KR20110029753A - Method of fabricating for dual panel type organic electro-luminescent device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing an organic electro-luminescent device is provided to form a metal seal pattern on a substrate using a point dotting dispenser method, thereby forming a metal seal pattern with desired line width and height. CONSTITUTION: The first substrate(101) and the second substrate(102) face each other. A hygroscopic agent(117) removes moisture inserted into the second substrate. A metal seal pattern(120) is formed between the first and second metal patterns. The metal seal pattern is formed by a point dotting dispenser method. The metal seal pattern is formed by mixing a viscosity solution with metal molecules.

Description

유기전계발광소자의 제조방법{Method of fabricating for dual panel type organic electro-luminescent device}Method of manufacturing organic electroluminescent device {Method of fabricating for dual panel type organic electro-luminescent device}

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히, 유기전계발광소자의 인캡슐레이션에 관한 것이다. The present invention relates to organic electroluminescent devices, and more particularly, to encapsulation of organic electroluminescent devices.

최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자(organic electro-luminescence device : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.Until recently, cathode ray tubes (CRT) have been mainly used as display devices. However, in recent years, flat panel such as plasma display panel (PDP), liquid crystal display device (LCD), organic electro-luminescence device (OLED), which can replace CRT Display devices are widely researched and used.

위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. Among the flat panel display devices as described above, the organic light emitting display device (hereinafter referred to as OLED) is a self-light emitting device, and since the backlight used in the liquid crystal display device which is a non-light emitting device is not necessary, a light weight can be achieved.

그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면 에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다. In addition, it has better viewing angle and contrast ratio than liquid crystal display, and is advantageous in terms of power consumption. It is also possible to drive DC low voltage, has fast response speed, and is strong against external shock because its internal components are solid. It has advantages

특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다. In particular, since the manufacturing process is simple, there is an advantage that can reduce the production cost more than the conventional liquid crystal display device.

이러한 특성을 갖는 OLED는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 반면, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 화소 별로 위치하도록 한다. OLEDs having these characteristics are largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. The passive matrix type constitutes a device in a matrix form while crossing a signal line, whereas an active matrix type is a pixel. A thin film transistor, which is a switching element that turns on / off, is positioned for each pixel.

최근, 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 OLED의 연구가 활발히 진행되고 있다. In recent years, the passive matrix type has many limited elements such as resolution, power consumption, and lifespan. Accordingly, active matrix type OLEDs capable of realizing high resolution and large screens have been actively studied.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing a cross section of a general active matrix type OLED.

도시한 바와 같이, OLED(10)는 제 1 기판(1)과, 제 1 기판(1)과 마주하는 제 2 기판(2)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(1, 2)은 서로 이격되어 이의 가장자리부를 실패턴(seal pattern : 20)을 통해 봉지되어 합착된다. As shown, the OLED 10 is composed of a first substrate 1 and a second substrate 2 facing the first substrate 1, and the first and second substrates 1, 2 are connected to each other. The edges thereof are spaced apart and sealed through a failure pattern 20.

이를 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(1)의 상부에는 각 화소영역 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연 결되는 제 1 전극(3)과 제 1 전극(3)의 상부에 특정한 색의 빛을 발광하는 유기발광층(5)과, 유기발광층(5)의 상부에는 제 2 전극(7)이 구성된다. In detail, the driving thin film transistor DTr is formed in each pixel area on the first substrate 1, and the first electrode 3 and the first electrode 3 connected to each driving thin film transistor DTr are formed. The organic light emitting layer 5 which emits light of a specific color on the electrode 3 and the second electrode 7 are formed on the organic light emitting layer 5.

유기발광층(5)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질(5a, 5b, 5c)을 패턴하여 사용한다.The organic light emitting layer 5 expresses colors of red, green, and blue. In general, separate organic materials 5a, 5b, and 5c emitting red, green, and blue colors are used for each pixel.

이들 제 1 및 제 2 전극(3, 7)과 그 사이에 형성된 유기발광층(5)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다. 이때, 이러한 구조를 갖는 OLED(10)는 제 1 전극(3)을 양극(anode)으로 제 2 전극(7)을 음극(cathode)으로 구성하게 된다. The first and second electrodes 3 and 7 and the organic light emitting layer 5 formed therebetween form an organic light emitting diode. In this case, the OLED 10 having such a structure configures the first electrode 3 as an anode and the second electrode 7 as a cathode.

한편, 제 2 기판(2)의 내부면에는 외부의 수분을 차단하는 흡습제(미도시)가 형성된다. On the other hand, a moisture absorbent (not shown) is formed on the inner surface of the second substrate 2 to block external moisture.

한편, OLED(10)의 실패턴(20)은 통상적으로 유기 또는 고분자 재질로 이루어진 실란트로 이루어지고 있으며, 이러한 실란트는 그 내부 분자구조 특성상 분자와 분자 사이의 공극이 물분자가 충분히 이동할 수 있을 정도의 크기가 되고 있다. On the other hand, the failure turn 20 of the OLED 10 is usually made of a sealant made of an organic or polymer material, the sealant is such that the pore between the molecule and the molecule enough to move the water molecules due to its internal molecular structure characteristics It becomes the size.

따라서 시간이 지남에 따라 외부의 수분이나 가스(gas)와 같은 오염원 씰패턴(20)을 투과하여 OLED(10) 내부로 침투하게 되고, 이렇게 침투한 오염원들이 밀폐된 OLED(10) 내부에 존재할 경우 수분과 산소에 매우 민감한 유기전계발광 다이오드(E)의 특성을 변형시키게 된다.Therefore, as time passes, it penetrates into the OLED 10 through the pollutant seal pattern 20 such as external moisture or gas, and the penetrated sources exist inside the sealed OLED 10. The organic electroluminescent diode (E), which is very sensitive to moisture and oxygen, is modified.

즉, 외부로부터 침투된 오염원들은 유기전계발광 다이오드(E)의 유기발광층(5)으로 침투하게 되고, 이에, 유기발광층(5)은 오염원에 의해 유기발광층(5)의 발광특성이 저하될 수 있으며 유기발광층(5)의 수명을 단축시키게 된다. 또한, 일 부 영역을 오염원이 가림으로써 흑점이 발생하게 된다. That is, pollutants penetrated from the outside penetrate into the organic light emitting layer 5 of the organic light emitting diode E, and thus, the organic light emitting layer 5 may degrade the light emitting characteristics of the organic light emitting layer 5 by the pollutant. The life of the organic light emitting layer 5 is shortened. In addition, black spots are generated by blocking sources in some areas.

따라서, 최근 대기 중의 수분과 산소로부터 유기전계 발광다이오드(E)를 보호하기 위한 OLED(10)의 인캡슐레이션(encapsulation)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Therefore, research on encapsulation of the OLED 10 for protecting the organic light emitting diode (E) from moisture and oxygen in the air has been actively conducted.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 내부로 오염원이 침투할 수 없는 유기전계발광소자를 제공하고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a first object of the present invention is to provide an organic light emitting device in which a pollutant cannot penetrate therein.

이를 통해, 휘도 및 화상 특성을 향상시키고자 하는 것을 제 3 목적으로 한다. Through this, the third object is to improve the brightness and the image characteristics.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 서로 대향하여 형성된 제 1 및 제 2 기판과; 상기 제 1 및 제 2 기판의 서로 마주보는 각 일면의 비표시영역에 형성되는 제 1 및 제 2 금속패턴과; 상기 제 1 및 제 2 금속패턴 사이에 형성되는 금속실패턴을 포함하며, 상기 금속실패턴은 점도성 용매와 금속분자가 혼합되어 이루어지며, 상기 점도성 용매는 10 ~ 50wt%의 함량으로 이루어지는 표시장치를 제공한다. In order to achieve the object as described above, the present invention comprises: a first and a second substrate formed to face each other; First and second metal patterns formed on a non-display area of each surface of the first and second substrates facing each other; And a metal thread pattern formed between the first and second metal patterns, wherein the metal thread pattern is formed by mixing a viscous solvent and a metal molecule, and the viscous solvent has a content of 10 to 50 wt%. Provide the device.

이때, 상기 금속실패턴은 경화 시, 상기 점도성 용매가 증발하여, 부피가 증 발된 상기 점도성 용매에 비례하여 부피가 줄어드며, 상기 금속실패턴은 포인트 도팅 디스펜서 방식을 통해 형성한다. At this time, when the metal seal pattern is cured, the viscous solvent is evaporated, and the volume decreases in proportion to the viscous solvent in which the volume is evaporated. The metal seal pattern is formed through a point doting dispenser method.

또한, 상기 점도성 용매는 에폭시(epoxy)계 수지, 페놀(phenol)계 수지, 아크릴(acryl)계 수지, 열 및 광 경화성 수지 중 선택된 하나와 유기 바인더(organic binder)의 조합이며, 상기 금속분자는 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb)을 포함하는 저융점의 금속 또는 저융점 금속 합금을 포함한다. In addition, the viscous solvent is a combination of an organic binder and one selected from an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, a heat and a photocurable resin, and the metal molecule. Includes low melting point metals or low melting point metal alloys including indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), lead (Pb).

여기서, 상기 금속분자는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐, 티타늄(Ti) 또는 탄소나노튜브(carbon nano tube) 중 선택된 하나이며, 상기 제 1 및 제 2 금속패턴은 인듐틴옥사이드(ITO), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 네오디뮴(Nd), 또는 이들의 합금으로 형성된다. Here, the metal molecules are silver (Ag), gold (Au), aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), copper (Cu), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy), tungsten (W), Tungsten, titanium (Ti) or carbon nanotube (carbon nano tube) is selected one of the first and second metal pattern is indium tin oxide (ITO), copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al) , Chromium (Cr), titanium (Ti), neodymium (Nd), or alloys thereof.

또한, 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에는 박막트랜지스터와 유기전계발광 다이오드가 형성된다. In addition, a thin film transistor and an organic light emitting diode are formed between the first and second substrates.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 본 발명의 특징은 점도성 용매와 금속분자가 혼합된 금속실런트를 통해 제 1 및 제 2 기판을 밀봉함으로써, 제 1 및 제 2 기판의 이격된 사이 공간으로 외부로부터 오염원들이 침투하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, a feature of the present invention is to seal the first and second substrates through a metal sealant in which a viscous solvent and metal molecules are mixed, thereby providing a space between the spaces of the first and second substrates. There is an effect that can prevent the penetration of pollutants from the outside.

또한, 금속실패턴의 점도성 용매의 함량을 10 ~ 50wt%로 늘림으로써, 금속실 패턴의 단면적을 점도성 용매의 증발 양에 따라 비례하여 줄일 수 있어, 6000㎛2 이하의 단면적을 갖도록 형성해야 하는 소형 OLED에도 금속실패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다.In addition, by increasing the content of the viscous solvent of the metal yarn pattern to 10 to 50wt%, the cross-sectional area of the metal yarn pattern can be reduced in proportion to the amount of evaporation of the viscous solvent, so that it should be formed to have a cross-sectional area of 6000 µm 2 or less. Small OLEDs also have the effect of forming metal seal patterns.

또한, 금속실패턴을 포인트 도팅(point dotting) 디스펜서 방식을 통해 기판 상에 형성함으로써, 금속실런트의 포인트 도팅의 간격을 통해 조절하여, 원하는 선폭 및 높이를 갖는 금속실패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다. In addition, by forming the metal seal pattern on the substrate through a point dotting dispenser method, it is possible to adjust through the point dotting interval of the metal sealant, thereby forming a metal seal pattern having a desired line width and height. have.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 3은 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an OLED according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of FIG. 2.

한편, OLED(100)는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 이하 본 발명에서는 하부 발광방식을 일예로 설명하도록 하겠다. Meanwhile, the OLED 100 is divided into a top emission type and a bottom emission type according to the transmitted direction of emitted light. Hereinafter, the bottom emission method will be described as an example.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 하부발광 방식 유기전계발광소자(100)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(101)과, 제 1 기판(101)과 마주하며 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(102)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)은 서로 이격되어 있고, 이의 가장자리부는 금속실패턴(metal seal pattern : 120)을 통해 봉지되어 합착된다. As illustrated, the bottom emission type organic light emitting diode 100 according to the present invention includes a first substrate 101 having a driving and switching thin film transistor DTr (not shown) and an organic light emitting diode E, The first substrate 101 is formed of a second substrate 102 for encapsulation facing the substrate 101, and the first and second substrates 101 and 102 are spaced apart from each other, and an edge portion thereof has a metal seal pattern. It is sealed through 120) and bonded.

그리고, 제 2 기판(102)의 내부면에는 외부로부터 침투된 수분을 제거하는 흡습제(117)가 형성된다. In addition, a moisture absorbent 117 is formed on the inner surface of the second substrate 102 to remove moisture penetrated from the outside.

여기서, 제 1 기판(101) 상에는 반도체층(201)이 형성되는데, 반도체층(201)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(201a) 그리고 액티브영역(201a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(201b, 201c)으로 구성된다. Here, the semiconductor layer 201 is formed on the first substrate 101. The semiconductor layer 201 is made of silicon, and the central portion thereof has a high concentration of impurities on both sides of the active region 201a and the active region 201a. The doped source and drain regions 201b and 201c are formed.

이러한 반도체층(201) 상부로는 게이트절연막(203)이 형성되어 있다.The gate insulating film 203 is formed on the semiconductor layer 201.

게이트절연막(203) 상부로는 반도체층(201)의 액티브영역(201a)에 대응하여 게이트전극(205)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선이 형성되어 있다. A gate electrode 205 and a gate wiring extending in one direction are formed on the gate insulating film 203 so as to correspond to the active region 201a of the semiconductor layer 201.

또한, 게이트전극(205)과 게이트배선(미도시) 상부 전면에 제 1 층간절연막(207a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(207a)과 그 하부의 게이트절연막(203)은 액티브영역(201a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(201b, 201c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 구비한다. In addition, a first interlayer insulating film 207a is formed on the entire surface of the gate electrode 205 and the gate wiring (not shown). At this time, the first interlayer insulating film 207a and the gate insulating film 203 below are formed in an active region ( 201a) first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b exposing the source and drain regions 201b and 201c located at both sides thereof, respectively.

다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 포함하는 제 1 층간절연막(207a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(201b, 201c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(211, 213)이 형성되어 있다. Next, an upper portion of the first interlayer insulating layer 207a including the first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b is spaced apart from each other and exposed through the first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b. And source and drain electrodes 211 and 213 in contact with the drain regions 201b and 201c, respectively.

그리고, 소스 및 드레인전극(211, 213)과 두 전극(211, 213) 사이로 노출된 제 1 층간절연막(207a) 상부로 드레인전극(213)을 노출시키는 드레인콘택홀(215)을 갖는 제 2 층간절연막(207b)이 형성되어 있다. And a second interlayer having a drain contact hole 215 exposing the drain electrode 213 over the first interlayer insulating film 207a exposed between the source and drain electrodes 211 and 213 and the two electrodes 211 and 213. The insulating film 207b is formed.

이때, 소스 및 드레인 전극(211, 213)과 이들 전극(211, 213)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(201b, 201c)을 포함하는 반도체층(201)과 반도체층(201) 상부에 형성된 게이트절연막(203) 및 게이트전극(205)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다. At this time, the semiconductor layer 201 including the source and drain electrodes 211 and 213 and the source and drain regions 201b and 201c in contact with the electrodes 211 and 213 and the gate insulating layer formed on the semiconductor layer 201. The 203 and the gate electrode 205 form a driving thin film transistor DTr.

이때 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선(미도시)이 형성되어 있다. 그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다. Although not shown in the drawing, data wirings (not shown) defining pixel areas are formed to cross the gate wirings (not shown). The switching thin film transistor (not shown) has the same structure as the driving thin film transistor DTr and is connected to the driving thin film transistor DTr.

그리고, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 도면에서는 반도체층(201)이 폴리실리콘 반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로써 보이고 있으며, 이의 변형예로써 순수 및 불순물의 비정질질실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다. In addition, the switching and driving thin film transistor (DTr) shows, as an example, a top gate type in which the semiconductor layer 201 is made of a polysilicon semiconductor layer, as an example of pure and impurity amorphous. It may be formed of a bottom gate type made of silicon.

또한, 제 2 층간절연막(207b) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(111)과 유기발광층(113) 그리고 제 2 전극(115)이 순차적으로 형성되어 있다. In addition, the first electrode 111 constituting the organic light emitting diode E, the organic light emitting layer 113, and the second electrode 115 are sequentially disposed in an area that substantially displays an image on the second interlayer insulating film 207b. It is formed.

제 1, 2 전극(111, 115)과 그 사이에 형성된 유기발광층(113)은 유기전계발광 다이오드(E)를 이루게 된다.The first and second electrodes 111 and 115 and the organic light emitting layer 113 formed therebetween form an organic light emitting diode (E).

제 1 전극(111)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(213)과 연결된다.The first electrode 111 is connected to the drain electrode 213 of the driving thin film transistor DTr.

이와 같은 경우에, 제 1 전극(111)은 애노드(anode) 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성하는 것이 바람직하다.In this case, the first electrode 111 may be formed of indium tin oxide (ITO), which is a material having a relatively high work function value to serve as an anode electrode.

그리고, 제 2 전극(115)은 캐소드(cathode)의 역할을 하기 위해 비교적 일함수 값이 낮은 금속물질인 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd)으로 이루어진다.In addition, the second electrode 115 is made of aluminum (Al) or aluminum alloy (AlNd), which is a metal material having a relatively low work function in order to serve as a cathode.

따라서, 유기발광층(113)에서 발광된 빛은 제 1 전극(111)을 향해 방출되는 하부 발광방식으로 구동된다. Therefore, the light emitted from the organic light emitting layer 113 is driven by the bottom emission method emitted toward the first electrode 111.

그리고, 유기발광층(113)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층( hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.In addition, the organic light emitting layer 113 may be formed of a single layer made of a light emitting material, and in order to increase the light emitting efficiency, a hole injection layer, a hole transporting layer, an emitting material layer, an electron It may be composed of multiple layers of an electron transporting layer and an electron injection layer.

이러한 OLED(100)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(111)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(115)으로부터 인가된 전자가 유기발광층(113)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.When a predetermined voltage is applied to the first electrode 111 and the second electrode 115 according to the selected color signal, the OLED 100 may be formed from holes and second electrodes 115 injected from the first electrode 111. The applied electrons are transported to the organic light emitting layer 113 to form excitons, and when these excitons transition from the excited state to the ground state, light is generated and emitted in the form of visible light.

이때, 발광된 빛은 투명한 제 1 전극(111)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다. At this time, since the emitted light passes through the transparent first electrode 111 to the outside, the OLED 100 implements an arbitrary image.

한편, 제 1 전극(111)은 각 화소영역(P)별로 형성되는데, 각 화소영역(P) 별로 형성된 제 1 전극(111) 사이에는 뱅크(bank : 221)가 위치한다. Meanwhile, the first electrode 111 is formed for each pixel region P, and a bank 221 is positioned between the first electrodes 111 formed for each pixel region P. FIG.

즉, 뱅크(221)는 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어, 뱅크(221)를 각 화소영역 별 경계부로 하여 제 1 전극(111)이 화소영역(P) 별로 분리된 구조로 형성되어 있다. That is, the bank 221 is formed in a matrix type having a lattice structure as a whole of the substrate 101, and the first electrode 111 is separated into pixel regions P with the bank 221 as a boundary portion for each pixel region. Formed.

특히, 본 발명은 앞서 전술한 바와 같이, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)을 합착하는 과정에서, 이의 가장자리부에 형성되는 실패턴(120)을 금속재질을 포함하는 금속실런트(이하, 금속실패턴이라 함)를 사용하는 것을 특징으로 한다. In particular, the present invention, as described above, in the process of bonding the first and second substrates 101 and 102, the failure turn 120 is formed on the edge portion of the metal sealant including a metal material (hereinafter, Metal seal pattern).

또한, 금속실패턴(120)과 대응되는 제 1 및 제 2 기판(101, 102)에는 제 1 및 제 2 금속패턴(121a, 121b)을 형성한다. 따라서, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)은 금속실패턴(120)을 통해 견고하게 합착하게 된다. In addition, first and second metal patterns 121a and 121b are formed on the first and second substrates 101 and 102 corresponding to the metal thread patterns 120. Accordingly, the first and second substrates 101 and 102 are firmly bonded to each other through the metal seal pattern 120.

이에 대해 아래 표(1)을 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. 표(1)은 OLED에 실제로 사용되는 실런트의 투습율을 비교한 표이다. This will be described in more detail with reference to Table (1) below. Table (1) is a table comparing the moisture permeability of the sealant actually used in the OLED.

실런트 물질Sealant material 투습율(g/m2)
at 60℃, 90%, 100mmWater vapor transmission rate (g / m 2 )
at 60 ℃, 90%, 100mm 유기막 또는 고분자 재질Organic film or polymer material > 10> 10 금속 계열Metal > ~10E-4> ~ 10E-4

표(1)Table (1)

위의 표 1에 기재된 바와 같이, 종래에 실재로 사용되었던 유기막 또는 고분자 재질은 투습율이 금속 재질 보다 높음을 알 수 있다. As shown in Table 1 above, it can be seen that the organic film or the polymer material that has been used as a conventional material has a higher moisture permeability than a metal material.

이에, 본 발명은 유기막 또는 고분자 재질보다 투습율이 현저히 낮은 금속 계열을 사용함으로써, 기존의 유기 또는 고분자 재질로 이루어지는 실런트로 이루어지는 실패턴(도 1의 20)에 비해 강도가 높아, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)을 더욱 단단하게 밀봉하게 된다.Accordingly, the present invention uses a metal series having a significantly lower moisture permeability than an organic film or a polymer material, and thus has high strength compared to a failure turn (20 in FIG. 1) made of a sealant made of an organic or polymer material. The second substrates 101 and 102 are more tightly sealed.

이를 통해, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)의 이격된 사이 공간으로 외부로부터 오염원들이 침투하는 것을 방지할 수 있다.Through this, it is possible to prevent the infiltration of pollutants from the outside into the space between the spaced apart of the first and second substrate (101, 102).

즉, 기존의 실패턴(도 1의 20)은 유기 또는 고분자 재질로 이루어진 실란트로 이루어져,온도가 가열되거나 장시간 보관함에 따라 외부로부터 수분이나 가스(gas)와 같은 오염원이 제 1 및 제 2 기판(101, 102)의 이격된 사이 공간으로 침투하게 된다. That is, the conventional failure turn (20 of FIG. 1) is made of a sealant made of an organic or polymer material, and as the temperature is heated or stored for a long time, pollutants such as moisture or gas from the outside are first and second substrates 101. , 102) into spaced apart spaces.

이렇듯 외부로부터 침투된 오염원들은 유기전계발광 다이오드(E)의 유기발광층(113)으로 침투하게 되고, 이에, 유기발광층(113)은 오염원에 의해 유기발광층(113)의 발광특성이 저하될 수 있으며 유기발광층(113)의 수명이 단축된다. 또한, 일부 영역을 오염원이 가림으로써 흑점이 발생하게 된다. As such, the pollutants penetrated from the outside penetrate into the organic light emitting layer 113 of the organic light emitting diode (E). Thus, the organic light emitting layer 113 may degrade the emission characteristics of the organic light emitting layer 113 by the pollutant. The lifetime of the light emitting layer 113 is shortened. In addition, black spots are generated when the source is covered by a contaminant.

또한, 금속실패턴(120)과 대응되는 제 1 및 제 2 기판(101, 102)에는 제 1 및 제 2 금속패턴(121a, 121b)을 형성하는데, 금속실패턴은 그 폭이 제 1 및 제 1 금속패턴(121a, 121b)의 폭보다 좁도록 제 1 금속패턴(121a)과 제 2 금속패턴(121b) 사이에 형성된다.In addition, the first and second metal patterns 121a and 121b are formed on the first and second substrates 101 and 102 corresponding to the metal thread patterns 120, and the widths of the metal thread patterns are the first and the second. It is formed between the first metal pattern 121a and the second metal pattern 121b to be narrower than the width of the first metal patterns 121a and 121b.

제 1 및 제 2 금속패턴(121a, 121b)은 금속실패턴(120)의 계면 특성을 향상시키기 위한 것으로, 금속실패턴(120)과 제 1 및 제 2 기판(101, 102)의 접착력을 향상시키는 역할을 하게 된다. The first and second metal patterns 121a and 121b are used to improve the interfacial properties of the metal thread patterns 120 and to improve adhesion between the metal thread patterns 120 and the first and second substrates 101 and 102. It will play a role.

제 1 금속패턴(121a)은 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 형성시 사용되는 재료로 형성되거나, 별도의 금속물질의 단층 또는 여러 금속들의 조합으로 형성될 수 있다. The first metal pattern 121a may be formed of a material used in forming a switching and driving thin film transistor (DTr), or may be formed of a single layer of a separate metal material or a combination of several metals.

즉, 제 1 금속패턴(121a)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 네오디뮴(Nd), 또는 AlNd와 같은 이들의 합금을 들 수 있다.That is, the first metal pattern 121a may be an alloy thereof such as copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), titanium (Ti), neodymium (Nd), or AlNd. have.

제 2 금속패턴(121b) 또한 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 형성시 사용되는 도전 재료로 형성되거나, 듀얼 타입일 경우에는 유기전계발광 다이오드(E) 형성시에 사용되는 도전 재료로 형성되거나, 별도의 금속물질의 단층 또는 여러 금속들의 조합으로 형성될 수 있다. The second metal pattern 121b is also formed of a conductive material used for forming a switching and driving thin film transistor (DTr), or in the case of a dual type, a conductive material used for forming an organic light emitting diode (E). Or a single layer of a separate metal material or a combination of several metals.

제 1 금속패턴(121a)을 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 형성시 사용되는 재료로 형성하거나, 제 2 금속패턴(121b)을 유기전계발광 다이오드(E) 형성시 사용되는 재료로 형성할 경우 제 1 및 제 2 금속패턴(121a, 121b)을 형성하기 위한 별도의 공정을 수행하지 않아도 되므로 공정을 간소화시킬 수 있다.The first metal pattern 121a is formed of a material used when forming a switching and driving thin film transistor (DTr), or the second metal pattern 121b is formed of a material used when forming an organic light emitting diode (E). In this case, a separate process for forming the first and second metal patterns 121a and 121b may not be performed, thereby simplifying the process.

제 1 및 제 2 금속패턴(121a, 121b)은 금속실패턴(120)의 계면 특성을 향상시켜, 접착력 좋게 하고 금속실패턴(120)이 균일하게 분포되도록 한다. The first and second metal patterns 121a and 121b improve the interfacial properties of the metal yarn pattern 120, thereby improving adhesion and uniformly distributing the metal yarn pattern 120.

즉, 금속실패턴(120)을 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 상에 직접 도포한다면 금속실패턴(120)이 균일하게 분포하지 않고 뭉치게 되는 문제점을 야기할 수 있다. That is, if the metal yarn pattern 120 is directly applied onto the first and second substrates 101 and 102, the metal yarn pattern 120 may be agglomerated without being uniformly distributed.

이렇듯, 본 발명은 실패턴을 점도성 용매와 금속분자가 혼합된 금속실패턴(120)을 사용하고, 금속실패턴(120)과 기판들(101, 102) 사이에 제 1 및 제 2 금속패턴(121a, 121b)을 형성함으로써, 외부로부터 수분이나 가스(gas)와 같은 오염원이 제 1 및 제 2 기판(101, 102)의 이격된 사이 공간으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. As described above, the present invention uses the metal thread pattern 120 mixed with the viscous solvent and the metal molecules, and the first and second metal patterns between the metal thread pattern 120 and the substrates 101 and 102. By forming the 121a and 121b, it is possible to prevent the pollutant such as moisture or gas from the outside from penetrating into the spaces between the first and second substrates 101 and 102.

이를 통해, 유기전계발광 다이오드(E)의 열화를 방지하고 OLED(100)의 수명을 연장할 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)을 견고히 합착시켜 합착 후에 발생되는 불량률을 저하함으로 제반 경비 및 재료비 손실을 감소시키고 생산수율을 향상시킨다.Through this, the degradation of the organic light emitting diode E can be prevented and the life of the OLED 100 can be extended. In addition, by firmly bonding the first and second substrates (101, 102) to reduce the failure rate generated after the bonding to reduce the overall cost and material cost loss and improve the production yield.

한편, 전술한 바와 같이 금속실패턴(120)은 점도성 용매(solvent)와 금속분자가 혼합되어 이루어지는데, 이에 대해 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. On the other hand, as described above, the metal seal pattern 120 is made of a mixture of a viscous solvent (solvent) and a metal molecule, will be described in more detail.

점도성 용매로는 에폭시(epoxy)계 수지, 페놀(phenol)계 수지, 아크릴(acryl)계 수지, 열 및 광 경화성 수지와 유기 바인더(organic binder)의 조합으로 이루어질 수 있다. The viscous solvent may be made of a combination of an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, a thermal and photocurable resin, and an organic binder.

그리고, 금속분자는 저융점의 금속(인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb) 또는 우수한 전기전도도와 열전도도를 갖는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐, 티타늄(Ti) 또는 탄소나노튜브(carbon nano tube) 등으로 이루어질 수 있으며, 또는 400℃ 이하의 융점을 갖는 모든 금속이 사용될 수 있다. The metal molecules may be low melting point metals (indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), lead (Pb) or silver (Ag), gold (Au), and aluminum () having excellent electrical and thermal conductivity. Al), aluminum alloy (Al alloy), copper (Cu), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy), tungsten (W), tungsten, titanium (Ti) or carbon nanotube (carbon nanotube) Or any metal having a melting point of 400 ° C. or less can be used.

특히, 즉, 본 발명의 금속실패턴(120)에 혼합되는 금속분자를 저융점의 금속을 사용함으로써, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)의 합착시 낮은 온도로 금속실패턴(120)을 경화시킬 수 있어, 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 사이에 형성된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr), 유기전계발광 다이오드(E)에 영향을 끼치지 않도록 하는 것이 바람직하다. Specifically, that is, by using a metal having a low melting point of the metal molecules mixed in the metal seal pattern 120 of the present invention, the metal seal pattern 120 at a low temperature when the first and second substrates 101 and 102 are bonded It is preferable to harden and to not affect the switching and driving thin film transistor (DTr) and the organic light emitting diode (E) formed between the first and second substrates 101 and 102.

한편, 이러한 금속실패턴(120)은 디스펜서 방식(dispenser method) 또는 스 크린 프린팅 방식(screen printing method)을 통해 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 중 선택된 하나의 기판 상에 금속실런트를 도포함으로써 형성하는데, 이때, 금속실패턴(120)은 10% 이하의 점도성 용매로 이루어져 점도가 매우 높아, 디스펜서 또는 프린팅 방식 시의 금속실런트 토출량을 제어하는 공정 조건을 확보하기 매우 어려운 실정이다. In the meantime, the metal seal pattern 120 is coated with a metal sealant on one of the first and second substrates 101 and 102 by a dispenser method or a screen printing method. In this case, the metal seal pattern 120 is made of a viscous solvent of 10% or less and has a very high viscosity, and thus it is very difficult to secure process conditions for controlling the amount of metal sealant discharged during a dispenser or printing method.

따라서, 실제 형성하고자 하는 금속실런트(120)의 높이에 비해 금속실런트(120)를 과도포한 뒤 경화시키는 과정에서 금속실런트 내부의 점도성 용매를 증발시켜 금속실패턴(120)을 형성하게 된다. Therefore, the metal seal pattern 120 is formed by evaporating the viscous solvent inside the metal sealant in the process of over-coating and curing the metal sealant 120 compared to the height of the metal sealant 120 to be actually formed.

그러나, 이러한 금속실패턴(120)은 공정 기준의 높이를 갖는 금속실패턴(120)을 형성하기에 매우 어려운 실정이다. However, the metal thread pattern 120 is very difficult to form a metal thread pattern 120 having a height of a process reference.

즉, 일예로 금속실패턴(120)을 20 ~ 40㎛로 형성하고자 하면, 실제 기판(101, 102) 상에는 50 ~ 100㎛의 높이를 갖는 금속실패턴(120)이 형성된다. That is, for example, when the metal thread pattern 120 is to be formed to 20 to 40 μm, the metal thread pattern 120 having a height of 50 to 100 μm is formed on the actual substrates 101 and 102.

한편, 이러한 금속실패턴(120)은 높이뿐만 아니라 선폭도 매우 중요하여, 금속실패턴(120)을 단면적(높이(h1) * 선폭(w2))을 통해 정의할 수 있는데, 첨부한 도 4는 금속실패턴(120)의 높이(h1) 및 선폭(w2)을 나타낸 사진으로, 금속실패턴(120)은 20000㎛2 (55㎛ * 435㎛)이하의 단면적을 가지며, 이러한 단면적은 현 공정상으로 형성할 수 있는 가장 작은 단면적이다. On the other hand, the metal yarn pattern 120 is not only the height but also the line width is very important, it is possible to define the metal yarn pattern 120 through the cross-sectional area (height (h1) * line width (w2)), the accompanying Figure 4 The height (h1) and the line width (w2) of the metal yarn pattern 120 is a photograph showing the metal yarn pattern 120 has a cross-sectional area of 20000 μm 2 (55 μm * 435 μm) or less. Is the smallest cross-sectional area that can be formed.

즉, 이러한 금속실패턴(120) 형성 공정은 금속실패턴(120)이 차지하는 단면적이 작아질수록 공정 조건을 확보하기 어려워, 10000㎛2 이하의 단면적으로 네로우 씰(narrow seal)의 금속실패턴(120)을 형성하기 매우 어려운 실정이다. That is, in the process of forming the metal thread pattern 120, it is difficult to secure the process conditions as the cross-sectional area occupied by the metal thread pattern 120 becomes smaller. Thus, the metal seal pattern of the narrow seal has a cross section of 10000 μm 2 or less. It is very difficult to form 120.

그러나, 최근 소비자는 경량 및 박형 그리고 소형화되어 가는 표시장치를 요구함에 따라, 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 사이의 셀갭이 4 ~ 5㎛ 이하로 형성되는 소형 OLED에 대한 수요도 급증하기 있는데, 이러한 소형 OLED에서는 금속실패턴(120)의 단면적이 6000㎛2 이하로 구성되어야 한다. However, in recent years, as consumers demand display devices that are lighter, thinner and smaller, the demand for small OLEDs having a cell gap between the first and second substrates 101 and 102 formed to be 4 to 5 μm or less is rapidly increasing. However, in such a small OLED, the cross-sectional area of the metal thread pattern 120 should be less than 6000 μm 2 .

이에, 본 발명의 점도성 용매와 금속분자가 혼합된 금속실패턴(120)의 점도성 용매가 10 ~ 50wt%의 함량을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 한다. Thus, the viscous solvent of the metal seal pattern 120 in which the viscous solvent and the metal molecules of the present invention are mixed is formed to have a content of 10 to 50wt%.

이렇게, 금속실패턴(120)의 점도성 용매의 함량이 10 ~ 50wt% 으로 이루어지도록 하면, 금속실런트를 경화시키는 과정에서, 금속실런트 내에 함유된 점도성 용매를 모두 증방시킴으로써, 금속실런트의 부피를 1/2 이하로 줄어들도록 함으로써, 금속실패턴(120)을 형성할 수 있다. When the content of the viscous solvent of the metal seal pattern 120 is 10 to 50 wt%, the volume of the metal sealant is increased by increasing all of the viscous solvent contained in the metal sealant in the process of curing the metal sealant. By reducing it to 1/2 or less, the metal thread pattern 120 may be formed.

도 5는 경화에 의해 금속실런트(123)의 부피가 줄어든 모습을 나타낸 사진으로, 금속실런트(123)는 경화에 의해 실제 기판(101, 102) 상에 토출된 금속실런트(123a)의 부피에 비해 현저하게 줄어드는 것을 확인할 수 있다.FIG. 5 is a photograph showing the volume of the metal sealant 123 reduced by hardening. The metal sealant 123 is compared to the volume of the metal sealant 123a discharged onto the actual substrates 101 and 102 by hardening. It can be seen that it is significantly reduced.

이렇게, 금속실런트(123)의 부피를 줄임으로써, 10000㎛2 이하의 단면적으로 금속실패턴(120)을 형성하기는 어려워, 6000㎛2 이하의 단면적을 갖도록 형성해야 하는 소형 OLED에 금속실패턴을 형성할 수 있다. Thus, by reducing the volume of the metal sealant 123, it is difficult to form the metal seal pattern 120 with a cross section of 10000 μm 2 or less, so that the metal seal pattern is formed in a small OLED that should be formed to have a cross section of 6000 μm 2 or less. Can be formed.

즉, 금속실패턴(120)은 10000㎛2 이하의 단면적을 갖도록 형성하기 어려우 나, 본 발명의 금속실패턴(120)은 10 ~ 50wt%의 점도성 용매를 증발시킴으로써, 금속실패턴(120)의 부피를 증발된 점도성 용매에 비례하여 줄이는 것이다. That is, it is difficult to form the metal yarn pattern 120 to have a cross-sectional area of 10000 μm 2 or less, but the metal yarn pattern 120 of the present invention evaporates a viscous solvent of 10 to 50 wt%, thereby the metal yarn pattern 120. To reduce the volume of the membrane proportionally to the evaporated viscous solvent.

따라서, 금속실패턴(120)의 10 ~ 50wt%의 점도성 용매를 포함하고 있다면, 6000㎛2 이하의 단면적을 형성하고자 하면, 기판(101, 102) 상에 12000㎛2 이하의 단면적을 갖는 금속실패턴(120)을 형성하면 되는 것이다. Therefore, if the metal thread comprises a conductive point of the solvent, 10 ~ 50wt% of the pattern (120), 6000㎛ when used to form the cross-sectional area of less than 2, the metal substrate has a cross-sectional area of 12000㎛ 2 or less on a 101 (102) What is necessary is to form the failure turn 120.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 사이의 셀갭이 4㎛ 로 형성되는 소형 OLED를 형성하는 과정에서, 금속실패턴(120)이 차지하는 단면적을 6000㎛2 가 되도록 하기 위해서는, 금속실런트(123)를 8㎛의 높이와 15000㎛의 선폭을 갖도록 형성하는 것이다. In more detail, in the process of forming a small OLED having a cell gap of 4 μm between the first and second substrates 101 and 102, the cross-sectional area occupied by the metal seal pattern 120 is 6000 μm 2. For this purpose, the metal sealant 123 is formed to have a height of 8 m and a line width of 15000 m.

즉, 기판(101, 102) 상에 형성되는 금속실런트(123)는 12000㎛2 의 단면적을 갖도록 형성하는 것이다. That is, the metal sealant 123 formed on the substrates 101 and 102 is formed to have a cross-sectional area of 12000 μm 2 .

이렇게, 12000㎛2의 단면적을 갖도록 형성된 금속실런트(123)는 경화공정 시, 점도성 용매가 모두 증발되어, 금속실런트(123)의 높이(h2)와 선폭(w2)에 의한 단면적이 6000㎛2을 갖는 금속실패턴(120)을 형성하게 되는 것이다. As described above, the metal sealant 123 formed to have a cross-sectional area of 12000 μm 2 has all viscous solvents evaporated during the curing process, and the cross-sectional area of the metal sealant 123 by the height h2 and the line width w2 is 6000 μm 2. It is to form a metal seal pattern 120 having a.

전술한 바와 같이, 금속실패턴(120)의 점도성 용매의 함량을 10 ~ 50wt%으로 늘림으로써, 금속실패턴(120)의 단면적을 점도성 용매의 증발 양에 따라 비례하여 줄일 수 있어, 10000㎛2 이하의 단면적으로 금속실패턴(120)을 형성하기는 어려워, 6000㎛2 이하의 단면적을 갖도록 형성해야 하는 소형 OLED에도 금속실패턴(120)을 형성할 수 있다. As described above, by increasing the content of the viscous solvent of the metal seal pattern 120 to 10 to 50wt%, the cross-sectional area of the metal seal pattern 120 can be reduced in proportion to the amount of evaporation of the viscous solvent, 10000 Since it is difficult to form the metal thread pattern 120 with a cross section of less than or equal to 2 μm, the metal seal pattern 120 may be formed even in a small OLED having a cross section of 6000 μm 2 or less.

한편, 앞서 전술한 바와 같이 금속실패턴(120)은 디스펜서 방식(dispenser method)을 통해 기판(101, 102) 상에 금속실런트(123)를 토출하고 경화시킴으로써 형성하는데, 이때 도 6a에 도시한 바와 같이 포인트 도팅(point dotting) 디스펜서 방식을 이용하는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, as described above, the metal seal pattern 120 is formed by discharging and curing the metal sealant 123 on the substrates 101 and 102 through a dispenser method, as shown in FIG. 6A. As described above, the point dotting dispenser method is used.

여기서, 디스펜서 방식은 주사기와 같은 원리를 이용하는 것으로 즉, 디스펜서 내부에 금속실런트(123)를 채우고 소정의 압력으로 원하는 선폭(도 5의 w2) 및 높이(도 5의 h2)를 갖도록 기판(101, 102) 상의 실패턴 형성영역(D)에 포인트 도팅(point dotting)방식으로 적하하는 것이다. Here, the dispenser method uses the same principle as a syringe, that is, fills the metal sealant 123 inside the dispenser and has a predetermined line width (w2 in FIG. 5) and a height (h2 in FIG. 5) at a predetermined pressure. The drop-turn forming region D on the 102 is dropped by a point dotting method.

이러한, 포인트 도팅(point dotting) 디스펜서 방식은 원하는 위치에만 선택적으로 금속실런트(123)를 토출할 수 있어, 디스펜서의 금속실런트 토출량을 제어하기 어려워도, 도 6b에 도시한 바와 같이 원하는 선폭(도 5의 w2) 및 높이(도 5의 h2)를 갖는 금속실패턴(120)을 형성할 수 있다. Such a point dotting dispenser method can selectively discharge the metal sealant 123 only at a desired position, so that it is difficult to control the metal sealant discharge amount of the dispenser, as shown in FIG. 6B (see FIG. 5B). A metal seal pattern 120 having a w2) and a height (h2 of FIG. 5) may be formed.

즉, 디스펜서의 금속실런트의 토출량을 제어하지 않더라도, 금속실런트(123)의 포인트 도팅의 간격을 통해 조절할 수 있기 때문이다. That is, even if the discharge amount of the metal sealant of the dispenser is not controlled, it can be adjusted through the interval of point doting of the metal sealant 123.

전술한 바와 같이, 본 발명은 금속실런트(123)를 통해 기판(101, 102)들을 밀봉함으로써, 기존의 유기 또는 고분자 재질로 이루어지는 실런트로 이루어지는 실패턴에 비해 강도가 높아, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)을 더욱 단단하게 밀봉하 게 된다.As described above, the present invention seals the substrates 101 and 102 through the metal sealant 123, so that the strength of the present invention is higher than that of a failure turn made of a sealant made of a conventional organic or polymer material. Sealing of (101, 102) more firmly.

이를 통해, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)의 이격된 사이 공간으로 외부로부터 오염원들이 침투하는 것을 방지할 수 있다.Through this, it is possible to prevent the infiltration of pollutants from the outside into the space between the spaced apart of the first and second substrate (101, 102).

또한, 금속실패턴(120)의 점도성 용매의 함량을 10 ~ 50wt%으로 늘림으로써, 금속실패턴(120)의 단면적을 점도성 용매의 증발 양에 따라 비례하여 줄일 수 있어, 10000㎛2 이하의 단면적으로 금속실패턴(120)을 형성하기는 어려워, 6000㎛2 이하의 단면적을 갖도록 형성해야 하는 소형 OLED에도 금속실패턴(120)을 형성할 수 있다.In addition, by increasing the content of the viscous solvent of the metal seal pattern 120 to 10 to 50wt%, the cross-sectional area of the metal seal pattern 120 can be reduced in proportion to the amount of evaporation of the viscous solvent, 10000㎛ 2 or less Since it is difficult to form the metal thread pattern 120 in the cross-section of the metal seal pattern, the metal thread pattern 120 may also be formed in a small OLED that should be formed to have a cross-sectional area of 6000 μm 2 or less.

또한, 금속실패턴(120)을 포인트 도팅(point dotting) 디스펜서 방식을 통해 기판(101, 102) 상에 형성함으로써, 금속실런트(123)의 포인트 도팅의 간격을 통해 조절하여, 원하는 선폭 및 높이를 갖는 금속실패턴(120)을 형성할 수 있다. In addition, by forming the metal seal pattern 120 on the substrate (101, 102) through a point dotting dispenser method, it is controlled through the point dotting of the metal sealant 123, the desired line width and height The metal thread pattern 120 may be formed.

한편, 지금까지의 상세한 설명 및 도면에서는 OLED(도 3의 100)를 일예로 설명하였으나, 본 발명의 점도성 용매와 금속분자로 이루어지며, 점도성 용매가 10 ~ 50wt%의 함량으로 이루어지며, 포인트 도팅 디스펜서 방식을 통해 형성하는 금속실패턴(120)은 씰패턴을 포함하는 어떠한 표시장치에도 모두 사용할 수 있다. On the other hand, in the detailed description and drawings so far described OLED (100 in Figure 3) as an example, it is made of a viscous solvent and a metal molecule of the present invention, the viscous solvent is made of a content of 10 to 50wt%, The metal seal pattern 120 formed through the point doting dispenser method may be used in any display device including a seal pattern.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면. 1 is a schematic cross-sectional view of a typical active matrix OLED.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view schematically showing an OLED according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도.3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of FIG. 2;

도 4는 금속실패턴의 높이 및 선폭을 나타낸 사진.Figure 4 is a photograph showing the height and line width of the metal thread pattern.

도 5는 경화에 의해 금속실패턴의 부피가 줄어든 모습을 나타낸 사진.5 is a photograph showing a state in which the volume of the metal thread pattern is reduced by curing.

도 6a ~ 6b는 포인트 도팅 디스펜서 방식을 통해 금속씰패턴을 형성하는 모습을 개략적으로 도시한 도면. 6a to 6b schematically illustrate the formation of a metal seal pattern through a point dosing dispenser method.

Claims (7)

서로 대향하여 형성된 제 1 및 제 2 기판과;First and second substrates formed to face each other; 상기 제 1 및 제 2 기판의 서로 마주보는 각 일면의 비표시영역에 형성되는 제 1 및 제 2 금속패턴과; First and second metal patterns formed on a non-display area of each surface of the first and second substrates facing each other; 상기 제 1 및 제 2 금속패턴 사이에 형성되는 금속실패턴A metal thread pattern formed between the first and second metal patterns 을 포함하며, 상기 금속실패턴은 점도성 용매와 금속분자가 혼합되어 이루어지며, 상기 점도성 용매는 10 ~ 50wt%의 함량으로 이루어지는 표시장치. And a metal seal pattern made of a mixture of a viscous solvent and a metal molecule, and the viscous solvent having a content of 10 to 50 wt%. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 금속실패턴은 경화 시, 상기 점도성 용매가 증발 또는 제거되어, 부피가 증발된 상기 점도성 용매에 비례하여 부피가 줄어드는 표시장치. When the metal seal pattern is cured, the viscous solvent is evaporated or removed, so that the volume is reduced in proportion to the viscous solvent from which the volume is evaporated. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 금속실패턴은 포인트 도팅 디스펜서 방식을 통해 형성하는 표시장치. The metal seal pattern is formed by a point dosing dispenser. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 점도성 용매는 에폭시(epoxy)계 수지, 페놀(phenol)계 수지, 아크 릴(acryl)계 수지, 열 및 광 경화성 수지 중 선택된 하나와 유기 바인더(organic binder)의 조합인 표시장치. The viscous solvent is a combination of an organic binder and one selected from an epoxy resin, a phenol resin, an acryl resin, a heat and a photocurable resin. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 금속분자는 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb)을 포함하는 저융점의 금속 및 저융점 금속 합금 또는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐, 티타늄(Ti), 탄소나노튜브(carbon nano tube) 중 선택된 하나인 표시장치. The metal molecules are low melting point metals including indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), and lead (Pb) and low melting point metal alloys or silver (Ag), gold (Au), aluminum (Al) , Al alloy, copper (Cu), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy), tungsten (W), tungsten, titanium (Ti), carbon nanotube (carbon nanotube) Device. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 금속패턴은 인듐틴옥사이드(ITO), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 네오디뮴(Nd), 또는 이들의 합금으로 형성되는 표시장치. The first and second metal patterns include indium tin oxide (ITO), copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), titanium (Ti), neodymium (Nd), or alloys thereof Display device formed with. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에는 박막트랜지스터와 유기전계발광 다이오드가 형성되는 표시장치. And a thin film transistor and an organic light emitting diode are formed between the first and second substrates.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130059221A (en) * 2011-11-28 2013-06-05 엘지디스플레이 주식회사 Quantum rod luminescent display device
KR20130060473A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 엘지디스플레이 주식회사 Quantum rod luminescent display device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8405193B2 (en) 2004-04-02 2013-03-26 General Electric Company Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages
KR100670328B1 (en) 2005-03-30 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 Organic light-emitting display and manufacturing method thereof
US20060278965A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Foust Donald F Hermetically sealed package and methods of making the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130059221A (en) * 2011-11-28 2013-06-05 엘지디스플레이 주식회사 Quantum rod luminescent display device
KR20130060473A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 엘지디스플레이 주식회사 Quantum rod luminescent display device

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