KR20130057794A - 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

증착용 마스크는 관통 형성된 복수의 슬릿이 형성된 마스크 본체 및 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)에 의해 상기 마스크 본체의 표면 전체에 코팅된 증착층을 포함한다.

Description

증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법{MASK FOR DEPOSITION AND MANUFATURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 발광 표시 장치의 유기층을 증착할 때 이용되는 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기물 증착 장치는 진공에서 증착하고자 하는 유기물에 전류를 가해 유기물을 기판에 층(layer) 형태로 형성하는 장치이다. 유기물 증착 장치는 기판에 원하는 패턴의 유기층을 형성하기 위한 증착용 마스크를 포함한다. 일정 크기 이상의 대형 기판에 유기물을 증착하는 경우, 증착용 마스크로는 원하는 패턴의 안정적인 유기물 증착을 위하여 높은 내구성과 강도를 갖는 고정세 메탈 마스크(fine metal mask, FMM)가 사용될 수 있다.
FMM은 대형 기판에 고정세 패턴의 유기물을 증착하기 위한 증착용 마스크이다.
FMM을 이용하면, 기판의 정해진 위치에 다수개의 원하는 고정세 패턴의 유기물을 한 번에 형성할 수 있다. 이러한 FMM은 원하는 패턴의 유기물 증착을 위해 유기물이 통과하는 복수의 직방형 슬릿들을 구비하거나 스트라이프 형태의 슬릿들을 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는, 슬릿의 크기가 미세하게 제어된 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법을 제공하고자 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제1 측면은 관통 형성된 복수의 슬릿이 형성된 마스크 본체, 및 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)에 의해 상기 마스크 본체의 표면 전체에 코팅된 증착층을 포함하는 증착용 마스크를 제공한다.
상기 증착층은 상기 마스크 본체를 구성하는 재료와는 다른 재료로 구성될 수 있다.
상기 마스크 본체는 자성체일 수 있다.
상기 증착층은 상기 마스크 본체 대비 더 강한 자기력을 가질 수 있다.
상기 증착층은 산화물일 수 있다.
상기 슬릿은 오픈 영역을 형성하며, 상기 증착층의 두께는 상기 오픈 영역의 폭을 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 측면은 마스크 본체에 관통 형성된 복수의 슬릿을 형성하는 단계, 및 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)을 이용해 상기 마스크 본체의 표면 전체에 증착층을 코팅하는 단계를 포함하는 증착용 마스크의 제조 방법을 제공한다.
상기 복수의 슬릿을 형성하는 단계는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용해 수행할 수 있다.
상기 증착층을 코팅하는 단계는 상기 슬릿이 형성하는 오픈 영역의 폭을 조절하도록 상기 증착층의 두께를 조절하여 수행할 수 있다.
상술한 본 발명의 과제 해결 수단의 일부 실시예 중 하나에 의하면, 슬릿의 크기가 미세하게 제어된 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 증착용 마스크 및 프레임을 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착용 마스크를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 유기물 증착 장치는 유기 발광 표시 장치의 유기층을 형성하기 위해 이용된다. 유기물 증착 장치는 진공 챔버(30), 진공 챔버(30)에 설치된 유기물 증착 용기(crucible; 20), 유기물 증착 용기(20)의 상부에 설치된 개구부(11)가 형성된 프레임(10), 프레임(10)에 지지된 증착용 마스크(100), 증착용 마스크(100) 상에 배치된 자석 어레이(40)를 포함한다. 유기물 증착 장치를 이용해 기판(S)에 유기층을 증착하는 방법을 설명하면, 증착용 마스크(100)의 상부에 유기층이 형성될 기판(S)을 장착하고, 기판(S)의 상부에 증착용 마스크(100)를 기판(S)에 밀착시키기 위한 자석 어레이(40)를 위치시켜 증착용 마스크(100)가 기판(S)에 밀착되도록 한 후, 이 상태에서 유기물 증착 용기(20)를 작동시키면, 유기물 증착 용기(20)에 수납된 유기물은 기화되어 프레임(10)의 개구부(11) 및 증착용 마스크(100)의 슬릿을 통과하여 기판(S)에 소정의 패턴을 가지는 유기층으로 증착된다.
도 2는 도 1에 도시된 증착용 마스크 및 프레임을 나타낸 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 증착용 마스크(100)는 복수의 슬릿(111)을 포함하며, 복수의 증착용 마스크(100) 각각이 개구부(11)가 형성된 프레임(10)에 지지된다. 증착용 마스크(100)는 인장되어 프레임(10)에 용접될 수 있다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 증착용 마스크(100)는 마스크 본체(110) 및 증착층(120)을 포함한다.
마스크 본체(110)는 관통 형성된 복수의 슬릿(111)을 포함하며, 이 슬릿(111)을 통해 유기물이 기판(S)에 증착되어 유기층으로서 형성된다. 마스크 본체(110)는 높은 내구성과 강도를 가지는 금속으로 이루어질 수 있다. 마스크 본체(110)는 자성체일 수 있으며, 이에 한정되지 않고 니켈(Ni), 인바(invar) 및 알루미늄(Al) 등의 다양한 금속을 포함할 수 있다. 슬릿(111)은 오픈 영역(OA)을 형성하고 있다.
증착층(120)은 마스크 본체(110)의 표면 전체에 코팅(coating)되어 있으며, 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성된다. 원자층 증착법 특성상 증착층(120)은 다양한 재료를 포함하며, 피증착체인 마스크 본체(110)를 구성하는 재료와는 상관없이 마스크 본체(110)에 안정적으로 코팅되어 있다. 증착층(120)은 마스크 본체(110)를 구성하는 재료와는 다른 재료로 구성될 수 있으며, 일례로 철(Fe) 또는 페라이트(ferrite) 등의 재료로 구성될 수 있다. 증착층(120)은 마스크 본체(110) 대비 더 강한 자기력을 가질 수 있다. 이와 같이, 마스크 본체(110)의 표면 전체에 코팅된 증착층(120)이 마스크 본체(110) 대비 더 강한 자기력을 가짐으로써, 마스크 본체(110)를 구성하는 재료와는 상관없이 기판(S)의 상부에 배치되어 증착용 마스크(100)를 기판(S)에 밀착시키기 위한 자석 어레이(40)에 의해 용이하게 증착용 마스크(100)가 기판(S)에 밀착된다.
증착층(120)은 복수의 원자층 증착법에 의해 형성되며, 원자층 증착법의 횟수에 따라 두께(D)가 조절된다. 증착층(120)의 두께(D)가 조절됨으로써, 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 폭(W)이 조절되며, 이로 인해 증착용 마스크(100)의 슬릿(111)의 크기가 미세하게 조절된다.
이와 같이, 증착용 마스크(100)의 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 폭(W)이 증착층(120)의 두께(D)를 조절하여 조절됨으로써, 증착층(120)의 두께를 원자층 두께 단위로 조절할 수 있기 때문에, 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 폭(W)을 나노(nano) 단위로 조절할 수 있다. 이로 인해, 나노 단위의 패턴을 가지는 유기층을 기판(S)에 증착하여 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 형성할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 마스크 본체(110) 및 마스크 본체(110)의 표면 전체에 코팅된 증착층(120)을 포함함으로써, 증착층(120)이 마스크 본체(110) 대비 더 강한 자기력을 가지기 때문에, 마스크 본체(110)를 구성하는 재료와는 상관없이 기판(S)의 상부에 배치되어 증착용 마스크(100)를 기판(S)에 밀착시키기 위한 자석 어레이(40)에 의해 용이하게 증착용 마스크(100)를 기판(S)에 밀착시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착층(120)이 복수의 원자층 증착법에 의해 형성되어 원자층 증착법의 횟수에 따라 두께(D)가 조절됨으로써, 두께(D)에 따라 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 폭(W)이 조절되기 때문에, 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 폭(W)을 나노(nano) 단위로 조절하여 나노 단위의 패턴을 가지는 유기층을 기판(S)에 증착하여 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착층(120)을 마스크 본체(110)가 프레임(10)에 인장되어 용접된 후 형성할 경우, 인장 또는 용접에 의해 슬릿(111)이 변형되더라도, 변형 후에 증착층(120)의 두께(D)를 조절하여 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 폭(W)을 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착층(120)이 마스크 본체(110)를 구성하는 재료와는 다른 재료로 구성됨으로써, 증착층(120)을 일 식각액에 식각되는 재료로 구성하고 마스크 본체(110)를 상기 일 식각액에 식각되지 않는 재료로 구성할 경우, 증착용 마스크(100)를 유기물 증착 공정에 이용한 후 상기 일 식각액을 이용해 증착용 마스크(100)를 습식 식각하여 증착층(120)을 마스크 본체(110)로부터 제거하여 증착용 마스크(100)를 깨끗이 클리닝(cleaning)할 수 있다. 클리닝 후 마스크 본체(110)는 재활용할 수 있다. 이는 전체적인 제조 비용 및 제조 시간이 절감되는 요인으로서 작용된다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착층(120)이 마스크 본체(110)를 구성하는 재료와는 다른 재료로 구성됨으로써, 마스크 본체(110)를 구성하는 재료와는 상관없이 증착층(120)을 슬릿(111)을 통과하는 유기물과 화학적 친화성이 적은 재료로 구성할 경우, 증착용 마스크(100)에 유기물이 흡착되는 것을 최소화할 수 있다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명한다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 이용해 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크를 제조할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
우선, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 마스크 본체(110)에 관통 형성된 복수의 슬릿(111)을 형성한다(S100).
구체적으로, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용해 마스크 본체(110)에 복수의 슬릿(111)을 형성한다.
이하, 포토리소그래피 공정을 이용해 마스크 본체(110)에 복수의 슬릿(111)을 형성하는 것을 설명한다.
우선, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 마스크 본체(110)의 상면에 제1 포토레지스트층을 형성하고, 하면에 제2 포토레지스트층을 형성한 후, 포토 마스크를 이용해 제1 포토레지스트층 및 제2 포토레지스트층 각각을 순차적으로 노광 및 현상하여 마스크 본체(110)의 상면 및 하면 각각에 제1 포토레지스트 패턴(PR1) 및 제2 포토레지스트 패턴(PR2) 각각을 형성한다.
다음, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 포토레지스트 패턴(PR1) 및 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 마스크로서 이용하여 마스크 본체(110)를 습식 식각하여 제1 폭(W1)의 오픈 영역(OA)을 형성하는 슬릿(111)을 형성한다.
다음, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 또는 에슁(ashing) 공정 등을 이용하여 마스크 본체(110)로부터 제1 포토레지스트 패턴(PR1) 및 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 제거한다.
다음, 원자층 증착법을 이용해 마스크 본체(110)의 표면 전체에 증착층(120)을 코팅한다(S200).
구체적으로, 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 마스크 본체(110)의 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 제1 폭(W1)을 제2 폭(W2)으로 조절하도록 증착층(120)의 두께(D)를 조절하도록 원자층 증착법을 이용해 마스크 본체(110) 표면 전체에 증착층(120)을 코팅한다. 이로 인해 증착용 마스크(100)의 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)은 제1 폭(W1) 대비 나노 단위로 좁게 조절된 제2 폭(W2)을 가지게 된다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명한다. 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 이용해 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크를 제조할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
우선, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 마스크 본체(110)의 상면에 제3 포토레지스트층을 형성하고, 하면에 제4 포토레지스트층을 형성한 후, 포토 마스크를 이용해 제3 포토레지스트층 및 제4 포토레지스트층 각각을 순차적으로 노광 및 현상하여 마스크 본체(110)의 상면 및 하면 각각에 제3 포토레지스트 패턴(PR3) 및 제4 포토레지스트 패턴(PR4) 각각을 형성한다.
다음, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 제3 포토레지스트 패턴(PR3) 및 제4 포토레지스트 패턴(PR4)을 마스크로서 이용하여 마스크 본체(110)의 일부를 습식 식각한다.
다음, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 마스크 본체(110)의 일부가 습식 식각된 마스크 본체(110)의 상측을 채우도록 식각 저지층(ES)을 형성한다.
다음, 도 6의 (d)에 도시된 바와 같이, 제4 포토레지스트 패턴(PR4)을 마스크로서 이용하여 마스크 본체(110)의 하측을 습식 식각한 후, 도 6의 (e)에 도시된 바와 같이 식각 저지층(ES)을 마스크 본체(110)로부터 제거하고, 리프트 오프(lift off) 또는 에슁(ashing) 공정 등을 이용하여 마스크 본체(110)로부터 제3 포토레지스트 패턴(PR3) 및 제4 포토레지스트 패턴(PR4)을 제거하여 제3 폭(W3)의 오픈 영역(OA)을 형성하는 슬릿(111)을 형성한다.
다음, 도 6의 (f)에 도시된 바와 같이, 마스크 본체(110)의 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 제3 폭(W3)을 제4 폭(W4)으로 조절하도록 증착층(120)의 두께(D)를 조절하도록 원자층 증착법을 이용해 마스크 본체(110) 표면 전체에 증착층(120)을 코팅한다. 이로 인해 증착용 마스크(103)의 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)은 제3 폭(W3) 대비 나노 단위로 좁게 조절된 제4 폭(W4)을 가지게 된다.
이하, 도 7을 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명한다. 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 이용해 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착용 마스크를 제조할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
우선, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 금속판(SS)의 상면에 제5 포토레지스트층(PL5)을 형성한다.
다음, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 포토 마스크를 이용해 제5 포토레지스트층(PL5)을 노광 및 현상하여 금속판(SS) 상면에 테이퍼(taper)진 형태의 제5 포토레지스트 패턴(PR5)을 형성한다.
다음, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 전해 도금법을 이용하여 금속판(SS) 상면에 마스크 본체(110)를 형성한다.
다음, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 또는 에슁(ashing) 공정 등을 이용하여 금속판(SS)으로부터 제5 포토레지스트 패턴(PR5)을 제거하고, 도 7의 (e)에 도시된 바와 같이 습식 식각 등을 이용해 금속판(SS)을 마스크 본체(110)로부터 제거하여 제5 폭(W5)의 오픈 영역(OA)을 형성하는 슬릿(111)을 형성한다.
다음, 도 7의 (f)에 도시된 바와 같이, 마스크 본체(110)의 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)의 제5 폭(W5)을 제6 폭(W6)으로 조절하도록 증착층(120)의 두께(D)를 조절하도록 원자층 증착법을 이용해 마스크 본체(110) 표면 전체에 증착층(120)을 코팅한다. 이로 인해 증착용 마스크(104)의 슬릿(111)이 형성하는 오픈 영역(OA)은 제5 폭(W5) 대비 나노 단위로 좁게 조절된 제6 폭(W6)을 가지게 된다.
이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.
이하, 제1 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명이 생략된 부분은 제1 실시예에 따른다. 그리고, 본 발명의 제5 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 본 발명의 제1 실시예와 동일한 참조번호를 사용하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착용 마스크를 나타낸 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착용 마스크(105)는 마스크 본체(110) 및 증착층(125)을 포함한다.
증착층(125)은 알루미나(Al2O3), 질소 산화물(NOx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 산화물로 이루어진다.
이와 같이, 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착용 마스크(105)는 증착층(125)이 산화물로 이루어짐으로써, 증착용 마스크(105)가 스퍼터 공정 또는 화학 기상 증착 공정 등에 이용되더라도 증착층(125)이 스퍼터 공정 또는 화학 기상 증착 공정 등에 사용하는 플라즈마 또는 반응성 가스 등이 마스크 본체(110)에 데미지(damage)를 가하는 것을 1차적으로 막기 때문에, 증착 공정 중 마스크 본체(110)에 데미지가 발생되는 것이 최소화된다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
마스크 본체(110), 증착층(120)

Claims (9)

  1. 관통 형성된 복수의 슬릿이 형성된 마스크 본체; 및
    원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)에 의해 상기 마스크 본체의 표면 전체에 코팅된 증착층
    을 포함하는 증착용 마스크.
  2. 제1항에서,
    상기 증착층은 상기 마스크 본체를 구성하는 재료와는 다른 재료로 구성되는 증착용 마스크.
  3. 제2항에서,
    상기 마스크 본체는 자성체인 증착용 마스크.
  4. 제3항에서,
    상기 증착층은 상기 마스크 본체 대비 더 강한 자기력을 가지는 증착용 마스크.
  5. 제3항에서,
    상기 증착층은 산화물인 증착용 마스크.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에서,
    상기 슬릿은 오픈 영역을 형성하며,
    상기 증착층의 두께는 상기 오픈 영역의 폭을 조절하는 증착용 마스크.
  7. 마스크 본체에 관통 형성된 복수의 슬릿을 형성하는 단계; 및
    원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)을 이용해 상기 마스크 본체의 표면 전체에 증착층을 코팅하는 단계
    를 포함하는 증착용 마스크의 제조 방법.
  8. 제7항에서,
    상기 복수의 슬릿을 형성하는 단계는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용해 수행하는 증착용 마스크의 제조 방법.
  9. 제7항에서,
    상기 증착층을 코팅하는 단계는,
    상기 슬릿이 형성하는 오픈 영역의 폭을 조절하도록 상기 증착층의 두께를 조절하여 수행하는 증착용 마스크의 제조 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101578871B1 (ko) * 2015-04-10 2015-12-21 전기택 코팅 장치
KR20170049767A (ko) * 2015-10-28 2017-05-11 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US9863037B2 (en) 2014-11-24 2018-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Deposition mask and method of fabricating the same
WO2018052197A1 (ko) * 2016-09-13 2018-03-22 엘지이노텍 주식회사 증착 마스크용 금속판, 증착 마스크 및 이의 제조방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101813549B1 (ko) * 2011-05-06 2018-01-02 삼성디스플레이 주식회사 분할 마스크와 그 분할 마스크를 포함한 마스크 프레임 조립체의 조립장치
JP5459632B1 (ja) * 2013-01-08 2014-04-02 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
KR102090198B1 (ko) 2013-03-29 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 파인 메탈 마스크 및 그 제조 방법
CN103938154B (zh) * 2013-06-21 2017-04-19 厦门天马微电子有限公司 一种掩膜板及其制造方法
CN104062842B (zh) * 2014-06-30 2019-02-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩模板及其制造方法、工艺装置
KR102291488B1 (ko) * 2014-12-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 어셈블리, 이를 포함하는 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
WO2016129534A1 (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
CN106148901B (zh) * 2015-05-15 2019-09-03 株式会社达文希斯 有机膜蒸镀装置、方法及有机膜装置
KR102549358B1 (ko) 2015-11-02 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 조립체 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR102367939B1 (ko) 2016-05-24 2022-02-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 내플라즈마성 코팅을 갖는 섀도우 마스크
KR102010217B1 (ko) * 2016-08-05 2019-08-12 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180034771A (ko) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 포함하는 증착 장치, 및 마스크 조립체의 제조방법
KR101889165B1 (ko) * 2016-11-14 2018-09-21 주식회사 포스코 증착용 마스크 제조방법, 이에 의해 제조된 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조방법
KR20180112191A (ko) * 2017-03-31 2018-10-12 엘지디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 그 증착장치
WO2018197008A1 (en) * 2017-04-28 2018-11-01 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a vacuum system used in the manufacture of oled devices, method for vacuum deposition on a substrate to manufacture oled devices, and apparatus for vacuum deposition on a substrate to manufacture oled devices
TWI612162B (zh) * 2017-08-25 2018-01-21 友達光電股份有限公司 鍍膜設備
KR102180070B1 (ko) * 2017-10-31 2020-11-17 엘지디스플레이 주식회사 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치
CN107680497B (zh) * 2017-11-03 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置
TWI708414B (zh) * 2018-06-01 2020-10-21 京畿大學校産學協力團 用於製造有機發光二極體面板的精細金屬遮罩
US11773477B2 (en) * 2018-12-25 2023-10-03 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask
CN111139450B (zh) * 2020-01-02 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及掩膜版组件的制作方法
JP2021080567A (ja) * 2021-01-28 2021-05-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 耐プラズマコーティングを有するシャドウマスク

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268068A (en) * 1992-12-08 1993-12-07 International Business Machines Corporation High aspect ratio molybdenum composite mask method
JPH07209856A (ja) * 1994-01-25 1995-08-11 Sanyo Electric Co Ltd ステンシルマスク及びその製造方法
JP2839003B2 (ja) * 1996-04-05 1998-12-16 日本電気株式会社 真空蒸着装置
US5744214A (en) * 1997-01-30 1998-04-28 International Business Machines Corporation Corrosion resistant molybdenum mask
JP2002203806A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法、ステンシルマスク及びその製造方法
JP2003309052A (ja) * 2002-02-14 2003-10-31 Pd Service:Kk ステンシルマスク
US6821561B2 (en) * 2002-03-26 2004-11-23 Analog Devices, Inc. Method for thin film deposition matching rate of expansion of shadow mask to rate of expansion of substrate
KR100813832B1 (ko) * 2002-05-31 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법
JP4173722B2 (ja) * 2002-11-29 2008-10-29 三星エスディアイ株式会社 蒸着マスク、これを利用した有機el素子の製造方法及び有機el素子
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP3794407B2 (ja) * 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機el表示装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器
JP4708735B2 (ja) * 2004-05-31 2011-06-22 キヤノン株式会社 マスク構造体の製造方法
JP2006233286A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成装置、パターン形成方法
US7436114B2 (en) * 2005-06-03 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a first workpiece, a second workpiece, and a conductive member substantially directly bonded to the first and second workpieces
US7402883B2 (en) * 2006-04-25 2008-07-22 International Business Machines Corporation, Inc. Back end of the line structures with liner and noble metal layer
US20080016684A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-24 General Electric Company Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof
KR101330488B1 (ko) * 2006-12-08 2013-11-15 엘지디스플레이 주식회사 쉐도우 마스크 및 그의 제조 방법
JP2008157686A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Tdk Corp 導電性探針及び磁性探針の製造方法
JP2010209441A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Seiko Epson Corp 成膜用マスク、有機el装置の製造装置
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9863037B2 (en) 2014-11-24 2018-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Deposition mask and method of fabricating the same
KR101578871B1 (ko) * 2015-04-10 2015-12-21 전기택 코팅 장치
KR20170049767A (ko) * 2015-10-28 2017-05-11 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10590533B2 (en) 2015-10-28 2020-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus utilizing mask assembly including intermediate layer and self-assembled monolayer
WO2018052197A1 (ko) * 2016-09-13 2018-03-22 엘지이노텍 주식회사 증착 마스크용 금속판, 증착 마스크 및 이의 제조방법
US10727409B2 (en) 2016-09-13 2020-07-28 Lg Innotek Co., Ltd. Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor
US11335854B2 (en) 2016-09-13 2022-05-17 Lg Innotek Co., Ltd. Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor
US11732364B2 (en) 2016-09-13 2023-08-22 Lg Innotek Co., Ltd. Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor
US11795549B2 (en) 2016-09-13 2023-10-24 Lg Innotek Co., Ltd. Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor

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