KR20110128196A - 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치 - Google Patents

반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110128196A
KR20110128196A KR1020117023734A KR20117023734A KR20110128196A KR 20110128196 A KR20110128196 A KR 20110128196A KR 1020117023734 A KR1020117023734 A KR 1020117023734A KR 20117023734 A KR20117023734 A KR 20117023734A KR 20110128196 A KR20110128196 A KR 20110128196A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
lead
application
support
reflective
Prior art date
Application number
KR1020117023734A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101630479B1 (ko
Inventor
토시아키 토모사다
타다히로 히사노
Original Assignee
가부시키가이샤 파루 라이팅구
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 파루 라이팅구 filed Critical 가부시키가이샤 파루 라이팅구
Publication of KR20110128196A publication Critical patent/KR20110128196A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101630479B1 publication Critical patent/KR101630479B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은, 복수의 발광 소자를 갖고, 또한 리드에서의 발열량의 증대를 억제할 수 있는 반사형 발광 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 하고, 오목면 형상의 반사면(2)을 갖는 지지체(6), 반사면(2)의 상방 중앙부로부터 지지체(6)의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 제1 와이어 접속용 아암(7a)을 갖는 제1 인가 리드(7), 반사면(2)의 상방 중앙부로부터 지지체(6)의 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면을 향하여 수평하게 각각 연장되는 제1 소자 탑재용 아암(8a) 및 제2 와이어 접속용 아암(8b)을 갖는 중간 리드(8), 반사면(2)의 상방 중앙부로부터 지지체(6)의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 제2 소자 탑재용 아암(9a)을 갖는 제2 인가 리드(9), 제1 소자 탑재용 아암(8a)의 선단부에 탑재되고, 제1 와이어 접속용 아암(7a)과 접속된 제1 발광 소자(11), 제2 소자 탑재용 아암(9a)의 선단부에 탑재되고, 제2 와이어 접속용 아암(8b)과 접속된 제2 발광 소자(12)를 구비한 반사형 발광 다이오드를 특징으로 한다.

Description

반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치{REFLECTIVE LIGHT EMITTING DIODE AND REFLECTIVE LIGHT EMITTING DIODE LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은, 프린트 회로 기판 등의 표면에 실장되는 표면 실장형의 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드를 표면 실장한 반사형 발광 다이오드 발광 장치에 관한 것이다.
발광 소자와, 그 발광 소자가 고정되고, 내부에 오목면 형상의 반사면을 갖는 지지체를 갖고, 발광 소자로부터 출사된 광을 반사면으로 반사하여 외부에 출력하는 반사형 발광 다이오드가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이러한 반사형 발광 다이오드에 있어서는, 발광 소자에 전류를 흘리기 위한 1쌍의 리드가 지지체가 대향하는 측면에 배치되고, 반사면의 상방에 배치된 발광 소자에 각각의 리드가 연신되어 있다.
상기 반사형 발광 다이오드의 출력광의 휘도를 높이기 위해서는, 반사면의 상방에 복수의 발광 소자를 배치하는 것이 유효하다. 구체적으로는, 지지체의 측면에 배치된 1쌍의 리드간에 복수의 발광 소자를 병렬로 배치함으로써, 반사형 발광 다이오드의 출력광의 휘도를 높일 수 있다.
그러나, 병렬로 접속된 복수의 발광 소자에 전류를 흘림으로써 리드에 흐르는 전류가 증가하여, 리드에서의 발열량이 증대한다는 문제점이 있었다.
일본 특허 제3982635호 공보
상기 문제점을 감안하여, 본 발명은, 복수의 발광 소자를 갖고, 또한 리드에서의 발열량의 증대를 억제할 수 있는 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 내부에 오목면 형상의 반사면을 갖는 지지체와, 반사면의 상방 중앙부로부터 지지체의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 제1 와이어 접속용 아암을 갖는 제1 인가 리드와, 반사면의 상방 중앙부로부터 지지체의 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면을 향하여 수평하게 각각 연장되는 제1 소자 탑재용 아암 및 제2 와이어 접속용 아암을 갖는 중간 리드와, 반사면의 상방 중앙부로부터 지지체의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 제2 소자 탑재용 아암을 갖는 제2 인가 리드와, 반사면의 상방 중앙부에 있어서 제1 소자 탑재용 아암의 선단부에 반사면과 대향하여 탑재된 제1 발광 소자와, 반사면의 상방 중앙부에 있어서 제2 소자 탑재용 아암의 선단부에 반사면과 대향하여 탑재된 제2 발광 소자와, 제1 와이어 접속용 아암에 있어서의 반사면의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 제1 발광 소자를 접속하는 제1 본딩 와이어와, 제2 와이어 접속용 아암에 있어서의 반사면의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 제2 발광 소자를 접속하는 제2 본딩 와이어를 구비한 반사형 발광 다이오드를 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 내부에 오목면 형상의 반사면을 갖는 지지체와, 상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 와이어 접속용 아암을 갖는 편측의 제1 인가 리드와, 상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 상기 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 소자 탑재용 아암을 갖는 편측의 제2 인가 리드와, 상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 상기 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 소자 탑재용 아암을 갖는 타측의 제2 인가 리드와, 상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 상기 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 와이어 접속용 아암을 갖는 타측의 제1 인가 리드와, 상기 반사면의 상방 중앙부에 있어서 상기 편측의 제2 인가 리드의 소자 탑재용 아암의 선단부에 상기 반사면과 대향하여 탑재된 제1 발광 소자와, 상기 반사면의 상방 중앙부에 있어서 상기 타측의 제2 인가 리드의 소자 탑재용 아암의 선단부에 상기 반사면과 대향하여 탑재된 제2 발광 소자와, 상기 편측의 제1 인가 리드의 와이어 접속용 아암에 있어서의 상기 반사면의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 상기 제1 발광 소자를 접속하는 제1 본딩 와이어와, 상기 타측의 제1 인가 리드의 와이어 접속용 아암에 있어서의 상기 반사면의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 상기 제2 발광 소자를 접속하는 제2 본딩 와이어를 구비하고, 상기 편측, 타측 각각의 제1 인가 리드 및 상기 편측, 타측 각각의 제2 인가 리드가, 상기 지지체의 외측면을 따라서 절곡되어 있는 반사형 발광 다이오드와, 상기 편측의 제1 인가 리드, 편측의 제2 인가 리드 각각의 상기 지지체의 저면측에 절곡되어 있는 리드 하면부 각각에 접속되는 서로 분리된 전압 인가용의 배선 패턴과, 상기 타측의 제1 인가 리드, 타측의 제2 인가 리드 각각의 상기 지지체의 저면측에 절곡되어 있는 리드 하면부 각각에 함께 접속되는 중간 배선 패턴을 구비한 실장 기판으로 이루어지고, 상기 편측의 제1 인가 리드, 편측의 제2 인가 리드 각각의 리드 하면부 각각을 상기 서로 이격된 전압 인가용의 배선 패턴에 개별로 접속하고, 상기 타측의 제1 인가 리드, 타측의 제2 인가 리드 각각의 리드 하면부 각각을 상기 중간 배선 패턴에 함께 접속하고, 상기 실장 기판 상의 상기 전압 인가용 배선 패턴 및 중간 배선 패턴을 통하여 편측의 제1 인가 리드, 타측의 제2 인가 리드, 타측의 제1 인가 리드, 편측의 제2 인가 리드를 직렬 접속한 반사형 발광 다이오드 발광 장치를 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 복수의 발광 소자를 갖고, 또한 리드에서의 발열량의 증대를 억제할 수 있는 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발송 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 상면도이고, 도 2의 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 지지체의 제2 벽면 방향으로부터 본 측면도이고, 도 2의 (c)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 지지체의 제1 벽면 방향으로부터 본 측면도이고, 도 2의 (d)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 저면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 지지체의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 1조의 리드에 발광 소자를 설치하고, 와이어 본딩한 상태를 도시하는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 회로도이다.
도 6은 도 2의 (a)에 도시한 반사형 발광 다이오드의 VI-VI 방향을 따른 단면도이다.
도 7의 (a)는 비교예의 반사형 발광 다이오드의 발광 소자 마운트 부분의 구성도이고, 도 7의 (b)는 비교예의 반사형 발광 다이오드의 회로도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 제조에 있어서 사용하는 리드 프레임의 일부 파단한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 10의 (a)는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드 발광 장치에 있어서의 반사형 발광 다이오드의 상면도이고, 도 10의 (b)는 상기 반사형 발광 다이오드의 지지체의 제2 벽면 방향으로부터 본 측면도이고, 도 10의 (c)는 상기 반사형 발광 다이오드의 지지체의 제1 벽면 방향으로부터 본 측면도이고, 도 10의 (d)는 상기 반사형 발광 다이오드의 저면도이다.
도 11의 (a)는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드 발광 장치에 있어서의 LED 실장 기판의 일부 파단시키는 평면도이고, 도 11의 (b)는 상기 반사형 발광 다이오드 발광 장치에 있어서의 반사형 발광 다이오드의 저면도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드 발광 장치의 분해 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 동일하거나 또는 유사한 구성 요소에는 동일하거나 또는 유사한 부호를 사용하여 설명한다.
(제1 실시 형태-반사형 발광 다이오드)
본 발명의 일 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 내부에 오목면 형상의 반사면(2)을 갖는 지지체(6)와, 반사면(2)의 상방 중앙부로부터 지지체(6)의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 제1 와이어 접속용 아암(7a)을 갖는 제1 인가 리드(7)와, 반사면(2)의 상방 중앙부로부터 지지체(6)의 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면을 향하여 수평하게 각각 연장되는 제1 소자 탑재용 아암(8a) 및 제2 와이어 접속용 아암(8b)을 갖는 중간 리드(8)와, 반사면(2)의 상방 중앙부로부터 지지체(6)의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 제2 소자 탑재용 아암(9a)을 갖는 제2 인가 리드(9)와, 반사면(2)의 상방 중앙부에 있어서 제1 소자 탑재용 아암(8a)의 선단부에 반사면(2)과 대향하여 탑재되고, 또한 제1 와이어 접속용 아암(7a)과 전기적으로 접속된 제1 발광 소자(11)와, 반사면(2)의 상방 중앙부에 있어서 제2 소자 탑재용 아암(9a)의 선단부에 반사면(2)과 대향하여 탑재되고, 또한 제2 와이어 접속용 아암(8b)과 전기적으로 접속된 제2 발광 소자(12)를 구비하고 있다.
즉, 반사형 발광 다이오드(1)는, 제1 인가 리드(7)와 제2 인가 리드(9) 사이에, 중간 리드(8)를 통하여 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)가 직렬 접속된 구성이다. 도 1에 도시된 반사형 발광 다이오드(1)에서는, 제1 와이어 접속용 아암(7a)에 있어서의 반사면(2)의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와, 제1 발광 소자(11)가, 제1 본딩 와이어(101)에 의해 전기적으로 접속된다. 또한, 제2 와이어 접속용 아암(8b)에 있어서의 반사면(2)의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와, 제2 발광 소자(12)가, 제2 본딩 와이어(102)에 의해 전기적으로 접속된다. 또한, 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)의 중앙의 인접면간의 갭은 0.1mm 정도로 설정되어 있다. 이에 의해, 제1, 제2 발광 소자(11, 12) 각각이 발광할 때에 광 출력 방향의 전방에 있어서, 갭에 대응하는 부분만 줄무늬 형상으로 어두워지는 현상을 방지하고 있다.
도 2의 (a) 내지 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 제1 인가 리드(7)는, 제1 와이어 접속용 아암(7a), 지지체(6)의 벽면을 따라 배치된 광폭 리드 측면부(71) 및 지지체(6)의 하면을 따라 배치된 광폭 리드 하면부(72)를 갖는다. 중간 리드(8)는, 제1 소자 탑재용 아암(8a), 제2 와이어 접속용 아암(8b), 지지체(6)의 벽면을 따라 배치된 광폭 리드 측면부(81) 및 지지체(6)의 하면을 따라 배치된 광폭 리드 하면부(82)를 갖는다. 제2 인가 리드(9)는, 제2 소자 탑재용 아암(9a), 지지체(6)의 벽면을 따라 배치된 광폭 리드 측면부(91) 및 지지체(6)의 하면을 따라 배치된 광폭 리드 하면부(92)를 갖는다. 즉, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9) 각각은 기판에 실장할 수 있도록 지지체(6)의 외측면을 따라 역ㄷ자 형상으로 절곡되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 지지체(6)는, 오목면 형상의 반사면(2)을 둘러싸는 주위의 벽부(3) 중, 제1 벽면의 상부에 홈(37, 39a, 39b)이 형성되고, 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면의 상부에 홈(38a, 38b, 38c)이 형성된 구조이다. 지지체(6)는 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지와 같은 재료로 일체물로서 형성되어 있다. 또한, 지지체(6)의 상면측에 형성된 포물 형상 오목 곡면에, 은 증착 혹은 알루미늄 증착함으로써 반사면(2)이 형성되어 있다. 예를 들어, PEEK 수지가 채용된 지지체(6)의 오목부 저면에 은을 증착하면, 반사면(2)의 경면 마무리가 양호해진다.
도 1에 도시한 바와 같이, 제1 인가 리드(7)의 제1 와이어 접속용 아암(7a)이 홈(37)에 끼워 맞추어져 있다. 중간 리드(8)의 제1 소자 탑재용 아암(8a) 및 제2 와이어 접속용 아암(8b)이, 홈(38a) 및 홈(38b)에 각각 끼워 맞추어져 있다. 제2 인가 리드(9)의 제2 소자 탑재용 아암(9a)이, 홈(39a)에 끼워 맞추어져 있다. 또한, 홈(38c)에 중간 리드(8)의 상변의 일부의 위치 고정부(8c)가 끼워 맞추어지고, 홈(39b)에 제2 인가 리드(9)의 상변의 일부의 위치 고정부(9b)가 끼워 맞추어져 있다.
또한, 지지체(6)의 홈(37)에 있어서, 제1 인가 리드(7)의 끼워 맞춤 부분의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록, 막음부(307)가 형성되어 있다. 마찬가지로, 지지체(6)의 홈(38a 내지 38c)에 있어서, 중간 리드(8)의 끼워 맞춤 부분의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록, 막음부(308)가 형성되어 있다. 그리고, 지지체(6)의 홈(39a 내지 39b)에 있어서, 제2 인가 리드(9)의 끼워 맞춤 부분의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록 막음부(309)가 형성되어 있다. 막음부(307 내지 309)는, 예를 들어 UV 경화성 수지를 단차 부분에 채워 경화시킴으로써 형성된다. 이에 의해, 제1 와이어 접속용 아암(7a), 제1 소자 탑재용 아암(8a), 제2 와이어 접속용 아암(8b) 및 제2 소자 탑재용 아암(9a)의 기초부가 고정된다.
또한, 지지체(6)의 오목부 내에, 예를 들어 양이온 중합형 투명 에폭시 수지 등의 투명 에폭시 수지 혹은 투명 실리콘 수지와 같은 투명 수지(14)를, 지지체(6)의 상부 테두리면에 달하는 깊이로 충전하여 경화시킨다. 이에 의해, 제1 발광 소자(11), 제2 발광 소자(12), 제1 와이어 접속용 아암(7a), 제1 소자 탑재용 아암(8a), 제2 와이어 접속용 아암(8b), 제2 소자 탑재용 아암(9a), 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)를, 투명 수지(14) 중에 매몰시킨 상태에서 고정하고 있다.
제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 광을 출사하는 면(출력면)을 지지체(6)의 오목면 형상의 반사면(2)을 향하여, 제1 소자 탑재용 아암(8a) 및 제2 소자 탑재용 아암(9a)의 선단부에 각각 탑재된다. 도 4는, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)의 탑재 개소를, 반사면(2)측으로부터 본 도면이다.
여기서, 발광 소자의 캐소드측을 출력면으로 하면, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)의 애노드측을, 제1 소자 탑재용 아암(8a) 및 제2 소자 탑재용 아암(9a)의 선단부에 각각 접촉시킨다. 그리고, 예를 들어 발광 소자의 캐소드(출력면)에 투명 전극을 배치하고, 제1 발광 소자(11)의 캐소드측과 제1 와이어 접속용 아암(7a)의 선단부를, 제1 본딩 와이어(101)에 의해 전기적으로 접속한다. 또한, 제2 발광 소자(12)의 캐소드측과 제2 와이어 접속용 아암(8b)의 선단부를, 제2 본딩 와이어(102)에 의해 전기적으로 접속한다.
도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 제1 인가 리드(7)의 광폭 리드 하면부(72) 및 제2 인가 리드(9)의 광폭 리드 하면부(92)는 지지체(6)의 하면에 배치되어 있고, 광폭 리드 하면부(72) 및 광폭 리드 하면부(92)를, 도시를 생략한 실장 기판 상의 배선 패턴에 접속하도록 반사형 발광 다이오드(1)를 실장 기판에 표면 실장한다. 광폭 리드 하면부(72) 및 광폭 리드 하면부(92)와 실장 기판의 접속에는, 예를 들어 땜납 등이 사용 가능하다. 이에 의해, 실장 기판 상의 배선 패턴을 통하여 제1 인가 리드(7)와 제2 인가 리드(9) 사이에 소정의 전압이 인가된다.
예를 들어, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)가 캐소드측을 출력면으로 하는 경우, 제1 인가 리드(7)에 마이너스 전압을 인가하고, 제2 인가 리드(9)에 플러스 전압을 인가한다. 이 결과, 도 5에 도시한 바와 같이 제1 인가 리드(7)와 제2 인가 리드(9) 사이에 중간 리드(8)를 통하여 직렬 접속된 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)에, 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)로부터 광을 출사시키는 동일한 크기의 구동 전류 I1이 흐른다.
제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)로부터 출사된 광(L)은, 도 6에 있어서 화살표 선으로 나타낸 바와 같이 대부분이 하방을 향하기 때문에, 포물 곡면의 반사면(2)으로 반사된다. 반사면(2)으로 반사된 후, 광(L)은 거의 평행 광선이 되고, 지지체(6)의 상면으로부터, 이 상면에 수직 방향으로 출사된다. 이로 인해, 반사형 발광 다이오드(1)로부터 출사되는 광(L)은, 포탄형의 출력면의 발광 다이오드 등에 비하여, 방향이 정렬된 지향성이 강한 광이다.
따라서, 반사형 발광 다이오드(1)에 의하면, 광(L)이 조사된 위치에서의 휘도가 높은 광을 얻을 수 있다. 또한, 반사형 발광 다이오드(1)에 의하면, 발광 소자가 1개인 경우에 비하여 출사되는 광(L)의 휘도를 높게 할 수 있다.
또한, 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)의 중앙의 인접면 사이의 갭을 0.1mm 정도로 좁게 설정함으로써, 광 출력 방향의 전방에 있어서 제1, 제2 발광 소자(11, 12)로부터의 광의 상기 갭에 대응하는 중앙 부분에서 줄무늬 형상으로 어두워지는 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 7의 (a)에 도시한 비교예인 반사형 발광 다이오드는, 제2 인가 리드(800) 상에 탑재되고, 제1 인가 리드(700)와 본딩 와이어로 접속된 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)를 갖고 있다. 이 비교예의 반사형 발광 다이오드가 출사되는 광의 휘도를 높게 하는 경우에는, 병렬 접속된 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12) 각각에, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이 구동 전류 I1을 흘릴 필요가 있다. 이로 인해, 제1 인가 리드(700)와 제2 인가 리드(800)에, I1×2의 크기의 전류가 흐른다. 그 결과, 제1 인가 리드(700)와 제2 인가 리드(800)에서의 발열량이 커진다. 또한, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)로부터 출사되는 광의 휘도를 올리기 위하여 구동 전류 I1을 크게 할수록, 제1 인가 리드(700)와 제2 인가 리드(800)에서의 발열량이 증대한다.
그러나, 도 1에 도시한 본 발명의 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드(1)에서는, 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)가 직렬 접속되므로, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)에는 구동 전류 I1이 흐를 뿐이다. 예를 들어 구동 전류 I1이 500mA인 경우, 비교예의 경우, 도 7의 (a)에 도시한 제1 인가 리드(700)와 제2 인가 리드(800)에 흐르는 전류는 1[A]이다. 한편, 본 실시 형태의 경우, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)에 흐르는 전류는 500[mA]이다. 이로 인해, 본 실시 형태의 반사형 발광 다이오드(1)에 의하면, 도 7의 (a)에 도시한 비교예에 비하여 각 리드에서의 발열량의 증대를 억제하면서, 출사광의 휘도를 높게 할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드(1)에서는, 제1 인가 리드(7)와 제2 인가 리드(9) 사이에, 중간 리드(8)를 통하여 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)가 직렬 접속된다. 이로 인해, 반사형 발광 다이오드(1)에 의하면, 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)를 병렬 접속하는 경우에 비하여, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)에 흐르는 전류를 작게 할 수 있다. 이에 의해, 복수의 발광 소자를 갖고 출사광의 휘도가 높고, 또한 리드에서의 발열량의 증대를 억제할 수 있는 반사형 발광 다이오드를 실현할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 반사형 발광 다이오드(1)에서는, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)에서 발생한 열이, 지지체(6)의 측면을 따라 배치된 광폭 리드 측면부(71, 81, 91)를 통하여 반사형 발광 다이오드(1)의 외부로 방열된다. 이로 인해, 반사형 발광 다이오드(1)의 열 저항을 저감시킬 수 있어, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)의 대전류의 통전이 가능하게 된다. 그로 인해, 반사형 발광 다이오드(1)의 고출력화가 가능하다는 이점이 있다.
도 8 및 도 9의 공정 (a) 내지 공정 (d)를 사용하여, 본 발명의 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드(1)의 제조 방법을 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 반사형 발광 다이오드(1)의 제조 방법은 일례이며, 이 변형예를 포함하고, 이외의 다양한 제조 방법에 의해 실현 가능한 것은 물론이다.
대량 생산에 있어서는, 도 8에 도시한 바와 같은, 제1 인가 리드(7) 및 제2 인가 리드(9)와, 중간 리드(8)가 양측에 대향하여 다수 횡배열로 되도록 형성된 리드 프레임(20)을 사용한다. 구체적으로는, 양호 도전성의 재료, 예를 들어 구리(Cu)를 주성분으로 하여 98％ 내지 99％ 포함하고, 약간의 철(Fe), 황(S)을 포함하고, 또한 2㎛ 내지 6㎛ 두께로 은 도금이 실시된 박판을 재료로 하고, 여기에 에칭 혹은 펀칭 가공으로 리드 프레임(20)을 형성한다.
리드 프레임(20)에 있어서, 제1 인가 리드(7)의 광폭 리드 측면부(71)로 되는 부분과 광폭 리드 하면부(72)로 되는 부분의 경계선에 상당하는 부분에, 굽힘 응력을 완화시키기 위한 응력 릴리프 구멍을 형성해도 좋다. 마찬가지로, 중간 리드(8)의 광폭 리드 측면부(81)로 되는 부분과 광폭 리드 하면부(82)로 되는 부분의 경계선에 상당하는 부분 및 제2 인가 리드(9)의 광폭 리드 측면부(91)로 되는 부분과 광폭 리드 하면부(92)로 되는 부분의 경계선에 상당하는 부분에 응력 릴리프 구멍을 형성해도 좋다.
또한, 도 8에 있어서, 제1 인가 리드(7)의 광폭 리드 하면부(72), 중간 리드(8)의 광폭 리드 하면부(82) 및 제2 인가 리드(9)의 광폭 리드 하면부(92) 각각의 단부에 상당하는 위치에 형성되어 있는 편평 타원형의 구멍(21, 22)은, 파단선(23, 24)으로 절단 가공할 때의 절단 저항을 작게 하기 위한 것이다.
상기의 리드 프레임(20)에 있어서, 도 4에 도시한 바와 같이 제1 소자 탑재용 아암(8a) 및 제2 소자 탑재용 아암(9a)에, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)를 각각 탑재하고, 와이어 본딩을 행한다. 예를 들어, 제1 소자 탑재용 아암(8a) 및 제2 소자 탑재용 아암(9a)의 선단부에, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)의 한쪽 전극을 은 페이스트로 고착한다. 계속해서, 이 고착된 제1 발광 소자(11)의 타측의 전극과 제1 와이어 접속용 아암(7a)의 선단부를 제1 본딩 와이어(101)에 의해 접속하고, 제2 발광 소자(12)의 타측의 전극과 제2 와이어 접속용 아암(8b)의 선단부를 제2 본딩 와이어(102)에 의해 접속한다. 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)에는 금선 등이 사용 가능하다.
도 9의 공정 (a) 내지 공정 (d)에, 리드 프레임(20)의 각 1조의 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9) 각각을 지지체(6)에 설치하는 수순을 나타낸다.
(가) 도 9의 공정 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)가 탑재되고, 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)에 의해 접속된 1조의 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)를, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)의 출력면을 반사면(2)을 향하여, 지지체(6)에 설치한다. 이때, 제1 인가 리드(7)의 제1 와이어 접속용 아암(7a)을 홈(37)에 끼워 맞추고, 중간 리드(8)의 제1 소자 탑재용 아암(8a) 및 제2 와이어 접속용 아암(8b)을 홈(38a) 및 홈(38b)에 각각 끼워 맞추고, 또한, 제2 인가 리드(9)의 제2 소자 탑재용 아암(9a)을 홈(39a)에 끼워 맞춘다. 이에 의해, 지지체(6)의 내부에 있어서, 제1 와이어 접속용 아암(7a), 제1 소자 탑재용 아암(8a), 제2 와이어 접속용 아암(8b) 및 제2 소자 탑재용 아암(9a)이 반사면(2)의 상방에 위치한다. 그리고, 광폭 리드 측면부(71, 81, 91) 및 광폭 리드 하면부(72, 82, 92)가 지지체(6)의 외부에 위치한다.
(나) 도 9의 공정 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 인가 리드(7)의 끼워 맞춤 부분의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록 막음부(307)를 형성하고, 중간 리드(8)의 끼워 맞춤 부분의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록 막음부(308)를 형성하고, 제1 인가 리드(7)의 끼워 맞춤 부분의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록 막음부(309)를 형성한다. 이미 설명한 바와 같이, 막음부(307 내지 309)에는 UV 경화성 수지 등이 채용 가능하다.
(다) 도 9의 공정 (c)에 도시한 바와 같이, 경화 촉매를 포함하는 고점도의 투명 에폭시 수지나 투명 실리콘 수지 등의 투명 수지(14)를, 지지체(6)의 오목부에 그 상부 테두리면까지 충전한다. 그 후, 투명 수지(14)를 80 내지 130℃에서의 분위기로에서 경화시킨다. 이에 의해, 제1 와이어 접속용 아암(7a), 제1 소자 탑재용 아암(8a), 제2 와이어 접속용 아암(8b), 제2 소자 탑재용 아암(9a), 제1 발광 소자(11), 제2 발광 소자(12), 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)를 지지체(6)와 일체화한다.
(라) 도 9의 공정 (d)에 도시한 바와 같이, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)의 지지체(6)의 외측에 나와 있는 부분에 굽힘 가공을 실시한다. 이 굽힘 가공에서는, 광폭 리드 측면부(71, 81, 91)에 상당하는 부분과 각각 연결하는, 제1 와이어 접속용 아암(7a), 제1 소자 탑재용 아암(8a), 제2 와이어 접속용 아암(8b) 및 제2 소자 탑재용 아암(9a)의 기초부를, 지지체(6)의 측면을 따르도록 하면측에 절곡함으로써 수직으로 한다. 또한, 지지체(6)의 하면에 광폭 리드 하면부(72, 82, 92)에 상당하는 부분이 접하도록, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)를 내측에 절곡한다. 이와 같이 하여, 1조의 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9) 각각이 역ㄷ자 형상을 이루도록 절곡되어, 굽힘 가공이 완료된다. 이 굽힘 가공이 완료되면, 도 1에 도시한 반사형 발광 다이오드(1)가 완성된다. 또한, 필요에 따라, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9) 각각의 광폭 리드 하면부(72, 82, 92)는, 지지체(6)의 하면에 땜납으로 고정해도 좋다.
도 1에 도시한 반사형 발광 다이오드(1)에서는, 제1 와이어 접속용 아암(7a), 제1 소자 탑재용 아암(8a), 제2 와이어 접속용 아암(8b) 및 제2 소자 탑재용 아암(9a) 각각의 선단부가, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)가 배치된 벽면과 평행한 방향을 따라 배치되어 있다. 이로 인해, 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)는, 제1 와이어 접속용 아암(7a)이나 제2 와이어 접속용 아암(8b)이 연신하는 방향(이하에 있어서 「아암 연신 방향」이라고 한다)과 수직 방향(이하에 있어서 「본딩 방향」이라고 한다)을 따라 배선되어 있다. 이로 인해, 이하와 같은 효과가 있다.
반사형 발광 다이오드(1)의 제조에 있어서는, 투명 수지(14)를 경화시켜 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102) 등을 지지체(6)의 오목부 내에 고정한 후에, 지지체(6)의 외측에 있어서 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)를 절곡하는 가공을 행한다. 이 절곡하는 가공 시에 발생하는 응력에 의해, 제1 와이어 접속용 아암(7a)과 제1 소자 탑재용 아암(8a)간 및 제2 와이어 접속용 아암(8b)과 제2 소자 탑재용 아암(9a)간에, 각각의 선단부를 분리하는 힘이 아암 연신 방향으로 작용한다. 그러나, 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)는, 아암 연신 방향에 대하여 수직인 본딩 방향을 따라 배선되어 있다. 이로 인해, 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)는, 절곡하는 가공 시에 발생하는 선단부를 분리하는 힘에 의해 인장되는 일이 없다. 이 결과, 제1 인가 리드(7), 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)를 역ㄷ자 형상으로 굽힘 가공할 때에 발생하던 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)의 단선을 효과적으로 방지할 수 있어, 반사형 발광 다이오드(1)의 제조 수율이 향상된다.
또한, 지지체(6)의 오목부 내에 배치된 중간 리드(8)의 상변의 일부 위치 고정부(8c) 및 제2 인가 리드(9)의 상변의 일부 위치 고정부(9b)는 굽힘 가공 시에 큰 저항이 되어, 중간 리드(8) 및 제2 인가 리드(9)가 투명 수지(14) 내에서 위치 어긋나는 것을 효과적으로 억제하여, 결과적으로 제품 수율의 한층 더한 향상이 도모된다.
상기와 같은 본 발명의 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드(1)의 제조 방법에 의하면, 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)를 종속 접속함으로써, 복수의 발광 소자를 갖고, 또한 리드에서의 발열량의 증대를 억제할 수 있고, 따라서 고휘도 발광이 가능한 반사형 발광 다이오드(1)를 제공할 수 있다.
(제2 실시 형태-반사형 발광 다이오드 발광 장치)
본 발명의 제2 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드 발광 장치에 대해서, 도 10 내지 도 12를 사용하여 설명한다. 본 실시 형태의 반사형 발광 다이오드 발광 장치는, 반사형 발광 다이오드(1A)를 실장 기판(50)에 실장하여 이루어지는 것이다. 반사형 발광 다이오드(1A)는, 도 1에 도시한 제1 실시 형태의 반사형 발광 다이오드(1)와는 리드의 구조가 상이하다. 그리고, 실장 기판(50)측의 전극(51 내지 53)에 의해 반사형 발광 다이오드(1A)에 마운트되어 있는 2개의 발광 소자(11, 12)를 직렬 접속으로 하는 점을 특징으로 하고 있다.
도 10에 도시한 바와 같이, 반사형 발광 다이오드(1A)는, 내부에 오목면 형상의 반사면(2)을 갖는 지지체(6)와, 반사면(2)의 상방 중앙부로부터 지지체(6)의 서로 대향하는 제1, 제2 벽면 각각을 향하여 수평하게 연장되는 와이어 접속용 아암(7a1, 7a2)을 갖는 제1 인가 리드(7-1, 7-2)와, 반사면(2)의 상방 중앙부로부터 지지체(6)의 제1, 제2 벽면 각각을 향하여 수평하게 연장되는 소자 탑재용 아암(9a1, 9a2)을 갖는 제2 인가 리드(9-1, 9-2)와, 반사면(2)의 상방 중앙부에 있어서 편측의 소자 탑재용 아암(9a1)의 선단부에 반사면(2)과 대향하여 탑재되고, 또한 편측의 와이어 접속용 아암(7a1)과 전기적으로 접속된 제1 발광 소자(11)와, 반사면(2)의 상방 중앙부에 있어서 타측의 소자 탑재용 아암(9a2)의 선단부에 반사면(2)과 대향하여 탑재되고, 또한 타측의 와이어 접속용 아암(7a2)과 전기적으로 접속된 제2 발광 소자(12)를 구비하고 있다.
도 10에 도시한 반사형 발광 다이오드(1A)에서는, 편측의 와이어 접속용 아암(7a1)에 있어서의 반사면(2)의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 제1 발광 소자(11)가, 제1 본딩 와이어(101)에 의해 전기적으로 접속된다. 또한, 타측의 와이어 접속용 아암(7a2)에 있어서의 반사면(2)의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 제2 발광 소자(12)가, 제2 본딩 와이어(102)에 의해 전기적으로 접속된다. 또한, 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)의 중앙의 인접면간의 갭은 0.1mm 정도로 설정되어 있다. 이에 의해, 제1, 제2 발광 소자(11, 12) 각각이 발광할 때에 광 출력 방향의 전방에 있어서, 갭에 대응하는 부분만 줄무늬 형상으로 어두워지는 현상을 방지하고 있다.
도 10에 도시한 바와 같이, 제1 인가 리드(7-1, 7-2) 각각은, 제1 와이어 접속용 아암(7a1, 7a2), 지지체(6)의 벽면을 따라 배치된 광폭 리드 측면부(71-1, 71-2) 및 지지체(6)의 하면을 따라 배치된 광폭 리드 하면부(72-1, 72-2)를 갖는다. 제2 인가 리드(9-1, 9-2) 각각은, 제2 소자 탑재용 아암(9a1, 9a2), 지지체(6)의 벽면을 따라 배치된 광폭 리드 측면부(91-1, 91-2) 및 지지체(6)의 하면을 따라 배치된 광폭 리드 하면부(92-1, 92-2)를 갖는다. 즉, 제1 인가 리드(7-1, 7-2) 및 제2 인가 리드(9-1, 9-2) 각각은 실장 기판(50)에 실장할 수 있도록 지지체(6)의 외측면을 따라 역ㄷ자 형상으로 절곡되어 있다.
도 12에 도시한 바와 같이, 지지체(6) 그 자체의 구조는 도 1에 도시한 제1 실시 형태와 마찬가지이며, 도 12에 있어서 도 1과 공통되는 부분에는 공통된 부호를 붙여 나타내고 있다. 도 12에 도시한 바와 같이, 편측의 제1 인가 리드(7-1)의 제1 와이어 접속용 아암(7a1)이 홈(37)에 끼워 맞추어져 있다. 또한, 편측의 제2 인가 리드(9-1)의 소자 탑재용 아암(9a1)이 홈(39a)에 끼워 맞추어져 있다. 타측의 제2 인가 리드(9-2)의 소자 탑재용 아암(9a2)과 타측의 제1 인가 리드(7-2)의 와이어 접속용 아암(7a2)이, 홈(38a) 및 홈(38b)에 각각 끼워 맞추어져 있다. 또한, 홈(39b)에 편측의 제2 인가 리드(9-1)의 상변의 일부의 위치 고정부(9b1)가 끼워 맞추어지고, 홈(38c)에 타측의 제2 인가 리드(9-2)의 상변의 일부의 위치 고정부(9b2)가 끼워 맞추어져 있다.
또한, 지지체(6)의 홈(37)에 있어서, 편측의 제1 인가 리드(7-1)의 끼워 맞춤 부분의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록, 막음부(307)가 형성되어 있다. 그리고, 지지체(6)의 홈(39a, 39b)에 있어서, 편측의 제2 인가 리드(9-1)의 끼워 맞춤 부분의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록 막음부(309)가 형성되어 있다. 마찬가지로, 지지체(6)의 홈(38a 내지 38c)에 있어서, 타측의 제2 인가 리드(9-2), 제1 인가 리드(7-2)의 끼워 맞춤 부분 각각의 상면부터 지지체(6)의 상부 테두리면까지의 단차를 막도록 막음부(308)가 형성되어 있다.
막음부(307 내지 309)의 재질, 작용은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 지지체(6)의 오목부 내에 충전하는 재료와 그 역할에 대해서도 제1 실시 형태와 공통된다. 또한, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)에 대한 와이어 본딩 형태나 발광 특성도 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
도 10의 (d)에 도시한 바와 같이, 제1 인가 리드(7-1, 7-2)의 광폭 리드 하면부(72-1, 72-2) 및 제2 인가 리드(9-1, 9-2)의 광폭 리드 하면부(92-1, 92-2)는 지지체(6)의 하면에 배치되어 있다. 그리고, 도 11, 도 12에 자세히 도시한 바와 같이, 이들 광폭 리드 하면부(72-1, 72-2) 및 광폭 리드 하면부(92-1, 92-2)를, 실장 기판(50) 상의 배선 패턴(51 내지 53)에 접속하도록 반사형 발광 다이오드(1A)를 실장 기판(50)에 표면 실장함으로써 본 실시 형태의 반사형 발광 다이오드 발광 장치가 형성된다.
실장 기판(50)의 배선 패턴(51, 53) 각각에는, 편측의 제1 인가 리드(7-1)의 광폭 리드 하면부(72-1), 편측의 제2 인가 리드(9-1)의 광폭 리드 하면부(92-1) 각각이 예를 들어 땜납 등에 의해 접속되고, 실장 기판(50)의 중간 배선 패턴(52)에는, 타측의 제1 인가 리드(7-2)의 광폭 리드 하면부(72-2)와 타측의 제2 인가 리드(9-2)의 광폭 리드 하면부(92-2)가, 예를 들어 땜납 등에 의해 동시에 접속되어 있다. 이에 의해, 실장 기판(50) 상의 배선 패턴(51 내지 53)을 통하여 편측의 제1 인가 리드(7-1), 타측의 제2 인가 리드(9-2), 타측의 제1 인가 리드(7-2), 편측의 제2 인가 리드(9-1)가 직렬 접속되고, 제1, 제2 발광 소자(11, 12)에 직렬로 소정의 전압이 인가되도록 되어 있다.
본 실시 형태에 있어서의 반사형 발광 다이오드(1A)의 전기적 특성은 제1 실시 형태와 마찬가지이며, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)가 캐소드측을 출력면으로 하는 경우, 편측의 제1 인가 리드(7-1)에 마이너스 전압을 인가하고, 편측의 제2 인가 리드(9-1)에 플러스 전압을 인가하면, 도 5에 도시한 바와 같이, 편측의 제1 인가 리드(7-1)와 편측의 제2 인가 리드(9-1) 사이에 타측의 제2 인가 리드(9-2)와 타측의 제1 인가 리드(7-2)를 통하여 직렬 접속된 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)에 동일한 크기의 구동 전류 I1이 흐른다.
제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)로부터 출사된 광(L)의 발광 형태도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 도 6에 도시한 것이며, 본 실시 형태의 반사형 발광 다이오드 발광 장치에 의해서도 반사형 발광 다이오드(1A)로부터 출사되는 광(L)은, 포탄형의 출력면의 발광 다이오드 등에 비하여, 방향이 정렬된 지향성이 강한 광이다.
그 외에, 본 실시 형태에 관한 반사형 발광 다이오드 발광 장치에서도, 반사형 발광 다이오드(1A)의 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)가 직렬 접속되어 있으므로, 제1 발광 소자(11)와 제2 발광 소자(12)를 병렬 접속하는 LED 발광 장치에 비하여, 제1 인가 리드(7-1, 7-2) 및 제2 인가 리드(9-1, 9-2)에 흐르는 전류를 작게 할 수 있고, 이에 의해, 복수의 발광 소자를 갖고 출사광의 휘도가 높고, 또한 리드에서의 발열량의 증대를 억제할 수 있는 반사형 발광 다이오드 발광 장치를 실현할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 반사형 발광 다이오드 발광 장치에 있어서도, 반사형 발광 다이오드(1A)의 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)에서 발생한 열이, 지지체(6)의 측면을 따라 배치된 광폭 리드 측면부(71-1, 71-2, 91-1, 91-2)를 통하여 반사형 발광 다이오드(1A)의 외부로 방열된다. 이로 인해, 반사형 발광 다이오드(1A)의 열 저항을 저감시킬 수 있어, 제1 발광 소자(11) 및 제2 발광 소자(12)의 대전류의 통전이 가능하게 되고, 그 결과 반사형 발광 다이오드(1A)의 고출력화가 가능하다는 이점이 있다.
또한, 본 실시 형태의 반사형 발광 다이오드 발광 장치에 사용하는 반사형 발광 다이오드(1A)의 제조 방법은, 제1 실시 형태와 마찬가지로 도 8 및 도 9에 도시한 것을 채용할 수 있다. 또한, 그에 따라, 제1 실시 형태에 있어서의 반사형 발광 다이오드(1A)의 제조에 있어서도, 제1 실시 형태의 반사형 발광 다이오드(1)의 제조의 경우와 마찬가지로, 제1 인가 리드(7-1, 7-2) 및 제2 인가 리드(9-1, 9-2)를 역ㄷ자 형상으로 굽힘 가공할 때에 발생하던 제1 본딩 와이어(101) 및 제2 본딩 와이어(102)의 단선을 효과적으로 방지할 수 있어, 반사형 발광 다이오드(1)의 제조 수율이 향상된다.
또한, 지지체(6)의 오목부 내에 배치된 제2 인가 리드(9-1, 9-2)의 상변의 일부의 위치 고정부(9b1, 9b2)가 굽힘 가공 시에 큰 저항이 되어 제2 인가 리드(9-1, 9-2)가 투명 수지(14) 내에서 위치 어긋나는 것을 효과적으로 억제하여, 결과적으로 이 면에서도 제품 수율의 향상이 도모된다.
(기타 실시 형태)
상기한 바와 같이 본 발명은 실시 형태에 의해 기재했지만, 이 개시의 일부를 이루는 논술 및 도면은 본 발명을 한정하는 것으로 이해해서는 안된다. 이 개시로부터 당업자에게는 여러 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 명확해질 것이다.
예를 들어, 이미 설명한 실시 형태의 설명에 있어서는 2개의 발광 소자가 실장되어 있었지만, 3개 이상의 발광 소자가 직렬 접속되어 실장된 반사형 발광 다이오드를 실현할 수 있다. 또한, 제1 인가 리드(7)와 제2 인가 리드(9)가 지지체(6)의 동일한 벽면에 배치된 예를 나타냈지만, 지지체(6)의 다른 벽면에 제1 인가 리드(7)와 제2 인가 리드(9)를 배치해도 좋다.
이와 같이, 본 발명은 여기에서는 기재하지 않은 여러 실시 형태 등을 포함하는 것은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 상기의 설명으로부터 타당한 특허 청구 범위에 관한 발명 특정 사항에 의해서만 정해지는 것이다.

Claims (4)

  1. 반사형 발광 다이오드로서,
    내부에 오목면 형상의 반사면을 갖는 지지체와,
    상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 제1 와이어 접속용 아암을 갖는 제1 인가 리드와,
    상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 상기 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면을 향하여 수평하게 각각 연장되는 제1 소자 탑재용 아암 및 제2 와이어 접속용 아암을 갖는 중간 리드와,
    상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 상기 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 제2 소자 탑재용 아암을 갖는 제2 인가 리드와,
    상기 반사면의 상방 중앙부에 있어서 상기 제1 소자 탑재용 아암의 선단부에 상기 반사면과 대향하여 탑재된 제1 발광 소자와,
    상기 반사면의 상방 중앙부에 있어서 상기 제2 소자 탑재용 아암의 선단부에 상기 반사면과 대향하여 탑재된 제2 발광 소자와,
    상기 제1 와이어 접속용 아암에 있어서의 상기 반사면의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 상기 제1 발광 소자를 접속하는 제1 본딩 와이어와,
    상기 제2 와이어 접속용 아암에 있어서의 상기 반사면의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 상기 제2 발광 소자를 접속하는 제2 본딩 와이어를 구비한 것을 특징으로 하는 반사형 발광 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 와이어 접속용 아암, 상기 제2 와이어 접속용 아암, 상기 제1 소자 탑재용 아암 및 상기 제2 소자 탑재용 아암 각각의 상기 선단부가, 상기 제1 및 상기 제2 벽면과 평행 방향을 따라 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 발광 다이오드.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 인가 리드, 상기 중간 리드 및 상기 제2 인가 리드 각각이, 상기 지지체의 외측면을 따라 절곡되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 발광 다이오드.
  4. 반사형 발광 다이오드 발광 장치로서,
    내부에 오목면 형상의 반사면을 갖는 지지체와, 상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 와이어 접속용 아암을 갖는 편측의 제1 인가 리드와, 상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 상기 제1 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 소자 탑재용 아암을 갖는 편측의 제2 인가 리드와, 상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 상기 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 소자 탑재용 아암을 갖는 타측의 제2 인가 리드와, 상기 반사면의 상방 중앙부로부터 상기 지지체의 상기 제1 벽면에 대향하는 제2 벽면을 향하여 수평하게 연장되는 와이어 접속용 아암을 갖는 타측의 제1 인가 리드와, 상기 반사면의 상방 중앙부에 있어서 상기 편측의 제2 인가 리드의 소자 탑재용 아암의 선단부에 상기 반사면과 대향하여 탑재된 제1 발광 소자와, 상기 반사면의 상방 중앙부에 있어서 상기 타측의 제2 인가 리드의 소자 탑재용 아암의 선단부에 상기 반사면과 대향하여 탑재된 제2 발광 소자와, 상기 편측의 제1 인가 리드의 와이어 접속용 아암에 있어서의 상기 반사면의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 상기 제1 발광 소자를 접속하는 제1 본딩 와이어와, 상기 타측의 제1 인가 리드의 와이어 접속용 아암에 있어서의 상기 반사면의 상방 중앙부에 위치하는 선단부와 상기 제2 발광 소자를 접속하는 제2 본딩 와이어를 구비하고, 상기 편측, 타측 각각의 제1 인가 리드 및 상기 편측, 타측 각각의 제2 인가 리드가, 상기 지지체의 외측면을 따라서 절곡되어 있는 반사형 발광 다이오드와,
    상기 편측의 제1 인가 리드, 편측의 제2 인가 리드 각각의 상기 지지체의 저면측에 절곡되어 있는 리드 하면부 각각에 접속되는 서로 분리된 전압 인가용의 배선 패턴과, 상기 타측의 제1 인가 리드, 타측의 제2 인가 리드 각각의 상기 지지체의 저면측에 절곡되어 있는 리드 하면부 각각에 함께 접속되는 중간 배선 패턴을 구비한 실장 기판으로 이루어지고,
    상기 편측의 제1 인가 리드, 편측의 제2 인가 리드 각각의 리드 하면부 각각을 상기 서로 이격된 전압 인가용의 배선 패턴에 개별로 접속하고, 상기 타측의 제1 인가 리드, 타측의 제2 인가 리드 각각의 리드 하면부 각각을 상기 중간 배선 패턴에 함께 접속하고, 상기 실장 기판 상의 상기 전압 인가용 배선 패턴 및 중간 배선 패턴을 통하여 편측의 제1 인가 리드, 타측의 제2 인가 리드, 타측의 제1 인가 리드, 편측의 제2 인가 리드를 직렬 접속한 것을 특징으로 하는 반사형 발광 다이오드 발광 장치.
KR1020117023734A 2009-03-16 2010-03-11 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치 KR101630479B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009062766 2009-03-16
JPJP-P-2009-062766 2009-03-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110128196A true KR20110128196A (ko) 2011-11-28
KR101630479B1 KR101630479B1 (ko) 2016-06-14

Family

ID=42739623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117023734A KR101630479B1 (ko) 2009-03-16 2010-03-11 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5630436B2 (ko)
KR (1) KR101630479B1 (ko)
WO (1) WO2010106963A1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3982635B2 (ja) 2003-04-16 2007-09-26 株式会社 オプトデバイス研究所 反射型発光ダイオード
KR20080055587A (ko) * 2006-12-13 2008-06-19 가부시키가이샤 펄 덴큐 세이사쿠쇼 발광 다이오드
KR20110025999A (ko) * 2008-08-01 2011-03-14 가부시키가이샤 파루 라이팅구 반사형 발광 다이오드

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01143366A (ja) * 1987-11-30 1989-06-05 Iwasaki Electric Co Ltd Ｌｅｄ面発光光源
JP2629985B2 (ja) * 1989-11-30 1997-07-16 岩崎電気株式会社 発光ダイオード
JPH07211940A (ja) * 1994-01-21 1995-08-11 Rohm Co Ltd 平面発光型ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
JPH0968936A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JPH1041551A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオードランプ組立体
JP2004266246A (ja) * 2003-02-12 2004-09-24 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2006005337A (ja) * 2004-05-17 2006-01-05 Tabuchi Electric Co Ltd 複合型反射型発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3982635B2 (ja) 2003-04-16 2007-09-26 株式会社 オプトデバイス研究所 反射型発光ダイオード
KR20080055587A (ko) * 2006-12-13 2008-06-19 가부시키가이샤 펄 덴큐 세이사쿠쇼 발광 다이오드
JP2008147575A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Pearl Denkyu Seisakusho:Kk 発光ダイオード
KR20110025999A (ko) * 2008-08-01 2011-03-14 가부시키가이샤 파루 라이팅구 반사형 발광 다이오드

Also Published As

Publication number Publication date
KR101630479B1 (ko) 2016-06-14
JPWO2010106963A1 (ja) 2012-09-20
JP5630436B2 (ja) 2014-11-26
WO2010106963A1 (ja) 2010-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8089092B2 (en) Semiconductor light emitting device
US8735931B2 (en) Light emitting diode package and fabrication method thereof
WO2011136358A1 (ja) Ｌｅｄモジュール
KR20120070213A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US10492300B2 (en) Light-emitting module
WO2011136357A1 (ja) Ｌｅｄモジュール
JP2012129272A (ja) 発光ダイオード
CN110611024A (zh) 发光模块及发光模块的制造方法
KR20130128413A (ko) 발광 장치와 회로 기판의 제조 방법
KR20110128196A (ko) 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치
JP6322828B2 (ja) 発光モジュールおよび発光装置
KR20140008911A (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
KR101217949B1 (ko) 반사형 발광 다이오드
JP2009152227A (ja) 反射型発光ダイオード
JP6064415B2 (ja) 発光装置
KR100754884B1 (ko) 발광소자 및 이의 제조 방법
JP2016018990A (ja) パッケージ構造及びその製法並びに搭載部材
KR101815963B1 (ko) 칩 패키지 및 칩 패키지 제조방법
JP2008103402A (ja) 上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体および上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体の製造方法
US20230197886A1 (en) Semiconductor apparatus
JP6986453B2 (ja) 半導体レーザ装置
KR20110119200A (ko) 발광 장치
CN109873072B (zh) 发光装置、发光二极管封装结构及其制造方法
KR100737822B1 (ko) 고광택 도금층을 구비하는 리드프레임을 채택한 발광다이오드 패키지
KR101078034B1 (ko) 발광소자 패키지, 이를 구비한 백라이트 유닛 및 발광소자 패키지 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190320

Year of fee payment: 4