KR20110084057A - Light emitting device package and light emitting apparatus - Google Patents

Light emitting device package and light emitting apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20110084057A
KR20110084057A KR1020100004107A KR20100004107A KR20110084057A KR 20110084057 A KR20110084057 A KR 20110084057A KR 1020100004107 A KR1020100004107 A KR 1020100004107A KR 20100004107 A KR20100004107 A KR 20100004107A KR 20110084057 A KR20110084057 A KR 20110084057A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
frame
light emitting
emitting device
package
cavity
Prior art date
Application number
KR1020100004107A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101055074B1 (en
Inventor
민봉걸
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100004107A priority Critical patent/KR101055074B1/en
Priority to EP11150403.1A priority patent/EP2346100B1/en
Priority to JP2011004106A priority patent/JP2011146709A/en
Priority to US13/005,182 priority patent/US20110175119A1/en
Priority to CN201110022482.7A priority patent/CN102185089B/en
Publication of KR20110084057A publication Critical patent/KR20110084057A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101055074B1 publication Critical patent/KR101055074B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires

Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to improve the heat dissipation of a light emitting device package by installing a printed circuit board with an opening on a lower cover and contacting the light emitting device package with the lower cover through the opening. CONSTITUTION: A package body(10) includes a cavity(70). A first frame(21) and a second frame(22) pass through the package body and are exposed in the cavity. A third frame(23) is electrically separated from the first frame and the second frame. A light emitting device(31,32) is installed on the third frame. A wire electrically connects the light emitting device to the first and second frames.

Description

발광 소자 패키지 및 발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING APPARATUS}LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING APPARATUS}

실시예는 발광 소자 패키지 및 발광 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package and a light emitting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor light emitting devices that convert current into light.

이러한 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 파장은 발광 다이오드를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 빛의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.The wavelength of light emitted from such a light emitting diode depends on the semiconductor material used to manufacture the light emitting diode. This is because the wavelength of the emitted light depends on the band-gap of the semiconductor material, which represents the energy difference between the valence band electrons and the conduction band electrons.

최근, 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용되고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.Recently, the light emitting diode is gradually increased in brightness, and thus is used as a light source for display, a light source for automobile, and a light source for lighting. Also, a light emitting diode that emits white light having high efficiency by using a fluorescent material or by combining light emitting diodes of various colors is realized. This is possible.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 패키지 및 발광 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a light emitting device having a new structure.

실시예는 발광 소자에서 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있는 발광 소자 패키지 및 발광 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a light emitting device capable of effectively dissipating heat generated from the light emitting device.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 캐비티가 형성된 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체를 관통하여 상기 캐비티 내에서 노출되는 제1 프레임 및 제2 프레임; 상기 캐비티의 바닥면을 형성하고 상기 제1 프레임 및 제2 프레임과 전기적으로 분리되는 제3 프레임; 상기 제3 프레임 상에 설치된 발광 소자; 및 상기 발광 소자와 상기 제1 프레임 및 제2 프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a package body in which the cavity is formed; First and second frames penetrating the package body and being exposed in the cavity; A third frame forming a bottom surface of the cavity and electrically separated from the first frame and the second frame; A light emitting element provided on the third frame; And a wire electrically connecting the light emitting element to the first frame and the second frame.

실시예에 따른 발광 장치는 하부 커버; 상기 하부 커버 상에 개구가 형성된 인쇄회로기판; 및 상기 인쇄회로기판과 전기적으로 연결되고 상기 개구를 통해 상기 하부 커버와 접촉하는 발광 소자 패키지를 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a lower cover; A printed circuit board having an opening formed on the lower cover; And a light emitting device package electrically connected to the printed circuit board and contacting the lower cover through the opening.

실시예는 새로운 구조를 구조를 갖는 발광 소자 패키지 및 발광 장치를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device package and a light emitting device having a new structure.

실시예는 발광 소자에서 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있는 발광 소자 패키지 및 발광 장치를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device package and a light emitting device capable of effectively dissipating heat generated from the light emitting device.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도.
도 2는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도.
도 3과 도 4는 실시예에 따른 발광 장치를 설명하는 도면.
도 5는 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 프레임들을 제작하기 위한 프레임 몸체를 설명하는 도면.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment.
3 and 4 illustrate a light emitting device according to an embodiment;
5 is a view illustrating a frame body for manufacturing frames in a light emitting device package according to an embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment, each layer, region, pattern or structure may be "under" or "under" the substrate, each layer, region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed at, "up" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 패키지 및 발광 장치에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device package and a light emitting device according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다. 도 3과 도 4는 실시예에 따른 발광 장치를 설명하는 도면이고, 도 5는 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 프레임들을 제작하기 위한 프레임 몸체를 설명하는 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package according to the embodiment. 3 and 4 illustrate a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 5 illustrates a frame body for manufacturing frames in a light emitting device package according to the embodiment.

먼저, 도 1과 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(10)와, 상기 패키지 몸체(10)에 형성된 제1 프레임(21), 제2 프레임(22), 및 제3 프레임(23)과, 상기 제3 프레임(23) 상에 설치된 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)와, 상기 패키지 몸체(10)에 형성된 캐비티(cavity)(70) 내에 채워진 봉지층(60)을 포함한다.First, referring to FIGS. 1 and 2, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a package body 10, a first frame 21 and a second frame 22 formed on the package body 10. And a cavity formed in the third body 23, the first light emitting device 31 and the second light emitting device 32 provided on the third frame 23, and the package body 10. And encapsulation layer 60 filled in 70).

상기 패키지 몸체(10)는 상기 프레임들(21,22,23)을 지지하고, 상기 발광 소자들(31,32)이 설치될 수 있는 공간을 제공하며, 상기 봉지층(60)이 채워지는 캐비티(70)를 형성한다. 상기 패키지 몸체(10)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 상기 프레임들(21,22,23)과 함께 사출되어 형성된다.The package body 10 supports the frames 21, 22, and 23, provides a space in which the light emitting devices 31 and 32 can be installed, and the cavity in which the encapsulation layer 60 is filled. Form 70. The package body 10 may be formed of a resin material and is injected and formed together with the frames 21, 22, and 23.

상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)은 상기 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)에 전원을 제공하기 위한 리드 프레임의 역할을 하고, 상기 제3 프레임(23)은 상기 발광 소자들(31,32)에서 발생된 열을 효과적으로 방출하기 위한 히트싱크 역할과 상기 발광 소자들(31,32)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사시키기 위한 반사층의 역할을 한다. 상기 제1,2,3 프레임(21,22,23)은 금속 재질로 형성된다.The first frame 21 and the second frame 22 serve as a lead frame for supplying power to the first light emitting device 31 and the second light emitting device 32, and the third frame 23. ) Serves as a heat sink for effectively dissipating heat generated by the light emitting elements 31 and 32 and as a reflective layer for effectively reflecting light generated by the light emitting elements 31 and 32. The first, second, and third frames 21, 22, and 23 are formed of a metal material.

상기 제1 프레임(21)과 제2 프레임(22)은 상기 패키지 몸체(10)의 양측에서 상기 패키지 몸체(10)를 관통하여 설치된다. 즉, 상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)의 일부분은 상기 패키지 몸체(10)의 캐비티(70) 내에 노출되고 일부분은 상기 패키지 몸체(10)의 외측으로 노출된다. The first frame 21 and the second frame 22 are installed through the package body 10 at both sides of the package body 10. That is, a portion of the first frame 21 and the second frame 22 is exposed in the cavity 70 of the package body 10 and a portion of the first frame 21 and the second frame 22 is exposed to the outside of the package body 10.

상기 제3 프레임(23)은 상기 제1 프레임(21)과 제2 프레임(22) 사이에 배치되고, 상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)보다 낮은 높이에 배치된다. 상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)과 전기적으로 분리된다. The third frame 23 is disposed between the first frame 21 and the second frame 22 and is disposed at a height lower than that of the first frame 21 and the second frame 22. It is electrically separated from the first frame 21 and the second frame 22.

상기 제3 프레임(23)의 상면은 상기 캐비티(70)의 바닥면을 이루고, 상기 제3 프레임(23)의 하면은 상기 패키지 몸체(10)의 바닥면과 동일 수평면 상에 배치된다. The top surface of the third frame 23 forms the bottom surface of the cavity 70, and the bottom surface of the third frame 23 is disposed on the same horizontal surface as the bottom surface of the package body 10.

상기 제3 프레임(23)의 상면은 제1 높이를 갖는 제1 평면과, 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 갖는 제2 평면과, 상기 제1 평면과 제2 평면을 연결하는 경사면으로 형성되고, 상기 제2 평면에 상기 발광 소자들(31,32)이 배치된다. 실시예에서는 두개의 발광 소자들(31,32)이 상기 제2 평면 상에 설치된 것이 예시되어 있으나, 한개의 발광 소자만 설치되거나 세개 이상의 발광 소자가 설치되는 것도 가능하다. 상기 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)는 발광 다이오드(LED)로 형성될 수 있다. An upper surface of the third frame 23 is formed of a first plane having a first height, a second plane having a second height lower than the first height, and an inclined surface connecting the first plane and the second plane. The light emitting devices 31 and 32 are disposed on the second plane. In the exemplary embodiment, two light emitting devices 31 and 32 are installed on the second plane, but only one light emitting device may be installed, or three or more light emitting devices may be provided. The first light emitting device 31 and the second light emitting device 32 may be formed of a light emitting diode (LED).

또한, 제너 다이오드(40)가 상기 제3 프레임(23)의 제2 평면 상에 설치될 수도 있다. 상기 제너 다이오드(40)는 ESD(Electro Static Discharge)에 대해 상기 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)를 보호하는 역할을 한다.In addition, the zener diode 40 may be installed on the second plane of the third frame 23. The zener diode 40 serves to protect the first light emitting device 31 and the second light emitting device 32 against electrostatic discharge (ESD).

상기 제1 발광 소자(31), 제2 발광 소자(32), 제너 다이오드(40)는 와이어들을 통해 상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)과 전기적으로 연결된다.The first light emitting device 31, the second light emitting device 32, and the zener diode 40 are electrically connected to the first frame 21 and the second frame 22 through wires.

제1 와이어(51)는 상기 제1 프레임(21)과 상기 제1 발광 소자(31)의 제1 전극층을 전기적으로 연결하고, 제2 와이어(52)는 상기 제1 발광 소자(31)의 제2 전극층과 상기 제2 발광 소자(32)의 제1 전극층을 전기적으로 연결하고, 제3 와이어(53)는 상기 제2 발광 소자(32)의 제2 전극층과 상기 제2 프레임(22)을 전기적으로 연결한다.The first wire 51 electrically connects the first frame 21 and the first electrode layer of the first light emitting device 31, and the second wire 52 is formed of the first light emitting device 31. The second electrode layer is electrically connected to the first electrode layer of the second light emitting element 32, and the third wire 53 electrically connects the second electrode layer of the second light emitting element 32 and the second frame 22. Connect with

그리고, 제4 와이어(54)는 상기 제1 프레임(21)과 상기 제너 다이오드(40)의 제1 전극층을 전기적으로 연결하고, 제5 와이어(55)는 상기 제너 다이오드(40)의 제2 전극층과 상기 제2 프레임(22)을 전기적으로 연결한다.The fourth wire 54 electrically connects the first frame 21 and the first electrode layer of the zener diode 40, and the fifth wire 55 is the second electrode layer of the zener diode 40. And the second frame 22 are electrically connected to each other.

상기 패키지 몸체(10)의 캐비티(70) 내에는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지와 같은 투명 수지재로 형성된 봉지층(60)이 채워지고, 상기 봉지층(60)에는 형광체가 포함될 수 있다. 상기 형광체는 상기 봉지층(60) 내에 균일하게 분산되거나 상기 발광 소자들(31,32)에 인접한 부분에만 형성될 수 있다. 상기 봉지층(60)에서 투명 수지재와 형광체층은 다양한 구조 또는 다양한 형태의 층으로 형성될 수 있다.In the cavity 70 of the package body 10, an encapsulation layer 60 formed of a transparent resin material such as a silicone resin or an epoxy resin is filled, and the encapsulation layer 60 may include a phosphor. The phosphor may be uniformly dispersed in the encapsulation layer 60 or formed only at a portion adjacent to the light emitting devices 31 and 32. In the encapsulation layer 60, the transparent resin material and the phosphor layer may be formed of various structures or various types of layers.

상기 패키지 몸체(10)의 측면에는 제3 프레임 연결부(23a,23b)가 노출된다. 상기 제3 프레임 연결부(23a,23b)는 상기 패키지 몸체(10)를 사출할 때 상기 제2 프레임(23)을 지지하는 부분으로 사출이 완료된 후 분리된 부분이다.The third frame connecting portions 23a and 23b are exposed at the side surfaces of the package body 10. The third frame connecting parts 23a and 23b are parts that support the second frame 23 when the package body 10 is injected, and are separated after the injection is completed.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 프레임(21), 제2 프레임(22), 제3 프레임(23)은 프레임 몸체(25)에 지지된 상태에서 사출 공정을 통해 상기 패키지 몸체(10)와 결합된다. 그리고, 제1 절단부(25a), 제2 절단부(25b), 제3 절단부(25c)가 절단되면서 상기 제1 프레임(21), 제2 프레임(22), 제3 프레임(23)이 상기 프레임 몸체(25)로부터 분리된다. 즉, 상기 제1 프레임(21), 제2 프레임(22), 제3 프레임(23)은 동일 재질의 금속으로 형성된다.As shown in FIG. 5, the package body 10 is formed through an injection process in a state in which the first frame 21, the second frame 22, and the third frame 23 are supported by the frame body 25. Combined with. The first frame 21, the second frame 22, and the third frame 23 are cut out while the first cut portion 25a, the second cut portion 25b, and the third cut portion 25c are cut off. Separated from (25). That is, the first frame 21, the second frame 22, and the third frame 23 are made of metal of the same material.

상기 제3 프레임(23)은 상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)과 전기적, 물리적으로 분리되기 때문에, 상기 제3 프레임 연결부(23a,23b)에 의해 상기 프레임 몸체(25)에 지지되는데, 상기 제3 절단부(25c)가 절단되면서 상기 제3 프레임 연결부(23a,23b)가 상기 패키지 몸체(10)의 측면으로 노출된다. 실시예에서는 두개의 제3 프레임 연결부(23a,23b)가 예시되어 있으나, 두개 보다 많은 수의 제3 프레임 연결부가 사용될 수도 있다. 또한, 한개의 제3 프레임 연결부가 사용될 수도 있다.Since the third frame 23 is electrically and physically separated from the first frame 21 and the second frame 22, the third frame 23 is connected to the frame body 25 by the third frame connecting portions 23a and 23b. The third frame connecting portion 23a, 23b is exposed to the side of the package body 10 while the third cutting portion 25c is cut. In the exemplary embodiment, two third frame connectors 23a and 23b are illustrated, but more than two third frame connectors may be used. In addition, one third frame connection may be used.

도 2, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 발광 소자 패키지(100)는 인쇄회로기판(300)에 형성된 개구(310)에 삽입되어 하부 커버(200)에 지지된다. 상기 하부 커버(200)는 열 전도성이 우수한 금속 재질로 형성될 수 있다.2, 3, and 4, the light emitting device package 100 is inserted into an opening 310 formed in the printed circuit board 300 to be supported by the lower cover 200. The lower cover 200 may be formed of a metal material having excellent thermal conductivity.

상기 인쇄회로기판(300)은 상기 하부 커버(200) 상에 설치되고, 상기 하부 커버(200)가 일부분 노출되도록 상기 개구(310)가 형성된다. The printed circuit board 300 is installed on the lower cover 200, and the opening 310 is formed to partially expose the lower cover 200.

상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 개구(310)를 통해 상기 하부 커버(200)와 접촉한다. 즉, 상기 패키지 몸체(10) 및 상기 제3 프레임(23)은 상기 하부 커버(200)와 접촉한다.The light emitting device package 100 contacts the lower cover 200 through the opening 310. That is, the package body 10 and the third frame 23 are in contact with the lower cover 200.

그리고, 상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)은 상기 인쇄회로기판(300)의 상면에 형성된 회로패턴과 전기적으로 연결된다. 상기 패키지 몸체(10)의 하면으로부터 상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)까지의 두께는 상기 인쇄회로기판(300)의 두께와 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 프레임(21) 및 제2 프레임(22)이 상기 인쇄회로기판(300)의 상면에 접촉되고, 상기 제3 프레임(23)이 상기 하부 커버((200)에 접촉될 수 있다.The first frame 21 and the second frame 22 are electrically connected to a circuit pattern formed on an upper surface of the printed circuit board 300. The thickness from the lower surface of the package body 10 to the first frame 21 and the second frame 22 may be formed to be substantially the same as the thickness of the printed circuit board 300. Accordingly, the first frame 21 and the second frame 22 may contact the upper surface of the printed circuit board 300, and the third frame 23 may contact the lower cover 200. .

상기와 같은 발광 장치는 하부 커버(200) 상에 개구(310)가 형성된 인쇄회로기판(300)을 설치하고, 상기 개구(310)를 통해 상기 발광 소자 패키지(100)가 상기 하부 커버(200)에 접촉하도록 설치한다. 상기 발광 소자 패키지(100)에서 발생되는 열은 상기 하부 커버(200)에 직접 전달되기 때문에, 상기 발광 소자 패키지(100)의 방열 효율이 좋아진다.The light emitting device includes a printed circuit board 300 having an opening 310 formed on the lower cover 200, and the light emitting device package 100 is connected to the lower cover 200 through the opening 310. Install in contact with. Since heat generated in the light emitting device package 100 is transferred directly to the lower cover 200, the heat dissipation efficiency of the light emitting device package 100 is improved.

특히, 상기 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)에서 발생된 열은 상기 제3 프레임(23)으로 직접 전달되고, 상기 제3 프레임(23)으로 전달된 열은 상기 하부 커버(200)로 직접 전달되므로 열 저항이 작아 열 방출 효율이 향상될 수 있다.In particular, heat generated in the first light emitting device 31 and the second light emitting device 32 is directly transferred to the third frame 23, and the heat transferred to the third frame 23 is the lower cover. Since the heat transfer directly to the (200), the heat resistance is small can be improved heat dissipation efficiency.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made based on the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains may not have been exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

10: 패키지 몸체, 21: 제1 프레임, 22: 제2 프레임, 23: 제3 프레임, 31: 제1 발광 소자, 32: 제2 발광 소자, 40: 제너 다이오드, 60: 봉지층, 70: 캐비티, 100: 발광 소자 패키지, 200: 하부 커버, 300: 인쇄회로기판, 310: 개구 10: package body, 21: first frame, 22: second frame, 23: third frame, 31: first light emitting element, 32: second light emitting element, 40: zener diode, 60: encapsulation layer, 70: cavity 100: light emitting device package 200: lower cover 300: printed circuit board 310: opening

Claims (20)

캐비티가 형성된 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체를 관통하여 상기 캐비티 내에서 노출되는 제1 프레임 및 제2 프레임;
상기 캐비티의 바닥면을 형성하고 상기 제1 프레임 및 제2 프레임과 전기적으로 분리되는 제3 프레임;
상기 제3 프레임 상에 설치된 발광 소자; 및
상기 발광 소자와 상기 제1 프레임 및 제2 프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 포함하는 발광 소자 패키지.A package body in which a cavity is formed;
First and second frames penetrating the package body and being exposed in the cavity;
A third frame forming a bottom surface of the cavity and electrically separated from the first frame and the second frame;
A light emitting element provided on the third frame; And
The light emitting device package comprising a wire for electrically connecting the light emitting device and the first frame and the second frame. 제 1항에 있어서,
상기 발광 소자를 포위하고 상기 캐비티 내에 채워지는 봉지층을 더 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
And a sealing layer surrounding the light emitting element and filled in the cavity. 제 2항에 있어서,
상기 봉지층은 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 2,
The encapsulation layer is a light emitting device package including a phosphor. 제 1항에 있어서,
상기 제1 프레임, 제2 프레임 및 제3 프레임은 동일 재질의 금속으로 형성되는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The first frame, the second frame and the third frame is a light emitting device package formed of a metal of the same material. 제 1항에 있어서,
상기 제3 프레임은 상기 제1 프레임과 제2 프레임 사이에 상기 제1 프레임 및 제2 프레임보다 낮은 높이에 배치되는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The third frame is a light emitting device package disposed between the first frame and the second frame at a lower height than the first frame and the second frame. 제 1항에 있어서,
상기 제3 프레임의 하면은 상기 패키지 몸체의 바닥면과 동일 수평면 상에 배치되는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The lower surface of the third frame is a light emitting device package disposed on the same horizontal plane as the bottom surface of the package body. 제 1항에 있어서,
상기 제3 프레임의 상면은 제1 높이를 갖는 제1 평면과, 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 갖는 제2 평면과, 상기 제1 평면과 제2 평면을 연결하는 경사면을 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
An upper surface of the third frame includes a first plane having a first height, a second plane having a second height lower than the first height, and an inclined surface connecting the first plane and the second plane. package. 제 1항에 있어서,
상기 제3 프레임 상에 제너 다이오드를 더 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package further comprises a zener diode on the third frame. 제 1항에 있어서,
상기 발광 소자는 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고,
상기 와이어는 상기 제1 프레임과 상기 제1 발광 소자의 제1 전극층을 전기적으로 연결하는 제1 와이어와, 상기 제1 발광 소자의 제2 전극층과 상기 제2 발광 소자의 제1 전극층을 전기적으로 연결하는 제2 와이어와, 상기 제2 발광 소자의 제2 전극층과 상기 제2 프레임을 전기적으로 연결하는 제3 와이어를 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device includes a first light emitting device and a second light emitting device,
The wire electrically connects the first wire to the first electrode layer of the first light emitting device, and the second electrode layer of the first light emitting device to the first electrode layer of the second light emitting device. And a third wire configured to electrically connect the second electrode layer and the second frame of the second light emitting device. 제 1항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 측면에는 상기 제3 프레임과 연결된 제3 프레임 연결부가 노출되는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package side of the package body is exposed to the third frame connecting portion connected to the third frame. 하부 커버;
상기 하부 커버 상에 개구가 형성된 인쇄회로기판; 및
상기 인쇄회로기판과 전기적으로 연결되고 상기 개구를 통해 상기 하부 커버와 접촉하는 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 장치.Lower cover;
A printed circuit board having an opening formed on the lower cover; And
And a light emitting device package electrically connected to the printed circuit board and in contact with the lower cover through the opening. 제 11항에 있어서,
상기 발광 소자 패키지는 캐비티가 형성된 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체를 관통하여 상기 캐비티 내에서 노출되는 제1 프레임 및 제2 프레임; 상기 캐비티의 바닥면을 형성하고 상기 제1 프레임 및 제2 프레임과 전기적으로 분리되는 제3 프레임; 상기 제3 프레임 상에 설치된 발광 소자; 및 상기 발광 소자와 상기 제1 프레임 및 제2 프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 포함하는 발광 장치.12. The method of claim 11,
The light emitting device package includes a package body in which a cavity is formed; First and second frames penetrating the package body and being exposed in the cavity; A third frame forming a bottom surface of the cavity and electrically separated from the first frame and the second frame; A light emitting element provided on the third frame; And a wire electrically connecting the light emitting element to the first frame and the second frame. 제 12항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 하면부터 상기 제1 프레임 및 제2 프레임까지의 높이는 상기 인쇄회로기판의 두께와 동일한 발광 장치.The method of claim 12,
And a height from the bottom surface of the package body to the first frame and the second frame is equal to the thickness of the printed circuit board. 제 12항에 있어서,
상기 제1 프레임 및 제2 프레임은 상기 인쇄회로기판 상의 회로패턴과 전기적으로 연결되는 발광 장치.The method of claim 12,
And the first frame and the second frame are electrically connected to a circuit pattern on the printed circuit board. 제 12항에 있어서,
상기 제3 프레임은 상기 하부 커버와 접촉하는 발광 장치.The method of claim 12,
The third frame is in contact with the lower cover. 제 12항에 있어서,
상기 제3 프레임, 패키지 몸체, 및 인쇄회로기판의 하면은 상기 하부 커버와 접촉하는 발광 장치.The method of claim 12,
And a lower surface of the third frame, the package body, and the printed circuit board contact the lower cover. 제 12항에 있어서,
상기 발광 소자를 포위하고 상기 캐비티 내에 채워지는 봉지층을 더 포함하는 발광 장치.The method of claim 12,
And a encapsulation layer surrounding the light emitting element and filled in the cavity. 제 12항에 있어서,
상기 제3 프레임은 상기 제1 프레임과 제2 프레임 사이에 상기 제1 프레임 및 제2 프레임보다 낮은 높이에 배치되는 발광 장치.The method of claim 12,
The third frame is disposed between the first frame and the second frame at a height lower than the first frame and the second frame. 제 12항에 있어서,
상기 제3 프레임의 상면은 제1 높이를 갖는 제1 평면과, 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 갖는 제2 평면과, 상기 제1 평면과 제2 평면을 연결하는 경사면을 포함하는 발광 장치.The method of claim 12,
An upper surface of the third frame includes a first plane having a first height, a second plane having a second height lower than the first height, and an inclined surface connecting the first plane and the second plane. . 제 12항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 측면에는 상기 제3 프레임과 연결된 제3 프레임 연결부가 노출되는 발광 장치.The method of claim 12,
The light emitting device of the package body is exposed to the third frame connecting portion connected to the third frame.
KR1020100004107A 2010-01-15 2010-01-15 Light emitting device KR101055074B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100004107A KR101055074B1 (en) 2010-01-15 2010-01-15 Light emitting device
EP11150403.1A EP2346100B1 (en) 2010-01-15 2011-01-07 Light emitting apparatus and lighting system
JP2011004106A JP2011146709A (en) 2010-01-15 2011-01-12 Light-emitting device and illumination system
US13/005,182 US20110175119A1 (en) 2010-01-15 2011-01-12 Light emitting apparatus and lighting system
CN201110022482.7A CN102185089B (en) 2010-01-15 2011-01-17 Light-emitting device and illuminator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100004107A KR101055074B1 (en) 2010-01-15 2010-01-15 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110084057A true KR20110084057A (en) 2011-07-21
KR101055074B1 KR101055074B1 (en) 2011-08-05

Family

ID=44921487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100004107A KR101055074B1 (en) 2010-01-15 2010-01-15 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101055074B1 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130025242A (en) * 2011-09-01 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 A fluorescent body, light emitting diode and package of thereof
KR20130031644A (en) * 2011-09-21 2013-03-29 엘지이노텍 주식회사 Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR20130038679A (en) * 2011-10-10 2013-04-18 엘지이노텍 주식회사 Light emitting module and light unit having the same
KR20130039536A (en) * 2011-10-12 2013-04-22 엘지이노텍 주식회사 Light emitting module and light unit having the same
KR101877426B1 (en) * 2011-11-23 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101877416B1 (en) * 2011-11-23 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101877423B1 (en) * 2011-11-28 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780215B1 (en) 2006-07-27 2007-11-27 삼성전기주식회사 Led package having plural led
KR101346799B1 (en) * 2006-12-28 2014-01-02 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package and method for fabricating the same
KR20090030130A (en) * 2007-09-19 2009-03-24 알티전자 주식회사 Light emitting diode package
KR20100003469A (en) * 2008-07-01 2010-01-11 삼성전기주식회사 Led package

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130025242A (en) * 2011-09-01 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 A fluorescent body, light emitting diode and package of thereof
KR20130031644A (en) * 2011-09-21 2013-03-29 엘지이노텍 주식회사 Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR20130038679A (en) * 2011-10-10 2013-04-18 엘지이노텍 주식회사 Light emitting module and light unit having the same
KR20130039536A (en) * 2011-10-12 2013-04-22 엘지이노텍 주식회사 Light emitting module and light unit having the same
KR101877426B1 (en) * 2011-11-23 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101877416B1 (en) * 2011-11-23 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101877423B1 (en) * 2011-11-28 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101055074B1 (en) 2011-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11450791B2 (en) LED assembly for omnidirectional light applications
KR101055074B1 (en) Light emitting device
EP2348550B1 (en) Package structure and LED package structure
US8783911B2 (en) LED packaging structure having improved thermal dissipation and mechanical strength
JP2012532441A (en) Light emitting diode package
US9899587B2 (en) Lead frame and light emitting diode package having the same
US8801238B2 (en) Light-emitting device
KR20090104577A (en) Multi chip led package
KR200470083Y1 (en) Light-emitting diode assembly structure and light bar using the structure
JP2010129615A (en) Light emitting device, and illuminating apparatus
TWI496323B (en) Light emitting module
JP2013069530A (en) Led lighting device
US9640745B2 (en) Light emitting diode and method of manufacturing the same
JP2009231148A (en) Illuminating device
JP6210720B2 (en) LED package
KR20120050283A (en) Led package
KR20120001189A (en) Light emitting diode package
KR100749666B1 (en) Side view type led package with heat sink protrusion
KR20110080548A (en) Light emitting device
KR102224098B1 (en) Light emitting device package and lighting system
JP6085459B2 (en) Lighting device
JP2013004824A (en) Led lighting device and method for manufacturing led lighting device
KR20080045942A (en) High power led package and fabrication method thereof
JP2009259768A (en) Lighting system
JP2009021383A (en) Electronic component

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140708

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150706

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160707

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180710

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190711

Year of fee payment: 9