KR20120109648A - Ａｌ기 합금 스퍼터링 타깃 - Google Patents

Ａｌ기 합금 스퍼터링 타깃 Download PDF

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유우끼 이와사끼
가쯔시 마쯔모또
도시아끼 다까기
마모루 나가오
히데따다 마끼노
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가부시키가이샤 코베루코 카겐
가부시키가이샤 고베 세이코쇼
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Abstract

본 발명은, Ni 및 희토류 원소를 함유하는 Al기 합금 스퍼터링 타깃에 있어서, 후방 산란 전자 회절상법에 의해 상기 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 표층부, 1/4×t(t:Al기 합금 스퍼터링 타깃의 두께)부, 1/2×t부의 각 스퍼터링면의 법선 방향의 결정 방위 <001>, <011>, <111>, <012> 및 <112>를 관찰하였을 때, (1) 상기 <001>±15°, 상기 <011>±15° 및 상기 <112>±15°의 합계 면적률을 R(각 개소의 R은, 상기 표층부는 Ra, 상기 1/4×t부는 Rb, 상기 1/2×t부는 Rc로 함)로 하였을 때, R이, 0.35 이상, 0.80 이하라고 하는 요건, 또한 (2) 상기 Ra, 상기 Rb 및 상기 Rc가, R 평균값 [Rave＝(Ra＋Rb＋Rc)/3]의 ±20％의 범위 내에 있다고 하는 요건을 만족시키고, 고속 성막해도 스플래시의 발생을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.

Description

Ａｌ기 합금 스퍼터링 타깃{SPUTTERING TARGET COMPOSED OF ALUMINUM-BASE ALLOY}
본 발명은, Ni, 희토류 원소를 함유하는 Al기 합금 스퍼터링 타깃에 관한 것으로, 상세하게는, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위가 제어된 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃에 관한 것이다. 이하에서는, Ni 및 희토류 원소를 함유하는 Al기 합금을, 「Ni―희토류 원소―Al기 합금」, 혹은 단순히 「Al기 합금」이라 하는 경우가 있다.
Al기 합금은, 전기 저항률이 낮고, 가공이 용이함 등의 이유에 의해, 액정 디스플레이(LCD:Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP:Plasma Display Panel), 일렉트로 루미네센스 디스플레이(ELD:Electro Luminescence Display), 필드 에미션 디스플레이(FED:Field Emission Display), 멤스(MEMS:Micro Electro Mechanical Systems) 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD:Flat Panel Display), 터치 패널, 전자 페이퍼의 분야에서 범용되고 있고, 배선막, 전극막, 반사 전극막 등의 재료에 이용되고 있다.
예를 들어, 액티브 매트릭스형의 액정 디스플레이는, 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor), 도전성 산화막으로 구성되는 화소 전극, 및 주사선이나 신호선을 포함하는 배선을 갖는 TFT 기판을 구비하고 있고, 주사선이나 신호선은, 화소 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 주사선이나 신호선을 구성하는 배선 재료에는, 일반적으로, 순 Al이나 Al―Nd 합금의 박막이 사용되지만, 이들 박막을 화소 전극과 직접 접촉시키면, 절연성의 산화 알루미늄 등이 계면에 형성되어 접촉 전기 저항이 증가하므로, 지금까지는, 상기 Al의 배선 재료와 화소 전극 사이에, Mo, Cr, Ti, W 등의 고융점 금속으로 이루어지는 배리어 메탈층을 형성하여 접촉 전기 저항의 저감화를 도모해왔다.
그러나 상기한 바와 같이 배리어 메탈층을 개재시키는 방법은, 제조 공정이 번잡해져 생산 비용의 상승을 초래하는 등의 문제가 있다.
따라서, 배리어 메탈층을 개재하지 않고, 화소 전극을 구성하는 도전성 산화막을 배선 재료와 직접 접속하는 것이 가능한 기술(다이렉트 콘택트 기술)로서, 배선 재료에, Ni―Al기 합금이나, 또한 Nd나 Y 등의 희토류 원소를 더 함유하는 Ni―희토류 원소―Al기 합금의 박막을 사용하는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 1). Ni―Al기 합금을 사용하면, 계면에 도전성의 Ni 함유 석출물 등이 형성되고, 절연성 산화 알루미늄 등의 생성이 억제되므로, 전기 저항률을 낮게 억제할 수 있다. 또한, Ni―희토류 원소―Al기 합금을 사용하면, 내열성이 더욱 높아진다.
그런데 Al기 합금 박막의 형성에는, 일반적으로 스퍼터링 타깃을 사용한 스퍼터링법이 채용되고 있다. 스퍼터링법이라 함은, 기판과, 박막 재료의 원료 물질로 구성되는 스퍼터링 타깃(타깃재) 사이에서 플라즈마 방전을 형성하고, 플라즈마 방전에 의해 이온화된 기체를 타깃재에 충돌시킴으로써 타깃재의 원자를 두드려, 기판 상에 적층시켜 박막을 제작하는 방법이다. 스퍼터링법은, 진공 증착법이나 아크 이온 플레이팅(AIP:Arc Ion Plating)법과 달리, 타깃재와 동일한 조성의 박막을 형성할 수 있다고 하는 장점을 갖고 있다. 특히, 스퍼터링법으로 성막된 Al기 합금 박막은, 평형 상태에서는 고용하지 않는 Nd 등의 합금 원소를 고용시킬 수 있고, 박막으로서 우수한 성능을 발휘하므로, 공업적으로 유효한 박막 제작 방법이며, 그 원료로 되는 스퍼터링 타깃 재료의 개발이 진행되고 있다.
최근, FPD의 생산성 확대 등에 대응하기 위해, 스퍼터링 공정 시의 성막 속도는, 종래보다 고속화되는 경향에 있다. 성막 속도를 빠르게 하기 위해서는, 스퍼터링 파워를 크게 하는 것이 가장 간편하지만, 스퍼터링 파워를 증가시키면, 아킹(이상 방전)이나 스플래시(미세한 용융 입자) 등의 스퍼터링 불량이 발생하여, 배선 박막 등에 결함이 발생하므로, FPD의 수율이나 동작 성능이 저하되는 등의 폐해를 초래한다.
따라서, 스퍼터링 불량의 발생을 방지하는 목적에서, 예를 들어, 특허 문헌 2 내지 5에 기재된 방법이 제안되어 있다. 이 중, 특허 문헌 2 내지 4는, 모두, 스플래시의 발생 원인이 타깃재 조직의 미세한 공극에 기인한다고 하는 관점에 기초하여 이루어진 것이며, Al 매트릭스 중의 Al과 희토류 원소의 화합물 입자의 분산 상태를 제어하거나(특허 문헌 2), Al 매트릭스 중의 Al과 전이 원소의 화합물의 분산 상태를 제어하거나(특허 문헌 3), 타깃 중의 첨가 원소와 Al의 금속간 화합물의 분산 상태를 제어하거나(특허 문헌 4) 함으로써, 스플래시의 발생을 방지하고 있다. 또한, 특허 문헌 5에는, 스퍼터면의 경도를 조정한 후, 마무리 기계 가공을 행함으로써, 기계 가공에 수반하는 표면 결함의 발생을 억제하고, 스퍼터링 시에 발생하는 아킹을 저감하는 기술이 개시되어 있다.
한편, 특허 문헌 6에는, 스플래시의 발생을 방지하는 기술로서, Al을 주체로 하는 잉곳을 300 내지 450℃의 온도 범위에서 75％ 이하의 가공율로 압연에 의해 판 형상으로 하고, 이어서 압연 시 온도 이상에서 550℃ 이하의 가열 처리를 행하고, 압연면측을 스퍼터링면으로 함으로써, 얻어지는 Ti―W―Al기 합금 등의 스퍼터링 타깃의 비커스 경도를 25 이하로 하는 것이 기재되어 있다.
또한, 특허 문헌 7에는, 스퍼터링 타깃의 스퍼터면에 있어서의 결정 방위의 비율을 제어함으로써, 높은 성막 속도로 스퍼터링을 행하는 방법이 기재되어 있다. 여기에는, 스퍼터면을 X선 회절법으로 측정하였을 때의 <111> 결정 방위의 함유율을 20％ 이상으로 높게 하면, 스퍼터면과 수직의 방향으로 비상하는 타깃 물질의 비율이 증가하므로, 박막 형성 속도가 증가하는 것이 기재되어 있다. 특허 문헌 7의 실시예에는, Si를 1질량％, Cu를 0.5질량％ 함유하는 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 사용한 것이 기재되어 있다.
한편, 높은 성막 속도라도 스퍼터링 불량의 발생을 억제하는 기술이 개시되어 있다(특허 문헌 8). 특허 문헌 8에서는, 스프레이 포밍법으로 제조한 Ni 함유 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 대상으로 하고, 후방 산란 전자 회절상법에 의해 측정한, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위 <001>, <011>, <111> 및 <311>의 합계 면적률(P값)이 스퍼터링면 전체 면적에 대하여 70％ 이상이며, 또한 P값에 대한 <011> 및 <111>의 면적률의 비율을, 각각 30％ 이상, 10％ 이하로 제어함으로써, 아킹(이상 방전) 등의 스퍼터링 불량을 억제하는 기술을 제안하고 있다.
또한, 스퍼터링 타깃의 표면을 청정하게 유지하기 위해 마무리면의 미시적 평활성을 향상시키는 기술이 개시되어 있다(특허 문헌 9). 특허 문헌 9에서는, 스프레이 포밍법으로 제조한 Al―(Ni, Co)―(Cu, Ge)―(La, Gd, Nd)계 합금 스퍼터링 타깃의 비커스 경도(HV)를 35 이상으로 함으로써, 기계 가공 시의 가공성을 개선하고, 마무리면의 미시적 평활성을 향상시켜, 스퍼터링 타깃의 사용 초기 단계에서의 스플래시의 발생을 경감하는 기술을 제안하고 있다.
일본 특허 출원 공개 제2004-214606호 공보 일본 특허 출원 공개 평10-147860호 공보 일본 특허 출원 공개 평10-199830호 공보 일본 특허 출원 공개 평11-293454호 공보 일본 특허 출원 공개 제2001-279433호 공보 일본 특허 출원 공개 평9-235666호 공보 일본 특허 출원 공개 평6-128737호 공보 일본 특허 출원 공개 제2008-127623호 공보 일본 특허 출원 공개 제2009-263768호 공보
전술한 바와 같이, 스플래시나 아킹 등의 스퍼터링 불량은 FPD의 수율 및 생산성을 저하시키고, 특히 높은 성막 속도에서 스퍼터링 타깃을 사용하는 경우에 심각한 문제를 초래하고 있다. 지금까지도 스퍼터링 불량의 개선 및 성막 속도 향상을 위해 다양한 기술이 제안되고 있지만, 한층 더 개선이 요구되고 있다.
특히, Al기 합금 중에서도 전술한 다이렉트 콘택트 기술에 유용한 Ni―희토류 원소―Al기 합금의 박막 형성에 사용되는 Al기 합금 스퍼터링 타깃에 있어서, 고속 성막해도 스플래시의 발생을 효과적으로 방지할 수 있는 기술의 제공이 요망되고 있다.
전술한 특허 문헌 8에 기재된 방법은, 스프레이 포밍법에 의해 얻어지는 미세한 결정립경을 갖는 것을 대상으로 하고 있고, 또한 스프레이 포밍법에 의하는 경우, 제조 비용이 높다고 하는 문제가 있으므로 가일층의 개선이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기 사정에 비추어 이루어진 것이며, 그 목적은, Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃을 사용한 경우에, 2.2㎚/s 이상에 의한 고속 성막에 있어서도, 스플래시의 발생을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 이하의 형태를 포함한다.
[1] Ni 및 희토류 원소를 함유하는 Al기 합금 스퍼터링 타깃이며, 후방 산란 전자 회절상법에 의해 상기 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 표층부, 1/4×t(t:Al기 합금 스퍼터링 타깃의 두께)부, 1/2×t부의 각 스퍼터링면의 법선 방향의 결정 방위 <001>, <011>, <111>, <012> 및 <112>를 관찰하였을 때, 하기 (1), (2)의 요건을 만족하는 Al기 합금 스퍼터링 타깃.
(1) 상기 <001>±15°, 상기 <011>±15° 및 상기 <112>±15°의 합계 면적률을 R(각 개소의 R은, 상기 표층부는 Ra, 상기 1/4×t부는 Rb, 상기 1/2×t부는 Rc로 함)로 하였을 때, R이, 0.35 이상, 0.80 이하이며, 또한
(2) 상기 Ra, 상기 Rb 및 상기 Rc가, R 평균값 [Rave＝(Ra＋Rb＋Rc)/3]의 ±20％의 범위 내에 있다.
[2] 상기 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 스퍼터링면을 후방 산란 전자 회절상법에 의해 결정립경을 관찰하였을 때, 평균 결정립경이 40 내지 450㎛인 [1]에 기재된 Al기 합금 스퍼터링 타깃.
[3] 상기 Ni의 함유량이 0.05 내지 2.0원자％, 상기 희토류 원소의 함유량이 0.1 내지 1.0원자％인 [1] 또는 [2]에 기재된 Al기 합금 스퍼터링 타깃.
[4] Ge를 더 함유하는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 Al기 합금 스퍼터링 타깃.
[5] 상기 Ge의 함유량이 0.10 내지 1.0원자％인 [4]에 기재된 Al기 합금 스퍼터링 타깃.
[6] Ti 및 B를 더 함유하는 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 Al기 합금 스퍼터링 타깃.
[7] 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인 [6]에 기재된 Al기 합금 스퍼터링 타깃.
[8] 상기 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 비커스 경도가 26 이상인 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 Al기 합금 스퍼터링 타깃.
본 발명의 Ni―희토류 원소―Al기 합금 타깃은, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위가 적절하게 제어되어 있으므로, 고속으로 성막해도, 성막 속도를 안정시킬 수 있고, 또한 스퍼터링 불량(스플래시)도 효과적으로 억제된다. 이와 같이 본 발명에 따르면, 성막 속도를 타깃 사용 개시로부터 종료 부근까지 안정적으로 유지할 수 있으므로, 스퍼터링 타깃의 성막 시에 발생하는 스플래시나, 성막 속도의 편차를 대폭으로 저감할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 면심 입방 격자(FCC:Face Centered Cubic lattice)에 대해, 대표적인 결정 방위와 함께 표시한 것이다.
도 2a는 실시예 No.4의 스퍼터링 타깃의 1/4×t부의 역극점도 맵이다.
도 2b는 실시예 No.5의 스퍼터링 타깃의 1/4×t부의 역극점도 맵이다.
도 2c는 실시예 No.9의 스퍼터링 타깃의 1/4×t부의 역극점도 맵이다.
본 발명자들은, 스퍼터링 성막 시에 발생하는 스플래시를 저감할 수 있는 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 제공하기 위해, 예의 검토해왔다. 특히 본 발명에서는, 상술한 다이렉트 콘택트 기술에 적용 가능한 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃을 대상으로 하고, 또한 종래의 용해 주조법에 의해 제조한 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 고속으로 성막해도, 스플래시의 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 또한 스퍼터링 성막 과정에서의 성막 속도의 편차를 저감하는 기술을 제공하기 위해 검토를 행하였다. 그 결과, Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃의 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위를 적절하게 제어하면, 소기의 목적이 달성되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하였다.
본 명세서에 있어서, 「스플래시의 발생을 억제(저감)할 수 있다」라 함은, 후기하는 실시예에 기재된 조건으로 성막 속도에 따른 스퍼터링 파워를 설정하고, 스퍼터링을 행하였을 때에 발생하는 스플래시 발생수(스퍼터링 타깃의 표층부, 1/4×t부, 1/2×t부의 3 개소에서의 평균값)가 21개/㎠ 이하(바람직하게는 11개/㎠ 이하, 더욱 바람직하게는 7개/㎠ 이하)의 것을 의미한다. 또한, 본 발명에서는, 스플래시의 발생 경향을 스퍼터링 타깃의 두께(t) 방향에 대하여 평가하고 있는 점에서, 두께 방향에 있어서의 스플래시의 발생을 평가하고 있지 않은 상기 특허 문헌 2 내지 9의 기술과는, 평가 기준이 상이하다.
우선, 도 1을 참조하면서, 본 발명의 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 특징짓는 결정 방위에 대해 설명한다.
도 1은 면심 입방 격자(FCC:Face Centered Cubic lattice)의 대표적인 결정 구조와 결정 방위를 도시한 것이다. 결정 방위의 표시 방법은 일반적인 방법을 채용하고 있고, 예를 들어, [001], [010] 및 [100]은 등가의 결정 방위이며, 이들 3 방위를 통합하여 <001>이라고 표시하고 있다.
Al은 도 1에 도시하는 바와 같이, 면심 입방 격자(FCC:Face Centered Cubic lattice)의 결정 구조를 갖고 있고, 스퍼터링 타깃의 스퍼터링면 법선 방향[대향하는 기판을 향하는 방향(ND)]의 결정 방위로서, 주로, <011>, <001>, <111>, <012> 및 <112>의 5종류의 결정 방위를 포함하는 것이 알려져 있다. 원자 밀도가 가장 높은 방위(최밀 방위)는 <011>이며, 이어서, <001>, <112>, <111>, <012>이다.
Al기 합금이나 순 Al 중에서도, 특히 Al기 합금은 합금계에 의해 고용·석출 형태가 다르므로, 결정의 변형이나 회전의 거동에 차이가 발생하여, 결과적으로 결정 방위 형성 과정이 달라진다고 생각되고 있다. 공업적으로 사용되고 있는 JIS 5000계 Al 합금(Al―Mg계 합금)이나 JIS 6000계 Al 합금(Al―Mg―Si계 합금) 등에 대해서는, 결정 방위의 경향이나 결정 방위 제어를 가능하게 하는 제조 방법 지침이 명확하게 되어 있다. 그러나 FPD용 배선막, 전극막, 반사 전극막 등에 사용되는 Ni―희토류 원소―Al기 합금에 대해서는, 결정 방위의 경향도 결정 방위 제어를 가능하게 하는 제조 방법 지침도 명백하게 되어 있지 않은 상황에 있다.
전술한 특허 문헌 7에는, Si 함유 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 대상으로 한 경우, <111>의 결정 방위의 비율을 높이면 박막 형성 속도가 빨라지는 것이 기재되어 있다. 또한 특허 문헌 7의 단락 [0026]에는, <111> 방위면을 갖는 결정은, 그 방위 때문에, 스퍼터링 시에 스퍼터링면과 수직 방향의 속도 성분을 갖는 스퍼터링 타깃 물질이 많이 발생하는 것에 기인한다고 생각되는 취지가 기재되어 있다.
그런데 본 발명자들의 실험에 따르면, 본 발명과 같이 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃을 대상으로 하는 경우, 전술한 특허 문헌 7에 교시된 결정 방위 제어 기술(<111>의 비율을 높이는 기술)을 채용해도, 원하는 효과는 얻어지지 않았다.
따라서, 본 발명자들은, Al기 합금 중에서도, 특히, Ni―희토류 원소―Al기 합금에 있어서의 결정 방위를 제어하는 기술을 제공하기 위해, 검토를 행하였다.
성막 속도를 빠르게 하기 위해서는, 일반적으로 다결정 조직으로 이루어지는 스퍼터링 타깃을 구성하는 원자의 선 밀도가 높은 결정 방위를, 가능한 한, 박막을 형성하는 기판을 향하도록 제어하는 것이 좋다고 일컬어지고 있다. 스퍼터링 시, 스퍼터링 타깃재를 구성하는 원자는, Ar 이온과의 충돌에 의해 외부로 압출되지만, 그 메커니즘은, (a) 충돌한 Ar 이온이 스퍼터링 타깃의 원자 사이에 끼어들어, 주위의 원자를 격렬하게 진동시킨다, (b) 진동은, 특히, 서로 접하고 있는 원자 밀도가 높은 방향으로 전파되어, 표면에 전달된다, (c) 그 결과, 높은 원자 밀도를 갖는 방향의 표면에 있는 원자가 외부로 압출된다고 일컬어지고 있다. 따라서, 스퍼터링 타깃을 구성하는 하나하나의 원자의 최밀 방향이, 대향하는 기판을 향하고 있으면, 효율이 좋은 스퍼터링이 가능해져, 성막 속도를 높일 수 있다고 생각된다.
또한, 일반적으로, 스퍼터링 타깃의 동일 스퍼터링면 내에 있어서, 다른 결정 방위를 갖는 결정립 사이에서는 부식(erosion) 속도가 다르므로 결정립 사이에 미소한 단차가 형성된다고 일컬어지고 있다. 이러한 단차는, 스퍼터링면 내에 결정 방위 분포의 불균일이나 조대 결정립이 존재하는 경우, 특히 형성되기 쉽다고 일컬어지고 있다.
그러나 스퍼터링 타깃 표면으로부터 공간으로 방출된 스퍼터링 타깃을 구성하는 원자는, 반드시 대향하는 기판 상에만 퇴적하는 것이 아니라, 주위의 스퍼터링 타깃 표면 상에도 부착되어, 퇴적물을 형성하는 경우가 있다. 이 부착 및 퇴적이 상기한 결정립 사이의 단차의 부분에서 일어나기 쉽고, 이러한 퇴적물이 스플래시의 기점으로 되어, 스플래시가 발생하기 쉬워진다. 그 결과, 스퍼터링 공정의 효율 및 스퍼터링 타깃의 수율이 현저하게 저하된다고 생각된다.
따라서 본 발명자들은, 상기 관점으로부터, Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃의 결정 방위의 분포, 결정립경과, 스플래시의 발생 원인의 관계에 대해 검토를 거듭한 바, 용해 주조법에 의해 제조된 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃의 조직은, 스퍼터링면 내 및 스퍼터링 타깃 판 두께 방향에 있어서, 불균일한 결정 방위의 분포나 조대한 결정립이 형성되기 쉬운 것을 발견하였다.
또한, 판 두께 방향에 있어서 결정 방위나 결정립경의 분포가 변동함으로써, 경시적으로 스퍼터링 타깃 고유의 성막 속도가 변동하고, 그로 인해, 스퍼터링 시의 성막 속도를 높이기 위해 스퍼터링 파워를 증가시키면 스퍼터링 타깃 고유의 성막 속도가 빠른 부위에서는 스플래시가 발생하기 쉬워지고, 한편, 스플래시를 저감하기 위해 스퍼터링 파워를 감소시키면 스퍼터링 타깃 고유의 성막 속도가 느린 부위에서 성막 속도가 저하되어, 생산성이 현저하게 저하될 우려가 있는 것을 발견하였다.
본 발명자들이 더욱 검토를 거듭한 결과, Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃에서는, <011>과 <001>과 <112>의 비율을 가능한 한 높게 하고, 또한 그들 스퍼터링 타깃 판 두께 방향에 있어서의 편차를 가능한 한 작게 하면 좋은 것, 구체적으로는, 후방 산란 전자 회절상법에 의해 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 판 두께(t) 방향을 향해 판 표층 부분, 판 두께 t의 1/4의 두께 부분, 판 두께 t의 1/2의 두께 부분의 각 스퍼터링면의 법선 방향의 결정 방위 <001>, <011>, <111>, <012> 및 <112>를 관찰하였을 때, (1) 상기 <001>±15°, 상기 <011>±15° 및 상기 <112>±15°의 합계 면적률을 R(각 개소의 R은, 표층부는 Ra, 1/4×t부는 Rb, 1/2×t부는 Rc로 함)로 하였을 때, R이, 0.35 이상, 0.8 이하이며(즉, Ra, Rb, Rc의 모두가 0.35 이상, 0.80 이하의 범위 내), 또한 (2) 상기 Ra, 상기 Rb 및 상기 Rc가, R 평균값 [Rave＝(Ra＋Rb＋Rc)/3]의 ±20％의 범위 내로 하면, 소기의 목적이 달성되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하였다.
본 명세서에서는, 이하와 같이 하여 Ni―희토류 원소―Al기 합금의 결정 방위를, EBSD법(EBSD:Electron Backscatter Diffraction Pattern)을 이용하여 측정하였다.
우선, Al기 합금 스퍼터링 타깃의 두께를 t로 하였을 때, 스퍼터링 타깃의 판 두께 방향을 향해 표층부, 1/4×t부, 1/2×t부에 대해, 측정면(스퍼터링면과 평행한 면)이 세로 10㎜ 이상×가로 10㎜ 이상의 면적을 확보할 수 있도록 절단하여 EBSD 측정용 시료로 하고, 이어서, 측정면을 평활하게 하기 위해, 에머리지에 의한 연마나 콜로이달 실리카 현탁액 등으로 연마를 행한 후, 과염소산과 에탄올의 혼합액에 의한 전해 연마를 행하고, 하기의 장치 및 소프트웨어를 이용하여, 상기 스퍼터링 타깃의 결정 방위를 측정하였다.
장치:EDAX/TSL사제 후방 산란 전자 회절상 장치
「Orientation Imaging MicroscopyTM(OIMTM)」
측정 소프트웨어:OIM Data Collection ver.5
해석 소프트웨어:OIM Analysis ver.5
측정 영역:면적 1400㎛×1400㎛×깊이 50㎚
step size:8㎛
측정 시야수:동일 측정면 내에 있어서, 3 시야
해석 시의 결정 방위차:±15°
여기서, 「해석 시의 결정 방위차:±15°」라 함은, 예를 들어, <001> 결정 방위의 해석에 있어서, <001>±15°의 범위 내이면 허용 범위로 간주하고, <001> 결정 방위라고 판단한다고 하는 의미이다. 상기한 허용 범위 내이면, 결정학적으로 보아 동일 방위로 간주해도 된다고 생각되기 때문이다. 이하에 나타내는 바와 같이, 본 발명에서는, 모두 ±15°의 허용 범위 내에서 각 결정 방위를 산출하고 있다. 그리고 결정 방위 <uvw>±15°의 Partition Fraction을 면적률로서 구하였다.
도 2a는 후기하는 실시예의 란에 기재된 표 1의 No.4의 1/4×t부에 있어서의 역극점도 맵(결정 방위 맵)이다. EBSD에서는 결정 방위가 다른 결정립끼리를, 색조차에 의해 구별할 수 있다. 상기 장치에서는, 각 결정 방위는 색에 의해 식별되고, <001>은 적색, <011>은 녹색, <111>은 청색, <112>는 마젠타색, <012>는 황색으로 나타내어지지만, 이것을 도 2a에 흑백의 개략도로 나타낸다.
이하, 본 발명의 상기 구성 요건 (1) 내지 (2)에 대해 설명한다.
(1) <001>±15°, <011>±15° 및 <112>±15°의 합계 면적률을 R(각 개소의 R은, 표층부는 Ra, 1/4×t부는 Rb, 1/2×t부는 Rc로 함)로 하였을 때, R이, 0.35 이상, 0.80 이하(즉, Ra, Rb, Rc는 모두 0.35 이상, 0.80 이하)
본 발명에서 합계 면적률이라 함은, 표층부(Ra), 1/4×t부(Rb), 1/2×t부(Rc)의 각각의 개소에서 측정한 상기 결정 방위의 합계 면적률[상기 측정 면적(1400㎛×1400㎛)에 대한 비율]을 의미하고, 본 발명에서는 Ra 내지 Rc를 통합하여 단순히 R로 표기하는 경우가 있다.
우선, 본 발명에서는, 상기 Ni―희토류 원소―Al기 합금 타깃의 표층 부분, 1/4×t 부분, 1/2×t 부분에 있어서, 대상으로 되는 스퍼터링 타깃면 법선 방위 방향에 존재하는 주된 결정 방위인 5개의 결정 방위, <001>, <011>, <111>, <112> 및 <012>의 면적률을 각 ±15°의 허용 결정 방위차로 상기 EBSD법에 의해 측정하고, 이들 결정 방위 중, Al기 합금의 원자수 밀도가 비교적 높은 결정 방위인, 상기 각 개소의 <011>, <001>, <112>의 합계 면적률(R)이 0.35 이상, 0.80 이하로 되도록 결정 방위를 제어한다(즉, Ra, Rb, Rc는 모두 0.35 이상, 0.80 이하의 범위 내로 함). R값이 0.35를 하회하면, 결정 방위 분포가 불충분하고, 또한 조대한 결정립이 형성되므로 스플래시의 발생을 효과적으로 억제할 수 없다. 한편, R값이 0.80을 상회하면 조대 결정립이 형성되기 쉬워져, 스플래시의 발생을 억제할 수 없다. R값을 바람직하게는 0.4 이상, 0.75 이하로 제어하면, 스플래시 발생을 더욱 억제할 수 있으므로 바람직하다.
(2) 상기 Ra, 상기 Rb, 상기 Rc가, R 평균값 [Rave＝(Ra＋Rb＋Rc)/3]의 ±20％의 범위 내
또한, 스퍼터링 타깃의 두께를 t로 하였을 때, 스퍼터링 타깃의 판 두께 방향을 향해 표층부, 1/4×t부, 1/2×t부의 3개소에 있어서 구한 각 R값(각 개소의 R값을 표층부는 Ra, 1/4×t부를 Rb, 1/2×t부를 Rc로 함)이, R값의 평균값 [Rave＝(Ra＋Rb＋Rc)/3]의 ±20％의 범위 내에 있는 것으로 하였다(즉, Ra, Rb, Rc는 모두 Rave±20％의 범위 내). 이것은, 각 측정 위치에서의 R값(Ra, Rb, Rc)이 R값의 평균값 Rave의 ±20％로부터 벗어나면, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위의 분포에 편차가 발생하고, 스퍼터링 타깃의 성막 속도가 시간의 경과와 함께 불안정해져, 스퍼터링 성막 과정에서의 성막 속도의 편차가 발생하거나, 또한, 스플래시의 발생 빈도가 증대된다.
또한, 상기 <011>, <001>, <112> 이외의 본 발명의 측정 대상인 결정 방위(<111>, <012>)의 비율은 특별히 한정되지 않는다. 스플래시 발생의 억제나 성막 속도의 향상에 있어서는, <011>, <001>, <112>의 결정 방위를 상기 (1), (2)의 요건을 만족하도록 제어하면 되고, 다른 결정 방위(<111>, <012>)에 의한 영향은, 거의 고려하지 않아도 되는 것을 실험에 의해 확인하고 있다.
이상, 본 발명을 특징짓는 결정 방위에 대해 설명하였다.
이어서, 본 발명의 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 바람직한 평균 결정립경과 비커스 경도에 대해 설명한다.
(평균 결정립경)
본 발명의 Al기 합금 스퍼터링 타깃은, EBSD법에 의해 측정되는 결정 방위차가 15° 이상인 픽셀간의 경계를 결정립계로 하였을 때의 평균 결정립경을 40㎛ 이상, 450㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
상기 EBSD법에 의해 측정한 결정 방위 데이터(1시야 사이즈:1400㎛×1400㎛, step size:8㎛)를 해석하고, 결정 방위차가 15° 이상인 픽셀간의 경계를 결정립계로 하였을 때, 상기 해석 소프트웨어로 출력한 Grain Size(Diameter)의 결정립경 분포로부터 구한 원 상당 직경의 평균값을 D로 한다. 스퍼터링 타깃의 두께를 t로 하였을 때, 스퍼터링 타깃의 판 두께 방향을 향해 표층부, 1/4×t부, 1/2×t부의 3개소에 있어서 구한 각 개소의 D를, 각각 표층부는 Da, 1/4×t부를 Db, 1/2×t부를 Dc로 한다. 본 발명에 있어서 「평균 결정립경」이라 함은, 각 개소의 상기 D값의 평균값 [Dave＝(Da＋Db＋Dc)/3]이다.
스플래시 발생 방지 효과를 한층 더 유효하게 발휘하기 위해서는, 평균 결정립경이 작은 쪽이 바람직하고, 구체적으로는 평균 결정립경이 450㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 120㎛ 이하이다.
한편, 평균 결정립경의 하한은, 제조 방법과의 관계로 결정하면 된다. 즉 본 발명에서는, 제조 비용이나 제조 공정의 저감화, 수율의 향상 등의 관점에서 Al 합금 용탕으로부터 주괴를 제조하는 용해 주조법이 바람직하다고 하고 있지만, 용해 주조법의 경우, 평균 결정립경이 40㎛ 미만인 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 일반적인 용해 주조 설비를 사용하여 제조하는 것은 불가능하므로, 평균 결정립경의 하한은 40㎛로 하였다.
(비커스 경도)
또한 본 발명의 Al기 합금 스퍼터링 타깃은, 비커스 경도(HV)가 26 이상인 것이 바람직하다. 본 발명자들의 검토 결과에 따르면, Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃을 사용하였을 때, 이 스퍼터링 타깃의 경도가 낮으면 스플래시가 발생하기 쉬워지는 것이 판명되었기 때문이다. 그 이유는, 상세하게는 불분명하지만, 스퍼터링 타깃의 경도가 낮으면, 스퍼터링 타깃의 제조에 사용하는 밀링머신이나 선반 등에 의한 기계 가공의 마무리면의 미시적 평활성이 악화되므로, 즉, 소재 표면이 복잡하게 변형하고, 거칠어지므로, 기계 가공에 사용하는 절삭유 등의 오염물이 스퍼터링 타깃의 표면에 도입되어 잔류한다. 이러한 잔류 오염물은, 후공정에서 표면 세정을 행해도 충분히 제거하는 것이 곤란하고, 이러한 스퍼터링 타깃 표면에 잔류한 오염물이, 스플래시의 발생 기점으로 되고 있다고 추측된다. 따라서 이러한 오염물을 스퍼터링 타깃의 표면에 잔류시키지 않도록 하기 위해서는, 기계 가공 시의 가공성(절삭성)을 개선하고, 소재 표면이 거칠어지지 않도록 하는 것이 필요하다. 그로 인해 본 발명에서는, 스퍼터링 타깃의 경도를 높이는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 본 발명의 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 비커스 경도(HV)는, 스플래시 발생 방지의 관점에서 보면 높을수록 좋고, 바람직하게는 26 이상, 보다 바람직하게는 35 이상, 더욱 바람직하게는 40 이상, 보다 더 바람직하게는 45 이상이다. 또한, 비커스 경도의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 지나치게 높으면, 경도 조정을 위한 냉연의 압연율을 증대시킬 필요가 있고, 그 경우, 압연이 곤란해지는 등 제조상의 문제가 발생하는 경우가 있으므로, 비커스 경도는 바람직하게는 160 이하, 보다 바람직하게는 140 이하, 더욱 바람직하게는 120 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 비커스 경도의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 비커스 경도의 범위로 할 수도 있다.
이상, 본 발명의 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 바람직한 평균 결정립경과 비커스 경도에 대해 설명하였다.
다음으로 본 발명에서 대상으로 하는 Ni―희토류 원소―Al기 합금에 대해 설명한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는, Ni와 희토류 원소를 함유하는 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 대상으로 하고 있다. 상기 특허 문헌 1에도 기재가 있는 바와 같이 Ni―희토류 원소―Al기 합금을 사용하여 배선용에 성막한 경우, 내열성이 우수하므로, 다이렉트 콘택트용 배선재로서 극히 유용하기 때문이다.
Ni는, Al기 합금막과, 이 Al기 합금막에 직접 접촉하는 화소 전극의 접촉 전기 저항을 저감하는 데 유효한 원소이다. 또한 스플래시 발생 방지에 유용한 결정 방위 및 결정립경의 제어에도 유용하다.
이러한 작용을 발휘시키기 위해서는 Ni는 적어도 0.05원자％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 보다 바람직한 Ni 함유량은 0.07원자％ 이상, 더욱 바람직하게는 0.1원자％ 이상이다. 한편, Ni의 함유량을 지나치게 많게 하면, Al기 합금막의 전기 저항률이 높아져 버리므로, 바람직하게는 2.0원자％ 이하로 한다. 보다 바람직하게는 1.5원자％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 1.1원자％ 이하이다. 또한, 상기 Ni의 함유량의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 Ni의 함유량의 범위로 할 수도 있다.
또한, 희토류 원소는, 이 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 형성되는 Al기 합금막의 내열성을 향상시키고, Al기 합금막의 표면에 형성되는 힐록을 방지하는 데 유효한 원소이다. 또한 스플래시 발생 방지에 유용한 결정 방위 및 결정립경의 제어에도 유용하다.
이러한 작용을 발휘시키기 위해서는 희토류 원소는 적어도 0.1원자％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 보다 바람직한 희토류 원소의 함유량은 0.2원자％ 이상, 더욱 바람직하게는 0.3원자％ 이상이다. 한편, 희토류 원소의 함유량을 지나치게 많게 하면, Al기 합금막의 전기 저항률이 높아져 버리므로, 바람직하게는 1.0원자％ 이하로 한다. 보다 바람직하게는 0.8원자％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.6원자％ 이하이다. 또한, 상기 희토류 원소의 함유량의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 희토류 원소의 함유량의 범위로 할 수도 있다.
또한, 본 발명에서는, Nd나 La 등의 희토류 원소를 더 함유하는 Al―Ni―Al기 합금 스퍼터링 타깃도 대상으로 하고 있다. 본 발명에 있어서 「희토류 원소」라 함은, 주기율표 중의 Y, 란타노이드 원소 및 아크치노이드 원소를 의미하고 있고, 특히 La나 Nd를 함유하는 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃을 사용하였을 때에 적절하게 사용된다. 희토류 원소는, 단독으로 함유해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상을 병용하는 경우에는, 희토류 원소의 합계 함유량이 상기 범위 내로 되도록 하는 것이 바람직하다.
또한 본원 발명의 Al기 합금 스퍼터링 타깃에는, Ge를 함유시키는 것도 바람직하다. Ge는, 본 발명의 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 형성되는 Al기 합금막의 내식성을 향상시키는 데 유효한 원소이다. 또한 스플래시 발생 방지에 유용한 결정 방위 및 결정립경의 제어에도 유용하다.
이러한 작용을 발휘시키기 위해서는 Ge는 적어도 0.10원자％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 보다 바람직한 Ge의 함유량은 0.2원자％ 이상, 더욱 바람직하게는 0.3원자％ 이상이다. 한편, Ge의 함유량이 지나치게 많아지면, Al기 합금막의 전기 저항률이 높아져 버리므로, 바람직하게는 1.0원자％ 이하로 한다. Ge의 함유량은, 보다 바람직하게는 0.8원자％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.6원자％ 이하이다. 또한, 상기 Ge의 함유량의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 Ge의 함유량의 범위로 할 수도 있다.
또한 상기 본 발명의 Al기 합금에는, Ni, 희토류 원소, 더욱 바람직하게는 Ge 이외에도, Ti 및 B를 함유시키는 것도 바람직하다. Ti 및 B는, 결정립의 미세화에 기여하는 원소이며, Ti, B의 첨가에 의해 제조 조건의 폭(허용 범위)이 넓어진다. 단, 과잉으로 첨가하면 Al기 합금막의 전기 저항률이 높아져 버릴 우려가 있다. Ti의 함유량은 바람직하게는 0.0002원자％ 이상, 보다 바람직하게는 0.0004원자％ 이상이며, 바람직하게는 0.012원자％ 이하, 보다 바람직하게는 0.006원자％ 이하이다. 또한, 상기 Ti의 함유량의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 Ti의 함유량의 범위로 할 수도 있다. 또한 B의 함유량은 바람직하게는 0.0002원자％ 이상, 보다 바람직하게는 0.0004원자％ 이상이며, 바람직하게는 0.012원자％ 이하, 보다 바람직하게는 0.006원자％ 이하이다. 또한, 상기 B의 함유량의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 B의 함유량의 범위로 할 수도 있다.
Ti 및 B의 첨가에 있어서는, 통상 이용되고 있는 방법을 채용할 수 있고, 대표적으로는, Al―Ti―B 미세화제로서 용탕 중에 첨가하는 것을 들 수 있다. Al―Ti―B의 조성은, 원하는 Al기 합금 스퍼터링 타깃이 얻어지는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, Al―5질량％ Ti―1질량％B, Al―5질량％ Ti―0.2질량B 등이 사용된다. 이들은 시판품을 사용할 수 있다.
본 발명에 사용되는 Al기 합금의 성분은, Ni와 희토류 원소를 함유하고, 잔량부 Al 및 불가피적 불순물인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ni, 희토류 원소 및 Ge를 포함하고 잔량부 Al 및 불가피 불순물이다. 더욱 바람직하게는 Ni, 희토류 원소, Ge, Ti 및 B를 포함하고 잔량부 Al 및 불가피 불순물이다. 불가피적 불순물로서는, 제조 과정 등에서 불가피하게 혼입되는 원소, 예를 들어, Fe, Si, C, O, N 등을 들 수 있고, 그 함유량으로서는, 각 원소 각각 0.05원자％ 이하로 하는 것이 바람직하다.
이상, 본 발명에서 대상으로 하는 Ni―희토류 원소―Al기 합금에 대해 설명하였다.
(스퍼터링 타깃의 제조 방법)
다음으로, 상기 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법에 대해 설명한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는, 용해 주조법을 이용하여, Al기 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 것이 바람직하다. 특히 본 발명에서는, 결정 방위 분포나 결정립경이 적절하게 제어된 Al기 합금 스퍼터링 타깃을 제조하기 위해, 용해 주조→(필요에 따라 균열)→열간 압연→어닐링의 공정에 있어서, 균열 조건(균열 온도, 균열 시간 등), 열간 압연 조건(예를 들어 압연 개시 온도, 압연 종료 온도, 1 패스 최대 압하율, 총 압하율 등), 어닐링 조건(어닐링 온도, 어닐링 시간 등) 중 적어도 어느 하나를, 적절하게 제어하는 것이 바람직하다. 상기 공정 후, 냉간 압연→어닐링(2회째의 압연→어닐링의 공정)을 행해도 된다.
특히 본 발명에서는, Al기 합금 스퍼터링 타깃의 비커스 경도를 적절하게 제어하기 위해서는, 상술한 2회째의 압연→어닐링의 공정을 행하는 동시에, 냉간 압연(냉연율 등) 조건을 제어하거나 하여 경도를 조정하는 것이 바람직하다.
그렇지만, Al기 합금의 종류에 따라 적용할 수 있는 결정 방위 분포, 결정립경 제어 수단 및 경도 조정 수단도 상이하므로, Al기 합금의 종류에 따라, 예를 들어 상기 수단을, 단독 또는 조합하거나 하여 적절한 수단을 채용하면 된다. 이하, 본 발명의 상기 Al기 합금 타깃의 바람직한 제조 방법에 대해, 공정마다 상세하게 설명한다.
(용해 주조)
용해 주조 공정은 특별히 한정되지 않고, 스퍼터링 타깃의 제조에 통상 이용되는 공정을 적절하게 채용하고, Ni―희토류 원소―Al기 합금 주괴를 조괴하면 된다. 예를 들어 주조 방법으로서, 대표적으로는 DC(반연속) 주조, 박판 연속 주조(쌍 롤식, 벨트 캐스터식, 프로펠치식, 블록 캐스터식 등) 등을 들 수 있다.
(필요에 따라, 균열)
상기한 바와 같이 하여 Ni―희토류 원소―Al기 합금 주괴를 조괴한 후, 열간 압연을 행하지만, 필요에 따라, 균열을 행해도 된다. 결정 방위 분포 및 결정립경 제어를 위해서는, 균열 온도를 대략 300 내지 600℃ 정도(보다 바람직하게는 400 내지 550℃), 균열 시간을 대략 1 내지 8시간 정도(보다 바람직하게는 4 내지 8시간)로 제어하는 것이 바람직하다.
(열간 압연)
상기한 균열을 필요에 따라 행한 후, 열간 압연을 행한다. 결정 방위 분포 및 결정립경 제어를 위해서는, 열간 압연 개시 온도를 적절하게 제어하는 것이 바람직하다. 열간 압연 개시 온도가 지나치게 낮으면 변형 저항이 높아져, 원하는 판 두께까지 압연을 계속할 수 없게 되는 경우가 있다. 바람직한 열간 압연 개시 온도는 210℃ 이상, 보다 바람직하게는 220℃ 이상, 보다 더 바람직하게는 230℃ 이상이다. 한편, 열간 압연 개시 온도를 지나치게 높게 하면, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위의 분포에 편차가 발생하거나, 결정립경이 조대화되거나 하여, 스플래시의 발생수가 많아지는 경우가 있다. 바람직한 열간 압연 개시 온도는 410℃ 이하, 보다 바람직하게는 400℃ 이하, 더욱 바람직하게는 390℃ 이하이다. 또한, 상기 열간 압연 개시 온도의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 열간 압연 개시 온도의 범위로 할 수도 있다.
또한 열간 압연 종료 온도가 지나치게 높으면 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위 분포에 편차가 발생하거나, 결정립경이 조대화되는 경우가 있으므로, 바람직하게는 220℃ 이하, 보다 바람직하게는 210℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다. 한편, 열간 압연 종료 온도가 지나치게 낮으면 변형 저항이 높아져, 원하는 판 두께까지 압연을 계속할 수 없게 되는 경우가 있으므로, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 90℃ 이상이다. 또한, 상기 열간 압연 종료 온도의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 열간 압연 종료 온도의 범위로 할 수도 있다.
열간 압연 시의 1 패스 최대 압하율이 지나치게 낮으면, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위의 분포에 편차가 발생하거나, 결정립경이 조대화되거나 하여, 스플래시의 발생수가 많아지는 경우가 있다. 바람직한 1 패스 최대 압하율은 3％ 이상, 보다 바람직하게는 6％ 이상, 더욱 바람직하게는 9％ 이상이다. 한편, 1 패스 최대 압하율이 지나치게 높으면, 변형 저항이 높아져, 원하는 판 두께까지 압연을 계속할 수 없게 되는 경우가 있다. 바람직한 1 패스 최대 압하율은 25％ 이하, 보다 바람직하게는 20％ 이하, 더욱 바람직하게는 15％ 이하이다. 또한, 상기 1 패스 최대 압하율의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 1 패스 최대 압하율의 범위로 할 수도 있다.
또한 총 압하율이 지나치게 낮으면, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위의 분포에 편차가 발생하거나, 결정립경이 조대화되거나 하여, 스플래시의 발생수가 많아지는 경우가 있다. 바람직한 총 압하율은 68％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상, 더욱 바람직하게는 75％ 이상이다. 한편, 총 압하율이 지나치게 높으면, 변형 저항이 높아져, 원하는 판 두께까지 압연을 계속할 수 없게 되는 경우가 있다. 바람직한 총 압하율은 95％ 이하, 보다 바람직하게는 90％ 이하, 더욱 바람직하게는 85％ 이하이다. 또한, 상기 총 압하율의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 총 압하율의 범위로 할 수도 있다.
여기서, 1 패스당 압하율 및 총 압하율은, 각각 하기 식으로 나타내어진다.
1 패스당 압하율(％)＝{(압연 1 패스 전의 두께)－(압연 1 패스 후의 두께)}/(압연 1 패스 전의 두께)×100
총 압하율(％)＝{(압연 개시 전의 두께)－(압연 종료 후의 두께)}/(압연 개시 전의 두께)×100
(어닐링)
상기한 바와 같이 하여 열간 압연을 행한 후, 어닐링한다. 결정 방위 분포 및 결정립경 제어를 위해서는, 어닐링 온도를 높게 하면, 결정립경이 조대화되는 경향에 있으므로, 450℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한 어닐링 온도가 지나치게 낮으면, 원하는 결정 방위가 얻어지지 않거나, 결정립이 미세화되지 않고 조대한 결정립이 잔류하는 경우가 있으므로 250℃ 이상(보다 바람직하게는 300 내지 400℃)으로 하는 것이 바람직하다. 어닐링 시간은 대략 1 내지 10시간 정도(보다 바람직하게는 2 내지 4시간)로 제어하는 것이 바람직하다.
(필요에 따라, 냉간 압연→어닐링)
상기한 제법에 의해 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃의 결정 방위 분포 및 결정립경을 제어할 수 있지만, 그 후에, 또한 냉간 압연→어닐링(2회째의 압연, 어닐링)을 행해도 된다. 결정 방위 분포 및 결정립경 제어하는 관점에서는, 냉간 압연 조건은 특별히 한정되지 않지만, 어닐링 조건을 제어하는 것이 바람직하다. 예를 들어 어닐링 온도는 150 내지 250℃(보다 바람직하게는 180 내지 220℃), 어닐링 시간은 1 내지 5시간(보다 바람직하게는 2 내지 4시간)의 범위로 제어하는 것이 권장된다.
한편, 상기 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃의 경도를 제어하기 위해서는, 냉간 압연에서의 압연율이 지나치게 낮으면 충분히 경도를 높일 수 없으므로, 바람직하게는 15％ 이상, 보다 바람직하게는 20％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 압연율을 지나치게 높게 하면, 변형 저항이 높아져, 원하는 판 두께까지 압연을 계속할 수 없게 되므로 35％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30％ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 압연율의 상한과 하한을 임의로 조합하여 상기 압연율의 범위로 할 수도 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 적합할 수 있는 범위에서 적절하게 변경을 가하여 실시하는 것도 가능하며, 그들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
(제1 실시예)
표 1에 나타내는 다양한 Ni―희토류 원소―Al기 합금을 준비하고, 두께 100㎜의 주괴를 DC 주조법에 의해 조괴한 후, 표 1에 기재된 조건에서 열간 압연 및 어닐링을 행하여 압연판을 제작하였다. 참고를 위해, 제작한 압연판의 두께를 표 1에 나타낸다.
또한, Ti 및 B를 포함하는 Ni―희토류 원소―Al기 합금은, Ti 및 B를 미세화제(Al―5질량％ Ti―1질량％B)의 형태로 용탕 중에 첨가하여 제작하였다. 예를 들어, 표 1의 No.5의 Ni―희토류 원소―Al기 합금(Ti:0.0005원자％, B:0.0005원자％)을 제작할 때에는, Ni―희토류 원소―Al기 합금 전체의 질량에 대하여 상기한 미세화제를 0.02질량％의 비율로 첨가하였다. 또한, 표 1의 No.6의 Ni―희토류 원소―Al기 합금(Ti:0.0046원자％, B:0.0051원자％)을 제작할 때에는, Ni―희토류 원소―Al기 합금 전체의 질량에 대하여 상기한 미세화제를 0.2질량％의 비율로 첨가하였다.
또한, 상기 압연판에 대하여 냉간 압연 및 어닐링(200℃에서 2시간)을 행하였다. 여기서, No.1 내지 6, 9 내지 22에 대해서는, 냉간 압연 시의 냉연율을 22％로 하고, 그 이외의 No.7 및 8에 대해서는, 냉연율을 5％로 하였다.
계속해서 기계 가공(원형 가공 및 선반 가공)을 행하고, 1매의 압연판으로부터, 압연판의 두께(t) 방향을 향해 표층부, 1/4×t부, 1/2×t부가 스퍼터링면으로 되도록, 선반 가공으로 두께를 조정한, 3매의 원판 형상의 Ni―희토류 원소―Al기 합금 스퍼터링 타깃(사이즈:직경 101.6㎜×두께 5.0㎜)을 제조하였다.
(결정 방위, 평균 결정립경)
상기한 스퍼터링 타깃을 사용하고, 전술한 EBSD법에 기초하여, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위를 측정하고, 해석하여 Ra, Rb, Rc, Rave값과 평균 결정립경을 구하였다. Ra, Rb, Rc 중 어느 하나의 값이 Rave±20％를 벗어난 경우를, R값의 스퍼터링 타깃의 두께 방향에 있어서의 편차가 크다고 판단하였다.
(비커스 경도)
상기 각 스퍼터링 타깃의 비커스 경도(HV)는, 비커스 경도계(가부시끼가이샤 아까시세이사꾸쇼제, AVK―G2)를 사용하여 측정하였다.
또한 상기 각 스퍼터링 타깃을 사용하여, 스퍼터링 시의 성막 속도 측정 및 스플래시의 발생율을 측정하였다.
(성막 속도의 측정)
하기의 조건에서 스퍼터링을 행하고, 글래스 기판 상에 박막을 성막하였다. 얻어진 박막의 두께를 촉침식 막 두께 측정기에 의해 측정하였다.
스퍼터링 장치:가부시끼가이샤 시마즈세이사꾸쇼제 HSR―542S
스퍼터링 조건:
배압:3.0×10-6Torr 이하,
Ar 가스압:2.25×10-3Torr,
Ar 가스 유량:30sccm,
스퍼터링 파워:DC260W,
극간 거리:52㎜,
기판 온도:실온,
스퍼터링 시간:120초,
글래스 기판:CORNING사제 #1737(직경 50.8㎜, 두께 0.7㎜),
촉침식 막 두께 측정기:TENCOR INSTRUMENTS제 alpha―step 250
성막 속도는, 하기 식에 기초하여 산출하였다.
성막 속도(㎚/s)＝박막의 두께(㎚)/스퍼터링 시간(s)
각 실시예의 성막 속도는 2.2㎚/s 이상의 고속 성막으로 하고, 임의의 3개소에서 측정하고, 각 측정 위치에서의 성막 속도가 그들의 평균값으로부터 8％ 이상 변동한 경우, 성막 속도의 편차가 있다고 판정하였다.
(스플래시의 발생수의 측정)
본 실시예에서는, 고 스퍼터링 파워의 조건하에서 발생하기 쉬운 스플래시의 발생수를 측정하고, 스플래시의 발생을 평가하였다.
우선, 표 1에 나타내는 No.4의 스퍼터링 타깃의 표층부에 대해, 2.74㎚/s의 성막 속도로 박막을 성막하였다. 여기서, 성막 속도와 스퍼터 파워 DC의 곱 Y값은, 이하와 같다.
Y값＝성막 속도(2.74㎚/s)×스퍼터링 파워(260W)＝713
다음으로, 표 1에 나타내는 스퍼터링 타깃에 대해, 전술한 Y값(일정)에 기초하여, 표 1에 병기하는 성막 속도에 따른 스퍼터링 파워 DC를 설정하여 스퍼터링을 행하였다.
예를 들어, No.6의 스퍼터링 타깃의 표층부의 스퍼터링 조건은 이하와 같다.
성막 속도:2.77㎚/s
하기 식에 기초하여, 스퍼터링 파워 DC를 257W로 설정 스퍼터링 파워
DC＝Y값(713)/성막 속도(2.77)≒257W
이와 같이 하여, 상기한 스퍼터링을 행하는 공정을, 글래스 기판을 바꿔 끼우면서 연속해서 행하고, 스퍼터링 타깃 1매에 대해 16매의 박막을 형성하였다. 따라서, 스퍼터링은, 120(초간)×16(매)＝1920초간 행하였다.
다음으로, 파티클 카운터(가부시끼가이샤 토푸콘제:웨이퍼 표면 검사 장치 WM―3)를 사용하여, 상기 박막의 표면에 인정된 파티클의 위치 좌표, 사이즈(평균 입경) 및 개수를 계측하였다. 여기에서는, 사이즈가 3㎛ 이상인 것을 파티클로 간주하고 있다. 그 후, 이 박막 표면을 광학 현미경 관찰(배율:1000배)하고, 형상이 반구형인 것을 스플래시로 간주하고, 단위 면적당 스플래시의 개수를 계측하였다.
상기 16매의 박막에 대해, 스퍼터링 타깃의 표층부, 1/4×t부, 1/2×t부의 3 개소에 있어서 상기 스플래시 개수의 계측을 마찬가지로 행하고, 계측한 3 측정 개소의 스플래시의 개수의 평균값을 「스플래시의 발생수」로 하였다. 본 실시예에서는, 이와 같이 하여 얻어진 스플래시의 발생수가 7개/㎠ 이하인 것을 ◎, 8 내지 11개/㎠인 것을 ○, 12 내지 21개/㎠인 것을 △, 22개/㎠ 이상인 것을 ×라고 평가하였다. 본 실시예에서는, 스플래시 발생수가 21개/㎠ 이하(평가:◎, ○, △)를 스플래시 발생을 억제하는 효과가 있다(합격)고 평가하였다.
(전기 저항률의 측정)
박막의 전기 저항률 측정용 샘플은, 이하의 수순으로 제작하였다. 상기한 박막 표면 상에, 포토리소그래피에 의해 포지티브형 포토레지스트(노볼락계 수지:도꾜오우까고교제 TSMR―8900, 두께 1.0㎛, 선 폭 100㎛)를 스트라이프 패턴 형상으로 형성하였다. 습식 에칭에 의해 선 폭 100㎛, 선 길이 10㎜의 전기 저항률 측정용 패턴 형상으로 가공하였다. 습식 에칭에는 H3PO4:HNO3:H2O＝75:5:20의 혼합액을 사용하였다. 열이력을 부여하기 위해, 상기 에칭 처리 후에, CVD 장치 내의 감압 질소 분위기(압력:1㎩)를 사용하여 250℃에서 30분 유지하는 분위기 열처리를 행하였다. 그 후, 4탐침법에 의해 전기 저항률을 실온에서 측정하고, 5.0μΩ㎝ 이하의 것을 양호(○), 5.0μΩ㎝ 초과의 것을 불량(×)이라고 평가하였다.
상기한 스퍼터링 타깃의 특성과 박막 특성의 결과로부터, 종합적인 성능을 평가하고, 「종합 판정」으로 하였다. 스퍼터링 타깃의 특성의 판정이 ◎, ○, 혹은 △인 것에서, 박막 특성이 ○인 것은 그대로 ◎, ○, 혹은 △라고 평가하였다. 스퍼터링 타깃의 특성의 판정이 ◎, ○, 혹은 △인 것에서, 박막 특성이 ×인 것은 모두 ×라고 평가하였다. 스퍼터링 타깃의 특성의 판정이 ×인 것에서, 박막 특성이 ○인 것은 ×라고 평가하였다. 스퍼터링 타깃의 특성의 판정이 ×인 것에서, 박막 특성이 ×인 것은 ×라고 평가하였다.
이들의 시험 결과를 표 1, 2에 병기한다.
Figure pct00001
Figure pct00002
표 1로부터, 이하와 같이 고찰할 수 있다.
우선, No.2는, 합금 조성, 결정 방위 분포(Ra 내지 Rc값 및 Rave값의 범위) 및 비커스 경도가 본 발명의 요건을 만족하는 예이며, 스플래시의 발생수는 21개/㎠ 이하로 억제되어, 스플래시의 발생을 억제하는 효과가 인정되었다. 단 No.2는 본 발명에서 권장되는 어닐링 온도의 상한(450℃)을 초과하였으므로, 또한 평균 결정립경은 본 발명에서 권장되는 상한값(450㎛)을 초과하고 있어, 평균 결정립경이 바람직한 범위로 제어된 예에 비하면, 스플래시의 발생 억제 효과가 저하되었다.
또한, No.7은, 합금 조성, 결정 방위 분포 및 평균 결정립경이 본 발명의 요건을 만족하는 예이며, 스플래시의 발생수는 21개/㎠ 이하로 억제되어, 스플래시의 발생을 억제하는 효과가 인정되었다. 단 No.7은 냉간 압연율이 본 발명에서 권장되는 하한(15％)을 하회하고 있으므로, 비커스 경도가 26을 하회하고, 비커스 경도가 26 이상으로 제어된 예에 비해 스플래시의 발생 억제 효과가 저하되었다.
또한, No.8은, 합금 조성 및 결정 방위 분포가 본 발명의 요건을 만족하는 예이며, 스플래시의 발생수는 21개/㎠ 이하로 억제되어, 스플래시의 발생을 억제하는 효과가 인정되었다. 단, No.8은 압연 개시 온도가 본 발명에서 권장되는 상한(410℃)을 초과하고 있으므로, 평균 결정립경은 본 발명에서 권장되는 상한값(450㎛)을 초과하고, 또한, 냉간 압연율이 본 발명에서 권장되는 하한(15％)을 하회하고 있으므로, R값의 스퍼터링 타깃의 두께 방향에 있어서의 편차가 커지고, 비커스 경도도 26을 하회하고, 평균 결정립경과 비커스 경도가 바람직한 범위로 제어된 예에 비하면, 스플래시의 발생 억제 효과가 저하되었다.
또한, No.3 내지 6, 13, 14, 17, 18, 20, 21은, 2회째의 압연 시의 냉연율을 적절하게 제어한 예이며, 합금 조성 및 평균 결정립경에 더하여, 비커스 경도도 본 발명에서 권장되는 요건을 만족하고 있다. 그로 인해, 스플래시의 발생수가 한층 더 억제되고 있어(스플래시 발생 개수:11개/㎠ 이하), 보다 높은 스플래시의 발생을 억제하는 효과가 인정되었다.
이에 대해, 본 발명의 요건 중 어느 하나를 만족하지 않는 하기 예는, 스플래시의 발생을 효과적으로 방지할 수 없었다.
상세하게는, 우선, No.1은, Ni량이 적고, 또한 본 발명에서 권장하는 총 압하율의 하한(68％)을 하회하는 조건에서 제조한 예이다. 이 실시예에서는, Rc의 합계 면적률이 0.80을 초과하는 동시에, R값의 스퍼터링 타깃의 두께 방향에 있어서의 편차가 커지고, 또한 결정립경은 조대해지고, 스플래시의 발생수가 증가하였다.
No.9는, 열간 압연 개시 온도(410℃)와 압연 종료 온도(220℃)를 본 발명에서 권장하는 상한보다도 높은 온도로 하고, 총 압하율도 본 발명에서 권장하는 하한(68％)을 하회하는 조건에서 제조한 예이다. 이 실시예에서는 Rb, Rc의 합계 면적률이 0.35를 하회하는 동시에, R값의 스퍼터링 타깃의 두께 방향에 있어서의 편차가 커지고, 또한 결정립경은 조대해지고, 스플래시의 발생수가 증가하였다. 또한 성막 속도의 편차가 발생하였다.
No.10은, 열간 압연 시의 1 패스 최대 압하율이 본 발명에서 권장되는 하한(3％)을 하회하는 범위에서 제조한 예이며, 또한 압연 개시 온도가 본 발명에서 권장되는 상한(410℃)을 초과하고 있다. Ra의 합계 면적률이 0.80을 초과하는 동시에, R값의 스퍼터링 타깃의 두께 방향에 있어서의 편차가 커지고, 또한 결정립경은 조대해지고, 스플래시의 발생수가 증가하였다.
No.11은, 열간 압연 시의 총 압하율이 본 발명에서 권장되는 하한(68％)을 하회하는 범위에서 제조한 예이며, Rb, Rc의 합계 면적률이 0.35를 하회하는 동시에, R값의 스퍼터링 타깃의 두께 방향에 있어서의 편차가 커지고, 또한 결정립경은 조대해지고, 스플래시의 발생수가 증가하였다. 또한 성막 속도의 편차가 발생하였다.
No.12는, Ge량이 적고, 또한 열간 압연 시의 총 압하율이 본 발명에서 권장되는 하한(68％)을 하회하는 범위에서 제조한 예이며, Rb, Rc의 합계 면적률이 0.80을 초과하는 동시에, R값의 스퍼터링 타깃의 두께 방향에 있어서의 편차가 커지고, 또한 결정립경은 조대해지고, 스플래시의 발생수가 증가하였다. 또한 성막 속도의 편차가 발생하였다.
No.16은, Nd량이 적고, 또한 열간 압연 시의 총 압하율이 본 발명에서 권장되는 하한(68％)을 하회하는 범위에서 제조한 예이며, Rb, Rc의 합계 면적률이 0.80을 초과하는 동시에, R값의 스퍼터링 타깃의 두께 방향에 있어서의 편차가 커지고, 또한 결정립경은 조대해지고, 스플래시의 발생수가 증가하였다. 또한 성막 속도의 편차가 발생하였다.
또한, No.15(Ge), 19(Nd) 및 22(Ni)는, 합금 원소의 함유량을 많게 한 예이며, 스플래시의 경감 효과가 인정되었지만, 박막의 전기 저항률이 증대하였다.
참고를 위해, 도 2a에 No.4의 1/4×t부, 도 2b에 No.5의 1/4×t부(이상, 본 발명예) 및 도 2c에 No.9의 1/4×t부(비교예)에 대해, 역극점도 맵(결정 방위 맵)을 나타낸다. 이들 도면에 나타내는 바와 같이, No.4 및 No.5에서는, <001>, <011> 및 <112>의 결정립이 미세하게 분산하고 있는 것에 반해, 결정 방위가 적절하게 제어되어 있지 않은 No.9에서는, 조대한 결정립이 형성되어 있는 것을 알 수 있다.
본 출원을 상세하게 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하는 일 없이 여러 가지 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에 있어서 명백하다.
본 출원은, 2010년 2월 26일 출원의 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2010-043073호)에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 포함된다.
본 발명의 Ni―희토류 원소―Al기 합금 타깃은, 스퍼터링면 법선 방향의 결정 방위가 적절하게 제어되고 있으므로, 고속으로 성막해도, 성막 속도를 안정시킬 수 있고, 또한 스퍼터링 불량(스플래시)도 효과적으로 억제된다. 이와 같이 본 발명에 따르면, 성막 속도를 타깃 사용 개시로부터 종료 부근까지 안정적으로 유지할 수 있으므로, 스퍼터링 타깃의 성막 시에 발생하는 스플래시나, 성막 속도의 편차를 대폭으로 저감할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (37)

  1. Ni 및 희토류 원소를 함유하는 Al기 합금 스퍼터링 타깃이며, 후방 산란 전자 회절상법에 의해 상기 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 표층부, 1/4×t(t:Al기 합금 스퍼터링 타깃의 두께)부, 1/2×t부의 각 스퍼터링면의 법선 방향의 결정 방위 <001>, <011>, <111>, <012> 및 <112>를 관찰하였을 때, 하기 (1), (2)의 요건을 만족하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
    (1) 상기 <001>±15°, 상기 <011>±15° 및 상기 <112>±15°의 합계 면적률을 R(각 개소의 R은, 상기 표층부는 Ra, 상기 1/4×t부는 Rb, 상기 1/2×t부는 Rc로 함)로 하였을 때, R이, 0.35 이상, 0.80 이하이며, 또한
    (2) 상기 Ra, 상기 Rb 및 상기 Rc가, R 평균값 [Rave＝(Ra＋Rb＋Rc)/3]의 ±20％의 범위 내에 있다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 스퍼터링면을 후방 산란 전자 회절상법에 의해 결정립경을 관찰하였을 때, 평균 결정립경이 40 내지 450㎛인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  3. 제1항에 있어서, 상기 Ni의 함유량이 0.05 내지 2.0원자％, 상기 희토류 원소의 함유량이 0.1 내지 1.0원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  4. 제2항에 있어서, 상기 Ni의 함유량이 0.05 내지 2.0원자％, 상기 희토류 원소의 함유량이 0.1 내지 1.0원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  5. 제1항에 있어서, Ge를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  6. 제2항에 있어서, Ge를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  7. 제3항에 있어서, Ge를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  8. 제4항에 있어서, Ge를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  9. 제5항에 있어서, 상기 Ge의 함유량이 0.10 내지 1.0원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  10. 제6항에 있어서, 상기 Ge의 함유량이 0.10 내지 1.0원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  11. 제7항에 있어서, 상기 Ge의 함유량이 0.10 내지 1.0원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  12. 제8항에 있어서, 상기 Ge의 함유량이 0.10 내지 1.0원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  13. 제1항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  14. 제2항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  15. 제3항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  16. 제4항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  17. 제5항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  18. 제6항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  19. 제7항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  20. 제8항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  21. 제9항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  22. 제10항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  23. 제11항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  24. 제12항에 있어서, Ti 및 B를 더 함유하는, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  25. 제13항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  26. 제14항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  27. 제15항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  28. 제16항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  29. 제17항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  30. 제18항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  31. 제19항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  32. 제20항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  33. 제21항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  34. 제22항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  35. 제23항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  36. 제24항에 있어서, 상기 Ti의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％, 상기 B의 함유량이 0.0002 내지 0.012원자％인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
  37. 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 Al기 합금 스퍼터링 타깃의 비커스 경도가 26 이상인, Al기 합금 스퍼터링 타깃.
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