KR20110139520A - 다중 렌즈를 구비한 이미지 센서 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 수광 영역이 형성되어 있는 기판; 상기 기판 상에 형성되어 메탈 라인과 층간 절연막을 구비한 다층 구조; 상기 수광 영역으로 빛을 집광시키기 위해 상기 다층 구조 상에 형성된 하부 마이크로렌즈; 상기 하부 마이크로렌즈 상에 형성된 컬러필터층; 상기 컬러필터층 상에 형성된 상부 마이크로렌즈; 상기 상부 마이크로렌즈 내에 배열된 복수의 구슬형(bead type) 모자이크눈 렌즈(mosaic-eye lens)를 포함한다.

Description

다중 렌즈를 구비한 이미지 센서{Image sensor having multi-lens}
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 다중 렌즈를 구비한 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 빛에 반응하는 반도체의 성질을 이용하여 이미지를 포착(capture)하는 장치로서, 이미지 포착을 위해 다수의 픽셀을 포함한다. 자연계에 존재하는 피사체의 각 부분은 빛의 밝기와 파장 등이 달라서 빛을 감지하는 이미지 센서의 각 픽셀은 서로 다른 전기적인 값을 보일 수 있다. 이미지 센서는 이러한 전기적인 값을 신호처리가 가능한 레벨로 만들어준다. 이러한 이미지 세서는 수만에서 수십만 혹은 그 이상의 단위 픽셀(이하, 간단히 픽셀이라 함)로 이루어진 픽셀 어레이와, 다수의 픽셀에서 감지한 아날로그 전압을 디지털 전압을 바꿔주는 장치 및 다수의 저장 장치 등을 포함한다.
특히, CMOS 이미지 센서는 CMOS 기술을 이용하여 구성될 수 있으며, 통상적으로 각 픽셀마다 수광 영역인 포토다이오드와 복수의 MOS 트랜지스터를 구비한다. 이러한 CMOS 이미지 센서는 피사체의 이미지 정보를 포토다이오드에 광전자로 저장하였다가 전기적 신호로 변환한다. 또한 CMOS 이미지 센서는 각 픽셀 영역 위에 컬러 필터와 마이크로렌즈(microlens)를 구비하여 빛을 입력으로 받아들이므로 빛의 투과도가 이미지 센서 특성에 미치는 영향이 크고 공정 혹은 구조 상의 변화에 민감한 특성을 갖는다.
CMOS 이미지 센서를 포함하여 이미지 센서에서는, 외부로부터 들어오는 빛을 포토다이오드와 같은 수광 영역으로 집적시키는 것이 중요하다. 이는 수광 영역에 도달한 빛에 의해 이미지가 형상화되기 때문이다. 수광 영역에 도달하는 광량이 감소하거나 불균일해지는 것은 이미지 센서의 특성 저하 및 센싱 기능의 저하를 일으킨다. 기존의 이미지 센서는 마이크로렌즈를 사용하더라도, 렌즈의 외곽부를 통해 들어오는 빛이 수광 영역에 도달하기 전에 굴절되어 광손실이 발생하며, 특히 마이크로렌즈를 벗어난 빛은 수광 영역에 집광되지 못할 수 있다.
본 발명의 실시예는 수광 영역으로의 빛의 집적도를 높이고 포커싱 특성을 개선할 수 있는 이미지 센서를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 수광 영역이 형성되어 있는 기판; 상기 기판 상에 형성되어 메탈 라인과 층간 절연막을 구비한 다층 구조; 상기 수광 영역으로 빛을 집광시키기 위해 상기 다층 구조 상에 형성된 하부 마이크로렌즈; 상기 하부 마이크로렌즈 상에 형성된 컬러필터층; 상기 컬러필터층 상에 형성된 상부 마이크로렌즈; 상기 상부 마이크로렌즈 내에 배열된 복수의 구슬형(bead type) 모자이크눈 렌즈(mosaic-eye lens)를 포함한다.
상기 이미지 센서는 상기 상부 마이크로렌즈 상에 형성된 투광성 오버코팅층과, 상기 오버코팅층 상에 형성된 복수의 상부 반구형 모자이크눈 렌즈를 더 포함할 수 있다. 상기 오버코팅층은 상기 상부 마이크로렌즈의 상면을 따라 컨포멀하게 형성된 컨포멀층(conformal layer)일 수 있다. 상기 복수의 상부 반구형 모자이크눈 렌즈는 상기 컨포멀층의 상면을 따라 배열될 수 있다.
상기 이미지 센서는 상기 상부 마이크로렌즈와 오버코팅층 사이에 형성된 복수의 하부 반구형 모자이크눈 렌즈를 더 포함할 수 있다. 상기 복수의 하부 반구형 모자이크눈 렌즈는 상기 상부 마이크로렌즈의 상면을 따라 배열될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 포토다이오드와 같은 수광 영역으로의 빛의 집적도를 높일 수 있고 빛의 포커싱 특성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라 빛의 질감과 균일도가 높아지며 이미지 센서의 특성과 센싱 기능이 좋아지고 빛의 손실이 감소된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀의 주요부를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀의 주요부를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀의 주요부를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지의 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로만 한정되는 것은 아니다. 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 픽셀의 주요부를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 이미지 센서(100)는 수광 영역인 포토다이오드(105a, 105b)가 형성된 반도체 기판(101)과, 그 위에 형성된 다층 구조(110, 120, 130, PG, M1, M2)를 포함한다. 반도체 기판(101) 상에는 예를 들어 트랜스퍼 트랜지스터와 같은 트랜지스터의 게이트 구조(PG)가 형성될 수 있다. 이러한 게이트 구조(PG) 일측의 반도체 기판(101) 부분에 깊은 n형 영역과 얕은 p형 영역의 접합을 형성하여 포토다이오드(PD)를 구성할 수 있다. 도시되어 있지는 않지만, 반도체 기판(101)에는 기판 표면 하부의 이온 주입에 의한 고농도의 플로팅 확산 영역이 형성될 수 있다.
이러한 포토다이오드(PD)와 게이트 구조(PG)가 형성된 반도체 기판(101) 상에 절연막(110)이 형성되어 있고, 이 절연막(110) 상에는 제1 메탈 라인(M1)이 형성되어 있다. 제1 메탈 라인(M1) 상에는 층간 절연막(120)이 형성되어 있고, 층간 절연막(120) 상에는 제2 메탈 라인(M2)이 형성되어 있다. 이러한 메탈 라인(M1, M2)은 전원 라인이나 신호 라인과 픽셀 및 논리회로를 접속시키는 도전체이며, 수광 영역을 벗어난 반도체 영역으로의 광 입사를 막는 쉴드 역할을 할 수도 있다. 절연막들(110, 120, 130)은 실리케이트 절연막 혹은 PECVD 실리콘 산화막 등으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 메탈 라인(M2) 상에는 절연막(130)이 형성되어 있다. 이 절연막(130)은 그 아래의 층 구조를 보호하거나 단차를 제거해주는 역할을 할 수 있다. 도 1에는 제2 메탈 라인(M2)이 최종 메탈 라인인 것으로 도시되어 있으나, 그 위에 추가적인 메탈 라인(및 추가적인 절연막 구조)을 더 구비할 수도 있다. 상술한 메탈 라인(M1, M2)과 절연막들(110, 120, 130)은 포토다이오드가 형성된 반도체 기판 상에서 다층 구조를 이룬다.
절연막(130) 상에는 하부 마이크로렌즈(140)가 형성되어 있다. 이 하부 마이크로렌즈(140)는 그 위로부터 온 빛을 받아 수광 영역인 포토다이오드(PD)로 빛을 집광시키는 역할을 한다. 이 하부 마이크로렌즈(140)는 포토다이오드(PD)와 수직 방향으로 오버랩되도록 배치될 수 있다. 하부 마이크로렌즈(140) 상에는 중간 절연막(145)이 형성되어 있다. 이 중간 절연막(145)은 하부 마이크로렌즈(140)에 의해 생긴 단차를 줄여주거나 평탄화를 위해 형성될 수 있다.
중간 절연막 상에는 컬러필터층(150)이 형성되어 있다. 이 컬러필터층(150)은 단위 픽셀 별로 RGB의 색상을 구현한다. 컬러필터층(150) 상에는 상부 마이크로 렌즈(160)가 형성되어 있다. 또한, 컬러필터층(150) 상의 상부 마이크로렌즈(160) 내에는 구슬(bead) 형상 혹은 구 형상의 모자이크눈 렌즈(mosaic-eye lens)가 형성되어 있다.
이미지 센서(100)는 하부 및 상부 마이크로렌즈(140, 160)와 복수의 구슬형 모자이크눈 렌즈(170)를 포함한 다중 렌즈 구조를 구비하여, 외부로부터 들어오는 빛의 집적도를 크게 높일 수 있을 뿐만 아니라, 다층 구조(110, 120, 130, M1, M2)에서 발생하는 빛의 손실을 줄여준다. 특히 복수의 구슬형 모자이크눈 렌즈(170)는 상부 마이크로렌즈(160)에 의해 집광된 빛을 더 포커싱하여 하부 마이크로렌즈(140)로 보내고, 하부 마이크로렌즈(140)는 추가적으로 빛을 포토다이오드(PD), 즉 수광 영역으로 집광시킨다. 이로써 외부로부터 수광 영역으로의 빛의 집적도가 크게 향상될 수 있고 포커싱 특성을 높일 수 있다. 또한, 기존에 마이크로렌즈를 벗어나거나 마이크로렌즈의 양쪽 끝부분을 통과하는 빛의 손실을 줄이고 빛의 질감과 균일도를 한층 더 높여줄 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀의 주요부를 나타낸 단면도이다. 도 2를 참조하면, 이미지 센서(200)는, 전술한 이미지 센서의 구조에 더하여, 오버코팅층(180)과 복수의 상부 반구형 모자이크눈 렌즈(190)을 더 포함한다. 다른 요소들은 전술한 실시예(도 1 참조)와 마찬가지이므로 이에 대한 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 투광성 오버코팅층(180)은 상부 마이크로렌즈(160) 상에 형성되어 있으며, 특히 상부 마이크로렌즈의 상면을 따라 컨포멀하게(conformally) 형성된 컨포멀층(conformal layer)로서 이루어져 있다. 따라서, 오버코팅층(180)의 상면은 상부 마이크로렌즈의 상면과 같은 렌즈 형상을 가질 수 있다. 이러한 오버코팅층(180)의 상면을 따라 복수의 상부 반구형 모자이크눈 렌즈(190)들이 배치되어 있다. 복수의 상부 반구형 모자이크눈 렌즈(190)는 그 위로부터 들어오는 빛을 상부 마이크로렌즈(160)의 중심쪽으로 더 가까이 모아줌으로써 포토다이오드(PD)로의 집광시 빛의 손실을 더 줄여준다. 본 실시예에서도, 도 1을 참조하여 이미 설명한 바와 같이, 하부 및 상부 마이크로렌즈(140, 160)와 복수의 구슬형 모자이크눈 렌즈(170)에 의해 수광 영역으로의 빛의 집적도가 크게 향상되고 빛의 포커싱 특성이 향상되며 빛의 질감과 균일도를 높일 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀의 주요부를 나타낸 단면도이다. 도 3을 참조하면, 이미지 센서(300)는, 도 2의 이미지 센서(200) 구조에 더하여, 상부 마이크로렌즈(160)와 오버코팅층(180) 사이에 형성된 복수의 하부 반구형 모자이크눈 렌즈(195)를 더 포함한다.
도 3을 참조하면, 하부 반구형 모자이크눈 렌즈(195)는 상부 마이크로렌즈(160)와 오버코팅층(180) 사이에서 상부 마이크로렌즈(160)의 상면을 따라 배열되어 있다. 도 3의 실시예에서는, 상부 및 하부 반구형 모자이크눈 렌즈(190, 195)의 이중 반구형 모자이크눈 렌즈 구조를 구비함으로써 그 위로부터 들어오는 빛을 상부 마이크로렌즈(160)의 중심쪽으로 더욱 더 가까이 모을 수 있고 이에 따라 포토다이오드(PD)로의 집광시 빛의 손실을 더욱 더 줄일 수 있다. 하부 반구형 모자이크눈 렌즈(195)는 상부 반구형 모자이크눈 렌즈(190)에 부가하여 전체 렌즈 구조의 포커싱 특성을 더 높일 수 있다. 본 실시예에서도, 도 1을 참조하여 이미 설명한 바와 같이, 하부 및 상부 마이크로 렌즈(140, 160)와 복수의 구슬형 모자이크눈 렌즈(170)에 의해 수광 영역으로의 빛의 집적도가 크게 향상되고 빛의 포커싱 특성이 향상되며 빛의 질감과 균일도를 높일 수 있다.
전술한 실시예에서는 CMOS 이미지 센서를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 수광 영역과 마이크로렌즈를 사용하는 다른 이미지 센서에도 적용될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100, 200, 300: 이미지 센서 101: 반도체 기판
105a, 105b: 포토다이오드 110: 절연막
120, 130: 층간 절연막 140: 하부 마이크로렌즈
145: 중간 절연막 150: 컬러필터층
160: 상부 마이크로렌즈 170: 구슬형 모자이크눈 렌즈
180: 오버코팅층 190: 상부 반구형 모자이크눈 렌즈
195: 하부 반구형 모자이크눈 렌즈 PD: 포토다이오드
PG: 게이트 구조 M1: 제1 메탈 라인
M2: 제2 메탈 라인

Claims (6)

  1. 수광 영역이 형성되어 있는 기판;
    상기 기판 상에 형성되어 메탈 라인과 층간 절연막을 구비한 다층 구조;
    상기 수광 영역으로 빛을 집광시키기 위해 상기 다층 구조 상에 형성된 하부 마이크로렌즈;
    상기 하부 마이크로렌즈 상에 형성된 컬러필터층;
    상기 컬러필터층 상에 형성된 상부 마이크로렌즈; 및
    상기 상부 마이크로렌즈 내에 배열된 복수의 구슬형 모자이크눈 렌즈를 포함하는 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 마이크로렌즈 상에 형성된 투광성 오버코팅층과, 상기 오버코팅층 상에 형성된 복수의 상부 반구형 모자이크눈 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 오버코팅층은 상기 상부 마이크로렌즈의 상면을 따라 컨포멀하게 형성된 컨포멀층인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 상부 반구형 모자이크눈 렌즈는 상기 컨포멀층의 상면을 따라 배열된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 이미지 센서는 상기 상부 마이크로렌즈와 오버코팅층 사이에 형성된 복수의 하부 반구형 모자이크눈 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 하부 반구형 모자이크눈 렌즈는 상기 상부 마이크로렌즈의 상면을 따라 배열된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105390512A (zh) * 2014-08-22 2016-03-09 爱思开海力士有限公司 图像传感器及具有该图像传感器的电子装置
CN110610965A (zh) * 2019-08-23 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN113725245A (zh) * 2021-09-06 2021-11-30 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 Cis芯片的像元结构、微透镜阵列、图像传感器及制作方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105390512A (zh) * 2014-08-22 2016-03-09 爱思开海力士有限公司 图像传感器及具有该图像传感器的电子装置
CN105390512B (zh) * 2014-08-22 2020-04-28 爱思开海力士有限公司 图像传感器及具有该图像传感器的电子装置
CN110610965A (zh) * 2019-08-23 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN110610965B (zh) * 2019-08-23 2021-11-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN113725245A (zh) * 2021-09-06 2021-11-30 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 Cis芯片的像元结构、微透镜阵列、图像传感器及制作方法
CN113725245B (zh) * 2021-09-06 2024-03-15 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 Cis芯片的像元结构、微透镜阵列、图像传感器及制作方法

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