KR101744971B1 - Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package, and lighting system - Google Patents

Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package, and lighting system Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 전도성 지지부재; 상기 전도성 지지부재 상에 형성되고, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 형성된 발광 구조층; 상기 발광 구조층 상에 전극; 및 상기 발광 구조층의 적어도 측면에 형성된 패시베이션층을 포함하고, 상기 패시베이션층은 자외선 경화형 접착제로 형성된다.A light emitting device according to an embodiment includes a conductive supporting member; A light emitting structure layer formed on the conductive supporting member and including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; An electrode on the light emitting structure layer; And a passivation layer formed on at least one side of the light emitting structure layer, wherein the passivation layer is formed of an ultraviolet curable adhesive.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, a light emitting device package,

실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and an illumination system.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used in indoor / outdoor, a liquid crystal display, a display board, and a streetlight.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and an illumination system having a new structure.

실시예는 제조 공정이 간단한 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a lighting system which are simple in manufacturing process.

실시예는 전기적 안정성이 우수한 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and an illumination system having excellent electrical stability.

실시예에 따른 발광 소자는 전도성 지지부재; 상기 전도성 지지부재 상에 형성되고, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 형성된 발광 구조층; 상기 발광 구조층 상에 전극; 및 상기 발광 구조층의 적어도 측면에 형성된 패시베이션층을 포함하고, 상기 패시베이션층은 자외선 경화형 접착제로 형성된다.A light emitting device according to an embodiment includes a conductive supporting member; A light emitting structure layer formed on the conductive supporting member and including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; An electrode on the light emitting structure layer; And a passivation layer formed on at least one side of the light emitting structure layer, wherein the passivation layer is formed of an ultraviolet curable adhesive.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상에 제1 전극 및 제2 전극; 상기 패키지 몸체 상에 상기 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결되는 청구항 제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광 소자; 상기 발광 소자를 포위하는 몰딩부재를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a package body; A first electrode and a second electrode on the package body; A light emitting element according to any one of claims 1 to 7, which is electrically connected to the first electrode and the second electrode on the package body; And a molding member surrounding the light emitting element.

실시예에 따른 조명 시스템은 조명 시스템에 있어서, 상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치되는 청구항 제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광 소자를 포함하는 발광 모듈을 포함한다.An illumination system according to an embodiment is an illumination system, wherein the illumination system includes a substrate and a light emitting module including the light emitting element according to any one of claims 1 to 7 installed on the substrate .

실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 성장 기판 상에 발광 구조층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조층 상에 전도성 지지기판을 형성하는 단계; 상기 성장 기판을 분리하는 단계; 상기 발광 구조층을 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션 에칭을 수행하는 단계; 상기 발광 구조층 상에 전극을 형성하는 단계; 상기 발광 구조층 상에 자외선 경화형 접착제를 도포하고 자외선을 조사하여 패시베이션층을 형성하는 단계; 및 상기 발광 구조층, 패시베이션층, 전도성 지지기판을 레이저 스크라이빙하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment includes forming a light emitting structure layer on a growth substrate; Forming a conductive supporting substrate on the light emitting structure layer; Separating the growth substrate; Performing isolation etching to divide the light emitting structure layer into unit chips; Forming an electrode on the light emitting structure layer; Applying an ultraviolet curable adhesive on the light emitting structure layer and irradiating ultraviolet rays to form a passivation layer; And laser scribing the light emitting structure layer, the passivation layer, and the conductive supporting substrate.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.The embodiments can provide a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a lighting system having a new structure.

실시예는 제조 공정이 간단한 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and an illumination system which are simple in manufacturing process.

실시예는 전기적 안정성이 우수한 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and an illumination system having excellent electrical stability.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도.
도 2 내지 도 14는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면.
도 15는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도.
도 16은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면.
도 17은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛을 설명하는 도면.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
2 to 14 are views for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
15 is a sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.
16 is a view illustrating a backlight unit including a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment.
17 is a view illustrating a lighting unit including the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and an illumination system according to embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다.1 is a view for explaining a light emitting device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 전도성 지지기판(175)과, 상기 전도성 지지기판(175) 상에 접합층(170)과, 상기 접합층(170) 상에 반사층(160)과, 상기 반사층(160) 상에 오믹 접촉층(150)과, 상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 보호층(140)과, 상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조층(135)과, 상기 발광 구조층(135)을 보호하는 패시베이션층(180)과, 상기 반사층(160)과 발광 구조층(135) 사이에 전류 차단층(145)과, 상기 발광 구조층(135) 상에 전극(115)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a conductive supporting substrate 175, a bonding layer 170 on the conductive supporting substrate 175, and a reflective layer (not shown) on the bonding layer 170 The ohmic contact layer 150 is formed on the reflective layer 160 and the protective layer 140 is formed on the upper surface of the bonding layer 170. The ohmic contact layer 150, A passivation layer 180 for protecting the light emitting structure layer 135 and a light emitting structure layer 135 formed between the reflective layer 160 and the light emitting structure layer 135. [ A barrier layer 145, and an electrode 115 on the light emitting structure layer 135.

상기 전도성 지지기판(175)은 상기 발광 구조층(135)을 지지하며 상기 전극(115)과 함께 상기 발광 구조층(135)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지기판(175)는 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 또는 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The conductive support substrate 175 supports the light emitting structure layer 135 and may provide power to the light emitting structure layer 135 together with the electrode 115. The conductive support substrate 175 may be formed of, for example, copper, gold, nickel, molybdenum, copper-tungsten, or a carrier wafer , Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, Ga 2 O 3, and the like).

상기 전도성 지지기판(175)의 두께는 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들어, 50μm 내지 300μm의 두께를 가질 수 있다.The thickness of the conductive supporting substrate 175 may vary depending on the design of the light emitting device 100, but may have a thickness of, for example, 50 μm to 300 μm.

상기 전도성 지지기판(175) 상에는 상기 접합층(170)이 형성될 수 있다. 상기 접합층(170)은 본딩층으로서, 상기 반사층(160)과 상기 보호층(140)의 아래에 형성된다. 상기 접합층(170)은 상기 반사층(160), 상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140)에 접촉되어, 상기 반사층(160), 오믹 접촉층(150) 및 보호층(140)이 상기 전도성 지지기판(175)에 접합될 수 있도록 한다.The bonding layer 170 may be formed on the conductive supporting substrate 175. The bonding layer 170 is formed as a bonding layer under the reflective layer 160 and the protective layer 140. The ohmic contact layer 150 and the protective layer 140 are formed in contact with the reflective layer 160, the ohmic contact layer 150, and the protective layer 140. The reflective layer 160, the ohmic contact layer 150, So that it can be bonded to the conductive supporting substrate 175.

상기 접합층(170)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer 170 may include a barrier metal or a bonding metal and may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, .

상기 접합층(170) 상에는 상기 반사층(160)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(160)은 상기 발광 구조층(135)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The reflective layer 160 may be formed on the bonding layer 170. The reflective layer 160 reflects light incident from the light emitting structure layer 135, thereby improving light extraction efficiency.

상기 반사층(160)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(160)은 상기 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. The reflective layer 160 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au or Hf. The reflection layer 160 may be formed of a multilayer of a metal or an alloy and a light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. For example, IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like.

실시예에서는 상기 반사층(160)의 상면이 상기 오믹 접촉층(150)과 접촉하는 것이 예시되어 있으나, 상기 반사층(160)은 상기 보호층(140), 전류 차단층(145), 또는 발광 구조층(135)과 접촉할 수도 있다.The upper surface of the reflective layer 160 is in contact with the ohmic contact layer 150. The reflective layer 160 may be formed on the protective layer 140, the current blocking layer 145, (Not shown).

상기 반사층(160) 상에는 상기 오믹 접촉층(150)이 형성될 수 있다. 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 제2 도전형의 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급되도록 하며, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, 또는 ATO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The ohmic contact layer 150 may be formed on the reflective layer 160. The ohmic contact layer 150 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 130 to supply power to the light emitting structure layer 135. ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO.

즉, 상기 오믹 접촉층(150)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.That is, the ohmic contact layer 150 can selectively use a light-transmitting conductive layer and a metal. The ohmic contact layer 150 may be formed of a metal such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide) ), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrO x , RuO x , RuO x / Ni, Ag, Ni / IrO x / Au, or Ni / IrO x / Au / ITO.

실시예에서는 상기 오믹 접촉층(150)이 상기 전류 차단층(145)의 하면 및 측면과 접촉하는 것이 예시되어 있으나, 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 전류 차단층(145)과 이격되어 배치되거나 상기 전류 차단층(145)의 측면에만 접촉할 수도 있다.The ohmic contact layer 150 is in contact with the bottom surface and the side surface of the current blocking layer 145. The ohmic contact layer 150 may be disposed apart from the current blocking layer 145 But may be in contact with only the side surface of the current blocking layer 145.

상기 오믹 접촉층(150)과 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 상기 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)(145)이 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(145)의 상면은 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 접촉하고, 상기 전류 차단층(145)의 하면 및 측면은 상기 오믹 접촉층(150)과 접촉한다.The current blocking layer (CBL) 145 may be formed between the ohmic contact layer 150 and the second conductive semiconductor layer 130. The top surface of the current blocking layer 145 is in contact with the second conductive semiconductor layer 130 and the bottom and side surfaces of the current blocking layer 145 are in contact with the ohmic contact layer 150.

상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(115)과 상기 전도성 지지기판(175) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The current blocking layer 145 may be formed so as to overlap at least part of the current blocking layer 145 in the vertical direction with respect to the electrode 115. Accordingly, current is concentrated at the shortest distance between the electrode 115 and the conductive supporting substrate 175 The light emitting efficiency of the light emitting device 100 can be improved.

상기 전류 차단층(145)은 상기 반사층(160) 또는 상기 오믹 접촉층(150)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 물질, 또는 전기 절연성 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, Cr, 또는 W 중 적어도 하나를 포함한다.The current blocking layer 145 may be formed of a material having a lower electrical conductivity than the reflective layer 160 or the ohmic contact layer 150, a material forming a Schottky contact with the second conductive semiconductor layer 130, may be formed using an insulating material, e.g., ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , Al 2 O 3, TiO x , Ti, Al, Cr, or W.

상기 보호층(140)은 상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호층(140)은 상기 발광 구조층(135)과 상기 접합층(170) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있으며, ZnO 또는 SiO2와 같은 전기 절연성 물질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(140)은 일부분이 상기 발광 구조층(135)과 수직 방향으로 중첩된다.The protective layer 140 may be formed on a peripheral region of the upper surface of the bonding layer 170. That is, the protective layer 140 may be formed in a peripheral region between the light emitting structure layer 135 and the bonding layer 170, and may be formed of an electrically insulating material such as ZnO or SiO 2 . The protective layer 140 is partially overlapped with the light emitting structure layer 135 in the vertical direction.

상기 보호층(140)은 상기 접합층(170)과 상기 활성층(120) 사이의 측면에서의 거리를 증가시킨다. 따라서, 상기 접합층(170)과 상기 활성층(120) 사이의 전기적 단락이 발생될 가능성을 감소시킬 수 있다.The protective layer 140 increases the distance between the bonding layer 170 and the active layer 120 at the side surface. Therefore, it is possible to reduce the possibility of electrical short-circuiting between the bonding layer 170 and the active layer 120.

또한, 상기 보호층(140)은 칩 분리 공정에서 상기 발광 구조층(135)을 단위 칩으로 분리하기 위해 아이솔레이션 에칭을 실시하는 경우. 상기 접합층(170)에서 파편이 발생되어 상기 파편이 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 활성층(120) 사이 또는 상기 활성층(120)과 제1 도전형의 반도체층(110) 사이에 부착되어 전기적 단락이 발생되는 것을 방지한다. When the isolation layer 140 is etched to separate the light emitting structure layer 135 into unit chips in a chip separation process, A debris is generated in the bonding layer 170 and the debris is generated between the second conductive semiconductor layer 130 and the active layer 120 or between the active layer 120 and the first conductive semiconductor layer 110 Thereby preventing an electrical short circuit from being generated.

또한, 상기 보호층(140)은 아이솔레이션 에칭시 깨지거나 파편이 발생되지 않는 물질 또는 극히 일부분이 깨지거나 소량의 파편이 발생되더라도 전기적 단락을 일으키지 않는 전기 절연성 또는 전기 전도성을 가진 물질로 형성될 수도 있다.In addition, the protective layer 140 may be formed of an electrically insulating or electrically conductive material that does not cause breakage or cracking during isolation etching, electrical shorting even when a small portion of the material is broken or a small amount of debris is generated .

상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140) 상에는 상기 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다.The light emitting structure layer 135 may be formed on the ohmic contact layer 150 and the passivation layer 140.

상기 발광 구조층(135)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 형성될 수 있으며, 상기 경사면의 일부는 상기 보호층(140)과 수직 방향에서 중첩된다.A side surface of the light emitting structure layer 135 may be formed with an inclined surface in an isolation etching process that is divided into unit chips, and a part of the inclined surface overlaps with the protective layer 140 in a vertical direction.

상기 보호층(140)의 상면 일부는 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 노출될 수 있다. 따라서, 상기 보호층(140)은 상기 발광 구조층(135)과 일부 영역이 수직 방향으로 중첩되고 상기 발광 구조층(135)과 나머지 영역이 수직 방향으로 중첩되지 않는다.A portion of the upper surface of the passivation layer 140 may be exposed by the isolation etching. Accordingly, the protective layer 140 is partially overlapped with the light emitting structure layer 135 in the vertical direction, and the remaining region is not overlapped with the light emitting structure layer 135 in the vertical direction.

상기 발광 구조층(135)은 복수의 Ⅲ족 내지 Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 제1 도전형의 반도체층(110), 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 아래에 활성층(120), 상기 활성층(120) 아래에 상기 제2 도전형의 반도체층(130)을 포함할 수 있다. The light emitting structure layer 135 may include a plurality of Group III-V compound semiconductor layers. For example, the first conductive semiconductor layer 110, the first conductive semiconductor layer The active layer 120 and the second conductive semiconductor layer 130 may be formed under the active layer 120 under the second conductive semiconductor layer 110. [

상기 제1 도전형의 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형의 반도체층(110)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형의 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 110 may be a compound semiconductor of a Group III-V element doped with the first conductive dopant, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. When the first conductive semiconductor layer 110 is an N-type semiconductor layer, the first conductive dopant includes N-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 110 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

상기 활성층(120)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 아래에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조, 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)은 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층으로 형성될 수 있다.The active layer 120 is formed under the first conductive semiconductor layer 110 and may include any one of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum wire structure . The active layer 120 may be formed of a well layer and a barrier layer, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer or an InGaN well layer / AlGaN barrier layer, using a Group III-V compound semiconductor material.

상기 활성층(120)과 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 사이 또는 상기 활성층(120)과 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다. A clad layer may be formed between the active layer 120 and the first conductive semiconductor layer 110 or between the active layer 120 and the second conductive semiconductor layer 130, AlGaN-based semiconductor.

상기 제2 도전형의 반도체층(130)은 상기 활성층(120) 아래에 형성되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체, 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형의 반도체층(130)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함한다. 상기 제2 도전형의 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second conductive semiconductor layer 130 is formed below the active layer 120. The second conductive semiconductor layer 130 may be a compound semiconductor of a group III-V element doped with a second conductive dopant such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. When the second conductive semiconductor layer 130 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant includes a P-type dopant such as Mg or Zn. The second conductive semiconductor layer 130 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

한편, 상기 발광 구조층(135)은 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 아래에 N형 반도체층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조층(135)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting structure layer 135 may include an N-type semiconductor layer under the second conductive semiconductor layer 130. For example, the light emitting structure layer 135 may include at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, and a P-N-P junction structure.

상기 발광 구조층(135) 상에는 상기 전극(115)이 형성된다. 상기 전극(115)은 와이어 본딩이 이루어지는 패드부와, 상기 패드부로부터 연장된 핑거부를 포함할 수도 있다. 상기 핑거부는 소정의 패턴 형상으로 분기될 수 있으며, 다양한 형태로 형성될 수 있다.The electrode 115 is formed on the light emitting structure layer 135. The electrode 115 may include a pad portion for wire bonding and a finger portion extending from the pad portion. The finger portion may be branched into a predetermined pattern shape, and may be formed in various shapes.

상기 제1 도전형의 반도체층(110)의 상면은 광 추출 효율을 위해 러프니스(112)가 형성될 수 있다. 상기 러프니스(112)는 홀 또는 기둥을 포함할 수 있다.The upper surface of the first conductive semiconductor layer 110 may be formed with a roughness 112 for light extraction efficiency. The roughness 112 may include a hole or a column.

상기 발광 구조층(135)의 적어도 측면에는 패시베이션층(180)이 형성될 수 있고, 상기 발광 구조층(135)의 측면 및 상면에도 형성될 수 있다. 또한, 상기 패시베이션층(180)은 상기 보호층(140)의 상면에 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.A passivation layer 180 may be formed on at least a side surface of the light emitting structure layer 135 and may be formed on a side surface and an upper surface of the light emitting structure layer 135. The passivation layer 180 may be formed on the passivation layer 140, but the present invention is not limited thereto.

상기 패시베이션층(180)은 상기 발광 구조층(135)을 전기적으로 보호하기 위하여 형성될 수 있으며, 상기 패시베이션층(180)은 자외선 경화형 접착제를 포함할 수 있다. 상기 패시베이션층(180)은 상기 자외선 경화형 접착제를 사용함으로써 스핀 코팅 방법으로 용이하게 형성할 수 있어 제조 공정이 간단하고, 두께를 두껍게 형성할 수 있어 상기 발광 구조층(135)을 전기적으로 안정적으로 보호할 수 있는 장점이 있다.The passivation layer 180 may be formed to electrically protect the light emitting structure layer 135, and the passivation layer 180 may include an ultraviolet curable adhesive. Since the passivation layer 180 can be easily formed by a spin coating method using the ultraviolet curable adhesive, the passivation layer 180 can be formed in a simple manufacturing process and can be formed thick to protect the light emitting structure layer 135 electrically and stably There is an advantage to be able to do.

또한, 상기 패시베이션층(180)은 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 자외선 경화형 접착제와 형광체를 함께 혼합한 후 경화시킴으로써 형광체를 포함하는 패시베이션층을 형성할 수도 있다.In addition, the passivation layer 180 may include a phosphor, and the passivation layer including a phosphor may be formed by mixing the ultraviolet curable adhesive and the phosphor together and curing the mixture.

상기 패시베이션층(180)은 상기 전극(115)의 측면과 접촉할 수 있으며, 상기 발광 구조층(135)을 완전히 감쌀 수도 있다.The passivation layer 180 may be in contact with the side surface of the electrode 115 and completely surround the light emitting structure layer 135.

또한, 상기 패시베이션층(180)은 상면이 평평하게 형성될 수도 있으며, 측면이 상기 상면에 대해 실질적으로 수직할 수도 있다. 상기 패시베이션층(180)의 측면은 상기 전도성 지지기판(175)의 측면과 동일 평면 상에 배치될 수도 있다.In addition, the passivation layer 180 may be formed such that the upper surface thereof is flat, and the side surfaces thereof may be substantially perpendicular to the upper surface. The side surfaces of the passivation layer 180 may be disposed on the same plane as the side surfaces of the conductive supporting substrate 175.

또한, 상기 패시베이션층(180)은 1회의 공정으로 형성되거나 다수 회의 공정을 통해 형성될 수도 있으며, 예를 들어, 동일한 물질로 형성된 단층 구조로 형성되거나 서로 상이한 물질로 형성된 다층 구조로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 패시베이션층(180)은 상기 발광 구조층(135)에 인접한 자외선 경화형 접착제와, 상기 자외선 경화형 접착제 상에 형성된 형광체를 포함하는 자외선 경화형 접착제로 형성될 수도 있다.The passivation layer 180 may be formed by a single process or may be formed through a plurality of processes. For example, the passivation layer 180 may have a single-layer structure formed of the same material or a multi-layer structure formed of materials different from each other . For example, the passivation layer 180 may be formed of an ultraviolet curable adhesive adjacent to the light emitting structure layer 135, and a UV curable adhesive including a phosphor formed on the ultraviolet curable adhesive.

또한, 상기 패시베이션층(180)은 상기 발광 구조층(135)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조층(135)은 2.3~2.5의 굴절률을 갖고 상기 패시베이션층(180)은 1.4~1.7의 굴절률을 가질 수 있다. 따라서, 상기 패시베이션층(180)의 굴절률이 상기 발광 구조층(135)의 굴절률보다 작으므로 상기 발광 구조층(135)에서 방출되는 광은 보다 효과적으로 추출될 수 있다.In addition, the passivation layer 180 may have a refractive index smaller than that of the light emitting structure layer 135. For example, the light emitting structure layer 135 may have a refractive index of 2.3 to 2.5, and the passivation layer 180 may have a refractive index of 1.4 to 1.7. Accordingly, since the refractive index of the passivation layer 180 is smaller than the refractive index of the light emitting structure layer 135, the light emitted from the light emitting structure layer 135 can be more effectively extracted.

이하, 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will be described in detail. However, the contents overlapping with those described above will be omitted or briefly explained.

도 2 내지 도 14는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면이다.FIGS. 2 to 14 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 성장 기판(101) 상에 상기 발광 구조층(135)을 형성한다. 상기 성장 기판(101)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, 또는 Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 2, the light emitting structure layer 135 is formed on a growth substrate 101. The growth substrate 101 may be formed of at least one of, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, or Ge.

상기 발광 구조층(135)은 상기 성장기판(101) 상에 상기 제1 도전형의 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형의 반도체층(130)을 성장함으로써 형성될 수 있다.The light emitting structure layer 135 may be formed by growing the first conductive semiconductor layer 110, the active layer 120, and the second conductive semiconductor layer 130 on the growth substrate 101 .

상기 발광 구조층(135)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure layer 135 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, Molecular beam epitaxy (MBE), or hydride vapor phase epitaxy (HVPE), but the present invention is not limited thereto.

한편, 상기 발광 구조층(135) 및 상기 성장 기판(101) 사이에는 격자 상수 차이에 따른 격자 부정합을 완화하기 위해 버퍼층(미도시) 및/또는 언도프트 질화물층(미도시)이 형성될 수도 있다.A buffer layer (not shown) and / or an undoped nitride layer (not shown) may be formed between the light emitting structure layer 135 and the growth substrate 101 to mitigate lattice mismatching due to a difference in lattice constant .

도 3을 참조하면, 상기 발광 구조층(135) 상에 단위 칩 영역에 대응하여 상기 보호층(140)이 선택적으로 형성된다. Referring to FIG. 3, the protective layer 140 is selectively formed on the light emitting structure layer 135 to correspond to the unit chip region.

상기 보호층(140)은 마스크 패턴을 이용하여 단위 칩 영역의 둘레에 형성될 수 있다. 상기 보호층(140)은 스퍼터링(sputtering) 방법과 같은 다양한 증착 방법 을 이용하여 형성할 수 있다.The protective layer 140 may be formed around the unit chip region using a mask pattern. The protective layer 140 may be formed using various deposition methods such as a sputtering method.

도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 상에 상기 전류 차단층(145)을 형성할 수 있다. 상기 전류 차단층(145)은 마스크 패턴을 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the current blocking layer 145 may be formed on the second conductive semiconductor layer 130. The current blocking layer 145 may be formed using a mask pattern.

상기 보호층(140)과 상기 전류 차단층(145)은 동일한 재질로 형성될 수도 있다. 이 경우에, 상기 보호층(140)과 전류 차단층(145)은 별도의 공정으로 형성하지 않고 하나의 공정으로 동시에 형성하는 것도 가능하다. 예를 들어, 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 상에 SiO2층을 형성한 후, 마스크 패턴을 이용하여 상기 보호층(140)과 전류 차단층(145)을 동시에 형성할 수 있다.The protective layer 140 and the current blocking layer 145 may be formed of the same material. In this case, the protective layer 140 and the current blocking layer 145 may be formed simultaneously in one process without being formed as a separate process. For example, after the SiO 2 layer is formed on the second conductive semiconductor layer 130, the protective layer 140 and the current blocking layer 145 may be formed simultaneously using a mask pattern.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 및 상기 전류차단층(145) 상에 상기 오믹 접촉층(150)을 형성하고, 상기 오믹 접촉층(150) 상에 상기 반사층(160)을 형성할 수 있다.5 and 6, the ohmic contact layer 150 may be formed on the second conductive semiconductor layer 130 and the current blocking layer 145 and may be formed on the ohmic contact layer 150 The reflective layer 160 may be formed.

상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 반사층(160)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다. The ohmic contact layer 150 and the reflective layer 160 may be formed by any one of E-beam deposition, sputtering, and PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), for example. .

도 7과 도 8을 참조하면, 상기 전도성 지지기판(175)을 준비한다.Referring to FIGS. 7 and 8, the conductive supporting substrate 175 is prepared.

그리고, 상기 접합층(170)을 매개로 도 6에 도시된 구조물과 상기 전도성 지지기판(175)을 접합한다.Then, the structure shown in FIG. 6 and the conductive supporting substrate 175 are bonded to each other through the bonding layer 170.

상기 접합층(170)은 상기 반사층(160), 상기 오믹 접촉층(150)의 단부 및 상기 보호층(140)에 접촉되어 상기 층 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.The bonding layer 170 may contact the reflective layer 160, the end of the ohmic contact layer 150, and the passivation layer 140 to enhance adhesion between the layers.

상기 전도성 지지기판(175)은 상기 접합층(170)에 의해 부착된다. 비록 실시예에서는 상기 전도성 지지기판(175)이 상기 접합층(170)을 통해 본딩 방식으로 결합된 것이 예시되어 있으나, 상기 전도성 지지기판(175)을 도금 방식 또는 증착 방식으로 형성하는 것도 가능하다.The conductive support substrate 175 is attached by the bonding layer 170. Although the conductive supporting substrate 175 is bonded to the conductive supporting substrate 175 through the bonding layer 170 in the embodiment, the conductive supporting substrate 175 may be formed by a plating method or a vapor deposition method.

도 9를 참조하면, 상기 성장 기판(101)을 상기 발광 구조층(135)으로부터 제거한다. 도 9에서는 도 8에 도시된 구조물을 뒤집어서 도시하였다.Referring to FIG. 9, the growth substrate 101 is removed from the light emitting structure layer 135. In Fig. 9, the structure shown in Fig. 8 is shown in an inverted manner.

상기 성장 기판(101)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 방법 또는 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off) 방법에 의해 제거될 수 있다.The growth substrate 101 may be removed by a laser lift off method or a chemical lift off method.

도 10을 참조하면, 상기 발광 구조층(135)을 단위 칩 영역에 따라 아이솔레이션 에칭을 실시하여 복수개의 발광 구조층(135)으로 분리한다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션 에칭은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각 방법에 의해 실시될 수 있다.Referring to FIG. 10, the light emitting structure layer 135 is subjected to isolation etching according to a unit chip region to separate the light emitting structure layers 135 into a plurality of light emitting structure layers 135. For example, the isolation etching can be performed by a dry etching method such as ICP (Inductively Coupled Plasma).

도 11 내지 도 13을 참조하면, 상기 발광 구조층(135)의 상면에 전체적으로 또는 부분적으로 러프니스(112)를 형성하고, 상기 발광 구조층(135) 및 보호층(140) 상에 상기 패시베이션층(180)을 형성한다. 11 to 13, a roughness 112 is formed entirely or partially on the upper surface of the light emitting structure layer 135, and the passivation layer 112 is formed on the light emitting structure layer 135 and the passivation layer 140. [ (180).

상기 러프니스(112)는 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정에 의해 형성될 수 있다.The roughness 112 may be formed by a wet etching process or a dry etching process.

상기 패시베이션층(180)은 자외선 경화형 접착제를 스핀 코팅 방법으로 도포할 수 있으며, 상기 전극(115) 상에도 도포될 수 있다. 상기 패시베이션층(180)은 상기 스핀 코팅 공정을 1회 또는 다수회 반복하여 진행함으로써 1-5㎛의 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 또한, 상기 패시베이션층(180)에는 형광체가 포함될 수도 있다.The passivation layer 180 may be coated with an ultraviolet curable adhesive by a spin coating method or may be applied on the electrode 115. The passivation layer 180 may be formed to have a thickness of 1-5 μm by repeating the spin coating process once or many times. In addition, the passivation layer 180 may include a phosphor.

그리고, 상기 패시베이션층(180) 상에 마스크층(190)을 형성하고 자외선을 노출시킴으로써 선택적인 경과 과정을 거쳐, 상기 전극(115) 상에 형성된 패시베이션층(180)을 제거할 수 있다.The passivation layer 180 formed on the electrode 115 may be removed by forming a mask layer 190 on the passivation layer 180 and selectively exposing the ultraviolet light to the passivation layer 180.

따라서, 상기 전극(115)의 상면을 제외한 상기 발광 구조층(135) 및 보호층(140) 상에 상기 패시베이션층(180)이 형성된다.The passivation layer 180 is formed on the light emitting structure layer 135 and the passivation layer 140 except for the upper surface of the electrode 115. [

그리고, 상기 구조물을 칩 분리 공정을 통해 단위 칩 영역으로 분리하면 복수개의 발광 소자를 제작할 수 있다. A plurality of light emitting devices can be manufactured by separating the structure into unit chip regions through a chip separation process.

상기 칩 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 또는 건식 식각을 포함하는 식각 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The chip separation process includes, for example, a braking process for separating the chip by applying a physical force using a blade, a laser scribing process for separating the chip by irradiating a laser to the chip boundary, and a wet or dry etching process And the like, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 상기 칩 분리 공정은 레이저 스크라이빙 공정을 통해 진행될 수 있는데, 상기 패시베이션층(180)은 1㎛ 이상의 두께로 두껍게 형성될 수 있기 때문에, 레이저 스크라이빙 공정에서 발생되는 버(Bur)를 감소시킬 수 있고 전기적 안정성이 우수한 장점이 있다.For example, the chip separation process may be performed through a laser scribing process. Since the passivation layer 180 may be formed thick to a thickness of 1 탆 or more, burrs generated in the laser scribing process ) Can be reduced and the electric stability is excellent.

도 15는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다. 15 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.

도 15를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체(30)와, 상기 패키지 몸체(30)에 설치된 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과, 상기 패키지 몸체(30)에 설치되어 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.15, the light emitting device package 200 according to the embodiment includes a package body 30, a first electrode 31 and a second electrode 32 provided on the package body 30, A light emitting device 100 mounted on the first electrode 30 and electrically connected to the first electrode 31 and the second electrode 32 and a molding member 40 surrounding the light emitting device 100.

상기 패키지 몸체(30)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 측면이 경사면으로 형성된 캐비티를 가질 수 있다.The package body 30 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. The package body 30 may have a cavity having a sloped side surface.

상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode 31 and the second electrode 32 are electrically isolated from each other and provide power to the light emitting device 100. The first electrode 31 and the second electrode 32 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100, As shown in FIG.

상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체(30) 상에 설치되거나 상기 제1 전극(31) 또는 제2 전극(32) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be mounted on the package body 30 or on the first electrode 31 or the second electrode 32.

상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제1 전극(31)과 와이어(50)를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제2 전극(32)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode 31 and the second electrode 32 by wire, flip chip, or die bonding. The light emitting device 100 is electrically connected to the first electrode 31 through the wire 50 and electrically connected to the second electrode 32 directly.

상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 상기 몰딩부재(40)는 실시예에 따른 발광 소자(100)의 패시베이션층(180)과 접촉할 수도 있다.The molding member 40 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 40 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100. The molding member 40 may be in contact with the passivation layer 180 of the light emitting device 100 according to the embodiment.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or function as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, a pointing device, a lamp, and a streetlight.

도 16은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 16의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.16 is a view illustrating a backlight unit including the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment. However, the backlight unit 1100 of Fig. 16 is an example of the illumination system, and the present invention is not limited thereto.

도 16을 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.16, the backlight unit 1100 includes a bottom frame 1140, a light guide member 1120 disposed in the bottom frame 1140, at least one side surface of the light guide member 1120, And a light emitting module 1110 disposed in the light emitting module 1110. [ A reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120.

상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom frame 1140 may be formed as a box having an open upper surface to accommodate the light guide member 1120, the light emitting module 1110 and the reflective sheet 1130, Or a resin material, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1110)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지(200)는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다. 실시예에서는 상기 기판(300) 상에 상기 발광 소자 패키지(200)가 설치된 것이 예시되어 있다.The light emitting module 1110 may include a substrate 300 and a light emitting device 100 or a light emitting device package 200 according to a plurality of embodiments mounted on the substrate 300. The plurality of light emitting device packages 200 may provide light to the light guide member 1120. In an embodiment, the light emitting device package 200 is installed on the substrate 300.

도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.As shown, the light emitting module 1110 may be disposed on at least one of the inner surfaces of the bottom frame 1140, thereby providing light toward at least one side of the light guide member 1120 can do.

다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting module 1110 may be disposed under the bottom frame 1140 and may provide light toward the bottom of the light guide member 1120 according to the design of the backlight unit 1100 The present invention is not limited thereto.

상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The light guide member 1120 may be disposed in the bottom frame 1140. The light guide member 1120 may guide the light provided from the light emitting module 1110 to a display panel (not shown) by converting the light into a surface light source.

상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. The light guide member 1120 may be, for example, a light guide panel (LGP). The light guide plate may be formed of one of acrylic resin type such as PMMA (polymethyl methacrylate), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), COC and PEN (polyethylene naphthalate) resin.

상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.An optical sheet 1150 may be disposed above the light guide member 1120.

상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.The optical sheet 1150 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet. For example, the optical sheet 1150 may be formed by laminating the diffusion sheet, the light condensing sheet, the brightness increasing sheet, and the fluorescent sheet. In this case, the diffusion sheet 1150 diffuses the light emitted from the light emitting module 1110 evenly, and the diffused light can be condensed by the condensing sheet into a display panel (not shown). At this time, the light emitted from the light condensing sheet is randomly polarized light, and the brightness increasing sheet can increase the degree of polarization of the light emitted from the light condensing sheet. The light converging sheet may be, for example, a horizontal or / and a vertical prism sheet. Further, the brightness enhancement sheet may be, for example, a Dual Brightness Enhancement film. Further, the fluorescent sheet may be a translucent plate or film containing a phosphor.

상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. The reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 can reflect light emitted through the lower surface of the light guide member 1120 toward the light exit surface of the light guide member 1120.

상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective sheet 1130 may be formed of a resin material having high reflectance, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

도 17은 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 17의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.17 is a perspective view of a lighting unit including the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiments. However, the illumination unit 1200 in Fig. 17 is an example of the illumination system, and is not limited thereto.

도 17을 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.17, the illumination unit 1200 includes a case body 1210, a light emitting module 1230 installed in the case body 1210, and a power supply unit And may include receiving connection terminals 1220.

상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case body 1210 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 실시예에서는 상기 기판(300) 상에 상기 발광 소자 패키지(200)가 설치된 것이 예시되어 있다.The light emitting module 1230 may include a substrate 300 and at least one light emitting device 100 or a light emitting device package 200 mounted on the substrate 300. In an embodiment, the light emitting device package 200 is installed on the substrate 300.

상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 300 may be a printed circuit pattern on an insulator. For example, the PCB 300 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB . ≪ / RTI >

또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate 300 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface is efficiently reflected, for example, white, silver, or the like.

상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 according to at least one embodiment may be mounted on the substrate 300. The light emitting device package 200 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting diode may include a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting module 1230 may be arranged to have various combinations of light emitting diodes to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI). Further, a fluorescent sheet may be further disposed on the path of light emitted from the light emitting module 1230, and the fluorescent sheet may change the wavelength of light emitted from the light emitting module 1230. For example, when the light emitted from the light emitting module 1230 has a blue wavelength band, the fluorescent sheet may include a yellow phosphor. Light emitted from the light emitting module 1230 passes through the fluorescent sheet, .

상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 17에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1220 may be electrically connected to the light emitting module 1230 to supply power. 17, the connection terminal 1220 is coupled to the external power source by being inserted into the socket, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1220 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to an external power source through a wire.

상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the above-described illumination system, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet is disposed on the path of light emitted from the light emitting module to obtain a desired optical effect.

이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예들에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함함으로써 전기적 안정성이 높은 장점을 가진다.As described above, the illumination system according to the embodiments has the advantage of high electrical stability by including the light emitting device 100 or the light emitting device package 200 according to the embodiments.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (7)

전도성 지지부재;
상기 전도성 지지부재 상에 발광 구조층;
상기 발광 구조층 상에 전극; 및
상기 전도성 지지부재 및 상기 발광 구조층 사이에 보호층;
상기 발광 구조층의 적어도 측면에 형성된 패시베이션층을 포함하고,
상기 발광 구조층은 상기 전도성 지지부재 상에 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 서로 상이한 도펀트를 포함하고,
상기 패시베이션층은 자외선 경화형 접착제를 포함하고, 평평한 제1 상면 및 상기 제1 상면과 수직한 제1 측면을 포함하고, 상기 제1 측면은 상기 전도성 지지부재의 측면과 동일평면상에 배치되고,
상기 보호층은 상기 발광 구조층으로부터 노출된 제2 상면과 상기 전도성 지지부재의 측면과 동일평면상에 배치된 제2 측면을 포함하고, 상기 패시베이션층은 상기 제2 상면을 덮고, 상기 제1 및 제2 측면은 동일평면상에 배치된 발광 소자.Conductive support members;
A light emitting structure layer on the conductive supporting member;
An electrode on the light emitting structure layer; And
A protective layer between the conductive supporting member and the light emitting structure layer;
And a passivation layer formed on at least a side surface of the light emitting structure layer,
Wherein the light emitting structure layer includes a second conductive type semiconductor layer on the conductive supporting member, an active layer on the second conductive type semiconductor layer, and a first conductive type semiconductor layer on the active layer, Type semiconductor layer includes dopants different from each other,
Wherein the passivation layer comprises an ultraviolet curable adhesive and comprises a flat first top surface and a first side perpendicular to the first top surface, the first side being coplanar with a side of the conductive support member,
Wherein the passivation layer covers the second upper surface and the second passivation layer covers the second upper surface and the second passivation layer, And the second side is disposed on the same plane. 제 1항에 있어서,
상기 패시베이션층은 상기 발광 구조층의 상면에도 형성되는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the passivation layer is also formed on the upper surface of the light emitting structure layer. 제 2항에 있어서,
상기 패시베이션층은 상기 전극의 측면과 접촉하는 발광 소자.3. The method of claim 2,
Wherein the passivation layer is in contact with a side surface of the electrode. 제 1항에 있어서,
상기 패시베이션층은 형광체를 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the passivation layer comprises a phosphor. 제 1항에 있어서,
상기 패시베이션층은 상기 발광 구조층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖고, 상기 패시베이션층의 굴절률은 1.4~1.7인 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the passivation layer has a refractive index smaller than the refractive index of the light emitting structure layer and the refractive index of the passivation layer is 1.4 to 1.7. 제 5항에 있어서,
상기 패시베이션층은 1-5㎛의 두께로 형성되는 발광 소자.6. The method of claim 5,
Wherein the passivation layer is formed to a thickness of 1-5 占 퐉. 삭제delete
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GB2604636A (en) * 2021-03-11 2022-09-14 Aptiv Tech Ltd Electrical Contact with Passivation Layer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005057239A (en) * 2003-03-27 2005-03-03 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP2010103082A (en) * 2008-09-26 2010-05-06 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005057239A (en) * 2003-03-27 2005-03-03 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP2010103082A (en) * 2008-09-26 2010-05-06 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same

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