KR20130070671A - Organic light emitting diode display device - Google Patents

Organic light emitting diode display device Download PDF

Info

Publication number
KR20130070671A
KR20130070671A KR1020110136378A KR20110136378A KR20130070671A KR 20130070671 A KR20130070671 A KR 20130070671A KR 1020110136378 A KR1020110136378 A KR 1020110136378A KR 20110136378 A KR20110136378 A KR 20110136378A KR 20130070671 A KR20130070671 A KR 20130070671A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
distance
electrode
red
Prior art date
Application number
KR1020110136378A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101929344B1 (en
Inventor
허정행
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110136378A priority Critical patent/KR101929344B1/en
Publication of KR20130070671A publication Critical patent/KR20130070671A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101929344B1 publication Critical patent/KR101929344B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE: An organic light emitting diode display device is provided to improve color sense by forming an electron hole transportation complementary layer on a blue common light emitting material layer. CONSTITUTION: A first electrode and a second electrode are positioned in the upper part of a substrate. A hole transport layer(220) is positioned in the upper part of the first electrode. A light emitting material layer(230) includes a blue common light emitting material layer, a red light emitting material layer, and a green light emitting material layer. The blue common light emitting material layer is commonly formed in a red, a green, and a blue sub pixel area. An electron hole transport complementary layer(250) is formed in the front surface of the blue common light emitting material layer.

Description

유기발광다이오드표시장치{organic light emitting diode display device}Organic light emitting diode display device

본 발명은 유기발광다이오드표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 블루공통발광물질층 및 전자정공수송보완층이 형성된 유기발광다이오드표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device having a blue common light emitting material layer and an electron hole transport supplement layer.

최근, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)가 널리 개발되어 다양한 분야에 적용되고 있다. 2. Description of the Related Art Flat panel displays having excellent characteristics such as thinning, lightening, and low power consumption have been widely developed and applied to various fields.

이중, 유기발광다이오드표시장치(organic light emitting diode display device: OLED, 이하 유기발광표시장치)는 전자 주입 전극인 음극과 정공 주입 전극인 양극 사이에 형성된 발광층에 전자 및 정공을 주입하여 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. 이러한 유기발광표시장치는 플라스틱과 같은 유연한 기판(flexible substrate) 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 자체 발광에 의해 색감이 뛰어나며, 낮은 전압에서(10V이하) 구동이 가능한 바, 전력 소모가 비교적 적다는 장점이 있다. In an organic light emitting diode (OLED) display device, electrons and holes are injected into a light emitting layer formed between a cathode, which is an electron injection electrode, and a cathode, which is a hole injection electrode, It is a device that emits light while paired and disappears. Such an organic light emitting display device can be formed on a flexible substrate such as plastic, and has excellent color by self-luminous and can be driven at a low voltage (10V or less). There is this.

이때, 유기발광표시장치는 예를 들면, 레드(red), 그린(green) 및 블루(blue) 부화소영역 각각에 대응되는 각각 레드, 그린 및 블루 발광물질층을 포함한다. In this case, the organic light emitting diode display may include, for example, a red, green, and blue light emitting material layer corresponding to each of red, green, and blue subpixel regions.

이하, 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 일반적인 유기발광표시장치의 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다. A description with reference to FIG. 1 is as follows. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional OLED display.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판(1)에는 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)이 정의된다.As shown in FIG. 1, red, green, and blue sub-pixel regions (R, G, B) are defined in the substrate 1.

또한, 각각의 부화소영역(R, G, B) 각각에는 구동트랜지스터(DT)와, 구동트랜지스터(DT)와 연결된 제 1 전극(3)이 형성된다. In addition, each of the subpixel regions R, G, and B is formed with a driving transistor DT and a first electrode 3 connected to the driving transistor DT.

제 1 전극(3) 상부에는 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)에 대응되는 레드, 그린 및 블루 발광물질층(4, 5, 6)이 형성되고, 레드, 그린 및 블루 발광물질층(4, 5, 6) 상부에는 제 2 전극(2)이 형성된다.Red, green, and blue light emitting material layers 4, 5, and 6 corresponding to the red, green, and blue subpixel regions R, G, and B are formed on the first electrode 3, and the red, green, and blue layers are formed. The second electrode 2 is formed on the light emitting material layers 4, 5, 6.

여기서, 각각의 부화소영역(R, G, B)에 대응되는 발광물질층(4, 5, 6)을 형성하기 위해서는 각각의 부화소영역(R, G, B)에 대응되는 파인 메탈 마스크(fine metal mask)를 사용해야 한다.Here, in order to form the light emitting material layers 4, 5, and 6 corresponding to each of the subpixel regions R, G, and B, a fine metal mask corresponding to each of the subpixel regions R, G, and B may be formed. fine metal mask).

구체적으로, 기판(1) 상부에 레드 부화소영역(R)에 대응되는 파인 메탈 마스크를 위치시켜 레드 발광물질층(4)의 발광물질을 증착하고, 이어서 기판(1) 상부에 그린 부화소영역(G)에 대응되는 파인 메탈 마스크를 위치시켜 그린 발광물질층(5)의 발광물질을 증착한다. 마지막으로 기판(1) 상부에 블루 부화소영역(B)에 대응되는 파인 메탈 마스크를 위치시켜 블루 발광물질층(6)의 발광물질을 증착한다. Specifically, a light metal material corresponding to the red subpixel area R is disposed on the substrate 1 to deposit the light emitting material of the red light emitting material layer 4, and then the subpixel area drawn on the substrate 1. The light emitting material of the green light emitting material layer 5 is deposited by placing a fine metal mask corresponding to (G). Finally, a fine metal mask corresponding to the blue subpixel area B is disposed on the substrate 1 to deposit the light emitting material of the blue light emitting material layer 6.

다시 말하면, 각각의 부화소영역(R, G, B)에 대응되는 파인 메탈 마스크 3개를 사용함으로써, 각각의 부화소영역(R, G, B)에 대응되는 발광물질층(4, 5, 6)이 형성된다.In other words, by using three fine metal masks corresponding to each of the subpixel regions R, G, and B, the light emitting material layers 4, 5, and 3 corresponding to the respective subpixel regions R, G, and B may be used. 6) is formed.

이러한 작업은 작은 부화소영역 상부에 대응되는 파인 메탈 마스크를 배치해야 하는 미세한 작업으로서, 제조 공정이 복잡하고 어려운 문제점이 있다. This operation is a fine operation in which a fine metal mask corresponding to an upper portion of a small subpixel region is to be disposed, and thus, a manufacturing process is complicated and difficult.

또한, 각각의 부화소영역(R, G, B) 상부에 파인 메탈 마스크가 허용되는 오차 범위를 넘어서 잘못 배치된 경우, 다른 부화소영역까지 발광물질이 잘못 증착되어 원하지 않는 색이 발광될 수 있는 문제점이 있다. 즉, 불량품이 증가되어 생산성이 감소된다.In addition, when a fine metal mask is incorrectly disposed over an allowable error area over each of the subpixel areas R, G, and B, light emitting materials may be incorrectly deposited to other subpixel areas, thereby causing unwanted colors to be emitted. There is a problem. That is, defective products are increased and productivity is reduced.

또한, 별개의 챔버에서 각각의 발광물질층(4, 5, 6)을 형성해야 하는 바, 제조 비용이 증가되는 문제점이 있다.
In addition, since the respective light emitting material layers 4, 5, and 6 must be formed in separate chambers, manufacturing costs increase.

본 발명은, 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 공통으로 블루공통발광물질층을 형성함으로써, 제조 비용이 감소되고 생산성이 향상된 유기발광다이오드표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device having reduced manufacturing cost and improved productivity by forming a blue common light emitting material layer in common in red, green, and blue subpixel areas.

본 발명은, 레드, 그린 및 블루 부화소영역이 정의되는 기판과; 상기 기판 상부에 위치하며 서로 마주보는 제 1 전극 및 제 2 전극과; 상기 제 1 전극 상부에 위치하는 정공수송층과; 상기 정공수송층 상부에 위치하며 상기 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 공통으로 형성되는 블루공통발광물질층과, 상기 블루공통발광물질층 상부에 위치하고 상기 레드 및 그린 부화소영역 각각에 대응되는 레드 및 그린 발광물질층을 포함하는 발광물질층과; 상기 블루공통발광물질층 전면에 형성되며, 상기 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 공통으로 형성되고, 제 1 물질로 구성되는 전자정공수송보완층을 포함하고, 상기 제 1 물질은 인광물질로서 바이폴라 특성을 가지며, T1레벨이 2.7eV이상인 유기발광다이오드표시장치를 제공한다.The present invention relates to a substrate comprising: a substrate in which red, green and blue subpixel regions are defined; First and second electrodes disposed on the substrate and facing each other; A hole transport layer on the first electrode; A blue common light emitting material layer positioned on the hole transport layer and formed in common in the red, green and blue subpixel areas, a red common layer located on the blue common light emitting material layer and corresponding to each of the red and green subpixel areas; A light emitting material layer including a green light emitting material layer; It is formed on the entire surface of the blue common light emitting material layer, and is formed in common in the red, green and blue subpixel areas, and includes an electron hole transport supplement layer composed of a first material, and the first material is a bipolar as a phosphor. An organic light emitting diode display device having characteristics and having a T1 level of 2.7 eV or more is provided.

상기 전자정공수송보완층의 두께는 50 내지 150Å이다.The electron hole transport supplement layer has a thickness of 50 to 150 kPa.

상기 정공수송층과 상기 제 1 전극 사이에 P타입 도펀트를 포함하는 P-정공수송층이 더욱 형성된다.A P-hole transport layer including a P-type dopant is further formed between the hole transport layer and the first electrode.

상기 P타입 도펀트는 하기 화학식(1) 내지 화학식(6)에 표시된 물질 중 어느 하나이다.The P-type dopant is any one of the substances shown in the following formulas (1) to (6).

화학식(1) 화학식(2)Formula (1) Formula (2)

Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00001
Figure pat00002

화학식(3) 화학식(4)Formula (3) Formula (4)

Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00003
Figure pat00004

화학식(5) 화학식(6)Formula (5) Formula (6)

Figure pat00005
Figure pat00006

Figure pat00005
Figure pat00006

상기 제 2 전극과 상기 발광물질층 사이에 전자수송층이 더욱 형성된다.An electron transport layer is further formed between the second electrode and the light emitting material layer.

상기 전자정공수송보완층과 상기 레드 발광물질층 및 상기 그린 발광물질층 사이에 각각 위치하는 레드 보조정공수송층 및 그린 보조정공수송층을 더욱 포함한다.And a red auxiliary hole transport layer and a green auxiliary hole transport layer respectively positioned between the electron hole transport supplement layer, the red light emitting material layer, and the green light emitting material layer.

상기 제 1 전극은 반사전극이고, 상기 제 2 전극은 반투명 전극이며, 상기 레드, 그린 및 블루 부화소영역 각각에서 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 거리는, 제 1 거리, 제 2 거리 및 제 3 거리로 정의되고, 상기 제 1 거리, 상기 제 2 거리 및 상기 제 3 거리는 제 1 거리 > 제 2 거리 > 제 3 거리이다.The first electrode is a reflective electrode, the second electrode is a translucent electrode, and the distance between the first and second electrodes in each of the red, green, and blue subpixel regions is a first distance, a second distance, and a third electrode. And a first distance, a second distance, and the third distance are a first distance> a second distance> a third distance.

상기 제 1 전극은 투명전극이고, 상기 제 2 전극은 반사전극이며, 상기 레드, 그린 및 블루 부화소영역 각각에서 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 거리는, 제 1 거리, 제 2 거리 및 제 3 거리로 정의되고, 상기 제 1 거리, 상기 제 2 거리 및 상기 제 3 거리는 제 1 거리 = 제 2 거리 > 제 3 거리이다.
The first electrode is a transparent electrode, the second electrode is a reflective electrode, and the distance between the first and second electrodes in each of the red, green, and blue subpixel regions is a first distance, a second distance, and a third electrode. Defined as distance, wherein the first, second and third distances are: first distance = second distance> third distance.

본 발명에 따른 유기발광표시장치는, 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 공통으로 형성되는 블루공통발광물질층을 형성함으로써, 불량품 생산을 줄일 수 있어 생산성이 향상된다. The organic light emitting display device according to the present invention forms a blue common light emitting material layer commonly formed in the red, green, and blue subpixel regions, thereby reducing the production of defective products and improving productivity.

또한, 파인 메탈 마스크 및 챔버 사용을 줄일 수 있어, 제조 비용이 감소 될 뿐만 아니라, 간소화된 제조 공정으로 인하여 생산성이 향상된다. In addition, the use of fine metal masks and chambers can be reduced, which not only reduces manufacturing costs but also improves productivity due to a simplified manufacturing process.

또한, 전자정공수송보완층을 블루공통발광물질층 상부에 형성하여, 원치 않는 빛의 발광을 차단함으로써 색감이 우수해진다.
In addition, an electron hole transport complementary layer is formed on the blue common light emitting material layer to block unwanted light emission, thereby improving color.

도 1은 일반적인 유기발광표시장치의 단면도를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 부화소영역의 단면도의 일예.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로서, 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 형성된 발광다이오드를 개략적으로 도시한 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 schematically shows a cross-sectional view of a general organic light emitting display device. FIG.
2 is an example of a cross-sectional view of a subpixel area of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and schematically illustrates a light emitting diode formed in red, green, and blue subpixel regions.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광표시장치에 대해서 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 부화소영역의 단면도의 일예이다.2 is an example of a cross-sectional view of a subpixel area of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(110)에는 부화소영역(SP)이 정의된다.First, as shown in FIG. 2, the subpixel area SP is defined in the substrate 110.

여기서, 기판(110)은 투명한 유리재질로 이루어지거나 또는 유연성이 우수한 투명한 플라스틱이나 또는 고분자 필름으로 이루어진다. Here, the substrate 110 may be made of a transparent glass material or a transparent plastic or a polymer film having excellent flexibility.

부화소영역(SP)은 예를 들면, 적, 녹 및 청색 빛을 발하는 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)을 포함할 수 있다.The subpixel area SP may include, for example, red, green, and blue subpixel areas R, G, and B that emit red, green, and blue light.

또한, 부화소영역(SP)에는 스위칭 박막트랜지스터(도시하지 않음) 및 구동트랜지스터(DTr)가 형성되며, 구동트랜지스터(DTr)의 드레인전극(136)과 연결되어 제 1 전극(147) 예를 들면 양극이 형성된다. A switching thin film transistor (not shown) and a driving transistor DTr are formed in the sub pixel area SP and connected to the drain electrode 136 of the driving transistor DTr to form a first electrode 147, An anode is formed.

제 1 전극(147) 상부에는 유기발광층(155)이 형성되며, 유기발광층(155)은 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)에 대응하여, 서로 다른 패턴을 가질 수 있으며, 이에 대해서는 차후 도 3을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
The organic light emitting layer 155 is formed on the first electrode 147, and the organic light emitting layer 155 may have different patterns corresponding to the red, green, and blue subpixel regions R, G, and B. This will be described in more detail later with reference to FIG. 3.

기판(110)에 있어서 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B) 각각의 구동트랜지스터(DTr)가 형성될 위치에는 폴리실리콘으로 이루어지며 채널을 이루는 제 1 영역(113a), 그리고 제 1 영역(113a) 양 측면에 고농도의 불순물이 도핑된 제 2 영역(113b)으로 구성된 반도체층(113)이 형성된다. 이때, 반도체층(113)과 기판(110) 사이에는, 예를 들어, 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 절연층(도시하지 않음)이 기판(110) 전면(全面)에 더 형성될 수도 있다. 이러한 절연층을 상기 반도체층 하부에 구비하는 것은 상기 반도체층(113)의 결정화 시 기판(110) 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 상기 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하기 위함이다. The first region 113a, which is made of polysilicon and forms a channel, at a position where the driving transistor DTr of each of the red, green, and blue subpixel regions R, G, and B is to be formed in the substrate 110. The semiconductor layer 113 including the second region 113b doped with a high concentration of impurities is formed on both sides of the first region 113a. At this time, an insulating layer (not shown) made of, for example, silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiN x), which is an inorganic insulating material, may be disposed between the semiconductor layer 113 and the substrate 110. It may be further formed on the entire surface. The insulating layer is provided under the semiconductor layer to prevent deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 113 due to the release of alkali ions from the inside of the substrate 110 during crystallization of the semiconductor layer 113.

또한, 반도체층(113)을 덮으며 게이트절연막(116)이 기판(110) 전면에 형성되고, 게이트절연막(116) 위로는 반도체층(113)의 제 1 영역(113a)에 대응하여 게이트전극(120)이 형성된다. A gate insulating film 116 is formed on the entire surface of the substrate 110 so as to cover the semiconductor layer 113 and a gate electrode (corresponding to the first region 113a of the semiconductor layer 113) 120 are formed.

또한, 게이트절연막(116) 위에는, 스위칭트랜지스터의 게이트 전극(120)과 연결되며 일 방향으로 연장된 게이트배선(도시하지 않음)이 형성된다. 이때, 게이트전극(120)과 게이트배선(도시하지 않음)은 저저항 특성을 갖는 제 1 금속물질 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. In addition, a gate wiring (not shown) connected to the gate electrode 120 of the switching transistor and extending in one direction is formed on the gate insulating layer 116. At this time, the gate electrode 120 and the gate wiring (not shown) may be formed of a first metal material having a low resistance characteristic such as aluminum (Al), an aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), a copper alloy, molybdenum ), And molybdenum (MoTi).

한편, 게이트전극(120)과 게이트배선(도시하지 않음) 위로 기판(110) 전면에 절연물질, 예를 들면, 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간절연막(123)이 형성된다. 이때, 층간절연막(123)과 그 하부의 게이트절연막(116)에는 반도체층의 제 2 영역(113b) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(125)이 구비된다. Meanwhile, an interlayer insulating film 123 formed of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiN x), which is an inorganic insulating material on the entire surface of the substrate 110 over the gate electrode 120 and the gate wiring (not shown). ) Is formed. In this case, the interlayer insulating layer 123 and the gate insulating layer 116 below are provided with a semiconductor layer contact hole 125 that exposes each of the second regions 113b of the semiconductor layer.

또한, 반도체층 콘택홀(125)을 포함하는 층간절연막(123) 상부에는 게이트 배선(도시하지 않음)과 교차하여 부화소영역(SP)을 정의하며, 제 2 금속물질, 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어진 데이터 배선(도시하지 않음)과, 이와 이격하여 전원배선(도시하지 않음)이 형성된다. 이때, 전원배선(도시하지 않음)은 상기 게이트 배선(도시하지 않음)이 형성된 층, 즉 게이트 절연막(116) 상에 게이트배선(도시하지 않음)과 이격하며 나란하게 형성될 수도 있다. On the upper surface of the interlayer insulating film 123 including the semiconductor layer contact hole 125, a sub-pixel region SP is defined to intersect with a gate wiring (not shown), and a second metal material, for example, aluminum (Not shown) made of any one or more of aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum (MoTi), chromium (Cr), titanium And a power supply wiring (not shown) is formed therebetween. At this time, power supply wiring (not shown) may be formed on the layer on which the gate wiring (not shown) is formed, that is, on the gate insulating film 116 so as to be spaced apart from the gate wiring (not shown).

층간절연막(123) 위에는, 서로 이격되고 상기 반도체층 콘택홀(125)을 통해 노출된 상기 제 2 영역(113b)과 각각 접촉하며, 상기 데이터 배선(도시하지 않음)과 동일한 제 2 금속물질로 이루어진 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성된다. The second interlayer insulating film 123 is formed on the interlayer insulating film 123 so as to be in contact with the second region 113b exposed through the semiconductor layer contact hole 125 and made of the same second metal material as the data interconnection Source and drain electrodes 133 and 136 are formed.

이때, 순차 적층된 반도체층(113)과, 게이트절연막(116), 게이트전극(120), 층간절연막(123)은, 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극(133, 136)과 함께 구동트랜지스터(DTr)를 이룬다. The gate electrode 120 and the interlayer insulating film 123 are sequentially formed with the source and drain electrodes 133 and 136 spaced apart from each other and the driving transistor DTr ).

여기서, 도시하지는 않았으나 구동트랜지스터(DTr)와 동일한 적층 구조를 갖는 스위칭트랜지스터도 기판(110) 상에 형성된다. Here, although not shown, a switching transistor having the same lamination structure as the driving transistor DTr is formed on the substrate 110 as well.

한편, 구동트랜지스터(DTr) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(136)을 노출시키는 드레인콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성된다. A protective layer 140 having drain contact holes 143 exposing the drain electrodes 136 of the driving thin film transistor DTr is formed on the driving transistor DTr.

또한, 보호층(140) 위로는 구동트랜지스터(DTr)의 드레인전극(136)과 드레인콘택홀(143)을 통해 접촉되며, 제 1 전극(147)이 형성된다. The first electrode 147 is formed on the passivation layer 140 via the drain electrode 136 and the drain contact hole 143 of the driving transistor DTr.

다음, 제 1 전극(147) 위로 부화소영역(SP)의 경계에는 절연물질 특히 유기절연물질, 예를 들면, 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드 수지 또는 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 뱅크(150)가 형성된다. 이때 뱅크(150)는 부화소영역(SP)을 둘러싸는 형태로 상기 제 1 전극(147)의 가장자리와 중첩하도록 형성될 수 있다. Next, a bank (not shown) made of an insulating material, for example, an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB), polyimide resin, or photo acryl is formed at the boundary of the sub- 150 are formed. At this time, the bank 150 may be formed so as to overlap the edge of the first electrode 147 in a form surrounding the sub pixel region SP.

또한, 뱅크(150)로 둘러싸인 부화소영역(SP) 내의 제 1 전극(147) 위로는 유기발광층(155)이 형성된다. In addition, the organic light emitting layer 155 is formed on the first electrode 147 in the subpixel area SP surrounded by the bank 150.

또한, 유기발광층(155)을 구성하는 블루공통발광물질층(BCL)과 전자정공수소보완층(250)이 기판(110) 전면에 형성된다. 다시 말하면, 유기발광층(155)으로부터 더욱 연장되어 형성되는데, 이에 대해서는 차후 도 3을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.In addition, a blue common light emitting material layer (BCL) and an electron hole hydrogen supplementary layer 250 constituting the organic light emitting layer 155 are formed on the entire surface of the substrate 110. In other words, the organic light emitting layer 155 is further extended, which will be described in more detail later with reference to FIG. 3.

유기발광층(155)과 뱅크(150)의 상부에는 제 2 전극(158)이 형성된다. The second electrode 158 is formed on the organic light emitting layer 155 and the bank 150.

이때, 제 1 전극(147)과 유기발광층(155) 및 제 2 전극(158)은 발광다이오드(E)를 이룬다.
In this case, the first electrode 147, the organic light emitting layer 155, and the second electrode 158 form a light emitting diode (E).

<제 1 실시예>&Lt; Embodiment 1 >

이하, 도 3을 더욱 참조하여, 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 형성된 발광다이오드(도 2의 E)의 제 1 실시예에 대해서 보다 상세하게 살펴본다.
Hereinafter, the first embodiment of the light emitting diode (E of FIG. 2) formed in the red, green, and blue subpixel regions will be described in more detail with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로서, 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 형성된 발광다이오드(도 2의 E)를 개략적으로 도시한 도면이다.
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention, and schematically illustrates a light emitting diode (E of FIG. 2) formed in red, green, and blue subpixel regions. to be.

도 3에 도시한 바와 같이, 기판(110)에는 예를 들면, 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)이 정의된다. As shown in FIG. 3, for example, red, green, and blue subpixel regions R, G, and B are defined in the substrate 110.

또한, 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B) 각각은, 제 1 전극(147) 및 제 2 전극(158)과, 그리고 제 1 및 제 2 전극(147, 158) 사이에 형성되는 유기발광층(155)을 포함한다. In addition, each of the red, green, and blue subpixel regions R, G, and B is formed between the first electrode 147 and the second electrode 158, and the first and second electrodes 147, 158. The organic light emitting layer 155 is included.

구체적으로, 제 1 전극(147)은 기판(110) 상부에 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B) 각각에 대응하여 형성된다. Specifically, the first electrode 147 is formed corresponding to red, green, and blue sub-pixel regions R, G, and B on the substrate 110, respectively.

여기서, 제 1 전극(147)은 반사전극으로서, 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr) 또는 이들을 함유하는 합금 등과 같은 반사형 금속층과, 반사형 금속층 상부에 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide: ITO), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 또는 AZO(Al2O3 doped ZnO)와 같이 일함수가 높은 물질로 이루어지는 투명 도전성 물질층을 포함한다.Here, the first electrode 147 is a reflective electrode, and includes a reflective metal layer such as silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), platinum (Pt), chromium (Cr) or an alloy containing them, and the like. A transparent conductive material formed of a material having a high work function, such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), or AZO (Al2O3 doped ZnO) on top of the type metal layer Layer.

제 2 전극(158)은 반투명 전극으로서, 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금(Mg:Ag)으로 이루어질 수 있으며, 또는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt) 또는 크롬(Cr) 등의 금속이나 이러한 금속을 함유하는 합금일 수 있다. The second electrode 158 is a translucent electrode and may be made of an alloy of Mg and Ag or may be made of Ag, Al, Au, Pt) or chromium (Cr), or an alloy containing such a metal.

이때, 제 2 전극(158)은 예를 들면 5% 이상의 반사율과 50%의 투과율을 달성할 수 있는 두께를 가지는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the second electrode 158 has a thickness capable of achieving, for example, a reflectance of 5% or more and a transmittance of 50%.

제 1 전극(147)은 빛을 반사시키는 반사전극의 역할을 하고, 제 2 전극(158)은 빛의 일부를 통과시키고, 일부를 반사시키는 반투명전극의 역할을 한다.The first electrode 147 serves as a reflective electrode for reflecting light, and the second electrode 158 serves as a translucent electrode that allows a part of light to pass through and reflects a part of the light.

이에 따라, 유기발광층(155)으로부터 방출된 빛의 일부는 제 2 전극(158)을 통과하여 외부로 출사되고, 유기발광층(155)으로부터 방출된 빛의 일부는 제 2 전극(158)을 통과하지 못하고, 다시 제 1 전극(147)으로 돌아간다.Accordingly, some of the light emitted from the organic light emitting layer 155 passes through the second electrode 158 and is emitted to the outside, and some of the light emitted from the organic light emitting layer 155 does not pass through the second electrode 158. It returns to the first electrode 147 again.

다시 말하면, 반사층으로 작용하는 제 1 전극(147)과 제 2 전극(158) 사이에서 빛은 반복적인 반사가 일어나게 되는데, 이와 같은 현상을 마이크로 캐버티(micro cavity) 현상이라 한다. In other words, light is repeatedly reflected between the first electrode 147 and the second electrode 158 serving as the reflective layer, and this phenomenon is referred to as a microcavity phenomenon.

즉, 본 발명의 실시예에서는 빛의 광학적 공진(resonance) 현상을 이용하여, 광효율을 증가시키고 발광다이오드(E)의 발광 순도를 조율한다. That is, in the embodiment of the present invention, the optical resonance phenomenon of the light is used to increase the light efficiency and to adjust the light emitting purity of the light emitting diode E.

이때, 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B) 각각의 유기발광층(155)에서 방출되는 빛의 파장이 다르기 때문에, 제 1 전극(147)과 제 2 전극(158) 사이의 거리로 정의되는 마이크로 캐버티의 두께를 달리하게 된다. In this case, since the wavelengths of light emitted from the organic light emitting layers 155 of the red, green, and blue subpixel regions R, G, and B are different, the distance between the first electrode 147 and the second electrode 158 is different. The thickness of the microcavity is defined as different.

구체적으로, 레드 부화소영역(R)에서 제 1 및 제 2 전극(147, 158) 사이의 거리를 제 1 거리(d1), 그린 부화소영역(G)에서 제 1 및 제 2 전극(147, 158) 사이의 거리를 제 2 거리(d2), 블루 부화소영역(B)에서 제 1 및 제 2 전극(147, 158) 사이의 거리를 제 3 거리(d3)로 정의 할 때, 파장이 가장 긴 적색 빛을 방출하는 레드 부화소영역(R)의 제 1 거리(d1)가 가장 큰 값을 가지고, 파장이 가장 짧은 청색 빛을 방출하는 블루 부화소영역(B)의 제 3 거리(d3)가 가장 짧은 값을 가진다. 즉, 제 1 거리(d1) > 제 2 거리(d2) > 제 3 거리(d3)가 된다. 이와 같이 제 1 거리(d1), 제 2 거리(d2) 및 제 3 거리(d3)를 조절하기 위하여, 레드 부화소영역(R)에는 레드 보조정공수송층(R’HTL, 221)이 형성되며, 그린 부화소영역(G)에는 그린 보조정공수송층(G’HTL, 222)이 형성된다. Specifically, the distance between the first and second electrodes 147 and 158 in the red sub-pixel region R is defined as the first distance d1 and the distance between the first and second electrodes 147 and 158 in the green sub- 158 and the distance between the first and second electrodes 147 and 158 in the blue sub pixel region B is defined as the third distance d3, The third distance d3 of the red sub-pixel region R emitting the long red light has the largest value and the blue sub-pixel region B emitting the blue light having the shortest wavelength, Has the shortest value. That is, the first distance d1> the second distance d2> the third distance d3. As described above, in order to adjust the first distance d1, the second distance d2, and the third distance d3, a red auxiliary hole transport layer R′HTL 221 is formed in the red subpixel area R. In the green subpixel area G, a green auxiliary hole transport layer G'HTL 222 is formed.

한편, 도시되지는 않았으나, 제 2 전극(158) 상부에는 광 추출 효과를 증가시키기 위한 캡핑층(capping layer)이 더욱 형성될 수 있다.
Meanwhile, although not shown, a capping layer may be further formed on the second electrode 158 to increase the light extracting effect.

유기발광층(155)은 순차적으로 적층 된 P-정공수송층(P-HTL, 210)과, 정공수송층(hole transporting layer: HTL, 220)과, 레드 및 그린 발광물질층(231, 232) 및 블루공통발광물질층(233)을 포함하는 발광물질층(230)과, 전자수송층(240)을 포함한다. The organic light emitting layer 155 is a P-hole transport layer (P-HTL, 210), a hole transporting layer (HTL, 220), a red and green light emitting material layer (231, 232) and blue common stacked sequentially The light emitting material layer 230 including the light emitting material layer 233 and the electron transport layer 240 are included.

또한, 유기발광층(155)은, 레드 발광물질층(231) 하부에 형성된 레드 보조정공수송층(221)과, 그린 발광물질층(232) 하부에 형성된 그린 보조정공수송층(222)을 포함한다.In addition, the organic light emitting layer 155 may include a red auxiliary hole transport layer 221 formed under the red light emitting material layer 231, and a green auxiliary hole transport layer 222 formed under the green light emitting material layer 232.

또한, 유기발광층(155)은, 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)에 공통으로 형성되며, 블루공통발광물질층(233) 상부에 위치하는 전자정공수송보완층(250)을 포함한다.In addition, the organic light emitting layer 155 is formed in common in the red, green, and blue subpixel areas R, G, and B, and the electron hole transport supplement layer 250 is disposed on the blue common light emitting material layer 233. It includes.

이하, 각각에 대해서 살펴보면, 먼저 순차적으로 적층 된 P-정공수송층(210)과 정공수송층(220)은 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)에 공통으로 형성되어, 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 한다. Hereinafter, referring to each, first, the P-hole transport layer 210 and the hole transport layer 220 sequentially stacked are commonly formed in the red, green, and blue subpixel areas R, G, and B, and thus transport holes. It plays a role in smoothing.

여기서, P-정공수송층(210)은 예를 들면 NPD(N, N-dinaphthyl-N, N’-diphenyl benzidine), TPD(N, N’-bis-(3-methylphenyl)-N, N’-bis(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4, 4’, 4″-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어지며, 정공의 수송을 보다 원활하게 하기 위해서, P-타입 도펀트(dopant)가 도핑(doping) 된다. Here, the P-hole transport layer 210 is, for example, NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N'- bis (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4, 4 ', 4 ″ -Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine) In order to smoothly transport the holes, the P-type dopant is doped.

여기서, P-타입 도펀트는 예를 들면, 루모(LUMO: lowest unoccupied molecular orbital) 레벨(level)이 -5eV이하이며, 분자량이 76이상인 유기화합물이 될 수 있다.Here, the P-type dopant may be, for example, an organic compound having a low unoccupied molecular orbital (LUMO) level of −5 eV or less and a molecular weight of 76 or more.

보다 구체적인 예는, 화학식(1) 내지 화학식(6)으로 표현될 수 있는 물질이 될 수 있다.More specific examples may be a material that can be represented by the formula (1) to formula (6).

화학식(1) 화학식(2)Formula (1) Formula (2)

Figure pat00007
Figure pat00008

Figure pat00007
Figure pat00008

화학식(3) 화학식(4)Formula (3) Formula (4)

Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00009
Figure pat00010

화학식(5) 화학식(6)Formula (5) Formula (6)

Figure pat00011
Figure pat00012

Figure pat00011
Figure pat00012

정공수송층(220)은 예를 들면 NPD(N, N-dinaphthyl-N, N’-diphenyl benzidine), TPD(N, N’-bis-(3-methylphenyl)-N, N’-bis(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4, 4’, 4″-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어 질 수 있다.The hole transport layer 220 is, for example, NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4, 4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine) may be made of any one or more selected from the group consisting of.

발광물질층(230) 상부의 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)에 공통으로 형성되는 전자수송층(240)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 한다. The electron transport layer 240 formed in common in the red, green, and blue subpixel regions R, G, and B on the light emitting material layer 230 serves to facilitate the transport of electrons.

한편, 도시하지는 않았으나, P-정공수송층(210) 하부에는 정공의 주입을 원활하게 하기 위하여 정공주입층이, 전자수송층(ETL, 240) 상부에는 전자의 주입을 원활하게 하기 위하여 전자주입층이 더욱 형성될 수 있다.
Although not shown, the P-hole transport layer 210 has a hole injection layer below the P-hole transport layer 210 to facilitate the injection of holes, and an electron injection layer is further provided on the ETL 240 to facilitate the injection of electrons. Can be formed.

발광물질층(230)은, 레드 발광물질층(R-EML, 231)과, 그린 발광물질층(G-EML, 232)과, 블루공통발광물질층(BCL, 233)을 포함한다. The light emitting material layer 230 includes red light emitting material layers R-EML 231, green light emitting material layers G-EML 232, and blue common light emitting material layers BCL and 233.

구체적으로, 블루공통발광물질층(BCL, 233)은 정공수송층(220) 상부에 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)에 공통으로 형성된다. In detail, the blue common light emitting material layers BCL and 233 are commonly formed on the red, green, and blue subpixel regions R, G, and B on the hole transport layer 220.

다시 말하면, 블루공통발광물질층(233)은 기판(110) 전면에 형성된다. 이에 따라, 블루공통발광물질층(233)을 형성하기 위한 별개의 마스크를 사용하지 않을 수 있어, 제조 비용이 감소되고 생산성이 향상된다.In other words, the blue common light emitting material layer 233 is formed on the entire surface of the substrate 110. Accordingly, a separate mask for forming the blue common light emitting material layer 233 may not be used, thereby reducing manufacturing cost and improving productivity.

여기서, 블루공통발광물질층(233)의 발광물질은 예를 들면 형광 물질이 될 수 있다. The light emitting material of the blue common light emitting material layer 233 may be, for example, a fluorescent material.

레드 및 그린 발광물질층(231, 232)은 블루공통발광물질층(233) 상부에 위치하며, 레드 및 그린 부화소영역(R, G) 각각에 형성된다. The red and green light emitting material layers 231 and 232 are disposed on the blue common light emitting material layer 233 and are formed in the red and green subpixel areas R and G, respectively.

여기서, 레드 및 그린 발광물질층(231, 232)의 발광물질은 예를 들면 인광물질이 될 수 있다.The light emitting materials of the red and green light emitting material layers 231 and 232 may be, for example, phosphorescent materials.

이와 같이, 예를 들어 블루공통발광물질층(233)을 형광물질로, 레드 및 그린 발광물질층(231, 232)을 인광물질로 구성하는 이유는, 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)에서 청색 빛의 발광 정도를 달리하기 위함이다. As such, for example, the blue common light emitting material layer 233 is formed of a fluorescent material, and the red and green light emitting material layers 231 and 232 are formed of a phosphor. This is to change the degree of emission of blue light in G and B).

구체적으로, 전자정공수송보완층(250)은 예를 들면 바이폴라 특성을 가진 인광 물질로 이루어진다(이에 대해서는 차후에 보다 상세하게 설명한다). 이 경우, 블루 부화소영역(B)에서는 전자정공수송보완층(250)을 통과한 전자가 블루공통발광물질층(233)으로 쉽게 도달되어 청색 빛의 발광 효율이 좋아진다. Specifically, the electron hole transport complementary layer 250 is made of, for example, a phosphor material having bipolar characteristics (this will be described in more detail later). In this case, in the blue subpixel area B, electrons passing through the electron hole transport complementary layer 250 easily reach the blue common light emitting material layer 233, thereby improving the light emission efficiency of blue light.

반면에, 레드 및 그린 부화소영역(R, G)에서는 레드 및 그린 발광물질층(231, 232)의 발광물질을 인광 물질로 하였는바, 전자는 인광 물질에 의해 레드 및 그린 발광물질층(231, 232)에 더욱 오래 머무르게 된다. 이에 따라, 전자는 블루공통발광물질층(233)으로 쉽게 도달하지 못한다. 그러나 전자정공수송보완층(250)을 통과한 정공은 전자정공수송보완층(250)에 의해 레드 및 그린 발광물질층(231, 232)으로 쉽게 도달한 바, 레드 및 그린 발광물질층(R, G) 각각에서 적색 및 녹색 빛을 발광하게 되고 청색 빛의 발광은 억제된다.On the other hand, in the red and green subpixel regions R and G, the light emitting materials of the red and green light emitting material layers 231 and 232 are used as phosphors, and the former is formed of the red and green light emitting material layers 231 by the phosphors. 232). Accordingly, electrons do not easily reach the blue common light emitting material layer 233. However, holes passing through the electron hole transport complementary layer 250 easily reach the red and green light emitting material layers 231 and 232 by the electron hole transport complementary layer 250, and thus the red and green light emitting material layers R, G) each emit red and green light and the emission of blue light is suppressed.

한편, 레드 발광물질층(231) 및 그린 발광물질층(232) 각각의 하부에 형성된 레드 보조정공수송층(221)과 그린 보조정공수송층(222)은 제 1 및 제 2 전극(147, 158) 사이의 거리를 조절하여, 마이크로 캐버티를 구현한다.
Meanwhile, the red auxiliary hole transport layer 221 and the green auxiliary hole transport layer 222 formed under each of the red light emitting material layer 231 and the green light emitting material layer 232 are disposed between the first and second electrodes 147 and 158. By adjusting the distance, the microcavity is implemented.

이하, 전자정공수송보완층(250)에 대해서 살펴본다. Hereinafter, the electron hole transport supplementary layer 250 will be described.

전자정공수송보완층(250)은 블루공통발광물질층(233) 상부에 위치하여 레드, 그린 및 블루 부화소영역(R, G, B)에 공통으로 형성된다.The electron hole transport complementary layer 250 is disposed on the blue common light emitting material layer 233 and is commonly formed in the red, green, and blue subpixel regions R, G, and B.

다시 말하면, 전자정공수송보완층(250)은 기판(110) 전면에 형성된다. 이에 따라, 전자정공수송보완층(250)을 형성하기 위한 별개의 마스크를 사용하지 않을 수 있어, 제조 비용이 감소되고 생산성이 향상된다.In other words, the electron hole transport supplement layer 250 is formed on the entire surface of the substrate 110. Accordingly, a separate mask for forming the electron hole transport supplementary layer 250 may not be used, thereby reducing manufacturing costs and improving productivity.

여기서, 블루공통발광물질층(233) 상부에 전자정공수송보완층(250)을 형성하는 이유는, 레드 및 그린 부화소영역(R, G)에서 청색 발광을 억제하고 정공이 레드 및 그린 발광물질층(231, 232)에 원활하게 수송될 수 있도록 하여 적색 및 녹색이 효율적으로 발광할 수 있도록 하기 위함이다. The reason for forming the electron hole transport complementary layer 250 on the blue common light emitting material layer 233 is to suppress blue light emission in the red and green subpixel regions R and G, and the hole is a red and green light emitting material. This is to allow the red and green to efficiently emit light by being able to be smoothly transported to the layers 231 and 232.

구체적으로, 전자수송층(240)을 통과한 전자의 일부가 블루공통발광물질층(233)에 수송되는 것을 제한함으로써 블루공통발광물질층(233)의 청색 발광을 일부 제한한다.Specifically, part of the electrons passing through the electron transport layer 240 is restricted to transport to the blue common light emitting material layer 233 to limit the blue light emission of the blue common light emitting material layer 233 in part.

이에 따라, 블루공통발광물질층(233)의 청색의 효율 예를 들면 휘도는 원래 구현하고자 하는 휘도보다 낮아진다. Accordingly, the blue efficiency of the blue common light emitting material layer 233, for example, the luminance, is lower than the luminance originally intended.

반면에, 블루공통발광물질층(233)을 통과한 정공은 전자정공수송보완층(250)에 의해 효율적으로 레드 및 블루 발광물질층(231, 233)에 도달할 수 있는 바, 적색 및 녹색의 색감에는 변화가 거의 나타나지 않는다.On the other hand, the hole passing through the blue common light emitting material layer 233 can reach the red and blue light emitting material layers 231 and 233 by the electron hole transport complementary layer 250, the red and green There is little change in color.

따라서, 블루공통발광물질층(233)에서 발광되는 청색 발광은 레드 및 그린 부화소영역(R, G)의 적색 및 녹색 발광에 아주 미세한 영향을 미쳐, 적색 및 녹색 발광의 색감 변화는 거의 나타나지 않으며, 적색 및 녹색의 색감 변화가 나타나더라도 그 값은 미세하여 시청자는 인지하지 못한다. 즉, 화질에는 영향을 미치지 않는다.Therefore, the blue light emitted from the blue common light emitting material layer 233 has a very small influence on the red and green light emission of the red and green subpixel regions R and G, and thus the color change of the red and green light emission is hardly exhibited. However, even if the color change of red and green appears, the value is minute and it is not recognized by the viewer. In other words, the image quality is not affected.

또한, 블루 부화소영역(B)에서는 청색은 낮은 휘도를 가지게 되나, 마찬가지로 이러한 낮아진 휘도는 시청자가 거의 인지하지 못하는 바 화질에는 영향을 미치지 않는다.In addition, in the blue subpixel area B, blue has a low luminance, but likewise, such a reduced luminance does not affect the image quality since the viewer hardly perceives it.

한편, 블루공통발광물질층(233)의 수명은 연장된다. 이는, 발광다이오드(도 2의 E)는 전류가 흐르면서 구동되는 것으로서, 높은 전류가 흐를 경우 발광 효율은 우수해지나 그 만큼 수명은 감소된다. 다시 말하면, 유기발광층(155)에는 허용될 수 있는 총 전류 양이 정해져 있으며, 높은 전류가 흐른다는 것은 그 만큼 많은 양의 전류가 유기발광층(155)에 흐르는 것을 의미하는 바, 유기발광층(155)이 수명은 단축된다. On the other hand, the life of the blue common light emitting material layer 233 is extended. This means that the light emitting diode (E of FIG. 2) is driven while current flows, and when the high current flows, the light emitting efficiency is excellent, but the lifetime is reduced by that amount. In other words, the total amount of allowable current is set in the organic light emitting layer 155, and the high current flows in the organic light emitting layer 155, which means that a large amount of current flows in the organic light emitting layer 155. This life is shortened.

이때, 본 발명의 제 1 실시예에서는 전자정공수송보완층(250)이 블루공통발광물질층(233)에 도달하는 전자의 양을 제한하여, 블루공통발광물질층(233)에는 일반 발광다이오드보다 낮아진 전류가 흐르게 되는 바, 블루공통발광물질층(233)의 수명이 연장된다. At this time, in the first embodiment of the present invention, the electron hole transport complementary layer 250 restricts the amount of electrons reaching the blue common light emitting material layer 233, so that the blue common light emitting material layer 233 has a higher thickness than that of a general light emitting diode. As the lowered current flows, the life of the blue common light emitting material layer 233 is extended.

즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광다이오드(E)는 일반적인 발광다이오드의 색감은 유지하면서, 수명이 연장된 블루공통발광물질층(233)을 제공한다. That is, the light emitting diode (E) according to the first embodiment of the present invention provides a blue common light emitting material layer 233 having a long life while maintaining the color of a general light emitting diode.

이를 위하여, 전자정공수송보완층(250)은 예를 들면, 전자 수송 능력과 정공 수송능력을 모두 가진 바이폴라(bipolar) 특성을 가지며, 전자 및 정공 이동도가 10-7m/V?s인 인광 물질이 될 수 있다.To this end, the electron hole transport supplement layer 250 has, for example, a bipolar characteristic having both electron transport capability and hole transport capability, and a phosphor having an electron and hole mobility of 10-7 m / V? S. This can be

또한, 인광 물질의 T1 레벨(level)은 예를 들면, 2.7eV 이상이다. 여기서, T1 레벨은 인광 물질의 삼중항 상태(triplet state)의 에너지 레벨을 나타낸다.In addition, the T1 level of the phosphor is, for example, 2.7 eV or more. Here, the T1 level represents the energy level of the triplet state of the phosphor.

구체적으로, 인광 물질은 들뜬 상태(일중항 상태: singlet state)에서 바로 바닥 상태(ground state)로 전이 되면서 발광하는 형광 물질과 달리, 들뜬 상태에서 준안정상태 즉, 삼중항 상태로 전이 되고, 삼중항 상태에서 바닥 상태로 전이되면서 빛을 발광한다.Specifically, in contrast to the fluorescent material that emits light from the excited state (singlet state) to the ground state (singlet state), it is transitioned from the excited state to the metastable state, that is, triplet state, triple It emits light as it transitions from the steady state to the ground state.

다시 말하면, T1 레벨은 삼중항 상태인 인광 물질의 에너지 레벨을 나타낸다.In other words, the T1 level represents the energy level of the phosphor in triplet state.

이때, 인광 물질의 T1 레벨이 예를 들면, 2.7eV 이상인 이유는, 전자정공수송보완층(250)이 정공 수송을 원활하게 하도록 할 뿐만 아니라, 전자정공수송보완층(250)에서 원하지 않는 빛의 발광을 방지하기 위함이다.At this time, the reason why the T1 level of the phosphor is, for example, 2.7 eV or more is that the electron hole transport supplement layer 250 not only facilitates the hole transport but also the unwanted light in the electron hole transport supplement layer 250. This is to prevent light emission.

구체적으로, 인광 물질의 T1 레벨이 2.7eV 미만인 경우, T1 레벨의 값이 작기 때문에 인광물질은 준안정상태에서 쉽게 바닥상태로 전이 됨으로써 정공수송 능력을 상실하게 한다.Specifically, when the T1 level of the phosphor is less than 2.7 eV, since the value of the T1 level is small, the phosphor easily transitions from the metastable state to the ground state, thereby losing the hole transport ability.

다시 말하면, 인광 물질의 T1레벨이 낮을 경우, 전자와 정공은 전자정공수송보완층(250)에서 서로 결합하게 되고, 이에 따라 정공이 레드 및 그린 발광층(231, 232)으로 수송되지 못할 뿐만 아니라 전자정공수송보완층(250)에서 원하지 않는 빛이 발광하게 된다. In other words, when the T1 level of the phosphor is low, the electrons and holes are coupled to each other in the electron hole transport complementary layer 250, and thus, the holes may not be transported to the red and green light emitting layers 231 and 232 as well as the electrons. Unwanted light is emitted from the hole transport supplement layer 250.

반면, 인광 물질의 T1 레벨이 예를 들면, 2.7eV이상인 경우, 준에너지상태의 인광물질은 들뜬 상태로 전이가 쉽게 일어날 수 있다. 이에 따라 인광물질은 발광하지 않게 될 뿐만 아니라 정공 수송 능력을 여전히 보유할 수 있게 된다.On the other hand, when the T1 level of the phosphor is, for example, 2.7 eV or more, the phosphor in the quasi-energy state may easily transition to the excited state. As a result, the phosphor not only emits light but still retains its hole transport ability.

한편, 전자정공수송보완층(250)의 두께는 50 내지 150Å으로 하는 것이 바람직하다. On the other hand, the thickness of the electron hole transport supplement layer 250 is preferably set to 50 to 150 kPa.

이는, 전자정공수송보완층(250)의 두께가 50Å 미만인 경우, 그 두께가 너무 얇아 전자정공수송보완층(250)에 의해 블루공통발광물질층(233)에 도달하는 전자를 억제하지 못하기 때문이다. 반면, 전자정공수송보완층(250)의 두께가 150Å 초과인 경우, 그 두께가 너무 두꺼워 전자정공수송보완층(250)에 의해 정공이 레드 및 그린 발광물질층(231, 232)으로 수송되는 것을 차단하기 때문이다.
This is because, when the thickness of the electron hole transport supplement layer 250 is less than 50 mm, the thickness is too thin to suppress electrons reaching the blue common light emitting material layer 233 by the electron hole transport supplement layer 250. to be. On the other hand, when the thickness of the electron hole transport supplement layer 250 is greater than 150 mm, the thickness is so thick that the holes are transported to the red and green light emitting material layers 231 and 232 by the electron hole transport supplement layer 250. Because it blocks.

전술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는 블루 부화소영역에만 형성되는 블루발광물질층(도 1의 6 참조)을 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 공통으로 형성한다. 즉, 기판 전면에 형성한다.As described above, in the first embodiment of the present invention, a blue light emitting material layer (see 6 in FIG. 1) formed only in the blue subpixel region is formed in common in the red, green, and blue subpixel regions. In other words, it is formed on the entire substrate.

이에 따라, 블루 부화소영역에만 정격화된 파인 메탈 마스크(fine metal mask) 사용을 제거 할 수 있을 뿐만 아니라, 블루발광물질층(도 1의 6 참조)을 증착하기 위한 별개의 챔버 사용을 제거할 수 있다. 따라서 제조 비용이 감소된다.This not only eliminates the use of fine metal masks rated for the blue subpixel area, but also eliminates the use of a separate chamber for depositing a blue light emitting layer (see FIG. 1). Can be. Thus reducing manufacturing costs.

또한, 파인 메탈 마스크를 사용하여 부화소영역 각각에 대응되는 발광물질층을 형성하기 위한 제조 과정에서 빈번히 발생하던 불량을 개선할 수 있는 바, 생산성이 향상된다. In addition, the fine metal mask can be used to improve the defects frequently generated during the manufacturing process for forming the light emitting material layer corresponding to each of the subpixel regions, thereby improving productivity.

또한, 전자정공수송보완층이 형성되어 블루공통발광물질층의 청색 발광을 일부 제한할 수 있어, 색감은 그대로 유지되면서 수명은 연장된 유기발광표시장치를 제공할 수 있다.
In addition, an electron hole transport complementary layer may be formed to partially limit blue light emission of the blue common light emitting material layer, thereby providing an organic light emitting display device having a long life while maintaining color.

<제 2 실시예>&Lt; Embodiment 2 >

이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광다이오드(도 2의 E)에 대해서 살펴본다.Hereinafter, a light emitting diode (E of FIG. 2) according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광다이오드(도 2의 E)의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting diode (E of FIG. 2) according to a second embodiment of the present invention.

먼저, 제 1 실시예와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 설명을 생략하며, 동일한 도면 부호를 사용한다.
First, the description of the same or similar parts as those in the first embodiment is omitted, and the same reference numerals are used.

제 1 실시예에서는 제 1 전극(도 3의 147)을 반사전극으로 구성하고, 제 2 전극(도 3의 158)을 반투명 전극으로 구성하여 마이크로 캐버티를 이용한 유기발광다이오드에 관한 것이었으나, 제 2 실시예에서는 이에 한정되지 않는다.In the first embodiment, the first electrode (147 of FIG. 3) is composed of a reflective electrode, and the second electrode (158 of FIG. 3) is composed of a semi-transparent electrode. In the second embodiment, the present invention is not limited thereto.

즉, 블루공통발광물질층(233) 및 전자정공수송보완층(250)은 마이크로 캐버티를 이용하지 않는 발광다이오드에도 적용될 수 있으며, 이 경우 레드 및 그린 보조정공수송층(도 3의 221, 222)은 생략될 수 있다.That is, the blue common light emitting material layer 233 and the electron hole transport complementary layer 250 may be applied to a light emitting diode that does not use the microcavity, in which case the red and green auxiliary hole transport layers (221 and 222 of FIG. 3). May be omitted.

이때, 레드 부화소영역(R)의 제 1 및 제 2 전극(147, 158) 사이의 제 1 거리(d1)는 그린 부화소영역(G)의 제 1 및 제 2 전극(147, 158) 사이의 제 2 거리(d2)와 같으며, 블루 부화소영역(B)의 제 1 및 제 2 전극(147, 158) 사이의 제 3 거리(d3)보다는 크다.In this case, the first distance d1 between the first and second electrodes 147 and 158 of the red subpixel area R is between the first and second electrodes 147 and 158 of the green subpixel area G. It is equal to the second distance d2 of, and is greater than the third distance d3 between the first and second electrodes 147 and 158 of the blue subpixel area B.

한편, 제 1 전극(147)을 투명 전극 또는 반투명 전극으로 제 2 전극(158)을 반사전극으로 구성하여 전면발광뿐만 아니라 배면 발광에도 적용될 수 있다.
Meanwhile, the first electrode 147 may be a transparent electrode or a translucent electrode, and the second electrode 158 may be a reflective electrode, which may be applied to not only top emission but also bottom emission.

한편, 제 1 및 제 2 실시예에서는 전면 발광 및 배면 발광을 일예로 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며 양면 발광에도 적용될 수 있다.
Meanwhile, in the first and second embodiments, the top emission and the bottom emission have been described as an example, but the present invention is not limited thereto.

본 발명은 한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.The present invention is not limited to one embodiment, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

147: 제 1 전극 158: 제 2 전극 210: P-정공수송층
220: 정공수송층 230: 발광물질층 240: 전자수송층
250: 전자정공수송보완층147: first electrode 158: second electrode 210: P-hole transport layer
220: hole transport layer 230: light emitting material layer 240: electron transport layer
250: electron hole transport supplement layer

Claims (8)

레드, 그린 및 블루 부화소영역이 정의되는 기판과;
상기 기판 상부에 위치하며 서로 마주보는 제 1 전극 및 제 2 전극과;
상기 제 1 전극 상부에 위치하는 정공수송층과;
상기 정공수송층 상부에 위치하며 상기 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 공통으로 형성되는 블루공통발광물질층과, 상기 블루공통발광물질층 상부에 위치하고 상기 레드 및 그린 부화소영역 각각에 대응되는 레드 및 그린 발광물질층을 포함하는 발광물질층과;
상기 블루공통발광물질층 전면에 형성되며, 상기 레드, 그린 및 블루 부화소영역에 공통으로 형성되고, 제 1 물질로 구성되는 전자정공수송보완층
을 포함하고,
상기 제 1 물질은 인광물질로서 바이폴라 특성을 가지며, T1레벨이 2.7eV이상인 유기발광다이오드표시장치.
A substrate on which red, green, and blue subpixel regions are defined;
First and second electrodes disposed on the substrate and facing each other;
A hole transport layer on the first electrode;
A blue common light emitting material layer positioned on the hole transport layer and formed in common in the red, green and blue subpixel areas, a red common layer located on the blue common light emitting material layer and corresponding to each of the red and green subpixel areas; A light emitting material layer including a green light emitting material layer;
An electron hole transport supplement layer formed on the entire surface of the blue common light emitting material layer and formed in common in the red, green, and blue subpixel areas, and composed of a first material.
/ RTI &gt;
Wherein the first material is a phosphor and has a bipolar characteristic, and has a T1 level of 2.7 eV or more.
제 1 항에 있어서,
상기 전자정공수송보완층의 두께는 50 내지 150Å인 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode display device having a thickness of the electron hole transport complementary layer is 50 to 150Å.
제 1 항에 있어서,
상기 정공수송층과 상기 제 1 전극 사이에 P타입 도펀트를 포함하는 P-정공수송층이 더욱 형성된 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode display device further comprising a P-hole transport layer including a P-type dopant between the hole transport layer and the first electrode.
제 3 항에 있어서,
상기 P타입 도펀트는 하기 화학식(1) 내지 화학식(6)에 표시된 물질 중 어느 하나인 유기발광다이오드표시장치.

화학식(1) 화학식(2)
Figure pat00013
Figure pat00014

화학식(3) 화학식(4)
Figure pat00015
Figure pat00016

화학식(5) 화학식(6)
Figure pat00017
Figure pat00018

The method of claim 3, wherein
The P-type dopant is any one of the substances represented by the following formula (1) to formula (6).

Formula (1) Formula (2)
Figure pat00013
Figure pat00014

Formula (3) Formula (4)
Figure pat00015
Figure pat00016

Formula (5) Formula (6)
Figure pat00017
Figure pat00018

 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전극과 상기 발광물질층 사이에 전자수송층이 더욱 형성된 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode display device further comprising an electron transport layer between the second electrode and the light emitting material layer.
제 1 항에 있어서,
상기 전자정공수송보완층과 상기 레드 발광물질층 및 상기 그린 발광물질층 사이에 각각 위치하는 레드 보조정공수송층 및 그린 보조정공수송층을 더욱 포함하는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
And a red auxiliary hole transport layer and a green auxiliary hole transport layer respectively disposed between the electron hole transport complementary layer, the red light emitting material layer, and the green light emitting material layer.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 반사전극이고, 상기 제 2 전극은 반투명 전극이며,
상기 레드, 그린 및 블루 부화소영역 각각에서 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 거리는, 제 1 거리, 제 2 거리 및 제 3 거리로 정의되고,
상기 제 1 거리, 상기 제 2 거리 및 상기 제 3 거리는 제 1 거리 > 제 2 거리 > 제 3 거리인 유기발광다이오드표시장치.
The method according to claim 6,
The first electrode is a reflective electrode, the second electrode is a translucent electrode,
The distance between the first and second electrodes in each of the red, green, and blue subpixel regions is defined as a first distance, a second distance, and a third distance,
And the first distance, the second distance, and the third distance are a first distance> a second distance> a third distance.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 투명전극이고, 상기 제 2 전극은 반사전극이며,
상기 레드, 그린 및 블루 부화소영역 각각에서 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 거리는, 제 1 거리, 제 2 거리 및 제 3 거리로 정의되고,
상기 제 1 거리, 상기 제 2 거리 및 상기 제 3 거리는 제 1 거리 = 제 2 거리 > 제 3 거리인 유기발광다이오드표시장치.The method of claim 1,
The first electrode is a transparent electrode, the second electrode is a reflective electrode,
The distance between the first and second electrodes in each of the red, green, and blue subpixel regions is defined as a first distance, a second distance, and a third distance,
And the first distance, the second distance, and the third distance are a first distance = a second distance> a third distance.
KR1020110136378A 2011-12-16 2011-12-16 organic light emitting diode display device KR101929344B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110136378A KR101929344B1 (en) 2011-12-16 2011-12-16 organic light emitting diode display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110136378A KR101929344B1 (en) 2011-12-16 2011-12-16 organic light emitting diode display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130070671A true KR20130070671A (en) 2013-06-28
KR101929344B1 KR101929344B1 (en) 2019-03-13

Family

ID=48865339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110136378A KR101929344B1 (en) 2011-12-16 2011-12-16 organic light emitting diode display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101929344B1 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150018716A (en) * 2013-08-09 2015-02-24 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Device And Method of manufacturing the same
KR20160035561A (en) * 2014-09-23 2016-03-31 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Device
KR20170015714A (en) * 2015-07-30 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR20170035409A (en) * 2015-09-22 2017-03-31 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device, display device having the same and fabrication method of display device
KR20170074566A (en) * 2015-12-22 2017-06-30 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device
US9893124B2 (en) 2014-04-30 2018-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3400260B2 (en) * 1995-09-13 2003-04-28 株式会社東芝 Organic thin film element
KR20110109559A (en) * 2010-03-31 2011-10-06 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3400260B2 (en) * 1995-09-13 2003-04-28 株式会社東芝 Organic thin film element
KR20110109559A (en) * 2010-03-31 2011-10-06 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150018716A (en) * 2013-08-09 2015-02-24 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Device And Method of manufacturing the same
US9893124B2 (en) 2014-04-30 2018-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display
KR20160035561A (en) * 2014-09-23 2016-03-31 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Device
KR20170015714A (en) * 2015-07-30 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR20170035409A (en) * 2015-09-22 2017-03-31 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device, display device having the same and fabrication method of display device
KR20170074566A (en) * 2015-12-22 2017-06-30 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101929344B1 (en) 2019-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8847215B2 (en) Organic light-emitting diode and method of fabricating the same
US9263502B2 (en) Organic light emitting element, organic light emitting display device, and method of manufacturing the organic light emitting display device
KR102602164B1 (en) Organic light emitting diode display
CN109904337B (en) Organic light emitting diode display
CN112071996B (en) Organic light emitting device and organic light emitting display device using the same
KR101454752B1 (en) organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
JP6475251B2 (en) Organic light-emitting display device and top emission type OLED device with improved viewing angle characteristics
TWI500144B (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US8716931B2 (en) Organic light emitting diode (OLED) display
KR101929344B1 (en) organic light emitting diode display device
KR20140087813A (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
KR20090046100A (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
KR20120047003A (en) White organic light emitting device and display device using the same
JP4479171B2 (en) Display element
KR102569723B1 (en) White organic light emitting display device applying micro cavity
KR101686808B1 (en) Quantum dot luminescent display device
KR20130046640A (en) Organic electroluminescent diode and method of fabricating the same
KR20100020724A (en) Organic light emitting display and manufacturing method of the same
KR101927207B1 (en) organic light emitting diode display device
JP2005011734A (en) Display element and display device
KR20100137272A (en) Organic light emitting display device and method for fabricating the same
JP2008141174A (en) Organic light emitting device
KR20130047200A (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
KR101888157B1 (en) organic light emitting diode display device
KR102113609B1 (en) Organic light emitting display and manufactucring method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant