KR20130052992A - Touch panel and it's manufacturing method - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A touch panel of a capacitance method and a manufacturing method thereof are provided to manufacture high quality touch panel by increasing yield rates. CONSTITUTION: A photoresist film is exposed to light in order to form a pattern on a desired area. A metal trace pattern is formed by using the formed pattern. After the metal trace pattern is formed, the photoresist pattern is peeled. After the photoresist pattern is peeled, the photoresist film is formed.

Description

터치 패널 및 그의 제조방법{touch panel and it's manufacturing method}[0001] Touch panel and its manufacturing method [0002]

본 발명은 터치 패널의 제조 방법에 관한 것으로써, 보다 자세하게는 정전 용량 방식의 터치 패널 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a touch panel, and more particularly, to a method of manufacturing a capacitive touch panel.

터치 패널은 마우스나 키보드 등과 같은 별도의 입력 수단이 필요 없이 디스플레이되는 화면을 손가락이나 기타 기구 등을 이용하여 신호를 입력할 수 있는 수단이다.The touch panel is a means for inputting a signal to a displayed screen without using a separate input means such as a mouse or a keyboard by using a finger or other mechanism.

터치 패널은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 적외선 방식 등이 있으며, 이중에서도 정전용량 방식의 터치 패널의 경우, 터치 감도가 우수하고, 2 손가락 이상의 신호 입력이 가능한 멀티 터치(multi touch)가 가능하여 현재 일반적으로 사용중에 있다.Among the touch panel, there are a resistive film type, a capacitive type, an ultrasonic type, and an infrared type. Among the capacitive type touch panels, the touch panel is excellent in touch sensitivity and capable of multi- And is currently in general use.

정전용량 방식 터치 패널의 경우 LCD 화면 내용을 표시할 수 있는 시야 영역(viewing area)과 시야 영역을 둘러싸고 있는 데코레이션 영역으로 구분할 수 있다 이때 시야 영역은 ITO(indium tin oxide)로 구성되는 투명 전극으로 구성이 되어 있으며, 데코레이션 영역은 투명 전극을 연결하여 터치 패널을 IC controller와 연결하여 주는 메탈(metal) 트레이스(trace) 패턴(pattern)이 형성되어 있다.In the case of a capacitive touch panel, the display area may be divided into a viewing area capable of displaying the LCD screen content and a decoration area surrounding the viewing area. The viewing area is composed of a transparent electrode composed of indium tin oxide (ITO). In the decoration area, a metal trace pattern for connecting the touch panel to the IC controller by connecting the transparent electrode is formed.

이러한 메탈 트레이스 패턴은 기존에는 ag paste를 사용하여 인쇄 방법을 통해 구현을 하였다. 하지만 최근 동일한 크기에서 최대의 시야 영역을 구현하기 위해 메탈 트레이스 패턴의 선폭을 최소화 하는 것이 요구되고 있지만, 기존 인쇄 방법의 경우 패턴 선폭 기준으로 약 70 ㎛를 구현하는 것이 한계가 된다. 따라서 기존 인쇄 방법으로는 10 또는 20 ㎛ 등과 같은 정밀한 선폭을 가지는 메탈 트레이스 패턴 선폭 구현이 힘들다. 또한 인쇄 방법의 경우 작업성 및 수율(yield)이 좋지 않고, 패턴 품질이 좋지 않아, 터치 패널 신호시 노이즈가 발생하기 쉽다.Such a metal trace pattern was conventionally implemented through a printing method using ag paste. However, in recent years, it is required to minimize the line width of the metal trace pattern in order to realize the maximum viewing area at the same size, but in the case of the conventional printing method, it is limited to implement about 70 μm based on the pattern line width. Therefore, it is difficult to realize a metal trace pattern line width having a precise line width such as 10 or 20 μm by the conventional printing method. In addition, in the printing method, workability and yield are not good, and pattern quality is not good, and noise is likely to occur in the touch panel signal.

본 발명은 상기의 문제점들을 해결하고자 기존의 인쇄 방식이 아닌 메탈 박막의 증착을 실시하고, 형성된 메탈 박막을 포토 리소그래피 방법을 통해 미세 선폭을 구현할 수 있다. 이러한 미세 선폭 구현을 통해 최대의 시야 영역을 구현할 수 있으며, 기존의 인쇄 방식이 아닌 포토리소그래피(photo-lithography) 방식을 통해 메탈 트레이스 패턴을 구현함으로써, 패턴 작업성이 우수하고, 수율이 높으며, 품질이 높은 패턴 구현이 가능해 진다.In order to solve the above problems, a metal thin film may be deposited instead of a conventional printing method, and a fine line width may be implemented through the photolithography method of the formed metal thin film. By realizing such fine line width, it is possible to realize the maximum field of view, and by implementing the metal trace pattern through photo-lithography rather than the conventional printing method, it has excellent pattern workability, high yield, and quality. This high pattern implementation is possible.

본 발명에 따른 터치 패널 제조 공정의 경우,In the case of the touch panel manufacturing process according to the present invention,

a1) 강화유리를 준비하는 단계;a1) preparing a tempered glass;

b1) 상기 a1) 단계에서 준비된 강화유리 위에 데코레이션 인쇄를 실시하는 단계;b1) decorating the tempered glass prepared in step a1);

c1) 상기 b1) 단계에서 데코레이션 인쇄를 실시한 후, ITO 박막을 형성하는 단계;c1) performing decoration printing in the step b1) and forming an ITO thin film;

d1) 상기 c1) 단계에서 ITO 박막을 형성한 후, 메탈 트레이스 박막을 형성하는 단계;d1) forming an ITO thin film in step c1) and then forming a metal trace thin film;

e1) 상기 d1) 단계에서 형성된 메탈 트레이스 박막 위에, 포토레지스트막의 형성을 실시하여, 터치 패널 반제품을 제조할 수 있다.
e1) A photoresist film may be formed on the metal trace thin film formed in step d1) to manufacture a semi-finished touch panel.

다음으로 상기 a1) 내지 e1) 단계를 통해 제조된 터치 패널 반제품을 사용하여 본 발명에 따른 터치 패널 완제품 제조 공정의 경우,Next, in the case of the touch panel finished product manufacturing process according to the present invention using the touch panel semi-finished product manufactured through the steps a1) to e1),

a2) 포토레지스트막에 노광을 실시하여 원하는 영역에 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트막 노광을 실시하는 단계;a2) exposing the photoresist film to form a pattern in a desired area by exposing the photoresist film;

b2) 상기 a2) 단계에서 노광을 실시한 후, 포토레지스트막 패턴을 형성하기 위해 현상을 실시하는 단계;b2) after exposing in step a2), developing to form a photoresist film pattern;

c2) 상기 b2) 단계에서 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하고 습식 식각을 통해 메탈 트레이스 패턴을 형성하는 단계;c2) using the photoresist pattern formed in step b2) and forming a metal trace pattern through wet etching;

d2) 상기 c2) 단계에서 메탈 트레이스 패턴을 형성한 후, ITO 식각액을 사용하여 ITO 패턴을 형성하는 단계;d2) forming a metal trace pattern in step c2) and forming an ITO pattern using an ITO etchant;

e2) 상기 d2) 단계에서 ITO 패턴 형성을 실시한 후, 사용이 필요 없어진 포토레지스트 패턴을 박리하는 단계;e2) after forming the ITO pattern in step d2), peeling off the photoresist pattern which is no longer needed;

f2) 상기 e2) 단계에서 포토레지스트 패턴을 박리 한 후, 포토레지스트 막을 형성하는 단계;f2) peeling off the photoresist pattern in step e2) to form a photoresist film;

g2) 상기 f2) 단계에서 포토레지스트 막을 형성한 후, 원하는 영역에 패턴을 형성하기 위해 노광을 실시하는 단계;g2) forming a photoresist film in step f2) and then exposing to form a pattern in a desired region;

h2) 상기 g2) 단계에서 노광을 실시한 후, 현상을 실시하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;h2) after exposing in step g2), developing to form a photoresist pattern;

i2) 상기 h2) 단계에서 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 메탈 트레이스 박막을 습식 식각을 실시하여 메탈 트레이스 패턴을 형성하는 단계;i2) forming a photoresist pattern in step h2) and then wet etching the metal trace thin film to form a metal trace pattern;

j2) 상기 i2) 단계에서 메탈 트레이스 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 박리하는 단계j2) forming a metal trace pattern in step i2) and then peeling off the photoresist pattern

k2) 상기 j2) 단계에서 포토레지스트 패턴을 박리 한 후, 일반적인 터치 패널 제조 공정을 거쳐 본 발명에 따른 정전 용량 방식의 터치 패널 제조가 가능해 진다.
k2) After peeling the photoresist pattern in step j2), it becomes possible to manufacture the capacitive touch panel according to the present invention through a general touch panel manufacturing process.

상기 a1) 단계에 있어서, 강화유리는 소다라임, 알루미나 실리케이트, 석영, 파이렉스 유리 중에서 선택된 1종을 주 원료로 하는 것을 특징으로 한다.In the step a1), the tempered glass is characterized in that the main material is one selected from soda lime, alumina silicate, quartz, Pyrex glass.

상기 a1) 단계에 있어서, 강화유리는 화학 강화, 열강화 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 강화 처리가 실시된 것을 특징으로 한다.In the step a1), the tempered glass is characterized in that the tempered treatment is carried out through one method selected from chemically strengthened, thermally strengthened.

상기 a1) 단계에 있어서, 강화유리는 강화유리가 아닌 일반 유리가 사용될 수도 있다.In the step a1), the tempered glass may be used instead of the normal glass.

상기 a1) 단계에 있어서, 강화유리는 시야 영역과 데코레이션 영역으로 구분될 수 있는 것을 특징으로 한다.In step a1), the tempered glass may be divided into a viewing area and a decoration area.

상기 a1) 단계에 있어서, 강화 유리가 아닌 PET Film으로 기판이 적용될 수 도 있다.In step a1), the substrate may be applied to PET film instead of tempered glass.

상기 b1) 단계에 있어서, 강화유리의 데코레이션 영역은 스크린 인쇄 방법, 패드 인쇄 방법, 무전도 진공 증착 방법(NCVM, non-conductive vacuum metallization), 잉크젯 프린팅 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In the step b1), the decoration area of the tempered glass is formed by one method selected from screen printing method, pad printing method, non-conductive vacuum metallization (NCVM), inkjet printing It is done.

상기 b1) 단계에 있어서, 데코레이션 영역에서 사용되는 잉크는 전기가 통하지 않는 무통전 잉크인 것을 특징으로 한다.In the step b1), the ink used in the decoration area is characterized in that the electricity is not conductive ink.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막 형성시 박막의 굴절율 조절을 위해 데코레이션 영역이 되어 있는 강화유리 위에 굴절율 제어층을 형성하는 것을 특징으로 한다.In the step c1), the refractive index control layer is formed on the tempered glass that is a decoration region for controlling the refractive index of the thin film when forming the ITO thin film.

상기 c1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb, Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au, Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, 란타넘족, 악티늄족 중에서 선택되는 1종 이상의 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하는 것을 특징으로 한다.In step c1), the refractive index control layer is Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb , Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au 1 selected from Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, Lanthanum, Actinium It is characterized by comprising more than one species of alkaline earth metals, transition metals, transition metals, nonmetals, and halogens.

상기 c1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하고 질소, 산소, 탄소, 불소 중에서 선택된 1종을 포함하는 화합물이거나 이들의 질화산화, 질화탄화, 질화불화, 산화탄화, 산화불화, 탄화불화, 질화산화탄화, 산화탄화불화, 잘화탄화불화, 질화산화불화 중에서 선택된 1종의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step c1), the refractive index control layer is a compound containing alkaline earth metal, transition metal, post-transition metal, non-metal, halogen, and one selected from nitrogen, oxygen, carbon, fluorine or nitrification, nitriding thereof It is characterized in that it comprises one kind of compound selected from carbonization, fluorinated nitride, oxidized carbonized, oxidized, fluorocarbonized, nitrified oxidized carbonized, oxidized carbonized fluorinated, fine carbonized fluorinated, and oxynitride fluorinated.

상기 c1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층의 두께는 10 ~ 1,500Å 사이의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step c1), the thickness of the refractive index control layer is characterized in that having a thickness of 10 ~ 1,500Å.

상기 c1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층의 투과율은 550nm의 파장에서 85% 이상의 투과율을 가지는 것을 특징으로 한다.In the step c1), the transmittance of the refractive index control layer has a transmittance of 85% or more at a wavelength of 550nm.

상기 c1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층의 굴절율은 550nm에서 1.1~3.0이하의 굴절율을 가지는 것을 특징으로 한다.In the step c1), the refractive index of the refractive index control layer has a refractive index of 1.1 ~ 3.0 or less at 550nm.

상기 c1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 단층 또는 2층 이상의 박막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In the step c1), the refractive index control layer is characterized in that consisting of a single layer or two or more thin films.

상기 c1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 습식 식각 또는 건식 식각을 통해 패턴형성이 가능한 것을 특징으로 한다.In step c1), the refractive index control layer may be patterned by wet etching or dry etching.

상기 c1) 단계에 있어서, 굴절율 제어층은 물리 기상 증착 또는 화학 기상 증착 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In step c1), the refractive index control layer is formed by a physical vapor deposition or a chemical vapor deposition method.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막의 면저항은 1 ~ 1000Ω/□ 인 것을 특징으로 한다.In the step c1), the sheet resistance of the ITO thin film is characterized in that 1 ~ 1000Ω / □.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막의 투과율은 550nm에서 85% 이상의 투과율을 가지는 것을 특징으로 한다..In step c1), the transmittance of the ITO thin film is characterized by having a transmittance of 85% or more at 550nm.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막의 탁도(haze)는 2.0% 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 한다.In step c1), the haze of the ITO thin film is characterized by having a value of 2.0% or less.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막의 색도(chromaticity)는 2.0 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 한다.In the step c1), the chromaticity of the ITO thin film is characterized by having a value of 2.0 or less.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막에 있어서, ITO 박막과 PET 표면의 반사율 차이가 550nm에서 1%이하인 것을 특징으로 한다.In step c1), in the ITO thin film, the difference in reflectance between the ITO thin film and the PET surface is less than 1% at 550 nm.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막은 단층 또는 2층 이상의 박막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In the step c1), the ITO thin film is characterized by consisting of a single layer or two or more thin films.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막은 물리 기상 증착 또는 화학 기상 증착 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In step c1), the ITO thin film is formed by a physical vapor deposition or a chemical vapor deposition method.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막은 ITO 대신에 ATO, AZO, 그래핀 중에서 선택된 1종의 물질이 사용되는 것을 특징으로 한다.In step c1), the ITO thin film is characterized in that one material selected from ATO, AZO, and graphene is used instead of ITO.

상기 c1) 단계에 있어서, ITO 박막은 1000Å 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.In step c1), the ITO thin film is characterized by having a thickness of less than 1000Å.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 물리 기상 증착 또는 화학 기상 증착 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In step d1), the metal trace thin film is formed by a physical vapor deposition or a chemical vapor deposition method.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 100~100,000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.In step d1), the metal trace thin film is characterized in that it has a thickness of 100 ~ 100,000 10.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 1층 또는 2층 이상의 박막 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step d1), the metal trace thin film has a thin film structure of one layer or two or more layers.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb, Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au, Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, 란타넘족, 악티늄족 중에서 선택되는 1종 이상의 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step d1), the metal trace thin film is Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb , Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au 1 selected from Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, Lanthanum, Actinium It is characterized by comprising more than one species of alkaline earth metals, transition metals, transition metals, nonmetals, and halogens.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하고 질소, 산소, 탄소, 불소 중에서 선택된 1종을 포함하는 화합물이거나 이들의 질화산화, 질화탄화, 질화불화, 산화탄화, 산화불화, 탄화불화, 질화산화탄화, 산화탄화불화, 잘화탄화불화, 질화산화불화 중에서 선택된 1종의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step d1), the metal trace thin film is a compound containing alkaline earth metal, transition metal, post-transition metal, non-metal, halogen, and one selected from nitrogen, oxygen, carbon, fluorine or nitrification, nitriding thereof It is characterized in that it comprises one kind of compound selected from carbonization, fluorinated nitride, oxidized carbonized, oxidized, fluorocarbonized, nitrified oxidized carbonized, oxidized carbonized fluorinated, fine carbonized fluorinated, and oxynitride fluorinated.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 500Ω/□ 이하의 면저항을 가지는 것을 특징으로 한다.In step d1), the metal trace thin film has a sheet resistance of 500 Ω / □ or less.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막이 2층 이상의 복수개의 박막으로 구성되는 경우, 복수개의 박막 층은 동일한 식각액에 의해서 식각되는 것을 특징으로 한다.In the step d1), when the metal trace thin film is composed of a plurality of thin films of two or more layers, the plurality of thin film layers are etched by the same etchant.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막이 2층 이상의 복수개의 박막으로 구성되는 경우, 복수개의 박막 층은 각각 식각액에 대해서 선택비를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step d1), when the metal trace thin film is composed of a plurality of thin films of two or more layers, each of the plurality of thin film layers has a selectivity to the etching solution.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막은 인산, 질산, 초산, 염산, 황산, 암모니아수, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 과산화수소 중에서 선택된 1종의 식각액 또는 이들의 화합물 및 혼합물에 의해서 식각이 가능한 것을 특징으로 한다.In the step d1), the metal trace thin film can be etched by one type of etchant or a compound and mixture thereof selected from phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, aqueous ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide and hydrogen peroxide. do.

상기 d1) 단계에 있어서, 메탈 트레이스 박막의 식각시 식각액을 100도 이하로 가열하여 식각하는 것을 특징으로 한다.In the step d1), the etching solution during the etching of the metal trace thin film is characterized in that the etching by heating to 100 degrees or less.

상기 e1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막은 스핀, 스캔, 스핀-스캔, 스프레이, 잉크젯 코팅 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the photoresist film is formed by one method selected from among spin, scan, spin-scan, spray, inkjet coating.

상기 e1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막은 포지티브 타입 및 네가티브 타입의 포토레지스트 중에서 선택된 1종의 형태의 포토레지스트를 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In step e1), the photoresist film is formed through one type of photoresist selected from a positive type and a negative type photoresist.

상기 e1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막은 ArF, KrF, i-line, h-line, g-line 중에서 선택된 1종 이상의 노광 파장에 의해서 감광이 발생하는 포토레지스트인 것을 특징으로 한다.In the step e1), the photoresist film is a photoresist that is exposed to light by one or more exposure wavelengths selected from ArF, KrF, i-line, h-line, g-line.

상기 e1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막은 1000~150000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the photoresist film is characterized in that the thickness of 1000 ~ 150000Å.

상기 e1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막을 형성하시 전에 메탈 트레이스 박막에 접착력의 향상을 위해 탈수 굽기(dehydration bake), 플라즈마 처리, 초순수 세정, 솔벤트 세정, HMDS 처리 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 표면 처리를 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step e1), before forming the photoresist film, the surface treatment is performed by one method selected from dehydration bake, plasma treatment, ultrapure water cleaning, solvent cleaning, and HMDS treatment to improve adhesion to the metal trace thin film. It characterized in that to perform.

상기 e1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막 대신에 감광성 필름인 Dry Film Resist를 통해 감광성 박막의 형성이 가능한 것을 특징으로 한다.In the step e1), instead of the photoresist film, it is possible to form a photosensitive thin film through a dry film resist that is a photosensitive film.

상기 e1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막 형성시 접착력 향상을 위해 소프트 베이크를 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step e1), it is characterized in that the soft bake is performed to improve the adhesive strength when forming the photoresist film.

상기 e1) 단계에 있어서, 포토레지스트 막 형성시 바깥 외곽 쪽의 포토레지스트막 두께 저감을 위해 에지 베드 제거(edge bead removal) 공정을 실시하는 것을 특징으로 한다.In the step e1), the edge bead removal process is performed to reduce the thickness of the outer photoresist film when forming the photoresist film.

상기의 과정을 통해 본 발명에 의한 정전용량 방식의 터치 패널을 제조하였다.Through the above process, the capacitive touch panel according to the present invention was manufactured.

본 발명에 따른 정전용량 방식의 터치 패널 제조 장법에 따르면, 기존 Ag 인쇄를 통해 형성되는 메탈 트레이스 패턴을 금속 박막을 통해 형성하므로써, 미세 선폭의 구현이 가능해 진다. 이를 통해 보다 넓은 시야 영역의 확보가 가능해지며, 수율을 향상시킴으로써, 보다 고품질의 정전용량 방식의 터치 패널 제조가 가능해 진다.According to the capacitive touch panel manufacturing method according to the present invention, by forming a metal trace pattern formed through conventional Ag printing through a metal thin film, it is possible to implement a fine line width. Through this, it is possible to secure a wider viewing area, and by improving the yield, it is possible to manufacture a higher quality capacitive touch panel.

도 1은 본 발명에 의해 제조되는 정전용량 방식 터치 패널 반제품의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 의해 제조되는 정전용량 방식 터치 패널 완제품의 개략도이다.


[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
1 : 유리기판 2 : 데코레이션 인쇄
3 : 제 1 굴절율 제어층 4 : 제 2 굴절율 제어층
5 : ITO 박막 6 : 메탈 트레이스 박막 1
7 : 메탈 트레이스 박막 2 8 : 메탈 트레이스 박막 3
9 : 하드마스크 막 10 : 포토레지스트막1 is a schematic diagram of a semi-capacitive touch panel semifinished product manufactured by the present invention.
2 is a schematic diagram of a finished capacitive touch panel manufactured according to the present invention.


DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
1: glass substrate 2: decoration printing
3: first refractive index control layer 4: second refractive index control layer
5: ITO thin film 6: metal trace thin film 1
7: Metal trace thin film 2 8: Metal trace thin film 3
9: hard mask film 10: photoresist film

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the examples are used only for the purpose of illustration and description of the present invention, and are used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. no. Therefore, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and other equivalent embodiments may be made by those skilled in the art. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical details of the claims.

<실시예 1>
&Lt; Example 1 >

본 실시예 1은 본 발명의 실시예를 통해 제조된 유리를 기판으로 하는 정전용량 방식의 터치 패널을 제조한 실시예이다.Example 1 is an example of manufacturing a capacitive touch panel using a glass manufactured by the embodiment of the present invention as a substrate.

먼저 그림 1을 참조하여, 아사히에서 제조를 실시한 소다라임 유리를 강화처리를 실시하였다. 화학 강화처리를 실시하여 유리 기판(1)의 준비를 실시하였다. 이때 유리 기판의 두께는 0.7mm의 두께를 사용하였다. 그리고 두께는 0.1 ~ 2.0mm의 두께를 사용하여도 무방하다.First, referring to Figure 1, the soda-lime glass manufactured in Asahi was subjected to tempered treatment. The chemical strengthening process was performed and the glass substrate 1 was prepared. At this time, the thickness of the glass substrate used a thickness of 0.7mm. In addition, the thickness may use a thickness of 0.1 ~ 2.0mm.

다음으로 무통전 잉크를 사용하여 데코레이션 영역(2) 형성을 실시하였다. 이때 데코레이션 영역은 두께가 30㎛ 이하로 형성을 실시하였다. 이때 데코레이션 영역의 두께가 30㎛를 초과하는 경우 데코레이션 영역 위에 박막의 형성시 박막의 절단이 발생할 수 있으므로 두께를 관리하는 것이 중요하다. 그리고, 데코레이션 영역 형성 후 잉크로부터 발생하는 솔벤트 등과 같은 오염을 제거하기 위해 진공 챔버에서 열처리를 한 상태로 4시간 열처리를 실시하여, 잉크로부터 발생하는 오염의 제거를 실시하였다.Next, the decoration area | region 2 was formed using an electroless ink. At this time, the decoration area was formed to have a thickness of 30㎛ or less. In this case, when the thickness of the decoration region exceeds 30 μm, it is important to manage the thickness of the thin film when the thin film is formed on the decoration region. Then, in order to remove the contamination such as solvent generated from the ink after the formation of the decoration region, heat treatment was performed for 4 hours while the heat treatment was performed in the vacuum chamber to remove the contamination generated from the ink.

다음으로 데코레이션 영역이 형성된 강화유리 기판 위에 스퍼터링(sputtering) 방법을 통해 제 1 굴절율 제어층(3)인 NbO2 박막을 형성하였다. 이때 NbO2 박막은 Nb 스퍼터링 타겟을 사용하고, O2 Gas를 사용하는 반응성 스퍼터링 방법을 통해 형성되었다. 반응성 스퍼터링 시 DC, RF, MF 중에서 선택된 1종의 파워 또는 이들의 혼합된 방법을 통해서 형성이 가능하다. 또한 Nb 타겟이 아닌 NbO2 타겟을 통해서도 형성이 가능하다. 또한 스퍼터링 방법이 아닌 CVD, e-beam evaporation 등과 같은 방법을 통해서도 형성이 가능하다.Next, an NbO 2 thin film, which is the first refractive index control layer 3, was formed on the tempered glass substrate having the decoration region formed thereon by sputtering. At this time, the NbO2 thin film was formed through a reactive sputtering method using an Nb sputtering target and using O2 gas. In reactive sputtering, it can be formed through one of the power selected from DC, RF, MF, or a combination thereof. In addition, it can be formed through the NbO2 target, not the Nb target. In addition, it can be formed by a method such as CVD, e-beam evaporation, etc., rather than sputtering.

다음으로 제 2 굴절율 제어층(4)인 SiO2를 NbO2 박막 위에 형성을 실시하였다. SiO2 또한 상기의 NbO2 박막 형성시 사용된 방법과 동일한 방법을 통해 형성이 가능하다. 그리고 제 1 굴절율 제어층과 제 2 굴절율 제어층의 순서를 바꾸어서 형성이 가능하다.Next, SiO2 which is the second refractive index control layer 4 was formed on the NbO2 thin film. SiO 2 can also be formed through the same method as used for forming the NbO 2 thin film. The first refractive index control layer and the second refractive index control layer may be formed by changing the order.

다음으로 SiO2가 형성된 유리 기판 위에 투명 전극 박막(5)인 ITO 박막의 형성을 실시하였다. 이때 면저항은 150 Ω/□로 형성을 실시하였다. 이때 면저항은 10 ~ 1000 Ω/□의 범위에서 선택적으로 형성이 가능하다. 그리고 ITO 박막은 PVD, CVD 등을 통해서 형성이 되며, 특히 PVD를 통해 형성될 경우 Sputtering을 통해 형성하는 것이 바람직하며, ITO가 혼합되어 있는 단일 타겟을 통해서 형성이 가능하거나, In, Sn 각각의 타겟을 사용하는 반응성 co-sputtering 방법을 통해서도 형성이 가능하다.Next, the ITO thin film which is the transparent electrode thin film 5 was formed on the glass substrate in which SiO2 was formed. At this time, the sheet resistance was formed at 150 Ω / □. At this time, the sheet resistance can be selectively formed in the range of 10 ~ 1000 Ω / □. In addition, the ITO thin film is formed through PVD, CVD, and the like, and in particular, when formed through PVD, it is preferable to form through sputtering, and can be formed through a single target in which ITO is mixed, or targets of In and Sn. Formation is also possible through reactive co-sputtering methods using.

다음으로, ITO 박막을 형성한 후, 메탈 트레이스 박막의 형성을 실시하였다. 이때 메탈 트레이스 박막은 총 4층의 박막으로 구성이 된다. 먼저 Ni(6)을 접착력 향상 및 부식 방지층 및 응력 완화 층으로 300Å의 두께로 형성을 실시하였다. 다음으로 Cu(7)를 2000Å의 두께로 형성을 실시하였으며, 면저항 조절 기능을 위해 형성을 실시하였다. 다음으로 다시 Ni(8)을 Cu 박막 위에 부식 방지층으로 300Å의 두께로 형성을 실시하였다. 다음으로 메탈 트레이스 층의 최상층에 Cr(9)을 통해 300Å의 두께로 하드마스크 층의 형성을 실시하였다. 이때 메탈 트레이스 박막의 면저항은 0.15 Ω/□로 측정이 되었다.Next, after forming an ITO thin film, the metal trace thin film was formed. At this time, the metal trace thin film is composed of a total of four thin films. First, Ni (6) was formed to a thickness of 300 kPa as an adhesion improving and corrosion preventing layer and a stress relaxation layer. Next, Cu (7) was formed to a thickness of 2000 kPa, and was formed for the sheet resistance control function. Next, Ni (8) was further formed on the Cu thin film to a thickness of 300 kPa as a corrosion preventing layer. Next, a hard mask layer was formed on the top layer of the metal trace layer with a thickness of 300 mm 3 through Cr (9). At this time, the sheet resistance of the metal trace thin film was measured to 0.15 Ω / □.

이때 메탈 트레이스 박막은 여러가지 조합으로 구성이 될 수 있다. 기판을 중심으로 Mo/Ag, Mo/Al/Mo, Ag-Pd 합금, Ni/Cu/Ni, SnCu/Cu/NiTiCu, Mo/Ag-Pd 합금, Mo/Ag/Mo 중에서 선택된 1종 또는 이들의 조합으로 구성이 될 수 있다.In this case, the metal trace thin film may be configured in various combinations. One or a combination of Mo / Ag, Mo / Al / Mo, Ag-Pd alloy, Ni / Cu / Ni, SnCu / Cu / NiTiCu, Mo / Ag-Pd alloy, and Mo / Ag / Mo around the substrate Combinations can be made.

그리고 하드마스크 층의 경우에도 Cr으로 제한이 되는 것이 아니라 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하고 질소, 산소, 탄소, 불소 중에서 선택된 1종을 포함하는 화합물이거나 이들의 질화산화, 질화탄화, 질화불화, 산화탄화, 산화불화, 탄화불화, 질화산화탄화, 산화탄화불화, 잘화탄화불화, 질화산화불화 중에서 선택된 1종 또는 이들의 조합으로 구성이 될 수 있다.In addition, the hard mask layer is not limited to Cr, but is a compound containing alkaline earth metal, transition metal, transition metal, nonmetal, halogen, and one selected from nitrogen, oxygen, carbon, and fluorine, or their nitrides. It may be composed of one or a combination thereof selected from oxidation, nitriding carbonization, fluorinated nitride, oxidized carbonization, oxidized fluoride, carbonized fluoride, nitrified oxidized carbonized, oxidized carbonized fluoride, fine carbonized fluorinated, and nitrified fluorinated fluoride.

다음으로 메탈 트레이스 박막의 형성을 실시한 후, AZEM사에서 제조하는 AZ-7220 포토레지스트를 스캔 코팅을 실시하여, 포토레지스트 막(10)의 형성을 실시하였다.Next, after forming the metal trace thin film, the AZ-7220 photoresist manufactured by AZEM Corporation was subjected to scan coating to form the photoresist film 10.

다음으로, 노광 공정을 실시하여 Pattern 형성을 원하는 영역에 노광을 실시하여, 포토레지스트막의 감광을 실시하였다.Next, the exposure process was performed, and the exposure was performed to the area | region in which pattern formation is desired, and the photoresist film was photosensitive.

다음으로 TMAH 2.38% 현상액을 통해 감광이 된 부분의 포토레지스트 막의 제거를 실시하여 포토레지스트 패턴의 형성을 실시하였다.Next, the photoresist film of the photosensitive part was removed through TMAH 2.38% developer, and the photoresist pattern was formed.

다음으로 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 하드마스크막인 Cr의 습식 식각을 실시하였다. 이때 크롬 식각은 Ceric Ammonium Nitrate가 포함된 식각액을 사용하여 식각을 실시하였다. 이를 통해 하드마스크막 패턴의 형성을 실시하였다.Next, wet etching of Cr which is a hard mask film was performed using the photoresist pattern as a mask. At this time, chromium etching was performed using an etchant containing Ceric Ammonium Nitrate. Through this, a hard mask film pattern was formed.

다음으로 하드마스크막 패턴의 형성을 실시한 후, 필요 없어진 포토레지스트 패턴을 제거하기 위해, NaOH가 8%가 함유된 박리액을 통해 포토레지스트 패턴의 박리를 실시하였다.Next, after the formation of the hard mask film pattern, in order to remove the unnecessary photoresist pattern, the photoresist pattern was peeled through a stripping solution containing 8% NaOH.

다음으로 메탈 트레이스 박막의 식각을 위해 제2염화철이 함유된 식각액을 통해 Ni/Cu/Ni로 구성된 메탈 트레이스 박막 패턴의 형성을 실시하였다. 이와 동시에 ITO 박막 또한 제2염화철로 구성되는 식각액에 의해 동시에 식각을 실시하였다. 이때 Cr으로 구성되는 하드마스크 박막은 제2염화철에 의해 식각이 되지 않는 것을 특징으로 한다. 또한 본 실시예에서는 메탈 트레이스 박막과 ITO 박막을 동시에 식각하는 공정을 진행하였지만, 염산을 통해 Ni/Cu/Ni 박막만의 식각을 실시하고, 초산을 근간으로 하는 ITO 식각을 하는 2회의 식각을 통해 메탈 트레이스 및 ITO 박막 패턴을 형성하는 것도 가능하다.Next, a metal trace thin film pattern composed of Ni / Cu / Ni was formed through an etching solution containing iron chloride to etch the metal trace thin film. At the same time, the ITO thin film was simultaneously etched with an etchant consisting of ferric chloride. In this case, the hard mask thin film made of Cr is not etched by the iron chloride. In this embodiment, the metal trace thin film and the ITO thin film were simultaneously etched. However, only the Ni / Cu / Ni thin film was etched through hydrochloric acid, and the second etching was performed by using ITO etching based on acetic acid. It is also possible to form metal traces and ITO thin film patterns.

다음으로, 다시 포토레지스트를 통해 제2의 포토레지스트막의 형성을 실시하였다. 다음으로 노광기를 통해 노광 공정을 진행하여, 시야 영역에 형성된 포토레지스트의 감광을 실시하였다.Next, the second photoresist film was formed again through the photoresist. Next, the exposure process was performed through the exposure machine, and the photoresist formed in the visual field area | region was performed.

다음으로 현상액을 통해 시야 영역에 형성된 포토레지스트의 제거를 실시하였다.Next, the photoresist formed in the viewing area was removed through the developer.

다음으로 하드마스크인 Cr 박막의 습식 식각을 실시하고, 또한 메탈 트레이스 박막 또한 습식 식각을 실시하였다.Next, wet etching of the Cr thin film which is a hard mask was performed, and the metal trace thin film was also wet etching.

이를 통해 그림 2를 참조하여, 시야 영역에는 ITO 박막 패턴(5a)이 존재하고, 데코레이션 영역에는 메탈 트레이스 패턴(6a, 7a, 8a) 및 하드마스크 패턴(9a)이 존재하는 정전용량 방식의 터치 패널 제조를 실시하였다 Accordingly, referring to FIG. 2, the capacitive touch panel in which the ITO thin film pattern 5a is present in the viewing area and the metal trace patterns 6a, 7a and 8a and the hard mask pattern 9a are present in the decoration area. Was manufactured

상기와 같이 하드마스크 패턴이 있는 정전용량 방식의 터치 패널 제조를 실시하여 보다 미세한 메탈트레이스 패턴의 구현이 가능해 진다.As described above, a capacitive touch panel having a hard mask pattern may be manufactured to realize a finer metal trace pattern.

Claims (15)

강화유리 위에 데코레이션 인쇄, ITO 박막, 메탈 트레이스 패턴으로 구성되는 터치 패널에 있어서,상기 메탈 트레이스 패턴은 금속 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 패널In the touch panel consisting of a decoration printing, ITO thin film, a metal trace pattern on the tempered glass, The metal trace pattern is formed of a metal thin film 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막은 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb, Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au, Rg, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, 란타넘족, 악티늄족 중에서 선택되는 1종 이상의 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The metal trace thin film is Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sc, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb, Ta, Db, Cr , Mo, W, Sg, Mn, Tc, Re, Bh, Fe, Ru, Os, Hs, Co, Rh, Ir, Mt, Ni, Pd, Pt, Ds, Cu, Ag, Au, Rg, Zn, Cd One or more alkaline earth metals, transitions selected from Hg, B, Al, Ga, In, Tl, C, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, Po, Lanthanum and Actinium A touch panel comprising a metal, a transition metal, a nonmetal, and a halogen 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막은 알칼리 토금속, 전이금속, 전이후금속, 비금속, 할로젠을 포함하고 질소, 산소, 탄소, 불소 중에서 선택된 1종을 포함하는 화합물이거나 이들의 질화산화, 질화탄화, 질화불화, 산화탄화, 산화불화, 탄화불화, 질화산화탄화, 산화탄화불화, 잘화탄화불화, 질화산화불화 중에서 선택된 1종의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The metal trace thin film is a compound including alkaline earth metal, transition metal, transition metal, nonmetal, halogen, and one selected from nitrogen, oxygen, carbon, and fluorine or nitrification, nitriding, fluorination, oxidation A touch panel comprising at least one compound selected from among carbonized, oxidized, fluorinated, nitrided and oxidized carbonized, oxidized and carbonized fluoride, fine carbonized and oxynitride 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막은 500Ω/□ 이하의 면저항을 가지는 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The metal trace thin film has a sheet resistance of 500 Ω / □ or less. 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막은 2층 이상의 복수개의 박막으로 구성되는 경우, 복수개의 박막 층은 동일한 식각액에 의해서 식각되는 것을 특징으로 터치 패널The method of claim 1,
When the metal trace thin film is composed of a plurality of thin films of two or more layers, the plurality of thin film layers are etched by the same etchant. 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막은 2층 이상의 복수개의 박막으로 구성되는 경우, 복수개의 박막 층은 각각 식각액에 대해서 선택비를 가지는 것을 특징으로 터치 패널The method of claim 1,
When the metal trace thin film is composed of a plurality of thin films of two or more layers, the plurality of thin film layers each have a selectivity with respect to an etchant. 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막은 인산, 질산, 초산, 염산, 황산, 암모니아수, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 과산화수소 중에서 선택된 1종의 식각액 또는 이들의 화합물 및 혼합물에 의해서 식각이 가능한 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The metal trace thin film may be etched by at least one etching solution selected from phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, aqueous ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and hydrogen peroxide or a compound and mixture thereof. 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막은 식각시 식각액을 100도 이하로 가열하여 식각하는 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The metal trace thin film is a touch panel characterized in that the etching by heating the etching liquid to 100 degrees or less during etching 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막은 물리 기상 증착, 화학 기상 증착 중에서 선택된 1종의 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The metal trace thin film is formed by one method selected from physical vapor deposition and chemical vapor deposition. 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막의 두께가 100,000Å 이하인 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The touch panel, characterized in that the thickness of the metal trace thin film is 100,000Å or less. 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 박막의 면저항이 400Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The touch panel, characterized in that the sheet resistance of the metal trace thin film is 400Ω / □ or less. 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 패턴의 형성을 실시하기 위해 포토레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
Touch panel, characterized in that for using the photoresist to form the metal trace pattern 제 1항에 있어서,
상기 메탈 트레이스 패턴의 형성을 실시하기 위해 포토레지스트를 형성하는 방법은 스핀, 스캔, 스핀-스캔, 스프레이, 잉크젯 프린팅 방법 중에서 선택된 1종을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
The method of forming the photoresist for forming the metal trace pattern may be performed through one of spin, scan, spin-scan, spray, and inkjet printing methods. 제 1항에 있어서,
데코레이션 영역이 형성된 강화유리 대신 PET Film이 적용되는 것을 특징으로 하는 터치 패널The method of claim 1,
Touch panel, characterized in that the PET film is applied instead of the tempered glass formed decoration area 제 1항 내지 제 14항의 방법을 통해 제조되는 정전용량 방식 터치 패널의 제조 방법A method of manufacturing a capacitive touch panel manufactured by the method of claim 1

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