KR20130019183A - 반응가스 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치 - Google Patents

반응가스 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치 Download PDF

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Abstract

폴리실리콘 제조장치에 관한 것으로, 반응가스의 흐름을 개선하여 파우더의 배출을 원활하게 하고 덴드라이트(Dendrite) 발생을 저감할 수 있는 폴리실리콘 제조장치에 관하여 개시한다.
본 발명은, 반응가스를 공급받는 가스 투입관 및 배출가스를 배출하는 가스 배출관를 구비하며 내부에 챔버를 형성하는 종형(bell-jar) 반응기; 상기 종형 반응기의 바닥판을 관통하여 상기 챔버의 내부로 돌출 형성되며 서로 이격 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 전극부; 상기 제1전극으로 인가된 전류를 상기 제2전극으로 통전시키도록 연결 형성되며, 가열됨에 따라 반응가스를 열분해하여 표면상에 실리콘을 석출하는 실리콘 코어 로드부; 및 상기 실리콘 코어 로드부의 둘레를 감싸도록 배치되어 상기 실리콘 코어 로드부를 가열하는 자켓부;를 포함하되, 상기 자켓부는 상하가 개방된 통형상을 가지며 하단이 상기 반응기 바닥판과 이격되어 반응가스의 흐름을 개선한 구조를 제공한다.

Description

반응가스 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치{POLY SILICON DEPOSITION DEVICE}
본 발명은 폴리실리콘 제조장치에 관한 것으로, 반응가스의 흐름을 개선하여 파우더의 배출을 원활하게 하고 덴드라이트(Dendrite) 발생을 저감할 수 있는 폴리실리콘 제조장치에 관한 것이다.
다결정 상태의 고순도 실리콘인 폴리실리콘(polysilicon 또는 polycrystalline silicon)은 실리콘결정형 태양전지의 원료로 사용된다.
현재 폴리실리콘 생산 공장에서는 실리콘 석출용 실란원료, 즉 Si-H-Cl계 화합물 가운데에서, 삼염화실란(trichloro-silane) 또는 모노실란(mono-silane) 가운데 한 가지를 선택하여 사용하고 있다. 이외에도 사염화실란 및 이염화실란이 채택될 수 있지만, 모노실란에 비해 경제성이 좋지 못하다.
가스화공정으로 제조되는 초고순도의 실란원료로부터 고체상태의 폴리실리콘을 형성시키는 과정을 실리콘 석출공정이라 한다.
실란원료 가스는 고온에서의 수소환원반응 및 열분해를 통해 실리콘 원소를 생성시키고, 이 실리콘 원소가 막대(rod) 또는 입자의 표면에 다결정상태로 실리콘 결정을 형성시켜 나간다.
이러한 실리콘 석출공정으로는, 막대형 제품 생산용 종형(bell-jar) 반응기를 이용하는 지멘스(Simens) 석출법과, 입자형 제품 생산용 유동층석출법(fluidized bed reactor: FBR)을 이용하는 유동층석출법(이를 'FBR법' 이라 함) 이 있다.
모노실란을 실란원료 가스로 이용하여 지멘스 석출법을 이용하는 실리콘 석출공법의 경우, 종형 반응기 내에서 파우더가 발생되는 문제가 있다. 이러한 파우더는 종형 반응기 내의 온도 측정을 방해함은 물론, 실리콘 코어 로드의 표면을 불균질하게 하여 품질에 악영향을 끼친다.
본 발명은 반응가스의 흐름을 개선하여 덴드라이트 발생을 저감할 수 있는 폴리실리콘 제조장치에 관한 것이다.
관련선행기술로는 대한민국 등록특허 등록번호 10-1039659호 (공고일자 2011년 6월 8일) '폴리실리콘 증착장치'가 있다.
본 발명은 실리콘 코어 로드로 공급되는 반응가스의 흐름을 개선하여 파우더 배출을 원활하게 하고, 덴드라이트 발생을 저감할 수 있는 폴리실리콘 제조장치를 제공함에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반응가스를 공급받는 가스 투입관 및 배출가스를 배출하는 가스 배출관를 구비하며 내부에 챔버를 형성하는 종형(bell-jar) 반응기; 상기 종형 반응기의 바닥판을 관통하여 상기 챔버의 내부로 돌출 형성되며 서로 이격 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 전극부; 상기 제1전극으로 인가된 전류를 상기 제2전극으로 통전시키도록 연결 형성되며, 가열됨에 따라 반응가스를 열분해하여 표면상에 실리콘을 석출하는 실리콘 코어 로드부; 및 상기 실리콘 코어 로드부의 둘레를 감싸도록 배치되어 상기 실리콘 코어 로드부를 가열하는 자켓부;를 포함하되, 상기 자켓부는 상하가 개방된 통형상을 가지며 하단이 상기 반응기 바닥판과 이격되어 반응가스의 흐름을 개선한 구조를 제공한다.
상기 자켓부는 상기 반응기에 지지대를 통하여 연결된다.
그리고, 상기 자켓부의 하단과 상기 반응기의 바닥판 사이에, 가스유입홀을 구비하는 유량조절부를 더 포함할 수 있다.
이 때, 상기 가스유입홀은 복수개가 균등하게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 유량조절부는 상기 가스유입홀의 개구율을 조절하는 조절플레이트를 구비할 수 있다.
또한, 유량조절부는 상기 자켓부와 일체로 형성되되거나 탈부착 가능하게 형성될 수 있다.
상기 배출관은 입구부가 자켓부보다 높은 높이에 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 폴리 실리콘 제조장치는 실리콘 코어 로드 주변의 반응가스 흐름을 원활하게 함으로써 파우더 배출 속도를 향상시키고 덴드라이트 발생을 억제하는 효과를 가져온다.
또한, 본 발명에 따른 폴리 실리콘 제조장치는 반응가스 흐름을 원활하게 하여 상하부의 두께가 균일한 폴리실리콘을 제조할 수 있는 효과를 가져온다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 종방향 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 종방향 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 유량조절부의 다양한 형태를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 유량조절부를 나타낸 사시도이다.
도 5는 종래의 자켓부 하단이 폐쇄된 구조의 내부 가스흐름과, 본 발명에 따른 자켓부 하단이 개방된 구조의 내부 가스흐름을 비교하여 나타낸 도면,
도 6은 비교예와 실시예의 자켓부 내부 온도분포를 나타낸 그래프,
도 7은 비교예와 실시예의 자켓부 내부 반응가스 상승속도를 나타낸 그래프임.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반응가스 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치에 관하여 설명하기로 한다.
본 발명은 반응가스 흐름을 개선함으로써 파우더의 배출을 원활하게 하고, 증착효율을 향상시킬 수 있도록 한 폴리실리콘 제조장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 종방향 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치(100)는, 반응가스를 공급받는 반응가스 투입관(112) 및 배출가스를 배출하는 가스 배출관(114)를 구비하며 내부에 챔버(111)를 형성하는 종형(bell-jar) 반응기(110)와, 종형 반응기(110)의 바닥판을 관통하여 상기 챔버(111)의 내부로 돌출 형성되며 서로 이격 배치되는 제1전극(122) 및 제2전극(124)을 포함하는 전극부(120)와, 상기 제1전극(122)으로 인가된 전류를 상기 제2전극(124)으로 통전시키도록 연결 형성되며, 가열됨에 따라 반응가스를 열분해하여 표면상에 실리콘을 석출하는 실리콘 코어 로드부(130)와, 상기 실리콘 코어 로드부(130)의 둘레를 감싸도록 배치되어 상기 실리콘 코어 로드부(130)를 가열하며, 상하가 개방된 통형상을 가지며 하단이 상기 반응기 바닥판과 이격되게 형성되는 자켓부(140)를 포함한다.
종래의 자켓부는 하단이 종형 반응기(110)의 바닥판(110a)과 연결되어 있어 반응가스가 자켓부(140) 내부에서 역류하거나, 반응가스가 자켓부 내부에서 와류를 형성하는 문제점을 가지고 있었다.
본 발명은 자켓부(140)의 하단이 종형 반응기(110)의 바닥판과 이격되도록 함으로써, 이격된 공간으로 챔버(111) 내부의 가스가 유입될 수 있도록 함으로써 자켓부(140) 내부의 반응가스 흐름을 개선하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 반응가스 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치의 각각의 구성요소에 관하여 상세하게 살펴본다.
종형 반응기(110)는, 상단부가 종형(bell-jar) 형상으로 이루어지며, 측벽부는 밀폐된 원형 둘레를 가지며, 저부가 평탄한 바닥판으로 형성된 반응기(reactor)를 의미한다.
이러한 종형 반응기(110)는, 하부가 개방된 종(bell) 형상을 가지는 반응기 몸체(110b)와, 상기 반응기 몸체(110b)의 하단을 폐쇄하는 바닥판(110a)을 포함한다. 반응기 몸체(110b)와 바닥판(110a)에는 온도조절을 위한 냉각로드(미도시)를 구비한다.
여기서, 종형 반응기(110) 내부의 밀폐된 공간을 챔버(111)라 한다.
상기 챔버(111)는 내부로 도입된 반응가스가 실리콘 코어 로드부(130)의 가열에 의해 열분해됨에 따라 폴리실리콘을 석출하는 수용공간을 형성한다.
이를 위해, 챔버(111)의 바닥판에는 반응가스를 공급받는 가스 투입관(112)와, 반응 후의 배출가스를 배출하는 가스 배출관(114) 각각이 연통 형성된다. 가스 배출관(114)은 입구가 자켓부(140)의 상단보다 높은 높이에 형성되어, 상기 자켓부(140)의 상단으로 배출되는 가스가 상기 가스 배출관(114)으로 용이하게 흘러 나갈수 있도록 하는 것이 바람직하다.
도 1에 도시된 가스 투입관(112) 및 가스 배출관(114)의 위치 및 배치 관계는 본 발명의 바람직한 하나의 실시예일 뿐, 이러한 특정 위치 및 배치 관계는 본 발명의 범주를 제한하지 않으며, 그 외의 형상으로도 변경 실시 가능하다.
다음으로, 전극부(120)에 대해 살펴보기로 한다.
전극부(120)는, 종형 반응기(110)의 바닥판(110a)을 관통하여 챔버(111) 내부로 돌출 형성되는 제1전극(122) 및 제2전극(124)을 포함한다.
이때, 상기 제1전극(122) 및 제2전극(124)의 하단부는 외부 전원과 연결되며, 상단부는 각각 폴리실리콘 코어 로드부(130)의 양단부와 연결된다.
여기서, 제1전극(122)은 외부로부터 전류를 인가 받는 전극 부위이며, 이와 달리 제2전극(124)은 상기 제1전극(122)으로부터 인가된 전류를 폴리 실리콘 코어 로드부(130)에 의해 통전 받는 전극 부위이다.
그 다음으로, 폴리실리콘 코어 로드부(130)에 대해 살펴보기로 한다.
폴리실리콘 코어 로드부(130)는 종형 반응기(110)의 저부 상에 배치된 제1전극(122)과, 상기 제2전극(124) 사이를 연결하는 형상을 가진다. 즉, 역 U자 형상으로 제1전극(122)과 제2전극(134) 사이를 연결한다.
제1전극(122)으로 초기 전류가 인가되면 상기 폴리실리콘 코어 로드부(130)를 통해 제2전극(124)까지 통전된다. 그리고 폴리실리콘 코어 로드부(130)는 전기저항 가열된다.
폴리실리콘 코어 로드(130)는 이러한 전극부(120)에 의한 통전 작용에 따라, 전기저항 가열되어 발열하는데, 공급된 반응가스를 열분해함으로써, 표면상으로 폴리실리콘을 석출한다.
그 다음으로, 자켓부(140)에 대해 살펴보기로 한다.
자켓부(140)는, 실리콘 코어 로드부(130)가 전기저항 가열되기까지 비저항을 낮추어주도록 예열시키는 가열수단이다. 이를 위해, 상기 자켓부(140)는 실리콘 코어 로드부(130)의 외주면에 근접 배치되어 내부 유동하는 열매체를 순환하는 열교환기의 형태를 띠고 있다. 자켓부(140)의 내부로는 반응가스가 상향의 흐름을 가지도록 공급된다.
반응가스는 반응가스 투입관(112)에 의하여 실리콘 코어 로드부(130) 주변으로 공급된다.
본 발명은 자켓부(140)의 하단과 반응기(110)의 바닥판 사이에 이격공간을 형성하여, 반응가스의 상향 흐름을 원활하게 하는 것을 특징으로 한다. 즉, 자켓부(140)의 하단과 반응기(110)의 바닥판 사이로 챔버 내부의 기체가 유입되도록 함으로써 반응가스의 상향 흐름을 원활하게 한 것이다.
도시한 실시예의 경우 자켓부(140)의 하단과 반응기(110)의 바닥판 사이에 링 형상으로 완전히 개방된 형태이나, 후술하는 실시예와 같이 이격공간에 유량 가스유입홀을 구비하는 유량조절부를 별도로 구비하는 형태가 될 수도 있다.
자켓부(140)는 도시된 바와 같이 별도의 지지대(145)에 의하여 반응기(110)의 바닥판과 이격된 상태로 고정될 수 있으나, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니고, 자켓부(140)의 하단이 반응기 바닥판(110a)과 이격공간을 유지할 수 있는 상태로 고정되면 족하다.
종래에는 자켓부(140)의 하부로 가스가 유입되지 않는 구조를 가지고 있어서, 가스 투입관(112)을 통해서 공급되는 반응가스의 유량이 작은 경우 백 플로우(back flow)가 발생해 자켓 내부 반응가스의 상승 흐름에 방해를 준다. 따라서 상승 속도가 낮아 파우더가 배출되는 시간이 길어져 덴드라이트 발생이 쉬운 문제점을 가지고 있었다. 또한 백 플로우(back flow)를 없애기 위해 반응가스의 유량을 증가시키게 되면 자켓부 내부에서 와류가 발생하여 파우더의 배출을 방해하고, 이로인해 덴드라이트 발생이 쉬운 문제점을 가지고 있었다.
본 발명은 자켓부(140) 하단이 종형 반응기(110)의 바닥판(110a)과 이격되도록 함으로써, 반응가스의 상승 흐름을 개선하여 파우더 발생을 적게하며, 백 플로우의 영향을 없앰으로써 덴드라이트 발생을 저감한 것을 특징으로 한다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 종방향 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
제1실시예는 자켓부(140)의 하단과 종형 반응기(110)의 바닥판 사이에 이격공간이 형성된 형태를 가지고 있었으나, 제2실시예는 자켓부(140)의 하단과 종형 반응기(110)의 바닥판 사이에 유량조절부(150)를 구비하는 것을 특징으로 한다.
유량조절부(150)는 자켓부(140)와 동일한 형태의 통형상을 가지는 것으로, 자켓부(140)의 하단과 종형 반응기(110)의 바닥판 사이에 연결된다.
유량조절부(150)는 하나 또는 그 이상의 가스 유입홀을 구비하며, 복수개의 가스유입홀(152)이 구비되는 경우 복수개가 방사상으로 균등하게 형성되는 것이 바람직하다. 가스 유입홀(152)을 통해서 챔버내의 가스가 자켓부(140)로 유입되는데, 가스 유입홀(152)이 방사상으로 균일하게 형성되지 않으면 자켓부(140) 내부의 반응가스가 불균일하게 공급될 수 있기 때문이다.
제1실시예의 경우 자켓부(140)와 종형 반응기(110)가 이격된 상태로 고정되어야 하는 것으로, 자켓부(140)를 별도의 지지대(145)에 의하여 반응기(110)의 바닥판과 연결되었으나, 본 실시예의 경우 종형 반응기(110)의 바닥판에 유량조절부(150)가 연결되고, 유량조절부(150)에 자켓부(140)가 연결되는 형태로 구성될 수 있다.
도시한 실시예에서는 유량조절부(150)가 자켓부(140)와 별도로 형성되어 있으나, 유량조절부(150)를 자켓부(140)와 일체로 형성할 수도 있다.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 유량조절부의 다양한 형태를 개략적으로 도시한 도면이다.
도시된 바와 같이, 유량조절부(150)는 다양한 형태로 가스유입홀을 형성할 수 있다. 도면에서 (a)는 상하로 2열의 가스유입홀(152)이 형성된 형태를 나타낸 것이고, (b)는 하부에 1열로 가스유입홀이 형성된 형태를 나타낸 것이며, (c)는 중간에 1열로 가스 유입홀이 형성된 형태를 나타낸 것이고, (d)는 슬릿 형태의 가스 유입홀이 종횡방향으로 형성된 형태를 나타낸 것이다.
공정 조건에 따라서 다양한 형태의 유량조절부를 사용할 수 있으며, 유량조절부(150)에서 가스유입홀(152)이 차지하는 면적인 개구율을 조절하여 가스의 유입량을 조절할 수 있다. 또한 코어 로드부(130)의 주변에 균일한 가스가 공급될 수 있도록 가스유입홀(152)은 대칭 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
도시한 실시예의 경우 유량조절부(150)가 일체의 통형상으로 도시되어 있으나, 복수개가 조립되어 통형상을 이루도록 하면 유량조절부(150)의 탈부착이 더욱 용이해 진다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 유량조절부를 나타낸 사시도이다.
도시된 바와 같이, 유량조절부(250)는 복수개의 가스유입홀(252)을 구비하는 외통과, 상기 외통의 내부에 회전가능하게 결합되며 상기 가스유입홀(252)의 개구율을 조절하는 조절플레이트(255)를 포함한다.
이러한 유량조절부(250)는 조절플레이트(255)를 이동시켜 가스유입홀(252)의 개구율을 조절할 수 있다. 가스유입홀(252)의 개구율은 공급되는 반응가스의 유량이나 유속에 따라 조절될 필요성이 있다.
도 3에서 살펴본 바와 같이, 가스유입홀(152)의 개수와 크기를 다양하게 설정할 수 있으므로, 유량조절부(150) 전체를 교체하는 방식으로 가스유입홀(152)로 유입되는 가스의 유량을 조절할 수도 있으나, 도 4에 도시된 바와 같이 하나의 유량조절부(250)에서 조절플레이트(255)를 이용하여 가스유입홀(252)의 개구율을 조절할 수도 있다.
실시예
도 5는 종래의 자켓부 하단이 폐쇄된 구조의 내부 가스흐름(비교예)과, 본 발명에 따른 자켓부 하단이 개방된 구조의 내부 가스흐름(실시예)을 나타낸 것이다. 인덱스에 나타낸 바와 같이 파란색이 진할 수록 백 플로우가 강하게 발생한 것이며, 붉은색에 가까울수록 상승속도가 높은 것이다.
좌측의 비교예를 살펴보면, 자켓에 인접한 위치에 백 플로우의 영향(노란 점선으로 표시한 부분) 반응가스 상승 흐름이 방해를 받아 상승 속도가 전체적으로 낮은 것을 알 수 있다.
우측의 실시예를 살펴보면, 백 플로우가 거의 발생하지 않으며 전체적으로 상승 속도가 비교예보다 높은 것을 알 수 있다.
이렇게 상승 흐름이 빠르면 파우더의 배출이 원활하여 덴드라이트 발생을 저감할 수 있다.
도 6은 비교예와 실시예의 자켓부 내부 온도분포를 나타낸 그래프로, 도면의 좌측은 도 5의 검정 점선 부분(코어 로드부의 수평방향)의 온도를 측정한 것이고, 도면의 우측은 도 5의 빨간 점선 부분(코어 로드부의 수직방향)의 온도를 측정한 것이다.
파란색 그래프가 비교예를 나타낸 것이며, 붉은색 그래프가 실시예를 나타낸 것이다. 그래프를 살펴보면 실시예가 비교예보다 전반적으로 낮은 온도를 나타내는 것을 알 수 있다. 이는 빠른 상승속도에 기인한 것으로, 자켓부 내부의 온도가 낮아지면 덴드라이트 발생을 저감할 수 있다.
도 7은 비교예와 실시예의 자켓부 내부 반응가스 상승속도를 나타낸 그래프로, 도면의 좌측은 도 5의 검정 점선 부분(코어 로드부의 수평방향)의 상승속도를 측정한 것이고, 도면의 우측은 도 5의 빨간 점선 부분(코어 로드부의 수직방향)의 상승속도를 측정한 것이다.
파란색 그래프가 비교예를 나타낸 것이며, 붉은색 그래프가 실시예를 나타낸 것이다. 그래프를 살펴보면 실시예가 비교예보다 전반적으로 빠른 상승속도를 나타내는 것을 알 수 있다.
표 1은 상술한 바와 같은 비교예와 실시예의 온도와 상승속도 결과를 정리한 것이다.
Figure pat00001
이상에서, 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 폴리 실리콘 제조장치는 자켓부 하단으로 가스가 유입되도록 함으로써, 자켓부 내부의 온도를 낮추는 효과와 백 플로우 영향을 없애 상승 흐름을 빠르게 하는 효과를 가져온다. 결과적으로 파우더 발생을 억제하고, 파우더의 배출을 원활하게 함으로써 덴드라이트 발생을 저감할 수 있는 효과를 가져온다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
100 : 폴리실리콘 제조장치
110 : 종형 반응기
120 : 전극부
130 : 실리콘 코어 로드부
140 : 자켓부
150 : 유량조절부

Claims (7)

  1. 반응가스를 공급받는 가스 투입관 및 배출가스를 배출하는 가스 배출관를 구비하며 내부에 챔버를 형성하는 종형(bell-jar) 반응기;
    상기 종형 반응기의 바닥판을 관통하여 상기 챔버의 내부로 돌출 형성되며 서로 이격 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 전극부;
    상기 제1전극으로 인가된 전류를 상기 제2전극으로 통전시키도록 연결 형성되며, 가열됨에 따라 반응가스를 열분해하여 표면상에 실리콘을 석출하는 실리콘 코어 로드부; 및
    상기 실리콘 코어 로드부의 둘레를 감싸도록 배치되어 상기 실리콘 코어 로드부를 가열하는 자켓부;를 포함하되,
    상기 자켓부는 상하가 개방된 통형상을 가지며 하단이 상기 반응기 바닥판과 이격되어 반응가스의 흐름을 개선한 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 자켓부는 상기 반응기에 지지대를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 자켓부의 하단과, 상기 반응기의 바닥판 사이에 배치되며,
    가스유입홀을 구비하는 유량조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가스유입홀은
    복수개가 방사상으로 균등하게 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 유량조절부는
    상기 가스유입홀의 개구율을 조절하는 조절플레이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 유량조절부는
    상기 자켓과 일체로 형성되되거나 탈부착 가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 배출관은
    입구가 상기 자켓부의 상단보다 높은 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
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