KR20130064071A - 광자 열 프로세싱 시스템용 스플릿 배플들을 갖는 퍼지 링 - Google Patents
광자 열 프로세싱 시스템용 스플릿 배플들을 갖는 퍼지 링 Download PDFInfo
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Abstract
광자 온도 프로세싱 시스템용 퍼지 링은 제 1 층, 제 2 층, 및 제 3 층을 포함한다. 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층은 내부 영역을 정의한다. 제 1 층 및 제 2 층은 제 1 플리넘 (plenum) 및 제 1 배플 (baffle) 을 정의한다. 제 1 필리넘은 제 1 플리넘 및 제 1 배플을 통해 내부 영역으로 흐르는 제 1 가스를 수용한다. 제 2 층 및 제 3 층은 제 2 플리넘 및 제 2 배플을 정의한다. 제 2 플리넘은 제 2 플리넘 및 제 2 배플을 통해 내부 영역으로 흐르는 제 2 가스를 수용하고, 제 2 배플은 제 1 배플보다 덜 제한적인 것 및 더 제한적인 것 중 하나이다.
Description
관련 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2011 년 4 월 20 일에 출원된 미국 유틸리티 출원 제 13/090,478 호에 대한 우선권을 주장한다. 본 출원은 또한 2010 년 4 월 22 일에 출원된 미국 가출원 제 61/326,870 호의 이점을 주장한다. 상기 출원들의 개시내용들은 그들 전체가 참조로서 본원에 포함된다.
분야
본 개시물은 자외선 열 프로세싱 시스템들에 관한 것이고, 더 구체적으로는, 광자 열 프로세싱 시스템들을 위한 스플릿 배플들을 갖는 퍼지 링들에 관한 것이다.
여기에서 제공되는 배경 설명은 본 개시물의 콘텍스트를 일반적으로 설명하는 목적을 위한 것이다. 작업이 배경 기술 부분에서 설명되는 범위까지, 현재 발명자들의 작업뿐 아니라, 이와 달리 출원 시에 종래기술로서 자격을 갖추지 않을 수도 있는 설명의 양태들은 본 개시물에 대한 종래기술로서 명시적이든 또는 암시적이든 인정되지 않는다.
집적회로들은 일반적으로 낮은 유전 상수들 (저-k) 을 갖는 재료들을 전도성 상호접속부들에 대한 금속간 및/또는 층간 유전체로서 이용한다. 저-k 물질들의 사용은 용량 효과들로 인해 신호 전달에서의 지연을 감소시키는 경향이 있다. 유전 상수가 감소할 때, 유전체의 커패시턴스 및 집적회로 (IC) 의 RC 지연도 감소하는 경향이 있다.
저-k 유전체들은 일반적으로 실리콘 이산화물보다 낮은 유전 상수 (k <= 4) 를 갖는 재료들을 지칭한다. 저-k 재료들을 제공하기 위한 일반적인 방법들은 실리콘 이산화물을 탄화수소 또는 플루오린으로 도핑하는 것을 포함한다. 그러나, 도핑 방법들은, 일반적으로, 약 2.6 보다 낮은 유전 상수들을 갖는 재료들을 생성하지 않는다. 초저-k (ultra low-k: ULK) 유전체 재료들은, 다공성 유전 재료를 생성하는 저-k 유전체 내에 에어 공극들을 포함시킴으로써 획득될 수 있다.
다공성 유전체들을 제작하는 방법들은 일반적으로 기공 유도 중합체 (porogen) 및 유전 재료를 갖는 합성 필름을 형성하는 것을 수반한다. 일단 합성 필름이 기판 상에 형성되면, 기공 유도 중합체 콤포넌트가 제거되어 다공성 유전체 매트릭스를 남겨 둔다. 기공 유도 중합체들을 제거하기 위한 기법들은 기공 유도 중합체를 브레이크 다운시키고 증발시키기에 충분한 온도로 기판을 가열하는 것을 포함한다. 그러나, 기판 온도들은 일반적으로 긴 노출 주기에 걸쳐서 높을 필요가 있는데, 이는 구리 함유 기판들을 손상시킬 수 있다.
유전체 재료의 다공성 저-k 또는 ULK 필름은 기공 유도 중합체를 포함하는 전구체 필름 및 구조물 형성체를 사용하여 기판 상에 형성될 수 있다. 그 후, 전구체 필름은 기공 유도 중합체를 제거하도록 자외선 (UV) 방사에 노출된다. 이 접근방안은 UV 광이 투과되는 윈도우에 기공 유도 중합체 디포짓 (porogen deposits) 을 형성하는 경향이 있다. 기공 유도 중합체 디포짓은 UV 광 전달을 억제한다. 그 결과, 클리닝이 요구되기 전에, 오로지 몇 개의 기판들만이 경화될 수 있다. 가스 전달 배플들을 갖는 퍼지 링들은 윈도우들 및 UV 열 프로세싱 (UVTP) 시스템 내의 다른 표면들 상에서의 초저 유전체 (ULK) 부산물들의 누적을 방지하는 데 사용될 수도 있다.
이제, 도 1 을 참조하면, 퍼지 링 (102) 은 유입부 (104) 및 배기부 (106) 를 포함한다. 유입부 (104) 는 내부 표면 (109) 을 갖춘 측벽 (108) 을 포함한다. 배기부 (106) 는 내부 표면 (111) 을 갖춘 측벽 (110) 을 포함한다. 퍼지 링 (102) 은 유입부 (104) 의 내부 표면 (109) 을 통해 내부 영역 (112) 으로 퍼지 가스를 제공하고, 배기부 (106) 의 내부 표면 (111) 을 통해 내부 영역 (112) 으로부터 퍼지 가스를 배출한다.
퍼지 링 (102) 은 도 1 의 파선에 의해 표시된 플리넘 (120) 및 배플 (122) 을 더 포함한다. 주기적 클리닝 동작들 동안, 클리닝 가스는 플리넘 (120) 및 배플 (122) 을 통과하여 내부 영역 (112) 으로 흘러 들어가, 윈도우 표면 및 광자 온도 프로세싱 시스템의 다른 부분들을 클리닝한다.
퍼지 링 (102) 은 단부 (127) 에서 유입부 (104) 에 위치된 가스 유입구 (126) 를 포함한다. 퍼지 링 (102) 은 배기부 (106) 에 위치된 배기 채널 (130)(도 1 에서 점선으로 나타내짐) 을 더 포함한다. 퍼지 링 (102) 은 배기부 (106) 의 내부 표면 (111) 상에 배출 개구 (132) 를 포함한다. 가스 및 다른 물질 (matter)(예컨대, 부유 입자 물질 (suspended particulate matter)) 는 내부 영역 (112) 으로부터 배기 채널 (130) 내로 흘러 들어간다. 가스 및 다른 물질은 단부 (137) 에 위치된 배기구 (136) 내로 흘러 들어간다. 일반적으로, 배기 펌프 (미도시) 는 가스 및 다른 물질을 내부 영역 (112) 으로부터 배기 채널 (130) 및 배기구 (136) 를 통과하여 인출하도록 하는 흡입 (suction) 을 제공한다. 흐름 화살표들 (140) 은 플리넘 (120) 으로부터 배플 (122) 을 통과하여 내부 영역 (112) 내로의 가스의 흐름을 나타낸다. 흐름 화살표들 (150) 은 내부 영역 (112) 으로부터 배기 채널 (130) 내로의 가스의 흐름을 나타낸다.
이제, 도 2 를 참조하면, 유입부 (104) 의 측벽 (108) 의 단면도 (200) 가 제시된다. 측벽 (108) 은 플리넘 (120) 및 배플 (122) 을 정의하는 하부 (202) 및 상부 (204) 를 포함한다. 가스는 배플 (122) 을 통과하여 내부 영역 (112) 으로 흐른다.
이제, 도 3 을 참조하면, 예시적인 광자 온도 프로세싱 시스템 (300) 이 퍼지 링 (102) 을 포함하는 것으로 도시된다. 광자 온도 프로세싱 시스템 (300) 은, 반도체 웨이퍼와 같은 기판 (310) 을 홀딩하는 받침대 (308) 를 갖춘 챔버 (306) 를 포함한다. 받침대 히터 (312) 는 기판 (310) 및 퍼지 링 (102)과 같은 다른 콤포넌트들을 가열하는 데 사용될 수도 있다. 광자 온도 프로세싱 시스템 (300) 은 UV 광 및 열을 제공하여 위치된 기판 (310) 을 경화하기 위한 하나 이상의 UV 램프들 (316) 을 더 포함한다. 퍼지 링 (102) 은 윈도우 (318) 와 받침대 (308) 사이에 위치될 수도 있다. UV 램프들 (316) 및 윈도우 (318) 는 램프 어셈블리 (320) 에 위치될 수도 있다.
광자 온도 프로세싱 시스템 (300) 은 가스 유입구 (126) 에 커플링된 유입관 (340) 을 포함한다. 배기관 (342) 은 배기구 (136) 에 커플링된다. 광자 온도 프로세싱 시스템 (300) 은, 퍼지 링 (102) 및 램프 어셈블리 (320) 를 지지하고 공간적으로 배향하도록 구성된 상측 플레이트 (330) 를 더 포함하며, 램프 어셈블리 (320) 는 윈도우 (318) 를 포함한다.
유입관 (340) 및 배기관 (342) 은 상측 플레이트 (330) 와 통합될 수도 있다. 일반적으로, 광자 온도 프로세싱 시스템 (300) 은 유입관 (340) 을 통해 퍼지 링 (102) 으로 가스를 제공하는 하나 이상의 가스 소스들 (360) 에 접속된다. 가스 소스들 (360) 은 아르곤 (362), 질소 (364), 산소 (366) 와 같은 퍼지 가스, 및 라디칼 산소 가스 O' 를 광자 온도 프로세싱 시스템 (300) 에 제공하는 클리닝 가스 (368) 를 포함할 수도 있다. 퍼지 가스는 히터 (369) 에 의해 가열될 수도 있다.
퍼징 또는 클리닝 동안, 가스는, 가스 흐름 화살표 (370) 에 의해 나타내진 바와 같이, 가스 소스들 (360) 로부터 유입관 (340) 을 통과하여 플리넘 (120) 내로 흘러 들어간다. 그 후, 가스는 플리넘 (120) 으로부터 배플 (122) 을 통해 퍼지 링 (102) 의 내부 영역 (112) 으로 이동한다. 가스는, 가스 흐름 화살표 (372) 에 의해 나타내진 바와 같이, 내부 영역 (112) 을 통과하여 흐른다. 내부 영역 (112) 으로부터, 가스 및 다른 물질이, 흐름 화살표 (374) 에 의해 나타내진 바와 같이, 배기 채널 (130) 에 진입한다. 가스 및 다른 물질은 배기관 (342) 을 통과하여 광자 온도 프로세싱 시스템 (300) 을 벗어난다. 배기 펌프 (376) 는 가스 및 다른 물질을 내부 영역 (112) 으로부터 배기 채널 (130), 배기구 (136) 및 배기관 (342) 을 통해 인출한다.
퍼지 링 (102) 이 윈도우 (318) 를 클린하게 유지시키는 데 있어서 비교적 효율적이기는 하지만, 그것이 윈도우 (318) 위의 모든 기공 유도 중합체 퇴적을 방지할 수는 없다. 그 결과, 윈도우 (318) 를 통해 UV 전달 강도를 복원하기 위해 웨이퍼들의 배치 (batch) 를 프로세싱한 후에 클리닝이 요구된다. 기공 유도 중합체 재료는 또한 챔버 (306) 의 다른 영역들에 고착될 수도 있고, 궁극적으로 입자들이 형성되게 할 수도 있다.
윈도우 (318) 를 클리닝하는 가장 효율적인 공지 방법은 원격으로 생성된 O-플라즈마 (RPC) 와 같은 클리닝 가스를, 배플 (122) 을 통과시켜 흐르게 하는 것이다. 퍼지 링 (102) 에서, 클리닝 가스 종들은 제한부 (배플 (122)) 를 통과하여 흐른다. 제한부는 O-플라즈마를 압축하여 그것이 산소와 재결합하게 한다. 이러한 재결합은 이용 가능한 클린 종들을 감소시켜, 클리닝 가스의 효과를 제한한다.
챔버 (306) 의 나머지를 클리닝하기 위해, 제 2 클리닝 단계가 통상적으로 수행된다. 제 2 클리닝 단계는 UV 램프 (316) 를 사용하여 챔버 (306) 전반에서 오존을 생성하도록 하는 것을 수반한다. 이 접근방안이 챔버 (306) 를 클리닝하는 데 효과적이기는 하지만, 그것은 각각의 클리닝에 상당한 양의 시간을 추가하는 긴 프로세스이다. 현재 클리닝 절차들은 약 5 분의 RPC 및 20 분의 오존을 요구하며, RPC 와 오존 클리닝 사이에서 챔버 (306) 를 가압하기 위해 추가 오버헤드가 요구된다. 이 긴 클리닝 절차는 시스템 수율을 감소시키고, 다량의 가스를 요구하며, 챔버 (306) 및 윈도우 (308) 를 항상 충분히 클리닝하는 것은 아니다.
광자 온도 프로세싱 시스템용 퍼지 링은 제 1 층, 제 2 층, 및 제 3 층을 포함한다. 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층은 내부 영역을 정의한다. 제 1 층 및 제 2 층은 제 1 플리넘 (plenum) 및 제 1 배플 (baffle) 을 정의한다. 제 1 필리넘은 제 1 플리넘 및 제 1 배플을 통해 내부 영역으로 흐르는 제 1 가스를 수용한다. 제 2 층 및 제 3 층은 제 2 플리넘 및 제 2 배플을 정의한다. 제 2 플리넘은 제 2 플리넘 및 제 2 배플을 통해 내부 영역으로 흐르는 제 2 가스를 수용한다. 제 2 배플은 제 1 배플보다 덜 제한적인 것 및 더 제한적인 것 중 하나이다. 제 1 층은 제 1 가스 및 제 2 가스를 내부 영역의 외부로 전달하는 배기 채널을 정의한다.
다른 특징들에서, 내부 영역은 타원형이다. 제 1 배플은 제 2 배플에 인접하게 위치된다. 제 1 배플 및 제 2 배플은 내부 영역의 대략 180
이상에서 배열되고, 배기 채널은 내부 영역의 대략 180
이하에서 배열된다. 제 1 배플은 제 1 층을 포함하는 제 1 평면에 대해 소정 각도로 가스를 흐르게 한다.
다른 특징들에서, 제 1 배플 및 제 2 배플은 제 1 층을 포함하는 제 1 평면에 대해 각각 제 1 각도 및 제 2 각도로 제 1 가스 및 제 2 가스를 각각 흐르게 한다. 제 1 가스는 퍼지 가스이다. 퍼지 가스는 아르곤, 산소 및 질소를 포함하는 그룹으로부터 선택된다. 제 2 가스는 클리닝 가스이다.클리닝 가스는 원격 플라즈마 클리닝 (remote plasma cleaning: RPC) 가스를 포함한다. 제 1 가스는 퍼지 가스이고, 제 2 가스는 클리닝 가스이고, 제 1 배플은 제 2 배플의 적어도 2 배 정도로 제한적이다.
다른 특징들에서, 제 3 층은 제 2 층과 제 3 층 사이에 배열된 라이너 (liner) 를 더 포함한다. 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층 중 적어도 하나는 배기 채널에 배열된 히터를 포함한다. 제 3 층은 제 1 층 및 제 2 층 중 적어도 하나에 탈착 가능하게 부착되어, 제 3 층이 제거될 때 제한 없이 제 2 가스가 선택적으로 흐르게 한다.
광자 온도 프로세싱 시스템은 램프, 기판을 지지하는 받침대, 및 램프와 받침대 사이에 배열된 윈도우를 포함하는 챔버와, 윈도우와 받침대 사이에 배열된 퍼지 링을 포함한다.
반도체 프로세싱 시스템은 광자 온도 프로세싱 시스템; 및 적어도 하나의 리소그래피 툴을 포함한다.
광자 프로세싱 시스템에서 퍼지 링을 사용하여 제 1 가스 및 제 2 가스를 공급하는 방법은, 제 1 플리넘 및 제 1 배플을 정의하도록 제 1 층 및 제 2 층을 배열하는 단계; 제 2 플리넘 및 제 2 배플을 정의하도록 제 2 층 및 제 3 층을 배열하는 단계; 제 1 플리넘에 제 1 플리넘 및 제 1 배플을 통해 내부 영역으로 흐르는 제 1 가스를 수용하는 단계; 및 제 2 플리넘에 제 2 플리넘 및 제 2 배플을 통해 내부 영역으로 흐르는 제 2 가스를 수용하는 단계로서, 제 2 배플은 제 1 배플보다 덜 제한적인 것 및 더 제한적인 것 중 하나인, 제 2 가스를 수용하는 단계; 및 제 1 층을 이용하여 배기 채널을 정의하는 단계를 더 포함하며, 배기 채널은 제 1 가스 및 제 2 가스를 내부 영역의 외부로 전달한다.
다른 특징들에서, 내부 영역은 타원형이다. 방법은, 제 1 배플을 제 2 배플에 인접하게 배열하는 단계; 제 1 배플 및 제 2 배플을 내부 영역의 대략 180
이상으로 배열하는 단계; 및 배기 채널을 내부 영역의 대략 180
이하에 배열하는 단계를 포함한다. 방법은 제 1 배플을 사용하여 제 1 층을 포함하는 제 1 평면에 대해 소정 각도로 제 1 가스를 흐르게 하는 단계를 포함한다.
다른 특징들에서, 방법은, 제 1 배플 및 제 2 배플을 사용하여 제 1 층을 포함하는 제 1 평면에 대해 제 1 각도 및 제 2 각도로 각각 제 1 가스 및 제 2 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함한다. 제 1 가스는 퍼지 가스이다. 퍼지 가스는 아르곤, 산소 및 질소를 포함하는 그룹으로부터 선택된다. 제 2 가스는 클리닝 가스이다. 클리닝 가스는 원격 플라즈마 클리닝 (remote plasma cleaning: RPC) 가스를 포함한다. 제 1 가스는 퍼지 가스이고, 제 2 가스는 클리닝 가스이고, 제 1 배플은 제 2 배플의 적어도 2 배 정도로 제한적이다. 다른 특징들에서, 제 3 층은 제 2 층과 제 3 층 사이에 배열된 라이너를 더 포함한다. 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층 중 적어도 하나는 배기 채널에 배열된 히터를 포함한다. 제 3 층은 제 1 층 및 제 2 층 중 적어도 하나에 탈착 가능하게 부착되어, 제 3 층이 제거될 때 제한 없이 제 2 가스가 선택적으로 흐르게 한다.
방법은, 광자 온도 프로세싱 시스템에서 기판을 처리하기 전 및 처리한 후 중 적어도 하나에서: 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계; 포토레지스트를 광에 노출하는 단계; 포토레지스트를 패턴화하고, 패턴을 기판에 전사하는 단계; 및 기판으로부터 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 단계를 포함한다.
본 개시물의 추가 적용 가능성 영역들은 상세한 설명, 청구범위 및 도면으로부터 명백해질 것이다. 상세한 설명 및 특정 실례들은 오로지 예시의 목적으로 의도되고, 본 개시물의 범주를 제한하고자 의도되지 않는다.
본 개시물은 상세한 설명 및 첨부한 도면으로부터 더 완전히 이해될 것이다.
도 1 은, 종래기술에 따른, 배플을 갖는 퍼지 링의 사시도이다;
도 2 는, 종래기술에 따른, 퍼지 링 및 배플의 측 단면도이다;
도 3 은, 종래기술에 따른, 퍼지 링을 갖는 UV 온도 프로세싱 시스템의 기능 블록도이다;
도 4 는, 본 개시물에 따른 스플릿 배플들을 갖는 퍼지 링의 실례의 사시도이다;
도 5a 내지 도 5d 는, 본 개시물에 따른, 스플릿 배플들을 갖는 다양한 예시적인 퍼지 링들의 측 단면도들이다;
도 6 은, 본 개시물에 따른 도 4 및 도 5 의 퍼지 링을 포함하는 광자 온도 프로세싱 시스템의 기능 블록도이다;
도 7 은 퍼지 링을 갖는 광자 온도 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법을 나타낸다;
도 8 은, 본 개시물에 따른, 멀티챔버 광자 온도 프로세싱 시스템으로부터 퍼지 가스 및 RPC 의 전달 및 배기가스의 제거를 나타낸다.
도 1 은, 종래기술에 따른, 배플을 갖는 퍼지 링의 사시도이다;
도 2 는, 종래기술에 따른, 퍼지 링 및 배플의 측 단면도이다;
도 3 은, 종래기술에 따른, 퍼지 링을 갖는 UV 온도 프로세싱 시스템의 기능 블록도이다;
도 4 는, 본 개시물에 따른 스플릿 배플들을 갖는 퍼지 링의 실례의 사시도이다;
도 5a 내지 도 5d 는, 본 개시물에 따른, 스플릿 배플들을 갖는 다양한 예시적인 퍼지 링들의 측 단면도들이다;
도 6 은, 본 개시물에 따른 도 4 및 도 5 의 퍼지 링을 포함하는 광자 온도 프로세싱 시스템의 기능 블록도이다;
도 7 은 퍼지 링을 갖는 광자 온도 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법을 나타낸다;
도 8 은, 본 개시물에 따른, 멀티챔버 광자 온도 프로세싱 시스템으로부터 퍼지 가스 및 RPC 의 전달 및 배기가스의 제거를 나타낸다.
다음의 설명은 특징 면에서 단지 예시하는 것에 불과하며, 결코 본 개시물, 그의 응용, 또는 사용들을 제한하고자 하는 것이 아니다. 명료성을 위해, 도면에서 유사한 엘리먼트들을 식별하기 위해 동일한 참조 부호들이 사용될 것이다. 여기에서 사용되는 바와 같이, A, B 및 C 중 적어도 하나라는 구문은 비배타적인 로직 OR 을 이용하여 논리적 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 방법 내의 단계들은 본 개시물의 원리들을 변경하는 일 없이 상이한 순서로 실행될 수 있음이 이해되어야 한다.
본 개시물은 퍼지 가스 및 클리닝 가스를 공급하기 위해 스플릿 배플들을 갖는 퍼지 링에 관한 것이다. 분리된 배플들은 원격 플라즈마 클리닝 효율성을 개선하면서 챔버에서 ULK 프로세스 부산물들의 누적을 감소시킨다. 본 개시물은 광자 온도 프로세싱 시스템이 클리닝 사이사이에 더 큰 배치들의 웨이퍼들을 러닝 (run) 하고, 챔버 클리닝 시간을 감소시키며, 프로세스 챔버의 더 큰 면적들을 클리닝하게 할 것이다. 본 개시물은 ULK 프로세스를 실행할 때 광자 온도 프로세싱 시스템의 수율을 개선하고자 한다.
본 개시물에 따른 분리된 배플들은 클리닝 가스 및 퍼지 가스에 대해 분리된 경로들을 제공한다. 이것은, 퍼지 가스가, RPC 종들이 취하는 경로를 제한하지 않으면서 챔버 내의 윈도우를 긴 배치들 동안에 클린하게 유지하도록 하는 필수적인 흐름 특성들을 보존하게 한다. 그 결과, RPC 종들의 재결합은 챔버에 도달하기 전에 감소한다.
본 개시물이 UV 경화를 이용하여 기공 유도 중합체를 포함하는 저-k 및 초저-k (ULK) 유전체 박막들을 경화하는 것을 설명할 것이지만, 본 개시물에 따른 시스템들 및 방법들은 다른 재료들을 경화하는 데 적합하며, 다른 파장들을 이용할 수 있다. 추가로, 여기에 개시된 시스템들 및 방법들은 또한 임의의 집적회로 웨이퍼를 처리하는 데 사용되는 다른 타입들의 프로세싱 챔버들을 퍼징하고 클리닝하기에도 적합하다. 마찬가지로, 퍼지 링은 퍼지 가스 및 클리닝 가스 외의 다른 재료들을 흐르게 하는 데 사용될 수 있다. 여기에서 사용되는 바와 같이, 광자 온도 프로세싱 시스템은 경화에 램프 또는 광자들의 다른 소스를 사용하는 시스템들을 지칭한다. 예를 들어, 가시광, 자외선, 적외선 및 다른 소스들이 (그리고 이들의 조합이) 사용될 수도 있다.
이제, 도 4 를 참조하면, 본 개시물에 따른 퍼지 링 (402) 은 유입부 (404) 및 배기부 (406) 를 포함한다. 유입부 (404) 는 내부 표면 (409) 을 갖는 측벽 (408) 을 포함한다. 배기부 (406) 는 내부 표면 (411) 을 갖는 측벽 (410) 을 포함한다. 퍼지 링 (402) 은 유입부 (404) 의 내부 표면 (409) 을 통해 퍼지 링 (402) 의 내부 영역 (412) 으로 퍼지가스를 제공하고, 내부 영역 (412) 으로부터 배기부 (406) 의 내부 표면 (411) 을 통해 그 퍼지 가스를 배출한다.
퍼지 링 (402) 은 제 1 플리넘 (420), 및 도 4 에서 파선으로 나타내진 제 2 플리넘 (421) 을 더 제공한다. 퍼지 링 (402) 은 제 1 플리넘 (420) 과 유체 통신하는 제 1 배플 (422) 을 포함한다. 퍼지 링 (402) 은 제 2 플리넘 (421) 과 유체 통신하는 제 2 배플 (423) 을 또한 포함한다. 퍼지 가스는 제 1 배플 (422) 을 통과하여 내부 영역 (412) 내로 흘러 들어간다. 클리닝 가스는 제 2 배플 (423) 을 통과하여 내부 영역 (412) 내로 흘러 들어간다.
퍼지 링 (402) 은 단부 (427) 에서 유입부 (404) 에 위치된 제 1 가스 유입구 (426) 를 포함한다. 퍼지 링 (402) 은 단부 (427) 에서 유입부 (404) 에 위치된 제 2 가스 유입구 (428) 를 포함한다. 인지될 수 있는 바와 같이, 제 1 및 제 2 가스 유입구들 (426, 428) 은 퍼지 링 (402) 상의 다른 포지션들에 위치될 수도 있고, 및/또는 상이한 반경 포지션들에 위치될 수도 있다.
퍼지 링 (402) 은 배기부 (406) 에 위치된 배기 채널 (430)(도 4에서 점선으로 나타내짐) 을 더 포함한다. 퍼지 링 (402) 은 배기부 (406) 의 내부 표면 (411) 에 배기 개구 (432) 를 포함한다. 가스 및 다른 물질 (예컨대, 부유 입자 물질) 은 내부 영역 (412) 으로부터 배기 채널 (430) 내로 흘러 들어간다. 가스 및 다른 물질은 배기 채널 (430) 을 통과하여 흐르고, 단부 (437) 에 위치된 배기구 (436) 내로 흘러 들어간다. 일반적으로, 배기 펌프 (미도시) 는 내부 영역 (412) 으로부터 배기 채널 (430) 및 배기구 (436) 를 통과하여 가스 및 다른 물질을 인출하도록 하는 흡입을 제공한다.
흐름 화살표들 (440, 441) 은 제 1 및 제 2 플리넘들 (420, 421) 로부터 각각 제 1 및 제 2 배플들 (422, 423) 을 통과하여 내부 영역 (412) 내로 흘러 들어가는 가스의 흐름을 나타낸다. 흐름 화살표 (445) 는 내부 영역 (412) 으로부터 배기 채널 (430) 내로 흘러 들어가는 가스 및 다른 물질의 흐름을 나타낸다. 유입부와 제 1 및 제 2 배플들은 180
보다 크게 스패닝할 수도 있고, 배기부는 180
보다 작게 스패닝할 수도 있다. 예를 들어, 각각, 유입부와 제 1 및 제 2 배플들은 약 240
- 270
를 스패닝할 수도 있고, 배기부는 약 120
- 90
를 스패닝할 수도 있지만, 다른 값들이 이용될 수도 있다. 제 1 플리넘이 상측에 배열되고 퍼지 가스를 흐르게 하며, 제 2 플리넘이 하측에 배열되고 클리닝 가스를 흐르게 하지만, 배열물은 제 1 플리넘이 제 2 플리넘 아래에 배열되도록 반전될 수 있다.
이제, 도 5a 를 참조하면, 퍼지 링 (402) 의 일 실례가 제 1 층 (450) 을 포함하도록 도시된다. 제 1 층 (450) 은 퍼지 가스가 제 1 플리넘 (420) 내로 흘러 들어가게 하는 제 1 개구 (451) 를 정의한다. 제 1 층 (450) 은 클리닝 가스가 제 2 플리넘 (421) 으로 흘러가게 하는 제 2 개구 (452) 를 정의한다. 제 1 층 (450) 은 경사부 (453) 를 포함할 수도 있다.
퍼지 링 (402) 은 제 1 층 (450) 의 하측 표면과 함께 제 1 플리넘 (420) 을 정의하는 제 1 플리넘 정의부 (456) 를 포함하는 제 2 층 (454) 을 포함한다. 제 2 층 (454) 은 제 1 각도로 내부 영역 (412) 에 인접하게 연장된 경사부 (458) 를 포함한다. 제 1 층 (450) 의 하측 표면 및 제 2 층 (454) 의 상측 표면은 내부 영역 (412) 에 인접한 제 1 배플 (422) 을 정의한다. 제 2 층 (454) 은 또한 클리닝 가스가 제 2 플리넘 (421) 내로 흐르게 하도록 제 1 개구 (457) 을 정의한다.
퍼지 링 (402) 은 제 2 층 (454) 의 하측 표면과 함께 제 2 플리넘 (421) 을 정의하는 제 2 플리넘 정의부 (462) 를 포함하는 제 3 층 (460) 을 포함한다. 제 3 층 (460) 은 제 2 각도로 내부 영역 (412) 에 인접하게 연장된 경사부 (464) 를 포함한다. 제 2 층 (454) 의 하측 표면 및 제 3 층 (460) 의 상측 표면은 내부 영역 (412) 에 인접하게 제 2 배플 (423) 을 정의한다.
일부 실례들에서, 제 1 가스 유입구 (426) 는 RPC 와 같은 클리닝 가스의 소스와 유체 통신할 수도 있고, 제 2 가스 유입구 (428) 는 퍼지 가스의 소스와 유체 통신할 수도 있다. 일부 실례들에서, 제 1 및 제 2 각도들은 동일하여, 제 1 및 제 2 배플들 (422, 423) 을 통과하는 가스 흐름들이 평행하도록 하지만, 상이한 각도들이 이용될 수 있다. 일부 실례들에서, 제 1 배플 (422) 은 제 2 배플 (423) 의 폭 d2 보다 작은 폭 d1 을 갖는다. 일부 실례들에서, 제 2 배플 (423) 의 폭 d2 는 제 1 배플 (422) 의 폭 d1 의 적어도 2 배이다. 제 2 배플 (423) 의 폭 d2 는 제 1 배플 (422) 의 폭 d1 의 적어도 5 배이다. 일부 실례들에서, 제 2 배플 (423) 의 폭 d2 는 대략적으로 제 1 배플 (422) 의 폭 d1 보다 1 차수 더 큰 크기이다. 일부 실례들에서, 제 2 배플 (423) 의 폭 d2 는 대략 0.25" 이고, 제 1 배플 (422) 의 폭 d1 은 대략 0.030" 이다. 제 3 층 (460) 은 RPC 재결합을 방지하도록 하는 석영 라이너와 같은 라이너 (liner)(468) 를 포함할 수도 있다.
이제, 도 5b 를 참조하면, 퍼지 링 (402) 의 제 3 층 (460) 은 또한 파스너, 스냅-피트 커넥션, 또는 다른 탈착 가능 접착 메커니즘 (미도시) 을 이용하여 퍼지 링 (402) 의 다른 층들에 탈착 가능하게 부착될 수도 있다. 이 접근방안은 챔버의 윈도우가 아닌 영역들에 도달하도록 하기 위해 클리닝 가스가 "플러드 (flood)" 방식으로 대부분이 전달되게 한다.
이제, 도 5c 및 도 5d 를 참조하면, 배기부의 실례가 도시된다. 도 5c 에서는, 배기부 (406) 에서, 제 1 및 제 2 층들 (450, 454) 중 적어도 하나가 히터 (482) 를 포함할 수도 있다. 히터 (482) 는 퍼지 가스를 가열하는 데 사용될 수도 있다. 이것은, 광자 온도 프로세싱 시스템이 다수의 챔버들을 포함하는 상황에서 유용할 수도 있다. 도 5d 에서, 제 2 층 (454) 은 더 넓은 영역에 걸쳐서 가스 및 다른 물질을 인출하도록 제거될 수 있다.
이제, 도 6을 참조하면, 퍼지 링 (402) 을 포함하는 예시적인 광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 이 도시된다. 광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 은, 반도체 웨이퍼와 같은 기판 (510) 을 홀딩하는 받침대 (508) 를 갖는 챔버 (506) 를 포함한다. 받침대 히터 (512) 는 기판 (10), 및 퍼지 링 (402) 과 같은 광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 의 다른 콤포넌트들을 가열하는 데 사용될 수도 있다.
광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 은 기판 (510) 을 경화하기 위한 하나 이상의 램프들 (516) 또는 가시 광, 적외선, 및/또는 UV 광과 같은 방사 및 열을 제공하는 다른 소스들을 더 포함한다. 퍼지 링 (402) 은 윈도우 (518) 와 받침대 (508) 사이에 위치될 수도 있다. 램프들 (516) 및 윈도우 (518) 는 램프 어셈블리 (520) 의 일부분일 수도 있다. 적합한 UV 램프들은 Hg 선형 아크 램프, 마이크로파-구동 Hg 램프, 펄스형 크세논 램프 및 엑시머 램프를 포함하지만, 다른 타입들이 사용될 수도 있다. UV 광이 실례로서 개시되어 있지만, 램프들은 UV, 적외선, 가시광 및/또는 다른 파장들을 공급할 수도 있다. 일부 실례들에서, 램프들은 주로 UV 광을 제공한다.
광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 은 제 1 가스 유입구 (426) 에 커플링된 제 1 유입관 (540) 및 제 2 가스 유입구 (428) 에 커플링된 제 2 유입관 (541) 을 포함한다. 배기관 (542) 은 배기 (436) 에 커플링된다. 광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 은 퍼지 링 (402) 및 램프 어셈블리 (520) 를 지지하고 공간적으로 배향시키도록 구성된 상측 플레이트 (530) 를 더 포함한다. 유입관들 (540, 541) 및 배기관 (542) 은 상측 플레이트 (530) 와 일체형일 수도 있다.
일반적으로, 광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 은 제 1 유입관 (540) 을 통해 가스를 퍼지 링 (402) 에 제공하는 하나 이상의 가스 소스들 (560) 에 접속된다. 가스 소스들 (560) 은 아르곤 (562), 질소 (564), 산소 (566), 및 라디칼 산소 가스 O' 을 광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 에 제공하는 원격 플라즈마 클리닝 (remote plasma cleaning: RPC) 유닛 (568) 과 같은 클리닝 가스를 포함할 수도 있다. 퍼지 가스는 히터 (569) 에 의해 미리 가열될 수도 있다.
동작 동안, 퍼지 가스는, 가스 흐름 화살표 (570)(도 5a) 에 의해 나타내지는 바와 같이, 가스 소스들 (560) 로부터 제 1 유입관 (540) 을 통해 유입부 (404) 의 제 1 플리넘 (420) 으로 흘러간다. 그 후, 퍼지 가스는 제 1 플리넘 (420) 으로부터 제 1 배플 (422) 을 통해 퍼지 링 (402) 의 내부 영역 (412) 으로 이동한다. 퍼지 가스 및 다른 물질은 내부 영역 (412) 으로부터 배기부 (406) 에서 배기 채널 (430) 로 흐른다. 퍼지 가스 및 다른 물질은 배기관 (542) 을 통해 광자 온도 프로세싱 시스템 (500) 을 벗어난다. 배기 펌프 (576) 는 내부 영역 (412) 으로부터 배기 채널 (430), 배기구 (436) 및 배기관 (542) 을 통해 퍼지 가스 및 다른 물질을 인출한다.
클리닝 동안, 클리닝 가스 (568) 는, 가스 흐름 화살표 (571)(도 5a) 로 나타내진 바와 같이, 제 2 유입관 (541) 을 통해 유입부 (404) 의 제 2 플리넘 (421) 내로 흐른다. 그 후, 클리닝 가스는 제 2 플리넘 (421) 으로부터 제 2 배플 (423) 을 통해 퍼지 링 (402) 의 내부 영역 (412) 으로 이동한다. 가스 및 다른 물질은 내부 영역 (412) 으로부터 배기부 (406) 의 배기 채널 (430) 로 흐른다.
이제, 도 7 을 참조하면, 광자 온도 프로세싱 시스템에서 스플릿 배플들을 갖는 퍼지 링을 동작시키는 방법 (600) 이 도시된다. 604 에서 판정된 바와 같이, 퍼지 가스가 필요할 때, 퍼지 가스는 606 에서 퍼지 링의 제 1 유입구를 통해 제 1 플리넘으로 흐른다. 퍼지 가스는 제 1 배플로부터 내부 영역으로 흘러나온다. 퍼지 가스 및 다른 물질은 퍼지 링의 배기 유입구를 통해 인출되어 시스템의 외부로 지향된다.
610 에서 판정된 바와 같이, 클리닝 가스가 필요할 때, 클리닝 가스는 퍼지 링의 제 2 유입구를 통해 제 2 플리넘 내로 흐른다. 클리닝 가스는 제 2 배플로부터 내부 부분으로 흘러나온다. 클리닝 가스 및 다른 물질은 퍼지 링의 배기 채널을 통해 인출되어 시스템의 외부로 지향된다.
이제, 도 8 을 참조하면, 다중 챔버 광자 온도 프로세싱 시스템 (702) 은 N 개의 챔버들 또는 스테이션들 (721, 722, 723, 724) 을 포함한다. 아르곤 (731), 질소 (732) 및/또는 산소 (733) 와 같은 것이지만 이들로 국한되지 않는 퍼지 가스 소스들 (730) 이 제공될 수도 있다. 히터 (736) 는 퍼지 가스를 가열하는 데 사용될 수도 있다. 클리닝 가스 (734) 는 광자 온도 프로세싱 시스템을 클리닝하도록 제공될 수도 있다. 스테이션들 (721, 722, 723, 724) 의 각각은 전술된 바와 같은 퍼지 링 (402) 을 포함한다. 필터링 (미도시) 및 온도 컨디셔닝은 스테이션들 사이에 제공될 수도 있다.
퍼지 링이 특정 광자 온도 프로세싱 시스템과 관련하여 전술되었지만, 퍼지 링은 다른 시스템들에서 사용될 수도 있다. 단지 예로서, 발명의 명칭이 "Method and Apparatuses for Reducing Porogen Accumulation from a UV-Cure Chamber"인 미국 특허 출원 제 11/391,134 호, 발명의 명칭이 "Single Chamber Sequential Curing of Semiconductor Wafers" 이고 2005 년 4 월 26 일에 출원된 미국 특허 출원 제 11/115,576 호, 및 발명의 명칭이 "Method of Porogen Removal from Porous Low-k Films Using UV Radiation" 이고 2003 년 9 월 26 일에 출원된 미국 특허 출원 제 10/672,311 호에 적합한 시스템들이 나타내지며, 이들 출원들은 그들 전체가 참조로서 여기에 포함된다.
전술된 장치/프로세스는, 예를 들어 반도체 디바이스들, 디스플레이들, LED들, 광전 패널들 등의 제조 또는 제작을 위해 리소그래픽 패터닝 툴들 또는 프로세스들과 결부되어 이용될 수도 있다. 일반적으로, 반드시 그러한 것은 아니지만, 그러한 툴들/프로세스들은 통상의 제작 설비에서 함께 이용되거나 수행될 것이다. 필름의 리소그래픽 패터닝은 일반적으로 다음 단계들 중 일부 또는 그 모두를 포함하며, 각각의 단계는 다수의 가능한 툴들로 인에이블링된다: (1) 워크피스, 즉 기판 상에 스핀-온 또는 스프레이-온 툴을 사용한 포토레지스트의 도포; (2) 고온 플레이트 또는 노 (furnace) 또는 UV 경화 툴을 사용한 포토레지스트의 경화; (3) 웨이퍼 스테퍼와 같은 툴을 사용한 가시광 또는 UV 광 또는 x-레이 광으로의 포토레지스트 노출; (4) 습식 벤치 (wet bench) 와 같은 툴을 사용하여 레지스트를 선택적으로 제거하고 그에 의해 그것을 패터닝하도록 하기 위한 레지스트의 전사; (5) 건식 또는 플라즈마 보조 에칭 툴을 사용하여 기저 필름 또는 워크피스 내로의 레지스트 패턴의 전사; 및 (6) RF 또는 마이크로파 플라즈마 레지스트 스트리퍼와 같은 툴을 사용한 레지스트 제거.
본 발명의 다른 양태는 여기에서 설명된 방법들을 성취하도록 구성된 장치이다. 적합한 장치는, 본 발명에 따라서, 프로세스 동작들을 성취하기 위한 하드웨어 및 프로세스 동작들을 제어하기 위한 명령들을 갖는 시스템 제어기를 포함한다. 시스템 제어기는 일반적으로 하나 이상의 메모리 디바이스들 및 명령들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세스들을 포함하여, 장치가 본 발명에 따라서 방법을 수행하도록 할 것이다. 본 발명에 따라서 프로세스 동작들을 제어하는 명령들을 포함한 기계 판독가능 매체들은 시스템 제어기에 커플링될 수도 있다.
본 개시물의 광범위한 교시사항들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시물이 특정 실례들을 포함하지만, 도면, 명세서 및 다음의 청구범위의 연구 시에 다른 변경들이 명백해질 것이므로, 본 개시물의 진실된 범주는 그와 같이 제한되어서는 안 된다.
Claims (31)
- 광자 온도 프로세싱 시스템용 퍼지 링으로서,
제 1 층;
제 2 층; 및
제 3 층을 포함하며,
상기 제 1 층, 상기 제 2 층 및 상기 제 3 층은 내부 영역을 정의하고;
상기 제 1 층 및 상기 제 2 층은 제 1 플리넘 (plenum) 및 제 1 배플 (baffle) 을 정의하고, 여기서 상기 제 1 필리넘은 상기 제 1 플리넘 및 상기 제 1 배플을 통해 상기 내부 영역으로 흐르는 제 1 가스를 수용하고;
상기 제 2 층 및 상기 제 3 층은 제 2 플리넘 및 제 2 배플을 정의하고, 여기서 상기 제 2 플리넘은 상기 제 2 플리넘 및 상기 제 2 배플을 통해 상기 내부 영역으로 흐르는 제 2 가스를 수용하고, 상기 제 2 배플은 상기 제 1 배플보다 덜 제한적인 것 및 더 제한적인 것 중 하나인, 퍼지 링. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 층은 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 상기 내부 영역의 외부로 전달하는 배기 채널을 정의하고,
상기 내부 영역은 타원형인, 퍼지 링. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 배플은 상기 제 2 배플에 인접하게 위치되고,
상기 제 1 배플 및 상기 제 2 배플은 상기 내부 영역의 대략 180이상으로 배열되고, 상기 배기 채널은 상기 내부 영역의 대략 180
이하로 배열되는, 퍼지 링.
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 배플은 상기 제 1 층을 포함하는 제 1 평면에 대해 소정 각도로 상기 가스를 흐르게 하는, 퍼지 링. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 배플 및 상기 제 2 배플은 상기 제 1 층을 포함하는 제 1 평면에 대해 각각 제 1 각도 및 제 2 각도로 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 각각 흐르게 하는, 퍼지 링. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 가스는 퍼지 가스인, 퍼지 링. - 제 6 항에 있어서,
상기 퍼지 가스는 아르곤, 산소 및 질소를 포함하는 그룹으로부터 선택되는, 퍼지 링. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 가스는 클리닝 가스인, 퍼지 링. - 제 8 항에 있어서,
상기 클리닝 가스는 원격 플라즈마 클리닝 (remote plasma cleaning: RPC) 가스를 포함하는, 퍼지 링. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 가스는 퍼지 가스이고,
상기 제 2 가스는 클리닝 가스이고,
상기 제 1 배플은 상기 제 2 배플의 적어도 2 배 제한적인, 퍼지링. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 층은 상기 제 2 층과 상기 제 3 층 사이에 배열된 라이너 (liner) 를 더 포함하는, 퍼지 링. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 층, 상기 제 2 층 및 상기 제 3 층 중 적어도 하나는 상기 배기 채널에 배열된 히터를 포함하는, 퍼지 링. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 층은 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층 중 적어도 하나에 탈착 가능하게 부착되어, 선택적으로, 상기 제 3 층이 제거될 때 제한 없이 상기 제 2 가스가 흐르게 하는, 퍼지 링. - 광자 온도 프로세싱 시스템으로서,
램프,
기판을 지지하는 받침대, 및
상기 램프와 상기 받침대 사이에 배열된 윈도우를 포함하는 챔버와;
상기 윈도우와 상기 받침대 사이에 배열된, 제 1 항에 기재된 퍼지 링을 포함하는, 광자 온도 프로세싱 시스템. - 제 14 항에 있어서,
상기 램프는 자외선 램프인, 광자 온도 프로세싱 시스템. - 제 14 항에 기재된 광자 온도 프로세싱 시스템; 및
적어도 하나의 포토리소그래피 툴을 포함하는, 반도체 프로세싱 시스템. - 광자 프로세싱 시스템에서 퍼지 링을 사용하여 제 1 가스 및 제 2 가스를 공급하는 방법으로서,
제 1 플리넘 및 제 1 배플을 정의하도록 제 1 층 및 제 2 층을 배열하는 단계;
제 2 플리넘 및 제 2 배플을 정의하도록 상기 제 2 층 및 제 3 층을 배열하는 단계;
상기 제 1 플리넘에서, 상기 제 1 플리넘 및 상기 제 1 배플을 통해 내부 영역으로 흐르는 제 1 가스를 수용하는 단계; 및
상기 제 2 플리넘에서, 상기 제 2 플리넘 및 상기 제 2 배플을 통해 상기 내부 영역으로 흐르는 제 2 가스를 수용하는 단계를 포함하며,
상기 제 2 배플은 상기 제 1 배플보다 덜 제한적인 것 및 더 제한적인 것 중 하나인, 가스 공급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 층을 이용하여 배기 채널을 정의하는 단계를 더 포함하며,
상기 배기 채널은 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 상기 내부 영역의 외부로 전달하고,
상기 내부 영역은 타원형인, 가스 공급 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 배플을 상기 제 2 배플에 인접하게 배열하는 단계;
상기 제 1 배플 및 상기 제 2 배플을 상기 내부 영역의 대략 180이상으로 배열하는 단계; 및
상기 배기 채널을 상기 내부 영역의 대략 180이하로 배열하는 단계를 더 포함하는, 가스 공급 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 배플을 사용하여 상기 제 1 층을 포함하는 제 1 평면에 대해 소정 각도로 상기 제 1 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함하는, 가스 공급 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 배플 및 상기 제 2 배플을 사용하여 상기 제 1 층을 포함하는 제 1 평면에 대해 제 1 각도 및 제 2 각도로 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 각각 흐르게 하는 단계를 더 포함하는, 가스 공급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 가스는 퍼지 가스인, 가스 공급 방법. - 제 22 항에 있어서,
상기 퍼지 가스는 아르곤, 산소 및 질소를 포함하는 그룹으로부터 선택되는, 가스 공급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 가스는 클리닝 가스인, 가스 공급 방법. - 제 24 항에 있어서,
상기 클리닝 가스는 원격 플라즈마 클리닝 (remote plasma cleaning: RPC) 가스를 포함하는, 가스 공급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 가스는 퍼지 가스이고,
상기 제 2 가스는 클리닝 가스이고,
상기 제 1 배플은 상기 제 2 배플의 적어도 2 배 제한적인, 가스 공급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 3 층은 상기 제 2 층과 상기 제 3 층 사이에 배열된 라이너를 더 포함하는, 가스 공급 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 층, 상기 제 2 층 및 상기 제 3 층 중 적어도 하나는 상기 배기 채널에 배열된 히터를 포함하는, 가스 공급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 3 층은 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층 중 적어도 하나에 탈착 가능하게 부착되어, 선택적으로, 상기 제 3 층이 제거될 때 제한 없이 상기 제 2 가스가 흐르게 하는, 가스 공급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 광자 온도 프로세싱 시스템에서 기판을 처리하기 전 및 처리한 후 중 적어도 하나에서:
기판에 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 포토레지스트를 광에 노출하는 단계;
상기 포토레지스트를 패턴화하고, 상기 패턴을 상기 기판에 전사하는 단계; 및
상기 기판으로부터 상기 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는, 가스 공급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 광자 온도 프로세싱 시스템은 자외선 램프를 포함하는, 가스 공급 방법.
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2013
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