JP2006332185A

JP2006332185A - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: JP2006332185A
Application number: JP2005151030A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Ishii; 貴幸石井; Toshihiro Izeki; 智弘井関
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2005-05-24
Filing date: 2005-05-24
Publication date: 2006-12-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which cleans the periphery of a substrate in high accuracy when applying a processing liquid onto the surface of the substrate in order to form a circuit pattern, and also to provide a substrate processing method. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus is provided with substrate turning means (52 and 54) which hold and rotate a substrate W applied with a processing liquid, a rinse liquid supply source 26 to supply a rinse liquid for dissolving the processing liquid, a cleaning nozzle 2 to hold the film of the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 26, and a control means (9) to control the operation of the substrate turning means (52 and 54) and the cleaning nozzle. The control means (9) turns the substrate W by using the substrate turning means (52 and 54), and it moves the cleaning nozzle 2 in a manner that the film of the rinse liquid is in contact with the periphery of the substrate W, so as to remove a processing liquid adhering to the periphery. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対して、基板周縁部に付着した不要なレジスト等を除去し洗浄する基板処理装置及び基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for removing unnecessary resist and the like adhering to the peripheral edge of a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate (glass substrate for liquid crystal display).

例えば半導体デバイスの製造においては、被処理体である板状の半導体ウエハ（以下、ウエハと呼ぶ）に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により回路パターンを形成する。このフォトリソグラフィ技術では、被処理体であるウエハは、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像前ベーク→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
尚、このようなフォトリソグラフィ技術については、例えば特許文献１に開示されている。
特開２０００−２３５９４９号公報 For example, in the manufacture of semiconductor devices, a predetermined film is formed on a plate-shaped semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) that is an object to be processed, and then a photoresist that is a processing liquid (hereinafter referred to as a resist) is applied. Then, a resist film is formed, the resist film is exposed corresponding to the circuit pattern, and this is developed, so that a circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique. In this photolithography technology, a wafer as a target object is subjected to a series of processes including cleaning processing → dehydration baking → adhesion (hydrophobization) processing → resist coating → prebaking → exposure → baking before development → development → post baking. A predetermined circuit pattern is formed on the resist layer through the processing.
Such a photolithography technique is disclosed in Patent Document 1, for example.
JP 2000-235949 A

この一連の処理工程において、例えばレジスト塗布工程に関しては、ウエハを回転させ、その遠心力によりレジスト膜を塗布形成するスピンコーティングが一般に行われる。このスピンコーティングによるレジスト塗布処理が行われると、ウエハの周縁部であるベベル部にもレジストが及び、そこに余分なレジストが垂れて付着した状態となる。そこで、その余分なレジストを除去するために、シンナ等のリンス液を吐出するノズルを当該ベベル部に向け、ウエハを回転させながら前記ノズルからリンス液を吐出し洗浄を行うサイドリンス処理が施される。また、ベベル部の余分なレジストをより効果的に除去するために、好ましくはサイドリンス処理と同時に、ウエハ裏面側からベベル部付近に対し、ノズルからリンス液を吐出するバックリンス処理が行われる。 In this series of processing steps, for example, with respect to the resist coating step, spin coating is generally performed in which a wafer is rotated and a resist film is coated and formed by the centrifugal force. When the resist coating process by spin coating is performed, the resist also reaches the bevel portion, which is the peripheral portion of the wafer, and excess resist hangs down on the bevel portion. Therefore, in order to remove the excess resist, a side rinsing process is performed in which a nozzle for discharging a rinsing liquid such as thinner is directed to the bevel portion, and the rinsing liquid is discharged from the nozzle and cleaned while rotating the wafer. The Further, in order to more effectively remove excess resist in the bevel portion, back rinse treatment is preferably performed simultaneously with the side rinse treatment, in which a rinse liquid is discharged from the nozzle to the vicinity of the bevel portion from the back side of the wafer.

ところで前記したサイドリンス処理にあっては、ウエハのベベル部に向け、ノズルからミスト状にリンス液を飛散させることによってリンス液をベベル部に付着させる。このため、レジストが塗布されたウエハ表面にもリンス液が付着し、ウエハ表面においてベベル部側面から内径に沿って１ｍｍ〜２．０ｍｍ程度の幅でレジストが除去される。近年では、ベベル部を洗浄しながらも、このようにウエハ表面において除去されるレジストの幅を低減することによって生産効率（歩留まり）を向上させたいという要望が高くなっている。 By the way, in the above-described side rinse treatment, the rinse liquid is adhered to the bevel portion by spraying the rinse liquid in a mist form from the nozzle toward the bevel portion of the wafer. Therefore, the rinsing liquid also adheres to the wafer surface to which the resist is applied, and the resist is removed with a width of about 1 mm to 2.0 mm along the inner diameter from the side surface of the bevel portion on the wafer surface. In recent years, there is an increasing demand for improving the production efficiency (yield) by reducing the width of the resist removed on the wafer surface in this way while cleaning the bevel portion.

その要望に対し、例えばサイドリンス処理において、ノズルから吐出されるリンス液のベベル幅方向の吐出角度を小さくし、ベベル部以外にリンス液が付着しないようにする方法が考えられる。しかしながら、そのためには吐出圧をより高く設定する必要があり、吐出圧を高くするとベベル部に形成されたノッチ部においてリンス液が跳ね返る虞があった。即ち、ノッチ部の切り欠き形状に起因してミスト状の溶液が飛散し、ウエハ表面の広範囲にリンス液が付着してその部分のレジストが除去され、結果的に歩留まり低下に繋がるという課題があった。
また、サイドリンス処理を無くし、バックリンス処理のみでベベル部の洗浄を行うとしても、ベベル部に十分な量のリンス液を付着させることが技術的に困難であるため、高精度に洗浄することができないという課題があった。 In response to the demand, for example, in the side rinsing process, a method of reducing the discharge angle of the rinsing liquid discharged from the nozzle in the bevel width direction and preventing the rinsing liquid from adhering to portions other than the bevel portion can be considered. However, for that purpose, it is necessary to set the discharge pressure higher. When the discharge pressure is increased, there is a possibility that the rinsing liquid will rebound at the notch portion formed in the bevel portion. That is, there is a problem that a mist-like solution is scattered due to the notch shape of the notch portion, and the rinsing liquid adheres to a wide area of the wafer surface, and the resist in that portion is removed, resulting in a decrease in yield. It was.
Moreover, even if the side rinse treatment is eliminated and the bevel portion is cleaned only by the back rinse treatment, it is technically difficult to attach a sufficient amount of the rinse liquid to the bevel portion, so that the bevel portion is cleaned with high accuracy. There was a problem that it was not possible.

ところで、ウエハのベベル部を高精度に洗浄する技術は、レジスト塗布工程に限らず求められている。
例えば、露光工程においては、液浸露光が次世代の露光技術として注目されている。この液浸露光とは、レンズとレジストの間に液体（例えば純水）を入れることによって屈折率を高め、解像度や焦点深度を改善する技術である。例えば、現在主流に用いられるＡｒＦエキシマレーザ光源によりドライ状態で露光した場合、線幅６５ｎｍが限界とされている。そこで、屈折率１．４４の純水をレンズとレジストとの間に入れることにより、開口数（Ｎ．Ａ．）を１．４４倍にまで増やすことができ、理論的には線幅４５ｎｍまでの微細加工に対応することができるとされている。 By the way, a technique for cleaning a bevel portion of a wafer with high accuracy is not limited to a resist coating process.
For example, in the exposure process, immersion exposure has attracted attention as a next-generation exposure technique. This immersion exposure is a technique for improving the resolution and depth of focus by increasing the refractive index by putting a liquid (for example, pure water) between a lens and a resist. For example, when exposed in a dry state with an ArF excimer laser light source that is currently used in the mainstream, the line width of 65 nm is the limit. Therefore, by putting pure water having a refractive index of 1.44 between the lens and the resist, the numerical aperture (NA) can be increased to 1.44 times, theoretically up to a line width of 45 nm. It is said that it can cope with the microfabrication.

この液浸露光において、レジストと、例えば純水とが接触すると、レジスト成分であるＰＡＧ（ｐｈｏｔｏａｃｉｄｇｅｎｅｒａｔｏｒ）や酸が水中に浸出する他、水がレジスト内部に入り込み、露光結果に悪影響を及ぼすおそれがある。このため、液浸露光前において、レジスト成分や水の浸出を抑制する保護膜（トップコート）がレジスト上に成膜される。この保護膜が成膜されたウエハを液浸露光した後においては、ウエハ表面にパーティクル等の異物が付着し、また、ベベル部周辺においては水流れの影響により保護膜が剥がれやすいため、剥がれた保護膜が汚れとして付着した状態となる。このため、液浸露光後のウエハは先ず純水等の洗浄液で洗浄され、次いで保護膜の剥離が行われる。 In this immersion exposure, when a resist comes into contact with pure water, for example, PAG (photo acid generator) and acid, which are resist components, are leached into the water, and water may enter the resist and adversely affect the exposure result. There is. For this reason, before the immersion exposure, a protective film (top coat) that suppresses leaching of the resist component and water is formed on the resist. After immersion exposure of the wafer on which this protective film was formed, foreign matter such as particles adhered to the wafer surface, and the protective film was easily peeled off due to the influence of water flow around the bevel. The protective film is attached as dirt. For this reason, the wafer after immersion exposure is first cleaned with a cleaning liquid such as pure water, and then the protective film is peeled off.

しかしながら、その保護膜の剥離工程においては、ウエハ表面の保護膜を剥離して除去することができても、ベベル部に保護膜が残存するという技術的課題があった。このベベル部は、搬送装置等に接触する部分でもあり、それらの装置への汚染を抑制するため、精度よくベベル部の保護膜を除去し、洗浄することのできる技術が望まれている。 However, the protective film peeling step has a technical problem that the protective film remains on the bevel portion even if the protective film on the wafer surface can be peeled off and removed. This bevel part is also a part that contacts the transport device and the like, and in order to suppress contamination of those devices, a technique capable of accurately removing and cleaning the protective film of the bevel part is desired.

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板の表面に処理液の膜を塗布形成し所定の回路パターンを形成する基板処理装置において、基板周縁部の洗浄を高精度に行うことのできる基板処理装置、及び基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made under the circumstances as described above, and in a substrate processing apparatus that forms a predetermined circuit pattern by coating a film of a processing solution on the surface of a substrate, cleaning of the peripheral portion of the substrate is highly accurate. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can be performed in the same manner.

前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、処理液が塗布された基板を保持して回転させる基板回転手段と、前記処理液を溶解するリンス液を供給するリンス液供給源と、前記リンス液供給源から供給されたリンス液を膜状に保持する洗浄ノズルと、前記基板回転手段と前記洗浄ノズルの動作制御を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板を前記基板回転手段により回転させると共に、前記リンス液の膜が基板周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去することに特徴を有する。
このように構成することにより、従来のようにリンス液を周縁部（ベベル部）に対し直接吐出することがないため、リンス液が飛散することなく基板の周縁部に付着した処理液のみを確実に除去洗浄することができる。また、リンス液の飛散を防止できるため、製品不良の発生を抑え、歩留まりを向上することができる。 In order to solve the above-described problems, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a substrate rotating unit that holds and rotates a substrate coated with a processing liquid, and a rinsing liquid supply that supplies a rinsing liquid that dissolves the processing liquid. A cleaning nozzle that holds the rinsing liquid supplied from the rinsing liquid supply source in a film form, and a control means that controls the operation of the substrate rotating means and the cleaning nozzle, the control means including the substrate Is rotated by the substrate rotating means, and the cleaning nozzle is moved so that the film of the rinsing liquid is in contact with the peripheral edge of the substrate to remove the processing liquid adhering to the peripheral edge.
With this configuration, since the rinse liquid is not directly discharged to the peripheral portion (bevel portion) as in the prior art, only the treatment liquid adhered to the peripheral portion of the substrate is ensured without scattering of the rinse liquid. It can be removed and washed. Further, since the rinsing liquid can be prevented from scattering, the occurrence of product defects can be suppressed and the yield can be improved.

尚、前記洗浄ノズルは、前記リンス液を吐出するリンス液吐出部と、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を膜状に形成する板状のガイド部材とを有することが望ましい。また、前記洗浄ノズルは、前記ガイド部材の表面に設けられた多孔質体をさらに有し、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を前記多孔質体に吸収させ、前記多孔質体を湿潤状態とすることによりリンス液を膜状に保持することが好ましい。このように構成することで、ガイド部材上にリンス液の膜を容易に形成し保持することができる。 The cleaning nozzle preferably includes a rinsing liquid discharge section that discharges the rinsing liquid and a plate-shaped guide member that forms the rinsing liquid discharged from the rinsing liquid discharge section in a film shape. The cleaning nozzle further includes a porous body provided on the surface of the guide member, and the rinsing liquid discharged from the rinsing liquid discharge portion is absorbed by the porous body, and the porous body is wetted. It is preferable to maintain the rinse liquid in a film state by setting the state. By comprising in this way, the film | membrane of a rinse liquid can be easily formed and hold | maintained on a guide member.

また、前記多孔質体において前記基板の周縁部と接触する部位には、前記基板の周縁部の形状に合わせた切り欠き部が形成されていることが望ましい。
このように形成することにより、基板周縁部全体に多孔質体を接触させることができ、基板周縁部に満遍なくリンス液を供給することができ、より完全に処理液の除去を行うことができる。 Moreover, it is desirable that a cutout portion matching the shape of the peripheral edge portion of the substrate is formed in a portion of the porous body that contacts the peripheral edge portion of the substrate.
By forming in this way, the porous body can be brought into contact with the entire periphery of the substrate, the rinsing liquid can be uniformly supplied to the periphery of the substrate, and the treatment liquid can be removed more completely.

また、前記制御手段は、前記基板の表面に対しリンス液の膜が垂直となる状態で、該リンス液の膜を基板周縁部に接触させることが望ましい。
このように構成することにより、基板周縁部の側面に付着した処理液をきれいに除去することができる。また、リンス液の膜厚を十分に形成することで、基板周縁部全体にリンス液を供給することができ、基板の周縁部全体に対して効率的に処理液の除去を行うことができる。 Further, it is desirable that the control means bring the rinse liquid film into contact with the peripheral edge of the substrate in a state where the rinse liquid film is perpendicular to the surface of the substrate.
By comprising in this way, the process liquid adhering to the side surface of a board | substrate peripheral part can be removed cleanly. Moreover, by sufficiently forming the film thickness of the rinsing liquid, the rinsing liquid can be supplied to the entire peripheral edge of the substrate, and the processing liquid can be efficiently removed from the entire peripheral edge of the substrate.

また、前記制御手段は、前記ガイド部材を前記基板周縁部の傾斜形状に合わせて傾斜させた状態で、前記リンス液の膜を基板の周縁部に接触させるようにしてもよい。
このように構成することにより、基板周縁部の傾斜部分に付着した処理液を効果的に除去することができる。 The control means may contact the rinsing liquid film with the peripheral portion of the substrate in a state where the guide member is inclined in accordance with the inclined shape of the peripheral portion of the substrate.
By comprising in this way, the process liquid adhering to the inclination part of a board | substrate peripheral part can be removed effectively.

尚、前記多孔質体はスポンジ素材により形成されることが望ましい。即ち、スポンジ素材の多孔質体を用いることで、十分な厚さを有する液膜を形成し保持することが可能となる。 The porous body is preferably formed of a sponge material. That is, by using a porous material of sponge material, a liquid film having a sufficient thickness can be formed and held.

また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、前記処理液を溶解するリンス液を、リンス液供給源から洗浄ノズルに対し供給するステップと、前記洗浄ノズルにおいて前記リンス液を膜状に保持するステップと、処理液が塗布された基板を保持して回転させるステップと、前記リンス液の膜が前記基板の周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去するステップを実行することに特徴を有する。
このようなステップ工程を実行することにより、従来のようにリンス液を周縁部（ベベル部）に対し直接吐出することがないため、リンス液が飛散することなく基板の周縁部に付着した処理液のみを確実に除去洗浄することができる。また、リンス液の飛散を防止できるため、製品不良の発生を抑え、歩留まりを向上することができる。 In order to solve the above-described problems, a substrate processing method according to the present invention includes a step of supplying a rinsing liquid for dissolving the processing liquid from a rinsing liquid supply source to a cleaning nozzle, and the rinsing in the cleaning nozzle. A step of holding the liquid in the form of a film, a step of holding and rotating the substrate coated with the treatment liquid, and a movement of the cleaning nozzle so that the film of the rinsing liquid is in contact with the peripheral portion of the substrate. It is characterized in that the step of removing the processing liquid adhering to the part is executed.
By performing such a step process, the rinsing liquid is not directly discharged to the peripheral portion (bevel portion) as in the prior art, so the processing liquid adhered to the peripheral portion of the substrate without scattering. It is possible to reliably remove and clean only. Further, since the rinsing liquid can be prevented from scattering, the occurrence of product defects can be suppressed and the yield can be improved.

また、前記リンス液の膜が前記基板の周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去するステップを実行する前に、処理液が塗布された前記基板を保持して回転させるステップと、前記基板表面の周縁部に対し、前記処理液を溶解するリンス液を吐出することにより、基板側面から内径に沿って所定幅の処理液を除去するステップとを実行してもよい。
このようなステップ工程を取り入れることにより、基板表面において、基板側面から内径に沿って所定幅の処理液を除去することができる。即ち、基板周縁部において、前記洗浄ノズルによる処理のみでは除去できない大きい幅で、処理液（膜）を除去することができる。 Further, the cleaning liquid is applied before the cleaning nozzle is moved so that the film of the rinsing liquid contacts the peripheral edge of the substrate and the processing liquid attached to the peripheral edge is removed. Holding and rotating the substrate; and discharging a treatment liquid having a predetermined width from the side surface of the substrate along the inner diameter by discharging a rinsing liquid that dissolves the treatment liquid to a peripheral portion of the substrate surface. And may be executed.
By incorporating such a step process, a processing liquid having a predetermined width can be removed from the substrate side surface along the inner diameter on the substrate surface. That is, the processing liquid (film) can be removed at a large width that cannot be removed only by the processing by the cleaning nozzle at the peripheral edge of the substrate.

尚、前記洗浄ノズルにおいて、リンス液吐出部からリンス液を吐出し、吐出されるリンス液を板状のガイド部材により膜状に形成することが望ましい。また、前記洗浄ノズルにおいて、前記ガイド部材の表面に多孔質体を設け、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を前記多孔質体に吸収させ、前記多孔質体を湿潤状態とすることによりリンス液を膜状に保持することが望ましい。
このようにすることで、ガイド部材上にリンス液の膜を容易に形成し保持することができ、例えばスポンジ素材の多孔質体を用いることで、十分な厚さを有する液膜を形成し保持することが可能となる。 In the cleaning nozzle, it is desirable that the rinsing liquid is discharged from the rinsing liquid discharge portion, and the discharged rinsing liquid is formed into a film shape by a plate-shaped guide member. Further, in the cleaning nozzle, a porous body is provided on the surface of the guide member, the rinse liquid discharged from the rinse liquid discharge portion is absorbed by the porous body, and the porous body is brought into a wet state. It is desirable to maintain the rinse solution in a film form.
By doing so, it is possible to easily form and hold a rinse liquid film on the guide member. For example, by using a porous material of sponge material, a liquid film having a sufficient thickness is formed and held. It becomes possible to do.

また、前記基板の表面に対しリンス液の膜が垂直となる状態で、該リンス液の膜を基板の周縁部に接触させることが望ましい。
このようにすることにより、基板周縁部の側面に付着した処理液をきれいに除去することができる。また、リンス液の膜厚を十分に形成することで、基板周縁部全体にリンス液を供給することができ、基板の周縁部全体に対して効率的に処理液の除去を行うことができる。 Further, it is desirable that the rinse liquid film is brought into contact with the peripheral edge of the substrate in a state where the rinse liquid film is perpendicular to the surface of the substrate.
By doing in this way, the processing liquid adhering to the side surface of the peripheral edge portion of the substrate can be removed cleanly. Moreover, by sufficiently forming the film thickness of the rinsing liquid, the rinsing liquid can be supplied to the entire peripheral edge of the substrate, and the processing liquid can be efficiently removed from the entire peripheral edge of the substrate.

また、前記ガイド部材を、基板の周縁部の傾斜形状に合わせて傾斜させた状態で前記リンス液の膜を基板周縁部に接触させるようにしてもよい。
このようにすることにより、基板周縁部の傾斜部分に付着した処理液を効果的に除去することができる。 Further, the rinse liquid film may be brought into contact with the peripheral edge of the substrate in a state where the guide member is inclined in accordance with the inclined shape of the peripheral edge of the substrate.
By doing in this way, the process liquid adhering to the inclination part of a substrate peripheral part can be removed effectively.

本発明によれば、基板の表面に処理液の膜を塗布形成し所定の回路パターンを形成する基板処理装置において、基板周縁部の洗浄を高精度に行うことのできる基板処理装置、及び基板処理方法を得ることができる。 According to the present invention, in a substrate processing apparatus that forms a predetermined circuit pattern by applying a film of a processing solution on the surface of a substrate, the substrate processing apparatus capable of cleaning the peripheral edge of the substrate with high accuracy, and the substrate processing You can get the method.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。図１乃至図３は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す図であり、図１はその平面図、図２は正面図、図３は背面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 to FIG. 3 are views showing the entire configuration of a coating and developing processing system to which a substrate processing apparatus and a substrate processing method of the present invention are applied. FIG. 1 is a plan view thereof, FIG. 2 is a front view, and FIG. FIG.

この塗布現像処理システム１は、図示するようにカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で被処理基板である半導体ウエハＷに対し、１枚ずつ所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続した構成を有している。 As shown in the figure, the coating and developing processing system 1 includes a cassette station 10 and various single-wafer processing units that perform predetermined processing one by one on a semiconductor wafer W that is a substrate to be processed in the coating and developing process. A processing station 11 arranged in multiple stages at a predetermined position and an interface unit 12 for transferring the wafer W between an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11 are integrally connected. It has a configuration.

カセットステーション１０は、ウエハＷをウエハカセットＣＲに複数枚例えば２５枚単位で収容し、このウエハカセットＣＲを外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするための装置である。カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体２１は、θ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。 The cassette station 10 accommodates a plurality of wafers W in the wafer cassette CR, for example, in units of 25, and carries the wafer cassette CR into or out of the system from the outside, or carries the wafer W into the wafer cassette CR. It is a device for carrying out. In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality of, for example, up to four wafer cassettes CR are arranged in a line in the X direction at the position of the projection 20a on the cassette mounting table 20 with the respective wafer entrances facing the processing station 11 side. The wafer carrier 21 that is mounted and movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z direction) of the wafers stored in the wafer cassette CR selectively accesses each wafer cassette CR. It has become. Further, the wafer transfer body 21 is configured to be rotatable in the θ direction. As will be described later, the alignment unit (ALIM) and the extension unit (belonging to the multi-stage unit portion of the third group G3 on the processing station 11 side) EXT) can also be accessed.

処理ステーション１１では、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に亘って多段に配置されている。この例では、５組（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５）の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインターフェース部１２に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。なお第５の組Ｇ５は、主ウエハ搬送機構２２のメンテナンスのためにレール２５に沿って移動可能に構成されている。 In the processing station 11, as shown in FIG. 1, a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 22 is provided in the center, and all the processing units are arranged in multiple stages around one set or a plurality of sets. Yes. In this example, there are five sets (G1, G2, G3, G4, G5) of multistage arrangements, and the multistage units of the first and second sets G1, G2 are juxtaposed on the front side of the system (front side in FIG. 1). The multistage unit of the third group G3 is disposed adjacent to the cassette station 10, the multistage unit of the fourth group G4 is disposed adjacent to the interface unit 12, and the multistage unit of the fifth group G5 is disposed on the back side. Is arranged. The fifth group G5 is configured to be movable along the rail 25 for maintenance of the main wafer transfer mechanism 22.

また、主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっている。 Further, as shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is equipped with a wafer transfer device 46 that can move up and down in the vertical direction (Z direction) inside a cylindrical support 49. The cylindrical support 49 is connected to a rotation shaft of a motor (not shown), and is rotated integrally with the wafer transfer device 46 around the rotation shaft by the rotational driving force of the motor, thereby causing the wafer transfer. The device 46 is rotatable in the θ direction.

図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２でも、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて上段に配置することも可能である。 As shown in FIG. 2, in the first group G1, two spinner type processing units, for example, a resist coating processing unit (COT) and a development processing for performing a predetermined processing by placing a wafer W on a spin chuck in a cup CP. Units (DEV) are stacked in two stages from the bottom. Also in the second group G2, two spinner type processing units, for example, a resist coating processing unit (COT) and a development processing unit (DEV) are stacked in two stages in order from the bottom. In the resist coating processing unit (COT), the drainage of the resist solution is troublesome both in terms of mechanism and maintenance, and thus is preferably arranged in the lower stage. However, it can be arranged in the upper stage as required.

また、図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が重ねられている。第４の組Ｇ４でも、オーブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が重ねられている。
尚、図３には示さないが、第５の組Ｇ５においても、第３の組Ｇ３及び第４の組Ｇ４と同様にオーブン型の処理ユニットが多段配置され、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）等が必要に応じて重ねられている。 As shown in FIG. 3, in the third group G3, an oven-type processing unit that carries out a predetermined process by placing the wafer W on the mounting table, for example, a cooling unit (COL), an adhesion unit ( AD), alignment unit (ALIM), extension unit (EXT), pre-baking unit (PREBAKE), and post-baking unit (POBAKE). Even in the fourth group G4, an oven-type processing unit, for example, two cooling units (COL) in order from the bottom, an extension cooling unit (EXTCOL), an extension unit (EXT), a pre-baking unit (PREBAKE), and a post Baking units (POBAKE) are stacked.
Although not shown in FIG. 3, in the fifth group G5, as in the third group G3 and the fourth group G4, oven-type processing units are arranged in multiple stages, for example, a cooling unit (COL), a pre-processing unit, and the like. A baking unit (PREBAKE), a post-baking unit (POBAKE), and the like are stacked as necessary.

このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）やポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能である。 In this way, the cooling units (COL) and (EXTCOL) having a low processing temperature are arranged in the lower stage, and the baking unit (PREBAKE) and the post-baking unit (POBAKE) having a high processing temperature are arranged in the upper stage. Mutual interference can be reduced. However, a random multistage arrangement is also possible.

また、インターフェース部１２は、奥行方向では処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズで設けられている。インターフェース部１２の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲ及び周辺露光装置２３にアクセスするようになっている。さらに、ウエハ搬送体２４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション１１側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）にも、及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。 The interface unit 12 has the same dimensions as the processing station 11 in the depth direction, but is provided in a small size in the width direction. A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages on the front surface of the interface unit 12, a peripheral exposure device 23 is disposed on the back surface, and a wafer carrier 24 is disposed on the central portion. Is provided. The wafer carrier 24 is moved in the X and Z directions to access both cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23. Further, the wafer transfer body 24 is configured to be rotatable in the θ direction, and also to the extension unit (EXT) belonging to the multi-stage unit of the fourth group G4 on the processing station 11 side and the wafer transfer on the adjacent exposure apparatus side. A table (not shown) can also be accessed.

続いて、本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用されるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）について説明する。図４及び図５は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）を示す平面図及び断面図である。図５に示すように、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の中央部には廃液管５３を有する環状のカップＣＰが配設され、カップＣＰの内側には、基板を水平に保持するスピンチャック５２が配置されている。スピンチャック５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動されるようになされている。この駆動モータ５４は、ユニット底板５１に設けられた開口５１ａに昇降移動可能に配置され、例えばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介して例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０及び昇降ガイド手段６２と結合されている。 Subsequently, a resist coating unit (COT) to which the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention are applied will be described. 4 and 5 are a plan view and a cross-sectional view showing the resist coating unit (COT). As shown in FIG. 5, an annular cup CP having a waste pipe 53 is disposed at the center of the resist coating unit (COT), and a spin chuck 52 that holds the substrate horizontally is disposed inside the cup CP. Is arranged. The spin chuck 52 is rotated by a drive motor 54 in a state where the wafer W is fixedly held by vacuum suction. The drive motor 54 is disposed in an opening 51a provided in the unit bottom plate 51 so as to be movable up and down. The drive motor 54 is moved up and down by a cap-shaped flange member 58 made of aluminum, for example, and a lift guide means 62 made of an air cylinder, for example. Combined with.

また、ウエハＷの表面にレジストを吐出するノズル７７には図示しないレジストの供給源から延びた供給管８３が接続されている。このノズル７７はノズルスキャンアーム７６の先端部にノズル保持体７２を介して着脱可能に取り付けられている。このノズルスキャンアーム７６は、ユニット底板５１の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール７４上で水平移動可能な垂直支持部材７５の上端部に取り付けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材７５と一体にＹ方向に移動するようになっている。図４に示すようにカップＣＰの側方にはノズル７７が待機するためのノズル待機部７３が設けられており、必要に応じてノズルが交換されて塗布処理が行われるようになっている。 A supply pipe 83 extending from a resist supply source (not shown) is connected to the nozzle 77 for discharging the resist onto the surface of the wafer W. The nozzle 77 is detachably attached to the tip of the nozzle scan arm 76 via a nozzle holder 72. The nozzle scan arm 76 is attached to the upper end of a vertical support member 75 that can move horizontally on a guide rail 74 laid in one direction (Y direction) on the unit bottom plate 51, and is driven in the Y direction (not shown). The mechanism moves in the Y direction integrally with the vertical support member 75. As shown in FIG. 4, a nozzle standby portion 73 for waiting for the nozzle 77 is provided on the side of the cup CP, and the coating process is performed by replacing the nozzle as necessary.

また、図４に示すように、本実施形態のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）は、ウエハＷに温風を供給してレジストを乾燥させるための温風ノズル５、及びウエハ周縁に向けてシンナー等のリンス液を噴射し、ウエハ側面から内径に沿って所定幅（例えば２〜５ｍｍ）のレジストを除去する周縁部洗浄ノズル３３を備えている。これら温風ノズル５、周縁部洗浄ノズル３３は、例えば支持アーム３の長手方向に沿って図示しない駆動機構によりスライドするノズル保持部６に保持されている。支持アーム３は、例えばモータ２９によって回動可能に設けられており、ノズルスキャンアーム７６の移動によってウエハ上にレジストが供給されているときには、一点鎖線で示す待機位置で待機している。 As shown in FIG. 4, the resist coating unit (COT) of this embodiment includes a hot air nozzle 5 for supplying hot air to the wafer W to dry the resist, a thinner or the like toward the wafer periphery. Is provided with a peripheral edge cleaning nozzle 33 for spraying a rinsing solution of the wafer and removing a resist having a predetermined width (for example, 2 to 5 mm) along the inner diameter from the side surface of the wafer. The hot air nozzle 5 and the peripheral edge cleaning nozzle 33 are held by a nozzle holding portion 6 that slides along a longitudinal direction of the support arm 3 by a driving mechanism (not shown), for example. The support arm 3 is rotatably provided by, for example, a motor 29. When the resist is supplied onto the wafer by the movement of the nozzle scan arm 76, the support arm 3 stands by at a standby position indicated by a one-dot chain line.

また、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）には、ウエハＷの周縁部であるベベル部に付着した余分なレジストをリンス液により除去し洗浄するための洗浄ノズル２が配置される。図５に示すように、洗浄ノズル２には、例えばリンス液としてのシンナを貯留するリンス液供給源２６からシンナが供給され、その供給量調整は調整バルブ３０により行われる。この洗浄ノズル２は、図６（ａ）の正面図、図６（ｂ）の側面図に示すように、供給管２ａを通じて供給されるシンナを下方に吐出するリンス液吐出部２ｂと、リンス液吐出部２ｂから吐出されるシンナを吸収し湿潤状態とすることにより、シンナを液膜状に保持する板状の多孔質体２ｃと、その多孔質体２ｃを表面に設けた浸透性のない板状のガイド部材２ｄとで構成される。尚、多孔質体２ｃは弾性を有する部材（例えばスポンジ等）により形成され、ガイド部材２ｄは例えばテフロン（登録商標）樹脂等の部材により形成されることが望ましい。 The resist coating unit (COT) is provided with a cleaning nozzle 2 for removing and cleaning excess resist adhering to the bevel portion, which is the peripheral portion of the wafer W, with a rinsing liquid. As shown in FIG. 5, thinner is supplied to the cleaning nozzle 2 from, for example, a rinse liquid supply source 26 that stores thinner as a rinse liquid, and the supply amount is adjusted by an adjustment valve 30. As shown in the front view of FIG. 6A and the side view of FIG. 6B, the cleaning nozzle 2 includes a rinse liquid discharge section 2b that discharges thinner supplied through the supply pipe 2a downward, and a rinse liquid. A plate-like porous body 2c that retains the thinner in a liquid film state by absorbing the thinner discharged from the discharge portion 2b, and a non-permeable plate provided with the porous body 2c on the surface And a guide member 2d. The porous body 2c is preferably formed of an elastic member (for example, sponge), and the guide member 2d is preferably formed of a member such as Teflon (registered trademark) resin.

また、リンス液吐出部２ｂの上部には支持部材２ｅが形成され、この支持部材２ｅは図４、図５に示した支持アーム７により保持される。即ち、洗浄ノズル２は支持アーム７により支持され、さらにモータ機構（図示せず）により、支持アーム７の長手方向に沿って前後にスライド移動可能に設けられる。
この構成により、ウエハＷのベベル部を洗浄する際には、支持アーム７に保持された洗浄ノズル２はベベル部に向かって移動制御され、図７に示すように多孔質体２ｃが回転するウエハＷのベベル部Ｂに対して適度な圧力で押し付けられた状態で、その移動は停止される。即ち、この状態で、多孔質体２ｃに形成されたリンス液の膜を、回転するウエハＷのベベル部Ｂの全体に接触させることができるため、ベベル部Ｂに付着している余分なレジストＲを残らず除去するようになされている。 Further, a support member 2e is formed on the upper part of the rinse liquid discharge part 2b, and this support member 2e is held by the support arm 7 shown in FIGS. That is, the cleaning nozzle 2 is supported by the support arm 7 and is slidably moved back and forth along the longitudinal direction of the support arm 7 by a motor mechanism (not shown).
With this configuration, when cleaning the bevel portion of the wafer W, the cleaning nozzle 2 held by the support arm 7 is controlled to move toward the bevel portion, and the wafer on which the porous body 2c rotates as shown in FIG. The movement is stopped in a state where it is pressed against the bevel portion B of W with an appropriate pressure. That is, in this state, since the film of the rinsing liquid formed on the porous body 2c can be brought into contact with the entire bevel portion B of the rotating wafer W, an excess resist R attached to the bevel portion B is obtained. It is made to remove everything.

このように洗浄ノズル２によりベベル部の洗浄が行われる際には、例えばリンス液の膜はウエハ面に対して垂直な状態でベベル部に接触するよう制御されるが、スポンジ等の弾性を有する多孔質体２ｃにより十分な厚さのリンス液膜が形成されるため、ベベル部Ｂ全体がリンス液に浸される状態になり、ベベル部Ｂに付着している余分なレジストＲを残らず除去することができる。
尚、洗浄終了後は、洗浄ノズル２はベベル部Ｂから引き離される方向に移動制御される。 When the bevel portion is cleaned by the cleaning nozzle 2 in this manner, for example, the film of the rinsing liquid is controlled to contact the bevel portion in a state perpendicular to the wafer surface, but has elasticity such as a sponge. Since the rinsing liquid film having a sufficient thickness is formed by the porous body 2c, the entire bevel portion B is immersed in the rinsing liquid, and all the excess resist R adhering to the bevel portion B is removed. can do.
After the cleaning is completed, the cleaning nozzle 2 is controlled to move away from the bevel B.

また、支持アーム７は垂直支持部材８により支持され、垂直支持部材８内に設けられたモータ機構（図示せず）により、垂直上下方向（Ｚ方向）及びθ方向の回転が可能になされている。これにより、ベベル部洗浄時以外は洗浄ノズル２がカップＣＰ外に移動して待機するようになされ、ベベル部洗浄時のみカップＣＰ内に移動するようになされている。 The support arm 7 is supported by a vertical support member 8 and can be rotated in the vertical vertical direction (Z direction) and θ direction by a motor mechanism (not shown) provided in the vertical support member 8. . As a result, the cleaning nozzle 2 moves outside the cup CP and waits at times other than during the bevel cleaning, and moves into the cup CP only during the bevel cleaning.

また、図５に示すように、カップＣＰ内においてウエハＷの裏面側には、ベベル部を伝ってウエハＷの裏面に付着したレジストを除去し洗浄するためのバックリンス処理用のバックリンスノズル１３が設けられている。このバックリンスノズル１３は、例えばシンナ供給源１５から供給されるシンナをウエハＷの裏面に対して吐出するようになされ、その吐出量制御は調整バルブ１４により行われるようになされている。 Further, as shown in FIG. 5, on the back surface side of the wafer W in the cup CP, a back rinse nozzle 13 for back rinse treatment for removing and cleaning the resist adhered to the back surface of the wafer W through the bevel portion. Is provided. For example, the back rinse nozzle 13 discharges thinner supplied from a thinner supply source 15 to the back surface of the wafer W, and the discharge amount is controlled by an adjustment valve 14.

図８は、本実施形態に係る制御系を示す図である。図示するように前記温風ノズル５は、例えば不活性気体として窒素ガスを供給する窒素ガス供給源３２にヒータ３１を介して接続され、ウエハＷ上に例えば３０℃〜５０℃の窒素ガスを供給するようになっている。
また、前記周縁部洗浄ノズル３３は、例えばリンス液としてシンナーを供給するリンス液供給源３４にリンス液の吐出量を調整する調整バルブ３５を介して接続されている。
尚、図４、図８に示した、この周縁部洗浄ノズル３３は、温風ノズル５と同様にノズル保持部６に保持され、支持アーム３の長手方向に沿って共にスライドするようにしたが、その形態に限定されるものではない。例えば、周縁部洗浄ノズル３３と温風ノズル５とが別々のノズル保持部及び駆動機構により夫々独立してスライド移動するように構成されてもよい。或いは、周縁部洗浄ノズル３３は、温風ノズル５とノズルを共用し、リンス液吐出と温風吐出とをバルブで切り換えるようにしてもよい。 FIG. 8 is a diagram illustrating a control system according to the present embodiment. As shown in the drawing, the hot air nozzle 5 is connected to a nitrogen gas supply source 32 for supplying nitrogen gas as an inert gas, for example, via a heater 31, and supplies a nitrogen gas of 30 ° C. to 50 ° C. on the wafer W, for example. It is supposed to be.
The peripheral edge cleaning nozzle 33 is connected to a rinse liquid supply source 34 that supplies thinner as a rinse liquid, for example, via an adjustment valve 35 that adjusts the discharge amount of the rinse liquid.
The peripheral edge cleaning nozzle 33 shown in FIGS. 4 and 8 is held by the nozzle holding portion 6 in the same way as the hot air nozzle 5 and slides along the longitudinal direction of the support arm 3. However, it is not limited to the form. For example, the peripheral edge cleaning nozzle 33 and the hot air nozzle 5 may be configured to slide independently by separate nozzle holding portions and driving mechanisms. Alternatively, the peripheral edge cleaning nozzle 33 may share the hot air nozzle 5 and the nozzle, and the rinse liquid discharge and the hot air discharge may be switched by a valve.

そして制御部９は、スピンチャック５２を回転させる駆動モータ５４の動作、洗浄ノズル２、バックリンスノズル１３及び周縁部洗浄ノズル３３におけるリンス液の吐出量をそれぞれ調整する調整バルブ３０、１４、３５の動作、さらに洗浄ノズル２を移動させるための支持アーム７及び垂直支持部材８の動作、そして温風ノズル５や周縁部洗浄ノズル３３の移動動作及び温風供給動作等を制御するようになされている。
尚、本発明に係る基板処理装置は少なくとも、前記した構成のうち、基板回転手段としてのスピンチャック５２及び駆動モータ５４と、リンス液供給源２６と、洗浄ノズル２と、制御手段としての制御部９とを具備する構成とされる。 Then, the control unit 9 adjusts the operation of the drive motor 54 that rotates the spin chuck 52 and the adjustment valves 30, 14, and 35 that adjust the amount of rinse liquid discharged from the cleaning nozzle 2, the back rinse nozzle 13, and the peripheral edge cleaning nozzle 33, respectively. The operation, the operation of the support arm 7 and the vertical support member 8 for moving the cleaning nozzle 2, the movement operation of the hot air nozzle 5 and the peripheral edge cleaning nozzle 33, the operation of supplying hot air, and the like are controlled. .
The substrate processing apparatus according to the present invention includes at least the spin chuck 52 and the drive motor 54 as the substrate rotating means, the rinsing liquid supply source 26, the cleaning nozzle 2, and the control unit as the control means. 9.

続いて、以上説明した塗布現像処理システム１の一連の処理工程について説明する。
先ず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送体２２がカセット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスし、そのカセットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出し、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送する。
このアライメントユニット（ＡＬＩＭ）においてウエハＷの位置合わせが行われた後、主ウエハ搬送機構２２によりアドヒージョンユニット（ＡＤ）へ搬送され疎水化処理が行われ、次いでクーリングユニット（ＣＯＬ）にて所定の冷却処理が行われる。その後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、後述するように所定の処理が行われる。 Next, a series of processing steps of the coating and developing processing system 1 described above will be described.
First, in the cassette station 10, the wafer transfer body 22 accesses the cassette CR containing the unprocessed wafer on the cassette mounting table 20, takes out one semiconductor wafer W from the cassette CR, and aligns the alignment unit (ALIM). ).
After alignment of the wafer W is performed in the alignment unit (ALIM), the wafer W is transferred to the adhesion unit (AD) by the main wafer transfer mechanism 22 and subjected to a hydrophobic treatment, and then a predetermined value is set in the cooling unit (COL). The cooling process is performed. Thereafter, the film is transferred to a resist coating unit (COT), and a predetermined process is performed as described later.

そして、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）で所定の加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）において冷却処理され、その後ウエハ搬送体２４によりインターフェース部１２を介して図示しない露光装置により露光処理が行われる。露光処理が終了した後は、ウエハＷは現像処理ユニット（ＤＥＶ）に搬送されて現像処理が行われ、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）で所定の加熱処理が行われる。そしてウエハＷはクーリングユニット（ＣＯＬ）で所定の冷却処理が行われ、エクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットＣＲに戻される。 Then, a predetermined heating process is performed in the pre-baking unit (PREBAKE), a cooling process is performed in the cooling unit (COL), and then an exposure process is performed by an exposure apparatus (not shown) via the interface unit 12 by the wafer carrier 24. After the exposure processing is completed, the wafer W is transferred to the development processing unit (DEV), where development processing is performed, and predetermined heat processing is performed in the post-baking unit (POBAKE). The wafer W is subjected to a predetermined cooling process in the cooling unit (COL) and returned to the cassette CR through the extension unit (EXT).

次に、ウエハ周縁部のレジスト膜除去の幅が狭い、例えばウエハ側面から内径に沿って２ｍｍ以下の幅のレジストを除去する場合を示す図９のフローに基き、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）における処理工程について説明する。
先ず、スピンチャック５２に保持されたウエハＷにノズル７７からレジストが供給された後、又はレジスト供給中に、ウエハＷが例えば２５００ｒｐｍの回転数で回転することにより、レジストＲがウエハＷ表面全面に塗布される（図９のステップＳ１）。
そして、例えば１５００ｒｐｍの回転数で振り切り乾燥処理が行われる（図９のステップＳ２）。次に、温風ノズル５がウエハＷの周縁部付近まで移動した後、ウエハＷを回転させながらウエハＷの周縁部付近のレジストを温風により乾燥させる（図９のステップＳ３）。
尚、ウエハ表面においてウエハ側面から内径に沿って２ｍｍ以上の幅（例えば２〜５ｍｍの所定幅）のレジストを除去したい場合には、回転させたウエハＷに対し、周縁部洗浄ノズル３３を用いた周縁部洗浄処理が、洗浄ノズル２によるベベル部洗浄処理の前に、前記のステップＳ２とステップＳ３との間で実施される。 Next, in the resist coating processing unit (COT) based on the flow of FIG. 9 showing a case where the width of the resist film removal on the peripheral edge of the wafer is narrow, for example, when removing a resist having a width of 2 mm or less along the inner diameter from the wafer side surface. Processing steps will be described.
First, after the resist is supplied from the nozzle 77 to the wafer W held by the spin chuck 52 or during the resist supply, the wafer W is rotated at a rotational speed of, for example, 2500 rpm, so that the resist R is applied to the entire surface of the wafer W. It is applied (step S1 in FIG. 9).
Then, for example, a shake-off drying process is performed at a rotational speed of 1500 rpm (step S2 in FIG. 9). Next, after the hot air nozzle 5 has moved to the vicinity of the peripheral edge of the wafer W, the resist near the peripheral edge of the wafer W is dried with hot air while rotating the wafer W (step S3 in FIG. 9).
In order to remove a resist having a width of 2 mm or more (for example, a predetermined width of 2 to 5 mm) along the inner diameter from the wafer side surface on the wafer surface, the peripheral edge cleaning nozzle 33 is used for the rotated wafer W. The peripheral edge cleaning process is performed between step S2 and step S3 before the bevel part cleaning process by the cleaning nozzle 2.

次に、洗浄ノズル２をウエハＷのベベル部付近に移動し、例えばシンナ等のリンス液を１０ｍｌ／ｍｉｎ以下でリンス液吐出部２ｂから多孔質体２ｃに対し吐出する。これにより、板状の多孔質体２ｃはリンス液で湿潤状態となり、ガイド部材２ｄの表面はリンス液の膜が形成された状態となる。
尚、ここで、リンス液吐出部２ｂから所定量のリンス液を吐出し多孔質体２ｃを湿潤状態としてもよいし、或いはまた、リンス液吐出部２ｂからリンス液を吐出し続けることにより多孔質体２ｃを湿潤状態としてもよい。 Next, the cleaning nozzle 2 is moved to the vicinity of the bevel portion of the wafer W, and a rinse liquid such as thinner is discharged from the rinse liquid discharge section 2b to the porous body 2c at 10 ml / min or less. As a result, the plate-like porous body 2c becomes wet with the rinse liquid, and the surface of the guide member 2d is in a state where a film of the rinse liquid is formed.
Here, a predetermined amount of the rinsing liquid may be discharged from the rinsing liquid discharge part 2b so that the porous body 2c is in a wet state, or the porous body 2c is continuously discharged by continuously discharging the rinsing liquid from the rinsing liquid discharge part 2b. The body 2c may be in a wet state.

洗浄ノズル２にリンス液の液膜が形成されると、制御部９は、ウエハＷを例えば５００ｒｐｍの回転数で回転させ、洗浄ノズル２をウエハＷのベベル部に向けて移動させる。そして、図７に示したようにリンス液の液膜がベベル部全体に接触した状態で洗浄ノズル２の移動を停止させる。これにより、回転するウエハＷのベベル部のみにリンス液が均一に塗布され、ベベル部のレジストが除去洗浄される（図９のステップＳ４）。
尚、ステップＳ３においてウエハＷの周縁部付近の乾燥処理を行っているので、レジストがある程度硬化しており、リンス液を供給したときにベベル部に付着したレジストをきれいに除去することができる。即ち、除去されるレジストと残存するレジストの境界部分のレジストのエッジ部分をシャープに残すことができる。 When the liquid film of the rinse liquid is formed on the cleaning nozzle 2, the control unit 9 rotates the wafer W at a rotation speed of, for example, 500 rpm, and moves the cleaning nozzle 2 toward the bevel portion of the wafer W. Then, as shown in FIG. 7, the movement of the cleaning nozzle 2 is stopped in a state where the liquid film of the rinsing liquid is in contact with the entire bevel portion. As a result, the rinse liquid is uniformly applied only to the bevel portion of the rotating wafer W, and the resist on the bevel portion is removed and cleaned (step S4 in FIG. 9).
In step S3, since the drying process in the vicinity of the peripheral portion of the wafer W is performed, the resist is cured to some extent, and the resist attached to the bevel portion when the rinsing liquid is supplied can be removed cleanly. That is, the resist edge portion at the boundary between the resist to be removed and the remaining resist can be left sharp.

また、ステップＳ４において、洗浄ノズル２によるベベル部洗浄処理と同時に、バックリンス処理が行われる。即ち、バックリンスノズル１３からウエハＷの裏面に向けてリンス液が例えば１００ｍｌ／ｍｉｎ以下で吐出され、ウエハ裏面に付着したレジストやパーティクル等の異物の除去洗浄が行われる。尚、このバックリンス処理は、洗浄ノズル２によるベベル部洗浄処理と同時ではなく別々に行われてもよいが、同時に行うことで塗布処理全体の時間を短縮することができる。 In step S4, the back rinse process is performed simultaneously with the bevel portion cleaning process by the cleaning nozzle 2. That is, the rinse liquid is discharged from the back rinse nozzle 13 toward the back surface of the wafer W at a rate of, for example, 100 ml / min or less, and cleaning for removing foreign matters such as resist and particles attached to the back surface of the wafer is performed. The back rinse treatment may be performed separately instead of simultaneously with the bevel portion cleaning processing by the cleaning nozzle 2, but the entire coating processing time can be shortened by performing it simultaneously.

以上のように、本実施の形態によれば、従来のサイドリンスによるベベル部洗浄処理のように、リンス液をベベル部に対し直接吐出することがないため、シンナが飛散することなくウエハＷのべベル部に付着したレジストのみを高精度に除去洗浄することができる。また、シンナの飛散を防止できるため、製品不良の発生を抑え、歩留まりを向上することができる。 As described above, according to the present embodiment, the rinse liquid is not directly discharged to the bevel portion as in the conventional bevel portion cleaning process by side rinsing, so that the thinner of the wafer W is not scattered. Only the resist adhering to the bevel portion can be removed and cleaned with high accuracy. Further, since the scattering of thinner can be prevented, the occurrence of product defects can be suppressed and the yield can be improved.

尚、前記実施の形態においては、洗浄ノズル２に設けた多孔質体２ｃは、図６に示したように板状であって、その表面は略平坦に形成される例を示したが、本発明の基板処理装置においては、その形態に限定されるものではない。例えば、図１０に示すように、一般にウエハＷのベベル部は、上斜面Ｂ１、側面Ｂ２、下斜面Ｂ３が形成されており、ウエハ表面へのレジスト塗布工程後においては、図示するようにそれらの面上にレジストが付着する。そこで、それら各面上に付着したレジストを効率よく除去するために、図１１に示すように多孔質体２ｃの表面にベベル部形状に合わせた切り欠き部２ｆを形成してもよい。このように切り欠き部２ｆを形成することにより、ベベル部Ｂの各面に対し略同様に多孔質体２ｃを接触させることができ、ベベル部全体に満遍なくリンス液を供給することができ、ベベル部のレジストをより完全に除去することができる。また、切り欠き部２ｆの溝の深さを調整することにより、ウエハ周縁部でレジスト膜を除去する幅を変えることができるため、レジスト膜除去幅に応じた切り欠き部２ｆを複数設けてもよい。 In the above embodiment, the porous body 2c provided in the cleaning nozzle 2 has a plate shape as shown in FIG. 6 and the surface thereof is formed to be substantially flat. The substrate processing apparatus of the invention is not limited to that form. For example, as shown in FIG. 10, in general, the bevel portion of the wafer W is formed with an upper slope B1, a side face B2, and a lower slope B3, and after the resist coating process on the wafer surface, as shown in FIG. Resist adheres to the surface. Therefore, in order to efficiently remove the resist adhering to each of these surfaces, a notch 2f matching the bevel shape may be formed on the surface of the porous body 2c as shown in FIG. By forming the cutout portion 2f in this way, the porous body 2c can be brought into contact with each surface of the bevel portion B in substantially the same manner, and the rinse liquid can be uniformly supplied to the entire bevel portion. The resist in the portion can be removed more completely. Further, by adjusting the depth of the groove of the notch portion 2f, the width of the resist film removal at the wafer peripheral portion can be changed. Therefore, even if a plurality of the notch portions 2f corresponding to the resist film removal width are provided. Good.

また、前記実施の形態においては、洗浄ノズル２のガイド部材２ｄに形成されたリンス液の膜を、ウエハ面に対して垂直となる状態でベベル部に接触させる例を示したが、本発明の基板処理装置においては、その形態に限定されるものではない。例えば、図１２に示すように洗浄ノズル２のガイド部材２ｄをベベル部の傾斜形状、即ち上斜面Ｂ１や下斜面Ｂ３等に合わせて傾斜させ、その状態でリンス液の膜をベベル部に接触させるようにしてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the example of making the film | membrane of the rinse liquid formed in the guide member 2d of the washing nozzle 2 contact a bevel part in the state perpendicular | vertical with respect to a wafer surface was shown, The substrate processing apparatus is not limited to that form. For example, as shown in FIG. 12, the guide member 2d of the cleaning nozzle 2 is inclined according to the inclined shape of the bevel portion, that is, the upper inclined surface B1, the lower inclined surface B3, etc., and in this state, the rinse liquid film is brought into contact with the bevel portion. You may do it.

尚、その場合、例えば洗浄ノズル２は、支持部材２ｅの先端を支点としてモータ機構（図示せず）により回動可能に設け、さらに、その支点を支持アーム７に沿って他のモータ機構（図示せず）により移動可能に構成すればよい。即ち、それらモータ機構の動作制御を制御部９により行い、洗浄ノズル２を傾斜させてリンス液の膜をベベル部の各傾斜面に接触させることにより、ベベル部の傾斜面に付着した余分なレジストをより効果的に除去することができる。 In this case, for example, the cleaning nozzle 2 is provided so as to be rotatable by a motor mechanism (not shown) with the tip of the support member 2e as a fulcrum, and further, the fulcrum is provided along the support arm 7 with another motor mechanism (see FIG. (Not shown) may be configured to be movable. That is, the control of the motor mechanism is performed by the control unit 9, and the cleaning nozzle 2 is tilted so that the rinse liquid film is brought into contact with each inclined surface of the bevel portion. Can be removed more effectively.

また、前記した実施の形態において、図６に示したように、ガイド部材２ｄの表面に多孔質体２ｃを設け、ガイド部材２ｄの表面にリンス液の膜を形成する構成とした。しかしながら、それに限定されることなく、多孔質体２ｃを設けない構成とし、ガイド部材２ｄの表面に直接、リンス液の液膜を形成して保持する構成としてもよい。
また、前記実施の形態においては、ガイド部材２ｄにおける余分なリンス液はガイド部材２ｄから下方に落下し、カップＣＰ内に廃棄されるが、ガイド部材２ｄの下端に前記リンス液を回収する機構を設けてもよい。 In the above-described embodiment, as shown in FIG. 6, a porous body 2c is provided on the surface of the guide member 2d, and a rinse liquid film is formed on the surface of the guide member 2d. However, the present invention is not limited to this, and a configuration in which the porous body 2c is not provided and a liquid film of the rinsing liquid is directly formed and held on the surface of the guide member 2d may be employed.
In the embodiment, the excess rinsing liquid in the guide member 2d falls downward from the guide member 2d and is discarded in the cup CP. A mechanism for collecting the rinsing liquid at the lower end of the guide member 2d is provided. It may be provided.

また、前記実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置はレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に適用される例を示した。しかしながら、それに限定されることなく、例えば、露光工程において液浸露光を採用する場合に、ウエハＷ上に形成した保護膜を露光工程後に剥離する工程において、本発明に係る基板処理装置を好適に適用することができる。また、リンス液を純水として液浸露光を行う前に、ウエハ周縁部の保護膜を除去した部分に集中的にリンス液を当てることにより、保護されていない部分からのレジスト成分の溶出を取り除くことができる。
即ち、前記実施の形態において説明した構成による基板処理装置により、ウエハのベベル部に付着した保護膜を精度よく剥離することができ、搬送装置等への汚染を抑制することができる。 Moreover, in the said embodiment, the substrate processing apparatus which concerns on this invention showed the example applied to a resist coating processing unit (COT). However, without being limited thereto, for example, when immersion exposure is adopted in the exposure process, the substrate processing apparatus according to the present invention is preferably used in the process of peeling the protective film formed on the wafer W after the exposure process. Can be applied. In addition, before performing immersion exposure using pure water as the rinse solution, the rinsing solution is intensively applied to the portion of the wafer peripheral portion where the protective film has been removed, thereby removing the elution of the resist component from the unprotected portion. be able to.
That is, the substrate processing apparatus having the configuration described in the above embodiment can accurately peel off the protective film attached to the bevel portion of the wafer, and can suppress contamination of the transfer apparatus and the like.

また、前記実施の形態においては、半導体ウエハのベベル部を洗浄する場合を例としたが、本発明における被処理体としての基板は、半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。 In the above embodiment, the case where the bevel portion of the semiconductor wafer is cleaned is taken as an example. However, the substrate as the object to be processed in the present invention is not limited to the semiconductor wafer, but an LCD substrate, a CD substrate, a glass substrate, A photomask, a printed circuit board, etc. are also possible.

本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板等のベベル部を洗浄する工程に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。 The present invention can be applied to a process of cleaning a bevel portion such as a semiconductor wafer or an LCD substrate, and can be suitably used in the semiconductor manufacturing industry, the electronic device manufacturing industry, and the like.

図１は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a coating and developing treatment system to which a substrate processing apparatus and a substrate processing method of the present invention are applied. 図２は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing the entire configuration of a coating and developing treatment system to which the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention are applied. 図３は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す背面図である。FIG. 3 is a rear view showing the overall configuration of a coating and developing system to which the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention are applied. 図４は図１乃至図３の塗布現像処理システムが備えるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a resist coating processing unit (COT) provided in the coating and developing processing system of FIGS. 図５は図１乃至図３の塗布現像処理システムが備えるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a resist coating processing unit (COT) provided in the coating and developing processing system of FIGS. 図６は、本発明の基板処理装置が備える洗浄ノズルの正面図及び側面図である。FIG. 6 is a front view and a side view of a cleaning nozzle provided in the substrate processing apparatus of the present invention. 図７は、リンス液であるシンナの液膜がウエハのベベル部に接触した状態を示す図である。FIG. 7 is a view showing a state in which a liquid film of thinner which is a rinsing liquid is in contact with a bevel portion of a wafer. 図８は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）における制御系を示すブロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing a control system in the resist coating unit (COT). 図９は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）における処理工程を示すフローである。FIG. 9 is a flow showing processing steps in the resist coating unit (COT). 図１０は、ウエハのベベル部の断面形状の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a cross-sectional shape of a bevel portion of a wafer. 図１１は、多孔質体の形状の他の形態を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing another form of the shape of the porous body. 図１２は、ベベル部に洗浄ノズルを接触させる際の他の形態を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing another form when the cleaning nozzle is brought into contact with the bevel portion.

符号の説明Explanation of symbols

１塗布現像処理システム
２洗浄ノズル
２ｂリンス液吐出部
２ｃ多孔質体
２ｄガイド部材
７支持アーム
８垂直支持部材
９制御部（制御手段）
２６リンス液供給源
３０バルブ
５２スピンチャック（基板回転手段）
５４駆動モータ（基板回転手段）
Ｂベベル部（周縁部）
ＣＯＴレジスト塗布処理ユニット（基板処理装置）
Ｒレジスト液（処理液）
Ｗウエハ（基板） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Application | coating development system 2 Washing nozzle 2b Rinse liquid discharge part 2c Porous body 2d Guide member 7 Support arm 8 Vertical support member 9 Control part (control means)
26 Rinse solution supply source 30 Valve 52 Spin chuck (substrate rotation means)
54 Drive motor (substrate rotation means)
B bevel part (peripheral part)
COT resist coating unit (substrate processing equipment)
R resist solution (treatment solution)
W Wafer (Substrate)

Claims

処理液が塗布された基板を保持して回転させる基板回転手段と、
前記処理液を溶解するリンス液を供給するリンス液供給源と、
前記リンス液供給源から供給されたリンス液を膜状に保持する洗浄ノズルと、
前記基板回転手段と前記洗浄ノズルの動作制御を行う制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記基板を前記基板回転手段により回転させると共に、前記リンス液の膜が基板周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去することを特徴とする基板処理装置。 Substrate rotating means for holding and rotating the substrate coated with the treatment liquid;
A rinsing liquid supply source for supplying a rinsing liquid for dissolving the treatment liquid;
A cleaning nozzle that holds the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source in a film;
The substrate rotation means and a control means for controlling the operation of the cleaning nozzle,
The control means rotates the substrate by the substrate rotating means and moves the cleaning nozzle so that the rinse liquid film contacts the peripheral edge of the substrate to remove the processing liquid adhering to the peripheral edge. A substrate processing apparatus.

前記洗浄ノズルは、前記リンス液を吐出するリンス液吐出部と、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を膜状に形成する板状のガイド部材とを有することを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。 2. The cleaning nozzle includes a rinsing liquid discharge section that discharges the rinsing liquid, and a plate-shaped guide member that forms a rinsing liquid discharged from the rinsing liquid discharge section in a film shape. The substrate processing apparatus described in 1.

前記洗浄ノズルは、前記ガイド部材の表面に設けられた多孔質体をさらに有し、
前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を前記多孔質体に吸収させ、該多孔質体を湿潤状態とすることによりリンス液を膜状に保持することを特徴とする請求項２に記載された基板処理装置。 The cleaning nozzle further includes a porous body provided on the surface of the guide member,
The rinsing liquid discharged from the rinsing liquid discharging section is absorbed by the porous body, and the rinsing liquid is held in a film state by bringing the porous body into a wet state. Substrate processing equipment.

前記多孔質体において基板の周縁部と接触する部位には、前記基板の周縁部の形状に合わせた切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載された基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein a cutout portion matching the shape of the peripheral portion of the substrate is formed in a portion of the porous body that contacts the peripheral portion of the substrate.

前記制御手段は、前記基板の表面に対しリンス液の膜が垂直となる状態で、該リンス液の膜を基板周縁部に接触させることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit is configured to bring the rinse liquid film into contact with the peripheral edge of the substrate in a state where the rinse liquid film is perpendicular to the surface of the substrate.

前記制御手段は、前記ガイド部材を前記基板周縁部の傾斜形状に合わせて傾斜させた状態で、前記リンス液の膜を基板の周縁部に接触させることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。 2. The control unit according to claim 1, wherein the rinsing liquid film is brought into contact with the peripheral portion of the substrate in a state where the guide member is inclined in accordance with the inclined shape of the peripheral portion of the substrate. Substrate processing equipment.

前記多孔質体はスポンジ素材により形成されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載された基板処理装置。 5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the porous body is made of a sponge material.

前記処理液を溶解するリンス液を、リンス液供給源から洗浄ノズルに対し供給するステップと、
前記洗浄ノズルにおいて前記リンス液を膜状に保持するステップと、
処理液が塗布された基板を保持して回転させるステップと、
前記リンス液の膜が前記基板の周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去するステップを実行することを特徴とする基板処理方法。 Supplying a rinsing liquid for dissolving the treatment liquid from a rinsing liquid supply source to a cleaning nozzle;
Holding the rinse liquid in a film at the cleaning nozzle;
Holding and rotating the substrate coated with the treatment liquid;
A substrate processing method, comprising: moving the cleaning nozzle so that the film of the rinsing liquid is in contact with a peripheral portion of the substrate and removing a processing liquid adhering to the peripheral portion.

前記リンス液の膜が前記基板の周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去するステップを実行する前に、
処理液が塗布された前記基板を保持して回転させるステップと、
前記基板表面の周縁部に対し、前記処理液を溶解するリンス液を吐出することにより、基板側面から内径に沿って所定幅の処理液を除去するステップとを実行することを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。 Before the step of moving the cleaning nozzle so that the film of the rinsing liquid contacts the peripheral edge of the substrate and removing the processing liquid adhering to the peripheral edge,
Holding and rotating the substrate coated with a treatment liquid;
The step of removing a processing liquid having a predetermined width along the inner diameter from the side surface of the substrate by discharging a rinsing liquid that dissolves the processing liquid to a peripheral portion of the substrate surface. 8. The substrate processing method described in 8.

前記洗浄ノズルにおいて、リンス液吐出部からリンス液を吐出し、吐出されるリンス液を板状のガイド部材により膜状に形成することを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。 9. The substrate processing method according to claim 8, wherein in the cleaning nozzle, a rinsing liquid is discharged from a rinsing liquid discharge section, and the discharged rinsing liquid is formed into a film shape by a plate-shaped guide member.

前記洗浄ノズルにおいて、前記ガイド部材の表面に多孔質体を設け、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を前記多孔質体に吸収させ、該多孔質体を湿潤状態とすることによりリンス液を膜状に保持することを特徴とする請求項１０に記載された基板処理方法。 In the cleaning nozzle, a porous body is provided on the surface of the guide member, the rinse liquid discharged from the rinse liquid discharge section is absorbed by the porous body, and the porous body is brought into a wet state to thereby rinse the rinse liquid. The substrate processing method according to claim 10, wherein the substrate is held in a film shape.

前記基板の表面に対し前記リンス液の膜が垂直となる状態で、該リンス液の膜を基板周縁部に接触させることを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。 9. The substrate processing method according to claim 8, wherein the rinse liquid film is brought into contact with a peripheral edge of the substrate in a state where the rinse liquid film is perpendicular to the surface of the substrate.

前記ガイド部材を前記基板周縁部の傾斜形状に合わせて傾斜させた状態で、前記リンス液の膜を基板の周縁部に接触させることを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。 9. The substrate processing method according to claim 8, wherein the rinsing liquid film is brought into contact with the peripheral portion of the substrate in a state where the guide member is inclined in accordance with the inclined shape of the peripheral portion of the substrate.