KR20130015112A - 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 168
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Abstract
발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는 활성층과 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 블록층을 포함하며, 이 전자 블록층은, 활성층보다 넓은 밴드갭을 갖는 제1 블록 영역, 제1 블록 영역과 p형 반도체층 사이에 위치하는 제2 블록 영역, 및 제2 블록 영역과 p형 반도체층 사이에 위치하는 제3 블록 영역을 포함한다. 여기서, 제2 블록 영역은 제3 블록 영역에 비해 고농도의 p형 불순물을 포함하고, 제3 블록 영역은 제1 블록 영역에 비해 고농도의 p형 불순물을 포함한다. 이에 따라, 전자의 오버플로우를 방지하면서 정공 주입 효율을 개선할 수 있다.
Description
본 발명은 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 전자 블록층을 채택하는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 AlInGaN계 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어 청색 및 자외선 영역의 발광 다이오드용 물질로 많은 각광을 받고 있다.
질화갈륨계 반도체를 이용한 발광 다이오드는 일반적으로 N형 GaN층, 활성층, P형 GaN층을 포함하고, N형 GaN층과 P형 GaN층에 각각 N형 전극 및 P형 전극이 접속된다. 이러한 발광 소자의 N형 전극 및 P형 전극에 소정의 전류가 인가되면, N형 GaN층으로부터 주입되는 전자와 P형 GaN층으로부터 주입되는 홀이 활성층에서 재결합되어 활성층, 특히 웰층의 밴드갭에 해당하는 에너지의 광을 방출하게 된다.
한편, 전자의 이동도는 정공의 이동도보다 상당히 크기 때문에 활성층 내에서 전자가 홀과 결합하기 전에 p형 GaN층으로 유입될 수 있다. 이러한 전자의 오버플로우(overflow)를 방지하기 위해 활성층과 P형 GaN층 사이에 전자 블록층(electron blocking layer: EBL)을 형성하는 것이 일반적이다(특허문헌 참조). 전자 블록층은 활성층에 비해 높은 밴드갭을 가지며, 따라서 전자를 활성층 내에 가두어 전자와 정공의 재결합율을 높일 수 있다.
그런데, AlGaN층과 같은 전자 블록층은 전자에 대한 에너지 장벽을 제공하는 것에 그치지 않고, 정공에 대해서도 에너지 장벽을 형성한다. 이에 따라, 정공의 주입 효율이 떨어져 재결합율이 감소된다.
특허문헌인 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0003331호는 정공의 주입효율을 개선하기 위해 전자 블록층을 제1 블록층과 제2 블록층으로 구분하고, 제2 블록층을 조성 경사층으로 형성한 것을 개시한다. 이에 따르면, 제2 블록층을 조성 경사층으로 형성함으로써 p형 GaN층으로부터 활성층으로 홀의 주입을 도울 수 있다.
그러나 조성 경사층을 채택하더라도, p형 AlGaN층이 GaN층에 비해 밴드갭이 넓기 때문에, 여전히 정공에 대해 에너지 장벽으로 작용할 수 있다. 이를 방지하기 위해 p형 AlGaN층(제1 블록층)이 고농도로 도핑될 필요가 있으나, AlGaN층을 고농도로 도핑할 경우, AlGaN층의 결정질이 나빠져 누설전류가 커질 수 있다. 더욱이 도핑된 Mg이 억셉터로 작용하기보다는 금속 물질로 석출되어 캐리어 농도 증가에 기여하지 못할 수 있다. 나아가, 제1 블록층을 고농도로 도핑할 경우, Mg이 활성층 내로 확산되어 활성층의 광학 특성이 나빠질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전자의 오버플로우를 방지하면서 정공 주입 효율이 개선된 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 활성층의 특성을 악화시키지 않으면서 고농도의 p형 불순물 도핑 농도와 함께 양호한 결정질의 전자 블록층을 갖는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 결정질을 유지하면서 전자 블록층 내에 p형 불순물을 고농도로 도핑할 수 있는 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, n형 반도체층, p형 반도체층, 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 및 상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 블록층을 포함한다. 또한, 상기 전자 블록층은, 상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하고 상기 활성층보다 넓은 밴드갭을 갖는 제1 블록 영역, 상기 제1 블록 영역과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 제2 블록 영역, 및 상기 제2 블록 영역과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 제3 블록 영역을 포함한다. 여기서, 상기 제2 블록 영역은 상기 제3 블록 영역에 비해 고농도의 p형 불순물을 포함하고, 상기 제3 블록 영역은 상기 제1 블록 영역에 비해 고농도의 p형 불순물을 포함한다.
제1 블록 영역과 제3 블록 영역 사이에 상대적으로 고농도의 제2 블록 영역을 배치함으로써, 전자의 오버플로우를 방지하면서 정공 주입 효율이 개선된 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 제2 블록 영역을 상대적으로 고농도로 형성함으로써, 활성층의 특성을 악화시키지 않으면서 양호한 결정질의 전자 블록층을 갖는 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 블록 영역, 제2 블록 영역 및 제3 블록 영역은 동일 조성비의 AlInGaN계 반도체층일 수 있다. 따라서, 동일 조성비의 AlInGaN계 반도체층 내의 영역들에 p형 불순물, 예컨대 Mg의 도핑 농도만을 다르게 도핑하여 전자 블록층을 형성할 수 있어 제조 공정이 단순화될 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 제1 블록 영역, 제2 블록 영역 및 제3 블록 영역은 AlInGaN계 반도체층이되, 상기 제2 블록 영역은 상기 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역과 다른 조성비를 가질 수 있다. 상기 제2 블록 영역은 상기 제1 및 제3 블록 영역보다 좁은 밴드갭을 가질 수 있다. 나아가, 상기 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역은 상기 p형 반도체층보다 넓은 밴드갭을 갖는다. 상기 p형 반도체층은 p형 GaN층을 포함할 수 있다.
상기 제2 블록 영역이 상기 제1 및 제3 블록 영역보다 좁은 밴드갭을 가지므로, 정공이 p형 반도체층으로부터 상기 전자 블록층으로 용이하게 공급될 수 있다.
한편, 상기 제2 블록 영역은 상기 제1 블록 영역에 비해 상대적으로 작은 두께를 갖고, 상기 제1 블록 영역은 상기 제3 블록 영역에 비해 상대적으로 작은 두께를 가질 수 있다. 상기 제2 블록 영역은 10~100Å 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
제2 블록 영역을 상대적으로 얇게 형성하기 때문에, p형 불순물을 고농도로 도핑하더라도 제2 블록 영역의 결정질이 나빠지는 것을 방지할 수 있으며, 따라서 전자 블록층 전체의 결정질을 양호하게 유지할 수 있다.
또한, 제1 블록 영역을 제3 블록 영역보다 상대적으로 얇게 형성함으로써, 활성층 내로 주입되는 정공의 주입 효율을 개선할 수 있다.
한편, 상기 제1 블록 영역이 상기 활성층에 접할 수 있으며, 상기 제2 블록 영역의 양측면은 각각 상기 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역에 접할 수 있다.
나아가, 상기 제3 블록 영역은 조성 경사층일 수 있다. 즉, 제2 블록 영역측으로부터 p형 반도체층측을 향해 밴드갭이 감소하는 조성 경사층일 수 있다. 이에 따라, p형 반도체층으로부터 정공이 전자 블록층 내로 쉽게 공급될 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드는 또한, 상기 n형 반도체층에 콘택하는 제1 전극, 및 상기 p형 반도체층에 콘택하는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 기판 상에 n형 반도체층을 형성하고, 상기 n형 반도체층 상에 활성층을 형성하고, 상기 활성층 상에 제1 블록 영역, 제2 블록 영역 및 제3 블록 영역을 포함하는 전자 블록층을 형성하고, 상기 전자 블록층 상에 p형 반도체층을 형성하는 것을 포함한다. 여기서, 상기 제2 블록 영역은 p형 불순물을 상기 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역에 비해 고농도로 도핑하여 형성된다.
상기 제1 블록 영역과 제3 블록 영역 사이에 위치하는 제2 블록 영역을 고농도로 도핑함으로써, 제2 블록 영역 내의 p형 불순물이 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역으로 확산될 수 있다. 이에 따라, 고농도의 p형 불순물을 갖는 전자 블록층을 제조할 수 있다.
상기 제1 블록 영역은 의도적인 도핑 없이 형성될 수 있으며, 상기 제3 블록 영역은 p형 불순물을 도핑하여 형성될 수 있다. 제1 블록 영역을 의도적으로 도핑하지 않기 때문에, 전자 블록층 내의 p형 불순물이 활성층 내로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 p형 불순물은 Mg일 수 있으며, 상기 제2 블록 영역은 제3 블록 영역을 형성할 때의 p형 불순물 소스 유량의 2 내지 5배의 p형 불순물 소스의 유량을 공급하여 형설될 수 있다. 상기 p형 불순물 소스는 Cp2Mg일 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제3 블록 영역들은 AlInGaN계 반도체층으로 형성될 수 있으며, 각 블록 영역들은 서로 동일한 조성비 또는 서로 다른 조성비를 갖는 반도체층들로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 블록 영역은 상기 제1 블록 영역에 비해 상대적으로 얇게 형성되고, 상기 제1 블록 영역은 상기 제3 블록 영역에 비해 상대적으로 얇게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 종래에 비해 고농도의 p형 불순물을 갖는 전자 블록층을 제공할 수 있어 전자의 오버플로우를 방지하면서 정공의 주입 효율을 개선할 수 있다. 또한, 제2 블록 영역을 상대적으로 고농도로 형성함으로써, 활성층의 특성을 악화시키지 않으면서 양호한 결정질의 전자 블록층을 갖는 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 전자 블록층 내의 p형 불순물의 확산을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 전자 블록층 내의 p형 불순물의 확산을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 n형 반도체층(30), 활성층(40), 전자 블록층(50), p형 반도체층(60)을 포함한다. 상기 전자 블록층(50)은 제1 블록 영역(51), 제2 블록 영역(52) 및 제3 블록 영역(53)을 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드는 기판(10), 버퍼층(20)을 포함할 수 있으며, 투명 전극(70), n-전극(80) 및 p-전극(90)을 포함할 수 있다.
상기 기판(10)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 기판이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 사파이어, SiC, Si, 스피넬, GaN 기판일 수 있으며, 특히 패터닝된 사파이어 기판(PSS)일 수 있다.
상기 버퍼층(20)은 기판(10)과 n형 반도체층(30) 사이에서 전위와 같은 결함발생을 완화하기 위한 층으로, 예컨대, 언도프트 GaN로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(20)과 기판(10) 사이에 핵층(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 이 핵층은 400~600℃의 저온에서 (Al, Ga)N으로 형성될 수 있다. 상기 핵층은 약 25nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 기판(10) 상에 핵층을 형성한 후, 상대적으로 고온에서 버퍼층(20)이 형성된다.
상기 n형 반도체층(30)은 상기 버퍼층(20) 상에 n형 불순물, 예컨대 Si이 도핑된 질화갈륨계 반도체층으로 형성된다. 상기 n형 반도체층(30)은 도시한 바와 같이 단일층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다중층으로 형성될 수도 있다. 상기 n형 반도체층(30)은 n형 GaN층을 포함할 수 있으며, n형 GaN층에 n-전극(80)이 콘택할 수 있다.
활성층(40)은 단일 양자우물 구조 또는 장벽층과 양자우물층이 교대로 적층된 다중양자우물 구조를 가질 수 있다. 상기 활성층(40)은 n형 반도체층(30) 상에 형성된다. 상기 장벽층은 양자우물층에 비해 밴드갭이 넓은 질화갈륨계 반도체층, 예컨대, GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlInGaN로 형성될 수 있다. 양자우물층은 InGaN으로 형성될 수 있으며, InGaN 양자우물층 내의 In 조성비는 원하는 광 파장에 의해 결정된다. 상기 활성층(40)의 장벽층 및 양자우물층은 결정질을 향상시키기 위해 불순물이 도핑되지 않은 언도프트층으로 형성될 수 있으나, 순방향 전압을 낮추기 위해 일부 또는 전체 활성 영역 내에 불순물이 도핑될 수도 있다.
상기 활성층(40) 상에 전자 블록층(50)이 형성된다. 전자 블록층(50)은, 제1 블록 영역(51), 제2 블록 영역(52) 및 제3 블록 영역(53)을 포함한다. 제1 블록영역(51)이 활성층(40)에 접할 수 있다. 제1 블록 영역(51)은 활성층(40), 특히 장벽층에 비해 넓은 밴드갭을 갖는다. 제2 블록 영역(52)은 제1 블록 영역(51)과 제3 블록 영역(53) 사이에 위치하며, 제1 및 제3 블록 영역들(51, 53)에 비해 상대적으로 고농도의 p형 불순물, 예컨대 Mg을 함유한다.
상기 제1, 제2 및 제3 블록 영역들(51, 52, 53)은 AlInGaN계 반도체층, 예컨대 AlGaN으로 형성될 수 있다. 이들 영역들(51, 52, 53)은 동일 조성비의 AlInGaN계 반도체층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 조성비의 AlInGaN계 반도체층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 블록 영역(52)은 제1 및 제3 블록 영역들(51, 53)에 비해 좁은 밴드갭을 갖는 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한, 제3 블록 영역(53)은 제1 블록 영역(51)과 동일하거나 그보다 좁은 밴드갭을 갖는 반도체층으로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제3 블록 영역(53)은 제2 블록 영역(52)에서 p형 반도체층(60)을 향해 밴드갭이 좁아지는 조성 경사층으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 블록 영역(52)은 제1 및 제3 블록 영역들(51, 53)에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 제1 블록 영역(51)은 제3 블록 영역(53)에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 상기 제2 블록 영역(52)은 예컨대 10~100Å 범위 내의 두께를 가질 수 있다. 또한, 각 블록 영역(51, 52, 53)의 두께는 각 영역들의 밴드갭 넓이와 관련하여 조절될 수 있다. 즉, 밴드갭이 큰 조성일 수록, 더 작은 두께로 형성될 수 있다.
상기 제1 블록 영역(51)은 의도적인 도핑 없이 형성될 수 있으며, 상기 제2 블록 영역(52) 및 제3 블록 영역(53)은 p형 불순물, 예컨대 Mg을 도핑하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 블록 영역(52)은 제3 블록 영역(53)을 형성할 때의 p형 불순물 소스 유량의 2 내지 5배 유량을 공급하여 형성함으로써 고농도로 형성될 수 있다.
상기 p형 불순물 소스로 Cp2Mg를 사용하는 경우를 예를 들어 설명하면, 우선, TMGa, TMAl 및 NH3를 챔버 내에 공급하여 AlGaN 반도체층(제1 블록 영역(51))을 형성한다. 이어서, 상기 TMGa, TMAl 및 NH3의 유량을 유지하면서, Cp2Mg를 공급하여 Mg이 고농도 도핑된 AlGaN 반도체층(제2 블록 영역(52))을 형성한다. 그 후, 다른 소스의 유량을 유지하면서 Cp2Mg의 유량을 감소시켜 상대적으로 저농도의 AlGaN 반도체층(제3 블록 영역(53))을 형성한다. 상기 제3 블록 영역(53)은 예컨대 0.5 umol/min 내지 2.0 umol/min의 유량으로 Cp2Mg를 공급하여 형성될 수 있으며, 제2 블록 영역(52)은 제3 블록 영역(53) 형성시에 비해 2배 내지 5배의 유량으로 Cp2Mg를 공급하여 형성된다.
이 경우, 도 2에 도시한 바와 같이, 제2 블록 영역(52)에 고농도로 도핑된 p형 불순물(55)이 제1 블록 영역(51) 및 제3 블록 영역(53)으로 확산된다. 따라서, 제1 블록 영역(51)은 의도적으로 도핑하지 않았지만, 제2 블록 영역(53)에서 확산된 p형 불순물이 저농도로 잔류한다. 또한, 제3 블록 영역(53)은 실제 도핑 농도보다 더 높은 농도의 p형 불순물을 함유하게 되며, 제2 블록 영역(52)은 실제 도핑 농도보다 상대적으로 더 낮은 농도의 p형 불순물을 함유하게 된다.
여기서는 동일한 조성비의 AlGaN으로 제1, 제2 및 제3 블록 영역들(51, 52, 53)을 형성하는 것을 설명하였지만, 제1 블록 영역(51), 제2 블록 영역(52) 및 제3 블록 영역(53)을 형성하는 동안, TMGa, TMAl 및 NH3 등의 유량을 변경하여 서로 다른 조성비의 블록 영역들을 형성할 수도 있으며, TMIn을 추가로 공급할 수도 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 제2 블록 영역(52)의 두께를 상대적으로 얇게 형성하기 때문에, 제2 블록 영역(52)이 고농도로 도핑되더라도 결정질이 악화되지 않는다. 더욱이, 제2 블록 영역(52)에 도핑된 p형 불순물이 제1 및 제3 블록 영역들(51, 53)로 확산되기 때문에, 제2 블록 영역(52)에서 p형 불순물, 예컨대 Mg이 석출되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 블록 영역(51)을 의도적으로 도핑하지 않고 형성함으로써, p형 불순물이 활성층(40)으로 확산되는 것을 방지 내지 완화할 수 있어 활성층(40)의 결정질 및 광학 특성을 유지할 수 있다.
p형 반도체층(60)은 전자 블록층(50) 상에 형성된다. p형 반도체층(60)은 단일층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다중층으로 형성될 수도 있다. 상기 p형 반도체층(60)은 p형 GaN층을 포함할 수 있으며, 상기 제1 블록 영역(51) 및 제3 블록 영역(53)은 상기 p형 GaN층에 비해 더 넓은 밴드갭을 가질 수 있다.
한편, n형 반도체층(30)에 제1 전극(80), 즉 n-전극이 콘택하고, p형 반도체층(60)에 제2 전극이 콘택할 수 있다. 상기 제2 전극은 투명 전극(70) 및 p-전극(90)을 포함할 수 있다.
상기 반도체층들(20~60)은 금속 유기화학 기상 성장법을 이용하여 기판(10) 상에 성장될 수 있으며, p형 반도체층(60), 전자 블록층(50) 및 활성층(40)을 패터닝하여 n형 반도체층(30)의 일부를 노출시킬 수 있다. 그 후, 노출된 n형 반도체층(30) 상에 n-전극(80)이 형성될 수 있다.
여기서는 수평형 발광 다이오드에 대해 설명하였지만, 본 발명은 특정 구조의 발광 다이오드에 한정되지 않으며, 수직 구조의 발광 다이오드 또는 플립칩형 발광 다이오드에 적용될 수 있다.
10: 기판, 20: 버퍼층, 30: n형 반도체층, 40: 활성층, 50: 전자 블록층
51: 제1 블록 영역, 52: 제2 블록 영역, 53: 제3 블록 영역
60: p형 반도체층, 70: 투명 전극, 80: n-전극, 90: p-전극
51: 제1 블록 영역, 52: 제2 블록 영역, 53: 제3 블록 영역
60: p형 반도체층, 70: 투명 전극, 80: n-전극, 90: p-전극
Claims (15)
- n형 반도체층;
p형 반도체층;
상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층; 및
상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 블록층을 포함하고,
상기 전자 블록층은,
상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하고 상기 활성층보다 넓은 밴드갭을 갖는 제1 블록 영역;
상기 제1 블록 영역과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 제2 블록 영역; 및
상기 제2 블록 영역과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 제3 블록 영역을 포함하고,
상기 제2 블록 영역은 상기 제3 블록 영역에 비해 고농도의 p형 불순물을 포함하고,
상기 제3 블록 영역은 상기 제1 블록 영역에 비해 고농도의 p형 불순물을 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 블록 영역, 제2 블록 영역 및 제3 블록 영역은 동일 조성비의 AlInGaN계 반도체층인 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 블록 영역, 제2 블록 영역 및 제3 블록 영역은 AlInGaN계 반도체층이되,
상기 제2 블록 영역은 상기 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역과 다른 조성비를 갖고,
상기 제2 블록 영역은 상기 제1 및 제3 블록 영역보다 좁은 밴드갭을 갖는 발광 다이오드. - 청구항 3에 있어서,
상기 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역은 상기 p형 반도체층보다 넓은 밴드갭을 갖는 발광 다이오드. - 청구항 4에 있어서,
상기 p형 반도체층은 p형 GaN층을 포함하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제2 블록 영역은 상기 제1 블록 영역에 비해 상대적으로 작은 두께를 갖고,
상기 제1 블록 영역은 상기 제3 블록 영역에 비해 상대적으로 작은 두께를 갖는 발광 다이오드. - 청구항 6에 있어서,
상기 제2 블록 영역은 10~100Å 범위 내의 두께를 갖는 발광 다이오드. - 청구항 6에 있어서,
상기 제1 블록 영역이 상기 활성층에 접하고,
상기 제2 블록 영역의 양측면은 각각 상기 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역에 접하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제3 블록 영역은 조성 경사층인 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 n형 반도체층에 콘택하는 제1 전극; 및
상기 p형 반도체층에 콘택하는 제2 전극을 더 포함하는 발광 다이오드. - 기판 상에 n형 반도체층을 형성하고,
상기 n형 반도체층 상에 활성층을 형성하고,
상기 활성층 상에 제1 블록 영역, 제2 블록 영역 및 제3 블록 영역을 포함하는 전자 블록층을 형성하고,
상기 전자 블록층 상에 p형 반도체층을 형성하는 것을 포함하되,
상기 제2 블록 영역은 p형 불순물을 상기 제1 블록 영역 및 제3 블록 영역에 비해 고농도로 도핑하여 형성되는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 11에 있어서,
상기 제1 블록 영역은 의도적인 도핑 없이 형성되고,
상기 제3 블록 영역은 p형 불순물을 도핑하여 형성되는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 11에 있어서,
상기 p형 불순물은 Mg이고,
상기 제2 블록 영역은 제3 블록 영역을 형성할 때의 p형 불순물 소스 유량의 2 내지 5배의 p형 불순물 소스의 유량을 공급하여 형성되는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 11에 있어서,
상기 제1 내지 제3 블록 영역들은 AlInGaN계 반도체층으로 형성되는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 11에 있어서,
상기 제2 블록 영역은 상기 제1 블록 영역에 비해 상대적으로 얇게 형성되고,
상기 제1 블록 영역은 상기 제3 블록 영역에 비해 상대적으로 얇게 형성되는 발광 다이오드 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020110076946A KR101635609B1 (ko) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130015112A true KR20130015112A (ko) | 2013-02-13 |
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Family
ID=47894995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020110076946A KR101635609B1 (ko) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR101635609B1 (ko) |
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