KR20120045636A - Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system - Google Patents

Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system Download PDF

Info

Publication number
KR20120045636A
KR20120045636A KR1020100107294A KR20100107294A KR20120045636A KR 20120045636 A KR20120045636 A KR 20120045636A KR 1020100107294 A KR1020100107294 A KR 1020100107294A KR 20100107294 A KR20100107294 A KR 20100107294A KR 20120045636 A KR20120045636 A KR 20120045636A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
emitting device
semiconductor layer
conductive
Prior art date
Application number
KR1020100107294A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101786073B1 (en
Inventor
정환희
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100107294A priority Critical patent/KR101786073B1/en
Priority to EP11186389.0A priority patent/EP2445019B1/en
Priority to CN201110351842.8A priority patent/CN102456795B/en
Priority to CN201610064675.1A priority patent/CN105679908B/en
Priority to US13/280,573 priority patent/US8598615B2/en
Publication of KR20120045636A publication Critical patent/KR20120045636A/en
Priority to US14/070,740 priority patent/US8835972B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101786073B1 publication Critical patent/KR101786073B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PURPOSE: A light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a lighting system are provided to improve light extraction efficiency of the light emitting device by forming a light extraction pattern on the upper surface of a light emitting structure layer. CONSTITUTION: A light emitting structure layer(135) comprises a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer. A first electrode is connected to the first conductivity type semiconductor layer. A plurality of conductive layers is formed under the second conductivity type semiconductor layer. An insulating support member(190) is formed under the plurality of conductive layers. A protection member(140) is formed between the plurality of conductive layers and the light emitting structure layer. A part of the upper surface of the protection member is exposed to the outside of the light emitting structure layer.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}

본 발명은 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package and an illumination system.

Ⅲ?Ⅴ족 도전형 반도체(group Ⅲ?Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ?Ⅴ족 도전형 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.Group III-V nitride semiconductors have been spotlighted as core materials of light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties. Ⅲ? Ⅴ group conductivity type semiconductor is made of a semiconductor material having a compositional formula of normal In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) have.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that transmits and receives signals by converting electricity into infrared rays or light using characteristics of a compound semiconductor.

이러한 도전형 반도체 재료를 이용한 발광 다이오드 혹은 레이저 다이오드의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.It is widely used as a light emitting device for obtaining light of a light emitting diode or a laser diode using such a conductive semiconductor material, and is applied as a light source of various products such as keypad light emitting part of a mobile phone, an electronic board, a lighting device, and the like.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a new structure, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

실시예는 신뢰성이 향상된 반도체 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a semiconductor light emitting device having improved reliability, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 복수의 전도층; 상기 복수의 전도층 아래에 절연성 지지부재; 및 상기 복수의 전도층과 발광 구조층의 사이에 보호부재를 포함하며, 상기 보호부재의 상면의 일부는 상기 발광 구조층의 외측에 노출된다.The light emitting device according to the embodiment may include a light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, an active layer under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer under the active layer; A first electrode connected on the first conductivity type semiconductor layer; A plurality of conductive layers under the second conductive semiconductor layer; An insulating support member under the plurality of conductive layers; And a protective member between the plurality of conductive layers and the light emitting structure layer, wherein a portion of the upper surface of the protective member is exposed to the outside of the light emitting structure layer.

실시예에 따른 발광 소자 제조 방법은 실리콘 성장기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조층 상에 복수의 전도층을 형성하는 단계; 상기 복수의 전도층 상에 절연성 지지부재를 형성하는 단계; 상기 성장기판을 분리하여 제1 도전형 반도체층을 노출하는 단계; 상기 발광 구조층의 칩 경계 영역에 에칭을 실시하는 단계; 상기 복수의 전도층과 발광 구조층의 사이에 보호부재를 형성하는 단계; 및 상기 보호부재의 상면 일부는 상기 발광 구조층의 외측에 노출되도록 형성하는 단계를 포함한다.In one embodiment, a light emitting device manufacturing method includes: forming a light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer on a silicon growth substrate; Forming a plurality of conductive layers on the light emitting structure layer; Forming an insulating support member on the plurality of conductive layers; Separating the growth substrate to expose a first conductivity type semiconductor layer; Etching to a chip boundary region of the light emitting structure layer; Forming a protective member between the plurality of conductive layers and the light emitting structure layer; And forming a portion of the upper surface of the protective member to be exposed to the outside of the light emitting structure layer.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a new structure, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

실시예는 신뢰성이 향상된 반도체 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a semiconductor light emitting device having improved reliability, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 2 내지 도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 나타내는 도면
도 11은 다른 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 12는 실시예들에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도
도 13은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면
도 14는 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도. 1 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment
2 to 10 are views showing a method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment
11 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment;
12 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment
13 illustrates a backlight unit including a light emitting device package according to embodiments.
14 is a perspective view of a lighting unit including a light emitting device package according to the embodiments.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조층들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure layer is formed on or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as "to", "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자(100)의 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 지지부재(190), 상기 지지부재(190) 위에 형성되는 제2 도전형 반도체층(130), 상기 제2 도전형 반도체층(130) 위에 형성되는 활성층(120), 상기 활성층(120) 위에 형성되는 제1 도전형 반도체층(110), 상기 제1 도전형 반도체층(110) 상에 형성되는 제1 전극(115)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 according to the embodiment includes a support member 190, a second conductive semiconductor layer 130 formed on the support member 190, and the second conductive semiconductor layer 130. ) An active layer 120 formed on the active layer 120, a first conductive semiconductor layer 110 formed on the active layer 120, and a first electrode 115 formed on the first conductive semiconductor layer 110. Can be.

또한, 상기 지지부재(190) 및 제2 도전형 반도체층(130) 사이에는 보호부재(140), 제1 전도층(150), 제2 전도층(160), 제3 전도층(170) 및 제4 전도층(180)이 형성될 수 있다.In addition, the protection member 140, the first conductive layer 150, the second conductive layer 160, the third conductive layer 170, and the support member 190 and the second conductive semiconductor layer 130 may be disposed between the support member 190 and the second conductive semiconductor layer 130. The fourth conductive layer 180 may be formed.

발광 구조층(135)은 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 포함하며, 상기 제1,2 도전형 반도체층(110,130)으로부터 제공되는 전자 및 정공이 상기 활성층(120)에서 재결합(Recombination)됨으로써 빛을 생성할 수 있다.The light emitting structure layer 135 includes a first conductive semiconductor layer 110, an active layer 120, and a second conductive semiconductor layer 130, and is provided from the first and second conductive semiconductor layers 110 and 130. Electrons and holes may be recombined in the active layer 120 to generate light.

상기 지지부재(190)는 절연성 지지부재 또는 전도성 지지부재를 포함하며 발광 구조층(135)을 지지할 수 있다. 상기 지지부재(190)는 절연성을 갖는 물질, 예를 들어, SiO2, SiC, SiOx, SiOxNy, TiO2 또는 Al2O3 중 적어도 하나의 재질로 형성될 수 있고 비저항이 1*10-4Ω/cm 이상의 값을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The support member 190 may include an insulating support member or a conductive support member and may support the light emitting structure layer 135. The support member 190 is an insulating material, for example, SiO 2 , SiC, SiO x , SiO x N y , TiO 2 Or Al 2 O 3 To be formed of at least one material Can be formed of a material having a specific resistance of 1 * 10 −4 dB / cm or more.

또는 상기 지지부재(190)는 전도성을 갖는 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, GaN, ZnO, SiC, SiGe 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Alternatively, the support member 190 is a conductive material, for example, copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), tungsten (W), aluminum (Al), copper-tungsten (Cu-W) and a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, GaN, ZnO, SiC, SiGe, etc.) may be included.

상기 지지부재(190)의 두께는 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들어, 50μm 내지 1000μm의 두께를 가질 수 있다.The thickness of the support member 190 may vary depending on the design of the light emitting device 100. For example, the support member 190 may have a thickness of 50 μm to 1000 μm.

상기 지지부재(190) 상에는 제4 전도층(180)이 형성될 수 있다. 상기 제4 전도층(180)은 본딩층으로서, 지지부재(190)와 제3 전도층(170) 사이에 배치되어 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.A fourth conductive layer 180 may be formed on the support member 190. The fourth conductive layer 180 is a bonding layer, and may be disposed between the support member 190 and the third conductive layer 170 to strengthen the adhesive force.

상기 제4 전도층(180)은 배리어 금속층 또는 본딩 금속층 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, Nb, In, Bi, Cu, Al, Si, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The fourth conductive layer 180 may include a barrier metal layer or a bonding metal layer, for example, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, Nb, In, Bi, Cu, Al, Si, Ag, or Ta. It may include at least one of.

상기 제4 전도층(180) 상에는 제3 전도층(170)이 형성될 수 있다. 상기 제3 전도층(170)의 일부는 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 접하도록 형성될 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층(130)의 전극 또는 본딩 패드로서 기능하여 상기 제2 도전형 반도체층(130)에 전원을 공급할 수 있다.A third conductive layer 170 may be formed on the fourth conductive layer 180. A portion of the third conductive layer 170 may be formed to contact the second conductive semiconductor layer 130, and function as an electrode or a bonding pad of the second conductive semiconductor layer 130. Power may be supplied to the conductive semiconductor layer 130.

상기 제3 전도층(170)의 일부는 상기 제1 전극(115)과 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 전도층(150, 160)을 통해 상기 발광 구조층(135)의 최하층, 예컨대 제2 도전형 반도체층(130)의 하면에 물리적 또는/및 전기적으로 접촉될 수 있다.A portion of the third conductive layer 170 may be disposed to overlap with the first electrode 115 in a vertical direction, and the light emitting structure layer 135 may be disposed through the first and second conductive layers 150 and 160. ), For example, the bottom surface of the second conductivity-type semiconductor layer 130 may be physically and / or electrically contacted.

상기 제3 전도층(170)은 Ni, Pt, Ti, W, V, Fe 또는 Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.The third conductive layer 170 may include at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, or Mo, and may be formed of a single layer or a plurality of layers.

상기 제3 전도층(170)은 발광 구조층(135)에서 생성되는 열을 외부로 방출하여 소자의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 0.1 내지 200μm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 제3 전도층(170)은 발광 구조층(135)의 아래에서 열을 방출하는 방열 플레이트와 전원을 공급하는 전극으로 기능하게 된다. 상기 제3 전도층(170)은 상기 발광 구조층(135)과 오믹층(150)의 접촉 저항보다 큰 저항을 갖고 접촉될 수 있다.The third conductive layer 170 may prevent the deterioration of the reliability of the device by emitting heat generated from the light emitting structure layer 135 to the outside, and may be formed to a thickness of 0.1 to 200μm. The third conductive layer 170 functions as a heat dissipation plate dissipating heat under the light emitting structure layer 135 and an electrode for supplying power. The third conductive layer 170 may be in contact with a resistance larger than that of the light emitting structure layer 135 and the ohmic layer 150.

상기 제3 전도층(170) 상에는 제2 전도층(160)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전도층(160)은 반사층을 포함하며, 반사율이 50% 이상인 금속성 물질을 포함할 수 있고, 금속 물질의 특징에 따라 반사율은 다양한 값을 가질 수 있다. 이는 상기 발광 구조층(135)으로부터 입사되는 빛을 반사시켜 주어, 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The second conductive layer 160 may be formed on the third conductive layer 170. The second conductive layer 160 may include a reflective layer, may include a metallic material having a reflectance of 50% or more, and the reflectance may have various values according to the characteristics of the metallic material. This reflects the light incident from the light emitting structure layer 135, thereby improving the light emitting efficiency of the light emitting device 100.

상기 제2 전도층(160)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu 등으로 적층될 수 있다.For example, the second conductive layer 160 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, or Hf. . Alternatively, the metal or alloy may be formed in a multilayer using light transmitting conductive materials such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO, and specifically, IZO / Ni, AZO / Ag, and IZO. / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, Ag / Cu, Ag / Pd / Cu and the like can be laminated.

상기 제2 전도층(160) 상에는 제1 전도층(150)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전도층(150)은 상기 제2 도전형 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급되도록 한다.The first conductive layer 150 may be formed on the second conductive layer 160. The first conductive layer 150 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 130 to smoothly supply power to the light emitting structure layer 135.

상기 제1 전도층(150)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Pt, In, Zn 또는 Sn 중 적어도 하나를 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.The first conductive layer 150 may selectively use a light transmissive conductive layer and a metal, and may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc oxide (AZO). , Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, Ni By using at least one of Ag, Pt, In, Zn or Sn can be implemented in a single layer or multiple layers.

상기 제3 전도층(170) 상면의 둘레 영역에는 보호부재(140)가 형성될 수 있다. 상기 보호부재(140)의 내측부는 상기 제3 전도층(170)과 상기 발광 구조층(135) 사이에 배치되며 외측부는 상기 발광 구조층(135)보다 더 외측으로 연장된다.The protection member 140 may be formed in the circumferential region of the upper surface of the third conductive layer 170. An inner portion of the protective member 140 is disposed between the third conductive layer 170 and the light emitting structure layer 135, and an outer portion thereof extends outwardly from the light emitting structure layer 135.

상기 보호부재(140)는 상기 발광 구조층(135)과 접하고 상기 발광 소자(100) 내에서 링 형상, 루프 형상, 프레임 형상 등으로 형성될 수 있다.The protection member 140 may be in contact with the light emitting structure layer 135 and may be formed in a ring shape, a loop shape, a frame shape, and the like in the light emitting device 100.

발광 소자를 아이솔레이션 에칭할 경우 Cl2, BCl2 등의 물질을 이용하여 식각할 수 있는데, 상기 식각 과정에 의해 금속 성분으로 형성되는 상기 제3 전도층(170)의 일부가 녹아서 상기 활성층(120)에 닿게 되면 전기적으로 쇼트될 수 있다. 따라서 상기 발광 구조층(135)의 하부 둘레 영역에 보호부재(140)를 형성하여 소자의 신뢰성을 개선할 수 있다. 상기 보호부재(140)는 상기 발광 구조층(135)이 식각되어 하부의 제3 전도층(170)이 노출된 영역의 적어도 일부에 형성될 수 있다.When isolating the light emitting device, the light emitting device may be etched using a material such as Cl 2 or BCl 2, and a part of the third conductive layer 170 formed of a metal component is melted by the etching process to melt the active layer 120. When it reaches, it can be electrically shorted. Therefore, the protection member 140 may be formed in the lower circumferential region of the light emitting structure layer 135 to improve the reliability of the device. The protection member 140 may be formed in at least a portion of the region in which the light emitting structure layer 135 is etched and the lower third conductive layer 170 is exposed.

상기 보호부재(140)는 전기 절연성을 갖는 재질, 상기 제2 전도층(160) 또는 상기 제3 전도층(170)보다 전기 전도성이 낮은 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx 또는 TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The protection member 140 may be formed of a material having electrical insulation, a material having a lower electrical conductivity than the second conductive layer 160 or the third conductive layer 170. For example, ITO, IZO, It may include at least one of IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO x or TiO 2 .

상기 제1 전도층(150) 및 상기 보호부재(140) 상에는 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다.The light emitting structure layer 135 may be formed on the first conductive layer 150 and the protective member 140.

상기 발광 구조층(135)은 복수의 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(110), 상기 제1 도전형 반도체층(110) 아래에 활성층(120), 상기 활성층(120) 아래에 상기 제2 도전형 반도체층(130)을 포함할 수 있다.The light emitting structure layer 135 may include a plurality of group III-V compound semiconductor layers. For example, the first conductive semiconductor layer 110 and the first conductive semiconductor layer 110 may be disposed under the light emitting structure layer 135. The second conductive semiconductor layer 130 may be included in the active layer 120 and under the active layer 120.

상기 제1 도전형 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체로 화학식은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)이고, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 110 is a first conductive type dopant is doped Ⅲ? A compound semiconductor of group elements Ⅴ formula is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like. When the first conductivity type semiconductor layer 110 is an N type semiconductor layer, the first conductivity type dopant includes an N type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 110 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(110) 아래에 활성층(120)이 형성될 수 있다. 상기 활성층(120)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)은 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.An active layer 120 may be formed under the first conductivity type semiconductor layer 110. The active layer 120 may include any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum line structure. The active layer 120 may be formed using a compound semiconductor material of a group III-V element in a cycle of a well layer and a barrier layer, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer or an InGaN well layer / AlGaN barrier layer. .

상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on or under the active layer 120, and the conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor.

상기 제2 도전형 반도체층(130)은 상기 활성층(120) 아래에 형성되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체로 화학식은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)이고, 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함할 수 있다.The second conductive type semiconductor layer 130 is formed under the active layer 120, the second conductive dopant is doped Ⅲ? A compound semiconductor of group elements Ⅴ formula is In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), for example, in GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like. Can be selected. When the second conductivity type semiconductor layer 130 is a P type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include a P type dopant such as Mg and Zn.

한편, 상기 발광 구조층(135)은 상기 제2 도전형 반도체층(130) 아래에 제1 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 P형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 N형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 이에 따라 상기 발광 구조층(135)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting structure layer 135 may include a first conductivity type semiconductor layer under the second conductivity type semiconductor layer 130. In addition, the first conductivity type semiconductor layer 110 may be a P type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 130 may be implemented as an N type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure layer 135 may include at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, and a P-N-P junction structure.

상기 발광 구조층(135)의 측면은 복수개의 칩을 개별 칩 단위로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭에 의해 경사를 가질 수 있다.Sides of the light emitting structure layer 135 may have an inclination by an isolation etching for dividing the plurality of chips into individual chip units.

또한, 상기 발광 구조층(135)의 상면에는 상기 광추출패턴(111)이 형성될 수 있다. 상기 광추출패턴(111)은 표면에서 전반사되는 빛의 양을 최소화하여 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the light extraction pattern 111 may be formed on an upper surface of the light emitting structure layer 135. The light extraction pattern 111 may improve the light extraction efficiency of the light emitting device 100 by minimizing the amount of light totally reflected from the surface.

상기 광추출패턴(111)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 특정한 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다.The light extraction pattern 111 may have a random shape and arrangement, or may be formed to have a specific shape and arrangement.

예를 들어, 상기 광추출패턴(111)은 50nm 내지 3000nm의 주기를 갖는 광 결정(Photonic Crystal) 구조로 배열되어 형성될 수 있다. 상기 광 결정 구조는 간섭 효과 등에 의해 특정 파장 영역의 빛을 외부로 효율적으로 추출할 수 있다.For example, the light extraction pattern 111 may be formed by being arranged in a photonic crystal structure having a period of 50nm to 3000nm. The photonic crystal structure can efficiently extract light of a specific wavelength region to the outside by an interference effect or the like.

또한, 상기 광추출패턴(111)은 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the light extraction pattern 111 may be formed to have a variety of shapes, such as a cylinder, a polygonal pillar, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal truncated cone, but is not limited thereto.

상기 발광 구조층(135)의 상면에는 상기 제1 전극(115)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(115)은 소정의 패턴 형상으로 분기될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 115 may be formed on an upper surface of the light emitting structure layer 135. The first electrode 115 may be branched in a predetermined pattern shape, but is not limited thereto.

또한, 상기 제1 전극(115)은 적어도 하나의 패드, 상기 패드에 연결된 적어도 한 가지 형상의 전극 패턴이 동일 또는 상이한 적층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the first electrode 115 may have at least one pad and an electrode pattern having at least one shape connected to the pads having the same or different stacked structure, but is not limited thereto.

상기 제1 전극(115)은 금속으로 형성될 수 있으며 예를 들어, Cr, Ni, Au, V, W, Ti 또는 Al 중 적어도 하나를 포함할 수 있고 상기 제1 도전형 반도체층(110)에 전원을 공급할 수 있다.The first electrode 115 may be formed of a metal, and may include, for example, at least one of Cr, Ni, Au, V, W, Ti, or Al, and may be formed on the first conductive semiconductor layer 110. Can supply power.

실시예에 따르면 성장기판으로 실리콘을 사용하는 경우, 성장기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층을 적층하고 지지부재가 접합된 후, 상기 실리콘 성장기판을 습식 식각 등에 의하여 분리할 때, 상기 발광 구조층에 크랙(crack)이 발생하여 발광 구조층의 배열이 어긋날 수 있으나, 상기 지지부재를 절연성 물질로 형성하게 되면 크랙을 방지할 수 있으므로 신뢰성이 향상된 발광 소자가 제공될 수 있다.According to an embodiment, when silicon is used as a growth substrate, a light emitting structure layer including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer is laminated on the growth substrate, and the support member is bonded to the silicon substrate. When the growth substrate is separated by wet etching or the like, a crack may occur in the light emitting structure layer so that the arrangement of the light emitting structure layer may be displaced. However, when the support member is formed of an insulating material, cracks may be prevented. This improved light emitting device can be provided.

그리고 개별 발광 소자 단위로 분리시키는 칩 분리 공정은 레이저 스크라이빙 공정 등에 의해 이루어질 수 있는데, 이 경우 지지부재가 금속 등의 전도성 물질로 형성되면 레이저의 열에 의해 지지부재가 녹으면서 버(Burr)가 발생하여 소자의 신뢰성에 좋지 않은 영향을 줄 수 있으나 본 실시예와 같이 지지부재가 절연성 물질로 형성되면 이러한 문제를 예방할 수 있다.In addition, the chip separation process of separating the individual light emitting device units may be performed by a laser scribing process. In this case, when the support member is formed of a conductive material such as a metal, the burr may be melted by the heat of the laser. Although this may adversely affect the reliability of the device, if the support member is formed of an insulating material as in this embodiment, this problem can be prevented.

이하, 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device 100 according to the embodiment will be described in detail. However, the description overlapping with the above description will be omitted or briefly described.

도 2 내지 도 10은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법을 설명하는 도면이다.2 to 10 are views illustrating a method of manufacturing the light emitting device 100 according to the embodiment.

도 2를 참조하면, 성장기판(105) 상에 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting structure layer 135 may be formed on the growth substrate 105.

상기 성장기판(105)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 또는 Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 본 실시예에서는 실리콘(Si) 기판을 예로 들어 설명한다. 성장기판으로 실리콘이 사용되는 경우, 성장기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층을 적층하고 지지부재가 접합된 후, 상기 실리콘 성장기판을 레이저 리프트 공정없이 습식 식각 등에 의하여 분리하므로, 큰 충격없이 성장기판을 제거할 수 있어 상기 발광 구조층에 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로 신뢰성이 향상된 발광 소자가 제공될 수 있고, 가격이 저렴하여 생산성 면에서 유리하다.For example, the growth substrate 105 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, or Ge, but is not limited thereto. In this embodiment, a silicon (Si) substrate is taken as an example. When silicon is used as a growth substrate, a light emitting structure layer including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer is laminated on a growth substrate, and a supporting member is bonded to the silicon growth substrate. Since it is separated by wet etching without a lift process, the growth substrate can be removed without a large impact, and thus cracks can be prevented from occurring in the light emitting structure layer. Thus, a light emitting device having improved reliability can be provided. It is inexpensive and advantageous in terms of productivity.

상기 발광 구조층(135)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure layer 135 may include, for example, Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Chemical Vapor Deposition (CVD), Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), and the like may be formed using, but are not limited thereto.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(110) 및 상기 성장기판(105) 사이에는 둘 사이의 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시)이 형성될 수도 있다.Meanwhile, a buffer layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 110 and the growth substrate 105 to alleviate the lattice constant difference between the first conductive semiconductor layer 110 and the growth substrate 105.

도 3을 참조하면 상기 발광 구조층(135) 상에 발광 소자의 칩 경계 영역에 상기 보호부재(140)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, the protection member 140 may be formed on the chip boundary region of the light emitting device on the light emitting structure layer 135.

상기 보호부재(140)는 패터닝된 마스크를 이용하여 개별 칩 영역의 둘레에 형성될 수 있으며, 링 형상, 루프 형상, 프레임 형상 등으로 형성될 수 있다. 상기 보호부재(140)는 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The protection member 140 may be formed around the individual chip area by using a patterned mask, and may be formed in a ring shape, a loop shape, a frame shape, or the like. The protective member 140 may be formed using, for example, a method such as electron beam (E-beam) deposition, sputtering, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or the like.

도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(130) 상에 상기 제1 전도층(150)을 형성하고, 상기 제1 전도층(150) 상에 상기 제2 전도층(160)을 형성할 수 있다. 상기 제1 전도층(150) 및 제2 전도층(160)은 상기 제2 도전형 반도체층(130) 상의 일부 영역에 형성될 수 있으며, 이후에 제1 전극(115)이 형성될 위치와 수직으로 적어도 일부가 중첩하는 영역은 제외하고 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the first conductive layer 150 is formed on the second conductive semiconductor layer 130, and the second conductive layer 160 is formed on the first conductive layer 150. can do. The first conductive layer 150 and the second conductive layer 160 may be formed in a portion of the second conductive semiconductor layer 130, and are perpendicular to the position where the first electrode 115 is to be formed. At least a portion overlapping with each other may be formed.

상기 제1 전도층(150) 및 상기 제2 전도층(160)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.The first conductive layer 150 and the second conductive layer 160 may be formed by, for example, any one of electron beam (E-beam) deposition, sputtering, and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Can be formed.

도 5를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(130), 보호부재(140) 및 제2 전도층(160) 상에 제3 전도층(170)을 형성할 수 있다. 상기 제3 전도층(170)은 상기 보호부재(140) 및 제1 전도층(150), 제2 전도층(160)을 덮는 형상으로 형성될 수 있고, 상기 보호부재(140) 및 제1 전도층(150), 제2 전도층(160)이 형성되지 않은 영역에서 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 접하도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, a third conductive layer 170 may be formed on the second conductive semiconductor layer 130, the protection member 140, and the second conductive layer 160. The third conductive layer 170 may be formed in a shape covering the protective member 140, the first conductive layer 150, and the second conductive layer 160, and the protective member 140 and the first conductive layer. The layer 150 and the second conductive layer 160 may be formed to contact the second conductive semiconductor layer 130 in an area where the second conductive layer 160 is not formed.

도 6을 참조하면 상기 제3 전도층(170) 상에 제4 전도층(180)을 형성하고, 상기 제4 전도층(180) 상에 지지부재(190)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6, a fourth conductive layer 180 may be formed on the third conductive layer 170, and a support member 190 may be formed on the fourth conductive layer 180.

상기 제4 전도층(180)은 상기 제3 전도층(170) 및 상기 지지부재(190) 사이에 형성되어, 상기 층들 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.The fourth conductive layer 180 may be formed between the third conductive layer 170 and the support member 190 to strengthen the adhesive force between the layers.

상기 지지부재(190)는 별도의 시트(sheet)로 준비되어 상기 제4 전도층(180) 상에 부착되는 본딩 방식에 의해 형성되거나, 증착 방식 등에 의해 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The support member 190 may be formed by a bonding method attached to the fourth conductive layer 180 by preparing a separate sheet, or may be formed by a deposition method, but is not limited thereto.

도 7을 참조하면, 도 6의 발광 소자에서 상기 성장기판(105)을 제거할 수 있다.Referring to FIG. 7, the growth substrate 105 may be removed from the light emitting device of FIG. 6.

상기 성장기판(105)은 에칭의 방법에 의해 제거될 수 있다.The growth substrate 105 may be removed by a method of etching.

상기 성장기판(105)을 제거함에 따라, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 표면이 노출된다.As the growth substrate 105 is removed, the surface of the first conductivity type semiconductor layer 110 is exposed.

도 8을 참조하면, 상기 발광 구조층(135)을 단위 칩 영역에 따라 아이솔레이션 에칭을 실시하여 복수개의 발광 구조층(135)으로 분리한다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 드라이 에칭 또는 KOH, H2SO4, H3PO4와 같은 에천트를 사용한 웨트 에칭을 사용하여 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 8, the light emitting structure layer 135 is isolated by a plurality of light emitting structure layers 135 by isolation etching according to a unit chip region. The isolation etching may be performed using, for example, dry etching such as inductively coupled plasma (ICP) or wet etching using an etchant such as KOH, H 2 SO 4 , H 3 PO 4 , but is not limited thereto. Do not.

상기 발광 구조층(135)의 측면은 본 실시예에서 수직으로 형성되었으나 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 경사진 측면을 가질 수 있다. 또한, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 상기 제3 전도층(170)의 상면이 일부 노출될 수 있다.The side surface of the light emitting structure layer 135 is vertically formed in this embodiment, but may have a side surface inclined by the isolation etching. In addition, the top surface of the third conductive layer 170 may be partially exposed by the isolation etching.

그리고 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 광추출패턴(111)을 형성한다. 상기 광추출패턴(111)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 특정한 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다.A light extraction pattern 111 is formed on the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 110. The light extraction pattern 111 may have a random shape and arrangement, or may be formed to have a specific shape and arrangement.

랜덤한 형상을 갖는 광추출패턴(111)은, 상기 발광 구조층(135)의 상면에 웨트 에칭을 실시하거나, 표면을 연마하는 등의 물리적 방법을 통해 형성될 수 있다.The light extraction pattern 111 having a random shape may be formed through a physical method such as performing wet etching on the upper surface of the light emitting structure layer 135 or polishing the surface.

특정한 형상 및 배열을 갖는 광추출패턴(111)은, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 원하는 상기 광추출패턴(111)의 형상에 대응하는 패턴을 포함하는 패턴 마스크를 형성하고, 상기 패턴 마스크를 따라 에칭 공정을 실시함으로써 형성될 수 있다.The light extraction pattern 111 having a specific shape and arrangement forms a pattern mask including a pattern corresponding to the shape of the desired light extraction pattern 111 on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 110, It may be formed by performing an etching process along the pattern mask.

다음으로 상기 제1 도전형 반도체층(110) 상의 일부에 제1 전극(115)을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극(115)은 금속으로 형성될 수 있으며 예를 들어, Cr, Ni, Au, Ti 또는 Al 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Next, a first electrode 115 may be formed on a portion of the first conductivity type semiconductor layer 110. The first electrode 115 may be formed of a metal, and may include, for example, at least one of Cr, Ni, Au, Ti, or Al.

상기 제1 전극(115)은 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering) 등의 방법에 의하여 형성될 수 있다.The first electrode 115 may be a method such as an electron beam evaporator, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma laser deposition (PLD), dual-type thermal evaporator sputtering, or the like. It can be formed by.

도 9를 참조하면 상기 발광 구조층(135)의 측면과 상기 제1 도전형 반도체층(110) 위에 보호막(195)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서 상기 보호막(195)은 제1 도전형 반도체층의 일부 영역에 형성되었으나 상기 제1 전극(115)이 형성된 영역을 제외한 영역에 형성될 수도 있다. 상기 보호막(195)은 전기 절연성 및 투광성을 갖는 재질, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 등으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9, a passivation layer 195 may be formed on a side surface of the light emitting structure layer 135 and the first conductive semiconductor layer 110. In the present exemplary embodiment, the passivation layer 195 is formed in a portion of the first conductivity-type semiconductor layer, but may be formed in a region other than the region in which the first electrode 115 is formed. The passivation layer 195 may be formed of a material having electrical insulation and light transmittance, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3, or the like.

상기 보호막(195)은 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The passivation layer 195 may be formed using an electron beam (E-beam) deposition, sputtering, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or the like.

한편, 상기 광추출패턴(111)과 상기 보호막(195)은 적어도 일부 영역이 수직 방향으로 중첩될 수 있고 상기 제1 도전형 반도체층(130)의 상부에서 상기 제1 전극(115)이 형성된 영역을 제외한 영역에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 보호막(195)과 상기 제1 도전형 반도체층(110) 사이가 쉽게 박리되는 것이 방지되어 상기 발광 소자(100)의 신뢰성이 향상될 수 있다.Meanwhile, at least a portion of the light extraction pattern 111 and the passivation layer 195 may overlap each other in a vertical direction, and a region where the first electrode 115 is formed on the first conductive semiconductor layer 130. It may be formed in the region except. Accordingly, the peeling between the passivation layer 195 and the first conductivity-type semiconductor layer 110 can be prevented easily, thereby improving reliability of the light emitting device 100.

도 10을 참조하면, 도 9의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 분리시키는 칩 분리 공정을 실시함으로써 실시예에 따른 발광 소자(100)를 제공할 수 있다.Referring to FIG. 10, the light emitting device 100 according to the embodiment may be provided by performing a chip separation process of separating the light emitting devices of FIG. 9 into individual light emitting device units.

상기 칩 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade) 등을 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크리빙 공정, 습식 또는 건식 식각을 포함하는 에칭 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The chip separation process includes, for example, a breaking process of separating a chip by applying a physical force using a blade, a laser scrubbing process of separating a chip by irradiating a laser to a chip boundary, and a wet or dry etching process. An etching process may be included, but is not limited thereto.

도 11은 다른 실시예에 따른 발광 소자(100B)의 단면도이다. 다른 실시예에 따른 발광 소자(100B)는 지지부재(190), 상기 지지부재(190) 상에 형성되는 제2 도전형 반도체층(130), 활성층(120), 제1 도전형 반도체층(110)과 상기 지지부재(190) 및 제2 도전형 반도체층(130) 사이에 보호부재(140), 제1 전도층(150), 제2 전도층(160), 제3 전도층(170) 및 제4 전도층(180)을 포함할 수 있다.11 is a cross-sectional view of a light emitting device 100B according to another embodiment. The light emitting device 100B according to another embodiment may include a support member 190, a second conductive semiconductor layer 130, an active layer 120, and a first conductive semiconductor layer 110 formed on the support member 190. ) And the protective member 140, the first conductive layer 150, the second conductive layer 160, the third conductive layer 170 between the support member 190 and the second conductive semiconductor layer 130. It may include a fourth conductive layer 180.

여기서, 상기 제3 전도층(170)의 에지측 상면은 상기 보호부재(140)의 외측부에 배치되어 노출될 수 있으며, 상면의 일부에는 전극이 형성되거나 와이어가 본딩될 수 있다. 상기 제3 전도층(170)의 에지측 상면은 상기 발광 구조층(135)의 측면으로부터 이격되어 배치된다.Here, an upper surface of the edge side of the third conductive layer 170 may be disposed to be exposed to the outer side of the protection member 140, and an electrode may be formed or a wire may be bonded to a portion of the upper surface. An upper surface of the edge side of the third conductive layer 170 is spaced apart from the side surface of the light emitting structure layer 135.

상기 아이솔레이션 에칭에 의해 노출된 제3 전도층(170)의 일부 영역에 제2 전극(131)이 형성되는 점에서 도 1의 발광 소자(100)와 상이하다.The second electrode 131 is formed in a portion of the third conductive layer 170 exposed by the isolation etching, and is different from the light emitting device 100 of FIG. 1.

상기 제2 전극(131)은 금속으로 형성될 수 있으며 예를 들어, Cr, Ni, Au, V, W, Ti 또는 Al 중 적어도 하나를 포함할 수 있고 상기 제2 도전형 반도체층(130)에 전원을 공급할 수 있다.The second electrode 131 may be formed of a metal, and may include, for example, at least one of Cr, Ni, Au, V, W, Ti, or Al, and may be formed on the second conductive semiconductor layer 130. Can supply power.

상기 제2 전극(131)은 제3 전도층(170)에 의해 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 도전형 반도체층(130)에 전원을 공급할 수 있다. 상기 제2 전극(131)에 의해 와이어 본딩이 용이해질 수 있다.The second electrode 131 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 130 by a third conductive layer 170, and may supply power to the second conductive semiconductor layer 130. . Wire bonding may be facilitated by the second electrode 131.

상기 제2 전극(131)은 발광 구조층(135), 상기 제1 및 제2 전도층(150, 160)으로부터 이격되어 배치되며, 제2 전극(131)으로 공급된 전원은 제3 전도층(170)을 통해 제2 전도층(160) 및 제1 전도층(150)으로 공급될 수 있다.The second electrode 131 is spaced apart from the light emitting structure layer 135 and the first and second conductive layers 150 and 160, and the power supplied to the second electrode 131 is a third conductive layer ( It may be supplied to the second conductive layer 160 and the first conductive layer 150 through 170.

상기 제2 전극(131)은 발광 구조층(135)의 측면들 중 적어도 한 측면에 배치되거나, 적어도 2 측면에 전극패턴으로 연장되어 배치될 수 있다.The second electrode 131 may be disposed on at least one side of the side surfaces of the light emitting structure layer 135, or may be disposed to extend in at least two side surfaces with an electrode pattern.

도 12는 실시예들에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to embodiments.

도 12를 참조하면, 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(20)와, 상기 몸체(20)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 몸체(20)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)와, 제1 와이어(50), 제2 와이어(52)를 포함한다.Referring to FIG. 12, the light emitting device package according to the exemplary embodiments may include a body 20, a first electrode layer 31 and a second electrode layer 32 installed on the body 20, and installed on the body 20. And a light emitting device 100 according to the embodiment electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32, a molding member 40 surrounding the light emitting device 100, and a first wire. 50, the second wire 52.

상기 몸체(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 20 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 100. In addition, the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 may increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100, and externally generate heat generated from the light emitting device 100. May also act as a drain.

상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(20) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be installed on the body 20 or on the first electrode layer 31 or the second electrode layer 32.

상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 제1 와이어(50)는 제1 전극층(31)과 도1의 제1 전극(115)을 연결시켜 주고, 제2 와이어(52)는 제2 전극층(32)과 도 1의 제3 전도층(170)의 에지측 상면을 연결시켜 주거나, 도 11의 제2 전극(131)과 연결시켜 줄 수 있다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method. The first wire 50 connects the first electrode layer 31 and the first electrode 115 of FIG. 1, and the second wire 52 connects the second electrode layer 32 and the third conductive layer of FIG. The upper surface of the edge side of 170 may be connected or may be connected to the second electrode 131 of FIG. 11.

상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 40 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 40 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 100.

실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to embodiments may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, an indicator device, a lamp, and a street lamp.

도 13은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 13의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.FIG. 13 illustrates a backlight unit using a light emitting device package according to example embodiments. FIG. However, the backlight unit 1100 of FIG. 13 is an example of an illumination system, but is not limited thereto.

도 13을 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 13, the backlight unit 1100 includes a bottom frame 1140, an optical guide member 1120 disposed in the bottom frame 1140, and at least one side or a bottom surface of the optical guide member 1120. It may include a light emitting module 1110 disposed in. In addition, a reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120.

상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom frame 1140 may be formed by forming a box having an upper surface open to accommodate the light guide member 1120, the light emitting module 1110, and the reflective sheet 1130. Or it may be formed of a resin material but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1110)은 기판과, 상기 기판에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다.The light emitting module 1110 may include a substrate and a light emitting device package according to a plurality of embodiments mounted on the substrate. The plurality of light emitting device packages may provide light to the light guide member 1120.

도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.As shown, the light emitting module 1110 may be disposed on at least one of the inner surfaces of the bottom frame 1140, thereby providing light toward at least one side of the light guide member 1120. can do.

다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the light emitting module 1110 may be disposed under the bottom frame 1140 to provide light toward the bottom surface of the light guide member 1120, which is according to the design of the backlight unit 1100. Since various modifications are possible, the present invention is not limited thereto.

상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.The light guide member 1120 may be disposed in the bottom frame 1140. The light guide member 1120 may guide the light provided from the light emitting module 1110 to a display panel by surface light source.

상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. The light guide member 1120 may be, for example, a light guide panel (LGP). The light guide plate may be formed of, for example, one of an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), COC, and polyethylene naphthalate (PEN) resin.

상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.The optical sheet 1150 may be disposed above the light guide member 1120.

상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film)일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.The optical sheet 1150 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet. For example, the optical sheet 1150 may be formed by stacking the diffusion sheet, the light collecting sheet, the luminance increasing sheet, and the fluorescent sheet. In this case, the diffusion sheet 1150 may evenly diffuse the light emitted from the light emitting module 1110, and the diffused light may be focused onto a display panel (not shown) by the light collecting sheet. In this case, the light emitted from the light collecting sheet is randomly polarized light, and the luminance increasing sheet may increase the degree of polarization of the light emitted from the light collecting sheet. The light collecting sheet may be, for example, a horizontal or / and vertical prism sheet. In addition, the luminance increase sheet may be, for example, a roughness enhancement film. In addition, the fluorescent sheet may be a translucent plate or film containing a phosphor.

상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. The reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 may reflect light emitted through the bottom surface of the light guide member 1120 toward the exit surface of the light guide member 1120.

상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective sheet 1130 may be formed of a resin material having good reflectance, for example, PET, PC, PVC resin, etc., but is not limited thereto.

도 14는 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 14의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.14 is a perspective view of a lighting unit using a light emitting device package according to the embodiments. However, the lighting unit 1200 of FIG. 14 is an example of a lighting system, but is not limited thereto.

도 14를 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14, the lighting unit 1200 is installed in the case body 1210, the light emitting module 1230 installed in the case body 1210, and the case body 1210, and provides power from an external power source. It may include a receiving connection terminal 1220.

상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case body 1210 is preferably formed of a material having good heat dissipation characteristics, for example, may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.The light emitting module 1230 may include a substrate 300 and a light emitting device package 200 according to at least one embodiment mounted on the substrate 300.

상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.The substrate 300 may have a circuit pattern printed on an insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. It may include. In addition, the substrate 300 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 according to the at least one embodiment may be mounted on the substrate 300. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting diodes may include colored light emitting diodes emitting red, green, blue, or white colored light, and UV light emitting diodes emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting module 1230 may be arranged to have a combination of various light emitting diodes in order to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI). In addition, a fluorescent sheet may be further disposed on a path of the light emitted from the light emitting module 1230, and the fluorescent sheet changes the wavelength of light emitted from the light emitting module 1230. For example, when the light emitted from the light emitting module 1230 has a blue wavelength band, the fluorescent sheet may include a yellow phosphor, and the light emitted from the light emitting module 1230 finally passes white light through the fluorescent sheet. Will be shown.

상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 14에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1220 may be electrically connected to the light emitting module 1230 to supply power. According to FIG. 14, the connection terminal 1220 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1220 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the lighting system as described above, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet may be disposed on a propagation path of light emitted from the light emitting module to obtain a desired optical effect.

이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함함으로써 신뢰성이 향상될 수 있다.As described above, the lighting system according to the embodiments may be improved reliability by including the light emitting device package according to the embodiments.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (9)

제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 연결된 제1 전극;
상기 제2 도전형 반도체층 아래에 복수의 전도층;
상기 복수의 전도층 아래에 절연성 지지부재; 및
상기 복수의 전도층과 발광 구조층의 사이에 보호부재를 포함하며,
상기 보호부재의 상면 일부는 상기 발광 구조층의 외측에 노출되는 발광 소자.A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, an active layer under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer under the active layer;
A first electrode connected on the first conductivity type semiconductor layer;
A plurality of conductive layers under the second conductive semiconductor layer;
An insulating support member under the plurality of conductive layers; And
A protective member between the plurality of conductive layers and the light emitting structure layer,
A portion of the upper surface of the protective member is exposed to the outside of the light emitting structure layer. 제1항에 있어서,
상기 복수의 전도층은 Ni, Pt, Ti, W, V, Fe 또는 Mo 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The plurality of conductive layers includes at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe or Mo. 제1항에 있어서,
상기 복수의 전도층 상면 일부는 상기 보호 부재의 외측에 노출되는 발광 소자.The method of claim 1,
A portion of the upper surface of the plurality of conductive layers is exposed to the outside of the protective member. 제3항에 있어서,
상기 복수의 전도층 상면 일부에 형성되며 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 발광 소자.The method of claim 3,
And a second electrode formed on a portion of an upper surface of the plurality of conductive layers and electrically connected to the second conductive semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 지지부재는 SiO2, SiC, SiOx, SiOxNy, TiO2 또는 Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The support member is SiO 2 , SiC, SiO x , SiO x N y , TiO 2 Or Al 2 O 3 Light emitting device comprising at least one of. 제1항에 있어서,
상기 지지부재의 두께는 50μm 내지 1000μm의 범위로 형성되는 발광 소자.The method of claim 1,
The thickness of the support member is a light emitting device is formed in the range of 50μm to 1000μm. 제1항에 있어서,
상기 발광 구조층의 측면부터 상면 외측까지 연장된 보호막을 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
A light emitting device comprising a protective film extending from the side of the light emitting structure layer to the outside of the upper surface. 실리콘 성장기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층을 형성하는 단계;
상기 발광 구조층 상에 복수의 전도층을 형성하는 단계;
상기 복수의 전도층 상에 절연성 지지부재를 형성하는 단계;
상기 성장기판을 분리하여 제1 도전형 반도체층을 노출하는 단계;
상기 발광 구조층의 칩 경계 영역에 에칭을 실시하는 단계;
상기 복수의 전도층과 발광 구조층의 사이에 보호부재를 형성하는 단계; 및
상기 보호부재의 상면 일부는 상기 발광 구조층의 외측에 노출되도록 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.Forming a light emitting structure layer including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer on the silicon growth substrate;
Forming a plurality of conductive layers on the light emitting structure layer;
Forming an insulating support member on the plurality of conductive layers;
Separating the growth substrate to expose a first conductivity type semiconductor layer;
Etching to a chip boundary region of the light emitting structure layer;
Forming a protective member between the plurality of conductive layers and the light emitting structure layer; And
And forming a portion of the upper surface of the protective member so as to be exposed to the outside of the light emitting structure layer. 제8항에 있어서,
상기 성장기판을 분리하여 제2 도전형 반도체층을 노출하는 단계는 레이저 스크라이빙에 의해 이루어지는 발광 소자 제조 방법.The method of claim 8,
Exposing the second conductive semiconductor layer by separating the growth substrate, by laser scribing.
KR1020100107294A 2010-10-25 2010-10-29 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system KR101786073B1 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100107294A KR101786073B1 (en) 2010-10-29 2010-10-29 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
EP11186389.0A EP2445019B1 (en) 2010-10-25 2011-10-24 Electrode configuration for a light emitting diode
CN201110351842.8A CN102456795B (en) 2010-10-25 2011-10-25 Luminescent device
CN201610064675.1A CN105679908B (en) 2010-10-25 2011-10-25 Luminescent device
US13/280,573 US8598615B2 (en) 2010-10-25 2011-10-25 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
US14/070,740 US8835972B2 (en) 2010-10-25 2013-11-04 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100107294A KR101786073B1 (en) 2010-10-29 2010-10-29 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120045636A true KR20120045636A (en) 2012-05-09
KR101786073B1 KR101786073B1 (en) 2017-10-16

Family

ID=46265067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100107294A KR101786073B1 (en) 2010-10-25 2010-10-29 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101786073B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR101786073B1 (en) 2017-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9006776B2 (en) Light emitting device and light emitting device package having the same
KR101114191B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device
KR101028277B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting unit
KR101014071B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101154709B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
US8835972B2 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101034144B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101734550B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20120039412A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120014972A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101125334B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device and light emitting device package
KR101734541B1 (en) Light emitting device, light emitting device package
KR20110118333A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101744971B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package, and lighting system
KR20120042516A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120045635A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101648810B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101683901B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101786073B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120029868A (en) Light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101664501B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120022091A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101683906B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101724708B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120020599A (en) Light emitting device and light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant