KR20120068295A - A light emitting device - Google Patents

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KR20120068295A KR1020100129863A KR20100129863A KR20120068295A KR 20120068295 A KR20120068295 A KR 20120068295A KR 1020100129863 A KR1020100129863 A KR 1020100129863A KR 20100129863 A KR20100129863 A KR 20100129863A KR 20120068295 A KR20120068295 A KR 20120068295A
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정성훈
강대성
한영훈
곽호상
이선균
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to improve luminance and reliability by reducing lattice defect on an active layer. CONSTITUTION: A light emitting device includes a light emitting structure(120) and a first electrode on the light emitting structure. A first conductive semiconductor layer, a buffer layer, an active layer(124), and a second conductive semiconductor layer(126) are laminated on the light emitting structure. The band gap energy of the buffer layer has a value between the band gap energy of the first conductive semiconductor layer and the band gap energy of the active layer. The band gap energy of the buffer layer has 0.18eV or more than the band gap energy of the active layer.

Description

발광 소자{A light emitting device}Light emitting device

본 발명은 발광 소자, 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device and a light emitting device package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that transmits and receives a signal by converting electricity into infrared light or light using characteristics of a compound semiconductor.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Group III-V nitride semiconductors are spotlighted as core materials of light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명, 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.These light emitting diodes do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in existing lighting equipment such as incandescent lamps and fluorescent lamps, and thus have excellent eco-friendliness and have advantages such as long life and low power consumption. It is replacing them.

실시예는 격자 결함을 감소시키고, 휘도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of reducing lattice defects and improving brightness and reliability.

실시 예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 완충층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 적층되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상의 제1 전극을 포함하며, 상기 완충층의 밴드 갭 에너지는 상기 제1 도전형 반도체층의 밴드 갭 에너지와 상기 활성층의 밴드 갭 에너지 사이의 값을 가지며, 상기 완충층의 밴드 갭 에너지는 상기 활성층의 밴드 갭 에너지와 0.18eV 이상 차이가 난다. 상기 완충층 및 상기 활성층 각각은 InxGa1 -xN(0≤x≤1)인 질화물 반도체층이고, 인듐 함유량이 서로 다를 수 있다. 상기 완충층의 밴드 갭 에너지는 상기 활성층의 밴드 갭 에너지보다 0.18eV 이상 클 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, a buffer layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are stacked, and a first electrode on the light emitting structure, wherein the band gap energy of the buffer layer is It has a value between the band gap energy of the first conductive semiconductor layer and the band gap energy of the active layer, the band gap energy of the buffer layer is different from the band gap energy of the active layer by 0.18 eV or more. Each of the buffer layer and the active layer is a nitride semiconductor layer having In x Ga 1- x N (0 ≦ x ≦ 1 ), and may have different indium contents. The band gap energy of the buffer layer may be 0.18 eV or more greater than the band gap energy of the active layer.

상기 완충층은 제1 InGaN층 및 제2 InGaN층이 적어도 6주기 이상 반복 적층되는 초격자 구조로 이루어진 초격자층을 포함할 수 있다. 상기 제1 InGaN층 및 상기 제2 InGaN층은 인듐(In)의 함유량이 서로 다르며, 각각의 밴드 갭 에너지는 상기 활성층의 밴드 갭 에너지보다 0.18eV 이상 클 수 있다.The buffer layer may include a superlattice layer having a superlattice structure in which the first InGaN layer and the second InGaN layer are repeatedly stacked for at least 6 cycles. The first InGaN layer and the second InGaN layer have different indium (In) contents, and each band gap energy may be 0.18 eV or more greater than the band gap energy of the active layer.

상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하도록 메사 식각되며, 상기 발광 소자는 상기 발광 구조물 아래의 기판 및 상기 노출되는 제1 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 더 포함할 수 있다.The light emitting structure may be mesa-etched to expose the first conductivity type semiconductor layer, and the light emitting device may further include a substrate under the light emitting structure and a second electrode on the exposed first conductivity type semiconductor layer.

상기 발광 소자는 상기 발광 구조물 아래의 오믹층, 상기 오믹층 아래의 반사층, 상기 반사층 아래의 접합층, 및 상기 접합층 아래의 지지층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include an ohmic layer under the light emitting structure, a reflective layer under the ohmic layer, a bonding layer under the reflective layer, and a support layer under the bonding layer.

실시 예는 격자 결함을 감소시키고, 휘도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Embodiments can reduce lattice defects and improve brightness and reliability.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 완충층과 활성층의 포토루미네선스를 나타낸다.
도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 5는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 일 실시 예의 분해 사시도이다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
FIG. 3 shows the photoluminescence of the buffer layer and the active layer shown in FIG. 1.
4 illustrates a light emitting device package according to an embodiment.
5 is an exploded perspective view of an embodiment of a lighting device including a light emitting device package according to the embodiment.
6 illustrates a display device including a light emitting device package according to an embodiment.

이하, 실시예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of an embodiment, each layer, region, pattern or structure may be "under" or "under" the substrate, each layer, region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed at, "up" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자, 그 제조 방법, 및 발광 소자 패키지에 대하여 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device, a method of manufacturing the same, and a light emitting device package according to embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자(100)를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 기판(110), 발광 구조물(120), 전도층(130), 제1 전극(142), 및 제2 전극(144)을 포함한다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device 100 according to an embodiment. Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 includes a substrate 110, a light emitting structure 120, a conductive layer 130, a first electrode 142, and a second electrode 144.

기판(110)은 사파이어 기판, 실리콘(Si) 기판, 산화아연(ZnO) 기판, 및 질화물 반도체 기판 중 어느 하나 또는 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중에서 적어도 어느 하나가 적층된 템플레이트(Template) 기판일 수 있다.The substrate 110 may be any one of a sapphire substrate, a silicon (Si) substrate, a zinc oxide (ZnO) substrate, and a nitride semiconductor substrate, or a template substrate on which at least one of GaN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN is stacked. have.

발광 구조물(120)은 기판(110) 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(122), 완충층(123), 활성층(124), 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함한다. 또한 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122)의 일부를 노출하도록 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124), 완충층(123) 및 제1 도전형 반도체층(122)의 일부가 식각된 구조를 갖는다.The light emitting structure 120 is disposed on the substrate 110 and includes a first conductive semiconductor layer 122, a buffer layer 123, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126. In addition, the light emitting structure 120 includes a second conductive semiconductor layer 126, an active layer 124, a buffer layer 123, and a first conductive semiconductor layer 122 to expose a portion of the first conductive semiconductor layer 122. A part of has an etched structure.

격자 상수 및 열 팽창 계수의 차이를 완화시키기 위하여 기판(110)과 발광 구조물(120) 사이에는 버퍼층(미도시)이 개재될 수 있으며, 또한 제1 도전형 반도체층(122)의 결정성 향상을 위하여 언도프트 반도체층(미도시)이 개재될 수 있다. 이때 버퍼층은 저온 성장될 수 있으며, 그 물질은 GaN층 또는 AlN층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 언도프트 반도체층은 n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 도전형 반도체층(122)에 비하여 낮은 전기 전도성을 갖는 것을 제외하고는 제1 도전형 반도체층(122)과 동일할 수 있다.In order to alleviate the difference between the lattice constant and the coefficient of thermal expansion, a buffer layer (not shown) may be interposed between the substrate 110 and the light emitting structure 120, and the crystallinity of the first conductivity-type semiconductor layer 122 may be improved. An undoped semiconductor layer (not shown) may be interposed therebetween. In this case, the buffer layer may be grown at a low temperature, and the material may be a GaN layer or an AlN layer, but is not limited thereto. The undoped semiconductor layer may be lower than the first conductive semiconductor layer 122 because the n-type dopant is not doped. It may be the same as the first conductivity type semiconductor layer 122 except for having electrical conductivity.

전도층(130)은 활성층(124)으로부터 제2 도전형 반도체층(126)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시키기 위하여 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치된다. 전도층은 투과율이 높은 투명한 산화물계 물질, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide) 등으로 이루어질 수 있다.The conductive layer 130 is disposed on the second conductive semiconductor layer 126 to increase the extraction efficiency of light emitted from the active layer 124 to the second conductive semiconductor layer 126. The conductive layer may be made of a transparent oxide material having high transmittance, such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide (ZnO), or the like. have.

제1 전극(142)은 식각에 의하여 노출되는 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치되며, 티탄(Ti) 등으로 이루어질 수 있다. 또한 제2 전극(144)은 전도층(130) 상에 배치되며, 니켈(Ni) 등으로 이루어질 수 있다.The first electrode 142 is disposed on the first conductive semiconductor layer 122 exposed by etching, and may be made of titanium (Ti) or the like. In addition, the second electrode 144 is disposed on the conductive layer 130 and may be made of nickel (Ni) or the like.

제1 도전형 반도체층(122)은 n형 반도체층일 수 있다. 예컨대, 제1 도전형 반도체층(122)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 122 may be an n-type semiconductor layer. For example, semiconductor material having a compositional formula of the first conductive type semiconductor layer 122 is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN may be selected, and n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, Te, and the like may be doped.

완충층(123)은 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된다. 활성층(124)은 완충층(123) 상에 배치된다. 제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124) 상에 배치되며, p형 반도체층일 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The buffer layer 123 is disposed on the first conductivity type semiconductor layer 122. The active layer 124 is disposed on the buffer layer 123. The second conductive semiconductor layer 126 is disposed on the active layer 124 and may be a p-type semiconductor layer. For example, the second conductivity type semiconductor material having a composition formula of the semiconductor layer 126 is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, etc. may be selected, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped.

활성층(124)은 n형 반도체층(122)으로부터 제공되는 전자(electron)와 p형 반도체층(126)으로부터 제공되는 정공(hole)의 결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다. 활성층(124)은 InxAlyGa1 -x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함할 수 있으며, 활성층(124)은 양자 우물층 및 양자 장벽층이 교대로 2회 이상 적층되는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)일 수 있다.The active layer 124 generates light by energy generated in the process of recombination of electrons provided from the n-type semiconductor layer 122 and holes provided from the p-type semiconductor layer 126. Can be. The active layer 124 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and the active layer 124 ) May be a multi quantum well structure (MQW) in which a quantum well layer and a quantum barrier layer are alternately stacked two or more times.

완충층(123)은 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 사이에 배치된다. 완충층(123)은 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 사이의 결정 격자 상수 차이를 완화하며, 격자 상수가 제1 도전형 반도체층(122)의 격자 상수와 활성층(124)의 격자 상수의 중간 값을 갖는다. 예컨대, 완충층(123)의 격자 상수는 제1 도전형 반도체층(122)의 격자 상수보다는 크고, 활성층(124)의 격자 상수보다는 작을 수 있다.The buffer layer 123 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 122 and the active layer 124. The buffer layer 123 mitigates the difference in crystal lattice constant between the first conductivity type semiconductor layer 122 and the active layer 124, and has a lattice constant of the lattice constant of the first conductivity type semiconductor layer 122 and the active layer 124. Has the middle value of the lattice constant. For example, the lattice constant of the buffer layer 123 may be larger than the lattice constant of the first conductive semiconductor layer 122 and may be smaller than the lattice constant of the active layer 124.

완충층(123)의 밴드 갭 에너지는 제1 도전형 반도체층(122)의 밴드 갭 에너지와 활성층(124) 밴드 갭 에너지 사이의 값을 가지며, 완충층(123)의 밴드 갭 에너지는 활성층(124)의 밴드 갭 에너지와 0.18eV 이상 차이가 난다. 예컨대, 완충층(123)의 밴드 갭 에너지는 활성층(124)의 밴드 갭 에너지보다 0.18eV 이상 클 수 있다.The band gap energy of the buffer layer 123 has a value between the band gap energy of the first conductive semiconductor layer 122 and the band gap energy of the active layer 124, and the band gap energy of the buffer layer 123 is of the active layer 124. It differs from the band gap energy by more than 0.18 eV. For example, the band gap energy of the buffer layer 123 may be 0.18 eV or more greater than the band gap energy of the active layer 124.

실시예에 따른 완충층(123) 및 활성층(124)은 상술한 밴드 갭 에너지 차이(0.18eV)를 만족하는 조성을 가질 수 있다. 예컨대, 완충층(123) 및 활성층(124)각각은 InxGa1 - xN(0≤x≤1, 0≤x≤1)인 질화물 반도체층일 수 있으나, 인듐 함유량이 서로 다를 수 있다. 예컨대, 완충층(123)의 인듐 함유량은 0.09이고, 활성층(124)의 인듐 함유량은 0.15일 수 있다. The buffer layer 123 and the active layer 124 according to the embodiment may have a composition satisfying the band gap energy difference (0.18 eV) described above. For example, each of the buffer layer 123 and the active layer 124 may be a nitride semiconductor layer having In x Ga 1 - x N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ x ≦ 1), but may have different indium contents. For example, the indium content of the buffer layer 123 may be 0.09, and the indium content of the active layer 124 may be 0.15.

도 3은 도 1에 도시된 완충층(123)과 활성층(124)의 포토루미네선스(photoluminescence, PL)를 나타낸다. 여기서 y축은 PL의 강도(PL intensity)를 나타내고, 하부 x축은 밴드 갭 에너지를 나타내고, 상부 x축은 파장을 나타낸다. 그리고 g1은 실시예에 따른 발광 소자의 완충층(123)과 활성층(124)의 PL을 나타내고, g2는 일반적인 발광 소자의 PL을 나타낸다. FIG. 3 illustrates photoluminescence PL of the buffer layer 123 and the active layer 124 illustrated in FIG. 1. Here, the y axis represents PL intensity, the lower x axis represents band gap energy, and the upper x axis represents wavelength. And g1 represents PL of the buffer layer 123 and the active layer 124 of the light emitting device according to the embodiment, and g2 represents PL of the general light emitting device.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자의 완충층(SLSA)의 밴드 갭 에너지는 3.04eV이고 활성층(WA)의 밴드 갭 에너지는 2.86eV이다. 따라서 실시예에 따른 완충층(SLS1)과 활성층(W1)의 밴드 갭 에너지 차이는 0.18eV 이다.Referring to FIG. 3, the band gap energy of the buffer layer SLSA of the light emitting device according to the embodiment is 3.04 eV and the band gap energy of the active layer WA is 2.86 eV. Therefore, the band gap energy difference between the buffer layer SLS1 and the active layer W1 according to the embodiment is 0.18 eV.

이에 비하여 일반적인 발광 소자의 완충층(SLSB)의 밴드 갭 에너지는 2.94eV이고 활성층(WB)의 밴드 갭 에너지는 2.82eV이다. 따라서 일반적인 발광 소자의 완충층(SLS1)과 활성층(W1)의 밴드 갭 에너지 차이는 0.12eV 이다.In contrast, the band gap energy of the buffer layer SLSB of the general light emitting device is 2.94 eV and the band gap energy of the active layer WB is 2.82 eV. Therefore, the band gap energy difference between the buffer layer SLS1 and the active layer W1 of the general light emitting device is 0.12 eV.

이때 실시예에 따른 발광 소자의 완충층(SLSA)의 반치폭(BW1, 예컨대, 190meV)은 일반적인 발광 소자의 완충층(SLSB)의 반치폭(BW2, 예컨대, 250meV)보다 작다. 이로부터 일반적인 발광 소자의 완충층(SLSB)의 결정성이 실시예에 따른 발광 소자의 완충층(SLSA)에 비하여 저하됨을 알 수 있다.At this time, the half width BW1 of the buffer layer SLSA of the light emitting device according to the exemplary embodiment is smaller than the half width BW2 of the buffer layer SLSB of the general light emitting device. From this, it can be seen that the crystallinity of the buffer layer SLSB of the general light emitting device is lower than that of the buffer layer SLSA of the light emitting device according to the embodiment.

따라서 실시예에 따른 발광 소자는 완충층(SLSA)과 활성층(W1) 사이의 밴드 갭 에너지 차이를 0.18eV 이상 나도록 하여 완충층(SLSA)의 결정성을 향상시키고, 이로 인하여 활성층(W1)의 격자 결함을 감소시켜 휘도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device according to the embodiment improves the crystallinity of the buffer layer SLSA by increasing the band gap energy difference between the buffer layer SLSA and the active layer W1 by 0.18 eV or more, thereby reducing the lattice defects of the active layer W1. Can be reduced to improve brightness and reliability.

도 1에 도시된 완충층(123)은 인듐(In)의 함유량이 다른 제1 InGaN(미도시) 및 제2 InGaN(미도시)이 적어도 6주기 이상 반복 적층되는 초격자 구조로 이루어진 초격자층(Strained Layer Superlattice)을 포함할 수 있다. 이때 초격자층은 제1 InGaN 및 제2 InGaN이 적어도 6주기 이상으로 반복 적층됨에 따라, 고품질 활성층의 성장에 도움이 되는 성장 표면을 제공 수 있다. 이때 초격자층을 이루는 제1 InGaN 및 제2 InGaN 각각의 밴드 갭 에너지는 활성층(124)의 밴드 갭 에너지와 0.18eV 이상 차이가 난다.The buffer layer 123 illustrated in FIG. 1 has a superlattice layer having a superlattice structure in which first InGaN (not shown) and second InGaN (not shown) having different indium (In) contents are repeatedly stacked for at least 6 cycles ( Strained Layer Superlattice) may be included. In this case, the superlattice layer may provide a growth surface to help the growth of the high quality active layer as the first InGaN and the second InGaN are repeatedly stacked in at least 6 cycles or more. In this case, the band gap energy of each of the first InGaN and the second InGaN forming the superlattice layer is different from the band gap energy of the active layer 124 by 0.18 eV or more.

예컨대, 6 주기 이상의 제1 InGaN 및 제2 InGaN 각각의 밴드 갭 에너지는 활성층(124)의 밴드 갭 에너지보다 0.18eV 이상 클 수 있다.For example, the band gap energy of each of the first InGaN and the second InGaN of six or more cycles may be 0.18 eV or more greater than the band gap energy of the active layer 124.

도 2는 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)를 나타내는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 발광 소자(200)는 발광 소자(100)는 제2 전극층(205), 보호층(230), 발광 구조물(240), 패시베이션층(passivation layer, 250), 및 제1 전극층(255)을 포함한다.2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device 200 according to another embodiment. 2, in the light emitting device 200, the light emitting device 100 may include a second electrode layer 205, a protective layer 230, a light emitting structure 240, a passivation layer 250, and a first electrode layer. (255).

발광 소자(200)는 복수의 화합물 반도체층 예컨대, 3족-5족 원소의 화합물 반도체층을 이용한 LED를 포함하며, LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting device 200 includes an LED using a plurality of compound semiconductor layers, for example, a compound semiconductor layer of Group 3-5 elements, and the LED may be a colored LED or a UV LED that emits light such as blue, green, or red. Can be. The emission light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

제2 전극층(205)은 지지층(210), 접합층(215), 반사층(220), 및 오믹층(225)을 포함한다. 지지층(210)은 전도성 기판 또는 절연 기판일 수 있으며, 발광 구조물(240)을 지지한다. 예를 들어, 지지층(210)은 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe), 및 전도성 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second electrode layer 205 includes a support layer 210, a bonding layer 215, a reflective layer 220, and an ohmic layer 225. The support layer 210 may be a conductive substrate or an insulating substrate, and supports the light emitting structure 240. For example, the support layer 210 may include copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (eg, Si, Ge, GaAs). , ZnO, SiC, SiGe), and a conductive sheet.

접합층(215)은 본딩층으로서, 반사층(220), 오믹층(225), 및 보호층(230) 아래에 배치되어, 상기 층들(220,225,230)이 지지층(210)에 접합되도록 한다. 접합층(215)은 지지층(210)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성되므로 지지층(210)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에 접합층(215)이 반드시 형성되어야 하는 것은 아니므로 접합층(215)은 선택적으로 형성될 수도 있다. 접합층(215)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer 215 is a bonding layer, and is disposed under the reflective layer 220, the ohmic layer 225, and the protective layer 230, so that the layers 220, 225, and 230 are bonded to the support layer 210. Since the bonding layer 215 is formed to bond the support layer 210 to the bonding method, the bonding layer 215 is not necessarily formed when the support layer 210 is formed by plating or deposition. ) May optionally be formed. The bonding layer 215 may include a barrier metal or a bonding metal, and may include, for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, or Ta.

반사층(220)은 발광 구조물(240)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 반사층(220)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한 반사층(220)은 상기 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 반사층(220)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 반사층(222)은 광 효율을 증가시키기 위한 것으로 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.The reflective layer 220 may reflect light incident from the light emitting structure 240, thereby improving light extraction efficiency. The reflective layer 220 may be formed of, for example, a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf. In addition, the reflective layer 220 may be formed in multiple layers using the metal or alloy and a light-transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. For example, the reflective layer 220 may be laminated with IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like. The reflective layer 222 is to increase the light efficiency and does not have to be formed.

오믹층(225)은 제2 도전형 반도체층(242)에 오믹 접촉되어 발광 구조물(240)에 전원이 원활히 공급되도록 한다. 예컨대, 오믹층(225)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag,Pt,Rh,Ni 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The ohmic layer 225 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 242 to smoothly supply power to the light emitting structure 240. For example, the ohmic layer 225 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium (IGTO). tin oxide), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, It may include at least one of Pt, Rh, Ni.

도 3에는 도시되지 않았지만, 제2 전극층(205)과 제2 도전형의 반도체층(242) 사이에는 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)이 배치될 수 있다. 전류 차단층(미도시)은 제1 전극층(255)과 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 제1 전극층(255) 아래에 전류가 집중되는 현상을 완화하여 발광 소자(200)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Although not shown in FIG. 3, a current blocking layer CBL may be disposed between the second electrode layer 205 and the second conductive semiconductor layer 242. The current blocking layer (not shown) may be disposed to overlap at least a portion of the first electrode layer 255, thereby alleviating a phenomenon in which current is concentrated under the first electrode layer 255, thereby emitting light of the light emitting device 200. The efficiency can be improved.

보호층(230)은 제2 전극층(205)의 측면과 인접하도록 제2 전극층(205) 상부 가장 가지 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(230)은 발광 구조물(240)의 둘레에 인접하는 접합층(215) 상에 배치될 수 있다. 접합층(215)이 형성되지 않는 경우에는 지지층(210) 상의 둘레 영역에 배치될 수 있다.The protective layer 230 may be disposed on an uppermost branch region of the second electrode layer 205 to be adjacent to a side of the second electrode layer 205. For example, the protective layer 230 may be disposed on the bonding layer 215 adjacent to the light emitting structure 240. When the bonding layer 215 is not formed, the bonding layer 215 may be disposed in the peripheral region on the support layer 210.

발광 구조물(240)은 제2 전극층(205) 및 보호층(230) 상에 배치된다. 발광 구조물(240)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있으며, 경사진 발광 구조물(240)의 측면은 보호층(230)과 적어도 일부분이 오버랩될 수 있다. 보호층(230)의 상면의 일부는 아이솔레이션 에칭에 의해 개방될 수 있다. 예컨대, 보호층(130)은 일부가 발광 구조물(240)과 오버랩되고, 나머지 일부가 오버랩되지 않을 수 있다.The light emitting structure 240 is disposed on the second electrode layer 205 and the protective layer 230. The side surface of the light emitting structure 240 may be an inclined surface in an isolation etching process divided into unit chips, and the side surface of the inclined light emitting structure 240 may overlap at least a portion of the protective layer 230. A portion of the top surface of the protective layer 230 may be opened by isolation etching. For example, a portion of the protective layer 130 may overlap the light emitting structure 240, and a portion of the protective layer 130 may not overlap.

보호층(230)은 발광 구조물(240)과 제2 전극층(205) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(200)의 신뢰성이 저하되는 현상을 감소시킬 수 있다. 예컨대, 보호층(230)은 발광 구조물(240)을 단위 칩으로 분리하기 위해 아이솔레이션 에칭을 실시하는 경우, 접합층(215)으로부터 발생된 파편이 제2 도전형 반도체층(242)과 활성층(244) 사이 또는 활성층(244)과 제1 도전형 반도체층(246) 사이에 부착되어 전기적 단락이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The protective layer 230 may reduce a phenomenon in which the interface between the light emitting structure 240 and the second electrode layer 205 is peeled off, thereby reducing the reliability of the light emitting device 200. For example, when the isolation layer 230 performs isolation etching to separate the light emitting structure 240 into unit chips, the fragments generated from the bonding layer 215 may be divided into the second conductive semiconductor layer 242 and the active layer 244. ) Or between the active layer 244 and the first conductive semiconductor layer 246 to prevent an electrical short.

발광 구조물(240)은 제2 도전형 반도체층(242), 활성층(244), 완충층(245), 및 제1 도전형 반도체층(246)이 적층된 구조일 수 있다. The light emitting structure 240 may have a structure in which the second conductive semiconductor layer 242, the active layer 244, the buffer layer 245, and the first conductive semiconductor layer 246 are stacked.

제2 도전형의 반도체층(246)은 제2 전극층(205) 상에 배치되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함하며, 제2 도전형 반도체층(242)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductive semiconductor layer 246 is disposed on the second electrode layer 205 and is a compound semiconductor of Group III-V group elements doped with the second conductive dopant, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN. , InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like. The second conductivity type dopant includes a P type dopant such as Mg and Zn, and the second conductivity type semiconductor layer 242 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

활성층(244)은 제2 도전형 반도체층(242) 상에 배치되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(144)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층으로 형성될 수 있다.The active layer 244 is disposed on the second conductivity type semiconductor layer 242 and may include any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum line structure. The active layer 144 may be formed of a well layer and a barrier layer, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer or an InGaN well layer / AlGaN barrier layer, using a compound semiconductor material of Group III-V elements.

완충층(245)은 활성층(244) 상에 배치된다. 완충층(245)은 활성층(244)과 제1 도전형 반도체층(246) 사이의 결정 격자 상수 차이를 완화하며, 격자 상수가 제1 도전형 반도체층(246)의 격자 상수와 활성층(244)의 격자 상수의 중간 값을 갖는다. 예컨대, 완충층(245)의 격자 상수는 제1 도전형 반도체층(246)의 격자 상수보다는 크고, 활성층(244)의 격자 상수보다는 작을 수 있다.The buffer layer 245 is disposed on the active layer 244. The buffer layer 245 mitigates the difference in crystal lattice constant between the active layer 244 and the first conductivity-type semiconductor layer 246, and the lattice constant of the buffer layer 245 is the lattice constant of the first conductivity-type semiconductor layer 246 and the active layer 244. Has the middle value of the lattice constant. For example, the lattice constant of the buffer layer 245 may be greater than the lattice constant of the first conductivity type semiconductor layer 246 and less than the lattice constant of the active layer 244.

완충층(245)의 밴드 갭 에너지는 활성층(124)의 밴드 갭 에너지를 기준으로 0.18eV 이상 차이가 난다. 또한 완충층(245)은 상술한 바와 같이 초격자층을 포함할 수 있다.The band gap energy of the buffer layer 245 differs by at least 0.18 eV based on the band gap energy of the active layer 124. In addition, the buffer layer 245 may include a superlattice layer as described above.

도 3에서 상술한 바와 같이, 실시예에 따른 발광 소자는 완충층(245)과 활성층(244) 사이의 밴드 갭 에너지 차이를 0.18eV 이상 나도록 하여 완충층(245)의 결정성을 향상시키고, 이로 인하여 활성층(244)의 격자 결함을 감소시켜 휘도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above with reference to FIG. 3, the light emitting device according to the embodiment improves the crystallinity of the buffer layer 245 by increasing the band gap energy difference between the buffer layer 245 and the active layer 244 by 0.18 eV or more, thereby increasing the crystallinity of the active layer. The lattice defect of 244 can be reduced to improve brightness and reliability.

제1 도전형 반도체층(246)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 제1 도전형 반도체층(142)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 246 may be a compound semiconductor of a group III-V element doped with a first conductive dopant, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like can be selected. The first conductivity type dopant includes an N type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 142 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

패시베이션층(250)은 제1 도전형 반도체층(246)의 상면은 개방하고, 발광 구조물(240)의 측면에 형성될 수 있다. 패시베이션층(250)은 발광 구조물(240)의 제2 도전형 반도체층(242), 활성층(244), 및 제1 도전형 반도체층(246)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 패시베이션층(250)은 발광 구조물(240)의 측면과 인접하는 제1 도전형 반도체층(246)의 상면의 일부 상에도 배치될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 패시베이션층(250)은 발광 구조물(240)을 전기적으로 보호하기 위하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The passivation layer 250 may have an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 246 open and may be formed on a side surface of the light emitting structure 240. The passivation layer 250 may be formed to cover side surfaces of the second conductive semiconductor layer 242, the active layer 244, and the first conductive semiconductor layer 246 of the light emitting structure 240. In addition, the passivation layer 250 may be disposed on a portion of the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 246 adjacent to the side surface of the light emitting structure 240, but is not limited thereto. The passivation layer 250 may be formed to electrically protect the light emitting structure 240, and for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , to be formed of Al 2 O 3 But it is not limited thereto.

제1 전극층(255)은 발광 구조물(240) 상면에 배치된다. 예컨대, 제1 전극층(255)은 제1 도전형 반도체층(246)의 상면에 배치되고, 소정의 패턴 형상을 갖도록 분기될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first electrode layer 255 is disposed on the upper surface of the light emitting structure 240. For example, the first electrode layer 255 may be disposed on an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 246, and may be branched to have a predetermined pattern shape, but is not limited thereto.

제1 도전형의 반도체층(246)은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(260)이 형성될 수 있다. 또한 제1 전극층(255)의 상면에도 러프니스 패턴이 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.In the first conductive semiconductor layer 246, a roughness pattern 260 may be formed to increase light extraction efficiency. In addition, a roughness pattern may be formed on the upper surface of the first electrode layer 255, but is not limited thereto.

도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다. 도 4를 참조하면, 발광소자 패키지는 패키지 몸체(320)와, 상기 패키지 몸체(320)에 설치된 제 1 전극층(311) 및 제 2 전극층(312)과, 상기 패키지 몸체(320)에 설치되어 상기 제 1 전극층(311) 및 제 2 전극층(312)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광소자(300)와, 상기 발광 소자(300)를 포위하는 충진재(340)를 포함한다.4 illustrates a light emitting device package according to an embodiment. Referring to FIG. 4, the light emitting device package is installed on the package body 320, the first electrode layer 311 and the second electrode layer 312 installed on the package body 320, and the package body 320. The light emitting device 300 according to the embodiment is electrically connected to the first electrode layer 311 and the second electrode layer 312, and a filler 340 surrounding the light emitting device 300.

패키지 몸체(320)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(300)의 주위에 경사면이 형성되어 광추출 효율을 높일 수 있다.The package body 320 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. An inclined surface may be formed around the light emitting device 300 to increase light extraction efficiency.

제 1 전극층(311) 및 제 2 전극층(312)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광 소자(300)에 전원을 제공한다. 또한, 제1 전극층(311) 및 제2 전극층(312)은 발광 소자(300)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(300)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 311 and the second electrode layer 312 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 300. In addition, the first electrode layer 311 and the second electrode layer 312 can increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 300, and discharges heat generated from the light emitting device 300 to the outside It can also play a role.

발광 소자(300)는 패키지 몸체(320) 상에 설치되거나 제1 전극층(311) 또는 제2 전극층(312) 상에 설치될 수 있다. 발광 소자(300)는 제1 전극층(311) 및 제2 전극층(312)과 와이어 방식에 의하여 전기적으로 연결되는 것이 도시되었지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉 발광 소자(300)는 제1 전극층(311) 및 제 2 전극층(312)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 300 may be installed on the package body 320 or on the first electrode layer 311 or the second electrode layer 312. Although the light emitting device 300 is shown to be electrically connected to the first electrode layer 311 and the second electrode layer 312 by a wire method, it is not limited thereto. That is, the light emitting device 300 may be electrically connected to the first electrode layer 311 and the second electrode layer 312 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method.

충진재(340)는 발광 소자(300)를 포위하여 보호할 수 있다. 충진재(340)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 충진재(340)는 형광체를 포함하여 발광 소자(300)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 발광 소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수 개가 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The filler 340 may surround and protect the light emitting device 300. The filler 340 may be made of a colorless transparent polymer resin material such as epoxy or silicon. In addition, the filler 340 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 300. The light emitting device package may include at least one or a plurality of light emitting devices of the above-described embodiments, but is not limited thereto.

다른 실시예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 또는 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 표시 장치는 백라이트 유닛이고, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.Another embodiment may be implemented as a display device, an indicator device, or a lighting system including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments, for example, the display device is a backlight unit, the lighting system is a lamp, It may include a street lamp.

도 5는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 일 실시 예의 분해 사시도이다. 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과 상기 광원(750)이 내장되는 하우징(700)과 광원(750)의 열을 방출하는 방열부(740) 및 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함하여 이루어진다.5 is an exploded perspective view of an embodiment of a lighting device including a light emitting device package according to the embodiment. Referring to FIG. 5, the lighting apparatus according to the embodiment includes a light source 750 for projecting light, a housing 700 in which the light source 750 is embedded, a heat dissipation unit 740 for dissipating heat from the light source 750, and And a holder 760 which couples the light source 750 and the heat dissipation part 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함한다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 includes a socket coupling portion 710 coupled to an electrical socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 embedded therein. One air flow hole 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비되어 있는데, 공기 유동구(720)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.A plurality of air flow port 720 is provided on the body portion 730 of the housing 700, the air flow port 720 is composed of one air flow port, or a plurality of flow ports other than the radial arrangement as shown Various arrangements are also possible.

그리고, 광원(750)은 기판(754) 상에 복수 개의 발광 소자 패키지(752)가 구비된다. 여기서, 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.The light source 750 includes a plurality of light emitting device packages 752 on the substrate 754. Here, the substrate 754 may be a shape that can be inserted into the opening of the housing 700, and may be made of a material having a high thermal conductivity to transfer heat to the heat dissipation unit 740, as described below.

그리고, 광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되는데 홀더(760)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다. 실시 예에 따른 조명 장치는 상술한 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하여, 휘도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, a holder 760 is provided below the light source 750, and the holder 760 may include a frame and another air flow port. In addition, although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge the light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750. The lighting apparatus according to the embodiment may include the light emitting device package according to the above-described embodiment, thereby improving brightness and reliability.

도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.6 illustrates a display device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 표시 장치(800)는 광원 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 광원 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 프리즘 시트들(850, 860)의 전방에 배치되는 패널(870)과, 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 광원 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Referring to FIG. 6, the display device 800 is disposed in front of the light source modules 830 and 835, the reflector 820 on the bottom cover 810, and the reflector 820 and is emitted from the light source modules 830 and 835. An optical sheet including a light guide plate 840 for guiding the light to the front of the display device, a prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840, and an optical sheet disposed in front of the prism sheets 850 and 860. The panel 870 may include a color filter 880 disposed in front of the panel 870. The bottom cover 810, the reflector 820, the light source modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

광원 모듈은 기판(830) 상의 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광 소자 패키지(835)는 도 4에 도시된 실시예일 수 있다.The light source module includes a light emitting device package 835 on the substrate 830. Here, the PCB 830 may be used, and the light emitting device package 835 may be the embodiment shown in FIG. 4.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may receive components in the display device 800. In addition, the reflective plate 820 may be provided as a separate component as shown in the drawing, or may be provided in the form of a high reflective material on the rear surface of the light guide plate 840 or the front surface of the bottom cover 810. .

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

그리고, 도광판(830)은 광원 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 830 scatters the light emitted from the light source module so that the light is uniformly distributed over the entire area of the screen of the liquid crystal display. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having good refractive index and high transmittance, and may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyethylene (PE), or the like.

그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 may be formed of a translucent and elastic polymer material on one surface of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be provided in the stripe type and the valley repeatedly as shown.

그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 패널(870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In addition, the direction of the floor and the valley of one surface of the support film in the second prism sheet 860 may be perpendicular to the direction of the floor and the valley of one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to evenly distribute the light transmitted from the light source module and the reflective sheet to the front of the panel 870.

그리고, 도시되지는 않았으나 각각의 프리즘 시트 상에는 보호 시트가 구비될 수 있는데, 지지 필름의 양면에 광확산성 입자와 바인더를 포함하는 보호층이 구비될 수 있다. 또한, 프리즘층은 폴리우레탄, 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 엘라스토머, 폴리이소프렌, 폴리실리콘으로 구성되는 군으로부터 선택되는 중합체 재료로 이루어질 수 있다.Although not shown, a protective sheet may be provided on each prism sheet, and a protective layer including light diffusing particles and a binder may be provided on both surfaces of the support film. In addition, the prism layer may be made of a polymer material selected from the group consisting of polyurethane, styrenebutadiene copolymer, polyacrylate, polymethacrylate, polymethylmethacrylate, polyethylene terephthalate elastomer, polyisoprene, and polysilicon. have.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of a polyester and polycarbonate-based material, and may maximize the light projection angle through refraction and scattering of light incident from the backlight unit. The diffusion sheet includes a support layer including a light diffusing agent, a first layer and a second layer formed on the light exit surface (the first prism sheet direction) and the light incident surface (the reflection sheet direction) and do not include the light diffusing agent. It may include.

본 실시예에서 확산 시트와 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, and the optical sheet is made of another combination, for example, a micro lens array or a diffusion sheet and a micro lens array. Or a combination of one prism sheet and a micro lens array.

패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다. 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.The liquid crystal display panel (Liquid Crystal Display) may be disposed in the panel 870, and in addition to the liquid crystal display panel 860, another type of display device requiring a light source may be provided. The panel 870 is in a state where the liquid crystal is located between the glass bodies and the polarizing plates are placed on both glass bodies in order to use the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시 장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다. 그리고, 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다. 실시예에 따른 표시 장치는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 구비하는 광원 모듈을 사용함으로써, 휘도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The liquid crystal display panel used for the display device uses an active matrix method as a switch for adjusting a voltage supplied to each pixel. In addition, the front surface of the panel 870 is provided with a color filter 880 to transmit the light projected by the panel 870, only the red, green and blue light for each pixel can represent an image. The display device according to the exemplary embodiment may improve brightness and reliability by using the light source module including the light emitting device package according to the exemplary embodiment.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

110: 기판, 120: 발광 구조물
122: 제1 도전형 반도체층 123: 완충층
124: 활성층 126: 제2 도전형 반도체층
130: 전도층 142: 제1 전극
144: 제2 전극 205: 제2 전극층
210: 지지층 215: 접합층
220: 반사층 225: 오믹층
230: 보호층 250: 패시베이션층
255: 제1 전극층110: substrate, 120: light emitting structure
122: first conductive semiconductor layer 123: buffer layer
124: active layer 126: second conductive semiconductor layer
130: conductive layer 142: first electrode
144: second electrode 205: second electrode layer
210: support layer 215: bonding layer
220: reflective layer 225: ohmic layer
230: protective layer 250: passivation layer
255: first electrode layer

Claims (7)

제1 도전형 반도체층, 완충층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 적층되는 발광 구조물; 및
상기 발광 구조물 상의 제1 전극을 포함하며,
상기 완충층의 밴드 갭 에너지는 상기 제1 도전형 반도체층의 밴드 갭 에너지와 상기 활성층의 밴드 갭 에너지 사이의 값을 가지며, 상기 완충층의 밴드 갭 에너지는 상기 활성층의 밴드 갭 에너지와 0.18eV 이상 차이가 나는 발광 소자.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, a buffer layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are stacked; And
A first electrode on the light emitting structure,
The band gap energy of the buffer layer has a value between the band gap energy of the first conductive semiconductor layer and the band gap energy of the active layer, and the band gap energy of the buffer layer is different from the band gap energy of the active layer by 0.18 eV or more. I'm a luminous device. 제1항에 있어서, 상기 완충층 및 상기 활성층 각각은,
InxGa1 - xN(0≤x≤1)인 질화물 반도체층이고, 인듐 함유량이 서로 다른 발광 소자.The method of claim 1, wherein each of the buffer layer and the active layer,
A light emitting device comprising a nitride semiconductor layer having In x Ga 1 - x N (0≤x≤1) and having different indium contents. 제1항에 있어서,
상기 완충층의 밴드 갭 에너지는 상기 활성층의 밴드 갭 에너지보다 0.18eV 이상 큰 발광 소자.The method of claim 1,
The band gap energy of the buffer layer is 0.18 eV or more greater than the band gap energy of the active layer. 제1항에 있어서, 상기 완충층은,
제1 InGaN층 및 제2 InGaN층이 적어도 6주기 이상 반복 적층되는 초격자 구조로 이루어진 초격자층을 포함하는 발광 소자.The method of claim 1, wherein the buffer layer,
A light emitting device comprising a superlattice layer having a superlattice structure in which a first InGaN layer and a second InGaN layer are repeatedly stacked for at least six cycles. 제4항에 있어서,
상기 제1 InGaN층 및 상기 제2 InGaN층은 인듐(In)의 함유량이 서로 다르며, 각각의 밴드 갭 에너지는 상기 활성층의 밴드 갭 에너지보다 0.18eV 이상 큰 발광 소자.The method of claim 4, wherein
The light emitting device of the first InGaN layer and the second InGaN layer is different in content of indium (In), each band gap energy is at least 0.18 eV greater than the band gap energy of the active layer. 제1항에 있어서,
상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하도록 메사 식각되며,
상기 발광 구조물 아래의 기판; 및
상기 노출되는 제1 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The light emitting structure is mesa etched to expose the first conductivity type semiconductor layer,
A substrate under the light emitting structure; And
The light emitting device further comprises a second electrode on the exposed first conductive semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 발광 구조물 아래의 오믹층;
상기 오믹층 아래의 반사층;
상기 반사층 아래의 접합층; 및
상기 접합층 아래의 지지층을 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
An ohmic layer under the light emitting structure;
A reflective layer under the ohmic layer;
A bonding layer below the reflective layer; And
The light emitting device further comprises a support layer below the bonding layer.
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