KR20110087212A - Processing apparatus, processing method, program and computer storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 상온보다 낮은 소정 온도의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리 장치, 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a processing apparatus, a processing method, a program and a computer storage medium for processing a substrate using a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature.
예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, ‘웨이퍼’라고 함)에 포토리소그래피 처리를 행하여 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이 포토리소그래피 처리에서는 소정의 패턴이 형성된 마스크용의 기판을 이용하여 웨이퍼의 노광 처리가 행해지고 있다.For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, for example, a photolithography process is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") to form a predetermined resist pattern on the wafer. In this photolithography process, the exposure process of a wafer is performed using the board | substrate for masks in which the predetermined pattern was formed.
마스크용의 기판에 소정의 패턴을 형성할 때에도 포토리소그래피 처리가 행해지고 있다. 즉, 먼저 기판 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 차례로 행해져 기판 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 그 후, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 기판의 에칭 처리가 행해지고, 이 레지스트막의 제거 처리 등이 행해져 기판에 소정의 패턴이 형성된다.The photolithography process is performed also when forming a predetermined pattern in the board | substrate for masks. That is, first, a resist coating process of applying a resist liquid on a substrate to form a resist film, an exposure process of exposing the resist film in a predetermined pattern, a developing process of developing the exposed resist film, and the like are performed in this order. Is formed. Thereafter, the substrate is etched using this resist pattern as a mask, and the resist film is removed, and a predetermined pattern is formed on the substrate.
기판에 소정의 패턴을 형성할 때에는 반도체 디바이스의 고집적화를 더욱 도모하기 위하여 당해 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 따라서, 전술한 현상 처리를 기판 면내에서 균일하게 행할 것이 요구되고 있다. 그러나, 종래의 현상 처리에서는 상온의 현상액을 기판 상으로 공급하고 있기 때문에, 현상 속도가 빨라 현상액이 기판 상의 레지스트막에 접촉한 시점에서 당해 레지스트막의 현상이 시작된다. 이 때문에, 기판 면내에서 균일하게 레지스트막을 현상할 수 없었다.In forming a predetermined pattern on a substrate, miniaturization of the pattern is required in order to further increase integration of the semiconductor device. Therefore, it is required to perform the above-described development treatment uniformly in the substrate plane. However, in the conventional development process, since the developer at normal temperature is supplied onto the substrate, the development speed is high, and the development of the resist film starts when the developer contacts the resist film on the substrate. For this reason, the resist film could not be developed uniformly in the inside of a board | substrate.
따라서, 현상 처리의 현상 속도를 늦추기 위하여, 저온, 예를 들면 5℃의 현상액을 노즐로부터 기판 상으로 공급하는 것이 제안되고 있다. 또한, 이러한 저온의 현상액을 이용하는 경우, 현상액의 온도가 주위의 분위기의 온도보다 낮아진다. 따라서, 현상액을 공급하는 노즐이 결로(結露)되는 것을 방지하기 위하여, 노즐을 단열재로 피복하고, 단열재로 피복되지 않는 노즐의 선단부에 대하여 건조 공기 혹은 주위의 공기보다 습도가 낮은 기체를 공급하는 것도 제안되고 있다(특허 문헌 1).Therefore, in order to slow down the developing speed of developing processing, it is proposed to supply a developing solution of low temperature, for example, 5 ° C from the nozzle onto the substrate. In addition, when using such a low temperature developing solution, the temperature of the developing solution becomes lower than the temperature of the surrounding atmosphere. Therefore, in order to prevent the nozzle supplying the developer from condensation, the nozzle is covered with a heat insulating material, and a gas having a lower humidity than dry air or ambient air is supplied to the tip of the nozzle not covered with the heat insulating material. It is proposed (patent document 1).
그러나, 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 노즐의 선단부로 기체를 공급하는 기체 공급 수단을 직접 설치하면 노즐 자체가 대형화된다. 또한, 노즐은 기판을 보지(保持)하는 보지 부재 상방과 노즐을 대기시키는 노즐 배스와의 사이를 이동 가능하게 되어 있는데, 노즐이 대형화됨으로써 노즐을 이동시키는 이동 기구 등도 대형화 된다.However, as described in
또한, 통상적으로 노즐이 현상액 등을 공급하기 위하여 기판 보지 부재 상방과 노즐 배스와의 사이를 이동하는 시간보다 노즐 배스 내에서 대기하고 있는 시간이 길어, 이 노즐의 대기 중에 결로가 발생하는 경우가 있었다. 노즐의 대기 중에 결로가 발생하면 노즐에 부착된 물방울이 기판 상에 떨어지고, 그 결과 현상 얼룩이 발생하여 기판 면내에서 균일하게 레지스트막을 현상할 수 없어진다. 따라서, 이 노즐의 대기 중에 효과적으로 결로를 방지할 필요가 있다.Moreover, the time to wait in a nozzle bath is longer than the time which a nozzle moves between a board | substrate holding member and a nozzle bath in order to supply a developing solution etc., and dew condensation may arise in the atmosphere of this nozzle. . When condensation occurs in the atmosphere of the nozzle, water droplets attached to the nozzle fall on the substrate, and as a result, development unevenness occurs, and the resist film cannot be developed uniformly in the substrate surface. Therefore, it is necessary to effectively prevent condensation in the atmosphere of this nozzle.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 현상액을 비롯한 저온의 각종 처리액을 이용한 처리에서, 당해 처리액을 공급하는 처리액 노즐의 결로의 발생을 방지하여, 상기 처리액에 의한 처리를 기판 면내에서 균일하게 행하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a point, In the process using various processing liquids of low temperature including a developing solution, the dew condensation of the processing liquid nozzle which supplies the said processing liquid is prevented, and the process by the said processing liquid is processed in-plane. It aims at performing uniformly at.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상온보다 낮은 소정의 온도의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리 장치로서, 기판을 보지하는 보지 부재와, 기판 상으로 상기 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 상기 보지 부재 상방에서 퇴피한 상기 처리액 노즐의 선단부를 수용하여 상기 처리액 노즐을 대기시키는 노즐 배스와, 상기 노즐 배스에서 대기 중인 상기 처리액 노즐을 샌드위치하여 설치되며, 상기 처리액 노즐의 상기 노즐 배스로부터 노출된 노출부에서의 수평 방향의 길이보다 길게 연장되어, 상기 노출부에 대하여 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 공급하는 한 쌍의 퍼지 가스 노즐을 가지는 것을 특징으로 하고 있다. 이때, 상온이란, 예를 들면 23℃이다.In order to achieve the above object, the present invention provides a processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid having a predetermined temperature lower than normal temperature, the holding member holding a substrate and the processing liquid for supplying the processing liquid onto the substrate. A nozzle bath for accommodating a nozzle, a tip end of the processing liquid nozzle retracted from above the holding member and waiting for the processing liquid nozzle, and a processing chamber nozzle sandwiched between the processing liquid nozzles waiting in the nozzle bath. And a pair of purge gas nozzles extending longer than a horizontal length in the exposed portion exposed from the nozzle bath to supply purge gas containing no moisture to the exposed portion. At this time, normal temperature is 23 degreeC, for example.
본 발명에 따르면, 처리액 노즐이 노즐 배스에서 대기 중에 당해 처리액 노즐의 노출부에 대하여 한 쌍의 퍼지 가스 노즐로부터 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 공급하고 있다. 이 때문에, 상온보다 낮은 소정의 온도의 처리액을 이용한 경우에도 처리액 노즐이 결로되는 것을 방지할 수 있어, 결로된 물방울이 기판 상에 적하되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 처리를 기판 면내에서 균일하게 행할 수 있다. 게다가, 본 발명에 따르면 한 쌍의 퍼지 가스 노즐을 설치하는 것만으로도 처리액 노즐의 결로를 방지할 수 있으므로, 처리 장치를 종래보다 간소화하여 제조 비용도 저렴화할 수 있다. 또한, 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하여 기판의 처리를 행하는 시간은 처리액 노즐이 노즐 배스에서 대기하는 시간에 비해 극히 단시간이기 때문에, 당해 처리액에 의한 처리 중에 처리액 노즐이 결로되지는 않는다.According to the present invention, the treatment liquid nozzle supplies purge gas containing no moisture from the pair of purge gas nozzles to the exposed portion of the treatment liquid nozzle in the atmosphere in the nozzle bath. For this reason, even when the process liquid of predetermined temperature lower than normal temperature is used, dew condensation of a process liquid nozzle can be prevented and it can prevent that a condensation droplet drips on a board | substrate. Therefore, a process can be performed uniformly in the inside of a board | substrate. In addition, according to the present invention, condensation of the processing liquid nozzle can be prevented only by providing a pair of purge gas nozzles, so that the processing apparatus can be simplified and the manufacturing cost can be reduced. In addition, since the processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle to process the substrate, the processing liquid nozzle is not condensed during processing by the processing liquid because the processing liquid nozzle is extremely short compared with the waiting time of the processing liquid nozzle. .
상기 처리액 노즐에는, 상기 처리액을 공급하고, 2 중 관 구조를 가지는 처리액 공급관이 접속되며, 상기 처리액 공급관에서 내측의 배관 내에는 상기 처리액이 유통하고, 상기 내측의 배관과 외측의 배관과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스가 유통하고 있어도 좋다.The processing liquid nozzle is supplied with the processing liquid, and a processing liquid supply pipe having a double pipe structure is connected, and the processing liquid flows through the inner pipe from the processing liquid supply pipe, and the inner pipe and the outer The purge gas which does not contain water may distribute | circulate with piping.
상기 노즐 배스의 상단(上端)에는, 상기 처리액 노즐과 접촉하여 상기 노즐 배스의 내부를 밀폐하는 씰링 부재가 설치되어 있어도 좋다.A sealing member may be provided at an upper end of the nozzle bath in contact with the processing liquid nozzle to seal the inside of the nozzle bath.
상기 처리 장치는 기판 상으로 상기 소정의 온도 이하의 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 가지며, 상기 처리액 노즐 및 상기 린스액 노즐은 하나의 지지 부재에 지지되어 있어도 좋다. 이러한 경우 상기 린스액 노즐에는, 상기 린스액을 공급하고, 2 중 관 구조를 가지는 린스액 공급관이 접속되며, 상기 린스액 공급관에서 내측의 배관 내에는 린스액이 유통하고, 상기 내측의 배관과 외측의 배관과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스가 유통하고 있어도 좋다.The processing apparatus may have a rinse liquid nozzle for supplying a rinse liquid below the predetermined temperature onto the substrate, and the processing liquid nozzle and the rinse liquid nozzle may be supported by one support member. In this case, the rinse liquid nozzle is supplied to the rinse liquid, and a rinse liquid supply pipe having a double pipe structure is connected, and a rinse liquid flows through the inner pipe from the rinse liquid supply pipe, and the inner pipe and the outer pipe The purge gas containing no water may flow between the piping and the pipe.
상기 처리 장치는, 상기 기판 상의 린스액의 표면 장력을 저하시키고, 상기 소정의 온도의 다른 처리액을 기판 상으로 공급하는 다른 처리액 노즐을 가지며, 상기 처리액 노즐, 상기 린스액 노즐 및 상기 다른 처리액 노즐은 하나의 지지 부재에 지지되어 있어도 좋다. 이러한 경우 상기 다른 처리액 노즐에는, 상기 다른 처리액을 공급하고, 2 중 관 구조의 다른 처리액 공급관이 접속되며, 상기 다른 처리액 공급관에서 내측의 배관 내에는 다른 처리액이 유통하고, 상기 내측의 배관과 외측의 배관과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스가 유통하고 있어도 좋다. 이때, 다른 처리액에는 예를 들면 이소프로필 알코올이 이용된다.The processing apparatus has another processing liquid nozzle which lowers the surface tension of the rinse liquid on the substrate and supplies another processing liquid of the predetermined temperature onto the substrate, wherein the processing liquid nozzle, the rinse liquid nozzle, and the other The processing liquid nozzle may be supported by one support member. In this case, the said other process liquid is supplied to the said other process liquid nozzle, the other process liquid supply pipe of the double pipe | tube structure is connected, and another process liquid flows in the piping inside from the said other process liquid supply pipe, and the said inside The purge gas containing no water may flow between the pipe and the pipe on the outside. At this time, for example, isopropyl alcohol is used as the other treatment liquid.
상기 처리액 노즐에는 상기 처리액의 온도를 측정하는 온도 센서가 설치되어 있어도 좋다.The processing liquid nozzle may be provided with a temperature sensor for measuring the temperature of the processing liquid.
상기 소정의 온도는 1℃ ~ 10℃인 것이 바람직하다.It is preferable that the said predetermined temperature is 1 degreeC-10 degreeC.
상기한 처리액은, 노광 후의 기판을 현상할 때에 사용되는 현상액이어도 좋다.The above-mentioned processing liquid may be a developing solution used when developing the substrate after exposure.
다른 관점에 따른 본 발명은, 상온보다 낮은 소정의 온도의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 방법으로서, 보지 부재에 보지된 기판 상으로 처리액 노즐로부터 상기 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 처리 공정과, 그 후, 상기 처리액 노즐을 상기 보지 부재 상방에서 노즐 배스로 이동시키고, 상기 노즐 배스 내에 상기 처리액 노즐의 선단부를 수용하여 상기 처리액 노즐을 대기시키는 대기 공정을 가지며, 상기 대기 공정에서, 상기 노즐 배스에서 대기 중인 상기 처리액 노즐을 샌드위치하여 설치되며, 상기 처리액 노즐의 상기 노즐 배스로부터 노출된 노출부에서의 수평 방향의 길이보다 길게 연장되는 한 쌍의 퍼지 가스 노즐로부터 상기 노출부에 대하여 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 공급하는 것을 특징으로 하고 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of treating a substrate by using a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature, wherein the processing is performed by supplying the processing liquid from the processing liquid nozzle onto the substrate held by the holding member. And a waiting step of moving the processing liquid nozzle from above the holding member to the nozzle bath and accommodating the tip of the processing liquid nozzle in the nozzle bath to wait for the processing liquid nozzle. In the nozzle bath is sandwiched by the processing liquid nozzle, the exposure from the pair of purge gas nozzles extending longer than the horizontal length in the exposed portion exposed from the nozzle bath of the processing liquid nozzle It is characterized by supplying the purge gas which does not contain water | moisture content to a part.
상기 처리액 노즐에는, 상기 처리액을 공급하고, 2 중 관 구조를 가지는 처리액 공급관이 접속되며, 상기 처리 공정 및 상기 대기 공정에서, 상기 처리액 공급관의 내측의 배관 내에 처리액을 흐르게 하고, 상기 내측의 배관과 외측의 배관과의 사이에 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 흐르게 해도 좋다.The processing liquid nozzle is supplied with the processing liquid, and a processing liquid supply pipe having a double pipe structure is connected to the processing liquid nozzle so that the processing liquid flows into the piping inside the processing liquid supply pipe in the processing step and the standby step. A purge gas containing no water may flow between the inner pipe and the outer pipe.
상기 소정의 온도는 1℃ ~ 10℃인 것이 바람직하다.It is preferable that the said predetermined temperature is 1 degreeC-10 degreeC.
이러한 방법에서도, 상기한 처리액은 노광 후의 기판을 현상할 때에 사용되는 현상액이어도 좋다.Also in such a method, the above-mentioned processing liquid may be a developing solution used when developing a substrate after exposure.
또 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 처리 방법을 처리 장치에 의해 실행시키기 위하여 상기 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a program operating on a computer of a control unit for controlling the processing device to execute the processing method by the processing device.
또 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a readable computer storage medium storing the program.
본 발명에 따르면, 저온의 처리액을 이용한 처리에서 처리액 노즐의 결로(結露)의 발생을 방지하여, 처리를 기판 면내에서 균일하게 행할 수 있다.According to the present invention, condensation of the processing liquid nozzle can be prevented from occurring in the processing using the low temperature processing liquid, and the processing can be performed uniformly in the substrate surface.
도 1은 본 실시예에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 2는 보지 부재의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 4는 복합 노즐체의 사시도이다.
도 5는 복합 노즐체의 종단면도이다.
도 6은 복합 노즐체와 노즐 배스의 사시도이다.
도 7은 복합 노즐체가 노즐 배스에 대기하고 있는 상태를 도시한 설명도이다.
도 8은 현상 처리의 각 공정을 나타낸 순서도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 복합 노즐체의 사시도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.1 is a longitudinal sectional view showing the outline of the configuration of a developing apparatus according to the present embodiment.
2 is a plan view schematically illustrating the configuration of the holding member.
3 is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of the developing apparatus according to the present embodiment.
4 is a perspective view of a composite nozzle body.
It is a longitudinal cross-sectional view of a composite nozzle body.
It is a perspective view of a composite nozzle body and a nozzle bath.
It is explanatory drawing which shows the state where the composite nozzle body waits in a nozzle bath.
8 is a flowchart showing each step of the development treatment.
9 is a perspective view of a composite nozzle body according to another embodiment.
10 is a cross sectional view showing an outline of a configuration of a developing apparatus according to another embodiment.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시예에 따른 처리 장치로서의 현상 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다. 이때, 현상 처리 장치(1)에서 이용되는 현상액의 온도는 상온(23℃)보다 낮은 소정의 온도, 예를 들면 1℃ ~ 10℃이며, 본 실시예에서는 예를 들면 3℃이다. 또한, 본 실시예에서는 기판으로서 전술한 마스크용의 기판(G)을 현상 처리하는 경우에 대하여 설명한다. 이 기판(G)은 평면에서 봤을 때, 예를 들면 사각형의 형상을 가지며, 예를 들면 글라스로 이루어진다. 또한, 기판(G) 상에는 현상 처리 장치(1)로 반입될 때에 미리 레지스트막이 형성되어 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of this invention is described. 1 is a longitudinal sectional view showing the outline of the configuration of a developing
이어서, 전술한 현상 처리 장치(1)의 구성에 대하여 설명한다. 현상 처리 장치(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 측면에 기판(G)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성된 처리 용기(10)를 가지고 있다. 처리 용기(10)는 내부를 밀폐 가능하며, 본 실시예에서 당해 내부의 분위기의 온도는 상온(23℃)보다 낮은, 예를 들면 15℃로 유지되어 있다.Next, the structure of the above-mentioned developing
처리 용기(10)의 내부에는 기판(G)을 보지(保持)하여 회전시키는 보지 부재(20)가 설치되어 있다. 보지 부재(20)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 내부에 기판(G)을 수용하는 수용부(21)를 가지고 있다. 수용부(21)의 개구된 하면에는 수용부(21)를 지지하는 지지 프레임(22)이 설치되어 있다. 지지 프레임(22)은 후술하는 샤프트(24)를 중심으로 십(十)자 형상으로 배치되어, 수용부(21)에 수용된 기판(G)의 하면을 지지할 수 있다. 수용부(21)의 내주(內周)는 기판(G)의 외형에 적합한 대략 사각형의 평면 형상을 가지고 있다. 수용부(21)의 외주(外周)는 대략 원형의 평면 형상을 가지고 있다. 여기서, 현상 처리 장치(1)의 처리 용기(10)로의 기판(G)의 반입출에는 반송 암(A)이 이용된다. 반송 암(A)에는 기판(G)의 모서리부를 보지하는 보지부(B)가, 예를 들면 4 개소에 설치되어 있다. 이 반송 암(A)으로부터 수용부(21)로 기판(G)을 전달할 때에 반송 암(A)의 보지부(B)가 수용부(21)와 간섭하는 것을 피하기 위하여, 수용부(21)의 외주에는 절결부(23)가 4 개소에 형성되어 있다.The holding
보지 부재(20)의 지지 프레임(22)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 샤프트(24)에 설치되어 있다. 보지 부재(20)의 하방에는 이 샤프트(24)를 개재하여 회전 구동부(25)가 설치되어 있다. 이 회전 구동부(25)에 의해 보지 부재(20)는 수직축을 중심으로 소정의 속도로 회전할 수 있고 또한 승강할 수 있다.The
보지 부재(20)의 하방측에는 상방으로 돌기(突起)한 가이드 링(30)이 설치되어 있고, 이 가이드 링(30)의 외주연(外周緣)은 하방측으로 굴곡하여 연장되어 있다. 또한, 보지 부재(20), 보지 부재(20)에 보지된 기판(G) 및 가이드 링(30)을 둘러싸도록 컵(31)이 설치되어 있다.The
컵(31)은 상면에 보지 부재(20)가 승강할 수 있도록 기판(G)보다 큰 개구부가 형성되어 있고, 측주면(側周面)과 가이드 링(30)의 외주연과의 사이에 배출로를 이루는 간극(32)이 형성되어 있다. 컵(31)의 하방측은 가이드 링(30)의 외주연 부분과 함께 굴곡로를 형성하여 기액(氣液) 분리부를 구성하고 있다. 컵(31)의 저부(底部)의 내측 영역에는 배기구(33)가 형성되어 있고, 이 배기구(33)에는 배기관(33a)이 접속되어 있다. 또한, 컵(31)의 저부의 외측 영역에는 배액구(34)가 형성되어 있고, 이 배액구(34)에는 배액관(34a)이 접속되어 있다.The
보지 부재(20)의 하방이며 가이드 링(30) 상에는 기판(G)의 이면을 향하여 린스액을 분사하는 백 린스 노즐(35, 35)이, 예를 들면 2 개소에 설치되어 있다. 백 린스 노즐(35)에는, 예를 들면 3℃의 린스액을 공급하는 공급관(36)이 접속되어 있다. 공급관(36)은 2 중 관 구조를 가지고 있다. 공급관(36)의 내측 배관 내에는, 예를 들면 3℃의 린스액이 유통하고, 내측 배관과 외측 배관과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 상온의 퍼지 가스, 예를 들면 공기 또는 질소 가스가 유통한다. 이 퍼지 가스에 의해 공급관(36)이 결로(結露)되는 것을 방지하고 있다. 또한, 린스액은, 도 1에 도시한 바와 같이, 린스액 공급원(37)으로부터 공급관(36)으로 공급되고, 상기 퍼지 가스는 퍼지 가스 공급원(38)으로부터 공급관(36)으로 공급된다.The back rinse
도 3에 도시한 바와 같이, 컵(31)의 X 방향 부방향(도 3의 하방향)측에는 Y 방향(도 3의 좌우 방향)을 따라 연장되는 레일(40)이 형성되어 있다. 레일(40)은, 예를 들면 컵(31)의 Y 방향 부방향(도 3의 좌방향)측의 외방에서부터 Y 방향 정방향(도 3의 우방향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(40)에는 암(41)이 장착되어 있다.As shown in FIG. 3, the
암(41)에는 기판(G) 상으로 각종 액을 공급하는 복합 노즐체(42)가 지지되어 있다. 암(41)은 노즐 구동부(43)에 의해 레일(40) 상을 이동 가능하다. 이에 따라, 복합 노즐체(42)는 컵(31)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 노즐 배스(44)에서부터 컵(31) 내의 기판(G)의 중심부 상방까지 이동할 수 있다. 또한, 암(41)은 노즐 구동부(43)에 의해 승강 가능하며, 복합 노즐체(42)의 높이를 조정할 수 있다.The
복합 노즐체(42)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 예를 들면 기판(G) 상으로 현상액을 공급하는 현상액 노즐(50)과, 기판(G) 상으로 린스액을 공급하는 린스액 노즐(51)과, 기판(G) 상으로 본 발명의 다른 처리액으로서의 처리액을 공급하는 다른 처리액 노즐로서의 처리액 노즐(52)을 가진다. 린스액 노즐(51) 및 처리액 노즐(52)은 고정 부재(53)를 개재하여 현상액 노즐(50)에 고정되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 현상액에 유기계의 현상액이 이용된다. 또한, 린스액에도 유기계의 현상액이 이용된다. 또한, 본 발명의 다른 처리액으로서의 처리액에는 이소프로필 알코올이 이용된다.As shown in FIG. 4, the
현상액 노즐(50)의 하단면(下端面)에는 슬릿 형상의 공급구(60)가 형성되어 있다. 현상액 노즐(50)은 공급구(60)로부터 보지 부재(20)에 보지된 기판(G)을 향하여 비스듬히 하방으로 띠 형상으로 현상액을 토출할 수 있다. 현상액 노즐(50)에는 당해 현상액 노즐(50)로 현상액을 공급하는 현상액 공급관(61)이 접속되어 있다. 현상액 공급관(61)은 2 중 관 구조를 가지고 있다. 현상액 공급관(61)의 내측 배관(62) 내에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 예를 들면 3℃로 온도 조절된 현상액이 유통한다. 이 내측 배관(62)은 공급구(60)와 연통되어 있다. 또한, 내측 배관(62)과 외측 배관(63)과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 상온의 퍼지 가스, 예를 들면 공기 또는 질소 가스가 유통한다. 이 퍼지 가스에 의해 현상액 공급관(61)이 결로되는 것을 방지하고 있다. 현상액은 현상액 공급원(64)으로부터 현상액 공급관(61)의 내측 배관(62)으로 공급된다. 또한, 퍼지 가스는 퍼지 가스 공급원(65)으로부터 내측 배관(62)과 외측 배관(63)의 사이로 공급된다. 퍼지 가스 공급원(65)을 설치하지 않고 전술한 퍼지 가스 공급원(38)으로부터 공급하도록 해도 좋다. 또한, 현상액 노즐(50)에는, 예를 들면 테프론(등록 상표)이 이용된다.The slit-shaped
린스액 노즐(51)과 처리액 노즐(52)의 하단면에는, 도 4에 도시한 바와 같이, 대략 원형의 공급구(70, 71)가 각각 형성되어 있다. 린스액 노즐(51)과 처리액 노즐(52)로부터 린스액과 다른 처리액으로서의 처리액이 공급되는 기판(G) 상의 위치는 현상액 노즐(50)로부터 현상액이 공급되는 기판(G) 상의 위치와 대략 일치하고 있다. 린스액 노즐(51)과 처리액 노즐(52)에는 이들 린스액 노즐(51)과 처리액 노즐(52)로 린스액과 처리액을 공급하는 린스액 공급관 및 다른 처리액 공급관으로서의 액공급관(72)이 접속되어 있다. 액공급관(72)은 2 개의 내측 배관(73, 74)을 내부에 구비한 2 중 관 구조를 가지고 있다. 제 1 내측 배관(73) 내에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 예를 들면 3℃로 온도 조절된 린스액이 유통한다. 제 1 내측 배관(73)은 린스액 노즐(51)에 접속되어 있다. 제 2 내측 배관(74) 내에는, 예를 들면 3℃로 온도 조절된 처리액이 유통한다. 제 2 내측 배관(74)은 처리액 노즐(52)에 접속되어 있다. 또한, 내측 배관(73, 74)과 외측 배관(75)과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 상온의 퍼지 가스, 예를 들면 공기 또는 질소 가스가 유통한다. 이 퍼지 가스에 의해 액공급관(72)이 결로되는 것을 방지하고 있다. 린스액은 린스액 공급원(76)으로부터 제 1 내측 배관(73)으로 공급된다.On the lower end surfaces of the rinse
현상액 노즐(50)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 그 상단부가 지지 부재(80)에 지지되어 있다. 또한, 린스액 노즐(51)과 처리액 노즐(52)은 이 지지 부재(80)를 관통하여 배치되어 있다. 지지 부재(80)의 일측면에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 현상액의 온도를 측정하는 온도 센서(81)를 설치하기 위한 조인트(82)가 접속되어 있다. 또한, 지지 부재(80)의 다른 측면은 도 3에 도시한 암(41)에 지지되어 있다.As shown in FIG. 4, the developing
지지 부재(80)의 상면에는 통기 부재(83)가 설치되어 있다. 통기 부재(83)에는 현상액 공급관(61) 내의 퍼지 가스가 유입되는 제 1 가스실(84)과, 액공급관(72) 내로 퍼지 가스를 유출시키는 제 2 가스실(85)이 형성되어 있다. 제 1 가스실(84)과 제 2 가스실(85)과의 사이에는 퍼지 가스가 유통하는 유통구(86)가 형성되어 있다. 따라서, 현상액 공급관(61) 내를 유통하는 퍼지 가스는 제 1 가스실(84), 유통구(86), 제 2 가스실(85)을 경유하여 액공급관(72) 내로 유입된다. 즉, 통기 부재(83)는 현상액 공급관(61) 내와 액공급관(72) 내에서 퍼지 가스가 순환하도록 구성되어 있다.The
복합 노즐체(42)는 기판(G)에 처리를 행하지 않을 때, 도 6에 도시한 바와 같이, 노즐 배스(44)에서 대기하고 있다. 복합 노즐체(42)는 그 선단부가 노즐 배스(44) 내에 수용된다. 그리고, 복합 노즐체(42)의 지지 부재(80), 조인트(82) 및 통기 부재(83)는 노즐 배스(44)로부터 노출되어 처리 용기(10) 내의 분위기에 노출되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 이들 지지 부재(80), 조인트(82) 및 통기 부재(83)가 본 발명에서의 노출부를 구성하고 있다.When the
노즐 배스(44)는 배스 본체(90)를 가지고 있다. 배스 본체(90)의 상면에는 전술한 바와 같이 복합 노즐체(42)의 선단부를 수용하는 수용부(91)가 설치되어 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 수용부(91)의 상면에는 복합 노즐체(42)와 접촉하여 노즐 배스(44)의 내부를 밀폐하기 위한 씰링 부재(92)가 환상(環狀)으로 설치되어 있다. 씰링 부재(92)에는 예를 들면 수지제의 Ｏ 링이 이용된다.The
또한, 노즐 배스(44)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 한 쌍의 퍼지 가스 노즐(93, 93)을 가지고 있다. 한 쌍의 퍼지 가스 노즐(93, 93)은 배스 본체(90)의 상면에 설치된 퍼지 가스 공급원(94)에 접속되어 있다. 한 쌍의 퍼지 가스 노즐(93, 93)은 노즐 배스(44)에서 대기 중인 복합 노즐체(42)를 사이에 두고 설치되어 있다. 퍼지 가스 노즐(93)은 전술한 바와 같이 노즐 배스(44)로부터 노출된 지지 부재(80), 조인트(82) 및 통기 부재(83)를 둘러싸도록 수평 방향으로 연장되어 있다. 그리고, 도 7에 도시한 바와 같이, 퍼지 가스 노즐(93)의 길이 방향으로 형성된 복수의 공급구(도시하지 않음)로부터 지지 부재(80), 조인트(82) 및 통기 부재(83)로 수분을 포함하지 않는 상온의 퍼지 가스, 예를 들면 공기 또는 질소 가스가 공급된다. 이 퍼지 가스에 의해 지지 부재(80), 조인트(82) 및 통기 부재(83)가 결로되는 것을 방지하고 있다. 또한, 노즐 배스(44) 내로도 수분을 포함하지 않는 상온의 퍼지 가스가 공급되고 있어, 대기 중인 복합 노즐체(42)의 선단부의 결로가 방지된다.Moreover, the
또한, 전술한 현상액 공급관(61), 액공급관(72) 및 공급관(36)은 각각 액공급 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 액공급 장치 내에서는 현상액 노즐(50)로 공급되는 현상액, 린스액 노즐(51) 및 백 린스 노즐(35)로 공급되는 린스액, 처리액 노즐(52)로 공급되는 처리액이 각각 3℃로 온도 조절된다.In addition, the above-described developing
이상의 현상 처리 장치(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제어부(100)가 설치되어 있다. 제어부(100)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는 현상 처리 장치(1)에서의 기판(G)의 현상 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있는 것이며, 이 기억 매체로부터 제어부(100)에 인스톨된 것이어도 좋다.The
본 실시예에 따른 현상 처리 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있다. 이어서, 이 현상 처리 장치(1)에서 행해지는 현상 처리에 대하여 설명한다. 도 8은 이 현상 처리의 주된 처리 순서를 나타내고 있다.The developing
먼저, 기판(G)이 반송 암(A)에 보지되어 현상 처리 장치(1)로 반송된다. 현상 처리 장치(1)로 반입된 기판(G)은 보지 부재(20)에 보지된다. 이때, 현상 처리 장치(1) 내의 분위기의 온도는, 예를 들면 15℃로 조절되어 있다. 이어서, 복합 노즐체(42)를 기판(G)의 중심부 상방까지 이동시키고, 기판(G)을 회전시킨다. 그리고, 회전 중인 기판(G)의 표면으로 린스액 노즐(51)로부터, 예를 들면 3℃의 린스액을 공급하고, 기판(G)의 이면으로 백 린스 노즐(35)로부터, 예를 들면 3℃의 린스액을 분사한다. 이렇게 하여 기판(G)이 약 3℃로 냉각된다(도 8의 단계(S1)).First, the board | substrate G is hold | maintained by the conveyance arm A, and it is conveyed to the image
그 후, 린스액 노즐(51) 및 백 린스 노즐(35)로부터의 린스액의 공급을 정지하고, 이어서 회전 중인 기판(G) 상으로 현상액 노즐(50)로부터, 예를 들면 3℃의 현상액을 공급한다. 공급된 현상액은 원심력에 의해 기판(G) 상에서 확산되어, 기판(G) 상의 레지스트막이 현상된다(도 8의 단계(S2)). 이때, 미리 기판(G)이 약 3℃로 냉각되어 있으므로, 현상 속도를 충분히 늦출 수 있다. 따라서, 현상 처리를 기판 면내에서 균일하게 행할 수 있어, 기판(G) 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.Thereafter, the supply of the rinse liquid from the rinse
그 후, 현상액 노즐(50)로부터의 현상액의 공급을 정지하고, 이어서 회전 중인 기판(G) 상으로 린스액 노즐(51)로부터, 예를 들면 3℃의 린스액을 공급한다. 이 린스액에 의해 기판(G)의 표면이 세정된다(도 8의 단계(S3)).Thereafter, the supply of the developer from the
그 후, 린스액 노즐(51)로부터의 린스액의 공급을 정지하고, 이어서 회전 중인 기판(G) 상으로 처리액 노즐(52)로부터, 예를 들면 3℃의 처리액을 공급한다. 여기서, 단계(S3)에서 기판(G) 상으로 린스액을 공급하면, 이른바 패턴 붕괴가 일어나기 쉬워진다. 패턴 붕괴는 린스액의 표면 장력에 의해 레지스트 패턴이 인장(引張)되어 붕괴되는 현상이며, 특히 미세한 레지스트 패턴을 형성할 때에 현저하게 발생한다. 본 실시예에서는 처리액인 이소프로필 알코올을 기판(G) 상으로 공급하여 레지스트 패턴 상에 잔존하는 린스액의 표면 장력을 저하시켜 패턴 붕괴를 방지할 수 있다. 이렇게 하여, 처리액에 의해 기판(G)의 표면 처리가 행해진다(도 8의 단계(S4)).Thereafter, the supply of the rinse liquid from the rinse
그 후, 처리액 노즐(52)로부터의 처리액의 공급을 정지하고, 계속해서 기판(G)을 회전시켜 처리액을 털어내기 건조시킨다. 그 후, 기판(G)의 회전을 정지하고, 복합 노즐체(42)를 기판(G)의 중심부 상방에서 노즐 배스(44)로 이동시킨다.Thereafter, the supply of the processing liquid from the processing
이와 같이 현상 처리 장치(1)에서의 처리가 종료되면, 기판(G)은 보지 부재(20)에서 반송 암(A)으로 전달되어 현상 처리 장치(1)로부터 반출된다. 이렇게 하여, 현상 처리 장치(1)에서의 일련의 현상 처리가 종료된다.Thus, when the process in the image
한편, 노즐 배스(44)로 이동한 복합 노즐체(42)는 그 선단부가 노즐 배스(44)에 수용된다. 이와 같이 복합 노즐체(42)가 노즐 배스(44)에 대기하는 중 한 쌍의 퍼지 가스 노즐(93, 93)로부터 복합 노즐체(42)의 노출부, 즉 지지 부재(80), 조인트(82) 및 통기 부재(83)에 대하여 퍼지 가스가 공급된다(도 8의 단계(S5)). 또한, 노즐 배스(44)의 내부로도 퍼지 가스가 공급된다. 이렇게 하여 대기 중인 복합 노즐체(42)의 결로가 방지된다. 또한, 이 복합 노즐체(42)의 대기 중에 현상액 공급관(61)과 액공급관(72) 내에는 각각 퍼지 가스가 유통하여 이들 현상액 공급관(61)과 액공급관(72)의 결로가 방지된다.On the other hand, the distal end portion of the
그리고, 다음의 기판(GN)(또한 부호 ‘GN’은 도면 중에는 등장하지 않지만, 앞서 처리에 부여된 기판(G)과 구별하기 위하여 문장 중에서 이용하고 있음)이 현상 처리 장치(1)로 반입되어 소정의 현상 처리가 행해지기 전에, 대기 중인 복합 노즐체(42)의 현상액 노즐(50)로부터 현상액 공급관(61) 내에 잔존하는 현상액이 노즐 배스(44) 내로 배출되어 폐기된다(도 8의 단계(S6)). 이 현상액의 배출은 복합 노즐체(42)의 대기 중, 현상액 공급관(61) 내의 현상액의 온도가 상승하여 3℃ 이상으로 되어 있기 때문에 행해진다. 그 후, 액공급 장치(도시하지 않음)로부터 3℃로 온도 조절된 현상액이 현상액 노즐(50)로 공급되고, 현상액 노즐(50)에서 현상액의 더미 토출이 행해진다(도 8의 단계(S7)). 이 더미 토출은 현상액 노즐(50)로부터 공급되는 현상액의 온도를 3℃로 안정시키기 위하여 행해진다. 또한, 마찬가지로 린스액 노즐(51)과 처리액 노즐(52)에서도 단계(S6)에서의 액공급관(72) 내의 린스액과 처리액의 배출, 단계(S7)에서의 더미 토출이 각각 행해진다.Subsequently, the next substrate GN (also referred to as 'GN' does not appear in the drawing but is used in the sentence to distinguish it from the substrate G given in the foregoing processing) is carried into the developing
그 후, 한 쌍의 퍼지 가스 노즐(93, 93)로부터의 퍼지 가스의 공급을 정지한다(도 8의 단계(S8)). 이어서, 복합 노즐체(42)를 기판(G)의 중심부 상방까지 이동시킨 후, 기판(GN)에 대하여 린스액에 의한 기판(GN)의 냉각(도 8의 단계(S1)), 현상액에 의한 기판(GN) 상의 레지스트막의 현상(도 8의 단계(S2)), 린스액에 의한 기판(GN)의 표면의 세정(도 8의 단계(S3)), 처리액에 의한 기판(GN)의 표면 처리(도 8의 단계(S4))가 차례로 행해진다. 그 후, 기판(G)은 보지 부재(20)에서 반송 암(A)으로 전달되어 현상 처리 장치(1)로부터 반출된다. 이렇게 하여, 기판(GN)에 대한 일련의 현상 처리가 종료된다.Thereafter, the supply of the purge gas from the pair of
이상의 실시예에 따르면, 단계(S5)에서 복합 노즐체(42)가 노즐 배스(44)에서 대기 중에, 당해 복합 노즐체(42)의 노출부에 대하여 한 쌍의 퍼지 가스 노즐(93, 93)로부터 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 공급하고 있다. 이 때문에, 현상 처리 장치(1)에서 이용되는 현상액, 린스액, 처리액의 온도가 상온보다 낮은 온도인 3℃여도 복합 노즐체(42)가 결로되는 것을 방지할 수 있으며, 결로된 물방울이 기판(G) 상에 적하(適下)되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 현상 처리를 기판 면내에서 균일하게 행할 수 있다. 또한, 복합 노즐체(42)로부터 현상액, 린스액, 처리액을 공급하여 기판(G)의 현상 처리를 행하는 시간은 복합 노즐체(42)가 노즐 배스(44)에서 대기하는 시간에 비해 극히 단시간이기 때문에, 당해 현상액 처리 중에 복합 노즐체(42)가 결로되지는 않는다.According to the above embodiment, the pair of
또한, 현상액 공급관(61)은 2 중 관 구조를 가지며, 내측 배관(62)과 외측 배관(63)과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스가 유통하고 있다. 마찬가지로 액공급관(72)도 2 중 관 구조를 가지며, 내측 배관(73, 74)과 외측 배관(75)과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스가 유통하고 있다. 따라서, 이들 현상액 공급관(61)과 액공급관(72)의 결로를 방지할 수 있다.In addition, the developing
또한, 노즐 배스(44)의 수용부(91)의 상면에는 복합 노즐체(42)와 접촉하여 노즐 배스(44)의 내부를 밀폐하기 위한 씰링 부재(92)가 설치되어 있다. 이 때문에, 복합 노즐체(42)가 노즐 배스(44)에서 대기 중에 당해 노즐 배스(44) 내에 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 충만(充滿)시킬 수 있다. 따라서, 복합 노즐체(42)의 선단부의 결로를 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 단계(S6)에서 복합 노즐체(42)로부터 현상액, 린스액 및 처리액이 배출될 때, 또는 단계(S7)에서 복합 노즐체(42)로부터 현상액, 린스액 및 처리액의 더미 토출이 행해질 때에 이들 현상액, 린스액 및 처리액이 노즐 배스(44)로부터 처리 용기(10)로 유출되는 것을 방지할 수 있다.Moreover, the sealing
또한, 현상액 노즐(50), 린스액 노즐(51), 처리액 노즐(52)은 일체의 복합 노즐체(42)로서 설치되기 때문에, 레일(40) 또는 암(41), 노즐 구동부(43)를 복수 설치할 필요가 없다. 따라서, 현상 처리 장치(1)를 간소화하여 소형화할 수 있고, 현상 처리 장치(1)의 제조 비용도 저렴화할 수 있다.In addition, since the developing
또한, 현상액 노즐(50)에는 온도 센서(81)가 설치되어 있으므로, 현상액 노즐(50)로부터 기판(G) 상으로 공급되기 직전의 현상액의 온도를 측정할 수 있다. 이 때문에, 기판(G) 상의 현상액의 온도를 확실하게 3℃로 유지할 수 있어, 현상 처리를 적절하게 행할 수 있다.Moreover, since the
이상의 실시예에서는, 단계(S1)에서 기판(G)을 냉각시키기 위하여 이용되는 린스액의 온도는 소정의 온도, 예를 들면 3℃였으나, 당해 린스액의 온도를 3℃보다 낮춰도 좋다. 이러한 경우, 단계(S3)에서 기판(G)을 세정하기 위하여 이용되는 린스액의 온도는 3℃이기 때문에, 복합 노즐체(42)에는, 도 9에 도시한 바와 같이, 다른 린스액 노즐(110)이 별도 설치된다. 즉, 린스액 노즐(51)로부터 기판(G)으로 공급되는 린스액의 온도는 3℃보다 낮고, 다른 린스액 노즐(110)로부터 기판(G)으로 공급되는 린스액의 온도는 3℃이다.In the above embodiment, the temperature of the rinse liquid used to cool the substrate G in step S1 was a predetermined temperature, for example, 3 ° C., but the temperature of the rinse liquid may be lower than 3 ° C. In this case, since the temperature of the rinse liquid used to clean the substrate G in step S3 is 3 ° C., the
다른 린스액 노즐(110)은 린스액 노즐(51) 및 처리액 노즐(52)과 함께 고정 부재(53)를 개재하여 현상액 노즐(50)에 고정되어 있다. 다른 린스액 노즐(110)의 하단면에는 대략 원형의 공급구(111)가 형성되어 있다. 다른 린스액 노즐(110)에는 전술한 액공급관(72)이 접속되어 있다. 액공급관(72) 내에는 2 개의 내측 배관(73, 74)에 추가로, 내부에 3℃의 린스액이 유통하는 내측 배관(112)이 설치되어 있다. 이 내측 배관(112)이 다른 린스액 노즐(110)에 접속되어 있다. 또한, 복합 노즐체(42)의 그 외의 구성에 대해서는 도 4에서 도시한 복합 노즐체(42)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.The other rinse
이러한 경우, 도 8의 단계(S1)에서 기판(G)으로 린스액 노즐(51)로부터 3℃보다 낮은 온도의 린스액이 공급되어 기판(G)이 냉각된다. 그리고, 단계(S3)에서 기판(G) 상으로 다른 린스액 노즐(110)로부터 3℃의 린스액이 공급되어 기판(G)의 표면이 세정된다. 또한, 그 외의 처리 공정에 대해서는 도 8에 나타낸 공정과 동일하므로 설명을 생략한다.In this case, the rinse liquid at a temperature lower than 3 ° C. is supplied from the rinse
본 실시예에 따르면, 단계(S1)에서 3℃보다 낮은 온도의 린스액이 공급되므로, 기판(G)을 보다 신속하게 약 3℃까지 냉각시킬 수 있다. 따라서, 기판(G)의 현상 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to this embodiment, since the rinse liquid at a temperature lower than 3 ° C. is supplied in step S1, the substrate G can be cooled to about 3 ° C. more quickly. Therefore, the throughput of the developing treatment of the substrate G can be improved.
이상의 실시예에서 린스액 노즐(51), 처리액 노즐(52), 다른 린스액 노즐(110)은 하나의 액공급관(72)에 접속되어 있었으나, 각각 개별적인 린스액 공급관, 처리액 공급관에 접속되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 각각의 린스액 공급관, 처리액 공급관은 2 중 관 구조를 가지며, 상기 현상액 공급관(61)과 동일한 구성을 가지고 있다. 즉, 린스액 공급관 또는 처리액 공급관의 내측 배관 내에는 린스액 또는 처리액이 각각 유통하고, 내측 배관과 외측 배관과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 상온의 퍼지 가스가 유통하고 있다. 이 퍼지 가스에 의해 린스액 공급관과 처리액 공급관의 결로를 방지할 수 있다.In the above embodiment, the rinse
이상의 실시예의 현상액 노즐(50)에는 다양한 형상의 노즐을 이용할 수 있으며, 예를 들면 도 10에 도시한 현상액 노즐(120)을 이용해도 좋다. 또한, 이러한 경우 현상액 노즐(120)은 복합 노즐체(42)로부터 별도로 독립적으로 설치되어도 좋다. 현상액 노즐(120)은 기판(G)의 한 변 치수와 동일하거나 그보다 긴 X 방향을 따른 가늘고 긴 형상을 가지고 있다. 현상액 노즐(120)의 하면에는 길이 방향을 따라 일렬로 형성된 복수의 토출구(도시하지 않음)가 형성되어, 각 토출구로부터 일률적으로 현상액을 토출할 수 있다.Various shapes of nozzles can be used for the developing
현상액 노즐(120)은 암(121)에 지지되어 있다. 암(121)은 노즐 구동부(122)에 의해 Y 방향을 따라 연장되는 레일(123) 상을 이동 가능하다. 이에 따라, 현상액 노즐(120)은 컵(31)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 노즐 배스(124)에서부터 컵(31)의 Y 방향 부방향측까지 이동할 수 있다. 또한, 암(121)은 노즐 구동부(122)에 의해 승강 가능하며, 현상액 노즐(120)의 높이를 조정할 수 있다.The developing
노즐 배스(124)는 도 6에 도시한 노즐 배스(44)와 동일한 구성을 가지고 있다. 즉, 현상액 노즐(120)의 선단부는 노즐 배스(124)에 수용되고, 노즐 배스(124)의 한 쌍의 퍼지 가스 노즐(93, 93)은 노즐 배스(124)로부터 노출된 현상액 노즐(120)의 노출부를 둘러싸도록 수평 방향으로 연장되어 있다. 이러한 경우에도, 한 쌍의 퍼지 가스 노즐(93, 93)로부터 공급된 퍼지 가스에 의해 현상액 노즐(120)의 노출부의 결로를 방지할 수 있다.The
또한, 이상의 실시예에서는 마스크용의 기판(G)의 현상 처리에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 기판이, 예를 들면 반도체 웨이퍼 또는 FPD(플랫 패널 디스플레이)인 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 근래에 기판에 보다 미세한 패턴을 형성하기 위하여, 기판에 포토리소그래피 처리를 행하는 대신에 이른바 임프린트라고 불리는 방법을 이용하는 것이 제안되고 있다. 이 임프린트라고 하는 방법은, 표면에 미세한 패턴을 가지는 템플릿을 기판 상에 형성한 레지스트 표면에 압착시키고, 그 후 박리하여 당해 레지스트 표면에 직접 패턴의 전사를 행하는 것이다. 본 발명은 이러한 템플릿에 현상 처리를 행하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 이 템플릿은 예를 들면 홀더에 보지되어 본 발명의 현상 처리가 행해져도 좋다.In addition, in the above embodiment, the developing process of the substrate G for masks was demonstrated, but this invention is applicable also when a board | substrate is a semiconductor wafer or FPD (flat panel display), for example. Moreover, in recent years, in order to form a finer pattern on a board | substrate, it is proposed to use what is called an imprint instead of performing a photolithographic process on a board | substrate. This imprinting method is to compress a template having a fine pattern on the surface to a resist surface formed on a substrate, and then peel off to transfer the pattern directly to the resist surface. The present invention can also be applied to the case of developing the template. In addition, this template may be hold | maintained, for example in the holder, and the image development process of this invention may be performed.
또한, 이상의 실시예에서는 유기계의 현상액과 유기계의 린스액을 이용하여 기판(G)을 현상 처리하는 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 알칼리성의 현상액과 순수의 린스액을 이용하여 기판을 현상 처리하는 경우에도 적용할 수 있다.In addition, in the above embodiment, the case where the substrate G is developed using the organic developer and the organic rinse solution has been described. However, the present invention develops the substrate using the alkaline developer and the pure rinse solution. It can also be applied.
또한, 이상의 실시예에서는 기판을 처리하는 처리액으로서 현상액을 이용하여 기판(G)을 현상 처리하는 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 현상액 이외의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 경우에도 적용할 수 있다. 이 경우, 예를 들면 SC1(NH4OH / H2O2 / H2O), SC2(HCl / H2O2 / H2O), 불산, 오존수, 탄산수, IPA(이소프로필 알코올) 등의 처리액을 이용하여 기판을 처리할 수 있으며, 예를 들면 기판에 대한 세정, 에칭, 산화막 형성의 처리 등에도 적용 가능하다. 이 경우, 예를 들면 상기 처리액을 공급하는 노즐로부터 상온보다 낮은 소정의 온도로 한 상기 처리액을 공급할 때, 결로에 의해 노즐에 부착된 물방울이 기판 상에 떨어지고, 그 결과 떨어진 물방울이 기판 상에서 워터 마크가 되어 파티클의 원인이 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 결로에 의해 발생한 물방울이 기판 상의 처리액과 혼합되어 농도 변화를 일으켜 소기(所期)의 처리가 얻어지지 않는다고 하는 사태도 방지할 수 있다.In addition, in the above embodiment, the case where the substrate G is developed using a developing solution as the processing liquid for processing the substrate has been described. Can be. In this case, for example, SC1 (NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O), SC2 (HCl / H 2 O 2 / H 2 O), hydrofluoric acid, ozone water, carbonated water, IPA (isopropyl alcohol) The substrate can be treated using the processing liquid, and for example, the substrate can be applied to cleaning, etching, or oxide film formation on the substrate. In this case, for example, when supplying the processing liquid at a predetermined temperature lower than room temperature from the nozzle for supplying the processing liquid, water droplets attached to the nozzles due to condensation fall on the substrate, and as a result, the dropped water droplets fall on the substrate. Watermark can be prevented from causing particles. In addition, it is also possible to prevent a situation in which water droplets generated by condensation are mixed with the processing liquid on the substrate to cause a change in concentration, thereby preventing the desired treatment from being obtained.
이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종 변경예 또는 수정예를 도출해낼 수 있다는 것은 자명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.As mentioned above, although the preferred embodiment of this invention was described with reference to an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. It will be apparent to those skilled in the art that various changes or modifications can be made within the scope of the idea described in the claims, and these are naturally understood to belong to the technical scope of the present invention.
본 발명은 상온보다 낮은 소정의 온도의 처리액을 이용하여 기판을 처리할 때에 유용하다.This invention is useful when processing a board | substrate using the process liquid of predetermined temperature lower than normal temperature.
1 : 현상 처리 장치
10 : 처리 용기
20 : 보지 부재
35 : 백 린스 노즐
42 : 복합 노즐체
44 : 노즐 배스
50 : 현상액 노즐
51 : 린스액 노즐
52 : 처리액 노즐
61 : 현상액 공급관
62 : 내측 배관
63 : 외측 배관
72 : 액공급관
73 : 제 1 내측 배관
74 : 제 2 내측 배관
75 : 외측 배관
80 : 지지 부재
81 : 온도 센서
83 : 통기 부재
90 : 배스 본체
91 : 수용부
92 : 씰링 부재
93 : 퍼지 가스 노즐
110 : 다른 린스액 노즐
120 : 현상액 노즐
100 : 제어부
G : 기판1: developing device
10 processing container
20: member missing
35: back rinse nozzle
42: compound nozzle body
44: nozzle bath
50: developer nozzle
51: rinse liquid nozzle
52: treatment liquid nozzle
61: developer supply pipe
62: inner pipe
63: outer pipe
72: liquid supply pipe
73: first inner pipe
74: second inner pipe
75: outer pipe
80 support member
81: temperature sensor
83: ventilation member
90: bath body
91: receiver
92: sealing member
93: Purge Gas Nozzle
110: other rinse liquid nozzle
120: developer nozzle
100:
G: Substrate
Claims (15)
기판을 보지(保持)하는 보지 부재와,
기판 상으로 상기 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
상기 보지 부재 상방에서 퇴피한 상기 처리액 노즐의 선단부를 수용하여 상기 처리액 노즐을 대기시키는 노즐 배스와,
상기 노즐 배스에서 대기 중인 상기 처리액 노즐을 사이에 두고 설치되며, 상기 처리액 노즐의 상기 노즐 배스로부터 노출된 노출부에서의 수평 방향의 길이보다 길게 연장되어, 상기 노출부에 대하여 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 공급하는 한 쌍의 퍼지 가스 노즐을 가지는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
A processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid of a predetermined temperature lower than room temperature,
A holding member for holding the substrate,
A processing liquid nozzle for supplying the processing liquid onto a substrate;
A nozzle bath for accommodating the leading end of the processing liquid nozzle retracted from above the holding member and waiting for the processing liquid nozzle;
Installed between the processing liquid nozzles waiting in the nozzle bath, and extending longer than the horizontal length in the exposed portion exposed from the nozzle bath of the processing liquid nozzle, do not contain moisture to the exposed portion And a pair of purge gas nozzles for supplying an unpurged purge gas.
상기 처리액 노즐에는, 상기 처리액을 공급하고, 2 중 관 구조를 가지는 처리액 공급관이 접속되며,
상기 처리액 공급관에서 내측의 배관 내에는 상기 처리액이 유통하고, 상기 내측의 배관과 외측의 배관과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스가 유통하고 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method of claim 1,
The processing liquid nozzle is supplied with the processing liquid and a processing liquid supply pipe having a double pipe structure is connected to the processing liquid nozzle.
And a processing gas flows into an inner pipe from the processing liquid supply pipe, and a purge gas containing water does not flow between the inner pipe and the outer pipe.
상기 노즐 배스의 상단에는, 상기 처리액 노즐과 접촉하여 상기 노즐 배스의 내부를 밀폐하는 씰링 부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method according to claim 1 or 2,
And a sealing member provided at an upper end of the nozzle bath to seal the inside of the nozzle bath in contact with the processing liquid nozzle.
기판 상으로 상기 미리 설정된 온도 이하의 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 가지며,
상기 처리액 노즐 및 상기 린스액 노즐은 하나의 지지 부재에 지지되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method according to claim 1 or 2,
It has a rinse liquid nozzle for supplying a rinse liquid below the predetermined temperature on the substrate,
The processing liquid nozzle and the rinse liquid nozzle are supported by one support member.
상기 린스액 노즐에는, 상기 린스액을 공급하고, 2 중 관 구조를 가지는 린스액 공급관이 접속되며,
상기 린스액 공급관에서 내측의 배관 내에는 린스액이 유통하고, 상기 내측의 배관과 외측의 배관과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스가 유통하고 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method of claim 4, wherein
The rinse liquid nozzle is supplied to the rinse liquid nozzle, and a rinse liquid supply pipe having a double pipe structure is connected.
And a rinse liquid is circulated in the inner pipe from the rinse liquid supply pipe, and a purge gas containing no water is circulated between the inner pipe and the outer pipe.
상기 기판 상의 린스액의 표면 장력을 저하시키고, 상기 미리 설정된 온도의 다른 처리액을 기판 상으로 공급하는 다른 처리액 노즐을 가지며,
상기 처리액 노즐, 상기 린스액 노즐 및 상기 다른 처리액 노즐은 하나의 지지 부재에 지지되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method of claim 4, wherein
Lowering the surface tension of the rinse liquid on the substrate and having another processing liquid nozzle for supplying another processing liquid of the predetermined temperature onto the substrate,
And the processing liquid nozzle, the rinse liquid nozzle, and the other processing liquid nozzle are supported by one support member.
상기 다른 처리액 노즐에는, 상기 다른 처리액을 공급하고, 2 중 관 구조의 다른 처리액 공급관이 접속되며,
상기 다른 처리액 공급관에서 내측의 배관 내에는 다른 처리액이 유통하고, 상기 내측의 배관과 외측의 배관과의 사이에는 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스가 유통하고 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method according to claim 6,
The other processing liquid nozzle is supplied with the other processing liquid, and another processing liquid supply pipe having a double pipe structure is connected.
Another processing liquid flows through the inner pipe from the other processing liquid supply pipe, and a purge gas that does not contain water flows between the inner pipe and the outer pipe.
상기 처리액 노즐에는 상기 처리액의 온도를 측정하는 온도 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The processing apparatus nozzle is provided with the temperature sensor which measures the temperature of the said processing liquid.
상기 미리 설정된 온도는 1℃ ~ 10℃인 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The predetermined temperature is 1 ° C ~ 10 ° C treatment apparatus.
상기 처리액은 현상액인 것을 특징으로 하는 처리 장치.
The method according to claim 1 or 2,
And the processing liquid is a developing solution.
보지 부재에 보지된 기판 상으로 처리액 노즐로부터 상기 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 처리 공정과,
그 후, 상기 처리액 노즐을 상기 보지 부재 상방에서 노즐 배스로 이동시키고, 상기 노즐 배스 내에 상기 처리액 노즐의 선단부를 수용하여 상기 처리액 노즐을 대기시키는 대기 공정을 가지며,
상기 대기 공정에서,
상기 노즐 배스에서 대기 중인 상기 처리액 노즐을 사이에 두고 설치되며, 상기 처리액 노즐의 상기 노즐 배스로부터 노출된 노출부에서의 수평 방향의 길이보다 길게 연장되는 한 쌍의 퍼지 가스 노즐로부터 상기 노출부에 대하여 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
A method of treating a substrate using a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature,
A processing step of processing the substrate by supplying the processing liquid from the processing liquid nozzle onto the substrate held by the holding member;
Thereafter, the process liquid nozzle is moved from above the holding member to the nozzle bath, and a waiting step of waiting for the process liquid nozzle by accommodating the tip of the process liquid nozzle in the nozzle bath,
In the standby process,
The exposed portion is provided from the pair of purge gas nozzles provided with the processing liquid nozzles waiting in the nozzle bath and extending longer than a horizontal length in the exposed portion exposed from the nozzle bath of the processing liquid nozzle. Supplying a purge gas containing no moisture with respect to the treatment method.
상기 처리액 노즐에는, 상기 처리액을 공급하고, 2 중 관 구조를 가지는 처리액 공급관이 접속되며,
상기 처리 공정 및 상기 대기 공정에서, 상기 처리액 공급관의 내측의 배관 내에 처리액을 흐르게 하고, 상기 내측의 배관과 외측의 배관과의 사이에 수분을 포함하지 않는 퍼지 가스를 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
The method of claim 11,
The processing liquid nozzle is supplied with the processing liquid and a processing liquid supply pipe having a double pipe structure is connected to the processing liquid nozzle.
In the treatment step and the waiting step, the treatment liquid flows into the inner pipe of the treatment liquid supply pipe, and a purge gas containing no water is allowed to flow between the inner pipe and the outer pipe. Treatment method.
상기 미리 설정된 온도는 1℃ ~ 10℃인 것을 특징으로 하는 처리 방법.
The method according to claim 11 or 12,
The predetermined temperature is a processing method, characterized in that 1 ℃ ~ 10 ℃.
상기 처리액은 현상액인 것을 특징으로 하는 처리 방법.
The method according to claim 11 or 12,
The processing method is characterized in that the developing solution.
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|---|---|---|---|---|
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| JP2000200765A (en) * | 1999-01-04 | 2000-07-18 | Toshiba Corp | Device and method for treating substrate |
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| KR100688142B1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-03-02 | 주식회사 케이씨텍 | Device for washing nozzle and method |
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Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPH07142322A (en) | 1993-06-18 | 1995-06-02 | Fujitsu Ltd | Method and device for developing resist |
| JP2000200765A (en) * | 1999-01-04 | 2000-07-18 | Toshiba Corp | Device and method for treating substrate |
| JP2005189842A (en) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Tokyo Electron Ltd | Developing method and developing apparatus |
| KR100688142B1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-03-02 | 주식회사 케이씨텍 | Device for washing nozzle and method |
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