KR20100120975A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (31)
- 기판에 형성된 전극의 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,내부에 상기 기판이 배치되는 챔버;상기 챔버 내에 배치되며, 상기 기판의 하면으로부터 이격되어 배치되는 제1 전극; 및상기 챔버 내에 배치되며, 상기 기판의 상면으로부터 이격되어 배치되는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 기판 사이 간격 또는 상기 제2 전극과 상기 기판 사이의 간격을 조절하는 간격 조절부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 간격 조절기는 상기 기판을 상승 또는 하강시켜서 상기 제1 전극과 상기 기판 사이의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제2항에 있어서,상기 간격 조절기는 상기 제2기판을 상승 또는 하강시켜서 상기 제2 전극과 상기 기판 사이의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 유기 발광 디스플레이 소자의 전극 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,챔버;상기 챔버 내에서 기판을 지지하고 이동시키는 간격 조절부;상기 기판 아래쪽으로 이격되어 배치되는 제1 전극; 및상기 제1 전극에 대향하여 상기 기판 위쪽으로 이격되어 배치되는 제2 전극;을 구비하며,상기 간격 조절부는 상기 기판과 상기 제1 전극과의 간격 또는 상기 기판과 상기 제2 전극과의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 간격 조절부는,상기 기판을 지지하는 기판 지지부;상기 기판 면에 수직하도록 상기 기판 지지부와 결합되는 지지봉; 및상기 지지봉을 그 길이 방향으로 상승 또는 하강시키는 액츄에이터;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 액츄에이터는 상기 지지봉을 상기 챔버의 상부로 이동시킴으로써 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격을 증가시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제6항에 있어서,상기 액츄에이터는 상기 지지봉을 상기 챔버의 하부로 이동시킴으로써 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격을 감소시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제7항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 기판 상에 이격되도록 상기 지지봉에 의해 지지되어 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제8항에 있어서,상기 기판과 상기 제2 전극의 간격은 일정하게 유지되며, 상기 기판은 상승 또는 하강하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 기판 지지봉에 고정 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제10항에 있어서,상기 기판이 상승하는 경우, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격은 증가하며, 상기 기판과 상기 제2 전극 사이의 간격은 감소하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제10항에 있어서,상기 기판이 하강하는 경우, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 간격은 감소하며, 상기 기판과 상기 제2 전극 사이의 간격은 감소하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 기판 지지부와 상기 지지봉은 절연재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제13항에 있어서,성기 기판 지지부와 상기 지지봉은 세라믹으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제14항에 있어서,상기 세라믹은 알루미나(Al2O3)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 기판 지지부와 상기 지지봉 사이에 배치되는 제1 절연부재를 더 구비하며,상기 제1 절연부재는 상기 기판 지지부와 상기 지지봉을 서로 결합시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제16항에 있어서,상기 제1 절연부재의 외측부를 감싸는 제1 커버부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제17항에 있어서,상기 제1 커버부는 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제16항에 있어서,상기 제1 절연부재는 플라스틱으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제16항에 있어서,상기 기판 지지부와 상기 지지봉은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 챔버 사이에 배치되는 제2 절연부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제21항에 있어서,상기 제2 절연부재는 테프론(teflon)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 제2 전극은 그라운드 상태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 제2 전극의 온도를 일정하게 유지하기 위해 상기 제2 전극 내부에 냉매가 흐르는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 제1 전극은,챔버 외부로부터 가스가 유입되는 배관; 및상기 가스를 챔버 내로 배출시킬 수 있는 샤워 헤드(shower head);를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제25항에 있어서,상기 제1 전극으로 유입되는 상기 가스의 유량을 조절할 수 있는 유량 조절 밸브를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 챔버 내부에 배치되는 내부 챔버를 더 구비하며,상기 내부 챔버 내부에 상기 제1 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제27항에 있어서,상기 내부 챔버와 상기 챔버 사이에 배치되는 제3 절연부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제28항에 있어서,상기 제3 절연부재는 테프론으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 28항에 있어서,상기 제3 절연부재의 외측부를 감싸는 제2 커버부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 처리 장치.
- 제30항에 있어서,상기 제2 커버부는 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라스틱 처리 장치.
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