KR20100102520A - 펠리클의 제조 방법 및 펠리클 - Google Patents

Abstract

본 발명은 장기간 사용해도 투과율 저하가 적은 펠리클을 제공하는 것을 과제로 한다.

(해결수단) 불소 수지를 함유하는 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법. 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정은 저압 수은 램프, 중수소 램프, 크세논 엑시머 램프 및 ArF 엑시머 레이저로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1개의 자외선 광원에 의해 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정인 것이 바람직하다.

펠리클의 제조 방법

Description

펠리클의 제조 방법 및 펠리클{METHOD OF MANUFACTURING PELLICLE AND PELLICLE}

본 발명은 펠리클의 제조 방법 및 펠리클에 관한 것이다.

종래, LSI, 초LSI 등의 반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 있어서는 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 광을 조사하여 패터닝을 하는 방법이 채용되어 있다. 이 경우에 사용하는 노광 원판에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지가 광을 흡수하거나 광을 반사해 버리기 때문에 전사된 패터닝이 변형되거나 에지가 거칠어져 버려 치수, 품질, 외관 등이 손상되고, 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 제조 수율의 저하를 초래한다는 문제가 있었다.

이 때문에, 노광 원판의 표면에 먼지 방지를 위해서 노광용 광을 잘 통과시키는 펠리클을 점착시키는 방법이 행해지고 있다. 이 경우, 먼지는 노광 원판의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클막 상에 부착되기 때문에 리소그래피시에 초점을 노광 원판의 패턴 상에 맞춰 두면 펠리클 상의 먼지는 디포커스되어 전사에 무관계하게 되는 이점이 있다.

이 펠리클은 광을 잘 통과시키는 니트로셀룰로오스, 초산셀룰로오스, 불소 수지 등으로 이루어지는 투명한 펠리클막을 알루미늄 등으로 이루어지는 펠리클 프레임의 상부에 접착제에 의해 접착하고, 펠리클 프레임의 하부에는 아크릴 수지, 실리콘 수지 등으로 이루어지는 점착층을 형성하여 구성되어 있다(특허 문헌 1~4 참조).

리소그래피의 해상도는 점차 높아져 오고 있으며, 그 해상도를 실현하기 위해서 서서히 파장이 짧은 광이 광원으로서 사용되도록 되어 오고 있다. 구체적으로는 자외광은 g선(436㎚), i선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚)로 이행되고 있으며, 최근에는 ArF 엑시머 레이저(193㎚)가 사용되기 시작했다.

여기에서, 특히 ArF 레이저가 노광광으로서 사용되는 경우에 마스크의 패턴 표면에 성장성 이물이 생성되는 경우가 있다. 이것은 마스크가 놓여지는 환경 중에 존재하는 유기물 또는 무기물 가스가 ArF 레이저광과 반응하여 마스크의 표면에 고체로서 석출되기 때문이라고 여겨진다. 또한, 마스크가 세정될 때의 세정 잔사가(이 경우에는 이온종인 경우가 많지만) 마스크 상에 남고, 그 잔류 이온종이 ArF 레이저광에 의해 반응하여 역시 마스크의 표면에 고체로서 석출되는 경우가 있다고도 여겨지고 있다. 이들 패턴 상에의 이물의 석출이 발생되면 그 이물은 웨이퍼에 전사되기 때문에 중대한 결함이 된다. 따라서, 마스크가 사용되는 환경의 유기물 또는 무기물 가스의 농도를 관리하거나 마스크의 세정 잔사를 억제하는 검토가 진행되고 있다.

상기 마스크 상에의 이물의 석출이 마스크의 패턴면과는 반대의 이면(일반적으로 유리면이라고 함)에 발생되거나 또는 펠리클막 상에 발생되는 경우가 있다. 이 경우에는 석출된 이물은 유리면의 경우에는 마스크의 두께의 분만큼 웨이퍼 상의 초점이 어긋나기 때문에 석출된 이물이 웨이퍼에 전사되는 경우는 없다. 또한, 펠리클막 상에의 석출된 이물의 경우도 펠리클막과 패턴면의 거리의 분만큼 초점이 어긋나기 때문에 이들 경우도 석출된 이물이 웨이퍼에 전사되는 경우는 없다.

그러나, 이들 유리면, 펠리클막 상에 석출된 이물은 노광광의 산란을 초래하고, 그 결과 마스크의 투과율 저하를 야기한다. 마스크의 투과율이 저하되면 그 분만큼 웨이퍼에 도달되는 광량이 감소하고, 웨이퍼 상에 그려지는 패턴의 선폭 편차의 원인이 되어 결과적으로 반도체 소자의 품질 저하로 이어진다.

[특허 문헌]

[특허 문헌 1] 일본 특허공개 소58―219023호 공보

[특허 문헌 2] 미국 특허 제 4861402호 명세서

[특허 문헌 3] 일본 특허공고 소63-27707호 공보

[특허 문헌 4] 일본 특허공개 평7-168345호 공보

본 발명은 장기간 사용해도 투과율 저하가 적은 펠리클을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 상기 과제는 이하의 <1>, <7>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시형태인 <2>~<6>과 함께 이하에 기재한다.

<1> 불소 수지를 함유하는 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법,

<2> <1>에 있어서, 불소 수지를 함유하는 펠리클막을 기판 상에 형성하는 공정, 기판으로부터 펠리클막을 박리하는 공정 및 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정을 이 순서로 갖는 펠리클의 제조 방법,

<3> <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 자외광을 조사하는 공정은 저압 수은 램프에 의해 185㎚의 파장의 광을 포함하는 자외광을 조사하는 공정인 펠리클의 제조 방법,

<4> <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 자외광을 조사하는 공정은 중수소 램프에 의해 140㎚ 이상 220㎚ 이하의 파장의 광을 포함하는 자외광을 조사하는 공정인 펠리클의 제조 방법,

<5> <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 자외광을 조사하는 공정은 크세논 엑시머 램프에 의해 자외광을 조사하는 공정인 펠리클의 제조 방법,

<6> <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 자외광을 조사하는 공정은 ArF 엑시머 레이저광을 조사하는 공정인 펠리클의 제조 방법,

<7> <1>~<6> 중 어느 하나의 제조 방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 펠리클.

(발명의 효과)

본 발명에 의하면 장기간 사용해도 투과율 저하가 적은 펠리클을 제공할 수 있었다.

본 발명의 펠리클의 제조 방법은 불소 수지를 함유하는 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광(UV광)을 조사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명자 등은 불소 수지를 함유하는 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사함으로써 펠리클막 상에 이물이 석출되기 어려워지는 것을 발견하여 본 발명의 완성에 이른 것이다.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.

불소 수지를 함유하는 펠리클막은 일반적으로 평활하며 청정한 기판 상에 성막되고, 그 후 기판으로부터 박리됨으로써 제조된다. 그 막이 펠리클 프레임에 부착되고, 프레임의 반대측에 점착층을 형성함으로써 펠리클이 완성된다. 여기에서 펠리클막을 기판으로부터 박리한 후에 이 펠리클막에 220㎚ 이하의 UV광을 조사하는 것이 바람직하다. 펠리클막에의 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정은 기판 상의 펠리클막에 대하여 행할 수도 있지만, 막의 양면에 자외광을 조사하여 막의 양면을 개질하는 관점에서 펠리클막을 기판으로부터 박리한 후에 행하는 것이 바람직하다. 펠리클막을 220㎚ 이하의 파장을 갖는 자외광에 의해 조사함으로써 이 펠리클이 노광 장치 내에서 사용될 때에 펠리클막 상에 이물이 석출되기 어려워진다.

펠리클막 상에 이물이 석출되지 않으면 이물에 의한 산란이 발생되지 않아 투과율의 저하를 방지할 수 있다. 이 현상은 상세한 작용 메커니즘은 불분명하지만 불소 수지를 함유하는 펠리클막에 220㎚ 이하의 UV광을 조사함으로써 불소 수지의 표면이 개질되어 이물의 원인이 되는 가스, 그 밖의 것이 펠리클막 표면에 흡착되어도 펠리클막 상에서 이물로 성장되는 것이 방해되기 때문이라고 생각된다.

이 펠리클막에의 자외광의 조사에 사용되는 UV 광원은 220㎚ 이하의 파장이 조사되는 UV 광원을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 185㎚의 파장의 광이 조사되는 저압 수은 램프, 160~220㎚의 파장의 광을 포함하는 중수소 램프, 엑시머 램프에서는 172㎚의 파장의 광을 발생시키는 크세논 엑시머 램프, 193㎚의 파장의 광이 조사되는 ArF 레이저 등을 사용할 수 있다.

즉, 본 발명에 있어서 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정은 저압 수은 램프, 중수소 램프, 크세논 엑시머 램프 및 ArF 엑시머 레이저로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1개의 자외선 광원에 의해 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정인 것이 바람직하다.

저압 수은 램프는 점등 중의 수은 증기압이 1~10Pa 정도인 것을 가리키고, 184.9㎚, 253.7㎚의 자외광을 주로 한 광원이다. 저압 수은 램프에 의해 자외광을 조사하면 185㎚의 파장의 자외광이 조사된다.

중수소 램프는 중수소를 봉입한 수소 방전관이며, 중수은 램프로부터는 자외 부 전역(160㎚~400㎚)의 파장 영역에 걸친 연속 스펙트럼이 얻어진다. 본 발명에 있어서는 자외선 조사 광원으로서 중수소 램프를 사용함으로써 160㎚~220㎚의 파장의 광이 조사된다.

엑시머 레이저는 희가스나 할로겐 등의 혼합 가스를 이용하여 레이저광을 발생시키는 장치이며, 사용하는 희가스, 혼합 가스 등에 의해 특정의 펄스를 발진한다.

크세논 엑시머 램프로부터는 172㎚의 파장을 갖는 자외광이 조사되며, ArF 엑시머 레이저로부터는 193㎚의 파장을 갖는 자외광이 조사된다.

자외광원으로서는 특별히 한정되지 않지만 상술한 저압 수은 램프, 중수소 램프, 크세논 엑시머 램프 및 ArF 엑시머 레이저가 입수 용이하다는 점에서 바람직하며, 이들 중에서도 특히 대면적을 일괄적으로 조사할 수 있다는 점에서 저압 수은 램프 및 크세논 엑시머 램프가 바람직하다.

자외선의 강도는 특별히 한정되지 않지만 0.1μW/㎠~20mW/㎠인 것이 바람직하다. 자외선의 조사 강도가 상기 범위 내이면 자외선 조사에 의한 효과가 발휘되므로 바람직하다.

또한, 자외선 조사 시간은 특별히 한정되지 않지만 어느 정도의 처리 시간에서 효과는 포화된다. 또한, 과잉으로 자외선을 조사하면 막의 열화가 발생되는 경우가 있다. 따라서, 막의 열화를 방지하고, 또한 제조를 간편하게 한다는 관점에서 자외선 조사 시간은 효과가 발생되는 범위에서 짧은 쪽이 바람직하다.

실제 펠리클 제작 공정에 있어서는 사용하는 자외선 강도에 따라 미리 효과 가 포화되는 시간을 측정한 후에 자외선 조사 시간을 결정하거나 또는 조사 시간의 목표값을 설정한 후에 자외선 강도를 조정한다는 등에 의해 자외선 강도 및 조사 시간을 설정하는 것이 바람직하다.

펠리클은 일반적으로 이하와 같은 공정에 의해 제조된다. 즉, 펠리클막을 구성하는 수지를 용해한 용액을 표면이 평활한 기판 상에 적하하여 균일한 액막으로 한다. 이 액막을 건조시켜 수지만의 막으로 한 경우에 기판으로부터 수지막만을 박리하여 펠리클막으로 한다. 접착제, 점착제 등을 도포한 알루미늄 프레임에 박리한 펠리클막을 부착하고, 프레임 외측의 불필요한 막을 절단·제거함으로써 펠리클을 완성시킨다.

본 발명의 펠리클의 제조 방법은 (1) 불소 수지를 함유하는 펠리클막을 기판 상에 형성하는 공정, (2) 기판으로부터 펠리클막을 박리하는 공정 및 (3) 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정을 이 순서로 갖는 것이 바람직하다.

이하, 각 공정에 대해서 상세하게 설명한다.

(1) 불소 수지를 함유하는 펠리클막을 기판 상에 형성하는 공정

(불소 수지)

본 발명에 있어서 펠리클막은 불소 수지를 함유한다. 펠리클막은 불소 수지를 주성분으로서 함유하는 것이 바람직하며, 구체적으로는 도포 건조 후의 펠리클막의 80중량% 이상이 불소 수지인 것이 바람직하고, 90중량% 이상이 불소 수지인 것이 보다 바람직하며, 펠리클막이 불소 수지만으로 이루어지는 것이 더욱 바람직 하다.

불소 수지는 특별히 한정되지 않지만 환상 구조를 갖는 퍼플루오로에테르 중합체{상품명: 아사히가라스(주)제 사이톱 CTX-S) 또는 테트라플루오로에틸렌과 환상 퍼플루오로에테르기를 갖는 불소 함유 모노머의 공중합체(상품명: 듀폰사제 테플론 AF1600) 등이 예시된다.

또한, 상기 불소 수지는 불소 함유 단량체와, 기타 단량체의 공중합체이어도 좋다.

(기판)

펠리클막을 형성하는 기판(불소 수지를 함유하는 펠리클막을 제막하기 위한 제막 기판)은 어느 정도의 강성을 갖고, 표면이 평탄하며 평활한 기판이면 공지의 것으로부터 적당히 선택하면 좋다. 예를 들면, 청판 유리나 석영 유리 등의 여러가지 유리판이나 반도체 제조에 사용되는 단결정 실리콘 웨이퍼 등도 바람직하게 사용할 수 있다.

(펠리클막의 제막 방법)

펠리클막은 공지의 여러가지 방법을 이용하여 기판 상에 제막할 수 있지만 통상은 수지를 용해할 수 있는 용매에 용해하여 용액으로 하고, 스핀 코트법, 스프레이 코트법 또는 바 코트법 등의 기존의 도포 방법을 이용하여 제막 기판 상에 도포되고, 그 후 용매를 제거하는 제막 방법이 바람직하게 사용된다. 이들 중에서 박막의 막 두께 제어성이 우수하고, 균일한 막 두께의 박막이 얻어지기 쉬운 스핀 코트법이 특히 바람직하다.

스핀 코트법 등에 의해 제막 기판 상에 도포된 수지 용액은 제막 기판마다 클린 오븐 등을 이용해서 가열되어 용매가 제거·건조되는 것이 바람직하다. 이렇게 하여 제막 기판 상에 불소 함유 수지막(펠리클막)이 제막된다.

여기에서, 펠리클막의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만 0.1~20㎛인 것이 바람직하다. 높은 투명성을 유지하는 관점에서 펠리클막의 막 두께는 얇은 것이 바람직하지만 강도를 유지하는 관점에서 어느 정도의 막 두께가 필요로 된다. 이 때문에 반도체 제조용 펠리클에서 일반적인 6인치 사이즈에서는 펠리클막의 막 두께는 0.2㎛~2㎛인 것이 바람직하고, 보다 큰 사이즈인 액정용 펠리클에서는 펠리클막의 막 두께는 1㎛~10㎛인 것이 바람직하다.

펠리클막의 막 두께가 상기 범위 내이면 투명성 및 강도가 우수하므로 바람직하다.

(2) 기판으로부터 펠리클막을 박리하는 공정

기판으로부터 펠리클막을 박리하는 공정은 펠리클막이 손상되지 않고 박리되면 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 펠리클막의 단면에 수지제의 프레임을 테이프 등에 의해 부착하고, 이 프레임을 들어 올려서 제막 기판으로부터 펠리클막을 박리하여 자립막을 얻는 방법을 예시할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서 이하의 펠리클 프레임에 펠리클막을 부착함으로써 펠리클을 제작할 수 있다.

(펠리클 프레임)

본 발명에 사용되는 펠리클 프레임은 마스크의 형상에 따라 적당히 설계되는 것이지만 통상 펠리클 프레임의 형상은 링상 또는 직사각형상, 정사각형상이며, 마스크에 형성된 회로 패턴부를 덮는 크기와 형상을 구비하고 있다. 직사각형상, 정사각형상의 펠리클 프레임의 모서리는 둥글게 되어 있어도 상관없다. 펠리클 프레임의 높이는 통상 1~10㎜ 정도이며, 바람직하게는 3~7㎜ 정도이다. 그 재질로서는 알루미늄 등의 금속이나 수지 등이 바람직하게 사용된다.

펠리클 프레임의 내면에는 진애 등을 흡착시키기 위한 점착제 등이 설치되어 있어도 좋다. 펠리클을 마스크에 고정시킬 때에 펠리클과 마스크에 의해 형성되는 밀폐 공간의 내부와 외부의 기압차를 해소하기 위해서 펠리클 프레임에 연통 구멍이 형성되어 있어도 좋고, 또한 상기 연통 구멍으로부터 진애가 침입하는 것을 방지하기 위한 필터 등이 설치되어 있어도 좋다.

(펠리클)

본 발명의 제막 방법에 의해 제막된 불소 함유 수지막이 펠리클막으로서 접착제 등을 이용하여 펠리클 프레임 상에 설치되어 펠리클이 된다. 펠리클막이 설치된 면과 반대측의 펠리클 프레임의 단면에는 상기 펠리클을 마스크에 고정시키기 위한 접착제나 양면 점착 테이프 등이 부여되며, 또한 상기 마스크에 고정시키기 위한 접착제나 양면 점착 테이프 등을 보호하기 위한 보호 필름이 부여된 후, 전용 케이스에 수납되어 포토리소그래피 공정에서 사용될 때까지 보관된다.

또한, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 펠리클은 반도체 제조용 노광 장치 또는 액정 제조용 노광 장치에 바람직하게 사용된다.

(실시예)

이하, 본 발명의 실시예를 나타내지만 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

사이톱 CTX-S{아사히가라스(주)제}를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 4% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 760rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 펼쳤다. 그 후, 실온에서 30분간 건조시킨 후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 부착하고, 막만을 박리하여 펠리클막으로 했다. 이 펠리클막에 조사 강도가 20mW/㎠인 저압 수은 램프의 광을 1분간 조사했다.

표면이 알루마이트 처리된 알루미늄제의 프레임(외부 치수: 149㎜×122㎜×5.8㎜)의 상면에 막 접착제를, 하면에 마스크 점착제를 도포했다. 그 후, 막 접착제측을 펠리클막에 부착하고, 프레임의 외주의 막을 절단하여 펠리클을 완성시켰다. 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 99.8%였다.

여기에서, 투과율 측정의 스폿 사이즈는 6㎜φ이며, 상기 측정 스폿 중에 이물이 발생되면 투과율이 저하된다.

이 펠리클을 포토마스크에 부착하고, 그 펠리클이 부착된 포토마스크를 내부 치수가 종횡 200㎜, 높이 100㎜인 밀폐 용기에 보관했다. 또한, 이 밀폐 용기에는 실리콘 수지 0.2g을 동봉했다. 1주간 방치한 후 포토마스크를 인출하여 펠리클을 포토마스크로부터 박리하고, 펠리클막을 암실에서 집광에 의해 확인한 결과, 이물의 석출은 보여지지 않았다. 또한, 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파 장에 대하여 99.8%이며, 투과율의 변화는 보여지지 않았다.

(실시예 2)

사이톱 CTX-S{아사히가라스(주)제}를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 4% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 760rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 펼쳤다. 그 후, 실온에서 30분간 건조시킨 후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 부착하고, 막만을 박리하여 펠리클막으로 했다. 이 펠리클막에 조사 강도가 1μW/㎠인 중수소 램프의 광을 10초간 조사했다.

표면이 알루마이트 처리된 알루미늄제의 프레임(외부 치수: 149㎜×122㎜×5.8㎜)의 상면에 막 접착제를, 하면에 마스크 점착제를 도포했다. 그 후, 막 접착제측을 펠리클막에 부착하고, 프레임의 외주의 막을 절단하여 펠리클을 완성시켰다. 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 99.8%였다.

이 펠리클을 포토마스크에 부착하고, 그 펠리클이 부착된 포토마스크를 내부 치수가 종횡 200㎜, 높이 100㎜인 밀폐 용기에 보관했다. 또한, 이 밀폐 용기에는 실리콘 수지 0.2g을 동봉했다. 1주간 방치한 후 포토마스크를 인출하여 펠리클을 포토마스크로부터 박리하고, 펠리클막을 암실에서 집광에 의해 확인한 결과, 이물의 석출은 보여지지 않았다. 또한, 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 99.8%이며, 투과율의 변화는 보여지지 않았다.

(실시예 3)

사이톱 CTX-S{아사히가라스(주)제}를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 4% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 760rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 펼쳤다. 그 후, 실온에서 30분간 건조시킨 후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 부착하고, 막만을 박리하여 펠리클막으로 했다. 이 펠리클막에 조사 강도가 1mW/㎠인 크세논 엑시머 램프에 의해 10초간 조사했다.

표면이 알루마이트 처리된 알루미늄제의 프레임(외부 치수: 149㎜×122㎜×5.8㎜)의 상면에 막 접착제를, 하면에 마스크 점착제를 도포했다. 그 후, 막 접착제측을 펠리클막에 부착하고, 프레임의 외주의 막을 절단하여 펠리클을 완성시켰다. 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 99.8%였다.

이 펠리클을 포토마스크에 부착하고, 그 펠리클이 부착된 포토마스크를 내부 치수가 종횡 200㎜, 높이 100㎜인 밀폐 용기에 보관했다. 또한, 이 밀폐 용기에는 실리콘 수지 0.2g을 동봉했다. 1주간 방치한 후 포토마스크를 인출하여 펠리클을 포토마스크로부터 박리하고, 펠리클막을 암실에서 집광에 의해 확인한 결과, 이물의 석출은 보여지지 않았다. 또한, 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 99.8%이며, 투과율의 변화는 보여지지 않았다.

(실시예 4)

사이톱 CTX-S{아사히가라스(주)제}를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 4% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 760rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 펼쳤다. 그 후, 실온에서 30분간 건조시킨 후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 부착하고, 막만을 박리하여 펠리클막으로 했다. 이 펠리클막에 조사 강도가 1mW/㎠인 ArF 레이저광을 10초간 조사했다.

표면이 알루마이트 처리된 알루미늄제의 프레임(외부 치수: 149㎜×122㎜×5.8㎜)의 상면에 막 접착제를, 하면에 마스크 점착제를 도포했다. 그 후, 막 접착제측을 펠리클막에 부착하고, 프레임의 외주의 막을 절단하여 펠리클을 완성시켰다. 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 99.8%였다.

이 펠리클을 포토마스크에 부착하고, 그 펠리클이 부착된 포토마스크를 내부 치수가 종횡 200㎜, 높이 100㎜인 밀폐 용기에 보관했다. 또한, 이 밀폐 용기에는 실리콘 수지 0.2g을 동봉했다. 1주간 방치한 후 포토마스크를 인출하여 펠리클을 포토마스크로부터 박리하고, 펠리클막을 암실에서 집광에 의해 확인한 결과, 이물의 석출은 보여지지 않았다. 또한, 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 99.8%이며, 투과율의 변화는 보여지지 않았다.

(비교예 1)

사이톱 CTX-S{아사히가라스(주)제}를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 4% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 760rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 펼쳤다. 그 후, 실온에서 30분간 건조시킨 후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 부착하고, 막만을 박리하여 펠리클막으로 했다.

표면이 알루마이트 처리된 알루미늄제의 프레임(외부 치수: 149㎜×122㎜×5.8㎜)의 상면에 막 접착제를, 하면에 마스크 점착제를 도포했다. 그 후, 막 접착 제측을 펠리클막에 부착하고, 프레임의 외주의 막을 절단하여 펠리클을 완성시켰다. 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 99.8%였다.

이 펠리클을 포토마스크에 부착하고, 그 펠리클이 부착된 포토마스크를 내부 치수가 종횡 200㎜, 높이 100㎜인 밀폐 용기에 보관했다. 또한, 이 밀폐 용기에는 실리콘 수지 0.2g을 동봉했다. 1주간 방치한 후 포토마스크를 인출하여 펠리클을 포토마스크로부터 박리하고, 펠리클막을 암실에서 집광에 의해 확인한 결과, 펠리클막 표면에 약 1㎛ 사이즈의 다수의 이물의 석출이 보여졌다. 또한, 펠리클막의 투과율을 측정한 결과, 193㎚의 파장에 대하여 97.8%로 되어 있고, 투과율의 저하가 확인되었다.

비교예 1에서는 동봉한 실리콘 수지로부터는 실록산 증기가 발생되고, 이 증기가 펠리클막 상에서 이물로 성장했기 때문에 투과율의 저하가 발생되었다고 생각된다. 한편, 상술한 바와 같이, 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사한 실시예 1~4의 펠리클에서는 이러한 이물의 성장은 확인되지 않고, 투과율의 저하는 확인되지 않았다.

Claims (6)

1. 불소 수지를 함유하는 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 불소 수지를 함유하는 펠리클막을 기판 상에 형성하는 공정;

   상기 기판으로부터 상기 펠리클막을 박리하는 공정; 및

   상기 펠리클막에 220㎚ 이하의 파장의 자외광을 조사하는 공정을 이 순서로 갖는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자외광을 조사하는 공정은 저압 수은 램프에 의해 185㎚의 파장의 광을 포함하는 자외광을 조사하는 공정인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자외광을 조사하는 공정은 중수소 램프에 의해 160㎚ 이상 220㎚ 이하의 파장의 광을 포함하는 자외광을 조사하는 공정인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자외광을 조사하는 공정은 크세논 엑 시머 램프에 의해 자외광을 조사하는 공정인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자외광을 조사하는 공정은 ArF 엑시머 레이저광을 조사하는 공정인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.