KR20130036617A - 발광소자 패키지 - Google Patents
발광소자 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130036617A KR20130036617A KR1020110100811A KR20110100811A KR20130036617A KR 20130036617 A KR20130036617 A KR 20130036617A KR 1020110100811 A KR1020110100811 A KR 1020110100811A KR 20110100811 A KR20110100811 A KR 20110100811A KR 20130036617 A KR20130036617 A KR 20130036617A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lead frame
- light emitting
- emitting device
- cavity
- device package
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 38
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- -1 (Al) Chemical compound 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15159—Side view
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임을 구비하고, 캐비티가 형성된 몸체 및 상기 캐비티 내로 노출된 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임 중 어느 하나에 실장된 광원부를 포함하고, 상기 몸체는 하부를 이루고 외면 중 바닥면에 곡면을 가지는 중앙부 및 상기 중앙부의 양단에 형성되고, 외면 중 바닥면이 평면인 접합부를 포함하며, 상기 접합부의 바닥면은 상기 중앙부의 바닥면 보다 하부에 형성되어서 발광소자 패키지가 기판에 실장될 때에 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서 LED의 고휘도화, 대형화가 요구되고 있고, 특히, 길이가 긴 LED의 경우 사출성형 후 경화 시에 몸체가 휘어지는 문제점이 있다.
실시 예는 기판에 실장 시에 실장의 신뢰성 및 편의성이 향상되는 발광소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임을 구비하고, 캐비티가 형성된 몸체 및 상기 캐비티 내로 노출된 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임 중 어느 하나에 실장된 광원부를 포함하고, 상기 몸체는 하부를 이루고 외면 중 바닥면에 곡면을 가지는 중앙부 및 상기 중앙부의 양단에 형성되고, 외면 중 바닥면이 평면인 접합부를 포함하며, 상기 접합부의 바닥면은 상기 중앙부의 바닥면 보다 하부에 형성된다.
발광소자 패키지의 사출성형 후 경화 과정에서 휨이나 곡면이 형성되는 경우 접합부의 바닥면을 평평하게 형성함으로써, 발광소자 패키지가 기판에 실장되는 경우에 기판과 접하는 접합부의 바닥면이 기판과 동일한 형상으로 형성되면 발광소자 패키지를 용이하게 기판에 실장할 수 있다.
또한, 기판에 실장 시에 곡면을 가지는 발광소자 패키지의 몸체 바닥면과 기판을 밀착시킬 수 있고, 발광소자 패키지 실장의 신뢰성 및 편의성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도1의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 7은 도 6의 발광소자 패키지의 측면도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 실장되는 모습을 도시한 도면이다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 10은 도 9 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도1의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 7은 도 6의 발광소자 패키지의 측면도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 실장되는 모습을 도시한 도면이다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 10은 도 9 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 도1의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예의 발광소자 패키지(100)는 캐비티(C)가 형성된 몸체(110), 몸체(110)에 구비되는 리드프레임(120), 리드프레임(120) 상에 실장되는 광원부(130) 포함할 수 있다.
몸체(110)는 하우징 역할을 수행하며, 적어도 제1 리드프레임(121) 및 제2 리드프레임(122)을 구비할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 전원을 인가할 수 있는 적어도 2개 이상의 리드프레임을 가질 수 있다.
몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
몸체(110)에는 광원부(130)가 외부로 노출되도록 상부 쪽이 개방된 캐비티(C)가 형성될 수 있어 캐비티(C) 내부에 광원부(130)가 위치할 수 있다. 또한, 몸체(110) 내부를 경사지게 형성하여, 경사면의 각도에 따라 광원부(130)에서 방출되는 광의 반사각이 다르게 할 수 있다.
이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있으며, 광의 지향각이 줄어들수록 광원부(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 광원부(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.
한편, 몸체(110)에 형성되는 캐비티(C)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이 때, 캐비티(C)의 내벽을 이루는 캐비티(C)의 측면 및 바닥면에 반사코팅막(미도시)이 형성될 수 있다. 여기서, 반사코팅막(미도시)이 형성되는 몸체(110)의 표면은 매끄럽거나 소정의 거칠기(roughness)를 가지도록 형성될 수 있으며, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 등으로 이루어질 수 있다.
리드프레임(120)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 리드프레임(120)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 리드프레임(120)은 서로 다른 전원을 인가하도록 제1 리드프레임(121) 및 제2 리드프레임(122)으로 구성될 수 있다. 여기서, 제1 리드프레임(121)에는 광원부(130)가 배치될 수 있으며, 제2 리드프레임(122)은 제1 리드프레임(121)과 소정거리로 이격되어 형성될 수 있다. 그리고, 광원부는 제2 리드프레임(122)과 와이어(140) 본딩으로 연결될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고 광원부(130)는 제1 리드프레임(121) 및 제2 리드프레임(122)과 전기적으로 연결되는 어떠한 구성도 가질 수 있다.
제1 리드프레임(121) 및 제2 리드프레임(122)은 몸체(110)를 관통하여 측면으로 돌출되고 몸체(110)를 따라 굽어져 몸체(110)의 바닥면과 접할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 구성을 가질 수 있다. 이에 대해서는 후술한다.
광원부(130)는 제1 리드프레임(121) 상에 실장되어 외부에서 인가되는 전원에 의해 소정 파장의 빛을 출사하는 장치이다. 예를 들면, 발광소자를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 광을 발생시키는 모든 장치가 사용될 수 있다.
발광소자는 반도체소자의 일종이며, GaN(질화 갈륨), AlN(질화 알루미늄), InN(질화 인듐), GaAs(갈륨 비소) 등의 3족 및 5족 화합물을 기반으로 하여 구현될 수 있다. 일 예로 발광소자는 발광 다이오드일 수 있다.
발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시예에서는 단일의 발광다이오드가 중심부에 구비되는 것으로 도시하여 설명하고 있으나, 이에 한정하지 않고 복수개의 발광다이오드를 구비하는 것 또한 가능하다.
또한, 광원부(130)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type) 모두에 적용 가능하다.
광원부(130)는 와이어(140)를 통해 제1 리드프레임(121) 및 제2 리드프레임(122)과 전기적으로 연결되어 외부 전원을 인가 받는다. 이 때, 수평형 발광소자는 2개의 와이어를 통한 와이어 본딩 방식으로, 수직형 발광소자는 1개의 와이어를 통한 와이어 본딩 방식을 사용한다.
수지물(150)은 캐비티에 충진되어 광원부(130) 및 와이어(140)를 밀봉시켜 줄 수 있다. 이 때, 수지물(150)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재료로 형성될 수 있으며, 상기 재료를 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.
수지물(150)의 표면은 오목 렌즈 형상, 볼록 렌즈 형상, 플랫한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 수지물(150)의 형태에 따라 광원부(130)에서 방출된 광의 지향각이 변화될 수 있다.
또한, 수지물(150) 위에는 다른 렌즈 형상의 수지물이 형성되거나 부착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
수지물(150)에는 형광체를 포함할 수 있다. 여기서, 형광체는 광원부(130)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지(100)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.
즉, 형광체는 광원부(130)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있는바, 예를 들어, 광원부(130)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기 되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
이와 유사하게, 광원부(130)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 광원부(130)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.
이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.
다시, 도 1 및 도 2를 참조하면, 몸체(110)는 캐비티(C)의 측면을 형성하는 벽부(111), 벽부(111)의 하부에 형성되는 중앙부(112) 및 접합부(113)를 포함할 수 있다.
여기서, 중앙부(112)는 외면 중 바닥면(112D)에 곡면을 가질 수 있다.
중앙부의 바닥면(112D)은 아치형으로 오목한 곡면을 형성할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 중앙부의 바닥면(112D)이 전체적으로 곡면을 가지면서 올록볼록하게 형성될 수도 있다.
도 1 및 도 2에서는 중앙부의 바닥면(112D)이 곡면을 가지는 것으로 도시하고 있으나, 몸체(110)의 상면, 캐비티(C)의 하면도 곡면을 가질 수 있고 이에 대해서는 후술한다.
접합부(113)는 발광소자 패키지(100)가 기판 등에 실장될 때 기판 등과 접착되는 부분으로, 중앙부(112)의 양단에 형성되고, 외면 중 바닥면(113D)이 평면을 이룬다.
접합부의 바닥면(113D)은 중앙부의 바닥면(112D)과 연결되고, 중앙부의 바닥면(112D) 보다 하부에 형성될 수 있다. 즉, 중앙부의 바닥면(112D)은 접합부의 바닥면(113D)의 연장선에서 이격되어 발광소자 패키지(100)의 내측으로 오목하게 형성될 수 있다.
그리고, 양 접합부의 바닥면(113D)은 서로 평행하게 형성될 수 있고, 서로 동일 면 상에 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 단차를 가질 수도 있다.
접합부의 바닥면(113D)의 형성방법은 예를 들면, 몸체(110)의 사출 전에 경화 시에 발생할 수 있는 휨 등을 고려하여 사출성형 방법으로 제작할 수도 있고, 몸체(110)의 사출성형 후 경화과정에서 휨 등이 발생한 부 식각 또는 커팅방법으로 형성할 수도 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
따라서, 발광소자 패키지(100)의 사출성형 후 경화 과정에서 휨이나 곡면이 형성되는 경우 접합부의 바닥면(113D)을 평평하게 형성함으로써, 발광소자 패키지(100)가 기판에 실장되는 경우에, 기판과 접하는 접합부의 바닥면(113D)이 기판과 동일한 형상의 평면으로 형성되면 발광소자 패키지(100)를 용이하게 기판에 실장할 수 있다. 또한, 곡면을 가지는 발광소자 패키지(100)의 바닥면과 기판을 밀착시킬 수 있고, 발광소자 패키지(100)의 실장의 신뢰성 및 편의성을 향상시킬 수 있다.
또한, 발광소자 패키지(100)의 길이가 증가하는 경우, 성형 후에 경화 또는 냉각과정에서 발생하는 변형이 크게 발생하게 되는데, 이 경우 실시예는 기판에 발광소자 패키지(100)의 신뢰성 및 편의성을 크게 향상시키고, 사용과정에서도 신뢰성이 향상될 수 있다.
한편, 접합부의 바닥면(113D)을 위에서 바라본 형상은 발광소자 패키지(100)가 육면체인 경우 사각형의 형상을 가질 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 형상을 가질 수 있다. 접합부의 바닥면(113D)의 형상이 사각형인 경우 기판과의 밀착면적 에서 유리하고, 실장의 신뢰성도 향상시킬 수 있다.
그리고, 접합부(113)의 두께(w2)와 중앙부(112)의 두께(w1)는 서로 상이할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.
접합부의 바닥면(113D)의 폭(L)은 0.5mm 내지 3mm 일 수 있다. 접합부의 바닥면(113D)의 폭(L)이 0.5mm 보다 작은 경우 기판에 발광소자 패키지(100)를 실장 시에 접합력에 문제가 있고, 3mm 보다 큰 경우 커팅작업에 의해 접합부의 바닥면(113D)을 형성하는 경우 몸체(110)의 강도가 저하될 수 있다.
접합부의 바닥면(113D)과 접합부의 바닥면(113D)과 접하는 중앙부의 바닥면(112D)의 접선과의 각도(θ1)는 130도 내지 179도의 범위를 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
중앙부의 바닥면(112D)과 접합부의 바닥면(113D)의 연장선과의 거리(d)는0.05mm 내지 0.2mm의 범위를 가질 수 있다. 여기서, 중앙부의 바닥면(112D)과 접합부의 바닥면(113D)의 연장선과의 거리(d)는 중앙부의 바닥면(112D)과 접합부의 바닥면(113D)의 연장선과의 거리 중 가장 큰 것을 기준으로 한다.
이때에, 제1 리드프레임(121) 및 제2 리드프레임(122)은 몸체(110)의 측면으로 돌출되고, 굽어져 접합부의 바닥면(113D)에 접촉될 수 있다. 리드프레임(120)이 돌출되는 방향은 발광소자 패키지(100)의 폭 방향 또는 길이 방향일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다. 제1 리드프레임(121) 및 제2 리드프레임(122)이 접합부의 바닥면(113D)에 접하게 되면 안정적으로 기판에 연결되고, 안정적으로 광원부(130)에 전원을 공급할 수 있다.
그리고, 캐비티(C)의 바닥면(114)은 평평하게 형성될 수 있고, 이때에, 캐비티(C) 내로 노출된 제1 리드프레임(121) 또는 제2 리드프레임(122)의 상면은 평평하게 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 캐비티(C)의 바닥면(114)이 굴곡지게 형성되고 제1 리드프레임(121) 및 발광소자 패키지(100)의 상면만 평평하게 형성되거나, 캐비티(C)의 바닥면(114)이 굴곡지게 형성되고, 제1 리드프레임 (121) 및 제2 리드프레임(122)이 접합부의 바닥면(113D)을 따라 굴곡지게 형성될 수도 있다. 이에 대해서는 후술한다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 3을 참조하면, 실시예의 발광소자 패키지(200)는 캐비티(C)가 형성된 몸체(210), 몸체(210)에 구비되는 리드프레임(220), 리드프레임(220) 상에 실장되는 광원부(230) 포함할 수 있다.
이때에, 캐비티(C)의 바닥면(214)은 곡면을 가질 수 있다. 캐비티(C)의 바닥면(214)의 곡률과 중앙부의 바닥면( 212D)의 곡률을 동일할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 서로 다른 곡률을 가질 수도 있다.
한편, 캐비티(C)내로 노출된 제1 리드프레임(221) 및 제2 리드프레임(222)의 저면은 캐비티(C)의 바닥면(214)을 따라 곡면을 가지게 형성될 수 있다. 또한, 캐비티(C)내로 노출된 제1 리드프레임(221) 및 제2 리드프레임(222)의 상면은 캐비티(C)의 바닥면(214)을 따라 곡면을 가지게 형성될 수 있다. 즉, 캐비티(C)내로 노출된 제1 리드프레임(221) 및 제2 리드프레임(222)은 두께가 일정하게 형성되면서 캐비티(C)의 바닥면(214)을 따라 굴곡지게 형성될 수도 있고, 제1 리드프레임(221) 및 제2 리드프레임(222)의 저면은 캐비티(C)의 바닥면(214)의 바닥면을 따라 굴곡지게 형성되고, 제1 리드프레임(221) 및 제2 리드프레임(222)의 상면은 평평하게 형성될 수 도 있다. 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 4를 참조하면, 실시예의 따른 발광소자 패키지(300)는 도 1의 실시예와 비교하여 리드프레임(320)의 구성에 차이가 있다.
여기서, 제1 리드프레임(321) 및 제2 리드프레임(322)은 몸체(310)의 폭 방향의 측면으로 돌출되고, 중앙부의 바닥면(312D) 방향으로 굽어져 형성될 수 있다.
이때에, 제1 리드프레임(321) 및 제2 리드프레임(322) 일단이 굽어져 중앙부의 바닥면(312D)과 접할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 제1 리드프레임(321) 및 제2 리드프레임(322)이 중앙부의 바닥면(312D)의 방향으로 굽어지고, 중앙부의 바닥면(312D)과는 접하지 않을 수도 있다. 도 4에서는 리드프레임(320)이 중앙부의 바닥면(312D)에 접하지 않는 것으로 도시되어 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1 리드프레임(321) 및 제2 리드프레임(322)은 몸체(310)의 폭 방향 측면으로 돌출되고, 접합부의 바닥면(313D)의 연장선과 중앙부의 바닥면(312D) 사이의 공간으로 굽어지는 것이다.
이와 같이 리드프레임(320)이 형성되면, 곡면을 가지는 발광소자 패키지(300)에서 기판에 실장 시에 접촉면적이 증대되고, 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 수직 단면을 나타내는 도이다.
도 5를 참조하면, 실시예의 발광소자 패키지(400)는 도 3의 실시예와 비교하면, 몸체(410)의 상부면(415)은 곡면을 가지고, 중앙부의 바닥면(442D)과 동일한 곡률을 가질 수 있다. 즉, 중앙부의 바닥면(442D), 캐비티(C)의 바닥면(414), 몸체(410)의 상부면(415) 또는 캐비티(C) 내로 노출된 리드프레임(420) 중 어느 하나 이상이 곡면을 가질 수 있다. 그리고 이들 곡면의 곡률은 서로 상이할 수 도 있고 같을 수도 있다. 도 5에서는 중앙부의 바닥면(412D), 캐비티(C)의 바닥면(414), 몸체(410)의 상부면(415) 및 캐비티(C) 내로 노출된 리드프레임(420)이 곡면을 가지고 이들이 동일한 곡률을 가지는 것으로 도시되어 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
여기서, 접합부의 바닥면(413D)에서 몸체(410)의 두께(h)가 지나치게 작게 되면, 몸체(410)의 강도를 유지할 수 없고, 접합부의 바닥면(413D)에서 몸체(410)의 두께(h)가 지나치게 크게 되면, 발광소자의 발광효율이 저하될 수 있으므로, 접합부의 바닥면(413D)에서 몸체(410)의 두께(h)는 0.6mm 내지 0.79mm 일 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않는다. 한편, 몸체의 상부면(415)의 길이(a)는 7mm 내지 8.5mm 일 수 있다. 다만 이에 한정되지는 않는다.
그리고, 몸체(410)의 측면과 접합부의 바닥면(413D)이 이루는 각(θ2)은 100도 내지 179도 일 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않는다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 7은 도 6의 발광소자 패키지의 측면도이다.
도 6 및 도7을 참조하면, 실시예의 발광소자 패키지(500)는 도 5의 실시예와 비교하면, 제1 리드프레임(521) 및 제2 리드프레임(522)의 구성에 차이가 있다.
여기서, 제1 리드프레임(521) 및 제2 리드프레임(522)은 몸체(510)의 폭 방향의 측면으로 돌출되고, 중앙부의 바닥면(512D) 방향으로 굽어져 형성될 수 있다.
이때에, 제1 리드프레임(521) 및 제2 리드프레임(522) 일단이 굽어져 중앙부의 바닥면(512D)과 접할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 제1 리드프레임(521) 및 제2 리드프레임(522)이 중앙부의 바닥면(512D)의 방향으로 굽어지고, 중앙부의 바닥면(512D)과는 접하지 않을 수도 있다. 도 6에서는 리드프레임(520)이 중앙부의 바닥면(512D)에 접하지 않는 것으로 도시되어 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1 리드프레임(521) 및 제2 리드프레임(522)은 몸체(510)의 폭 방향 측면으로 돌출되고, 접합부의 바닥면(513D)의 연장선과 중앙부의 바닥면(512D) 사이의 공간으로 굽어지는 것이다.
이와 같이 리드프레임(520)이 형성되면, 곡면을 가지는 발광소자 패키지(500)에서 기판에 실장 시에 접촉면적이 증대되고, 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 실장되는 모습을 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 복수의 발광소자 패키지(400) 및 복수의 발광소자 패키지(400)가 배치된 기판(10)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 인쇄회로기판(printed circuit board), 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board) 또는 메탈 기판 일 수 있으며, 인쇄회로기판인 경우에는 단면 PCB(Print circuit Board), 양면 PCB(Print circuit Board) 또는 복수 층으로 이루어진 PCB(Print circuit Board) 등을 사용할 수 있다. 실시 예에서는 단면 PCB(Print circuit Board)인 것으로 설명하며, 이에 한정을 두지 않는다.
기판(10)은 베이스층(11) 및 동박층(12), 절연층(13)을 포함할 수 있다.
베이스층(11)은 FR4 재질일 수 있고, 유리섬유 및 에폭시 수지가 복수의 층을 이룰 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
베이스층(11) 상에 배치되는 동박층(12)은 복수의 발광소자 패키지(400)가 실장되며 전원을 공급할 수 있다. 절연층(13)은 베이스층(11)과 동박층(12)의 일부에 적층될 수 있다.
동박층(12)은 발광소자 패키지(400)가 실장되는 전극패턴(14)을 포함할 수 있으며, 전극패턴(14)은 다양하게 형성될 수 있다.
도 6 8에 도시한 바와 같이, 기판(10)은 평평한 형상을 가질 수 있으며, 평평한 형상을 가진 기판(10) 상에는 상기 도 1 내지 도 6에서 설명한 발광소자 패키지(100,200,300,400,500)가 용이하게 배치될 수 있다. 즉, 도 1 내지 도 6에서 설명한 발광소자 패키지는 기판(10)과 접하는 접합부의 바닥면(113D)이 기판과 동일한 형상의 평면으로 형성되면 발광소자 패키지(100)를 용이하게 기판에 실장할 수 있다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 10 는 도 9 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 조명장치(600)는 몸체(610), 몸체(610)와 체결되는 커버(630) 및 몸체(610)의 양단에 위치하는 마감캡(650)을 포함할 수 있다.
몸체(610)의 하부면에는 발광소자 모듈(640)이 체결되며, 몸체(610)는 발광소자 패키지(644)에서 발생된 열이 몸체(610)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.
발광소자 패키지(644)는 PCB(642) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB(642)로 MPPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.
발광소자 패키지(644)는 연장된 리드 프레임(미도시)를 포함하여 향상된 방열 기능을 가질 수 있으므로, 발광소자 패키지(644)의 신뢰성과 효율성이 향상될 수 있으며, 발광소자 패키지(622) 및 발광소자 패키지(644)를 포함하는 조명장치(600)의 사용 연한이 연장될 수 있다.
커버(630)는 몸체(610)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.
커버(630)는 내부의 발광소자 모듈(640)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(630)는 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광은 커버(630)를 통해 외부로 방출되므로 커버(630)는 광 투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(630)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
마감캡(650)은 몸체(610)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(650)에는 전원핀(652)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(600)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 11 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 11 은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(710)은 백라이트 유닛(770)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(710)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(712) 및 박막 트랜지스터 기판(714)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(712)은 액정표시패널(710)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(714)은 구동 필름(717)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로 기판(718)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(714)은 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(714)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(770)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(720), 발광소자 모듈(720)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(710)로 제공하는 도광판(730), 도광판(730)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(752, 766, 764) 및 도광판(730)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(730)으로 반사시키는 반사 시트(747)로 구성된다.
발광소자 모듈(720)은 복수의 발광소자 패키지(724)와 복수의 발광소자 패키지(724)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(722)을 포함할 수 있다. 이 경우 굽어진 발광소자 패키지(724)의 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 백라이트 유닛(770)은 도광판(730)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(710) 방향으로 확산시키는 확산필름(766)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(752)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(750)를 보호하기 위한 보호필름(764)을 포함할 수 있다.
도 12 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 11 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 12은 직하 방식으로, 액정표시장치(800)는 액정표시패널(810)과 액정표시패널(810)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(870)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(810)은 도 11에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트 유닛(870)은 복수의 발광소자 모듈(823), 반사시트(824), 발광소자 모듈(823)과 반사시트(824)가 수납되는 하부 섀시(830), 발광소자 모듈(823)의 상부에 배치되는 확산판(840) 및 다수의 광학필름(860)을 포함할 수 있다.
발광소자 모듈(823) 복수의 발광소자 패키지(822)와 복수의 발광소자 패키지(822)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(821)을 포함할 수 있다.
반사 시트(824)는 발광소자 패키지(822)에서 발생한 빛을 액정표시패널(810)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자 모듈(823)에서 발생한 빛은 확산판(840)에 입사하며, 확산판(840)의 상부에는 광학 필름(860)이 배치된다. 광학 필름(860)은 확산 필름(866), 프리즘필름(850) 및 보호필름(864)를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (19)
- 서로 이격된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임을 구비하고, 캐비티가 형성된 몸체; 및
상기 캐비티 내로 노출된 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임 중 어느 하나에 실장된 광원부를 포함하고,
상기 몸체는,
하부를 이루고 외면 중 바닥면에 곡면을 가지는 중앙부; 및
상기 중앙부의 양단에 형성되고, 외면 중 바닥면이 평면인 접합부를 포함하며,
상기 접합부의 바닥면은 상기 중앙부의 바닥면 보다 하부에 형성되는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 중앙부의 곡면은 아치형인 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 중앙부의 곡면은 오목한 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 접합부의 바닥면은 위에 바라본 형상이 사각형을 포함하는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 접합부의 두께와 상기 중앙부의 두께는 서로 다른 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 접합부의 바닥면은 0.5mm 내지 3mm 범위의 폭을 가지는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 중앙부의 바닥면과 접합부의 바닥면의 연장선과의 거리는 0.05mm 내지 0.2mm의 범위를 가지는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 접합부의 바닥면은 서로 평행하게 형성되는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 접합부의 바닥면은 서로 동일 면 상에 형성되는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임은 상기 몸체의 측면으로 돌출되고, 굽어져 상기 접합부의 바닥면과 접하는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임은 상기 캐비티 내로 노출된 상면이 평평한 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임은 상기 몸체의 폭 방향의 측면으로 돌출되고, 굽어져 상기 중앙부의 바닥면과 접하는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 캐비티의 바닥면은 곡면을 가지게 형성되고, 상기 중앙부의 바닥면과 같은 곡률을 가지는 발광소자 패키지. - 제13항에 있어서,
상기 캐비티 내로 노출된 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임의 저면이 상기 캐비티의 바닥면을 따라 형성된 발광소자 패키지. - 제14항에 있어서,
상기 캐비티 내로 노출된 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임의 상면이 상기 캐비티의 바닥면을 따라 형성된 발광소자 패키지. - 제13항에 있어서,
상기 몸체의 상부면은 곡면을 가지고, 상기 중앙부의 바닥면과 동일한 곡률을 가지는 발광소자 패키지. - 제16항에 있어서,
상기 접합부의 바닥면에서 몸체의 두께는 0.6mm 내지 0.79mm 인 발광소자 패키지. - 제16항에 있어서,
상기 몸체 상부면의 길이는 7mm 내지 8.5mm 인 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 캐비티에 채워지는 수지물을 더 포함하는 발광소자 패키지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110100811A KR101941512B1 (ko) | 2011-10-04 | 2011-10-04 | 발광소자 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110100811A KR101941512B1 (ko) | 2011-10-04 | 2011-10-04 | 발광소자 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130036617A true KR20130036617A (ko) | 2013-04-12 |
| KR101941512B1 KR101941512B1 (ko) | 2019-01-23 |
Family
ID=48437878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110100811A KR101941512B1 (ko) | 2011-10-04 | 2011-10-04 | 발광소자 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101941512B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150097006A (ko) * | 2014-02-17 | 2015-08-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| WO2019124711A1 (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR20190119951A (ko) * | 2018-04-13 | 2019-10-23 | (주)포인트엔지니어링 | 광소자 패키지 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010016292A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Showa Denko Kk | 照明装置および照明装置の製造方法 |
| JP2010062427A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 発光装置 |
-
2011
- 2011-10-04 KR KR1020110100811A patent/KR101941512B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010016292A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Showa Denko Kk | 照明装置および照明装置の製造方法 |
| JP2010062427A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 発光装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150097006A (ko) * | 2014-02-17 | 2015-08-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| WO2019124711A1 (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR20190074133A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR20190119951A (ko) * | 2018-04-13 | 2019-10-23 | (주)포인트엔지니어링 | 광소자 패키지 |
| CN110379904A (zh) * | 2018-04-13 | 2019-10-25 | 普因特工程有限公司 | 光元件封装体 |
| US11201272B2 (en) | 2018-04-13 | 2021-12-14 | Point Engineering Co., Ltd. | Optical device package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101941512B1 (ko) | 2019-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101805118B1 (ko) | 발광소자패키지 | |
| KR101941512B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| EP2458655B1 (en) | Light emitting device package | |
| KR101923189B1 (ko) | 발광소자 어레이 | |
| KR20120045539A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101849126B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101978942B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101911939B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101824882B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR102042208B1 (ko) | 인쇄회로기판 | |
| KR20140098523A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101781047B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR20140099073A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101877410B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101904263B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101894933B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101831278B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101735310B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101778151B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101883344B1 (ko) | 발광소자 어레이 | |
| KR101722622B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20120072737A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR101722627B1 (ko) | 발광소자 모듈 | |
| KR20120034484A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20120073929A (ko) | 발광소자 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |