KR20110005704A - 광원 장치, 노광 장치 및 제조 방법 - Google Patents

광원 장치, 노광 장치 및 제조 방법 Download PDF

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KR20110005704A
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

균일한 강도 분포를 갖는 광을 사출하는 광원 장치. 플라이 아이 광학계를 구비하는 노광 장치의 플라이 아이 광학계를 향해 투사되는 광 빔을 생성하는 광원 장치로서, 광원과, 광원으로부터 사출된 광 빔을 플라이 아이 광학계에 반사하는 거울을 구비하고, 거울은, 플라이 아이 광학계를 향해 투사되는 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 광원으로부터의 광 빔을 반사한다. 거울은, 플라이 아이 광학계를 향해 투사되는 광 빔의 주변부의 강도를 단조적으로 감소시켜 광을 반사하여도 좋다. 또한, 거울은, 플라이 아이 광학계를 향해 투사되는 광 빔의 주변부의 강도를 0까지 감소시켜 광을 반사하여도 좋다.

Description

광원 장치, 노광 장치 및 제조 방법{LIGHT SOURCE DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 광원 장치, 노광 장치 및 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 포토리소그래피에 이용하는 노광광을 발생시키는 광원 장치와, 해당 광원 장치를 포함하는 노광 장치와, 해당 노광 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법과 관한 것이다. 또, 본 출원은, 하기의 미국 출원과 관련되고, 하기의 미국 출원으로부터의 우선권을 주장하는 출원이다. 문헌의 참조에 의한 통합이 인정되는 지정국에 대해서는, 하기의 출원에 기재된 내용을 참조에 의해 본 출원에 통합하여, 본 출원의 일부로 한다.
61/071,045 출원일 2008년 04월 09일
리소그래피 기술에서 이용되는 노광 장치는, 광원에서 발생한 광을, 조명 광학계를 통해 조명광으로서 레티클에 조사하여, 레티클에 의해 투과 또는 반사시킨 뒤에, 투영 광학계를 통해 노광광으로서 웨이퍼에 조사한다. 이에 의해, 웨이퍼에 도포된 감광 재료를 감광시킨다.
상기와 같은 노광 장치에 있어서, 조명 광학계로부터 레티클에 조사되는 조명광은 균일한 조도 분포를 갖는 것이 바람직하다. 그래서, 플라이 아이 렌즈 또는 플라이 아이 반사경 등을 이용함으로써, 조명광의 조도 분포를 균일하게 하는 것이 제안되고, 또한, 실행되고 있다(예컨대 특허 문헌 1을 참조).
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 공보 제 2006-019510 호
그러나, 상기한 바와 같이 조도 분포를 균일화하는 디바이스를 이용하더라도, 조명광에 현저한 조도 분포가 남는 경우가 있었다.
그래서 본 발명의 하나의 측면에 있어서는, 조명광의 조도 분포를 균일하게 하는 것을 목적으로 한다. 이 목적은 청구의 범위에 있어서의 독립항에 기재된 특징의 조합에 의해 달성된다. 또한 종속항은 본 발명의 더 유리한 구체예를 규정한다.
상기 과제를 해결하도록, 본 발명의 제 1 형태로서, 노광 장치가 갖는 플라이 아이 광학계를 향해 투사하는 광 빔을 생성하는 광원 장치로서, 플라이 아이 광학계에 입사되는, 광 빔의 주변부의 강도가 중심부의 강도보다 작은, 광원 장치가 제공된다. 이 경우에 있어서, 광원 장치는, 광원과, 광원으로부터 사출된 광 빔을 플라이 아이 광학계를 향해 투영하는 광학계를 구비하여도 좋고, 광학계는, 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 광 빔을 투영하여도 좋다.
본 발명의 제 2 형태로서, 플라이 아이 광학계를 구비하는 노광 장치의 플라이 아이 광학계를 향해 투사되는 광 빔을 생성하는 광원 장치로서, 광원과, 광원으로부터 사출된 광 빔을 소정 면에 배치되는 플라이 아이 광학계를 향해 반사하는 거울을 구비하고, 거울은, 소정 면에서의 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 광원으로부터의 광 빔을 반사하는 광원 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 제 3 형태로서, 상기 광원 장치와, 플라이 아이 광학계와, 광원 장치로부터의 광에 근거하여 소정의 패턴을 조명하는 조명 광학계를 구비한 노광 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 제 4 형태로서, 상기 노광 장치를 이용하여, 소정의 패턴을 기판에 노광하는 노광 공정과, 소정의 패턴이 전사된 기판을 현상하여, 소정의 패턴에 대응하는 형상의 마스크층을 기판의 표면에 형성하는 현상 공정과, 마스크층을 통해 기판의 표면을 가공하는 가공 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법이 제공된다.
상기 발명의 개요는, 본 발명의 필요한 특징의 모두를 열거한 것이 아니다. 또한, 이들 특징군의 부분적인 조합도 발명이 될 수 있다.
본 발명에 의하면, 노광 장치에 있어서, 피노광면에 조도 분포가 균일한 광 빔을 조사할 수 있다.
도 1은 노광 장치(100)의 구조를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 플라이 아이 반사경(134, 136)의 구성을 나타내는 정면도이다.
도 3은 집광 반사경(132)의 형상을 나타내는 단면도이다.
도 4는 집광 반사경(132)의 일부의 형상을 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 5는 집광 반사경(132)의 사출광의 강도 분포를 나타내는 도면이다.
도 6은 플라이 아이 반사경(134)의 요소 광학계(134a)의 각각을 거친 광 빔에 의한 조도 분포를 나타내는 도면이다.
도 7은 플라이 아이 반사경(134)의 요소 광학계(134a)의 각각을 거친 광 빔에 의한 조도 분포를 나타내는 도면이다.
도 8은 피노광면에서의 조도 분포를 나타내는 도면이다.
도 9는 차광판(131)의 형상을 나타내는 평면도이다.
도 10은 집광 반사경(132)의 다른 구조를 나타내는 부분 확대 단면도이다.
도 11은 집광 반사경(132)의 또 다른 구조를 나타내는 부분 확대 단면도이다.
도 12는 집광 반사경(132)의 또 다른 구조를 나타내는 단면도이다.
도 13은 집광 반사경(132)을 형성하는 광학 부재(139)의 형상을 나타내는 단면도이다.
도 14는 집광 반사경(132)의 조도 분포를 나타내는 도면이다.
도 15는 광원부(120)를 포함하는 노광 장치(100)를 이용한 제조 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 16은 광원부(120)를 포함하는 노광 장치(100)를 이용한 제조 방법의 다른 일례를 나타내는 흐름도이다.
이하, 발명의 실시의 형태를 통하여 본 발명을 설명한다. 그러나, 이하의 실시 형태는 청구의 범위에 따른 발명을 한정하는 것이 아니다. 또한, 실시 형태에서 설명되고 있는 특징의 조합의 전부가 발명의 해결 수단에 필수적이라고는 한정되지 않는다.
도 1은 노광 장치(100) 전체의 구조를 모식적으로 나타내는 도면이다. 노광 장치(100)는, 광원부(120), 조명 광학계(130), 레티클 스테이지(152), 투영 광학계(160) 및 웨이퍼 스테이지(172)를 포함한다.
또, 상기 노광 장치(100)의 대부분은, 기밀(氣密)한 진공조(110)의 내부에 형성되지만, 광원부(120)의 일부는, 진공조(110)의 외부에 배치된다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 도면의 기재에 따라 위, 아래 등으로 기재하는 경우가 있다. 그러나 노광 장치(100)의 내부의 레이아웃이 그 방향에 한정되는 것은 아니다.
광원부(120)는, 레이저 장치(122), 집광 렌즈(124), 타겟 노즐(126) 및 집광 반사경(132)을 포함한다. 레이저 장치(122)는 레이저 광을 발생시켜, 집광 렌즈(124)를 통해 진공조(110)의 내부를 향해 조사한다.
타겟 노즐(126)은, 진공조(110)의 내부에 배치된 선단으로부터, 기체 상태 또는 액체 상태의 타겟 재료를 토출한다. 집광 반사경(132)은, 타원호 형상의 단면 형상을 갖는 반사면을 갖고, 타겟 재료에 대한 레이저 광의 조사 부분이 해당 타원호의 한쪽의 초점 f1에 겹치도록 배치된다.
광원부(120)에 있어서, 타겟 노즐(126)로부터는, 타겟 재료가 간헐적으로 토출된다. 레이저 장치(122)로부터 사출된 레이저 광은, 집광 렌즈(124)에 의해 수속되어, 토출된 타겟 재료에 대하여 높은 밀도로 조사된다. 이에 의해, 플라즈마화한 타겟 재료로부터 펄스 형상의 극단 자외선이 방사된다. 방사된 극단 자외선은 집광 반사경(132)에 의해 집광되어 집광 반사경의 반사면의 다른 쪽의 초점 f2에 일단 집광된 후, 발산 광 빔이 되어 조명 광학계(130)에 유도된다. 또, 본 실시 형태에서는, 광학계로서 집광 반사경(132)을 예시하지만, 광학계는 집광 반사경에 한정되지 않고, 렌즈 등의 투과형 광학 부재를 적용할 수도 있다.
조명 광학계(130)는, 한 쌍의 플라이 아이 반사경(134, 136)과, 평면 반사경(138)을 포함한다. 입사측에 배치되는 플라이 아이 반사경(134)은, 병렬로 배열된 복수의 오목 거울을 구비하고, 후술하는 피조사면 또는 노광면으로서의 레티클(150) 혹은 웨이퍼(피노광면)(170)와 광학적으로 공역인 위치 또는 그 근방에 배치되어 있다. 입사측의 플라이 아이 반사경(134)에 입사된 EUV 광은, 입사측의 플라이 아이 반사경(134)에 의해 반사되어, 플라이 아이 광학계를 구성하는 다른 쪽의 사출측의 플라이 아이 반사경(136)에 입사된다. 사출측의 플라이 아이 반사경(136)은, 병렬로 배열된 복수의 오목 거울을 구비하고, 조명 광학계의 동공면 또는 그 근방에 배치되어 있다.
도 2는, 플라이 아이 반사경(134, 136)의 구성을 나타내는 정면도이다. 도 2(a)는 입사측의 플라이 아이 반사경(134)을, 도 2(b)는 사출측의 플라이 아이 반사경(136)을 각각 나타낸다.
입사측의 플라이 아이 반사경(134)의 각각의 요소 광학계(134a) 및 사출측의 플라이 아이 반사경(136)의 각각의 요소 광학계(136a)는, 일대일로 대응한 상태로 각각 배열되어 있고, 동일한 초점 거리를 갖고 있다. 여기서, 각각의 요소 광학계(134a, 136a)는 오목 거울을 구비할 수 있다. 여기서는, 입사측의 플라이 아이 반사경(134)의 각각의 요소 광학계(134a)는, 복수의 열 L1~L6을 따라 배열되어 있다.
도 1로 되돌아가, 입사측의 플라이 아이 반사경(134)에 입사된 광속은, 입사측의 플라이 아이 반사경(134)의 각각의 요소 광학계(134a)에 의해 파면 분할된다. 입사측의 플라이 아이 반사경(134)에 의해 파면 분할된 다수의 광속은, 사출측의 플라이 아이 반사경(136)에 입사된다. 사출측의 플라이 아이 반사경(136)의 각각의 요소 광학계(136a)는, 파면 분할된 각각의 광속을 하나씩 받는다. 여기서, 입사측의 플라이 아이 반사경(134)의 요소 광학계(134a)와 웨이퍼(170)상의 피노광면이 공역이 되도록 배치되어 있으므로, 사출측의 플라이 아이 반사경(136)이 쾰러 조명에 있어서의 면 광원이 된다.
플라이 아이 반사경(136)으로부터 출사된 광은, 평면 반사경(138)에 대하여 얕은 입사각으로 반사된 후에, 레티클(150)을 향해 조사된다. 여기서, 사출측의 플라이 아이 반사경(136)의 각각의 요소 광학계(136a)는, 소정의 오목면상에 배열되어 있다. 즉, 사출측의 플라이 아이 반사경(136)은 콘덴서 광학계를 겸용하고 있다. 이 때문에, 사출측의 플라이 아이 반사경(136)의 각각의 요소 광학계(136a)에서 반사된 광 빔은, 레티클(150)상을 중첩적으로 조명한다.
레티클(150)은, 반사면을 아래쪽으로 향해 레티클 스테이지(152)에 유지된다. 레티클(150)은, 유리 기판 등을 기본 재료로 하여, 예컨대, 다층막에 의해 형성된 반사층과, 해당 반사층의 일부의 표면을 덮는 흡수층을 갖는다.
반사층은 극단 자외선을 반사한다. 또한, 흡수층은 극단 자외선을 흡수한다. 따라서, 레티클(150)에 의해 반사된 광 빔에는, 흡수층의 패턴에 근거한 조도 분포가 형성되어, 투영 광학계(160)에 입사된다.
투영 광학계(160)는, 복수의 오목면 반사경(161, 164, 166)과, 복수의 볼록면 반사경(162, 163, 165)을 포함하고, 전체적으로, 레티클(150)의 반사광을 수속시키는 축소 광학계를 형성한다. 또, 오목면 반사경(161, 164, 166) 및 볼록면 반사경(163, 165)은, 투영 광학계(160)에 있어서의 각 반사광의 전파를 방해하지 않도록, 일부를 잘라낸 형상을 갖는다. 또한, 투영 광학계(160)는, 결상 특성, 파면 수차 등을 보정할 목적으로, 도시되어 있지 않은 광학 특성 보정부를 구비하는 경우가 있다.
레티클(150)에서 반사된 광 빔은, 복수의 반사경(161~166)에 의해 순차적으로 반사된 후, 웨이퍼 스테이지(172)의 윗면에 유지된 웨이퍼(170) 표면에 조사된다. 웨이퍼(170)에 조사되는 광 빔은, 레티클(150)의 흡수층의 형상을 반영한 패턴의 강도 분포를 갖는다. 한편, 웨이퍼(170)의 표면에는 감광성을 갖는 포토레지스트가 도포되어 있다.
또, 레티클 스테이지(152) 및 웨이퍼 스테이지(172)는, 각각, 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 레티클 스테이지(152) 및 웨이퍼 스테이지(172)에 유지된 레티클(150) 및 웨이퍼(170)도, 레티클 스테이지(152) 및 웨이퍼 스테이지(172)의 이동에 따라 이동한다.
이에 의해, 노광 장치(100)에 있어서는, 레티클 스테이지(152) 및 웨이퍼 스테이지(172)가 동기하여 이동하면서 노광할 수 있다. 본 실시 형태에서는 이 스캔 노광과, 레티클(150)에 대하여 웨이퍼(170)를 스텝 이동시키는 순서를 반복하는 스텝 앤드 스캔 방식의 노광을 행한다. 또한, 레티클(150) 및 웨이퍼(170)를 함께 정지시켜 노광하는 순서와, 레티클(150)에 대하여 웨이퍼(170)를 스텝 이동시키는 순서를 반복하는 스텝 앤드 리피트 방식으로 노광할 수도 있다.
이와 같이, 노광 장치(100)에 있어서 노광되는 웨이퍼(170)는, 스캔 방향으로 이동하면서 노광되더라도 좋다. 또한, 이러한 노광의 형태를 감안하여, 집광 반사경(132)은, 스캔 방향에 대략 수직인 비스캔 방향으로 대칭으로 광을 반사하여도 좋다. 또한, 집광 반사경(132)은, 스캔 방향에 대략 수직인 비스캔 방향으로 대칭으로 배치된 복수의 거울을 갖더라도 좋다. 이들 구조에 의해, 반사 면적이 보다 큰 집광 반사경(132)을 용이하게 제조할 수 있다.
또, 상기 노광 장치(100)에 있어서 광원부(120)는 극단 자외선을 발생시키지만, g선(436㎚), i선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), F2 레이저(157㎚), Kr2 레이저(146㎚), Ar2 레이저(126㎚) 등의 다른 파장을 출력하는 광원부(120)를 이용하여 노광 장치(100)를 형성할 수도 있다.
이와 같이, 플라이 아이 반사경(134, 136)을 구비하는 노광 장치(100)의 플라이 아이 반사경(134)을 향해 투사되는 광 빔을 생성하는 광원부(120)로서, 발생된 광 빔을 플라이 아이 반사경(134)을 향해 반사하는 집광 반사경(132)을 구비한 광원부(120)가 형성된다. 또한, 광원부(120)와, 플라이 아이 반사경(134, 136)과, 광원부(120)로부터의 광에 근거하여 레티클(150)을 조명하는 조명 광학계(130)를 구비한 노광 장치(100)가 형성된다.
도 3은 집광 반사경(132)의 반사면의 형상을 나타내는 단면도이다. 집광 반사경(132)은, 반경 D1을 갖는 반사면에, 중심축 A의 주위에 형성된 중심부 C와, 중심부 C의 바깥쪽에 형성된 주변부 E를 포함한다.
중심부 C는, 대략 타원호를 이루는 단면 형상을 갖는다. 주변부 E는, 중심부 C로부터 매끄럽게 연속하여 형성되지만, 직경 방향의 경사의 변화가 중심부 C와는 다르다.
즉, 중심부 C의 단면은 타원호를 이루고, 그 한쪽의 초점에 있어서 발생한 극단 자외선을 반사하므로, 반사된 극단 자외선은, 타원호의 다른 쪽의 초점으로 향한다. 이에 비하여, 주변부 E에서는, 반사광이, 상기 다른 쪽의 초점으로부터 집광 반사경(132)의 외주측으로 빗나가도록, 반사면의 경사가 연속적으로 변화한다.
이와 같이, 집광 반사경(132)은, 직경 방향에 대하여, 중심부 C에서의 소정의 점에서의 반사면의 곡률과, 주변부 E에서의 소정의 점에서의 반사면의 곡률이 다른 곡면을 갖더라도 좋다. 즉, 집광 반사경(132)은, 직경 방향에 대하여, 한 쌍의 플라이 아이 광학계 중 앞쪽의 플라이 아이 반사경(134)이 배치되는 소정 면에 도달하는 광 빔의 중심부에 대응하는 광선이 반사되는 위치에서의 곡률과, 이 소정 면에 도달하는 광 빔의 주변부에 대응하는 광선이 반사되는 위치에서의 곡률이 다른 곡면 반사면을 갖고 있더라도 좋다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이, 집광 반사경(132)으로부터 사출되는 광 빔에는 독특한 조도 분포가 형성된다.
도 4는 집광 반사경(132)의 일부의 형상을 확대하여 나타내는 단면도이다. 도시한 바와 같이, 집광 반사경(132)의 주변부 E의 최외주에 있어서, 반사면에 대한 접선의 경사는 반전하여, 중심축 A에 직교하는 면에 대하여 정(正)의 각도를 이룬다.
이에 의해, 집광 반사경(132)의 최외주에 있어서 반사된 극단 자외선은, 플라이 아이 반사경(134)에 입사되지 않고 확산된다. 이와 같이, 집광 반사경(132)은, 플라이 아이 레티클(150)을 향해 투사되는 광 빔의 주변부의 강도를 0까지 감소시켜 극단 자외선을 반사하여도 좋다.
도 5는 집광 반사경(132)에서 반사되어 소정 면에 배치되는 입사측의 플라이 아이 반사경(134)을 향해 조사되는 광 빔의 상기 소정 면에서의 조도 분포를 나타내는 도면이다. 도 5에 있어서, 세로축은 광 강도 A, 가로축은 소정 면상의 특정한 한 방향을 따른 위치를 나타내고 있다. 또, 도 5에서는 특정한 한 방향을, 도 2(a)에 있어서의 좌우 방향으로 하고 있고, 입사측의 플라이 아이 반사경(134)의 각 요소 광학계(134a)가 배열되는 복수의 열 L1~ L6을 함께 도시하고 있다. 도시한 바와 같이, 중앙부 C에 의해 반사된 광 빔은, 광 강도의 변화가 일정하게 되는 조도 분포를 갖는다. 한편, 주변부 E에서는, 광 강도의 변화의 비율이 변화하지만, 광 빔의 가장 둘레에 있어서 광 강도가 0이 될 때까지 연속적으로 변화한다.
한편, 주변부 E가 형성되지 않은 경우, 즉, 주변부 E까지 곡률의 변화가 중심부 C와 같은 경우는, 도면 중에 점선으로 나타내는 바와 같이, 집광 반사경(132)의 최외주까지 광 강도의 변화는 일정하게 된다. 단, 집광 반사경(132)의 최외주에서 반사된 광 빔의 가장 둘레에 있어서 광 강도는 돌연 소멸하므로, 광 강도 분포의 양단에는, 급격한 피크 P가 형성된다.
도 6은 주변부 E가 형성된 경우에 있어서의 입사측의 플라이 아이 반사경(134)의 각 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포를 나타내는 도면이다. 도 6(a)는 열 L1에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 도 6(b)는 열 L2에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 도 6(c)는 열 L3에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 도 6(d)는 열 L4에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 도 6(e)는 열 L5에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 그리고, 도 6(f)는 열 L6에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포를 각각 나타낸다.
한편, 도 7은 주변부 E가 형성되지 않은 경우에 있어서의 입사측의 플라이 아이 반사경(134)의 각 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포를 나타내는 도면이다. 도 7(a)는 열 L1에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 도 7(b)는 열 L2에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 도 7(c)는 열 L3에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 도 7(d)는 열 L4에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 도 7(e)는 열 L5에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포, 그리고, 도 7(f)는 열 L6에 배열된 요소 광학계(134a)를 거친 광 빔의 피노광면에서의 조도 분포를 각각 나타낸다.
그리고, 도 8은 피노광면에서의 조도 분포를 나타내는 도면이다. 도 8(a)는 주변부 E가 형성된 경우에 있어서의 피노광면에서의 조도 분포를 나타내고, 도 8(b)는 주변부 E가 형성되지 않은 경우에 있어서의 피노광면에서의 조도 분포를 나타낸다. 여기서, 도 8(a)에 나타내는 조도 분포는 도 6(a)~도 6(f)의 각 조도 분포의 합이며, 도 8(b)에 나타내는 조도 분포는 도 7(a)~도 7(f)의 각 조도 분포의 합이다.
상술한 바와 같이, 입사측의 플라이 아이 반사경(134)의 각 요소 광학계(134a)의 각각이 피노광면과 광학적으로 공역이므로, 도 7(a) 및 도 7(f)에 나타내는 바와 같이 하나의 요소 광학계(134a) 내에서 급격한 피크 P가 형성되면, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 이 피크의 성분이 피노광면에서의 조도 분포에 단차 등의 고주파수 성분을 주어버린다. 이러한 조도 분포의 고주파 성분은, 조도 분포 보정 필터 혹은 가변 슬릿 등의 조도 분포 보정 수단으로도 보정하는 것이 매우 곤란하다.
이와 같이 플라이 아이 반사경(134, 136)은, 단일 요소 광학계(오목면 반사경)의 직경보다 큰 범위의 조도 분포를 균일화하는 작용을 갖지만, 단일 요소 광학계의 직경보다 작은 범위에서 급격하게 변화하는 조도 분포를 균일화할 수는 없다. 이 때문에, 조명 광학계(130)로부터 사출되는 광 빔에 불균일한 조도 분포가 남고, 최종적으로, 웨이퍼(170)상의 포토레지스트를 균일하게 노광할 수 없다.
한편, 도 6(a)~도 6(f)에 나타내는 바와 같이 하나의 요소 광학계(134a) 내에서 급격한 피크 P가 형성되지 않는 경우에는, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이 조도 분포가 단차 등의 고주파수 성분을 가지지 않아, 조도 분포 보정 필터 혹은 가변 슬릿 등의 조도 분포 보정 수단에 의해 조도 분포의 균일화를 도모할 수 있다. 또, 피크 P의 높이가 허용되는 조도 분포의 범위이면, 플라이 아이 반사경(134)에 입사되는 광 빔의 조도 분포 양단을 0까지 저하시키지 않더라도 충분하다.
이와 같이, 집광 반사경(132)은, 플라이 아이 반사경(134)을 향해 투사되는 광 빔의 중심부 C보다 주변부의 강도가 작아지도록 광 빔을 반사하는 광원부(120)가 형성된다. 또한, 집광 반사경(132)은, 플라이 아이 반사경(134)을 향해 투사되는 광 빔의 주변부의 강도를 연속적으로 감소시켜 광을 반사하여도 좋다. 또한, 집광 반사경(132)은, 플라이 아이 반사경(134)을 향해 투사되는 광 빔의 주변부 E의 강도를 단조적으로 감소시켜 극단 자외선을 반사하여도 좋다. 이에 의해, 광 빔의 주연부에 급격한 광 강도의 피크 P가 생기는 것을 억제하여, 플라이 아이 반사경(134, 136)에 의해 광 빔의 조도 분포를 균일화할 수 있다.
도 9는 도 5에 나타내는 조도 분포를 형성하는 경우에 이용하는 차광판(131)의 형상을 나타내는 평면도이다. 차광판(131)은, 전체적으로 집광 반사경(132)의 반사면보다 큰 직경을 갖고, 집광 반사경(132)으로부터 사출되는 광 빔의 직경보다 큰 개구를 갖는다. 또한, 개구의 안쪽을 향해 돌출된 다수의 돌기부(133)를 갖는다. 돌기부(133)의 각각은 선단을 향하고, 따라서, 개구의 중심을 향해 서서히 폭이 가늘어진다.
상기와 같은 차광판을, 집광 반사경(132)의 직전에 배치함으로써, 집광 반사경(132)이 사출하는 광 빔의 외주면 부근이, 돌기부(133)에 의해 차광된다. 또한, 광 빔이 차광되는 비율은, 광 빔의 중심에 가까이 감에 따라 감소된다. 이에 의해, 도 4에 나타낸 광 빔의 조도 분포를 형성할 수 있다.
이러한 차광판(131)을 이용한 경우, 집광 반사경(132)을 특별한 형상으로 할 필요가 없다. 또, 차광판(131)의 형상은 도시한 형상에 한정되는 것이 아니고, 주변부 E를 향해 차광 영역이 조밀해지는 형상을 임의로 선택할 수 있고, 예컨대, 주변부 E를 향해 개구율이 저하되는 메시(mesh) 형상으로 할 수도 있다.
이와 같이, 노광 장치(100)에 있어서, 집광 반사경(132)으로부터 플라이 아이 반사경(134)에 이르는 광로상에, 중심부 C보다 주변부 E를 향해 차광 영역이 조밀해지는 차광판(131)을 갖더라도 좋다. 이에 의해, 플라이 아이 반사경(134, 136)에 입사되는 광 빔의 광 강도의 변화에 급격한 피크 P가 생기는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 레티클(150)에, 조도 분포가 균일한 광 빔을 조사할 수 있다.
또한, 중심부 C보다 주변부 E를 향해 차광 영역이 조밀해지는 차광판(131)은, 집광 반사경(132)에 마련하더라도 좋다. 즉, 차광판(131)을 집광 반사경(132)에 동축으로 장착하여도 좋고, 집광 반사경(132)의 반사면에, 광 빔을 투과시키지 않는 층을 마련하더라도 좋다. 이에 의해, 광 빔의 광로상에 차광판(131)을 배치한 경우와 같은 효과가 얻어진다.
도 10은 집광 반사경(132)의 다른 구조를 나타내는 부분 확대 단면도이다. 도시한 바와 같이, 집광 반사경(132)은, 유리 또는 금속에 의해 형성된 지지체(135)와, 지지체(135)의 윗면에 형성된 다층막(137)을 갖는다. 다층막(137)은, Mo막 및 Si막을 반복하여 적층함으로써 형성되고, 막 두께를 적절히 선택함으로써, 극단 자외선 등도 효율적으로 반사할 수 있다.
또한, 이 집광 반사경(132)에서는, 주변부 E에서, 외주에 가까이 감에 따라 다층막(137)의 적층수가 감소된다. 이에 의해, 외주에 가까이 감에 따라 저하되는 반사율 분포를 형성할 수 있다. 또, 이러한 반사율 분포는, 다층막(137)의 층수를 변화시키는 구조 외에, 다층막(137)의 막 두께를 변화시키는 구조에 의해서도 형성할 수 있다.
이와 같이, 집광 반사경(132)은, 주변부 E의 반사율이 중심부 C의 반사율보다 작더라도 좋다. 이에 의해, 플라이 아이 반사경(134, 136)에 입사되는 광 빔의 광 강도의 변화에 급격한 피크 P가 생기는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 레티클(150)에, 조도 분포가 균일한 광 빔을 조사할 수 있다.
도 11은 집광 반사경(132)의 또 다른 구조를 나타내는 도면이다. 이 집광 반사경(132)도, 지지체(135)와, 그 표면에 형성된 다층막(137)을 갖고, 다층막(137)이 반사층을 형성한다. 다층막(137)의 표면은, 주변부 E에서 거칠게 되어 있다. 또한, 주변부 E에 형성된 거친 면은, 집광 반사경(132)의 외주에 가까이 감에 따라, 보다 거칠어지도록 형성된다.
이와 같이, 집광 반사경(132)은, 주변부 E의 표면이 중심부 C의 표면보다 거칠게 가공되어 있더라도 좋다. 이에 의해, 플라이 아이 반사경(134, 136)에 입사되는 광 빔의 광 강도의 변화에 급격한 피크 P가 생기는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 레티클(150)에, 조도 분포가 균일한 광 빔을 조사할 수 있다.
도 12는 집광 반사경(132)의 또 다른 구조를 나타내는 단면도이다. 이 실시 형태에 따른 집광 반사경(132)은, 복수의 광학 부재(139)와, 차광판(131)을 포함한다.
광학 부재(139)는, 광원부(120)로부터 방사된 극단 자외선의 일부를 수광하여 반사한다. 또한, 광학 부재(139)의 반사면은, 소정의 초점을 향해 반사광을 수속시키는 곡면을 갖는다.
또한, 집광 반사경(132)의 중앙에서는, 광원부(120)로부터 방사된 극단 자외선의 일부가, 광학 부재(139)에 입사되지 않고 직접 방사된다. 이 직접 방사된 광 빔의 광로상에는, 차광판(131)이 배치된다.
도 13은 도 12에 나타낸 집광 반사경(132)을 형성하는 광학 부재(139)의 형상을 나타내는 단면도이다. 광학 부재(139)의 각각은, 그 중심부 C에서, 소정의 초점을 향해 반사광을 수속시키는 타원호 형상의 곡면을 갖는다. 한편, 광학 부재(139)의 주변부 E에서는, 도 3 및 도 4에 나타낸 집광 반사경(132)과 마찬가지로 곡률의 변화의 비율이 다르다.
도 14는 도 12에 있어서 화살표 H로 나타내는 위치에 있어서의 광 빔의 조도 분포를 나타내는 도면이다. 광학 부재(139)의 각각의 반사광의 조도 분포는 도면 중에 실선으로 표시된다. 도시한 바와 같이, 각 광 빔에 있어서, 각각의 광 빔의 중심부 C에 대하여, 주변부 E의 광 강도가 대략 0까지 저하하고 있다. 이에 의해, 이 광 빔이 플라이 아이 반사경(134)에 입사된 경우에는, 급격한 피크가 없는, 균일한 조도 분포의 조명광이 발생한다.
한편, 광원부(120)로부터 직접적으로 사출된 광 빔은, 도면 중에 점선으로 표시된다. 이 광 빔은, 가장 안쪽의 광학 부재(139)에 의해 차단됨으로써 폭이 규정되므로, 주변부 E에서 신호 강도가 급격하게 저하하고 있다.
단, 도 12에 나타낸 바와 같이, 광원부(120)로부터 직접적으로 사출된 광 빔의 광로상에는 차광판(131)이 배치된다. 이에 의해, 이 광 빔은, 플라이 아이 반사경(134)에 입사되기 전에 주변부의 광 강도가 연속적으로 저하된다. 따라서, 플라이 아이 반사경(134, 136)에 의해, 조도 분포가 균일화된다.
도 15는 광원부(120)를 포함하는 노광 장치(100)를 이용한 반도체 디바이스의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다. 이 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서는, 우선, 반도체 디바이스의 기판이 되는 웨이퍼(170)에 금속막을 증착한다(단계 S40). 다음으로, 증착된 금속막상에, 감광성 재료인 포토레지스트를 도포한다(단계 S42).
계속해서, 노광 장치(100)를 이용한 노광 공정으로서, 레티클(150)에 형성된 패턴을 웨이퍼(170)상의 각 샷 영역에 전사한다(단계 S44). 즉, 패턴에 따라 강도 분포를 갖는 광이 웨이퍼(170)상의 포토레지스트에 조사된다. 이에 의해, 포토레지스트는 패턴에 따라 감광된다.
또한, 노광에 의해 패턴이 전사된 웨이퍼(170)에 대하여, 현상 공정으로서, 포토레지스트를 현상한다(단계 S46). 그 후, 감광 및 세정에 의해 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 웨이퍼(170) 표면에 에칭 등의 가공을 실행한다(단계 S48).
또, 레지스트 패턴은, 노광 장치(100)에 의해 전사된 패턴에 대응한 영역이 잔존 또는 제거되어, 해당 패턴에 따라 웨이퍼(170) 표면의 일부를 덮는 레지스트층을 의미한다. 상기 단계 S48에 있어서는, 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 웨이퍼(170)의 표면이 가공된다. 웨이퍼(170)에 대한 가공으로서는, 예컨대 웨이퍼(170) 표면의 에칭 또는 금속막 등의 성막 또는 에칭의 적어도 하나가 포함된다.
이와 같이, 노광 장치(100)를 이용하여, 소정의 패턴을 웨이퍼(170)에 노광하는 노광 공정과, 소정의 패턴이 전사된 웨이퍼(170)를 현상하여, 소정의 패턴에 대응하는 형상의 마스크층을 웨이퍼(170)의 표면에 형성하는 현상 공정과, 마스크층을 사이에 두고 웨이퍼(170)의 표면을 가공하는 가공 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법이 실행된다.
도 16은 광원부(120)를 포함하는 노광 장치(100)를 이용한 액정 표시 소자 등의 액정 디바이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. 액정 디바이스의 제조 방법에서는, 패턴 형성 공정(단계 S50), 컬러 필터 형성 공정(단계 S52), 셀 조립 공정(단계 S54) 및 모듈 조립 공정(단계 S56)을 순차적으로 실행한다.
단계 S50의 패턴 형성 공정에서는, 플레이트 P로서 포토레지스트가 도포된 유리 기판상에, 각 실시의 형태의 투영 노광 장치를 이용하여 회로 패턴 및 전극 패턴 등의 소정의 패턴을 형성한다. 이 패턴 형성 공정에는, 각 실시의 형태의 투영 노광 장치를 이용하여 포토레지스트층에 패턴을 전사하는 노광 공정과, 패턴이 전사된 플레이트 P의 현상, 다시 말해 유리 기판상의 포토레지스트층의 현상을 행하여, 패턴에 대응하는 형상의 포토레지스트층을 생성하는 현상 공정과, 이 현상된 포토레지스트층을 사이에 두고 유리 기판의 표면을 가공하는 가공 공정이 포함되어 있다.
단계 S52의 컬러 필터 형성 공정에서는, R(Red), G(Green), B(Blue)에 대응하는 3개의 도트의 조를 매트릭스 형상으로 다수 배열하든지, 또는 R, G, B의 3개의 스트라이프를 포함하는 필터의 조를 수평 주사 방향으로 복수 배열한 컬러 필터를 형성한다.
단계 S54의 셀 조립 공정에서는, 단계 S50에 의해 소정 패턴이 형성된 유리기판과, 단계 S52에 의해 형성된 컬러 필터를 이용하여 액정 패널(액정 셀)을 조립한다. 구체적으로는, 예컨대 유리 기판과 컬러 필터 사이에 액정을 주입함으로써 액정 패널을 형성한다.
단계 S56의 모듈 조립 공정에서는, 단계 S54에 의해 조립된 액정 패널에 대하여, 이 액정 패널의 표시 동작을 행하게 하는 전기 회로 및 백라이트 등의 각종 부품을 부착한다.
상기와 같은 광원 장치, 노광 장치 및 제조 방법의 적용은, 반도체 디바이스의 제조에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 액정 표시 소자, 플라즈마 표시 소자, 촬상 소자(CCD 등), 마이크로머신, 박막 자기 헤드, 및, DNA 칩 등의 각종 디바이스를 제조하는 경우에도 널리 적용할 수 있다. 또한, 각종 디바이스의 마스크 패턴이 형성된 마스크(포토마스크, 레티클 등)를, 포토리소그래피 공정을 이용하여 제조하는 경우에도 적용할 수 있다.
이상, 본 발명을 실시의 형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시의 형태에 기재의 범위에 한정되지 않는다. 또한, 상기 실시의 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 가할 수 있는 것이 당업자에 분명하다. 또한, 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것은, 청구의 범위의 기재로부터 분명하다.
청구의 범위, 명세서, 및 도면 중에 있어서 나타낸 장치, 시스템, 프로그램, 및 방법에 있어서의 동작, 순서, 및 단계 등의 각 처리의 실행 순서는, 특별히 「보다 전에」,「앞서 」 등으로 명시하고 있지 않고, 또한, 앞의 처리의 출력을 뒤의 처리에서 이용하는 것이 아닌 한, 임의의 순서로 실현할 수 있는 것에 유의하여야 한다. 청구의 범위, 명세서, 및 도면 중의 동작 흐름에 관하여, 편의상 「우선」, 「다음으로」 등을 이용하여 설명했다고 해도, 이 순서로 실시하는 것이 필수적인 것을 의미하는 것이 아니다.
(산업상이용가능성)
본 발명은 반도체 산업에 이용할 수 있다.
100 : 노광 장치
110 : 진공조
120 : 광원부
122 : 레이저 장치
124 : 집광 렌즈
126 : 타겟 노즐
130 : 조명 광학계
131 : 차광판
132 : 집광 반사경
133 : 돌기부
134 : 플라이 아이 반사경
136 : 플라이 아이 반사경
135 : 지지체
137 : 다층막
138 : 평면 반사경
139 : 광학 부재
150 : 레티클
152 : 레티클 스테이지
160 : 투영 광학계
161 : 오목면 반사경
164 : 오목면 반사경
166 : 오목면 반사경
162 : 볼록면 반사경
163 : 볼록면 반사경
165 : 볼록면 반사경
170 : 웨이퍼
172 : 웨이퍼 스테이지

Claims (42)

  1. 노광 장치가 갖는 플라이 아이 광학계를 향해 투사하는 광 빔을 생성하는 광원 장치로서,
    상기 플라이 아이 광학계에 입사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도가 중심부의 강도보다 작은 광원 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    광원과,
    상기 광원으로부터 사출된 광 빔을 상기 플라이 아이 광학계를 향해 투영하는 광학계
    를 구비하고,
    상기 광학계는 상기 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 상기 광 빔을 투영하는
    광원 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광학계는 상기 광 빔을 상기 플라이 아이 광학계를 향해 반사하는 거울이며,
    상기 거울은 상기 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 상기 광 빔을 반사하는
    광원 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 플라이 아이 광학계가 배치되는 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 단조적으로 감소시켜 광을 반사하는
    광원 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 연속적으로 감소시켜 광을 반사하는
    광원 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 0까지 감소시켜 광을 반사하는
    광원 장치.
  7. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은, 상기 플라이 아이 광학계가 배치되는 소정 면에서의 상기 중심부로 향하는 광 빔이 반사되는 제 1 위치에서의 곡률과, 상기 소정 면에서의 상기 주변부로 향하는 광 빔이 반사되는 제 2 위치에서의 곡률이 서로 다른 곡률로 주어지는 광원 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 거울의 반사면의 상기 제 1 위치를 거친 상기 광원으로부터의 광 빔과, 상기 거울의 반사면의 상기 제 2 위치를 거친 상기 광원으로부터의 광 빔은, 상기 소정 면에서 서로 다른 위치에 도달하는 광원 장치.
  9. 제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 주변부의 반사율이 중심부의 반사율보다 작은 광원 장치.
  10. 제 3 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 주변부의 표면이 중심부의 표면보다 거칠게 가공되어 있는 광원 장치.
  11. 제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 중심부보다 주변부에 조밀하게 형성된 차광물을 갖는 광원 장치.
  12. 제 3 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광 장치에 의해 노광되는 기판은 스캔 방향으로 이동하면서 노광되고,
    상기 거울은 상기 스캔 방향에 대략 수직인 비스캔 방향으로 대칭으로 광을 반사하는
    광원 장치.
  13. 제 3 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광 장치에 의해 노광되는 기판은 스캔 방향으로 이동하면서 노광되고,
    상기 거울은 상기 스캔 방향에 대략 수직인 비스캔 방향으로 대칭으로 복수의 거울이 배치되는
    광원 장치.
  14. 제 3 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울로부터 상기 플라이 아이 광학계로 향하는 광의 광로상에, 중심부보다 주변부에 조밀하게 형성된 차광물을 더 구비한 광원 장치.
  15. 플라이 아이 광학계를 향해 투사하는 광 빔을 생성하여, 상기 플라이 아이 광학계에 입사되는, 상기 광 빔의 주변부의 강도가 중심부의 강도보다 작은 광원 장치와,
    상기 플라이 아이 광학계를 구비하고, 상기 광원 장치로부터의 광에 근거하여 소정의 패턴을 조명하는 조명 광학계
    를 구비한 노광 장치.

  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 광원 장치는, 광원과, 상기 광원으로부터 사출된 광 빔을 상기 플라이 아이 광학계를 향해 투영하는 광학계를 구비하고,
    상기 광학계는 상기 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 상기 광 빔을 투영하는
    노광 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 광학계는 상기 광 빔을 상기 플라이 아이 광학계를 향해 반사하는 거울이며,
    상기 거울은 상기 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 상기 광 빔을 반사하는
    노광 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 플라이 아이 광학계가 배치되는 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 단조적으로 감소시켜 광을 반사하는 노광 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 연속적으로 감소시켜 광을 반사하는 노광 장치.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 0까지 감소시켜 광을 반사하는 노광 장치.
  21. 제 17 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은, 상기 플라이 아이 광학계가 배치되는 소정 면에서의 상기 중심부로 향하는 광 빔이 반사되는 제 1 위치에서의 곡률과, 상기 소정 면에서의 상기 주변부로 향하는 광 빔이 반사되는 제 2 위치에서의 곡률이 서로 다른 곡률로 주어지는 노광 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 거울의 반사면의 상기 제 1 위치를 거친 상기 광원으로부터의 광 빔과, 상기 거울의 반사면의 상기 제 2 위치를 거친 상기 광원으로부터의 광 빔은, 상기 소정 면에서 서로 다른 위치에 도달하는 노광 장치.
  23. 제 17 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 주변부의 반사율이 중심부의 반사율보다 작은 노광 장치.
  24. 제 17 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 주변부의 표면이 중심부의 표면보다 거칠게 가공되어 있는 노광 장치.
  25. 제 17 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 중심부보다 주변부에 조밀하게 형성된 차광물을 갖는 노광 장치.
  26. 제 17 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 노광되는 기판의 스캔 방향에 대략 수직인 비스캔 방향으로 대칭으로 광을 반사하는 노광 장치.
  27. 제 17 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 노광되는 기판의 스캔 방향에 대략 수직인 비스캔 방향으로 대칭으로 복수의 거울이 배치되는 노광 장치.
  28. 제 17 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울로부터 상기 플라이 아이 광학계로 향하는 광의 광로상에, 중심부보다 주변부에 조밀하게 형성된 차광물을 더 구비한 노광 장치.
  29. 플라이 아이 광학계를 향해 투사하는 광 빔을 생성하여, 상기 플라이 아이 광학계에 입사되는, 상기 광 빔의 주변부의 강도가 중심부의 강도보다 작은 광원 장치와, 상기 플라이 아이 광학계를 구비하고, 상기 광원 장치로부터의 광에 근거하여 소정의 패턴을 조명하는 조명 광학계를 구비한 노광 장치를 이용하여, 소정의 패턴을 기판에 노광하는 노광 공정과,
    소정의 패턴이 전사된 상기 기판을 현상하고, 상기 소정의 패턴에 대응하는 형상의 마스크층을 상기 기판의 표면에 형성하는 현상 공정과,
    상기 마스크층을 사이에 두고 상기 기판의 표면을 가공하는 가공 공정
    을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 광원 장치는, 광원과, 상기 광원으로부터 사출된 광 빔을 상기 플라이 아이 광학계를 향해 투영하는 광학계를 구비하고,
    상기 광학계는 상기 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 상기 광 빔을 투영하는
    제조 방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 광학계는 상기 광 빔을 상기 플라이 아이 광학계를 향해 반사하는 거울이며,
    상기 거울은 상기 광 빔의 중심부보다 주변부의 강도가 작아지도록 상기 광 빔을 반사하는
    제조 방법.

  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 플라이 아이 광학계가 배치되는 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 단조적으로 감소시켜 광을 반사하는 제조 방법.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 연속적으로 감소시켜 광을 반사하는 제조 방법.
  34. 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
    상기 거울은 상기 소정 면을 향해 투사되는 상기 광 빔의 주변부의 강도를 0까지 감소시켜 광을 반사하는 제조 방법.
  35. 제 31 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은, 상기 플라이 아이 광학계가 배치되는 소정 면에서의 상기 중심부로 향하는 광 빔이 반사되는 제 1 위치에서의 곡률과, 상기 소정 면에서의 상기 주변부로 향하는 광 빔이 반사되는 제 2 위치에서의 곡률이 서로 다른 곡률로 주어지는 제조 방법.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 거울의 반사면의 상기 제 1 위치를 거친 상기 광원으로부터의 광 빔과, 상기 거울의 반사면의 상기 제 2 위치를 거친 상기 광원으로부터의 광 빔은, 상기 소정 면에서 서로 다른 위치에 도달하는 제조 방법.
  37. 제 31 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 주변부의 반사율이 중심부의 반사율보다 작은 제조 방법.
  38. 제 31 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 주변부의 표면이 중심부의 표면보다 거칠게 가공되어 있는 제조 방법.
  39. 제 31 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 중심부보다 주변부에 조밀하게 형성된 차광물을 갖는 제조 방법.
  40. 제 31 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 노광되는 기판의 스캔 방향에 대략 수직인 비스캔 방향으로 대칭으로 광을 반사하는 제조 방법.
  41. 제 31 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 노광되는 기판의 스캔 방향에 대략 수직인 비스캔 방향으로 대칭으로 복수의 거울이 배치되는 제조 방법.
  42. 제 31 항 내지 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울로부터 상기 플라이 아이 광학계로 향하는 광의 광로상에, 중심부보다 주변부에 조밀하게 형성된 차광물을 더 구비한 제조 방법.
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