KR20110124112A - Method for fabricating flexible cis based solar cell using laser lift off - Google Patents
Method for fabricating flexible cis based solar cell using laser lift off Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110124112A KR20110124112A KR1020100075606A KR20100075606A KR20110124112A KR 20110124112 A KR20110124112 A KR 20110124112A KR 1020100075606 A KR1020100075606 A KR 1020100075606A KR 20100075606 A KR20100075606 A KR 20100075606A KR 20110124112 A KR20110124112 A KR 20110124112A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- substrate
- flexible
- manufacturing
- sacrificial layer
- Prior art date
Links
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 101
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
- H01L31/03928—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate including AIBIIICVI compound, e.g. CIS, CIGS deposited on metal or polymer foils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로 광흡수층으로 CuInSe2(CIS) 박막을 이용하는 CIS계 태양전지를 레이저 리프트 오프 공정을 통해 플렉서블 기판으로 전사하여 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell, and more particularly, to a method of manufacturing a flexible CIS solar cell by transferring a CIS solar cell using a CuInSe 2 (CIS) thin film as a light absorption layer to a flexible substrate through a laser lift-off process. will be.
오늘날 인류가 사용하고 있는 화석에너지는 매장량이 한정되어 있을 뿐 아니라 심각한 공해를 유발하기 때문에 태양광, 풍력, 조력, 핵에너지 등 대체에너지에 대한 연구에 관심이 집중되고 있다. 그 중에 태양에너지는 환경적인 면에서나, 저장량면에서, 바람직한 에너지 자원으로 많은 연구가 수행되어지고 있다. 그러나 아직까지도 태양전지가 널리 사용되고 있지 못한 이유는 화석연료나 핵에너지의 발전비용에 비해 상대적으로 매우 비싸기 때문이다. 따라서 최근에는 생산원가가 저렴하면서도 높은 에너지 변환효율을 갖는 비정질 또는 결정질 박막을 이용한 태양전지가 널리 연구되고 있다. The fossil energy used by humans today is not only limited in reserves, but also causes serious pollution, so attention is being focused on research on alternative energy such as solar, wind, tidal power, and nuclear energy. Among them, solar energy has been researched as a desirable energy source in terms of environment and storage amount. However, solar cells are not widely used yet because they are relatively expensive compared to the cost of generating fossil fuels or nuclear energy. Therefore, recently, solar cells using amorphous or crystalline thin films having low production costs and high energy conversion efficiency have been widely studied.
그러나 단결정 또는 다결정 실리콘 태양전지는 광흡수층으로 단결정 또는 다결정 실리콘 박막을 사용하는데 단결정 또는 다결정 실리콘 박막을 형성하는데 필요한 열처리 공정으로 인하여 제조 공정이 복잡하고 제조 비용이 상승한다는 문제점을 가진다. 이러한 단결정 또는 다결정 실리콘 태양전지가 가지는 문제점을 극복하기 위하여 광흡수층으로 비정질 실리콘 박막을 사용하는 비정질 실리콘 태양전지는 기존 결정질 실리콘 태양전지의 약 1/100의 두께만으로 제조가 가능하며 높은 열처리 공정이 불필요하여 제조 원가를 낮출 수 있으나, 결정질 실리콘 태양전지에 비하여 에너지 변환효율이 낮다는 문제점을 가진다.However, the single crystal or polycrystalline silicon solar cell has a problem in that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is increased due to the heat treatment process required to form the single crystal or polycrystalline silicon thin film when the single crystal or polycrystalline silicon thin film is used as the light absorption layer. In order to overcome the problems of such monocrystalline or polycrystalline silicon solar cells, an amorphous silicon solar cell using an amorphous silicon thin film as a light absorption layer can be manufactured with a thickness of about 1/100 of a conventional crystalline silicon solar cell and does not require a high heat treatment process. The manufacturing cost can be lowered, but the energy conversion efficiency is lower than that of crystalline silicon solar cells.
종래 비정질 또는 결정질 실리콘 태양전지가 가지는 문제점을 극복하기 위하여 화합물계 태양전지가 개발되어 많은 연구가 진행되고 있다. 화합물계 태양전지 중 CIS계 태양전지는 CuInSe2, Cu(InxGa1-x)Se2, CuInS 등을 사용하거나 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 복합물을 광흡수층으로 사용하는 태양전지로 박막형 태양전지 중 높은 에너지 변환효율을 나타내고 있다. 실험적으로 CIS계 태양전지는 최고 18.8%의 에너지 변환효율을 보이고 있어 기존의 결정질 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 저가 고효율의 태양전지로 그 상업화 가능성이 매우 높을 것으로 예상된다.In order to overcome the problems of conventional amorphous or crystalline silicon solar cells, compound-based solar cells have been developed and many studies have been conducted. Among CIS-based solar cells, CIS-based solar cells are CuInSe 2 , Cu (In x Ga 1-x ) Se 2 , CuInS, etc. or I-III-VI composites as the light absorption layer. High energy conversion efficiency is shown. Experimentally, CIS solar cell shows energy conversion efficiency of up to 18.8%, so it is expected to be commercialized as a low-cost, high-efficiency solar cell that can replace the existing crystalline silicon solar cell.
종래 CIS계 태양전지에서 광흡수층은 단위 금속(Cu, In, Ga, Se 등)을 증착 형성하기 위하여 500℃ 이상의 고온 기판을 사용하여야 하며, 따라서 높은 열처리 공정에서 상천이가 쉽게 이루어지지 않는 유리기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판 등을 사용하였다. 그러나 유리기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판은 플렉서블한 성질이 적어 유연한 성질을 가지는 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조하기 곤란하다는 문제점을 가진다.In the conventional CIS solar cell, the light absorbing layer should use a high temperature substrate of 500 ° C. or higher to deposit and form unit metals (Cu, In, Ga, Se, etc.), and thus, glass substrates that are not easily transitioned in a high heat treatment process. , Sapphire substrate, ceramic substrate and the like were used. However, the glass substrate, the sapphire substrate, and the ceramic substrate have a problem in that it is difficult to manufacture a flexible CIS solar cell having a flexible property because of its low flexibility.
유연한 성질을 가지는 플렉서블 CIS 태양전지를 제조하기 위하여, 기판의 선택이 중요한데 플렉서블 CIS 태양전지를 제조하기 위한 기판으로 재료의 가격이 유리보다 저렴하고 높은 기판온도에서 열적 안정성이 우수하며 소자층과 열팽창 계수가 유사하여야 한다는 성질을 가져야 한다. 통상적으로 플렉서블 CIS 태양전지 기판으로 금속 폴리(poli)나 열적 안정성이 높은 폴리머를 사용하는데, 금속 폴리 중 구리, 알루미늄은 티타늄보다 저가이나 열팽창계수가 소자층과 크게 차이난다는 문제점을 가지며, 티타늄의 열팽창계수는 소자층과 유사하나 비용이 비싸다는 문제점을 가진다. 한편, 폴리머의 경우 높은 열처리 공정을 극복하기 위한 고가의 폴리머를 사용하여야 하며 폴리머의 특성상 기판 온도가 낮아서 에너지 변환효율이 높은 광흡수층을 제조하기 곤란하다는 문제점을 가진다.In order to manufacture flexible CIS solar cells with flexible properties, the choice of substrate is important. It is a substrate for manufacturing flexible CIS solar cells, which is cheaper than glass, has excellent thermal stability at high substrate temperature, device layer and coefficient of thermal expansion. Should be similar. Typically, a flexible CIS solar cell substrate uses a metal poly (poli) or a polymer having high thermal stability. Among the metal poly, copper and aluminum have a problem that the coefficient of thermal expansion differs significantly from that of the device layer. The coefficient of thermal expansion is similar to that of the device layer but has a problem of high cost. On the other hand, the polymer has to use an expensive polymer to overcome the high heat treatment process and has a problem that it is difficult to manufacture a light absorption layer having a high energy conversion efficiency because the substrate temperature is low due to the characteristics of the polymer.
본 발명은 위에서 설명한 종래 플렉서블 CIS 태양 전지 제조 방법이 가지는 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 목적은 저렴하며 에너지 변환 효율이 높은 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the problems of the conventional flexible CIS solar cell manufacturing method described above, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a flexible CIS-based solar cell with a low cost and high energy conversion efficiency.
본 발명이 이루고자 하는 다른 목적은 레이저 리프트 오프 공정을 통해 간단한 공정한 저렴한 비용으로 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a flexible CIS solar cell at a simple and low cost through a laser lift-off process.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 목적은 레이저 리프트 오프 공정을 위한 희생층으로 Ga-O-N 계열을 사용하여 모재 기판과 희생층을 완벽히 분리함으로써, 전사 과정을 통해 제조한 플렉서블 CIS계 태양전지의 광손실과 누설 전류를 줄일 수 있는 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light loss of the flexible CIS solar cell manufactured by the transfer process by completely separating the base substrate and the sacrificial layer using the Ga-ON series as a sacrificial layer for the laser lift-off process It is to provide a method for manufacturing a flexible CIS-based solar cell that can reduce the leakage current.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법은 모재 기판 위에 희생층을 형성하는 단계와, 희생층 위에 순차적으로 배면전극, 광흡수층, 버퍼층, 전면전극을 형성하여 태양전지 모듈을 제조하는 단계와, 모재 기판에 레이저를 조사하여 모재 기판과 상기 태양전지 모듈을 분리하는 단계와, 분리한 태양전지 모듈을 플렉서블 기판으로 전사하는 단계를 포함한다. 여기서 분리한 태양전지 모듈을 플렉서블 기판으로 전사하기 위하여, 분리한 태양전지 모듈을 임시 접착층에 접착한 후 플렉서블 기판 위에 배치되어 있는 영구 접착층에 접착시켜 플렉서블 기판으로 전사시킨다.In order to achieve the object of the present invention, the method for manufacturing a flexible CIS solar cell according to the present invention comprises the steps of forming a sacrificial layer on the base substrate, and sequentially forming a back electrode, a light absorption layer, a buffer layer, a front electrode on the sacrificial layer And manufacturing a solar cell module, irradiating a laser on the base substrate to separate the base substrate and the solar cell module, and transferring the separated solar cell module to the flexible substrate. In order to transfer the separated solar cell module to the flexible substrate, the separated solar cell module is adhered to the temporary adhesive layer and then adhered to the permanent adhesive layer disposed on the flexible substrate to be transferred to the flexible substrate.
바람직하게, 광흡수층은 CuInSe2(CIS) 또는 Cu(InGa)Se2(CIGS) 화합물 반도체막으로 형성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the light absorption layer is formed of a CuInSe 2 (CIS) or Cu (InGa) Se 2 (CIGS) compound semiconductor film.
바람직하게, 희생층은 GaO, GaN 또는 GaON 중 어느 하나이며, GaON 희생층은 스퍼터링 공정을 통해 10㎛ 이내의 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the sacrificial layer is any one of GaO, GaN or GaON, characterized in that the GaON sacrificial layer is formed to a thickness of less than 10㎛ through the sputtering process.
본 발명에 따른 플렉서블 CIS계 태양 전지의 제조 방법은 종래 플렉서블 CIS계 태양 전지의 제조 방법과 비교하여 다음과 같은 다양한 효과들을 가진다.The manufacturing method of the flexible CIS solar cell according to the present invention has various effects as follows compared to the manufacturing method of the conventional flexible CIS solar cell.
첫째, 본 발명에 따른 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법은 모재 기판에 제한없이 높은 에너지 변환효율을 가지는 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조할 수 있는 방법을 제공함으로써, 앞으로 모재 기판에 제한없이 다양한 광흡수층을 적용한 플렉서블 CIS계 태양전지를 개발할 수 있다. First, the method for manufacturing a flexible CIS solar cell according to the present invention provides a method for manufacturing a flexible CIS solar cell having a high energy conversion efficiency without limiting the base substrate, and thus, various light absorbing layers without limitation on the base substrate in the future. Flexible CIS solar cell can be developed.
둘째, 본 발명에 따른 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법은 레이저 리프트 오프 공정을 이용하여 유리 기판, 사파이어 기판 등에서 형성된 광흡수층을 플렉서블 기판으로 전사하여 제조함으로써, 저렴한 비용으로 높은 에너지 변환효율을 가지는 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조할 수 있다.Second, the method for manufacturing a flexible CIS solar cell according to the present invention is manufactured by transferring a light absorption layer formed from a glass substrate, a sapphire substrate, or the like to a flexible substrate by using a laser lift-off process, thereby having a high energy conversion efficiency at a low cost. A CIS solar cell can be manufactured.
셋째, 본 발명에 따른 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법은 레이저 리프트 오프 공정에 사용되는 희생층으로 Ga-O-N 계열을 사용하여 모재 기판과 희생층을 완벽하게 분리함으로써, 누설 전류를 줄여 높은 에너지 변환효율을 가지는 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조할 수 있다. Third, the manufacturing method of the flexible CIS solar cell according to the present invention is a sacrificial layer used in the laser lift-off process by using Ga-ON series to completely separate the base substrate and the sacrificial layer, reducing the leakage current to high energy conversion A flexible CIS solar cell having efficiency can be manufactured.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 CIS계 태양전지 모듈을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 GaON 희생층의 투과율 곡선을 도시하고 있다.
도 3은 본 발명에 따른 진공증착 장치의 일 예를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 리프트 오프 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 레이저 리프트 오프 공정을 통해 모재 기판이 박리된 태양전지 모듈로부터 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a method for manufacturing a CIS-based solar cell module according to an embodiment of the present invention.
2 shows the transmittance curve of the GaON sacrificial layer.
3 shows an example of a vacuum deposition apparatus according to the present invention.
4 is a view for explaining a laser lift-off process according to the present invention.
FIG. 5 is a view for explaining a process of manufacturing a flexible CIS solar cell from a solar cell module in which a base substrate is separated through a laser lift-off process.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 CIS계 태양전지 모듈을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a method for manufacturing a CIS-based solar cell module according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참고로 살펴보면, 모재 기판(110) 위에 희생층(120)을 형성하고, 희생층(120) 위에 순차적으로 배면 전극(130), 광흡수층(140), 버퍼층(150), 윈도우층(160), 반사방지막(170) 및 전면 전극(180)을 형성한다.Referring to FIG. 1, the
모재 기판(110)은 유리 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판이나 금속 폴리 또는 폴리머 기판이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것이 아니라 600℃ 이상의 높은 기판온도에서 열적 안정성을 가지는 다양한 종류의 모재 기판이 사용될 수 있으며 이는 본 발명의 범위에 속한다.The
희생층(120)은 레이저 리프트 오프 공정에서 157nm 내지 350nm 파장를 가지는 다양한 종류의 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수할 수 있는 물질로 Ga-O-N계열, Ga-O계열 Ga-N계열이 사용될 수 있으며, 더욱 바람직하게 GaON가 희생층으로 사용된다. The
도 2에 도시되어 있는 GaON 희생층의 투과율 곡선을 참고로 살펴보면, 레이저 리프트 오프를 위해 사용되는 레이저 소스들의 파장은 통상 157nm 내지 350nm이며, GaON 희생층은 157nm 내지 350nm의 파장을 가지는 레이저 소스에 대해 낮은 투과율을 보인다는 것을 알 수 있다. 즉, GaON 희생층은 157nm 내지 350nm의 파장을 가지는 레이저 소스를 대부분 흡수하기 때문에, GaON을 레이저 리프트 오프의 희생층으로 사용하는 경우 짧은 조사 시간과 약한 크기의 레이저로도 모재 기판과 희생층의 격막을 완벽하게 분리시킨다.Referring to the transmittance curve of the GaON sacrificial layer shown in FIG. 2, the wavelengths of the laser sources used for the laser lift-off are typically 157 nm to 350 nm, and the GaON sacrificial layer has a wavelength of 157 nm to 350 nm. It can be seen that the low transmittance is shown. That is, since the GaON sacrificial layer absorbs most of the laser source having a wavelength of 157 nm to 350 nm, when using GaON as a sacrificial layer for laser lift-off, the diaphragm of the base substrate and the sacrificial layer is formed even with a short irradiation time and a weak laser. To separate them completely.
본 발명이 적용되는 분야에 따라 다양한 파장의 엑시머 레이저를 흡수하여 모재 기판(110)과 계면 박리가 이루어지는 여러 종류의 희생층이 사용될 수 있으며 이는 본 발명의 범위에 속한다.According to the field to which the present invention is applied, various kinds of sacrificial layers may be used by absorbing excimer lasers having various wavelengths and interfacing with the
바람직하게, 희생층(120)의 두께는 10nm이상인 것을 특징으로 한다. 희생층(120)의 두께가 10nm보다 작을 경우, 희생층(120)에서 레이저의 흡수율이 떨어져 모재 기판(110)과 희생층(120)의 계면 분리가 완벽하게 이루어지지 않아 분리된 희생층 계면이 울퉁불퉁하게 되며, 희생층(120)을 통과한 레이저가 희생층(120)의 상면에 형성된 태양전지 모듈에 영향을 미치게 된다.Preferably, the thickness of the
다시 도 1을 참고로 살펴보면, 희생층(120) 위에 배면 전극(130)을 형성한다. 배면 전극(130)으로 Ni, Cu, Mo 등이 사용될 수 있는데, 가장 바람직하게 Mo이 배면 전극(130)으로 사용된다. 배면 전극(130)은 비저항이 낮아야 하고 희생층(120) 또는 광흡수층(140)와 열팽창계수 차이가 작아 박리 현상이 일어나지 않아야 한다. Referring back to FIG. 1, the
여기서 희생층(120)과 배면 전극(130)은 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD) 또는 물리적기상증착법(PVD:Physical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게, 희생층(120)과 배면 전극(130)은 물리적기상증착법 중 스터터링 방식 또는 반응성 스퍼터링 방식에 의해 형성될 수 있다. 반응성 스퍼터링 방식에 따라 희생층(120)을 형성하는 실험조건1 내지 실험조건3이 아래의 표1 내지 표3에 기재되어 있다.The
배면 전극(130) 위에 CIS계 화합물로 이루어진 박막 형태의 광흡수층(140)을 형성한다. 광흡수층(140)으로 CuInSe2, Cu(InxGa1-x)Se2, CuInS 등을 사용하거나 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물이 사용된다. 광흡수층(140)은 진공증착법(evoporation)에 의해 형성되거나, 스퍼터링과 셀렌화(selenization)에 의해 형성되거나 전착법(electrodeposition)에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게, 높은 에너지 변환효율을 위하여 진공증착법에 의해 광흡수층(140)을 형성하는데, 도 3은 본 발명에 따른 진공증착 장치의 일 예를 도시하고 있다. A
도 3을 참고로 살펴보면, 내부가 진공을 유지하는 진공증착 증착실(50)의 내부 하부쪽에 텅스텐 보트 또는 이퓨젼 셀(effusion cell)(57, 58, 59, 60)이 배치되어 있다. 진공증착 증착실(50)의 상부면에는 기판회전용 모터(51)가 장착되어 있고, 이와 연동하는 기판가열용 할로겐 램프(53), 기판홀더(54), 기판(55), 박막두께 센서(52)가 진공증착 증착실(50)의 내부에 장치되어 있다. 그리고 내부의 상황을 검사할 수 있는 창(56)이 진공증착 증착실(50)의 일측면부를 관통하여 형성되어 있어, 기판(55)이 기판홀더(54)에 설치되어 있는 모습을 볼 수 있다. 네 개의 텅스텐 보트(boat) 또는 이퓨젼 셀(effusion cell)에 In, Cu, Se, Ga을 채우고 증착실의 진공도를 1×10 -6 torr로 유지한다. In, Cu, Se, Ga가 장착된 보트를 선택적으로 가열하여 In, Cu, Se, Ga를 증발시키고, 헬로겐 램프(53)를 통해 기판(55)을 500℃ 내지 650℃의 온도로 가열하여 CuInSe2의 또는 Cu(InxGa1-x)Se2(0<x<1)의 광흡수층(140)을 형성한다. 광흡수층(140)을 구성하는 In, Cu, Se, Ga의 조성비, 모재 기판(110)의 온도, 증착시간에 따라 높은 에너지 변환효율을 가지는 광흡수층(140)을 형성할 수 있다. CuInS, Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물의 광흡수층도 위에서 설명한 증기증발법으로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, a tungsten boat or an
다시 도 1을 참고로 살펴보면, 광흡수층(140) 위에 버퍼층(150)을 형성한다. CIS계 태양전지는 p형 반도체로 동작하는 광흡수층(140)과 n형 반도체로 동작하는 윈도우층(160)이 pn 접합을 형성하는데, 광흡수층(140)과 윈도우층(160)의 격자상수와 에너지밴드갭 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위하여 밴드갭이 광흡수층(140)과 윈도우층(160)의 중간에 위치하는 버퍼층(150)이 필요하다. 바람직하게, 버퍼층(150)은 CBD(Chemical Bath Deposition) 방식을 이용하여 CdS 박막으로 형성된다.Referring to FIG. 1 again, the
버퍼층(150) 위에 광흡수층(140)과 pn 접합을 이루는 윈도우층(160)을 형성한다. 윈도우층(160)은 태양전지 전면의 투명 전극으로서의 기능을 수행하기 때문에 광투과율이 높아야 하고 전기전도성이 좋아야 한다. 바람직하게, 버퍼층(160)은 ZnO를 RF 스퍼터링 공정을 통해 형성하는데, 더욱 바람직하게 전기광학적 특성이 뛰어나 ITO 박막을 ZnO에 증착한 2중 구조로 형성할 수 있다.A
버퍼층(160) 위에 반사방지막(170)과 전면 전극(180)을 형성한다. 반사방지막(170)은 CIS계 태양전지로 입사되는 태양광의 반사 손실을 줄여 에너지 변환효율을 높이기 위한 것으로, MgF2를 이-빔(E-beam) 진공증착법으로 형성한다. 한편 전면 전극(180)은 태양전지 표면에서의 전류를 수집하기 위한 것으로, Al, Ni/Al 재질로 형성된다. 전면 전극(180)을 통해 태양광이 흡수되지 않으므로, 전면 전극(180)의 면적은 최소화하여 제작하여야 한다.The
도 4는 본 발명에 따른 레이저 리프트 오프 공정을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a laser lift-off process according to the present invention.
도 4를 참고로 보다 구체적으로 살펴보면, 태양전지 모듈이 형성된 모재 기판(110)에 ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF 등의 레이저를 조사하여 모재 기판(110)과 희생층(120)의 계면을 분리한다. 레이저를 모재 기판(110)에 조사하면, 모재 기판(110)의 에너지 밴드갭은 레이저의 파장보다 커 조사된 레이저는 용이하게 모재 기판(110)을 통과하여 희생층(120)에 흡수된다. 레이저를 조사시 모재 기판(110)과 희생층(120) 사이에서는 플라즈마가 발생하며, 높은 온도의 플라즈마는 모재 기판(110)과 희생층(120) 계면 사이의 온도를 상승시켜 희생층(120)을 국부적인 용융 상태로 변화시킨다. 이 때 플라즈마의 높은 온도로 인한 국부적인 용융과 더불어 질소(N2) 가스가 발생하며, 질소 가스의 기화로 모재 기판(110)과 희생층(120)의 계면을 박리한다. 바람직하게, 희생층(120)을 형성시 반응성 수소 가스(H2)를 희생층(120) 성막시 유입시킬 수 있으며, 레이저 리프트 오프 공정시 플라즈마의 높은 온도에 따른 국부적인 용융에 따라 질소 가스(N2) 발생과 더불어 수소 가스(H2)의 기화를 통하여 희생층(120)과 모재 기판(110)의 계면이 보다 용이하게 박리된다. Referring to FIG. 4, the interface between the
본 발명에서 GaON 희생층은, 도2를 참고로 설명한 바와 같이 157nm 내지 350nm의 파장을 가지는 레이저 소스를 대부분 흡수함으로써, 모재 기판(110)와 희생층(120)의 계면을 완벽하게 분리하여 매끈한 희생층(120) 분리 계면을 형성할 수 있다.In the present invention, the GaON sacrificial layer absorbs most of a laser source having a wavelength of 157 nm to 350 nm as described with reference to FIG. 2, thereby completely separating the interface between the
도 5는 레이저 리프트 오프 공정을 통해 모재 기판이 박리된 태양전지 모듈로부터 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a view for explaining a process of manufacturing a flexible CIS solar cell from a solar cell module in which a base substrate is separated through a laser lift-off process.
도 5를 참고로 살펴보면, 모재 기판(110)이 박리된 태양전지 모듈을 임시 접착층(185)에 접착시켜 태양전지 모듈(120, 130, 140, 150, 160, 170)을 모재 기판(110)으로부터 분리시킨다. 분리된 태양전지 모듈(120, 130, 140, 150, 160, 170)를 영구 접착층(195)이 부착되어 있는 플렉서블 기판(190)에 접착시킨다. 임시 접착층(185)을 제거하여 분리된 태양전지 모듈(120, 130, 140, 150, 160, 170)을 플렉서블 기판(190)로 전사킴으로써, 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조한다.
Referring to FIG. 5, the solar cell module from which the
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 CIS계 태양전지는 모재 기판에 제한없이, 600℃ 이상의 높은 모재 기판 온도에서 열적 안정성을 가지는 다양한 종류의 모재 기판에 CIS계 태양전지 모듈을 제조한 후, 레이저 리프트 오프 공정을 통해 플렉서블 기판으로 전사하여 플렉서블 CIS계 태양전지를 제조하는 새로운 플렉서블 CIS계 태양전지 제조 방법을 제안한다. 또한, GaON 희생층을 사용하여 모재 기판과 희생층을 완벽하게 박리하여 매끄러운 계면을 가지는 희생층을 플렉서블 기판에 전사함으로써, 플렉서블 기판과 희생층을 완전 밀착하여 접착시킬 수 있으며 따라서 입사된 태양광의 손실과 누설 전류를 막을 수 있는 효과가 있다.
The flexible CIS solar cell according to an embodiment of the present invention is a laser lift after manufacturing a CIS solar cell module on various types of substrates having thermal stability at a high substrate temperature of 600 ° C. or higher without limitation to the substrate. We propose a new flexible CIS solar cell manufacturing method for manufacturing a flexible CIS solar cell by transferring to a flexible substrate through an off process. In addition, by using the GaON sacrificial layer to completely peel off the base substrate and the sacrificial layer to transfer the sacrificial layer having a smooth interface to the flexible substrate, the flexible substrate and the sacrificial layer can be completely adhered to each other and thus the loss of incident sunlight There is an effect that can prevent the leakage current.
본 발명은 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
Although the present invention has been described with reference to the examples, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
110: 모재 기판 120: 희생층
130: 배면 전극 140: 광흡수층
150: 버퍼층 160: 윈도우층
170: 전면 전극 180: 전면 전극
185: 임시 접착층 190: 플렉서블 기판
195: 영구 접착층110: base material substrate 120: sacrificial layer
130: back electrode 140: light absorption layer
150: buffer layer 160: window layer
170: front electrode 180: front electrode
185: temporary adhesive layer 190: flexible substrate
195: permanent adhesive layer
Claims (7)
(b) 상기 희생층 위에 태양전지 모듈을 제조하는 단계;
(c) 상기 모재 기판에 레이저를 조사하여 상기 모재 기판과 상기 태양전지 모듈을 분리하는 단계; 및
(d) 상기 분리한 태양전지 모듈을 플렉서블 기판으로 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법.(a) forming a sacrificial layer on the base substrate;
(b) manufacturing a solar cell module on the sacrificial layer;
(c) irradiating the base substrate with a laser to separate the base substrate and the solar cell module; And
(d) transferring the separated solar cell module to a flexible substrate, the method of manufacturing a flexible CIS solar cell.
유리 기판, 사파이어 기판, 석영 기판, 세라믹 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the base substrate
A method of manufacturing a flexible CIS solar cell, which is any one of a glass substrate, a sapphire substrate, a quartz substrate, and a ceramic substrate.
상기 희생층 위에 순차적으로 배면전극, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층, 반사방지막, 전면전극을 형성하여 제조되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법.The method of claim 2, wherein the solar cell module
A method of manufacturing a flexible CIS solar cell, wherein the back electrode, the light absorption layer, the buffer layer, the window layer, the anti-reflection film, and the front electrode are sequentially formed on the sacrificial layer.
CuInSe2(CIS) 또는 Cu(InGa)Se2(CIGS) 화합물 반도체막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법.The method of claim 2, wherein the light absorption layer
A CuInSe 2 (CIS) or Cu (InGa) Se 2 (CIGS) compound manufacturing method of a flexible CIS-based solar cell, characterized in that formed of a semiconductor film.
GaO, GaN 또는 GaON 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법.The method of claim 2, wherein the sacrificial layer is
Method for manufacturing a flexible CIS solar cell, characterized in that any one of GaO, GaN or GaON.
스퍼터링 공정을 통해 10㎛ 이내의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법.The method of claim 5, wherein the sacrificial layer
Method of manufacturing a flexible CIS-based solar cell, characterized in that formed through a sputtering process to a thickness within 10㎛.
임시 접착층을 이용하여 상기 태양전지 모듈을 상기 모재 기판으로부터 영구접착층이 형성되어 있는 플렉서블 기판으로 전사하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 CIS계 태양전지의 제조 방법.The method according to any one of claims 2 to 4, wherein in step (d)
A method of manufacturing a flexible CIS solar cell, wherein the solar cell module is transferred from the base substrate to a flexible substrate on which a permanent adhesive layer is formed.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20100043582 | 2010-05-10 | ||
| KR1020100043582 | 2010-05-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110124112A true KR20110124112A (en) | 2011-11-16 |
Family
ID=45394080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100075606A KR20110124112A (en) | 2010-05-10 | 2010-08-05 | Method for fabricating flexible cis based solar cell using laser lift off |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20110124112A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013126927A2 (en) * | 2012-02-26 | 2013-08-29 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
| KR101394181B1 (en) * | 2013-04-22 | 2014-05-15 | 한국에너지기술연구원 | Flexible solar cell with back-side buffer layer. |
| KR101413163B1 (en) * | 2012-11-14 | 2014-06-30 | 재단법인대구경북과학기술원 | Stretchable inorganic compound solar cell and Method for manufacturing the same |
| KR101459279B1 (en) * | 2013-04-22 | 2014-11-10 | 한국에너지기술연구원 | Fabrication Method for Flexible Solor Cell with Flexible Substrate. |
| US8962380B2 (en) | 2009-12-09 | 2015-02-24 | Solexel, Inc. | High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using thin planar semiconductor absorbers |
| US11201126B2 (en) | 2019-02-05 | 2021-12-14 | Disco Corporation | Method of producing a substrate and system for producing a substrate |
-
2010
- 2010-08-05 KR KR1020100075606A patent/KR20110124112A/en not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8962380B2 (en) | 2009-12-09 | 2015-02-24 | Solexel, Inc. | High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using thin planar semiconductor absorbers |
| WO2013126927A2 (en) * | 2012-02-26 | 2013-08-29 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
| WO2013126927A3 (en) * | 2012-02-26 | 2013-11-21 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
| US9214353B2 (en) | 2012-02-26 | 2015-12-15 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
| KR101413163B1 (en) * | 2012-11-14 | 2014-06-30 | 재단법인대구경북과학기술원 | Stretchable inorganic compound solar cell and Method for manufacturing the same |
| KR101394181B1 (en) * | 2013-04-22 | 2014-05-15 | 한국에너지기술연구원 | Flexible solar cell with back-side buffer layer. |
| KR101459279B1 (en) * | 2013-04-22 | 2014-11-10 | 한국에너지기술연구원 | Fabrication Method for Flexible Solor Cell with Flexible Substrate. |
| US11201126B2 (en) | 2019-02-05 | 2021-12-14 | Disco Corporation | Method of producing a substrate and system for producing a substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7199303B2 (en) | Optical energy conversion apparatus | |
| JP2011003877A (en) | Solar cell, and method of fabricating the same | |
| KR20110124112A (en) | Method for fabricating flexible cis based solar cell using laser lift off | |
| KR101012847B1 (en) | manufacturing method of compound sollar cell using ??? nanorod and the compound sollar cell | |
| KR101428146B1 (en) | Solar cell module and method of fabricating the same | |
| KR101219835B1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| KR101241708B1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| KR101300791B1 (en) | Method for enhancing conductivity of molybdenum layer | |
| KR101218503B1 (en) | Method of fabricating solar cell module by using Al thin film. | |
| US8258003B2 (en) | Manufacturing method of compound semiconductor solar cell | |
| US9966485B2 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| KR101283240B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| KR20110116485A (en) | Method for fabricating solar cell | |
| KR101306529B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| KR101091319B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| KR20110012552A (en) | Method of manufacturing thin film solar cell | |
| US20240128384A1 (en) | Solar cell and manufacturing method of the same | |
| KR101846337B1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| KR101144483B1 (en) | Solar cell apparatus, solar power generating system having the same and method of fabricating the same | |
| KR101436539B1 (en) | Thin film solar cell and Method of fabricating the same | |
| KR101273093B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| KR20240051025A (en) | solar cell and manufacturing method of the same | |
| KR101440716B1 (en) | Manufacturing Method of Flexible CIGS/CIS Inorganic Thin Film Solar Cell and Solar Cell Using The Same | |
| KR101349417B1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| KR20120090395A (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| SUBM | Submission of document of abandonment before or after decision of registration | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20121205 Effective date: 20130325 |