KR20110039372A - Copper alloy material for electrical/electronic component - Google Patents
Copper alloy material for electrical/electronic component Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110039372A KR20110039372A KR1020117004941A KR20117004941A KR20110039372A KR 20110039372 A KR20110039372 A KR 20110039372A KR 1020117004941 A KR1020117004941 A KR 1020117004941A KR 20117004941 A KR20117004941 A KR 20117004941A KR 20110039372 A KR20110039372 A KR 20110039372A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- copper alloy
- alloy material
- bending
- mass
- ratio
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
Co를 0.7∼2.5질량% 포함하고, Si를, Co와 Si의 질량비(Co/Si비)가 3.5 이상 4.0 이하의 범위내로 포함하고, 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지고, 그 결정입자지름이 3∼15㎛인 것을 특징으로 하는 전기·전자부품용 동합금재.0.7-2.5 mass% of Co, Si contains the mass ratio (Co / Si ratio) of Co and Si in 3.5 or more and 4.0 or less, remainder consists of Cu and an unavoidable impurity, and the crystal grain diameter is Copper alloy material for electric and electronic components, It is 3-15 micrometers.
Description
본 발명은, 전기·전자부품용 동합금재에 관한 것이다.The present invention relates to a copper alloy material for electric and electronic parts.
지금까지, 전기·전자기기용의 부품(구체적으로는 커넥터, 단자, 릴레이, 스 위치 등)에는, 황동(C26000)이나 인청동(C51910, C52120. C52100) 및 베릴륨동 (C17200, C17530)이나 코르손계 동합금(C70250)등이 사용되어 왔다. 여기서, 'Cxxxxx'는 CDA(Copper Development Association)에서 규정되고 있는 동합금의 종류이다. Until now, parts for electric and electronic devices (specifically, connectors, terminals, relays, switches, etc.) include brass (C26000), phosphor bronze (C51910, C52120, C52100), beryllium copper (C17200, C17530), and corson-based copper alloys. (C70250) and the like have been used. Here, 'Cxxxxx' is a type of copper alloy specified by the CDA (Copper Development Association).
최근, 전기·전자기기로 사용되는 전류의 주파수가 높아져, 전기·전자기기용의 부품에 사용되는 금속재에는, 더 높은 도전성이 요구되고 있다. 이른바 코르손계 동합금은 도전성이 높지만, 종래의 코르손계 동합금을 넘는 도전성과, 높은 인장(引張)강도와 내굽힘가공성을 동시에 겸비한 동합금으로서, Co와 Si를 첨가한 Cu-Co-Si계 합금이 검토되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 2).In recent years, the frequency of the electric current used for an electric and electronic device becomes high, and the metal material used for the components for electric and electronic devices has requested the higher electroconductivity. The so-called Corson-based copper alloys have high conductivity, but Cu-Co-Si-based alloys containing Co and Si are considered as copper alloys having both conductivity over conventional Corson-based copper alloys and high tensile strength and bending resistance. (For example, patent document 1, 2).
전자·전기기기용의 부품에는, 도전성과 인장강도와 함께, 고도의 내굽힘가공성이 요구되고 있는데 대해, 특허문헌 1, 2에 기재된 Cu-Co-Si계 합금은, 인장강도, 내굽힘가공성, 도전성(열전도성)의 모든 것을 높은 레벨로 만족한다고는 할 수 없다.The components for electronic and electrical devices require high bending resistance along with conductivity and tensile strength. However, Cu-Co-Si alloys described in Patent Documents 1 and 2 have tensile strength, bending resistance, It cannot be said that all of electroconductivity (thermal conductivity) is satisfied at a high level.
특허문헌 1에는, 재료의 내측 굽힘반지름을 R, 판두께를 t로 했을 때에, R/t=1의 조건에서의 굽힘가공 시험 결과가 기재되고, 특허문헌 2에는, 굽힘반지름 0.3mm에서 90도 V굽힘 시험에서의 굽힘가공 시험 결과가 기재되어 있다.Patent Document 1 describes the bending test results under the condition of R / t = 1 when the inner bending radius of the material is R and the plate thickness t. In Patent Document 2, the bending radius is 90 degrees at 0.3 mm. The bending test results from the V bending test are described.
그러나 이 정도의 레벨에서는 향후 요구되는 내굽힘가공성에는 대응할 수 없다고 생각되어, 엄격한 굽힘가공시험에서도 합격하는 전기·전자부품용 동합금재의 개발이 필요해지고 있다.However, at this level, it is thought that it cannot cope with the bending resistance required in the future, and it is necessary to develop copper alloy materials for electric and electronic parts that pass even a rigorous bending test.
본 발명은, 높은 도전성과 높은 인장강도를 갖고, 더불어 내굽힘가공성이 우수한 전기·전자부품용 동합금재를 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a copper alloy material for electric and electronic parts having high conductivity and high tensile strength and excellent bending resistance.
본 발명자들은 열심히 검토한 결과, Co 및 Si를 소정량 함유하는 동시에, Co와 Si의 질량비가 소정 범위내에 있고, 그 결정입자지름이 소정 범위내에 있는 동합금재가, 높은 도전성과 높은 인장강도를 갖고, 더불어 엄격한 굽힘가공시험에서도 합격하는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 지견에 기초하여 이루어진 것이다.As a result of diligent study, the present inventors have found that a copper alloy material containing a predetermined amount of Co and Si, a mass ratio of Co and Si within a predetermined range, and a crystal grain diameter within a predetermined range, has high conductivity and high tensile strength, In addition, they found that they passed the rigorous bending test. This invention is made | formed based on this knowledge.
본 발명에 의하면, 이하의 수단이 제공된다:According to the present invention, the following means are provided:
(1) Co를 0.7∼2.5질량% 포함하고, Si를, Co와 Si의 질량비(Co/Si비)가 3.5 이상 4.0 이하의 범위내로 포함하고, 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지고, 그 결정입자지름이 3∼15㎛인 것을 특징으로 하는 전기·전자부품용 동합금재,(1) 0.7-2.5 mass% of Co is included, Si contains the mass ratio (Co / Si ratio) of Co and Si in 3.5 or more and 4.0 or less, and remainder consists of Cu and an unavoidable impurity, The crystal Copper alloy material for electric and electronic parts, characterized in that the particle diameter is 3 to 15㎛
(2) Co를 0.7∼2.5질량%, 및 Cr, Ni, Fe, Zr, Ti, Al, Sn, Mg 및 Zn의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.01∼0.15질량% 포함하고, Si를, Cr, Ni, Fe, Zr 및 Ti의 군으로부터 선택되는 적어도 1종(X)과 Co와의 합계 질량의 Si에 대한 질량비((Co+X)/Si비)가 3.5 이상 4.0 이하의 범위내로 포함하고, 그 결정입자지름이 3∼15㎛인 것을 특징으로 하는 전기·전자부품용 동합금재.(2) 0.7 to 2.5 mass% of Co and 0.01 to 0.15 mass% of at least one selected from the group of Cr, Ni, Fe, Zr, Ti, Al, Sn, Mg, and Zn; Mass ratio ((Co + X) / Si ratio) with respect to Si of the total mass of at least 1 type (X) and Co selected from the group of Ni, Fe, Zr, and Ti is in the range of 3.5 or more and 4.0 or less, The crystal grain diameter is 3-15 micrometers, Copper alloy materials for electrical and electronic components characterized by the above-mentioned.
본 발명에 의해, 도전성과 인장강도가 우수하고, 엄격한 굽힘가공 시험에 합격하는 전기·전자부품용 동합금재를 제공할 수 있다.Advantageous Effects of Invention The present invention can provide a copper alloy material for electric and electronic parts that is excellent in conductivity and tensile strength and which passes a strict bending test.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 하기의 기재로부터 보다 분명해질 것이다.These and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description.
본 발명의 전기·전자부품용 동합금재의 합금 조성에 대해 바람직한 실시형태를, 이하에 상세하게 설명한다. 여기서 '동합금재'란, 동합금으로서의 조성물이, 소정의 형상(예를 들면, 판, 조, 박, 봉, 선 등)으로 가공된 것을 의미한다. 동합금재의 바람직한 구체적인 예로서 판재, 조재로 설명하지만, 동합금재의 형상은 판재나 조재에 한정되는 것은 아니다. Preferred embodiments of the alloy composition of the copper alloy material for electrical and electronic parts of the present invention will be described in detail below. Here, "copper alloy material" means that the composition as a copper alloy was processed into a predetermined shape (for example, plate, nail, foil, rod, line, etc.). Although a plate and a crude material are demonstrated as a preferable specific example of a copper alloy material, the shape of a copper alloy material is not limited to a plate and a crude material.
우선 본 발명의 제 1의 전기·전자부품용 동합금재에 대해 설명한다.First, the first copper alloy material for electric and electronic parts of the present invention will be described.
본 발명의 제 1의 전기·전자부품용 동합금재에서는, Co와 Si가 필수 성분이다. 동합금중의 Co와 Si는, 주로 Co2Si 금속간 화합물의 석출물을 형성한다. 이 석출물의 비율을 특정의 범위내로 하는 것에 의해, 인장강도와 도전율이 높은 전기·전자부품용 동합금재를 제공할 수 있다.In the first copper alloy material for electrical and electronic parts of the present invention, Co and Si are essential components. Co and Si in the copper alloy mainly form precipitates of Co 2 Si intermetallic compounds. By carrying out the ratio of this precipitate within a specific range, the copper alloy material for electrical and electronic components with high tensile strength and electrical conductivity can be provided.
본 발명의 전기·전자부품용 동합금재에서는, Co는 0.7∼2.5질량%, 바람직하게는 0.8∼2.2질량%, 더 바람직하게는 0.9∼1.7질량%이다. 이 범위내로 하는 것에 의해, 인장강도와 도전율이 높은 전기전자부품용 동합금재를 얻을 수 있다.In the copper alloy material for electric and electronic parts of the present invention, Co is 0.7 to 2.5% by mass, preferably 0.8 to 2.2% by mass, more preferably 0.9 to 1.7% by mass. By setting it in this range, the copper alloy material for electric and electronic components with high tensile strength and electrical conductivity can be obtained.
본 발명에 있어서는, Co의 양이 너무 적으면 Co2Si 금속간 화합물의 석출물이 적어져서, 인장강도와 도전율이 높은 전기·전자부품용 동합금재를 얻을 수 없다. Co의 양이 너무 많으면, 그 효과가 포화되어 버린다. Si에 대해서는, Co2Si 금속간 화합물의 화학량론비를 유지하도록, Co에 알맞은 양을 첨가하는 것이 바람직하다. Si량이 적절하지 않은 경우에는, Co의 양이 적절하지 않은 경우와 같아진다. 즉, Si의 양이 너무 적으면 Co2Si 금속간 화합물의 석출물이 적어져서, 인장강도와 도전율이 높은 전기·전자부품용 동합금재를 얻을 수 없다. Si의 양이 너무 많으면, 그 효과가 포화되어 버린다.In the present invention, when the amount of Co is too small, the precipitates of the Co 2 Si intermetallic compound are small, and a copper alloy material for electric and electronic parts with high tensile strength and electrical conductivity cannot be obtained. If the amount of Co is too large, the effect is saturated. For Si, it is preferable to add an amount suitable for Co so as to maintain the stoichiometric ratio of the Co 2 Si intermetallic compound. When Si amount is not suitable, it becomes the same as the case where Co amount is not suitable. In other words, if the amount of Si is too small, precipitates of the Co 2 Si intermetallic compound will be less, and a copper alloy material for electric and electronic parts with high tensile strength and electrical conductivity cannot be obtained. If the amount of Si is too large, the effect is saturated.
Co2Si 금속간 화합물의 화학량론비로부터, Co의 Si에 대한 최적인 질량비 (Co/Si)는 Co/Si≒4.2이지만, 본 발명의 동합금재에서는, Co의 Si에 대한 질량비 (Co/Si)가 3.5 이상 4.0 이하의 범위가 되도록 한다. 바람직하게는, Co/Si의 값은, 질량비로 3.70 이상 3.95 이하의 범위이다. Co와 Si의 질량비(Co/Si비)를 이 범위내로 하는 것에 의해, 인장강도와 굽힘의 양쪽이 우수한 전기전자부품용 동합금재로 할 수 있다. Co와 Si의 질량비(Co/Si비)가 너무 작으면, Si가 과잉이 되기 때문에, Co와 금속간 화합물을 형성하지 않는 일부의 Si는 고용(固溶)되어, 도전율이 낮아진다. Co와 Si의 질량비(Co/Si비)가 너무 크면, Co가 과잉이 되기 때문에, Si와 금속간 화합물을 형성하지 않는 일부의 Co는 고용되어, 도전율이 낮아진다. From the stoichiometric ratio of the Co 2 Si intermetallic compound, the optimum mass ratio (Co / Si) of Co to Si is Co / Si ≒ 4.2, but in the copper alloy material of the present invention, the mass ratio of Co to Si (Co / Si) Should be in the range of 3.5 to 4.0. Preferably, the value of Co / Si is in the range of 3.70 to 3.95 in mass ratio. By carrying out mass ratio (Co / Si ratio) of Co and Si in this range, it can be set as the copper alloy material for electric and electronic components excellent in both tensile strength and bending. If the mass ratio (Co / Si ratio) of Co and Si is too small, Si becomes excessive, so that some Si which does not form an intermetallic compound with Co is dissolved and the conductivity is low. If the mass ratio (Co / Si ratio) of Co and Si is too large, Co becomes excessive, so that some Co which does not form an intermetallic compound with Si is dissolved and the conductivity is low.
Co의 양 및 Si의 양이 소정량을 초과한 경우에는, 용체화 온도를 높게 하지 않으면 합금재를 얻을 수 없기 때문에, 통상 행하여지고 있는 용체화 온도(1000℃ 정도)보다 높은 온도에서 열처리를 행하면, 제품 형상을 유지할 수 없는 등의 문제를 발생시킨다.If the amount of Co and the amount of Si exceed the predetermined amount, the alloying material cannot be obtained unless the solution temperature is increased. Therefore, if the heat treatment is performed at a temperature higher than the solution solution temperature (about 1000 ° C.) which is usually performed, Problems such as inability to maintain product shape.
본 발명의 제 1의 전기·전자부품용 동합금재에 있어서는, Co의 Si에 대한 질량비(Co/Si)가 3.5 이상 4.0 이하의 범위가 되도록, Si는 결정되지만, Si는 0.2∼0.7질량%으로 하는 것이 바람직하다.In the first copper alloy material for electrical and electronic parts of the present invention, Si is determined so that the mass ratio (Co / Si) of Co to Si is in a range of 3.5 or more and 4.0 or less, but Si is 0.2 to 0.7 mass%. It is desirable to.
다음에 본 발명의 제 2의 동합금재에 대해 설명한다.Next, the second copper alloy material of the present invention will be described.
본 발명의 제 2의 동합금재에서는, Co를 0.7∼2.5 질량%, Cr, Ni, Fe, Zr, Ti, Al, Sn, Mg 및 Zn의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.01∼0.15질량% 포함하고, 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지고, Si를, Cr, Ni, Fe, Zr 및 Ti의 군으로부터 선택되는 적어도 1종(X)과 Co와의 합계 질량의 Si에 대한 질량비((Co+X)/Si비)가 3.5 이상 4.0 이하의 범위내에서 포함한다.In the second copper alloy material of the present invention, Co contains 0.7 to 2.5 mass%, 0.01 to 0.15 mass% of at least one selected from the group of Cr, Ni, Fe, Zr, Ti, Al, Sn, Mg and Zn. The balance is made of Cu and unavoidable impurities, and the mass ratio of Si to Si of at least one (X) selected from the group of Cr, Ni, Fe, Zr and Ti and Co and the total mass of Co ((Co + X ) / Si ratio) is included within the range of 3.5 or more and 4.0 or less.
Cr, Ni, Fe, Zr, Ti, Al, Sn, Mg 및 Zn의 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 첨가량은, 바람직하게는 0.05∼0.15질량%이다. 첨가량이 너무 적은 경우에는 첨가의 효과가 작고, 첨가량이 너무 많은 경우에는, 강도가 저하하는 동시에, 첨가한 원소가 고용되는 것에 의해 도전율이 저하한다.The addition amount of at least one selected from the group of Cr, Ni, Fe, Zr, Ti, Al, Sn, Mg and Zn is preferably 0.05 to 0.15 mass%. When the addition amount is too small, the effect of the addition is small. When the addition amount is too large, the strength decreases, and the conductivity decreases because the added element is dissolved.
Cr, Ni, Fe, Zr 및 Ti에 대해서는, Co와 Si의 양쪽 혹은 한쪽과, 또는 단독으로 석출물을 형성하고, 결정입자지름을 미세화시키는 효과를 초래한다. Cr, Ni, Fe, Zr 및 Ti의 군으로부터 선택되는 적어도 1종(X)은, Co의 일부와 치환하여, (Co, X)2Si화합물을 형성하고, 강도를 향상시키는 기능이 있다. 이것에 대해서, Al, Sn, Mg, Zn은 동(銅) 모상(母相)에 고용되어 강화되는 특징이 있다. Al, Sn, Mg 및 Zn은 고용되는 것에 의해서, 합금재가 강화되거나 내응력 완화 특성의 개선을 가져온다. 또한, Sn 및 Mg를 동시에 첨가하는 것에 의해, 상승적으로 내응력 완화 특성이 향상된다. Sn와 Mg의 첨가비를, Sn/Mg≥1로 하는 경우에는, 응력 완화 특성은 더 향상된다.For Cr, Ni, Fe, Zr and Ti, precipitates are formed by both or one or both of Co and Si, or alone, resulting in an effect of miniaturizing the crystal grain diameter. At least one selected from the group of Cr, Ni, Fe, Zr and Ti (X) is substituted with a part of Co to form a (Co, X) 2 Si compound and has a function of improving strength. On the other hand, Al, Sn, Mg, and Zn have the characteristics of being solid-dissolved in a copper matrix phase. Al, Sn, Mg, and Zn are dissolved, resulting in the alloy material being strengthened or improving the stress relaxation resistance. In addition, by adding Sn and Mg simultaneously, the stress relaxation resistance is synergistically improved. When the addition ratio of Sn and Mg is Sn / Mg ≧ 1, the stress relaxation characteristic is further improved.
본 발명의 제 2의 동합금재에서는, Cr, Ni, Fe, Zr 및 Ti의 군으로부터 선택되는 적어도 1종(X)과 Co와의 합계 질량의 Si에 대한 질량비((Co+X)/Si비)가 3.5 이상 4.0 이하이다. 바람직하게는, (Co+X)/Si비의 값은, 질량비로 3.70 이상 3.95 이하의 범위이다. (Co+X)/Si비를 이 범위내로 하는 것에 의해, 인장강도와 굽힘의 양쪽이 우수한 전기전자부품용 동합금재로 할 수 있다. (Co+X) /Si비가 너무 작으면, Si가 과잉이 되기 때문에, Co 및 X와 금속간 화합물을 형성하지 않는 일부의 Si는 고용되어, 도전율이 낮아진다. (Co+X)/Si비가 너무 크면, Co또는 X가 과잉이 되기 때문에, Si와 금속간 화합물을 형성하지 않는 일부의 Co또는 X는 고용되어, 도전율이 낮아진다.In the second copper alloy material of the present invention, the mass ratio ((Co + X) / Si ratio) to Si of the total mass of at least one (X) and Co selected from the group of Cr, Ni, Fe, Zr and Ti Is 3.5 or more and 4.0 or less. Preferably, the value of the (Co + X) / Si ratio is in the range of 3.70 to 3.95 in mass ratio. By setting the (Co + X) / Si ratio within this range, it is possible to obtain a copper alloy material for electric and electronic parts having excellent tensile strength and bending. If the (Co + X) / Si ratio is too small, Si becomes excessive, so that part of Si that does not form an intermetallic compound with Co and X becomes solid solution and the conductivity is low. If the (Co + X) / Si ratio is too large, Co or X becomes excessive, so that some Co or X which does not form an intermetallic compound with Si is dissolved and the conductivity becomes low.
본 발명의 제2의 전기·전자부품용 동합금재에 있어서는, Cr, Ni, Fe, Zr 및 Ti의 군으로부터 선택되는 적어도 1종(X)과 Co와의 합계 질량의 Si에 대한 질량비 ((Co+X)/Si비)가 3.5 이상 4.0 이하의 범위가 되도록, Si의 양은 결정되지만, Si는 0.2∼0.7질량%으로 하는 것이 바람직하다.In the second copper alloy material for electrical and electronic parts of the present invention, the mass ratio of Si to at least one (X) selected from the group of Cr, Ni, Fe, Zr, and Ti and Co to the total mass ((Co + Although the amount of Si is determined so that X) / Si ratio) may be 3.5 or more and 4.0 or less, it is preferable to make Si 0.2 to 0.7 mass%.
본 발명의 제 1 및 제 2의 동합금재에 있어서는, 불가피한 불순물로서 H, O, S 등의 원소 5ppm질량% 미만이라면, 본 발명의 취지를 손상시키는 일 없이, 전기·전자부품용 동합금재를 얻을 수 있다.In the first and second copper alloy materials of the present invention, if it is less than 5 ppm by mass of elements such as H, O, and S as unavoidable impurities, a copper alloy material for electric and electronic parts can be obtained without impairing the gist of the present invention. Can be.
본 발명의 동합금재에서는, 결정입자지름을 3∼15㎛로 하는 것이 중요하다. 본 발명에 있어서는, 결정입자지름은 JIS H0501(절단법)에 의해 측정된 값을 말하는 것으로 한다. 결정입자지름을 3∼15㎛의 범위내로 하는 것에 의해, 내굽힘가공성이 우수한 전기·전자부품용 동합금재를 얻을 수 있다. 결정입자지름이 3㎛ 미만의 경우에는, 가공 조직의 잔존이 확인되어, 내굽힘가공성에 대해 악영향을 준다. 또한 입자지름이 15㎛보다 거칠고 커지면, 결정 입계에서의 굽힘이나 균열이 현저하게 되는 결과, 내굽힘가공성이 저하한다. 결정입자지름은 바람직하게는, 4∼10㎛이다. 결정입자지름을 3∼15㎛로 하기 위해서는, Co, Si 등의 원소의 배합량을 특정의 범위내로 하는, 최종적인 재결정 열처리에 이르기까지의 각 공정에서의 열처리 조건과 압연 조건의 범위를 특정의 범위내로 하거나, 또는 재결정 열처리의 열이력 관리 조건(승온(昇溫)의 속도, 유지온도와 그 시간)을 특정의 범위내로 하는 것 등에 의해 실현할 수 있다. In the copper alloy material of the present invention, it is important to set the crystal grain diameter to 3 to 15 µm. In the present invention, the grain size refers to a value measured by JIS H0501 (cutting method). By carrying out the crystal grain diameter in the range of 3-15 micrometers, the copper alloy material for electrical and electronic components excellent in bending workability can be obtained. When the crystal grain size is less than 3 µm, the remaining of the processed structure is confirmed, which adversely affects the bending resistance. If the particle diameter is larger than 15 µm, the bending and cracks at the grain boundaries become remarkable, resulting in a decrease in bending workability. The crystal grain diameter is preferably 4 to 10 mu m. In order to set the crystal grain diameter to 3 to 15 µm, the range of heat treatment conditions and rolling conditions in each step up to the final recrystallization heat treatment in which the compounding amount of elements such as Co and Si is within a specific range is specified. Or the thermal history management conditions (speed of temperature rise, holding temperature and time) of recrystallization heat treatment can be realized within a specific range.
Co의 첨가량과 재결정 처리를 행하는 온도와의 관계에서는, 바람직한 범위가 있다. 예를 들면, Co의 첨가량이 0.7∼1.0질량%의 경우에는 재결정 처리를 행하는 온도는 850∼900℃의 범위가 바람직하고, Co의 첨가량이 1.0∼2.5질량%의 경우에는 재결정 처리를 행하는 온도는 900∼1025℃의 범위가 바람직하다. 상한의 온도는 보다 바람직하게는, 1000℃이다. 이 온도 범위내에서 재결정 처리를 행하는 것에 의해, 재결정 처리를 확실히 실시할 수 있고, 또한 합금재의 변형을 막을 수 있다.There is a preferable range in the relationship between the amount of Co added and the temperature at which the recrystallization is performed. For example, when the amount of Co added is 0.7 to 1.0% by mass, the temperature for recrystallization is preferably in the range of 850 to 900 ° C. When the amount of Co added is 1.0 to 2.5% by mass, the temperature for recrystallized is The range of 900-1025 degreeC is preferable. The upper limit temperature is more preferably 1000 ° C. By performing the recrystallization process within this temperature range, the recrystallization process can be surely performed and the deformation of the alloy material can be prevented.
다음에, 본 발명의 동합금재의 바람직한 제조방법은, 예를 들면 이하의 형태이다. 본 발명의 동합금재의 주된 제조방법의 개략은, 용해→주조→열간 압연→면삭→냉간 압연→용체화 재결정 열처리→급속 냉각→시효 열처리→최종 냉간 압연→저온소둔이다. 시효 열처리와 최종 냉간 압연은 반대의 순서라도 좋다. 또한, 최종의 저온소둔은 생략해도 좋다.Next, the preferable manufacturing method of the copper alloy material of this invention is the following forms, for example. The outline of the main production method of the copper alloy material of the present invention is melting → casting → hot rolling → sculpting → cold rolling → solvent recrystallization heat treatment → quick cooling → aging heat treatment → final cold rolling → low temperature annealing. Aging heat treatment and final cold rolling may be in reverse order. The final low temperature annealing may be omitted.
<용해 주조><Melting casting>
동합금의 원료가 되는 Cu, Co, Si 등을 용해하고, 주형에 흘려 넣어 10∼30K/초(K는 절대온도를 나타내는 켈빈(kelvin)'이다. 이하 같다)의 냉각속도로 냉각하면서 주조하여, 동합금 주괴를 얻는다. 여기에서는 폭 160mm, 두께 30mm, 길이 180mm의 경우로 설명한다.Cu, Co, Si, etc., which are the raw materials of the copper alloy, are dissolved, poured into a mold, and cast while cooling at a cooling rate of 10 to 30 K / sec (K is Kelvin 'indicating absolute temperature. Obtain a copper alloy ingot. Here, description will be given for the case of width 160mm, thickness 30mm, and length 180mm.
<열간 압연·면삭·냉간 압연><Hot rolling, faceting, cold rolling>
그 후, 이 주괴를 온도 900∼1000°로 30∼60분간 유지하고, 그 후 열간 압연에 의해서 두께 8∼15mm가 될 때까지 가공 후(압하율 50∼73%), 신속하게 물냉각(급속 냉각)으로 담금질을 실시하여, 표면상의 산화피막 제거를 위해, 압연된 표면을 한쪽 1mm 전후 면삭한 후, 냉간 압연으로 두께 약 0.1∼0.3mm가 되도록 가공한다. 압하율은 95% 이상(바람직하게는 99.5% 이하)이 된다.After that, the ingot is held at a temperature of 900 to 1000 ° for 30 to 60 minutes, and then hot-rolled rapidly (after 50% to 73% reduction) after processing until the thickness is 8 to 15 mm by hot rolling. Quenching) to remove the oxide film on the surface, and then roll the rolled surface around 1 mm around one side, and then cold roll to make it about 0.1 to 0.3 mm thick. The reduction ratio is 95% or more (preferably 99.5% or less).
<재결정 열처리><Recrystallization Heat Treatment>
이 후, 용체화, 재결정시키는 목적으로, 온도 800∼1025℃로 유지된 솔트 배스(염욕로)내에서 일정시간(여기에서는 30초간) 재결정 열처리를 행하여, 물냉각으로 담금질을 행한다. 재결정 열처리시, 승온속도는 샘플을 판두께가 다른 스테인리스 판에 끼우는 것으로 조정하여 열처리를 행한다. 이 때의 바람직한 승온속도는, 온도 300℃ 이상에서는 10∼300K/초이다. 또한, 바람직한 냉각속도는, 30∼200K/초이다.Thereafter, for the purpose of solutionization and recrystallization, a recrystallization heat treatment is performed for a predetermined time (here for 30 seconds) in a salt bath (salt bath) maintained at a temperature of 800 to 1025 ° C, and quenching is performed by water cooling. In recrystallization heat treatment, the temperature increase rate is adjusted by sandwiching the sample on a stainless steel plate having a different plate thickness. Preferable temperature increase rate at this time is 10-300 K / sec in temperature 300 degreeC or more. In addition, a preferable cooling rate is 30-200 K / sec.
<시효 열처리><Aging heat treatment>
다음에, 시효 석출시키는 목적으로, 온도 400∼600℃로 30∼300분간의 시효 열처리를 실시한다. 그 때의 실온으로부터 최고 온도에 도달할 때까지의 승온속도는 3∼25K/분의 범위내에 있고, 강온시에는, 석출에 영향을 준다고 생각되는 온도대보다 충분히 낮은 온도인 300℃까지는 노(爐)내에서 1∼2K/분의 범위내에서 냉각을 행한다.Next, the aging heat treatment for 30 to 300 minutes is performed at the temperature of 400-600 degreeC for the purpose of making aging precipitate. The temperature increase rate from the room temperature to the maximum temperature at that time is in the range of 3-25 K / min, and at the time of temperature dropping to 300 degreeC which is sufficiently lower than the temperature range considered to affect precipitation. Cooling is performed within the range of 1 to 2 K / min.
<마무리 압연><Finish rolling>
시효 열처리가 종료한 동합금재료에, 20%의 가공율로 냉간 압연을 더 실시하여 마무리 압연재를 얻는다. 한편, 마무리 압연은 실시하지 하지 않아도 좋다.The copper alloy material after the aging heat treatment is finished is further cold rolled at a processing rate of 20% to obtain a finished rolled material. In addition, finish rolling does not need to be performed.
<변형제거 소둔>Deformation annealing
시효 열처리 종료후(마무리 압연한 것은 마무리 압연 종료후)에, 필요에 따라서 변형제거 소둔을 실시한다.After completion of the aging heat treatment (finish rolling finished after finishing rolling), deformation removal annealing is performed as necessary.
굽힘가공성에 관해서는, 항복 응력(YS)의 값으로 600MPa 이상, 도전율이 60%IACS 이상인 조건하에서, 90°굽힘시험에서 직각 굽힘(R/t=0)으로 평가할 수 있다. 여기서, R/t는, 일본신동(伸銅)협회 기술표준 '구리 및 동합금 박판조의 굽힘가공성 평가방법(JBMA T307)'에 준거한 굽힘각도 90°의 W 굽힘시험을 행한 결과를 의미한다. 압연 수직방향으로 잘라낸 판재를 소정의 굽힘 반지름(R)의 조건하에서 굽힘시험을 행하여, 그 정점에 크랙(균열)이 생기지 않는 한계의 R을 구하여, 그 때의 판두께(t)로 규격화하는 것에 의해서, R/t를 구할 수 있다. 일반적으로 R/t가 작을수록, 내굽힘가공성이 우수하다.The bending workability can be evaluated as a right angle bend (R / t = 0) in a 90 ° bending test under conditions of 600 MPa or more and 60% IACS or more in terms of yield stress (YS). Here, R / t means the result of performing the W bending test of 90 degrees of bending angles based on the technical standard "Bending processability evaluation method of copper and copper alloy sheet steel (JBMA T307)". The sheet material cut in the rolling vertical direction is subjected to a bending test under the condition of a predetermined bending radius R to obtain a limit R at which no crack (cracking) occurs at its apex, and to normalize it to the sheet thickness t at that time. By this, R / t can be obtained. In general, the smaller the R / t, the better the bending resistance.
본 발명의 동합금재는, 도전성과 인장강도가 우수한 동시에, 엄격한 조건에서의 굽힘가공시험에 합격할 수 있다.The copper alloy material of this invention is excellent in electroconductivity and tensile strength, and can pass the bending test on strict conditions.
실시예Example
다음에, 본 발명을 실시예에 기초하여 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그것들에 한정되는 것은 아니다.Next, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited to them.
(발명예 No.1∼13 및 비교예 No.14∼40)(Invention Examples No. 1 to 13 and Comparative Examples No. 14 to 40)
표 1에 나타낸 성분을 함유하여, 잔부 B가 Cu와 불가피한 불순물로 이루어지는 합금을 고주파 용해로에 의해 용해하여, 이것을 10∼30K/초의 냉각속도로 주조하여 폭 160mm, 두께 30mm, 길이 180mm의 주괴를 얻었다. 한편, 냉각속도는 주괴에 균열 등이 발생하지 않는 조건으로 하였다. Containing the components shown in Table 1, the balance B was dissolved in the alloy consisting of Cu and unavoidable impurities by a high frequency melting furnace, and cast this at a cooling rate of 10 to 30 K / sec to obtain a 160 mm wide, 30 mm thick, 180 mm long ingot . In addition, cooling rate was made into the conditions which a crack does not generate | occur | produce in an ingot.
얻어진 주괴를 온도 1000℃에서 30분간 유지하여, 열간 압연을 행하여 판두께 t=12mm의 열연판을 제작하였다. 그 양면을 각 1mm 면삭하여 판두께 t=10mm로 하고, 이어서 냉간 압연에 의해 판두께 t=0.25mm로 마무리하였다. 그 후 870∼1000℃의 온도로 재결정 열처리를 행하였다.The obtained ingot was hold | maintained at the temperature of 1000 degreeC for 30 minutes, and hot rolling was produced, and the hot rolled sheet of plate | board thickness t = 12mm was produced. Both surfaces were face-faced by 1 mm, and plate | board thickness t = 10 mm, and it was then finished by cold rolling to plate thickness t = 0.25 mm. Then, recrystallization heat treatment was performed at the temperature of 870-1000 degreeC.
재결정 열처리는, Co의 첨가량을 많게 함에 따라, 온도를 올려서 행하였다.Recrystallization heat treatment was performed by raising the temperature as the amount of Co added was increased.
구체적으로는, Co의 첨가량이 0.9질량%일 때에 870℃, Co의 첨가량이 1.2질량%일 때에 915℃, Co의 첨가량이 1.4질량%일 때에 940℃, Co의 첨가량이 1.65질량%일 때에 965℃, Co의 첨가량이 1.9질량%일 때에 980℃, Co의 첨가량이 2.4질량%일 때에 1000℃로 하였다. 한편, Co와 Si 이외의 첨가물이 포함되는 경우(합금 No.4, 7∼11)도, 재결정 열처리의 온도는 Co와 Si 이외의 첨가물이 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 하였다. 게다가, 비교예 No.37∼40에 관해서는, 결정입자지름을 변화시키기 위해, 재결정 열처리 온도를 각각 940℃, 1050℃, 775℃, 790℃로 하였다.Specifically, when the amount of Co added is 0.9% by mass 870 ° C, when the amount of Co added is 1.2% by mass 915 ° C, when the amount of added Co is 1.4% by mass 940 ° C and when the amount of added Co is 1.65% by mass 965 When the addition amount of C and Co was 1.9 mass%, it was 1000 degreeC when 980 degreeC and the addition amount of Co were 2.4 mass%. On the other hand, also in the case where additives other than Co and Si are included (alloy Nos. 4 and 7 to 11), the temperature of recrystallization heat treatment was the same as in the case where additives other than Co and Si were not included. In addition, in Comparative Examples No. 37 to 40, the recrystallization heat treatment temperatures were set to 940 ° C, 1050 ° C, 775 ° C, and 790 ° C, respectively, in order to change the crystal grain diameter.
그리고, 재결정 열처리 후의 재료에 대해서 다음의 공정을 실시하여, 최종 제품에 상당하는 공시재(供試材)를 제작하였다. 공시재의 판두께를 t=0.2mm로 하였다.And the following process was performed about the material after recrystallization heat processing, and the test material corresponding to the final product was produced. The plate thickness of the test material was t = 0.2 mm.
공정 : 재결정 열처리-시효 열처리(온도 525℃에서 2시간)-냉간 가공(20%)Process: recrystallization heat treatment-aging heat treatment (2 hours at 525 ° C)-cold working (20%)
이 공시재에 대해 하기의 항목의 측정을 행하였다. 동합금의 조성표와 결정입자지름을 표 1에, 동합금재의 인장강도 및 굽힘특성의 평가 결과를 표 2에 나타낸다. The following items were measured about this test material. Table 1 shows the composition table and grain size of the copper alloy, and Table 2 shows the evaluation results of the tensile strength and bending characteristics of the copper alloy material.
a. 결정입자지름 :a. Grain Size:
시험편의 압연 방향으로 수직인 단면을 습식 연마, 버프 연마에 의해 경면으로 마무리 후, 크롬산:물=1:1의 액체로 수초간 연마면을 부식한 후, 광학 현미경으로 200∼400배의 배율이나, 주사형 전자현미경(SEM)의 2차 전자상을 이용하여 500∼2000배의 배율로 사진을 찍어, 단면 입자지름을 JIS H0501의 절단법에 준하여 결정입자지름을 측정하였다. 그리고, 그 측정 모수(母數)를 200으로 하여 산술 평균을 구하여, 이 값을 결정입자지름의 산술 평균의 값으로 하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.After finishing the cross section perpendicular to the rolling direction of the test piece in the mirror surface by wet polishing and buff polishing, the polishing surface was corroded for several seconds with a liquid of chromic acid: water = 1: 1, and then the optical magnification of 200 to 400 times Using a secondary electron image of a scanning electron microscope (SEM), photographs were taken at a magnification of 500 to 2000 times, and the grain size was measured according to the cutting method of JIS H0501. And the arithmetic mean was calculated | required as the measurement parameter 200, and this value was made into the value of the arithmetic mean of crystal grain diameter. The results are shown in Table 1.
b. 항복 응력(YS)b. Yield Stress (YS)
공시재의 압연 방향으로 평행하게 잘라낸 JIS Z2201-5호의 시험편을 JIS Z2241에 준하여 2개 측정하여, 그 평균치를 구하였다. 오프셋법에 의해, 영구 신장 0.2%의 경우의 내력(耐力)을, 항복 응력으로 하여, 식(1)로부터 산출하였다. 그 결과를 표 2에 나타냈다.Two test pieces of JIS Z2201-5 cut out in parallel in the rolling direction of the test material were measured in accordance with JIS Z2241, and the average value thereof was obtained. By the offset method, the yield strength in the case of 0.2% of permanent elongation was computed from Formula (1) as yield stress. The results are shown in Table 2.
σ0.2 = F0.2/A0 식(1)σ0.2 = F0.2/ A0 Formula (1)
여기서,here,
σ : 오프셋법으로 산출한 내력(N/㎟), σ: strength (N / mm 2) calculated by the offset method,
F : 신장계를 이용하여 힘과 신장된 양과의 관계선도를 구하여, 규정된 영구 신장(ε%)에 상당하는 신장축상의 점으로부터 시험 초기의 직선 부분에 평행선을 그어, 이것이 선도와 교차하는 점이 나타내는 힘F: A relationship diagram between the force and the amount of elongation is obtained using an extensometer, and a parallel line is drawn from the point on the elongation axis corresponding to the specified permanent elongation (ε%) to a straight line at the beginning of the test, and the point indicated by the point crossing the diagram power
c. 도전율 :c. Conductivity:
사단자법(四端子法)을 이용하여, 20℃(±1℃)로 관리된 항온조중에서, 각 시험편의 2개에 대해 도전율을 측정하여, 그 평균치(%IACS)를 표 2에 나타냈다. 이 때 단자간 거리는 100mm로 하였다.In the thermostat managed by 20 degreeC (+/- 1 degreeC) using the four-terminal method, electrical conductivity was measured about two of each test piece, and the average value (% IACS) is shown in Table 2. At this time, the distance between terminals was 100 mm.
d. 굽힘가공성 A :d. Bendability A:
(1) W 굽힘(1) W bending
JIS Z2248에 준하여 공시재로부터 판두께 t=0.20(mm), 판폭 w=10(mm), 길이 l=35(mm)의 시험편을 잘라내어, 금속 연마 가루로 시험편의 표면상을 가볍게 연마하여, 산화막을 제거한 후, 굽힘의 내측 반지름이 R=0(mm)이 되는 90°굽힘을, 압연 방향으로 평행한 굽힘(Good-way 굽힘: 이하 GW 굽힘), 압연 방향으로 수직인 굽힘(Bad-way 굽힘: 이하 BW 굽힘)의 2방향에서 행하였다. 이 때의 R/t의 값은 0이다.According to JIS Z2248, a specimen having a thickness of t = 0.20 (mm), a sheet width of w = 10 (mm) and a length of l = 35 (mm) was cut from the specimen, and lightly polished on the surface of the specimen with metal abrasive powder, and an oxide film After removing, the 90 ° bend in which the inner radius of the bend is R = 0 (mm), the bend parallel to the rolling direction (Good-way bend: GW bend), the bend perpendicular to the rolling direction (Bad-way bend) : BW bending below). The value of R / t at this time is zero.
(2) 180° 굽힘(2) 180 ° bend
W 굽힘과 같이, JIS Z2248에 준하여 규정된 내측 반지름(여기에서는 R=0.1mm)의 2배의 끼움을 하여, 시험편 양단을 서로 밀어 180° 굽힘을 행하여, 90°W 굽힘과 같은 평가를 행하였다. 이 때의 R/t의 값은, R=0.1(mm), t=0.2(mm)인 것으로부터, R/t=(0.1/0.2)=0.5이다.Like W-bending, the inside radius (here R = 0.1mm) prescribed | regulated according to JIS Z2248 was doubled, the both ends of the test piece were mutually pushed, 180 degree bending, and evaluation similar to 90 degree W bending was performed. . The value of R / t at this time is R / t = (0.1 / 0.2) = 0.5 since R = 0.1 (mm) and t = 0.2 (mm).
(3) 굽힘부에서의 균열의 유무의 평가(3) Evaluation of the presence or absence of cracks in the bent portion
50배의 광학 현미경으로 육안 관찰 및 주사형 전자현미경(SEM)에 의해 그 굽힘가공 부위를 관찰하여 균열의 유무를 조사하였다. 90°W 굽힘, 180° 굽힘의 양쪽에 대해서, GW 굽힘, BW 굽힘의 적어도 한쪽의 시험 표면에 크랙 균열이 없으면 ○, 양쪽에 균열이 있으면 ×라고 평가하였다. 또한, 90°W 굽힘 또는 180° 굽힘의 어느 한쪽에서, GW 굽힘, BW 굽힘의 양쪽에 균열이 있던 것은, 전체의 평가를 ×로 하였다. 그 결과를 표 1, 2에 나타냈다.The bending part was observed by visual observation with a 50 times optical microscope and scanning electron microscope (SEM), and the presence or absence of a crack was examined. About both 90 degree bending and 180 degree bending, if there was no crack crack in the at least one test surface of GW bending and BW bending, it evaluated as (circle) and if there was a crack in both sides. In addition, in either of 90 degree bending or 180 degree bending, there existed a crack in both GW bending and BW bending, and the whole evaluation made x. The results are shown in Tables 1 and 2.
e. 굽힘가공성 Be. Bendability B
폭 10mm의 단책(短冊)형 시료를 이용하여, JIS Z2248 규정의 W 굽힘시험에 준거하여 실시하였다. 굽힘방향은 Good Way 및 Bad Way로 하고, 굽힘반지름 R/판두께 t=1.0으로 하였다. 굽힘 후의 시험편에 대해, 굽힘부의 표면 및 단면으로부터, 균열의 유무를 광학 현미경으로 관찰하여, Good Way 및 Bad Way 모두 균열이 발생하지 않았던 경우를 ○, Good Way 및 Bad Way의 양쪽 또는 한쪽에서 균열이 발생한 경우를 ×라고 평가하였다. 그 결과를 표 2에 나타냈다.It carried out based on the W bending test of the JIS Z2248 standard using the single-bed sample of width 10mm. The bending direction was Good Way and Bad Way, and bending radius R / plate thickness t = 1.0. With respect to the test piece after bending, the presence or absence of a crack was observed from the surface and the cross section of the bent portion with an optical microscope, and cracks were detected in both or one of the Good Way and the Bad Way when no crack occurred in the Good Way and the Bad Way. The occurrence was evaluated as x. The results are shown in Table 2.
[표 1]TABLE 1
[표 2]TABLE 2
표 1, 표 2에 기재된 바와 같이, 본 발명예는, 모두 도전율이 60%IACS 이상의 높은 도전성을 나타내고, 항복 응력(YS)이 600MPa 이상이 되었다. 또한 90° 굽힘에서 R/t의 값이 0, 180° 굽힘에서 R/t의 값이 0.5 이하로, 엄격한 굽힘시험 조건에서도 우수한 결과를 나타냈다. 이것에 대해 비교예에서는, 도전율이 60%IACS 미만이 되거나, 항복 응력(YS)이 600MPa 미만이 되거나, 90° 굽힘에서 R/t의 값이 0을 만족하지 않거나, 180° 굽힘에서 R/t의 값이 0.5 이하를 만족하지 않거나의 1개 이상에 해당하였다. 한편, 합금번호 15∼18과 같이, 도전율이 60%IACS 이상의 높은 도전성을 나타내고, 또한 항복 응력(YS)이 600MPa 이상이 되는 경우가 있으나, R/t=1.0의 W 굽힘시험에서는 합격하지만, R/t의 값이 0, 또는 180° 굽힘에서 R/t의 값이 0.5로 불합격이 되었다.As shown in Table 1 and Table 2, all of the examples of this invention showed high electroconductivity with 60% IACS or more of electrical conductivity, and yield stress (YS) became 600 MPa or more. In addition, the R / t value was 0 at 90 ° bending and the R / t value was 0.5 or less at 180 ° bending, showing excellent results even under severe bending test conditions. On the other hand, in the comparative example, the conductivity is less than 60% IACS, the yield stress (YS) is less than 600 MPa, the value of R / t at 90 ° bending does not satisfy 0, or R / t at 180 ° bending. The value of did not satisfy 0.5 or less or corresponded to one or more of. On the other hand, as shown in Alloy Nos. 15 to 18, the electrical conductivity exhibits high conductivity of 60% IACS or more, and the yield stress (YS) may be 600 MPa or more. However, although the W bending test of R / t = 1.0 passes, When the value of / t was 0 or the 180 ° bend, the value of R / t failed at 0.5.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하려고 하는 것이 아니고, 첨부된 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.Although the present invention has been described together with the embodiments thereof, we do not intend to limit our invention in any detail of the description unless specifically indicated, and are not intended to contradict the spirit and scope of the invention as set forth in the appended claims. It is natural to be interpreted.
본원은, 2008년 8월 5일에 일본에서 특허 출원된 특원 2008-202469에 기초하는 우선권을 주장하는 것으로, 이것은 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재된 일부로서 편입한다. This application claims the priority based on Japanese Patent Application No. 2008-202469 for which it applied in Japan on August 5, 2008, This incorporates the content as a part of description of this specification with reference to here.
Claims (2)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008202469 | 2008-08-05 | ||
| JPJP-P-2008-202469 | 2008-08-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110039372A true KR20110039372A (en) | 2011-04-15 |
Family
ID=41663648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117004941A KR20110039372A (en) | 2008-08-05 | 2009-07-30 | Copper alloy material for electrical/electronic component |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110200480A1 (en) |
| EP (1) | EP2333127A4 (en) |
| JP (1) | JPWO2010016428A1 (en) |
| KR (1) | KR20110039372A (en) |
| CN (1) | CN102112641B (en) |
| WO (1) | WO2010016428A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102005332B1 (en) * | 2019-04-09 | 2019-10-01 | 주식회사 풍산 | Method for manufacturing Cu-Co-Si-Fe-P alloy having Excellent Bending Formability |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4830035B2 (en) | 2010-04-14 | 2011-12-07 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Cu-Si-Co alloy for electronic materials and method for producing the same |
| JP4672804B1 (en) | 2010-05-31 | 2011-04-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Cu-Co-Si based copper alloy for electronic materials and method for producing the same |
| JP4708497B1 (en) * | 2010-06-03 | 2011-06-22 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Cu-Co-Si alloy plate and method for producing the same |
| JP4834781B1 (en) | 2010-08-24 | 2011-12-14 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Cu-Co-Si alloy for electronic materials |
| JP5508326B2 (en) * | 2011-03-24 | 2014-05-28 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Co-Si copper alloy sheet |
| JP4831552B1 (en) * | 2011-03-28 | 2011-12-07 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Co-Si copper alloy sheet |
| JP6205105B2 (en) * | 2011-04-18 | 2017-09-27 | Ｊｘ金属株式会社 | Cu-Ni-Si based alloy for electronic material, Cu-Co-Si based alloy and method for producing the same |
| JP5802150B2 (en) * | 2012-02-24 | 2015-10-28 | 株式会社神戸製鋼所 | Copper alloy |
| US10002684B2 (en) * | 2012-07-26 | 2018-06-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Copper alloy and method for manufacturing the same |
| CN110205570B (en) * | 2019-04-15 | 2021-01-01 | 丰山(连云港)新材料有限公司 | Heat treatment method of copper alloy for electric and electronic parts |
| CN110415895A (en) * | 2019-08-16 | 2019-11-05 | 仙桃科利科技发展有限公司 | A kind of manufacture craft of the anti-aging data line of high transmission rates |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307232A (en) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Copper alloy |
| JPH02277735A (en) * | 1989-04-20 | 1990-11-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Copper alloy for lead frame |
| JP3408021B2 (en) * | 1995-06-30 | 2003-05-19 | 古河電気工業株式会社 | Copper alloy for electronic and electric parts and method for producing the same |
| JP3510469B2 (en) * | 1998-01-30 | 2004-03-29 | 古河電気工業株式会社 | Copper alloy for conductive spring and method for producing the same |
| JP3739214B2 (en) * | 1998-03-26 | 2006-01-25 | 株式会社神戸製鋼所 | Copper alloy sheet for electronic parts |
| JP2000087158A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Copper alloy for semiconductor lead frame |
| JP3754011B2 (en) * | 2002-09-04 | 2006-03-08 | デプト株式会社 | Metal material for electronic component, electronic component, electronic device, method for processing metal material, method for manufacturing electronic component, and electro-optical component |
| EP1873267B1 (en) * | 2005-03-24 | 2014-07-02 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy for electronic material |
| JP4068626B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-03-26 | 日鉱金属株式会社 | Cu-Ni-Si-Co-Cr-based copper alloy for electronic materials and method for producing the same |
| JP2007169764A (en) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Copper alloy |
| JP5355865B2 (en) * | 2006-06-01 | 2013-11-27 | 古河電気工業株式会社 | Copper alloy wire manufacturing method and copper alloy wire |
| JP4943095B2 (en) * | 2006-08-30 | 2012-05-30 | 三菱電機株式会社 | Copper alloy and manufacturing method thereof |
| JP5085908B2 (en) * | 2006-10-03 | 2012-11-28 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Copper alloy for electronic materials and manufacturing method thereof |
-
2009
- 2009-07-30 EP EP09804912A patent/EP2333127A4/en not_active Withdrawn
- 2009-07-30 KR KR1020117004941A patent/KR20110039372A/en not_active Application Discontinuation
- 2009-07-30 WO PCT/JP2009/063614 patent/WO2010016428A1/en active Application Filing
- 2009-07-30 JP JP2010523839A patent/JPWO2010016428A1/en active Pending
- 2009-07-30 CN CN200980130454.8A patent/CN102112641B/en active Active
-
2011
- 2011-02-04 US US13/021,444 patent/US20110200480A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102005332B1 (en) * | 2019-04-09 | 2019-10-01 | 주식회사 풍산 | Method for manufacturing Cu-Co-Si-Fe-P alloy having Excellent Bending Formability |
| WO2020209485A1 (en) * | 2019-04-09 | 2020-10-15 | 주식회사 풍산 | Cu-co-si-fe-p-based copper alloy having excellent bending workability and method for preparing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102112641A (en) | 2011-06-29 |
| EP2333127A4 (en) | 2012-07-04 |
| EP2333127A1 (en) | 2011-06-15 |
| JPWO2010016428A1 (en) | 2012-01-19 |
| CN102112641B (en) | 2013-03-27 |
| WO2010016428A1 (en) | 2010-02-11 |
| US20110200480A1 (en) | 2011-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5158909B2 (en) | Copper alloy sheet and manufacturing method thereof | |
| KR20110039372A (en) | Copper alloy material for electrical/electronic component | |
| JP5170881B2 (en) | Copper alloy material for electrical and electronic equipment and method for producing the same | |
| JP4934759B2 (en) | Copper alloy sheet, connector using the same, and method for producing copper alloy sheet | |
| JP5933817B2 (en) | Copper alloy and copper alloy plate | |
| JP5476149B2 (en) | Copper alloy with low strength anisotropy and excellent bending workability | |
| JP4948678B2 (en) | Copper alloy sheet, connector using the same, and copper alloy sheet manufacturing method for manufacturing the same | |
| JP5466879B2 (en) | Copper alloy sheet and manufacturing method thereof | |
| WO2013018228A1 (en) | Copper alloy | |
| JP5153949B1 (en) | Cu-Zn-Sn-Ni-P alloy | |
| JP5619389B2 (en) | Copper alloy material | |
| CN107208191B (en) | Copper alloy material and method for producing same | |
| KR20160029033A (en) | Copper alloy for electronic and electrical equipment, copper alloy thin sheet for electronic and electrical equipment, and conductive component for electronic and electrical equipment, terminal | |
| KR20190077011A (en) | Copper alloy sheet and manufacturing method thereof | |
| TWI763982B (en) | Copper alloy plate and method for producing same | |
| JPWO2015099098A1 (en) | Copper alloy sheet, connector, and method for producing copper alloy sheet | |
| US20150357073A1 (en) | Copper alloy for electric and electronic device, copper alloy sheet for electric and electronic device, method of producing copper alloy for electric and electronic device, conductive component for electric and electronic device, and terminal | |
| JP6858532B2 (en) | Copper alloy plate material and its manufacturing method | |
| TW201819644A (en) | Copper alloy plate and method for producing same | |
| JP7092524B2 (en) | Copper alloy plate material and its manufacturing method | |
| WO2020213224A1 (en) | Copper alloy sheet material and method for manufacturing same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2015101005730; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150930 Effective date: 20171030 |