KR20100120975A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 유기 발광 디스플레이 소자의 전극 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 챔버와, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하고 이동시키는 간격 조절부와, 상기 기판 아래쪽으로 이격되어 배치되는 제1 전극과, 상기 제1 전극에 대향하여 상기 기판 위쪽으로 이격되어 배치되는 제2 전극을 구비하며, 상기 간격 조절부는 상기 기판과 상기 제1 전극과의 간격 또는 상기 기판과 상기 제2 전극과의 간격을 조절하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.

Description

플라즈마 처리 장치{Apparutus for processing substrate with plasma}
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
유기 발광 소자를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치는 현재 널리 상용화되어 있는 LCD에 비하여 빠른 응답 속도를 가지고 있어 동영상의 구현이 가능하고, 자체적으로 발광하여 시야각이 넓으며 높은 휘도를 낼 수 있어 차세대 표시 장치로 각광을 받고 있다.
상기 유기 발광 소자는 상호 대향된 화소 전극과 대항 전극, 그리고 화소 전극과 대향 전극 사이에 개재된 유기물을 포함하는 발광층으로 이루어진다. 유기물을 증착하기 앞서 화소 전극(anode 전극) 표면을 플라즈마로 처리한다. 화소 전극 표면의 처리에 따라 유기 발광 소자의 발광 효율 및 수명에 영향을 미치게 된다. 즉, 화소 전극 표면을 균일하게 플라즈마 처리하지 못하면 유기 발광 디스플레이 장치의 휘도가 불균일하게 되며 수명 또한 감소하게 된다. 따라서, 화소 전극의 표면을 플라즈마 처리함에 있어서, 플라즈마 장치 내의 플라즈마 균일도가 중요하다.
본 발명의 주된 목적은 챔버 내의 플라즈마의 균일도가 유지되는 플라즈마 챔버를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 유기 발광 디스플레이 소자의 전극 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 챔버와, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하고 이동시키는 간격 조절부와, 상기 기판 아래쪽으로 이격되어 배치되는 제1 전극과, 상기 제1 전극에 대향하여 상기 기판 위쪽으로 이격되어 배치되는 제2 전극을 구비하며, 상기 간격 조절부는 상기 기판과 상기 제1 전극과의 간격 또는 상기 기판과 상기 제2 전극과의 간격을 조절한다.
본 발명에 있어서, 상기 간격 조절부는, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 면에 수직하도록 상기 기판 지지부와 결합되는 지지봉과, 상기 지지봉을 그 길이 방향으로 상승 또는 하강시키는 액츄에이터를 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 액츄에이터는 상기 지지봉을 상기 챔버의 상부로 이동시킴으로써 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격을 증가시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 액츄에이터는 상기 지지봉을 상기 챔버의 하부로 이동시킴으로써 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격을 감소시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 기판 상에 이격되도록 상기 지지봉에 의해 지지되어 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기판과 상기 제2 전극의 간격은 일정하게 유지되며, 상기 기판은 상승 또는 하강할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 기판 지지봉에 고정 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기판이 상승하는 경우, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격은 증가하며, 상기 기판과 상기 제2 전극 사이의 간격은 감소할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기판이 하강하는 경우, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격은 감소하며, 상기 기판과 상기 제2 전극 사이의 간격은 감소할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기판 지지부와 상기 지지봉은 절연재료로 만들어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 성기 기판 지지부와 상기 지지봉은 세라믹으로 만들어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 세라믹은 알루미나(Al2O3)일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기판 지지부와 상기 지지봉 사이에 배치되는 제1 절연부재를 더 구비하며, 상기 제1 절연부재는 상기 기판 지지부와 상기 지지봉을 서로 결합시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 절연부재의 외측부를 감싸는 제1 커버부를 더 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 커버부는 세라믹으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 절연부재는 플라스틱으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기판 지지부와 상기 지지봉은 금속으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 챔버 사이에 배치되는 제2 절연부재를 더 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 절연부재는 테프론(teflon)으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 전극은 그라운드 상태일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 전극의 온도를 일정하게 유지하기 위해 상기 제2 전극 내부에 냉매가 흐를 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전극은, 챔버 외부로부터 가스가 유입되는 배관과, 상기 가스를 챔버 내로 배출시킬 수 있는 샤워 헤드(shower head)를 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전극으로 유입되는 상기 가스의 유량을 조절할 수 있는 유량 조절 밸브를 더 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 챔버 내부에 배치되는 내부 챔버를 더 구비하며, 상기 내부 챔버 내부에 상기 제1 전극이 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 내부 챔버와 상기 챔버 사이에 배치되는 제3 절연부재를 더 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제3 절연부재는 테프론으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제3 절연부재의 외측부를 감싸는 제2 커버부를 더 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 커버부는 세라믹으로 이루어질 수 있다.
상기와 같이 이루어진 본 발명의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 챔버 내의 플라즈마 균일도를 유지함으로써 기판 표면의 에칭을 일정하게 하며, 이에 따라 유기 발광 디스플레이 장치의 휘도 저하 및 수명 단축을 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도면에 도시된 본 발명의 실시예를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 처리 장치(100)를 걔략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)는, 챔버(101), 간격 조절부(102), 제1 전극(104), 제2 전극(105), 및 유량 조절 밸브(107)를 구비한다.
챔버(101) 내부에는 기판(103)과 제2 전극(105)을 지지하는 간격 조절부(102)가 배치된다. 간격 조절부(102)는 기판(103) 및 제2 전극(105)을 지지하며, 기판(103)을 챔버(101)의 내부에서 상승시키거나 하강시킬 수 있으며, 제2 전극(105)을 챔버(101)의 내부에서 상승시키거나 하강시킬 수 있다. 기판(103)의 상 부에는 기판(103)과 이격되어 제2 전극(105)이 배치되며, 기판(103)의 하부에는 기판(103)과 이격되어 제1 전극(104)이 배치된다. 따라서, 간격 조절부(102)가 기판(103)을 상승 또는 하강시킴에 따라 제1 전극(104)과 기판(103) 사이의 간격(S1) 및 제2 전극(105)과 기판(103) 사이의 간격(S2)을 조절할 수 있으며, 또한 간격 조절부(102)가 제2 전극(105)을 상승 또는 하강시킴에 따라 제2 전극(105)과 기판(103) 사이의 간격(S2)을 조절할 수 있다. 이에 관하여는 후술한다.
간격 조절부(102)는 기판 지지부(102a), 지지봉(102b), 및 액츄에이터(102c)를 구비할 수 있다.
기판 지지부(102a)는 기판(103)의 하면을 받칠 수 있다. 바람직하게는 기판 지지부(102a)는 두 개의 판으로 이루어질 수 있으며, 각각의 판은 지지봉(102b)과 연결된다. 기판 지지부(102a)의 두 개의 판은 상기 판들 사이에 기판(103)이 놓일 수 있도록 서로 이격되어 배치된다. 기판 지지부(102a)의 두 개의 판 각각은 기판(103)의 대향하는 양측부의 하면을 받칠 수 있다. 즉, 기판(103)은 기판 지지부(102a)의 두 개의 판 사이에 놓이게 되어, 기판(103)의 하면은 제1 전극(104)과 대향하며, 기판(104)의 상면은 제2 전극(105)과 대항하게 된다.
지지봉(102b)은 그 일단이 기판 지지부(102a)와 결합하며, 그 일부는 챔버와 연결되어 기판 지지부(102a)가 챔버(101) 내부에 위치하도록 한다. 도 1을 참조하면, 지지봉(102b)의 일단은 기판(103) 면과 수직한 방향으로 기판 지지부(102a)와 결합하며, 그 타단은 챔버(101) 외부에 배치된 액츄에이터(102c)와 연결될 수 있다. 즉, 지지봉(102b)은 일부는 챔버(101) 내부에 위치하며 타부는 챔버(101) 외부 에 위치하게 되며, 기판 지지부(102a)가 챔버(101) 내부에 위치할 수 있도록 한다. 지지봉(102b)은 액츄에이터(102c)에 의해 길이 방향으로 상승하거나 하강할 수 있다. 지지봉(102b)의 일단에 기판 지지부(102a)가 결합되어 있으므로, 지지봉(102b)이 상승하거나 하강하게 되면 기판 지지부(102a) 역시 상승하거나 하강된다. 이에 따라, 기판 지지부(102a) 상에 놓인 기판(103)이 상승하거나 하강하게 된다.
액츄에이터(102c)는 지지봉(102b)을 그 길이 방향으로 상승시키거나 하강시킬 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 액츄에이터(102c)는 챔버(101) 외부에 배치될 수 있다. 이 경우, 액츄에이터(102c)는 챔버(101)를 관통하여 외부로 노출된 지지봉(102b)의 타부와 연결될 수 있다. 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며, 액츄에이터(102c)는 챔버(101) 내부에 배치될 수 있다.
액츄에이터(102c)가 지지봉(102b)을 상승시키면, 지지봉(102b)은 챔버(101) 상부로 이동하며, 지지봉(102b)의 일단과 결합된 기판 지지부(102a)도 상승하게 된다. 따라서, 기판 지지부(102a)에 놓인 기판(103)도 챔버(101) 내부에서 상승하게 된다. 이에 따라 기판(103) 하부에 배치된 제1 전극(104)과 기판(103) 사이의 간격은 증가하게 된다. 이와 반대로 액츄에이터(102c)가 지지봉(102b)을 하강시키면, 지지봉(102b)은 챔버(101) 하부로 이동하며, 지지봉(102b)의 일단과 결합된 기판 지지부(102a)도 하강하게 되므로, 기판 지지부(102a)에 놓인 기판(103)도 챔버(101) 내부에서 하강하게 된다. 이에 따라, 기판(103) 하부에 배치된 제1 전극(104)과 기판(103) 사이의 간격은 감소하게 된다.
기판 지지부(102a)와 지지봉(102b)은 절연재료로 이루어질 수 있다. 바람직 하게는 기판 지지부(102a)와 지지봉(102b)은 세라믹(ceramic)으로 이루어질 수 있다. 상기 세라믹은 예를 들면 알루미나(Al2O3)일 수 있다. 이와 같이, 기판 지지부(102a)와 지지봉(102b)이 절연재료로 이루어지므로 기판(103), 기판 지지부(102a), 또는 지지봉(102b)들 사이에서 발생하는 아킹(arcing)을 방지할 수 있다.
다른 변형예로서, 기판 지지부(102a)와 지지봉(102b) 사이에는 제1 절연부재(102d)가 배치될 수 있다. 도 2는 기판 지지부(102a), 지지봉(102b), 및 제1 절연부재(102d)가 결합된 변형예를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 기판 지지부(102a)와 지지봉(102b)은 제1 절연부재(102d)에 의해 결합될 수 있다. 제1 절연부재(102d)는 예를 들면 플라스틱 또는 테프론일 수 있다. 제1 커버부(102e)는 제1 절연부재(102d)의 외측을 감싸도록 배치될 수 있다. 제1 커버부(102e)는 플라즈마로부터 제1 절연부재(102d)를 보호한다. 기판 지지부(102a)와 지지봉(102b)은 금속으로 이루어질 수 있다. 기판 지지부(102a)와 지지봉(102b)는 예를 들면 알루미늄으로 이루어질 수 있다. 제1 절연부재(102d)는 기판 지지부(102a)와 지지봉(102b) 사이에서 발생하는 아킹을 방지할 수 있다.
제1 전극(104)은 기판(103) 하면으로부터 이격되어 챔버(101) 내에 배치된다. 제1 전극(104)은 RF(radio frequency) 전극으로서, RF전원이 인가된다. 제1 전극(104)에는 40MHz의 RF전원이 인가될 수 있다.
제1 전극(104)의 일면은 챔버(101) 내부를 향하며, 제1 전극(104)의 타면은 챔버(101) 외부를 향할 수 있다. 챔버(101) 내부를 향하는 제1 전극(104)의 일면에 는 가스를 챔버(101) 내로 유출시킬 수 있는 샤워 헤드(shower head)(104a)가 배치된다. 챔버(101) 외부를 향하는 제1 전극(104)의 타면에는 챔버(101) 외부로부터 제1 전극(104) 내부로 가스가 유입될 수 있는 배관(104b)가 배치된다. 제1 전극(104) 내부로 N2, O2, He, Ar과 같은 가스가 주입된다. 상기 가스는 제1 전극(104)의 샤워 헤드(104b)를 통해 챔버(101) 내부로 방출된다.
플라즈마 처리 장치(100)는 유량 조절 밸브(107)를 더 구비할 수 있다. 유량 조절 밸브(107)는 배관(104b)에 배치되며 제1 전극(104)으로 유입되는 가스의 유량을 조절할 수 있다.
제1 전극(104)와 챔버(101) 사이에는 제2 절연부재(106)가 배치될 수 있다. 제2 절연부재(105)는 제1 전극(104)가 챔버(101)에 직접 접하는 것을 막는다. 즉, 제2 절연부재(105)는 챔버(101)와 접할 수 있는 제1 전극(104)의 측부와 하부에 배치된다. 제2 절연부재(105)로 인하여 제1 전극(104)와 챔버(101)는 직접 접촉하지 않게 된다. 따라서, 제2 절연부재(105)에 의해 챔버(101)와 제1 전극(104)은 절연되며, 챔버(101)와 제1 전극 사이에 발생하는 아킹을 방지할 수 있다. 제2 절연부재(105)는 테프론으로 이루어질 수 있다.
챔버(101) 내부에는 내부 챔버(108)가 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 내부 챔버(108) 내부에 제1 전극(104)가 배치될 수 있다. 내부 챔버(106)는 상부가 개방되어 있다.
내부 챔버(108)와 챔버(101) 사이에는 제3 절연부재(109)가 배치될 수 있다. 제3 절연부재(109)는 내부 챔버(108)가 챔버(101)에 직접 접촉하는 것을 막는다. 제3 절연부재(109)에 의해 챔버(101)와 내부 챔버(108)는 절연되며, 챔버(101)와 내부 챔버(108) 사이에 발생하는 아킹을 방지할 수 있다. 제3 절연부재(109)는 테프론으로 이루어질 수 있다. 제3 절연부재(109)의 외측부는 제2 커버부(110)로 둘러싸일 수 있다. 제2 커버부(110)는 제3 절연부재(109)가 플라즈마에 직접 노출되는 것을 방지한다. 제2 커버부(110)는 세라믹으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(105)은 제1 전극(104)에 대향하여 기판(103) 위쪽으로 이격되어 배치된다. 제2 전극(105)은 기판(103)이 지지되어 배치되는 간격 조절부(102)의 지지봉(102b)에 지지되어 배치될 수 있다.
제2 전극(105)은 기판(103) 위쪽으로 이격되어 지지봉(102b)에 고정 배치될 수 있다. 이와 같이 제2 전극(105)이 지지봉(102b)에 고정 배치되는 경우, 기판(103)이 간격 조절부(102)에 의해 상승 또는 하강하는 되면, 기판(103)과 제2 전극(105)과의 간격은 커지거나 작아질 수 있다.
보다 상세하게는, 제2 전극(105)이 지지봉(102b)에 고정 배치되므로 기판(103)이 상승하면, 기판(103)과 제2 전극(105) 사이의 간격은 감소하고 ,기판(103)과 제1 전극(105) 사이의 간격은 증가한다. 또한, 기판(103)이 하강하면, 기판(103)과 제2 전극(105) 사이의 간격은 증가하고 ,기판(103)과 제1 전극(105) 사이의 간격은 감소한다.
본 발명의 변형예로서, 제2 전극(105)은 기판(103)과 일정한 간격을 유지하도록 지지봉(102b)에 배치될 수 있다. 이 경우, 기판(103)과 제2 전극(105)은 간격을 유지하면서 상승 또는 하강한다. 기판(103)의 상승 또는 하강에 의하여 기 판(103)과 제1 전극(104)과의 간격이 증가하거나 감소할 뿐이며, 기판(103)과 제2 전극(105) 사이의 간격은 유지된다. 이와 같이 제2 전극(105)과 기판(103)의 간격은 일정하게 유지되는 경우 제2 전극(105)과 기판(103)과의 간격을 변경하고자 할 때에는 제2 전극(105)을 지지봉(102b)에서 분리하여 기판(103)과의 간격을 다시 결정하여 지지봉(102b)에 배치할 수 있다.
본 발명의 다른 변형예로서, 제2 전극(105)은 간격 조절부(102)에 의해 이동될 수 있다. 즉, 간격 조절부(102)는 제2 전극(105)을 상승 또는 하강시켜 제2 전극(105)과 기판(103) 사이의 간격(S2)을 조절할 수 있다. 이 경우, 간격 조절부(102)는 기판(103)을 제1 전극(104)에 대하여 상승 또는 하강시켜 제1 전극(104)와 기판(103) 사이의 간격(S1)을 조절하고, 기판(103)을 고정시킨 상태에서 제2 전극(105)을 기판(103)에 대하여 상승 또는 하강시켜 기판(103)과 제2 전극(105) 사이의 간격(S2)을 조절한다.
제2 전극(105)은 그라운드 상태일 수 있다.
제2 전극(105)은 내부에 냉매가 흐를 수 있도록 공간이 마련되어 있으며, 상기 냉매가 제2 전극(105)을 흐르게 됨으로써 제2 전극(105)이 과열되는 것을 방지하고 제2 전극(105)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 RF전극인 제1 전극(104)과 기판(103) 사이의 간격을 조절함으로써 챔버(101) 내의 플라즈마 상태를 조절하여 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(103) 상의 애노드(anode)(미도시) 표면을 균일하게 에칭하여 유기 발광 디스플레이 장치의 휘도 저하를 방지하며 수율을 증가시 킬 수 있다.
도 3은 종래의 플라즈마 처리 장치에 의해 플라즈마 처리된 원장 기판(203)의 에칭 정도를 나타내는 에칭 맵이다. 상세하게는 도 3의 (a)는 2차원 에칭 맵이며, 도 3의 (b)는 3차원 에칭 맵이다.
도 3의 (a) 및 (b)에서는 원장 기판(203) 표면에서의 에칭 깊이에 따라 색을 달리하여 표시하고 있다. 도 3의 (a) 및 (b)을 참조하면, 원장 기판(203)의 표면의 일부분(A)은 깊게 에칭되며, 타부분(B)은 얕게 에칭되어 에칭이 균일하지 않음을 볼 수 있다. 에칭이 심한 곳은 에칭이 약한 곳에 비하여 휘도가 상대적으로 저하되며, 에칭이 매우 약하게 이루어진 곳은 수명이 저하되는 문제점이 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 의해 플라즈마 처리된 원장 기판(303)의 에칭 정도를 나타내는 에칭 맵이다. 상세하게는 도 4의 (a)는 2차원 에칭 맵이며, 도 4의 (b)는 3차원 에칭 맵이다.
도 4의 (a) 및 (b)을 참조하면 원장 기판(303)의 표면이 비교적 균일하게 에칭된 것을 확인할 수 있다. 즉, 조금 깊게 에칭이 된 부분(A)과 얕게 에칭이 된 부부(B) 사이의 차이가 크지 않으며, 전반적으로 균일하게 에칭된 것을 확인할 수 있다. 이와 같이 균일한 에칭이 이루어짐으로써 유기 발광 디스플레이 장치의 휘도 저하나 수명 단축 문제를 해결할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 간격 조절부의 변형예이다.
도 3은 종래의 플라즈마 처리 장치에 의해 플라즈마 처리된 원장 기판의 에칭 정도를 나타내는 에칭 맵이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 의해 플라즈마 처리된 원장 기판의 에칭 정도를 나타내는 에칭 맵이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 플라즈마 처리 장치 101: 챔버
102: 간격 조절부 104: 제1 전극
105: 제2 전극 107: 유량 조절 밸브

Claims (31)

  1. 기판에 형성된 전극의 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    내부에 상기 기판이 배치되는 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되며, 상기 기판의 하면으로부터 이격되어 배치되는 제1 전극; 및
    상기 챔버 내에 배치되며, 상기 기판의 상면으로부터 이격되어 배치되는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 기판 사이 간격 또는 상기 제2 전극과 상기 기판 사이의 간격을 조절하는 간격 조절부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 간격 조절기는 상기 기판을 상승 또는 하강시켜서 상기 제1 전극과 상기 기판 사이의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 간격 조절기는 상기 제2기판을 상승 또는 하강시켜서 상기 제2 전극과 상기 기판 사이의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 유기 발광 디스플레이 소자의 전극 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    챔버;
    상기 챔버 내에서 기판을 지지하고 이동시키는 간격 조절부;
    상기 기판 아래쪽으로 이격되어 배치되는 제1 전극; 및
    상기 제1 전극에 대향하여 상기 기판 위쪽으로 이격되어 배치되는 제2 전극;을 구비하며,
    상기 간격 조절부는 상기 기판과 상기 제1 전극과의 간격 또는 상기 기판과 상기 제2 전극과의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제5항에 있어서,
    상기 간격 조절부는,
    상기 기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 기판 면에 수직하도록 상기 기판 지지부와 결합되는 지지봉; 및
    상기 지지봉을 그 길이 방향으로 상승 또는 하강시키는 액츄에이터;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 액츄에이터는 상기 지지봉을 상기 챔버의 상부로 이동시킴으로써 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격을 증가시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 액츄에이터는 상기 지지봉을 상기 챔버의 하부로 이동시킴으로써 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격을 감소시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 기판 상에 이격되도록 상기 지지봉에 의해 지지되어 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제2 전극의 간격은 일정하게 유지되며, 상기 기판은 상승 또는 하강하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 기판 지지봉에 고정 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판이 상승하는 경우, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격은 증가하며, 상기 기판과 상기 제2 전극 사이의 간격은 감소하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 기판이 하강하는 경우, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격은 감소하며, 상기 기판과 상기 제2 전극 사이의 간격은 감소하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  13. 제5항에 있어서,
    상기 기판 지지부와 상기 지지봉은 절연재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    성기 기판 지지부와 상기 지지봉은 세라믹으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 세라믹은 알루미나(Al2O3)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  16. 제5항에 있어서,
    상기 기판 지지부와 상기 지지봉 사이에 배치되는 제1 절연부재를 더 구비하며,
    상기 제1 절연부재는 상기 기판 지지부와 상기 지지봉을 서로 결합시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 절연부재의 외측부를 감싸는 제1 커버부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 커버부는 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 제1 절연부재는 플라스틱으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 기판 지지부와 상기 지지봉은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  21. 제4항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 챔버 사이에 배치되는 제2 절연부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제2 절연부재는 테프론(teflon)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  23. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전극은 그라운드 상태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  24. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전극의 온도를 일정하게 유지하기 위해 상기 제2 전극 내부에 냉매가 흐르는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  25. 제4항에 있어서,
    상기 제1 전극은,
    챔버 외부로부터 가스가 유입되는 배관; 및
    상기 가스를 챔버 내로 배출시킬 수 있는 샤워 헤드(shower head);를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 전극으로 유입되는 상기 가스의 유량을 조절할 수 있는 유량 조절 밸브를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  27. 제4항에 있어서,
    상기 챔버 내부에 배치되는 내부 챔버를 더 구비하며,
    상기 내부 챔버 내부에 상기 제1 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 내부 챔버와 상기 챔버 사이에 배치되는 제3 절연부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 제3 절연부재는 테프론으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  30. 제 28항에 있어서,
    상기 제3 절연부재의 외측부를 감싸는 제2 커버부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 처리 장치.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 제2 커버부는 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라스틱 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150077730A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 주식회사 선익시스템 Ｏｌｅｄ 기판 플라즈마 처리장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6348321B2 (ja) * 2013-05-17 2018-06-27 キヤノンアネルバ株式会社 エッチング装置
EP2854155B1 (en) * 2013-09-27 2017-11-08 INDEOtec SA Plasma reactor vessel and assembly, and a method of performing plasma processing
CN103956315B (zh) * 2014-05-22 2016-05-18 中国地质大学（北京） 一种电极间距可调的等离子体反应腔室及电极间距调整装置
CN103972014B (zh) * 2014-05-22 2016-05-18 中国地质大学（北京） 等离子体反应腔室电极间隙调整装置及等离子体反应腔室
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
KR101938306B1 (ko) * 2016-04-18 2019-01-14 최상준 건식 에칭장치의 제어방법
US10615058B2 (en) * 2016-12-29 2020-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for field guided acid profile control in a photoresist layer
JP7233348B2 (ja) * 2019-09-13 2023-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2673538B2 (ja) 1988-05-02 1997-11-05 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置及びエッチング方法
US5670066A (en) * 1995-03-17 1997-09-23 Lam Research Corporation Vacuum plasma processing wherein workpiece position is detected prior to chuck being activated
US5855679A (en) * 1995-03-30 1999-01-05 Nec Corporation Semiconductor manufacturing apparatus
MY120869A (en) * 2000-01-26 2005-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus and method
US7214600B2 (en) * 2004-06-25 2007-05-08 Applied Materials, Inc. Method to improve transmittance of an encapsulating film
JP2006135303A (ja) * 2004-10-05 2006-05-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、並びにプラズマ成膜装置に用いられる記憶媒体
US8021521B2 (en) * 2005-10-20 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Method for agile workpiece temperature control in a plasma reactor using a thermal model
KR101352365B1 (ko) * 2006-08-09 2014-01-16 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
KR20080020722A (ko) * 2006-08-24 2008-03-06 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판의 처리 방법
KR20080061811A (ko) * 2006-12-28 2008-07-03 주식회사 케이씨텍 기판 표면처리장치
US8161906B2 (en) * 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150077730A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 주식회사 선익시스템 Ｏｌｅｄ 기판 플라즈마 처리장치

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