 소자(100) 내부에서의 광 손실을 줄일 수 있다.Light generated in the
상기 발광 소자 패키지(200)는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 하나 또는 복수로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지는 형광체층을 갖는 다른 실시 예의 발광 소자가 탑재된 경우, 상기 몰딩 부재(219) 내에는 별도의 형광체를 첨가하지 않을 수 있으며, 다른 예로서 상기 형광체층의 형광체와 다른 형광체 또는 서로 유사한 컬러를 발광하는 형광체를 첨가할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(211) 상에는 렌즈(250)가 배치되며, 상기 렌즈(250)는 상기 상기 발광 소자(100)로부터 입사된 광의 배광 분포를 조절해 주게 된다. 예를 들면, 상기 렌즈(250)은 중심부에 상기 발광 소자(100) 방향으로 오목한 오목부(251)를 배치하여, 입사되는 광을 전반사시켜 주어, 측 방향으로 진행하는 광에 의해 광 지향각을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 렌즈(250)는 상기 몸체(211) 상에 접촉되거나, 이격될 수 있으며, 설치하지 않을 수 있다.
A
<조명 시스템><Lighting system>
실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함한다. 도 17 및 도 18에 도시된 표시 장치, 도 19에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting devices or light emitting device packages are arranged. 17 and 18, and the lighting apparatus illustrated in FIG. 19, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlamp, an electric signboard, and the like.
도 17은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 17 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.
도 17을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 17, the
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 발광모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 적어도 한 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 모듈 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자(100)를 포함하며, 상기 발광 소자(100)는 상기 모듈 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 다른 예로서, 상기 모듈 기판(1033) 위에는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지가 어레이될 수 있다.At least one light emitting
상기 모듈 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 모듈 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 모듈 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The module substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the module substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the
그리고, 상기 다수의 발광 소자(100)는 상기 모듈 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(100)는 상기 도광판(1041)의 적어도 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Here, the
도 18은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다. 18 is a diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
도 18을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(100)가 어레이된 모듈 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 18, the
상기 모듈 기판(1120)과 상기 발광 소자(100)는 발광 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. 상기 모듈 기판(1120) 위에는 발광 소자가 플립 방식으로 탑재되어 어레이될 수 있다. 또한 상기 모듈 기판(1120) 상에는 실시 예에 개시된 발광 소자 패키지가 어레이될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
Here, the
도 19는 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.19 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.
도 19를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 19, the
상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 발광 모듈(1530)은 모듈 기판(1532)과, 상기 모듈 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. 상기 모듈 기판(1532) 위에는 발광 소자가 플립 방식으로 탑재되거나, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지로 어레이될 수 있다.The
상기 모듈 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 수지계 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The
또한, 상기 모듈 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the
상기 모듈 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, Ultraviolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting
상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The
상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The
상기의 조명 시스템에 배치된 발광 소자는 상기의 실시 예에 개시된 발광 소자의 구조이거나, 도 15의 패키지로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light emitting device disposed in the above lighting system may be a structure of the light emitting device disclosed in the above embodiment, or may be disposed in the package of FIG. 15, but is not limited thereto.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
100: 발광소자 111: 기판
113: 제1반도체층 115: 제1도전형 반도체층
117:활성층 119:제2도전형 반도체층
120:발광 구조물 131:반사 전극층
133:절연층 135:제1전극
137:제2전극 141:제1연결 전극
143:제2연결 전극 151: 지지 부재
161,162,163: 형광체층 170:모듈 기판
181,184,186: 절연부재 191,192,193,194,195,196: 반사부재
200:발광 소자 패키지 100: light emitting element 111: substrate
113: first semiconductor layer 115: first conductive semiconductor layer
117: active layer 119: second conductive semiconductor layer
120: light emitting structure 131: reflective electrode layer
133: insulating layer 135: first electrode
137: second electrode 141: first connection electrode
143: second connection electrode 151: support member
161,162,163: phosphor layer 170: module substrate
181, 184, 186:
200: light emitting device package
Claims (14)
상기 발광 구조물의 적어도 한 층의 측면에 배치된 반사부재;
상기 제1도전형 반도체층 아래에 배치된 제1전극;
상기 제2도전형 반도체층 아래에 배치된 반사전극층;
상기 반사전극층 아래에 배치된 제2전극;
상기 제1전극 아래에 배치된 제1연결 전극;
상기 제2전극 아래에 배치된 제2연결 전극; 및
상기 제1전극 및 제1연결 전극과 상기 제2전극 및 상기 제2연결 전극의 둘레에 배치되며, 세라믹 재질을 포함하는 지지 부재를 포함하는 발광 소자.A first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer under the first conductive semiconductor layer; A light emitting structure including an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
A reflective member disposed on a side of at least one layer of the light emitting structure;
A first electrode disposed under the first conductive semiconductor layer;
A reflective electrode layer disposed under the second conductive semiconductor layer;
A second electrode disposed under the reflective electrode layer;
A first connection electrode disposed under the first electrode;
A second connection electrode disposed under the second electrode; And
And a support member disposed around the first electrode, the first connection electrode, the second electrode, and the second connection electrode, and including a ceramic material.
상기 반사부재는 상기 절연층의 측면 상에 배치되는 발광 소자.According to any one of claims 1 to 4, Including an insulating layer between the reflective electrode layer and the light emitting structure and the support member,
The reflective member is a light emitting device disposed on the side of the insulating layer.
제1패드 및 제2패드를 갖고, 상기 발광 소자의 제1연결 전극 및 제2연결 전극이 탑재된 모듈 기판을 포함하며,
상기 발광 소자의 제1연결 전극과 제2연결 전극, 및 지지 부재의 하면은 상기 모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 대응되는 발광 장치.The light emitting device of any one of claims 1 to 4; And
A module substrate having a first pad and a second pad, on which the first connection electrode and the second connection electrode of the light emitting device are mounted;
And a lower surface of the first connection electrode, the second connection electrode, and the support member of the light emitting device correspond to the first pad and the second pad of the module substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120001133A KR101900276B1 (en) | 2012-01-04 | 2012-01-04 | Light emitting device and light emitting apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020120001133A KR101900276B1 (en) | 2012-01-04 | 2012-01-04 | Light emitting device and light emitting apparatus having the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130080301A true KR20130080301A (en) | 2013-07-12 |
| KR101900276B1 KR101900276B1 (en) | 2018-09-20 |
Family
ID=48992466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120001133A KR101900276B1 (en) | 2012-01-04 | 2012-01-04 | Light emitting device and light emitting apparatus having the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101900276B1 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150140045A (en) * | 2014-06-05 | 2015-12-15 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
| KR20160028681A (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-14 | 엘지이노텍 주식회사 | Light source module |
| KR20160085605A (en) * | 2015-01-08 | 2016-07-18 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
| KR20170083353A (en) * | 2016-01-08 | 2017-07-18 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device |
| WO2020101381A1 (en) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, manufacturing method of light emitting diode and display device including light emitting diode |
| KR20210010291A (en) * | 2018-05-29 | 2021-01-27 | 니기소 가부시키가이샤 | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device |
| CN114242865A (en) * | 2021-12-09 | 2022-03-25 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | Reflecting electrode, preparation method thereof and LED chip |
| WO2023205105A1 (en) * | 2022-04-22 | 2023-10-26 | Applied Materials, Inc. | High-density micro-led arrays with reflective sidewalls |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3531475B2 (en) * | 1998-05-22 | 2004-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | Flip chip type optical semiconductor device |
| JP2001298216A (en) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface-mounting semiconductor light-emitting device |
| DE102007019776A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing a plurality of optoelectronic components |
| US20120261689A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Bernd Karl Appelt | Semiconductor device packages and related methods |
-
2012
- 2012-01-04 KR KR1020120001133A patent/KR101900276B1/en active IP Right Grant
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| WO2020101381A1 (en) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, manufacturing method of light emitting diode and display device including light emitting diode |
| US11133431B2 (en) | 2018-11-16 | 2021-09-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode with ion implanted resistive area, manufacturing method of light emitting diode with ion implanted resistive area and display device including light emitting diode with ion implanted resistive area |
| EP3837722A4 (en) * | 2018-11-16 | 2021-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, manufacturing method of light emitting diode and display device including light emitting diode |
| CN114242865A (en) * | 2021-12-09 | 2022-03-25 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | Reflecting electrode, preparation method thereof and LED chip |
| CN114242865B (en) * | 2021-12-09 | 2024-05-03 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | Reflective electrode, preparation method thereof and LED chip |
| WO2023205105A1 (en) * | 2022-04-22 | 2023-10-26 | Applied Materials, Inc. | High-density micro-led arrays with reflective sidewalls |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101900276B1 (en) | 2018-09-20 |
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