KR20110107632A - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상부가 개방된 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 발광소자; 상기 캐비티에 배치되며 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 복수의 리드 프레임; 상기 캐비티 내에 제1점도를 갖는 실리콘 재료를 포함하는 습기 침투 방지층; 상기 습기 침투 방지층 위에 상기 제1점도와 다른 점도를 갖는 몰딩 부재를 포함한다.
Description
실시 예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD의 광을 얻기 위한 발광소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시 예는 리드 프레임을 통해 캐비티에 습기가 침투되는 것을 억제할 수 있도록 한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 캐비티 내에 습기 침투 방지층을 형성하여 습기 침투를 방지할 수 있도록 한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 캐비티 내에 몰딩 부재의 점도보다 낮은 점도를 갖는 실리콘 재료를 이용하여 습기 침투를 방지하는 층으로 형성한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상부가 개방된 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 발광소자; 상기 캐비티에 배치되며 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 복수의 리드 프레임; 상기 캐비티 내에 제1점도를 갖는 실리콘 재료를 포함하는 습기 침투 방지층; 상기 습기 침투 방지층 위에 상기 제1점도와 다른 점도를 갖는 몰딩 부재를 포함한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법은, 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 리드 프레임의 일부가 배치된 캐비티를 갖는 패키지 몸체를 형성하는 단계; 캐비티 내에 배치된 상기 리드 프레임에 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계; 상기 캐비티에 제1점도를 갖는 실리콘 재료를 포함하는 습기 침투 방지층을 형성하는 단계; 및 상기 캐비티의 습기 침투 방지층 위에 제1점도보다 높은 제2점도의 몰딩 부재를 형성하는 단계를 포함한다.
실시 예는 캐비티 내에 습기 침투 방지층을 형성해 줌으로써, 캐비티에 습기가 침투되는 것을 억제할 수 있다.
실시 예는 습기에 강한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시 예는 발광 소자의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광소자 패키지의 외측 리드 프레임의 트림 및 포밍 과정에 의해 전기적인 특성을 저하시키는 문제를 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 3은 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도4는 제4실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 5는 제5실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 3은 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도4는 제4실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 5는 제5실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(101)는 패키지 몸체(110), 리드 프레임(120: 121,125), 발광소자(130), 습기침투 방지층(140) 및 몰딩부재(150)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 이하, 실시 예의 설명을 위해 상기 패키지 몸체(110)는 수지 재질을 그 예로 설명하기로 한다.
상기 패키지 몸체(110)의 표면 형상은 상기 발광소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 사각형, 다각형, 원형 등과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도시된 것과 같은 다각형 형상의 발광소자 패키지(100)는 탑재되는 형태에 따라 엣지(edge) 타입 또는 직하 타입의 백라이트 유닛(BLU : Backlight Unit)에 사용될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)은 상기 리드 프레임(120: 121,125)의 경계를 기준으로 하측 부분은 지지부(111) 및 상측 부분은 컵부(113)로 구분될 수 있으며, 상기 컵부(113) 내측에는 상부가 개방된 캐비티(cavity)(115)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티(115)는 소정 깊이(TO)로 형성되며, 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(115)의 내측면은 바닥에 대해 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다.
상기 캐비티(115)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있다. 또는 상기 캐비티(115)를 위에서 바라본 형상은 다각형의 모서리가 곡선인 형상일 수도 있다.
또한, 상기 패키지 몸체(110)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있다. 상기 캐쏘드 마크는 리드 프레임(120: 121,125)들의 극성에 대한 혼동을 방지할 수 있다.
제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(125)은 상기 캐비티(115) 내에서 서로 전기적으로 분리되도록 이격되며 상기 패키지 몸체(110)에 관통되는 구조로 형성된다.
상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(125)은 내측이 상기 캐비티(115)에 배치되고, 외측이 상기 패키지 몸체(110)의 외부에 노출된다. 상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(125)은 상기 캐비티(115)부터 상기 패키지 몸체(110)를 관통하여 상기 패키지 몸체(110)의 외측에 노출되도록 연장된다. 상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(125)의 외측은 리드 전극(P1,P2)으로 사용될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(125)은 발광소자(130)에 전기적으로 연결되며, 상기 발광소자(130)에 전원을 공급해 준다.
상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(125)은 금속 재질 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 적어도 한 금속으로 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 발광소자(130)는 상기 캐비티(115) 내에 배치되며, 상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(125) 중 어느 한 프레임 위에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 발광소자(130)는 제1리드 프레임(121)에 다이 본딩으로 연결되고, 제2리드 프레임(125)에 와이어(132)로 연결될 수 있다. 실시 예는 하나 또는 복수의 와이어를 이용하여 복수의 리드 프레임(121,125)과 발광소자(130)를 연결해 주거나, 플립 본딩 또는 다이 본딩의 방식 등을 선택적으로 이용할 수 있다.
상기 발광소자(130)는 청색, 녹색, 적색 등과 같은 유색의 LED 칩이거나, UV LED 칩일 수 있으며, 상기 캐비티(115) 내에 적어도 하나가 배치될 수 있다.
상기 캐비티(115) 내에는 습기 침투 방지층(140)이 형성되며, 상기 습기 침투 방지층(140) 위에는 몰딩 부재(150)가 형성된다. 여기서, 상기 몰딩 부재(150)는 실리콘 또는 에폭시 재료를 포함하며, 상기 습기 침투 방지층(140)은 상기 몰딩 부재(150)보다 무른 재질로 형성될 수 있다.
상기 습기 침투 방지층(140)은 상기 캐비티(115)의 바닥면에 형성되며, 상기 캐비티(115) 내에 배치된 상기 리드 프레임(120: 121,125)의 상면에 형성된다. 여기서, 상기 캐비티(115)의 바닥면 대부분은 상기 리드 프레임(120: 121,125)의 상면이 배치된다.
상기 습기 침투 방지층(140)은 상기 발광 소자(130)를 커버하도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 습기 침투 방지층(140)은 상기 발광 소자(130)를 탑재한 후 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 습기 침투 방지층(140)의 두께(T1)는 50um 이내로 형성되며, 상기 두께(T1)는 상기 발광 소자(130)의 두께(T2) 이하의 값을 갖는다. 상기 습기 침투 방지층(140)의 50% 이상은 상기 리드 프레임(120:121,125)의 상면을 기준으로 상기 발광 소자보다 낮게 형성될 수 있다.
상기 습기 침투 방지층(140)의 실리콘은 납(Pb) 및 이의 화합물, 카드뮴(Cd) 및 이의 화합물, 수은(Hg) 및 이의 화합물, 크롬(Cr) 및 이의 화합물, PBB(Polybrominated biphenyls), PBDE(Polybrominated diphenylethers), PCB(Plychlorinated biphenyls), PCN(Polychlorinated naphthalenes), PCT(Polychlorinated terphenyls), PVC(Polyvinyl chloride) 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 습기 침투 방지층(140)은 투명한 실리콘으로서 예컨대, OE(optical Encapsulant)-6450 재료를 포함할 수 있다.
상기 습기 침투 방지층(140)은 상기 몰딩 부재(150)의 침입도(penetration)보다 높을 수 있으며, 예컨대 침입도는 40~55 mm/10사이의 범위를 갖는다. 상기 습기 침투 방지층(140)은 상기 몰딩 부재(150)의 점도보다 낮은 점도를 갖는 실리콘 재료로서, 그 점도(Viscosity)는 1400~2900 mPas 사이의 범위를 포함한다.
상기 습기 침투 방지층(150)은 낮은 점도 및 고침입도를 갖는 실리콘 계열의물질로서, 상기 캐비티(115)의 둘레면, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125)의 상면에 밀착 접착됨으로써, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125)와 상기 패키지 몸체(110) 사이의 경로(R1)을 통해 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 이러한 습기 침투 방지층(150)을 구비한 패키지(100)는 습기 침투에 따른 발광 소자(130)의 전기적인 신뢰성을 향상시켜 줄 수 있다.
상기 캐비티(115)에는 몰딩부재(150)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부재(150)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재료로 구현될 수 있다. 상기 몰딩부재(150)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부재(150)에는 형광체가 첨가될 수 있으며, 상기 형광체는 상기 발광소자(130)로부터 방출된 광의 일부를 흡수하여 다른 파장의 광으로 방출하는 형광물질로서, 황색 형광체, 청색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체 등과 같은 유색 발광의 형광체를 선택적으로 포함할 수 있다.
상기 몰딩부재(150) 위에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 볼록한 렌즈 형상을 포함하는 것으로서, 광의 배광 분포에 따라 최적의 렌즈 현상으로 형성해 줄 수 있다. 상기 발광소자 패키지(101) 내에는 상기 발광소자(130)를 보호하기 위한 제너 다이오드 등과 같은 보호소자가 배치될 수 있다.
상기 발광소자 패키지(101)는 기판 위에 어레이되어, 지시 장치, 표시 장치, 및 조명 장치 등의 광원으로 사용될 수 있다.
도 2는 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 도 2를 설명함에 있어서, 도1과 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 2를 참조하면, 발광소자 패키지(102)는 습기 침투 방지층(140)의 일부(142)가 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(125) 사이에 배치된다. 상기 습기 침투 방지층(140)은 상기 캐비티(115) 내에서 상기 제1리드 프레임(121)의 적어도 2측면에 접촉되고, 또한 상기 제2리드 프레임(125)의 적어도 2측면에 접촉된다.
여기서, 상기 패키지 몸체(110)의 사출 성형시, 상기 캐비티(115) 영역의 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 사이를 사출 구조물을 배치하여 줌으로써, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 사이는 홈이 되며, 상기 홈으로 상기 습기 침투 방지층(140)의 일부(142)가 채워지게 된다.
상기 습기 침투 방지층(140)이 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125)의 상면 및 내 측면에 각각 형성됨으로써, 상기 제1리드 프레임(121,125)을 따라 캐비티(115) 영역으로 침투될 수 있는 습기를 차단할 수 있다. 또한 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 사이의 영역 즉, 발광 소자(130)에 근접한 영역에 상기 습기 침투 방지층(140)의 일부(142)를 배치함으로써, 습기 침투를 거의 차단할 수 있다.
도 3은 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지의 측 단면도이다. 도 3을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성 요소는 상기의 실시 예를 참조하기로 한다.
도 3을 참조하면, 발광소자 패키지(103)는 캐비티(115) 내에 습기 침투 방지층(140)을 형성하고, 복수의 리드 프레임(120A: 121,125)이 패키지 몸체(110A)의 하면에 배치된다. 복수의 리드 프레임(120A: 121,125)은 상기 캐비티(115)와 상기 패키지 몸체(110A)의 하면 사이에 배치되며, 그 상면이 상기 캐비티(115)의 상면에 배치되고, 그 하면이 상기 패키지 몸체(110A)의 하면에 배치된다.
여기서, 제1리드 프레임(121)의 일단(122)와 제2리드 프레임(126)의 타단(126)은 단차지게 형성되며, 그 단차진 부분에 패키지 몸체(110A)의 분리부(112)가 형성된다. 상기 패키지 몸체(110A)의 분리부(112)에 형성된 상단부(112A)는 상기 습기 침투 방지층(140)에 접촉된다. 상기 패키지 몸체(110A)의 분리부(112)는 상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(126) 사이의 단차 부분에 결합됨으로써, 습기 침투를 억제해 줄 수 있다.
도 4는 제4실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 도 4를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성 요소와 동일 부분에 대해서는 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.
도 4를 참조하면, 발광소자 패키지(104)는 캐비티(115) 내에 습기 침투 방지층(140)을 형성하고, 상기 복수의 리드 프레임(120A: 121,125) 사이에 분리부(112)가 형성된다.
상기 복수의 리드 프레임(120A:121,125)은 대부분의 하면이 상기 패키지 몸체(110A)의 하면과 동일 평면에 배치된다. 상기 패키지 몸체(110A)의 분리부(112)는 제1리드 프레임(121)의 일단(122)와 제2리드 프레임(126)의 타단(126) 사이에 형성된다.
여기서, 상기 제1리드 프레임(121)의 일단(122)와 제2리드 프레임(126)의 타단(126)은 상대적으로 얇은 두께를 갖도록 단차지게 형성되며, 그 단차진 부분에 상기 분리부(112)가 형성된다. 상기 분리부(112)의 일부(112A)는 제1리드 프레임(121)의 일단(122)와 제2리드 프레임(126)의 타단(126) 사이에 배치되고, 상기 분리부(112)의 상단 돌출부(112B)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125)의 상면보다 높게 형성되며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125)의 사이의 간격보다 넓은 폭으로 형성된다. 이러한 분리부(112)의 돌출부(112B)는 댐 형상을 갖고 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 사이에 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 사이의 간격보다 넓은 폭으로 형성됨으로써, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 사이를 통한 습기 침투를 억제할 수 있다.
상기 캐비티(115)의 바닥면 부분에는 습기 침투 방지층(140)이 형성되고, 상기 습기 침투 방지층(140)은 상기 캐비티 둘레면, 상기 분리부(112)의 돌출부(112B), 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 위에 형성되므로, 패키지 몸체(110A)의 외부에서 캐비티(115) 영역으로 침투되는 습기를 효과적으로 차단할 수 있다. 이에 따라 발광 소자(130)의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 5는 제5실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 도 5를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성 요소와 동일 부분에 대해서는 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.
도 5를 참조하면, 발광소자 패키지(105)는 캐비티(115) 내에 습기 침투 방지층(140)을 형성하고, 상기 패키지 몸체(110)의 외측에 접착제층(145)을 형성해 준다. 상기 접착제층(145)은 상기 패키지 몸체(110)의 컵부(113)과 상기 리드 프레임(121,125) 사이의 갭 영역에 형성된다.
상기 제1리드 및 제2리드 프레임(121,125)은 트리밍 또는/및 포밍 과정에 의해 상기 패키지 몸체(110)의 컵부(113)와의 계면에 소정의 갭이 발생된다. 상기 갭은 습기 침투 공간으로 기능할 수 있으며, 실시 예는 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125)과 상기 패키지 몸체(110) 사이의 계면에 발생된 갭에 접착제층(145)를 형성시켜 줌으로써, 상기 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125)과 상기 패키지 몸체(110)의 계면으로 침투하는 습기를 효과적으로 차단할 수 있다.
상기 접착제층(145)은 프리머로서 실리콘, 에폭시, 또는 상기의 습기 침투 방지층의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예는 복수의 리드 프레임에 대해 설명하였으나, 상기 패키지 몸체(110)에는 하나의 리드 프레임이 배치되고, 나머지는 쓰루 홀 구조로 구현될 수 있다. 또한 상기 리드 프레임은 내측은 상기 캐비티(115) 내에 배치되며, 타측은 상기 패키지 몸체(110)의 외측에 여러 개의 가지 형상으로 분기되어 배치될 수 있다. 이러한 구조적인 변경은 실시 예의 기술적 범위 내에서 다양하게 변경될 수 있다.
한편, 상술한 상기 발광소자 패키지의 제조 공정은 순서가 뒤바뀌어 실시될 수 있으며, 그 순서에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 커팅 공정을 먼저 실시한 후, 발광칩을 설치하는 공정이 실시될 수도 있는 것이다.
상기 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지는 지시 장치, 조명 장치, 표시 장치 등의 광원으로 사용될 수 있다. 상기 조명 장치는 조명등, 신호등, 전조등, 전광판 등에 사용될 수 있다. 또한 상기 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 어레이의 광 경로 상에 도광판, 광학 시트, 렌즈, 반사시트 등을 배치할 수 잇다. 또한 상기 각 실시 예는 각 실시 예로 한정되지 않고, 상기에 개시된 다른 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 각 실시 예로 한정하지는 않는다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 일 예로서, 상기의 설명으로 한정하지는 않는다.
101,102,103,104,105 : 발광소자 패키지
110,110A : 패키지 몸체 120,120A : 리드 프레임
121 : 제1리드 프레임, 125 : 제2리드 프레임
130 : 발광소자 140 : 습기 침투 방지층
145 : 접착제층 150 : 몰딩부재
110,110A : 패키지 몸체 120,120A : 리드 프레임
121 : 제1리드 프레임, 125 : 제2리드 프레임
130 : 발광소자 140 : 습기 침투 방지층
145 : 접착제층 150 : 몰딩부재
Claims (19)
- 상부가 개방된 캐비티를 갖는 패키지 몸체;
상기 캐비티 내에 배치된 발광소자;
상기 캐비티에 배치되며 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 복수의 리드 프레임;
상기 캐비티 내에 제1점도를 갖는 실리콘 재료를 포함하는 습기 침투 방지층; 및
상기 습기 침투 방지층 위에 상기 제1점도와 다른 점도를 갖는 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서, 상기 습기침투 방지층의 제1점도는 상기 몰딩 부재의 점도 미만인 발광 소자 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 습기 침투 방지층의 두께는 50um 이내로 형성되는 발광 소자 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 캐비티 바닥면에 복수의 리드 프레임의 일측이 전기적으로 오픈되게 배치되며,
상기 습기 침투 방지층의 50% 이상은 상기 리드 프레임의 상면을 기준으로 상기 발광 소자보다 낮게 형성되는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서, 상기 습기 침투 방지층의 실리콘은 상기 몰딩 부재의 침입도(penetration)보다 높은 발광소자 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘의 침입도는 40~55 mm/10사이이며, 상기 점도는 1400~2900 mPas 사이의 범위를 갖는 발광소자 패키지.
- 제4항에 있어서, 상기 습기 침투 방지층의 일부는 서로 대향되는 복수의 리드 프레임 사이에 형성되는 발광소자 패키지.
- 제4항에 있어서, 상기 복수의 리드 프레임의 상면은 상기 캐비티 바닥면과 동일 평면에 형성하며, 상기 복수의 리드 프레임의 하면은 상기 패키지 몸체의 하면과 동일 평면에 배치되는 발광소자 패키지.
- 제4항에 있어서, 상기 복수의 리드 프레임 사이에 상기 리드 프레임의 상면연장선상 보다 상기 습기침투 방지층 내부로 돌출된 댐 형상의 돌출부를 포함하는 발광소자 패키지.
- 제9항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 패키지 몸체의 재료와 동일한 재료로 형성되는 발광소자 패키지.
- 제9항에 있어서, 상기 복수의 리드 프레임은 상기 패키지 몸체를 통해 상기 패키지 몸체의 하면까지 연장되며,
상기 리드 프레임과 상기 패키지 몸체 사이에 형성된 갭; 및 상기 갭에 형성된 수지 재료의 접착제층을 포함하는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서, 상기 습기 침투 방지층은 납(Pb) 및 이의 화합물, 카드뮴(Cd) 및 이의 화합물, 수은(Hg) 및 이의 화합물, 크롬(Cr) 및 이의 화합물, PBB(Polybrominated biphenyls), PBDE(Polybrominated diphenylethers), PCB(Plychlorinated biphenyls), PCN(Polychlorinated naphthalenes), PCT(Polychlorinated terphenyls), PVC(Polyvinyl chloride)을 선택적으로 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 청색, 녹색, 및 적색의 컬러 중에서 적어도 한 컬러를 발광하는 적어도 하나의 유색 LED 칩 또는 UV LED 칩을 포함하며,
상기 몰딩 부재는 형광체가 첨가된 실리콘 또는 에폭시를 포함하는 발광소자 패키지. - 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 리드 프레임의 일부가 배치된 캐비티를 갖는 패키지 몸체를 형성하는 단계;
캐비티 내에 배치된 상기 리드 프레임에 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계;
상기 캐비티에 제1점도를 갖는 실리콘 재료를 포함하는 습기 침투 방지층을 형성하는 단계; 및
상기 캐비티의 습기 침투 방지층 위에 제1점도보다 높은 제2점도의 몰딩 부재를 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지 제조방법. - 제14항에 있어서, 상기 습기 침투 방지층의 두께는 50um 이내로 형성되는 발광 소자 패키지 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 캐비티 바닥면에 복수의 리드 프레임의 일측이 전기적으로 오픈되게 배치되며,
상기 습기 침투 방지층의 50% 이상은 상기 리드 프레임의 상면을 기준으로 상기 발광 소자의 상단보다 낮게 형성되는 발광 소자 패키지 제조방법. - 제14항에 있어서, 상기 실리콘의 침입도는 40~55 mm/10사이이며, 상기 점도는 1400~2900 mPas 사이의 범위를 갖는 발광소자 패키지 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 습기 침투 방지층의 실리콘은 상기 몰딩 부재의 침입도(penetration)보다 높은 발광소자 패키지 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 복수의 리드 프레임의 상면은 상기 캐비티 바닥면이며, 상기 복수의 리드 프레임의 하면은 상기 패키지 몸체의 하면과 동일 평면에 배치되는 발광소자 패키지 제조방법.
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