KR20100126428A - 양면형 유기 발광 다이오드(ｏｌｅｄ) - Google Patents

양면형 유기 발광 다이오드(ｏｌｅｄ) Download PDF

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KR20100126428A
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light emitting
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KR1020107021157A
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스테판 피. 그래보우스키
클라우디아 엠. 골드만
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코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

본 발명은 적어도 제 방출층(3) 및 적어도 제2 방출층(4)을 포함하는 층 시스템을 갖는 투명 기판층(2)을 포함하는 양면형 발광 다이오드 장치(1)에 관한 것이다.

Description

양면형 유기 발광 다이오드(ＯＬＥＤ){DOUBLE SIDED ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE (OLED)}
본 발명은 적어도 제1 방출층 및 적어도 제2 방출층을 포함하는 층 시스템(layer system)을 갖는 투명 기판층을 포함하는 양면형(double sided) 발광 다이오드 장치에 관한 것이다.
종래 기술에서 양면형 발광 다이오드 장치들은 2개의 상이한 방향들로 발광하는 데에 적합한 발광 장치로서 알려져 있다. 상이한 방출층들은 서로 적층되며, 각각의 층은 별개로 동작될 수도 있고 다수의 단일 층들이 공통의 방식으로 동작될 수도 있다. 따라서, 상기 기판층을 통해서도 또한 장치의 상면을 통과하는 상면 방향으로도 모두 상이한 색들이 방출될 수 있다. 대개, 상기 기판층은 OLED라고도 부르는 상기 장치의 하부를 형성한다. 유기 발광 다이오드들에 기초하는 이들 하부 방출 또는 상부 방출 조명 장치들은 우수한 플랫 패널 시스템들로서 많은 관심을 받고 있다. 이들 시스템들은 광을 발생시키기 위하여 전류가 유기 재료의 박막을 통과하는 방식을 사용한다. 방출되는 광의 색 및 전류로부터 광으로의 에너지 변환의 효율성은 유기 박막 재료의 조성에 의해 결정된다. 또한, OLED들은 캐리어층으로서 기판 재료를 포함하는데, 이는 상부 방출형 OLED들에서는 유리 또는 다른 비투과성 재료들로 이루어질 수도 있고 또는 하부 방출형 OLED들에서는 투과성 재료들로 이루어지기도 한다. 또한, 유기 발광 다이오드들은 통상적으로 OLED의 하부 방출형 설계에서는 전기적으로 도전성이면서 광학적으로 투명한 산화물로 또는 상부 방출형 설계에서는 광학적으로 비투명한 재료로 덮여지는 유리 기판 상에 대략 100㎚의 층 두께의 유기 물질층을 갖는 하나 이상의 초박형 층들로 이루어진다.
미국 특허 출원 2007/0126354 A1에는 제1 기판과 제2 기판이 대향하여 배치된 양면형 유기 발광 다이오드 장치가 개시되어 있다. 제1 유기 발광 다이오드 장치는 제1 기판 상에 배치되고, 제2 유기 발광 다이오드 장치는 제2 기판 상에 배치되어, 2개의 OLED 구조들을 형성한다. 제1 OLED와 제2 OLED 사이에 배치되는 지지체(supporter)는 지지체의 제1 면 상에서는 제1 방출 장치, 제2 면 상에서는 제2 방출 장치를 획득하기 위하여 두 OLED들을 분리하도록 제공된다. 지지체는 금속 합금, 유리 재료, 석영 재료 또는 합성 재료일 수 있다. 그러나, 2가지 기판 재료들이 필요할 뿐만 아니라 각각의 기판에 대한 별도의 인캡슐레이션(encapsulation)도 필요하다. 따라서, 상이한 기판들 상에 2개의 OLED들을 퇴적하면 양면형 유기 발광 다이오드들의 생산 비용이 높아지게 된다. 또한, 적어도 2개의 기판층들이 필요하고 상기 지지체층이 삽입 설계(sandwich design) 방식으로 구성되기 때문에, 전체적인 장치의 두께가 늘어난다. 따라서, 상술한 바와 같은 층 시스템을 포함하는 양면형 OLED는 유연성이 낮고 매우 고가이며 그 구성이 복잡하다.
특허 문헌 WO 2005/043961 A2에는 투명 재료로 이루어지는 제1의 2차원 전극, 및 상기 제1 전극의 양쪽 면들 상에 배치되는 발광 유전 재료로 이루어지는 2개의 방출층들을 갖는 층 연속물을 포함하는 단일 기판층이 구비된 유기 발광 다이오드가 개시되어 있다. 상기 발광층들은 투명하고, 상이한 파장을 갖는 광을 방출할 수 있는 재료들로 이루어진다. 전극은 공통 전극과 대향하는 발광층의 각각의 큰 표면에 할당된다. 투명 기판층을 형성하는 지지체층은 OLED의 일 표면 상에 배치된다. 불행하게도, 각각의 단일층은 투명하다. 따라서, OLED는 제1 방출층의 색 또는 제2 방출층의 색을 방출하는 데에만, 즉 각각 혼합된 색 방출에만 적합하다. 하면을 통과함으로써 방출되고 상면을 통과함으로써 방출되는 색은 언제나 동일한 색이다. 전체 OLED 장치의 투명성 때문에, 상이한 색들의 방출이 OLED 장치의 하면 방출과 상면 방출로 분리될 수 없다.
요약
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 단점들을 제거하기 위한 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 하면에서는 제1 색을 방출하고, 상면에서는 제2 색을 방출하는 OLED 장치를 제공하는 것으로서, 이 OLED 장치는 최소한의 수의 상이한 층들을 포함하는 간단한 층 설계를 특징으로 한다.
본 목적은 본 발명의 청구항 1에 의해 교시된 바와 같은 유기 발광 다이오드 장치에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 종속 청구항들에 의해 정의된다.
본 발명은 상기 기판층 상의 층 연속물(layer succession)이 적어도 하부 전극층, 상기 제1 방출층, 비투명 전하 발생층, 상기 제2 방출층 및 투명 상부 전극층을 포함하는 것이 개시되어 있다.
본 발명에 따른 층 시스템은 OLED가 비투명 OLED로서 동작한다는 이점을 준다. 동일한 면에서 다수의 층들에 의해 코팅되어야 하는 하나의 단일 기판층만이 필요하다. 투명 기판층이 하부 전극층에 의해 코팅되고, 하부 전극층은 제1 방출층에 의해 코팅된다. 상기 제1 방출층의 상부에는 비투명 전하 발생층이 퇴적된다. 이 층은 상기 OLED를 제1 방출면, 및 제1 방출면에 대향하도록 구성되는 제2 방출면으로 분리하는 데에 적합하다. 상기 비투명 전하 발생층의 상부에는 제2 방출층이 퇴적되고, 마지막 층은 투명 상부 전극층에 의해 형성된다. 두 방출층들이 동작되면, 예를 들어 상기 제1 방출층은 오렌지색 광을 방출할 수 있고, 상기 제2 방출층은 녹색 광을 방출할 수 있다. 오렌지색 광의 방출은 상기 투명 기판층을 통과함으로써 가능하고, 상기 녹색 광의 방출은 상기 투명 상부 전극층을 통과함으로써 가능하다.
바람직한 실시예에서, 상기 제1 방출층은 상기 투명 기판층을 통과하는 제1 광 스펙트럼을 방출하고, 상기 제2 방출층은 상기 투명 상부 전극층을 통과하는 제2 광 스펙트럼을 방출한다. 따라서, 이색성 유기 발광 다이오드 장치가 제공될 수 있고, 여기서 제1 색은 제1 면에서 방출되고, 제2 색은 대향하는 면에서 방출된다. 두 스펙트럼들의 방출은 색 혼합 또는 간섭 효과로 이어질 수 있는 임의의 상호작용없이 서로로부터 분리된다.
본 장치의 또 다른 실시예는, ITO(Indium Tin Oxide)층을 특징으로 하는 애노드층으로서 동작하는 하부 전극층, 및 은(Ag)층을 특징으로 하는 캐소드층으로서 동작하는 상기 상부 전극층을 구성하면 알 수 있다. 전원이 애노드와 캐소드 사이에 인가되면, 제1 방출층뿐만 아니라 상기 제2 방출층도 발광한다. 따라서, 하나의 단일 전원만을 사용함으로써, 두 OLED 시스템들이 동작될 수 있다. 상기 ITO층은 투명한 박막층으로서 퇴적될 수 있다. 은층의 두께가 얇으면, 동일한 투명성 효과가 캐소드층에서 달성될 수 있다.
다른 바람직한 실시예에 의하면, 상기 비투명 전하 발생층은 제1 방출층에 대한 계면에서는 n-도핑이 행해지고, 제2 방출층에 대한 계면에서는 p-도핑이 행해진다. 따라서, 천이 사이에 있는 금속층에는 p-n-천이가 제공된다. n-도핑 및 p-도핑의 적용으로 인해, OLED 장치의 효율성이 증가될 수 있다.
바람직한 실시예로서, 상기 비투명 전하 발생층은 30㎚ 내지 200㎚, 바람직하게는 50㎚ 내지 150㎚, 가장 바람직하게는 80㎚의 두께를 갖는 알루미늄(Al)층을 포함하는 중간 전극층(intermediate electrode layer)으로서 동작한다. 전하 발생층을 중간 전극층으로서 사용하기 위하여, 알루미늄층이 배선에 의해 접촉되어야 한다. 따라서, 접촉 패드가 층 시스템을 통해 이어져야 한다. 전체 OLED 장치에 관하여, 3개의 배선 패드들이 필요하며, 제1 배선 패드 및 제2 배선 패드는 ITO층을 특징으로 하는 애노드층, 및 은층을 특징으로 하는 캐소드층에 접촉되고, 제3 배선은 중간 전극층으로 동작한다.
유리하게는, 상기 제1 방출층 및 상기 제2 방출층이 전원에 의해 동작되고, 상기 제1 방출층의 전원이 제2 방출층의 전원과 분리된다는 점이 있다. 상기 제1 방출층의 전원은 애노드로서 동작하는 상기 하부 전극층과 캐소드로서 동작하는 상기 전하 발생층 사이에서 동작한다. 따라서, 상기 전극들 사이에 전압을 인가함으로써, 제1 방출층이 발광할 수 있다. 상기 제2 방출층의 전원은 애노드로서 동작하는 상기 전하 발생층과 캐소드로서 동작하는 상기 상부 전극층 사이에서 동작한다. 상기 제2 방출층의 전압 공급에 의해, 이 층은 상기 제1 방출층과는 독립적으로 동작될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는 상부 전극층을 제공하고, 그 위에는 ZnSe(Zinc Selenide)층 또는 ZnS(Zinc Sulfide)층을 포함하는 광 아웃커플링 층(light outcoupling layer)이 형성되고, 상기 층들은 대략 5㎚ 내지 200㎚, 바람직하게는 15㎚ 내지 80㎚, 가장 바람직하게는 30㎚의 두께를 갖거나, 또는 상기 광 아웃커플링 층은 5㎚ 내지 200㎚, 바람직하게는 20㎚ 내지 80㎚의 두께를 갖는 Alq3 또는 α-NPD와 같은 유기층을 포함한다. 광 아웃커플링 층을 적용함으로써, 광 아웃커플링의 효율성이 증가될 수 있다.
본 발명은 또한 케이싱(casing)으로 구현되는데, 상기 상부 전극층 상에 투명 유리 덮개 또는 박막 인캡슐레이션(thin film encapsulation)을 포함하는 케이싱이 형성된다. 이 인캡슐레이션은 대략 200㎚의 두께를 갖는 SiN(silicon nitride) 및 대략 100㎚의 두께를 갖는 SiO2(silicon oxide)의 하나 이상의 이중층(double layer)을 포함할 수 있다. 유리 덮개에는, OLED 장치를 습기, 오염 또는 기계적인 손상에 대해 보호하기 위하여, 상기 OLED 장치의 상면에 접착(glue)될 수 있는 프레임 시스템이 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에 의하면, 상기 유리 덮개는 OLED의 표면에 직접 접착될 수 있다. 또한, OLED의 표면 상에 적용되는 상기 박막 인캡슐레이션 및 상기 유리 덮개의 결합은 전체적인 장치의 내구성 및 저항성을 증가시키기 위하여 상용적으로 적용될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 상기 장치는 자체 조명 램프 가리개들(self illuminating lampshades)과 같은 장식용 응용물들에 사용된다. 상기 램프 가리개는 조명 자체를 수행할 수 있고, OLED 발광체를 포함하는 상기 램프는 천장 램프(ceiling lamp), 벽 조명(wall light) 또는 램프 시스템의 임의의 추가적인 유형으로서 기능할 수 있다. 다수의 램프 설계들은 2개의 방출면들을 포함하는 상기 OLED 장치를 적용함으로써 이용가능하다. 천장 램프의 바람직한 실시예로서, 상기 제1 방출층은 백색광을 방출할 수 있고, 실내에서, 예를 들어 식탁, 책상 등의 위에서 아래로 향한다. 제2 방출층은 윗 방향으로 발광할 수 있고, 이 광은 간접 조명으로서 동작하는 실내 천장 조명용 온등(warm light)일 수 있다.
상기 양면형 발광 다이오드 장치의 다른 바람직한 응용은 신호(signage)에 대해 지정될 수 있다는 점이다. 따라서, 상기 OLED 장치는 제1 면 상에서 방출되는 입사색(entering color) 및 상기 장치의 제2 면 상에서 방출되는 출사색(exit color)을 포함하는 유리 도어 리프들(glass door leaves) 상에 적용될 수 있다. 또한, 상기 장치는 예를 들어, 백색 및 적색 방출면을 포함하는 교통 응용물들에 대한 도로 표지판으로서 적용될 수 있다.
상기 OLED 장치의 기능 범위를 확대하기 위하여, 각각의 면에서 상이한 색들의 광을 방출하기 위하여, 상기 전하 발생층의 양쪽 면들 상에 2 이상의 방출층이 적용될 수 있다.
본 발명의 목적의 추가적인 상세들, 특징들 및 이점들은 종속 청구항들, 및 본 발명의 바람직한 실시예들을 도시하는 각 도면 - 예시적인 방식으로 도시되어 있음 - 의 이하의 설명에 개시되며, 이는 첨부 도면과 관련하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 층 시스템의 개략도.
도 1에 도시된 실시예는 양면형 발광 다이오드 장치(1)를 제공하기 위한 층 연속물을 포함한다. 기판층(2)은 캐리어로서 동작하고, 그 위에는 층 연속물이 오직 한쪽 면 상에만 퇴적된다. 층 연속물은 적어도 하부 전극층(5), 그 다음에는 제1 유기 스택, 즉 제1 방출층(3)을 포함하는 하나 이상의 유기 재료층, 그 다음에는 비투명 전하 발생층(6), 그 다음에는 제2 유기 스택, 즉 제2 방출층(4)을 포함하는 하나 이상의 유기 재료층을 포함하고, 마지막 층은 투명 상부 전극층(7)에 의해 이루어진다. 이 층 연속물은 단지 기본 구성만을 형성한다. 상기 층들 사이에는 효율성을 증가시키기 위하여 또는 내구성을 증가시키기 위하여 유리 덮개와 같은 보호층 또는 덮개층으로서 동작하는 박막층을 적용함으로써 추가적인 층들이 퇴적될 수 있다. 상기 제1 방출층(3) 및 상기 제2 방출층(4)의 전원은 독립적인 전원 구성들에 의해 제공될 수 있다. 따라서, 상기 제1 방출층(3)은 제1 전원(12)에 의해 공급될 수 있고, 상기 제2 방출층(4)은 제2 전원(13)에 의해 공급될 수 있다. 상기 OLED 장치(1)의 효율성을 증가시키기 위하여, 상기 전하 발생층(6)에는 제1 방출층(3) 및 제2 방출층(4)에 대한 계면들 상에 도핑이 제공될 수 있다. 따라서, 상기 비투명 전하 발생층(6)은 상기 제1 방출층(3)에 대한 계면에서는 n-도핑(10)이, 상기 제2 방출층(4)에 대한 계면에서는 p-도핑(11)이 형성된다. 비투명 전하 발생층(6)은 대략 80㎚의 두께를 갖는 알루미늄(Al)층을 포함하는 중간 전극층으로서 동작할 수 있다. 따라서, 층(6)은 비투명하여, 제1 방출층(3)과 제2 방출층(4) 사이의 광학적 분리를 제공할 수 있다. 따라서, 상기 제1 방출층(3)은 광을 상기 투명 기판층(2)을 통과시킴으로써 제1 광 스펙트럼(8)으로 방출할 수 있고, 상기 제2 방출층(4)은 광을 상기 상부 전극층(7)을 통과시킴으로써 제2 광 스펙트럼(9)으로 방출할 수 있다.
개선된 듀얼 OLED 장치(1)에 의하면, 이하의 층 시스템이 상기 기판층(2)에 적용될 수 있다. 층 연속물은 적어도 ITO층(5), 그 다음에는 40㎚의 두께를 갖는 홀 주입층 MTDATA:F4-TCNQ (1%)를 포함하는 p-도핑층(11)을 포함한다. 다음 층은 홀 도전층 α-NPD 1O㎚이다. 이 층의 다음은 20㎚의 두께를 갖는 α-NPD:Ir(MDQ)2(acac) (10%)를 포함하는 상기 제1 방출층(3)이다. 다음 층은 20㎚의 두께를 갖는 전극 수송층(BAlq)이다. 이 층 다음에는, n-도핑층이 1㎚의 두께를 갖는 LiF층으로서 형성된다. 이 층의 다음은 80㎚의 두께를 갖는 알루미늄층으로서 형성되는 상기 전하 발생층(6)이다. 이 층 다음은 40㎚의 두께를 갖는 MTDATA:F4-TCNQ (8%)를 포함하는 p-도핑 홀 주입층이다. 다음 층은 10㎚의 두께를 갖는 홀 도전층 α-NPD이다. 다음 층은 25㎚의 두께를 갖는 TCTA:Ir(ppy)3 (8%)를 포함하는 상기 제2 방출층(4)이다. 다음 층은 55㎚의 두께를 갖는 BAlq를 포함하는 전자 도전층이다. 다음 층은 1㎚의 두께를 갖는 LiF를 포함하는 n-도핑층이고, 이 층은 1,5㎚의 두께를 포함하는 박형의 Al층으로 덮여 있다. 다음 층은 15㎚의 두께를 갖는 투명한 은층(Silver-layer)이고, 그 다음은 30㎚의 두께를 갖는 ZnSe를 포함하는 광 아웃커플링 층(light outcoupling layer)이다.
본 발명은 상술한 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이는 단지 예시로서 나타내었고, 종속 청구항들에 의해 한정되는 보호 범위 내에서 여러가지 방식들로 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명은 다양한 실시예들에 적용가능하며, 특히 상기 전하 발생층(6)의 양쪽 면들 상에 다수의 방출층들(3, 4)을 포함할 수도 있다. 따라서, 상기 OLED(1)는 상기 장치의 양쪽 면들 상에서 상이한 색들을 방출하는 데에 적합하다.
1 발광 다이오드 장치 (OLED)
2 투명 기판
3 제1 방출층
4 제2 방출층
5 하부 전극층
6 전하 발생층
7 상부 전극층
8 제1 광 스펙트럼
9 제2 광 스펙트럼
10 n-도핑
11 p-도핑
12 제1 전원
13 제2 전원

Claims (11)

  1. 양면형(double sided) 발광 다이오드 장치(1)로서,
    적어도 제1 방출층(3) 및 적어도 제2 방출층(4)을 포함하는 층 시스템(layer system)을 갖는 투명 기판층(2)
    을 포함하며,
    상기 기판층(2) 상의 층 연속물(layer succession)은 적어도 하부 전극층(5), 상기 제1 방출층(3), 비투명 전하 발생층(6), 상기 제2 방출층(4) 및 투명 상부 전극층(7)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방출층(3)은 광을 상기 투명 기판층(2)을 통과시킴으로써 제1 광 스펙트럼(8)으로 방출하고, 상기 제2 방출층(4)은 광을 상기 투명 상부 전극층(7)을 통과시킴으로써 제2 광 스펙트럼(9)으로 방출하는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 하부 전극층(5)은 ITO(Indium Tin Oxide)층을 특징으로 하는 애노드층으로서 동작하고, 상기 상부 전극층(7)은 은(Ag)층을 특징으로 하는 캐소드층으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비투명 전하 발생층(6)은 상기 제1 방출층(3)에 대한 계면(interface)에서는 n-도핑(10), 상기 제2 방출층(4)에 대한 계면에서는 p-도핑(11)이 행해지는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비투명 전하 발생층(6)은 30㎚ 내지 200㎚, 바람직하게는 50㎚ 내지 150㎚, 가장 바람직하게는 80㎚의 두께를 갖는 알루미늄(Al)층을 포함하는 중간 전극층(intermediate electrode layer)으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 방출층(3) 및 상기 제2 방출층(4)은 전원에 의해 동작되고, 상기 제1 방출층(3)의 전원(12)은 상기 제2 방출층(4)의 전원(13)과 분리되는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 방출층(3)의 전원(12)은 애노드로서 동작하는 상기 하부 전극층(5)과 캐소드로서 동작하는 상기 전하 발생층(6) 사이에서 동작하고, 상기 제2 방출층(4)의 전원(13)은 애노드로서 동작하는 상기 전하 발생층(6)과 캐소드로서 동작하는 상기 상부 전극층(7) 사이에서 동작하는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 전극층(7) 상에는 ZnSe(Zinc Selenide)층 또는 ZnS(Zinc Sulfide)층을 포함하는 광 아웃커플링 층(light outcoupling layer)이 형성되고, 상기 층들은 대략 5㎚ 내지 200㎚, 바람직하게는 15㎚ 내지 80㎚, 가장 바람직하게는 30㎚의 두께를 갖거나, 또는 상기 광 아웃커플링 층은 5㎚ 내지 수 200㎚, 바람직하게는 20㎚ 내지 80㎚의 두께를 갖는 Alq3 또는 α-NPD와 같은 유기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 전극층(7) 상에는 투명 유리 덮개, 또는 대략 200㎚의 두께를 갖는 SiN(silicon nitride) 및 대략 100㎚의 두께를 갖는 SiO2(silicon oxide)의 하나 이상의 이중층(double layer)을 포함하는 박막 인캡슐레이션(thin film encapsulation)을 포함하는 케이싱(casing)이 형성되는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전하 발생층(6)의 양쪽 면들 상에는 둘 이상의 방출층(3, 4)이 적용되는 것을 특징으로 하는 양면형 발광 다이오드 장치(1).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 양면형 발광 다이오드 장치(1)를,
    신호(signage) 응용물들 - 상기 장치(1)는 제1 면 상에서 방출되는 입사색(entering color) 및 상기 장치(1)의 제2 면 상에서 방출되는 출사색(exit color)을 포함하는 유리 도어 리프들(glass doors leaves) 상에 적용됨 -, 또는
    자체 조명 램프 가리개들(self illuminating lamp shades)과 같은 장식용 응용물들에 사용하는 방법.
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