KR20120029182A - 포토레지스트 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 - Google Patents

포토레지스트 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 Download PDF

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KR20120029182A
KR20120029182A KR1020100091119A KR20100091119A KR20120029182A KR 20120029182 A KR20120029182 A KR 20120029182A KR 1020100091119 A KR1020100091119 A KR 1020100091119A KR 20100091119 A KR20100091119 A KR 20100091119A KR 20120029182 A KR20120029182 A KR 20120029182A
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photosensitive resin
layer
acid functional
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김혜진
김굉식
류창섭
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 포토레지스트 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법에 관한 것으로서, 제1감광성 수지층과 상기 제1감광성 수지층 상에 형성되는 제2감광성 수지층을 포함하며, 상기 제1감광성 수지층이 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물을 포함하는 포토레지스트가 개시된다.

Description

포토레지스트 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 {Photoresist and manufacturing method of printed circuit board using the same}
본 발명은 포토레지스트 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 집적화로 미세 패턴 형성 기술에 대한 요구가 증대되고 있으며, 현재, 인쇄회로기판의 회로 형성에 포토레지스트가 이용되고 있다.
이하, 도 1 내지 도 2를 참조하여 종래기술에 따른 포토레지스트(10)를 개략적으로 설명한다.
도 1은 롤 형태로 말려 있는 포토레지스트(10)를 나타낸 도면이고, 도 2는 포토레지스트(10)의 층 구조를 살펴보기 위하여 도식화한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 포토레지스트(10)는 감광성 수지층(12)과, 상기 감광성 수지층(12)의 외층에 상기 감광성 수지층(12)을 보호해주는 기능을 하는 보호층(13)과, 상기 감광성 수지층(12)을 지지하며 현상전까지 상기 감광성 수지층(12)을 보호해주는 지지층(11)을 각각 포함한다.
상기 포토레지스트로서 현재까지는 지지 필름층에 감광성 수지를 코팅하고, 건조시킨 후 보호필름을 적층한 드라이 필름이 널리 사용되고 있다. 특히, 미세 패턴 형성을 위하여 해상력이 우수한 드라이 필름이 사용되는데, 통상적으로 드라이 필름이 25?30㎛ 수준으로 두껍고, 드라이 필름의 상부(Top)와 하부(Bottom) 영역의 경화 시간차이 및 현상 시간차이에 의하여 미세 회로 구현이 어려운 문제점이 있다.
이에 따라, 노광시 드라이 필름의 상부와 하부에 가해지는 빛의 강도가 상이하여, 상부는 드라이 필름이 많이 현상되고 하부는 적게 현상되어 사다리꼴 모양의 슬로프(slpoe) 형태의 패턴이 형성되게 된다. 즉, 상하 선폭 차이가 1.5㎛ 이상 발생하게 되어 미세 회로 구현에 한계를 갖게 되는 것이다. 또한, 회로용 금속층 표면의 조도상태에 따라 드라이 필름의 밀착 수준도 한계에 다다르고 있다. 이러한 현상은 드라이 필름의 두께가 두꺼울수록 심화된다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 측면은 회로와의 화학적 결합을 증가시켜 밀착력을 높일 수 있는 포토레지스트를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 측면은 상기 포토레지스트를 이용하여 고밀도의 미세 회로 형성이 가능한 인쇄회로기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 바람직한 일 실시형태에 따르면,
제1감광성 수지층; 및
상기 제1감광성 수지층 상에 형성된 제2감광성 수지층;
을 포함하며,
상기 제1감광성 수지층이 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물을 포함하는 포토레지스트가 제공된다.
상기 포토레지스트에서, 상기 산 작용기는 하이드록실기 또는 카르복실기일 수 있다.
상기 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물은 -C-O-C- 결합기를 가질 수 있다.
상기 제2감광성 수지층은 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물을 포함하되, 상기 제1감광성 수지층에 비하여 낮은 농도로 상기 화합물을 포함할 수 있다.
상기 제1감광성 수지층의 두께는 상기 제2감광성 수지층 대비 1 내지 25%일 수 있다.
상기 제1감광성 수지층의 외층에 보호층을 더 포함하며, 상기 제2감광성 수지층의 외층에 지지층을 더 포함할 수 있다.
상기 보호층은 폴리에틸렌(PE)을 포함할 수 있다.
상기 지지층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 또 다른 실시형태에 따르면,
회로용 금속층을 갖는 베이스 기판을 제공하는 단계;
상술한 포토레지스트를 준비하는 단계;
상기 포토레지스트의 제1감광성 수지층을 내층으로 하여 상기 포토레지스트를 상기 금속층 상에 적층하는 단계;
상기 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 레지스트로 하여 상기 금속층을 에칭하여 회로 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;
를 포함하는 인쇄회로기판의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 바람직한 일 실시형태에 따르면, 포토레지스트의 감광성 수지층을 제1감광성 수지층과 제2감광성 수지층으로 구성하되, 상기 제1감광성 수지층에 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물을 포함시킴으로써 회로용 금속층과의 화학적 결합을 증가시켜 물리적 결합 없이도 밀착 안정성을 확보할 수 있다.
본 발명의 바람직한 또 다른 실시형태에 따르면, 포토레지스트의 감광성 수지층을 제1감광성 수지층과 제2감광성 수지층으로 구성하되, 제1감광성 수지층 대비 제2감광성 수지층에 함유되는 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물의 함유량을 적게 조절함으로써 포토레지스트의 상하의 산 작용기 함량의 차이에 의하여 현상 속도를 조절하여 상대적으로 두꺼운 포토레지스트를 적용하는 경우에도 고 해상도의 패턴을 구현할 수 있다.
도 1 내지 도 2는 종래기술의 일 실시예에 따른 포토레지스트를 설명하기 위하여 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토레지스트를 설명하기 위하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토레지스트를 이용하여 인쇄회로기판을 제조하는 방법을 설명하기 위하여 개략적으로 나타낸 공정흐름도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 1에 따른 포토레지스트 패턴 형상을 나타낸 이미지 사진이다.
도 10은 비교예 1에 따른 포토레지스트 패턴 형상을 나타낸 이미지 사진이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서에서, 제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
포토레지스트
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 따른 포토레지스트를 설명하기 위하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 포토레지스트(100)는 제1감광성 수지층(101) 및 상기 제1감광성 수지층(101)에 형성된 제2감광성 수지층(102)을 포함하며, 상기 제1감광성 수지층(101)이 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물을 포함한다.
본 발명에서는 추후 인쇄회로기판의 회로 형성 공정에서 회로용 금속층에 접하여 적층되는 제1감광성 수지층(101)에 친수성이 큰 감광성 고분자 화합물을 포함시킴으로써 회로용 금속층, 예를 들어 Cu 표면과의 화학적 결합성을 증가시킨다.
이에 따라, 회로용 금속층 표면의 조도를 이용하여 물리적으로 밀착력을 확보하는 것이 아니라 금속 표면과 포토레지스트 표면간의 화학적 결합을 이용한다. 따라서, 기판 제작시 회로 형성 공정에서 회로용 금속층 표면 및 빌드업층을 지닌 외층 공정에서 표면 조도가 낮은 회로를 구현할 경우 물리적 결합없이 화학적 결합만으로 포토레지스트의 밀착력 확보가 가능하다.
밀착력을 높이는 방법으로 적층을 위한 열 처리 시 및/또는 자외선과 같은 통상의 광 조사시 제1감광성 수지층(101)에서의 라디칼 반응에 의해 중합(Polymerization) 반응이 일어나게 되는 것으로 종래의 단일층으로 형성되어 있는 포토레지스트와는 명확히 차별화된다.
상기 제1감광성 수지층(101)은 회로용 금속층 표면 활성을 증가시키는 촉매 기능을 하는 것으로 두께는 약 1000Å 내지 수천 Å으로 두께에 따라 화학 반응을 일으키는 촉매 반응을 제어할 수 있다.
여기서, 상기 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물의 산 작용기는 하이드록실기 또는 카르복실기일 수 있다.
또한, 상기 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물은 화합물 내에 -C-O-C- 결합기를 가짐으로써 하이드록실 큐어(hydroxyl cure) 구조로서 구조내 에테르 결합을 증가시켜 내약품성 및 가소성을 높일 수 있다.
예를 들어, 상기 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물은 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이 에폭시 화합물(a)과 하이드록실 화합물(b)과의 반응으로부터 합성되는 하이드록실 큐어 구조의 화합물(c)일 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00001
상기 식에서, R1 및 R2는 각각 탄소수 1?10의 알킬기이다.
다만, 상기 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물이 상기 반응식 1로부터 얻어지는 화합물에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1감광성 고분자 수지층(101)에는 상술한 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물 외에 바인더 폴리머와 같은 통상의 접착제 성분이 포함될 수 있다.
상기 제2감광성 고분자 수지층(102)은 해상도와 유연성을 향상시키기 위한 층으로서, 상기 제2감광성 고분자 수지층(102)에는 통상의 포토레지스트에서 감광성 수지층에 사용되는 이중결합을 갖는 광중합성 단량체, 광중합성 개시제, 바인더 폴리머 및 안료와 같은 첨가제 등이 특별한 제한 없이 포함될 수 있다. 상기 광중합성 단량체로는 알킬레이트 모노머 등이 포함되며, 상기 바인더 폴리머로는 친수성 바인더 폴리머가 포함될 수 있다.
예를 들어, 상기 이중결합을 갖는 광중합성 단량체는 에피클로로히드린과 비스페놀 A를 중합하여 얻을 수 있으며, 실제 사용시에는 개시제를 첨가하여 UV 경화물로 변화시켜 적용된다.
상기 이중결합을 갖는 광중합성 단량체는 예를 들어 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00002
상기 제2감광성 수지층(102)에는 또한 상술한 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물이 포함될 수 있으나, 상기 제1감광성 수지층(101)에 비하여 낮은 농도로 포함될 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트(100)의 상하 감광성 수지층의 산 작용기 함량의 차이에 의하여 현상 속도를 조절하여 해상도(shape)가 우수한 미세 회로 패턴을 구현할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2감광성 수지층(102)에는 40?70중량%의 바인더 폴리머와, 30?60중량%의 광중합성 단량체가 포함되며, 1?10중량부의 광중합성 개시제와 0.5?5중량부의 안료 등의 기타 첨가제가 포함될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 제1감광성 수지층(101)의 두께는 상기 제2감광성 수지층(102) 대비 1 내지 25%, 좀 더 바람직하게는 1 내지 10%로 구성할 수 있다. 회로용 금속층 계면과의 밀착력에 영향을 미치는 부분은 접착 바닥면으로부터 전체 포토레지스트 두께의 25% 이내, 좀 더 바람직하게는 10% 이내의 영역으로 포토레지스트 두께가 작을수록 그 영역은 비례하여 작게 구성할 수 있다.
상기 제1감광성 수지층(101)은 고분자의 연쇄중합반응에 실제 참여하는 층이 아니고 회로용 금속층 표면의 개질 특성을 변화시키는 성장 라디칼 층으로서, 즉 경화반응이 일어날 수 있게 개시해 주는 층으로서, 상기 제2감광성 수지층(102)의 두께가 통상 25㎛ 정도일 때, 약 2 내지 6㎛의 얇은 수준으로 구성할 수 있으며, 이는 밀착력을 유지시켜주는 하부층 두께를 의미한다.
상기 제1감광성 수지층(101)의 외층에는 포토레지스트의 실제 적층면, 즉 제1감광성 수지층(101)을 보호하기 위한 보호층(103)이 더 형성될 수 있으며, 상기 제2감광성 수지층(102)의 외층에는 포토레지스트를 지지하는 동시에 현상전까지 외부로 노출된 감광성 수지층, 즉 제2감광성 수지층(102)을 보호하기 위한 지지층(104)이 더 형성될 수 있다.
상기 보호층(103)에는 예를 들어, 폴리에틸렌(PE)이 포함될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지지층(104)에는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)가 포함될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 포토레지스트(100)는 특별히 한정되지 않고 당업계에 공지된 통상의 제작공법에 따라 제조될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 다른 포토레지스트는 감광성 수지층을 2중층으로 구성하되, 산 작용기를 함유한 감광성 폴리머 화합물을 회로용 금속층과 접하는 적층면에 포함시킴으로써 회로용 금속층과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 또 다른 실시형태에 따른 포토레지스트는 감광성 수지층을 2중층으로 구성하되, 상하의 각 감광성 수지층의 조성 차이를 이용하여 회로 선폭의 상하 슬로프를 발생시키는 노광 및 현상 속도차이를 제어하여 우수한 해상도 구현이 가능하다.
인쇄회로기판의 제조방법
도 4 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토레지스트를 이용하여 인쇄회로기판을 제조하는 방법을 설명하기 위하여 개략적으로 나타낸 공정흐름도이다.
먼저, 도 4를 참조하면, 회로용 금속층(202)을 갖는 베이스 기판(200)을 준비한다.
상기 베이스 기판(200)으로는 절연층(201)의 일면 또는 양면에 회로용 금속층(202)이 적층된 금속적층판이 사용될 수 있다.
또한, 본 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구체적인 내층 회로 구성은 생략하여 도시하였으나, 당업자라면 상기 베이스 기판(200)으로서 내층에 1층 이상의 회로가 형성된 통상의 다층 회로기판이 적용될 수 있음을 충분히 인식할 수 있을 것이다.
상기 절연층으로는 인쇄회로기판의 절연층으로서 사용되는 수지 절연층이 사용될 수 있다. 상기 수지 절연층으로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들에 유리 섬유 또는 무기 필러와 같은 보강재가 함침된 수지, 예를 들어, 프리프레그가 사용될 수 있고, 또한 열경화성 수지 및/또는 광경화성 수지 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 회로용 금속층은 회로기판 분야에서 회로용 전도성 금속으로 사용되는 것이라면 제한 없이 적용 가능하며, 인쇄회로기판에서는 구리를 사용하는 것이 전형적이다.
한편, 상기 베이스 기판(200)의 회로용 금속층(202)에는 추후 공정에서 포토레지스트(100)와의 밀착력을 향상시키기 위한 전처리 공정이 추가적으로 수행될 수 있다.
다음, 도 5를 참조하면, 상술한 제1감광성 수지층(101)과 제2감광성 수지층(102)을 포함하는 포토레지스트(100)를 제1감광성 수지층(101)을 내층으로 하여 상기 금속층(202) 상에 적층한다.
이 공정에서는 통상적으로, 핫 롤 라미네이터를 이용하여 도 3에 도시한 바와 같은 포토레지스트(100), 예를 들어, 드라이 필름의 보호층, 예를 들어, 보호필름을 벗겨내면서 포토레지스트(100)의 제1감광성 수지층(101)을 내층으로 하여 금속층(202) 표면 위에 열과 압력을 가하여 적층한다. 상기 적층 공정은, 일반적으로, 적층 속도 0.5?3.5m/mim, 온도 100?130℃, 로울러 압력 10?90psi에서 수행될 수 있으나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
이 과정에서, 상술한 바와 같이, 제1감광성 수지층(101)에 함유된 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물의 산 작용기와 금속층(202)과의 화학 결합에 의해 밀착 안정성이 확보될 수 있다.
다음, 도 6을 참조하면, 상기 포토레지스트(100)를 패터닝하여 에칭할 부위의 금속층(202)을 노출시키는 개구부(203, 204)를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다.
좀 더 구체적으로는, 통상 상기와 같은 적층 공정을 거친 베이스 기판(200)은 기판의 안정화를 위하여 15분 이상 방치한 후 원하는 패턴을 갖는 포토마스크, 예를 들어, 아트워크 필름을 이용하여 포토레지스트(100)에 활성이 강한 빛(자외선)을 조사하여 노광을 진행하고 지지층, 예를 들어 지지필름을 벗겨낸다.
이 과정에서 포토마스크에 자외선을 조사하면 자외선이 조사된 포토레지스트(100)는 조사된 부위에서 함유된 광개시제에 의해 중합이 개시된다.
먼저, 초기에는 포토레지스트(100) 내의 산소가 소모되고, 다음 활성화된 단량체가 중합되어 가교반응이 일어나고 그 후 많은 양의 단량체가 소모되면서 중합반응이 진행된다. 한편 미노광 부위는 가교반응이 진행되지 않은 상태로 존재하게 된다.
다음 포토레지스트(100)의 미노광 부분을 제거하는 현상공정을 진행하는 데, 예를 들어, 알칼리 현상성 포토레지스트인 경우 현상액으로 0.8?1.2wt%의 탄산칼륨(K2CO3) 및 탄산나트륨(Na2CO3) 수용액을 사용할 수 있다. 이 공정에서 미노광 부분의 포토레지스트는 현상액 내에서 바인더 폴리머의 카르복시산과 현상액의 비누화 반응에 의해서 씻겨져 나가 개구부(203, 204)가 형성되고, 경화된 포토레지스트(100)는 금속층(202) 표면 위에 잔존하게 된다.
다음, 도 7을 참조하면, 상기 포토레지스트(100) 패턴을 레지스트로 하여 상기 개구부(203, 204)를 통해서 노출된 부위의 금속층(200)을 에칭하여 회로 패턴(202a)을 형성한다.
상기 에칭은 통상의 회로용 금속의 에칭 공정에서 사용되는 용제가 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.
다음, 도 8을 참조하면, 상기 포토레지스트(100) 패턴을 예를 들어, 통상의 드라이 필름 박리액을 이용하여 제거함으로써 소정의 패턴화된 회로를 얻는다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 따르면, 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물을 포함하는 제1감광성 수지층과 통상의 제2감광성 수지층을 포함하는 포토레지스트를 회로 형성 공정에 적용함으로써 회로용 금속층 표면과 포토레지스트 표면의 화학적 결합을 증가시켜 밀착력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 또 다른 실시형태에 따르면, 제1감광성 수지층과 제2감광성 수지층에 함유되는 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물의 함량이 조절된 포토레지스트를 회로 형성 공정에 적용함으로써 회로 선폭의 상하 슬로프를 발생시키는 노광 및 현상 속도차이를 제어하여 우수한 해상도 구현이 가능하며, 이에 따라 고밀도의 미세 회로를 고 신뢰성으로 구현할 수 있다.
이하, 하기 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하지만 이에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
도 3에 도시된 바에 따라, 제1감광성 수지층(101)과 제2감광성 수지층(102)을 포함하는 포토레지스트(100)를 준비하였다. 여기서, 상기 제1감광성 수지층(101)에 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물로서 반응식 1의 반응생성물(c)(R1, R2는 각각 메틸기임)을 포함시켰다.
상술한 바와 같이 준비된 포토레지스트(100)를 이용하여 통상의 포토리소그라피 공법에 따라 구리 표면에 포토레지스트 패턴을 형성하였고, 이로부터 얻어진 패턴 형상의 이미지 사진을 도 9에 나타내었다.
도 9를 참조하면, 구리 표면의 조도 형성이 거의 없는 상태에서도 밀착력이 우수한 고해상도의 포토레지스트 패턴이 구현되었다.
비교예 1
도 2에 도시된 바에 따라, 단일층으로 구성된 감광성 수지층(12)을 포함하는 포토레지스트(10)를 준비하였다. 여기서, 상기 감광성 수지층(12)의 조성은 실시예 1의 제2감광성 수지층과 동일하게 구성하였다.
상술한 바와 같이 준비된 포토레지스트(10)를 이용하여 통상의 포토리소그라피 공법에 따라 구리 표면에 포토레지스트 패턴을 형성하였고, 이로부터 얻어진 패턴 형상의 이미지 사진을 도 10에 나타내었다.
도 10을 참조하면, 좁은 하부 선폭과 상하 선폭 슬로프 발생에 따라 밀착 불량이 나타남을 알 수 있었다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 포토레지스트 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100 : 포토레지스트
101 : 제1감광성 수지층
102 : 제2감광성 수지층
103 : 보호층
104 : 지지층
200 : 베이스 기판
201 : 절연층
202 : 회로용 금속층
203, 204 : 개구부
202a : 회로 패턴

Claims (9)

  1. 제1감광성 수지층; 및
    상기 제1감광성 수지층 상에 형성된 제2감광성 수지층;
    을 포함하며,
    상기 제1감광성 수지층이 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물을 포함하는 포토레지스트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 산 작용기는 하이드록실기 또는 카르복실기인 포토레지스트.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물은 -C-O-C- 결합기를 갖는 포토레지스트.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2감광성 수지층이 산 작용기를 갖는 감광성 고분자 화합물을 포함하되, 상기 제1감광성 수지층에 비하여 낮은 농도로 상기 화합물을 포함하는 포토레지스트.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1감광성 수지층의 두께는 상기 제2감광성 수지층 대비 1 내지 25%인 포토레지스트.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1감광성 수지층의 외층에 보호층을 더 포함하며,
    상기 제2감광성 수지층의 외층에 지지층을 더 포함하는 포토레지스트.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 보호층은 폴리에틸렌(PE)을 포함하는 포토레지스트.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 지지층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 포함하는 포토레지스트.
  9. 회로용 금속층을 갖는 베이스 기판을 제공하는 단계;
    청구항 1에 따른 포토레지스트를 준비하는 단계;
    상기 포토레지스트의 제1감광성 수지층을 내층으로 하여 상기 포토레지스트를 상기 금속층 상에 적층하는 단계;
    상기 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 레지스트로 하여 상기 금속층을 에칭하여 회로 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;
    를 포함하는 인쇄회로기판의 제조방법.
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