KR20110012550A - 박막 태양 전지의 제조방법 및 제조장치 - Google Patents

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Abstract

반응 용액을 반응 챔버에 투입하는 단계, 지지체(supporter)를 로더(loader)에 고정하는 단계; 상기 반응 용액에 지지체가 침지되도록 상기 로더를 반응 챔버 내에 배치하는 단계 및 상기 지지체를 열처리하면서 버퍼층을 성막하는 단계를 포함하는 박막 태양 전지의 제조방법이 제공된다. 또한 반응 용액 투입구와 폐수 배출구가 구비된 반응 챔버 및 상기 반응 챔버 내에 위치하는 상하 이동이 가능한 로더를 포함하는 박막 태양 전지의 제조장치를 제공한다.
박막 태양 전지, 버퍼층, 가열

Description

박막 태양 전지의 제조방법 및 제조장치{METHOD OF FABRICATING THIN FILM SOLAR CELL AND APPATATUS FOR FABRICATING THIN FILM SOLAR CELL}
본 기재는 박막 태양 전지의 제조방법 및 제조장치에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 것이다. 태양 전지는 기본적으로 PN접합으로 구성된 다이오드로서, 광흡수층으로 사용되는 물질에 따라 다양한 종류로 구분된다.
광흡수층으로 실리콘을 이용하는 태양전지는 결정질 기판(wafer)형 태양전지와 박막형(비정질, 다결정) 태양전지로 구분할 수 있다. 또한 CIGS(CuInGaSe2)나 CdTe를 이용하는 화합물 박막 태양전지, Ⅲ-Ⅴ족 태양전지, 염료감응 태양전지와 유기 태양전지가 대표적인 태양전지라고 할 수 있다.
이중에서 CIGS나 CdTe를 광흡수층으로 사용하는 박막 태양 전지는 광흡수층과 전극 사이에 밴드캡 차이와 격자 상수의 차이를 완화하기 위하여 이들 사이에 CdS 등의 버퍼층을 위치하게 한다. 이러한 버퍼층은 CBD(chemical bath deposition) 공정으로 제조되고 있다. 상기 CBD 공정은 암모니아수에 Cd 원료물질과 S 원료물질을 용해시킨 후 광흡수층이 형성된 기판을 침지한 다음 가열하여 수십 nm 두께로 버퍼층을 형성하는 공정이다. 이러한 CBD 공정은 화학물질의 사용량이 많아 공정비용이 많이 들고 환경오염을 야기하는 문제가 있다.
본 발명의 일 측면은 공정비용이 저렴하고 폐액/폐수 관리 비용을 감소시킬 수 있으며, 전기적/광학적 특성이 우수한 버퍼층을 제공하는 박막 태양 전지의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 측면은 상기 버퍼층을 제조할 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 반응 용액을 반응 챔버에 투입하는 단계, 지지체(supporter)를 로더(loader)에 고정하는 단계, 상기 반응 용액에 지지체가 침지되도록 상기 로더를 반응 챔버 내에 배치하는 단계 및 상기 지지체를 열처리하면서 버퍼층을 성막하는 단계를 포함하는 박막 태양 전지의 제조방법을 제공한다.
반응 용액 투입구와 폐수 배출구가 구비된 반응 챔버 및 상기 반응 챔버 내 부에 위치하는 상하 이동이 가능한 로더를 포함하는 박막 태양 전지의 제조장치를 제공한다.
상기 반응 용액은 금속 원료물질 및 착화제(complexing agent)를 포함할 수 있다. 상기 반응 용액은 음이온 원료물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 원료물질은 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 인듐(In) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 화합물일 수 있고, 상기 음이온 원료물질은 S, Se, O, OH 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 음이온을 함유하는 화합물일 수 있다. 상기 착화제는 암모니아, 히드라진, 알칸올아민, 알코올 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 지지체는 광흡수층을 포함하는 기판 또는 전극일 수 있다. 상기 지지체의 전부 또는 표면부가 반응 용액에 침지될 수 있다.
상기 지지체의 열처리는 지지체가 반응 용액과 접촉하는 표면부의 온도가 약 20 내지 약 100℃의 범위가 되도록 실시할 수 있다.
상기 지지체의 열처리는 로더의 전기적 가열 또는 램프 가열일 수 있다. 상기 로더와 지지체는 각각 30% 이상의 열전도도를 가질 수 있고, 상기 로더와 지지체는 각각 50% 이상의 투과도를 가질 수 있다.
상기 반응 챔버는 교반기 또는 초음파 진동기를 더 포함할 수 있다.
기타 본 발명의 다른 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
상기 박막 태양 전지의 제조방법 및 제조장치는 박막 태양 전지의 공정비용과 폐액/폐수 관리 비용을 감소시킬 수 있으며, 전기적/광학적 특성이 우수한 버퍼층을 제공할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 기판 등의 부분이 다른 구성요소 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다.
이하 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 태양 전지의 제조방법을 설명한다.
도 1은 박막 태양 전지의 제조공정을 도시한 도면이다. 먼저 반응 용액(104)을 반응 챔버(10)에 투입한다. 지지체(supporter, 100)를 로더(loader, 102)에 고정한 다음 반응 챔버(10) 내부에 위치하도록 한다(S11). 반응 용액(104) 투입은 로더(102) 설치 후 실시할 수도 있다.
상기 반응 용액은 금속 원료물질 및 착화제를 포함할 수 있다. 상기 금속 원료물질은 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 인듐(In), 수은(Hg) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 화합물일 수 있다. 상기 금속 원료물질은 용매에 용해되면 제한 없이 사용가능하며, 일 예로는 할라이드, 알콕사이드, 카르복실산염, 암모늄염, 탄산염, 질산염, 황산염 등의 염 형태일 수 있다. 반응 용액 내에서 상기 금속 원료물질은 0.001 M 내지 1 M 으로 사용될 수 있다. 상기에서와 같이 금속 원료물질을 소량으로 사용하더라도 원하는 위치에서 반응을 유도할 수 있다.
상기 착화제는 금속 원료물질의 금속과 착체를 형성하며, 구체적인 예로는 암모니아, 히드라진, 알칸올아민, 알코올 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 암모니아는 암모니아 용액 상태로 존재하며, NH4OH와 NH3 의 혼합물 상태로 존재하여 반응 용액의 산도를 조절할 수 있다. 상기 알칸올아민은 C1 내지 C6의 알칸올을 포함하며, 이의 구체적인 예로는 트리메탄올아민, 트리에탄올아민 등을 들 수 있다. 상기 알코올은 ROH로 표시될 수 있으며 상기 R은 C1 내지 C6의 알킬이다. 상기 착화제는 0.1 M 내지 10 M 으로 사용될 수 있다. 상기에서와 같이 착화제를 소량으로 사용하더라도 원하는 위치에서 반응을 유도할 수 있다.
상기 반응 용액(104)은 음이온 원료물질을 더 포함할 수 있다. 상기 음이온 원료물질은 S, Se, O, OH 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 음이온을 함유하는 화합물일 수 있다. 상기 음이온 원료물질로는 황, 셀렌, 산소, 하이드록사이드 등을 포함하는 유기화합물이 사용될 수 있으며, 구체적인 예로는 티오우레아(thiourea, (SC(NH2)2), 셀레노우레아(selenourea, SeC(NH2)2) 등이 사용될 수 있다. 상기 음이온 원료물질은 상기 금속 원료물질에 대하여 0.001 M 내지 5 M 으로 사용될 수 있다. 상기 반응 챔버(10)에는 상기 반응 용액(104)을 반응 챔버(10) 내에 투입하기 위한 반응 용액 투입구(10a)와 반응 후 생성된 폐수를 배출하기 위한 폐수 배출구(10b)가 구비되어 있다. 이러한 반응 용액 투입구(10a)와 폐수 배출구(10b)의 위치와 개수는 다양하게 조절할 수 있다.
상기 로더(102)는 반응 챔버(10) 내에서 상하로 이동할 수 있도록 설계되어 있어서 반응 시작 전에는 반응 용액(104)에 지지체(100)이 접촉하지 못하도록 할 수 있어 반응 용액(104)의 낭비를 방지할 수 있다.
상기 로더(102)에 지지체(100)를 고정하는 방법으로는 지지체(100)에 진공흡착 구멍을 형성하여 지지체(100)를 로더(102)에 밀착시켜 고정할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지지체(100)는 광흡수층(106)을 포함하는 기판, 또는 전극일 수 있다. 상기 지지체(100) 위에 광흡수층(106)이 위치한다.
상기 기판으로는 단단한(hard) 재질의 기판 또는 유연성(flexible) 재질의 기판을 사용한다. 예를 들어, 기판(1)으로 단단한 재질의 기판을 사용하는 경우, 유리 플레이트, 석영 플레이트, 실리콘 플레이트, 합성수지 플레이트, 금속 플레이트 등을 포함할 수 있다. 상기 합성수지로는 폴리에틸렌타프탈레이트(polyethylenenaphtnalate, PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate; PET), 폴리카보네이트, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리노르보넨(polynorbornene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 등이 있다. 상기 금속 플레이트로는 스테인리스 호일, 알루미늄 호일 등이 사용될 수 있다.
상기 지지체(100)가 기판인 경우 기판과 광흡수층(106) 사이에 후면 전극이 위치할 수 있다. 이러한 후면 전극은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등으로 이루어질 수 있다.
상기 지지체(100)가 전극인 경우 이 전극은 전면 전극이 되며, 일반적으로 광투과도 저하를 최소화하고 비저항이 낮으며 표면 거칠기가 양호한 ZnO:Al, ZnO:B, SnO2 또는 ITO(indium tin oxide)의 물질로 같은 투명 도전 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 이루어진다. 이 전극 위에 버퍼층이 형성될 수 있다.
상기 광흡수층(106)은 반도체 물질을 포함하며, 이러한 반도체 물질의 예로는 II-Ⅳ족 화합물; II-Ⅲ족; Ⅳ-VI족 화합물 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 상기 II-VI족 화합물은 CdS, ZnS, CdSe, ZnSe, ZnO 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고; 상기 II-Ⅲ족 화합물은 In2S3, In3Se3 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고; 상기 Ⅳ-VI족 화합물은 SnO2, SnS2, SnSe2 등의 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 이들의 조합으로서 Zn-S-OH, Zn-S-O-OH, Zn-Mg-O, Cd-Zn-S, In-Ga-S, In-O-OH, In-S-O, In-S-O-OH 등의 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 반응 용액(104)에 상기 광흡수층(106)이 침지되도록 상기 로더(102)를 반응 챔버(10) 내에 배치한 후 상기 로더(102)에 열을 가하여 광흡수층(106) 위에 버퍼층(108)이 형성되도록 한다(S12).
금속 원료물질로 Cd 함유염을 사용하고 음이온 원료물질로 황(S) 함유염을 사용하고 착화제로 암모니아를 사용하는 반응 용액(104)의 경우 반응 용액(104) 내에서 일어나는 하기 반응식 1 또는 지지체(100)의 광흡수층(106) 표면부에서 일어나는 하기 반응식 2에 따라 CdS가 생성된다.
[반응식 1]
Cd2 + + 4NH3 ---> Cd(NH3)4 2+
Cd[NH3]4 2+ + 2OH----> [Cd(OH)2]ads+ 4NH3
[Cd(OH)2]ads + SC(NH2)2 ----> Cd(SC(NH2)2(OH)2]ads
Cd(SC(NH2)2(OH)2]ads ---> CdS + CN2H2 + 2H2O
상기 반응식에서 'ads'는 광흡수층(106)에 흡착(adsorption)되는 것을 의미한다.
[반응식 2]
Cd2 + + 4NH3 ---> Cd(NH3)4 2+
SC(NH2)2 + OH- ---> SH- + H2O +CN2H2
SH- + OH- ---> S2 - + H2O
Cd2 + + S2 - ---> CdS
상기 반응식 1은 균질 반응(homogenous reaction)이고 상기 반응식 2는 불균질 반응(heterogeneous reaction)이다. 상기 반응식 1은 반응 용액(104) 내에서 CdS 입자(particle)를 형성하므로 치밀하지 못하고 투과도가 감소된 막을 형성하나, 반응식 2는 광흡수층(106)의 표면부에서 일어나는 반응이므로 치밀하고 투명한 막을 형성할 수 있다. 따라서 버퍼층(108) 형성시 반응식 1은 억제하고 반응식 2를 촉진시키는 것이 좋다.
반응 용액(104)을 가열하면 반응 용액(104) 내에서 입자가 발생하는 균질 반응이 억제되기 어렵다. 따라서 반응 용액(104)을 열처리하지 않고 상기 로더(102)에 부분적으로 열을 가하여 지지체(100)를 열처리하여 광흡수층(106)의 표면부에서 반응식 2의 불균질 반응이 진행되도록 함으로써 치밀하고 투과도가 높은 버퍼층(108)이 형성되도록 한다(S12).
이와 같이 로더(102)에 부분적으로 열을 가하는 경우 반응 용액(104) 자체의 온도가 낮으므로 균질 반응이 억제되고 이에 따라 소모되는 화합물의 양도 감소한다. 또한 광흡수층(106) 표면부에서의 불균질 반응을 촉진하여 우수한 전기적/광학적 특성을 가지는 버퍼층(108)을 형성할 수 있다. 즉 버퍼층(108)이 치밀하면 개방회로전압(Voc)의 상승되며, 투과도가 높으면 Jsc가 향상된다. 향상된 개방회로전압과 Jsc은 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 도 2에 도시된 바와 같이 로더(202)가 반응 챔버(20)의 위쪽에서 제공되도록 할 수도 있다. 반응 용액(204)을 반응 챔버(20)에 투입한 후 지지체(100)를 로더(202)에 고정한 다음 반응 챔버(20) 내부에 위치하도록 한다(S21).
상기 반응 용액(204)는 금속 원료물질 및 착화제를 포함하며, 선택적으로 음이온 원료물질을 포함할 수 있다. 상기 금속 원료물질, 착화제 및 음이온 원료물질은 상기 반응용액(104)에서 설명된 바와 같다.
광흡수층(106)의 표면부를 반응 용액(204)에 침지시킨 후 열을 가하여 버퍼층(108)을 형성시킬 수 있다(S22). 상기 반응 챔버(20)에는 상기 반응 용액(204)을 반응 챔버(20) 내에 투입하기 위한 반응 용액 투입구(20a)와 반응 후 생성된 폐수를 배출하기 위한 폐수 배출구(20b)가 구비되어 있다. 이러한 반응 용액 투입구(20a)와 폐수 배출구(20b)의 위치와 개수는 다양하게 조절할 수 있다.
도 2에서와 같이 버퍼층(108)이 형성될 광흡수층(106)의 표면부만 반응 용액(204)에 접촉시키는 경우 균질반응에 의하여 반응 용액(204) 내에서 입자가 생성되더라도 중력의 영향을 받아 광흡수층(106) 표면부에 부착될 가능성이 낮다. 따라서 버퍼층(108)이 불균질 반응에 의해서 형성되므로 막의 전기적/광학적 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한 지지체(100)의 광흡수층(106)의 표면부만이 반응 용액(204)에 침지되면 되므로 반응 용액의 양을 감소시킬 수 있다.
또한 상기 반응 챔버(10, 20)에는 반응 용액을 균일하게 유지하기 위한 교반기를 더 포함할 수 있다.
균질 반응에 의하여 형성된 입자가 광흡수층(106)의 표면부에 부착되지 못하도록 도 1 및 도 2에 도시된 로더(102, 202)에 초음파 진동기를 추가로 부착할 수도 있다.
상기 지지체(100)를 열처리하는 방법으로는 로더(102, 202)에 전기적 가열장치 또는 광학적 가열장치를 설치하여 실시할 수 있다. 도 3과 도 4는 각각 전기적 가열장치와 광학적 가열장치를 포함하는 반응 챔버를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3에 도시된 바와 같이 전기 히터(206)를 상기 로더(202)에 부착시켜 지지체(100)을 열처리할 수 있다. 이러한 히터(206)는 로더(202)의 지지체(100) 부착면의 반대면에 위치할 수 있으며, 복수개로 설치될 수도 있다. 상기 로더(202) 및 지지체(100)는 각각 30% 이상의 열전도도를 가지거나 50% 내지 95% 이하의 열전도도를 가질 수 있다. 여기서 열전도도는 가열하는 에너지를 100이라고 할 때 기판을 가열하는데 사용되는 열을 의미한다.
도 4에 도시된 바와 같이 램프(208)를 상기 로더(202)에 부착하여 지지체(100)를 열처리할 수도 있다. 상기 램프(208)로는 할로겐 램프, 자외선(UV) 램프, 수은 램프 등이 사용될 수 있다. 이 경우 상기 로더(202) 또는 지지체(100)는 50% 이상의 투과도를 가지며, 70% 내지 98% 이하의 투과도를 가질 수 있다. 상기 로더(202)와 지지체(100)의 투과도에 따라 적절한 파장영역의 램프를 선택하여 지지체(100) 및 그 상부에 위치하는 광흡수층(106)을 신속하게 가열시킬 수 있다.
버퍼층(108)이 형성되는 광흡수층(106)의 표면부의 온도가 약 20 내지 약 100℃의 범위가 되도록 열처리하는 것이 좋다. 상기 범위로 열처리하는 것이 막의 전기적/광학적 특성을 향상시킬 수 있으며, 성막 속도도 우수하게 조절할 수 있다.
상기 버퍼층(108)은 CdS, ZnS, ZnO, ZnSe, In2S3, ZnSxO1 -x(0<x<1), ZnSxOyOH1 -x-y(0<x+y<1), In2(SxO1 -x)3 (0<x<1), In2(SxOyOH1 -x-y)3 (0<x+y<1) 등으로 이루어질 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 도 1 및 도 2에 도시된 공정은 배치식(batch) 또는 연속식 공정에 적용함으로써 박막 태양 전지의 양산성을 높일 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 태양 전지의 제조공정을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 박막 태양 전지의 제조공정을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기적 가열장치를 포함하는 박막 태양 전지의 제조장치를 개략적으로 보인 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학적 가열장치를 포함하는 박막 태양 전지의 제조장치를 개략적으로 보인 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 20: 반응챔버 100: 지지체
102, 202: 로더 104, 204: 반응 용액
106: 광흡수층 108: 버퍼층
10a, 20a: 반응 용액투입구 10b, 20b: 폐수배출구
206: 전기히터 208: 램프

Claims (22)

  1. 반응 용액을 반응 챔버에 투입하는 단계;
    지지체(supporter)를 로더(loader)에 고정하는 단계;
    상기 반응 용액에 지지체가 침지되도록 상기 로더를 반응 챔버 내에 배치하는 단계 및
    상기 지지체를 열처리하면서 버퍼층을 성막하는 단계
    를 포함하는 박막 태양 전지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반응 용액은 금속 원료물질 및 착화제(complexing agent)를 포함하는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 금속 원료물질은 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 인듐(In) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 착화제는 암모니아, 히드라진, 알칸올아민, 알코올 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반응 용액은 음이온 원료물질을 더 포함하는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 음이온 원료물질은 S, Se, O, OH 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 음이온을 함유하는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 지지체는 광흡수층을 포함하는 기판, 또는 전극인 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지지체는 전부 또는 표면부가 반응 용액에 침지되는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 지지체의 열처리는 지지체가 반응 용액과 접촉하는 표면부의 온도가 20 내지 100℃의 범위가 되도록 실시되는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 지지체의 열처리는 로더의 전기적 가열 또는 램프 가열로 실시하는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 로더와 지지체는 각각 30% 이상의 열전도도를 가지는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 로더와 지지체는 각각 50% 이상의 투과도를 가지는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 반응 챔버는 교반기를 더 포함하는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 반응 챔버는 초음파 진동기를 더 포함하는 것인 박막 태양 전지의 제조방법.
  15. 반응 용액 투입구와 폐수 배출구가 구비된 반응 챔버; 및
    상기 반응 챔버 내부에 위치하는 상하 이동이 가능한 로더
    를 포함하는 박막 태양 전지의 제조장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 로더는 반응 챔버의 상부에 위치하는 것인 박막 태양 전지의 제조장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 지지체는 광흡수층을 포함하는 기판, 또는 전극인 것인 박막 태양 전지의 제조장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 반응 챔버는 지지체의 가열을 위한 전기적 가열장치 또는 램프를 더 포함하는 것인 박막 태양 전지의 제조장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 로더와 지지체는 각각 30% 이상의 열전도도를 가지는 것인 박막 태양 전지의 제조장치.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 로더와 지지체는 각각 50% 이상의 투과도를 가지는 것인 박막 태양 전 지의 제조장치.
  21. 제15항에 있어서,
    상기 반응 챔버는 교반기를 더 포함하는 것인 박막 태양 전지의 제조장치.
  22. 제15항에 있어서,
    상기 반응 챔버는 초음파 진동기를 더 포함하는 것인 박막 태양 전지의 제조장치.
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