KR20100072977A - Manufacturing method of oxide semiconductor thin film and oxide thin film transistor - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An oxide semiconductor thin film and a manufacturing method thereof are provided to protect direct heat transmission to a substrate by using a laser when a post annealing is executed during the formation of an oxide semiconductor thin film. CONSTITUTION: An oxide semiconductor aqueous solution(110) by a liquid manufacturing process is formed on a substrate(100). An oxide semiconductor thin film by annealing is formed by irradiating a laser beam to the oxide semiconductor aqueous solution. At least two regions(P1,P2) are formed by using a half-tone mask when the laser beam is irradiated. The oxide semiconductor aqueous solution is formed by using a Sol-GEL method.

Description

산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND OXIDE THIN FILM TRANSISTOR}MANUFACTURING METHOD OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND OXIDE THIN FILM TRANSISTOR

본 발명은 산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산화물 반도체 박막 형성 시 후 열처리를 레이저(Laser)를 이용하기 때문에 기판으로의 직접적인 열 전달을 차단할 수 있는 산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an oxide semiconductor thin film and an oxide thin film transistor, and more particularly, an oxide semiconductor thin film capable of blocking direct heat transfer to a substrate because a laser is used for post-heat treatment when forming an oxide semiconductor thin film. And a method for manufacturing an oxide thin film transistor.

일반적으로, 산화물 반도체는 기존의 실리콘(Si)을 이용하는 반도체 공정을 대체할 수 있을 것으로 기대하고 있는데, 특히, 산화물 반도체를 이용한 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes; OLED) 등의 능동구동소자의 제조에 많은 관심이 집중되고 있다.In general, the oxide semiconductor is expected to be able to replace the conventional semiconductor process using silicon (Si), in particular, manufacturing of active driving devices such as organic light emitting diodes (OLED) using the oxide semiconductor Much attention is focused on this.

또한, 기존 비정질실리콘 반도체소자(Amorphous Si TFT)를 이용하는 액정표시장치(TFT-LCD)의 경우 낮은 이동도로 인해 초고해상도(Ultra High Definition; UHD) 이상의 해상도를 구현하는 것이 어려운데, 이러한 문제를 해결 할 수 있는 대 안으로 여겨진다.In addition, in the case of a liquid crystal display (TFT-LCD) using an amorphous Si TFT, it is difficult to realize a resolution higher than Ultra High Definition (UHD) due to low mobility. It is considered to be a substitute.

더욱이 산화물 반도체의 높은 이동도 및 높은 신뢰성 때문에 다른 평판디스플레이로서, 예컨대, 폴리실리콘 액정표시장치, 플렉시블 액정표시장치 등에 이용되는 소자로서 주목받고 있다.Moreover, due to the high mobility and high reliability of oxide semiconductors, attention has been drawn to other flat panel displays, for example, as elements used in polysilicon liquid crystal displays, flexible liquid crystal displays, and the like.

특히, 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes; OLED) 등의 능동구동소자에 있어서는, 유기발광다이오드(OLED) 등의 특성 상 소자의 안정성(Stability)이 무엇보다도 중요하기 때문에, 지금까지는 폴리 실리콘(Poly-Si) 등을 이용하여 이러한 소자의 양산에 적용하였다. 하지만 그 제조를 위해 사용하는 ELA(Excimer Laser Annealing)의 특성 상 5세대 이상의 대면적에는 그 적용이 어렵다는 단점이 있다.Particularly, in active driving devices such as organic light emitting diodes (OLEDs), the stability of the devices is important because of the characteristics such as organic light emitting diodes (OLEDs). -Si) and the like was applied to mass production of these devices. However, due to the characteristics of the ELA (Excimer Laser Annealing) used for the manufacturing, there is a disadvantage that the application is difficult to large area of 5 generations or more.

이러한 어려움을 극복하기 위해 산화물 반도체가 제안되었다. 또한 기존의 스퍼터(Sputter) 방법이나 ALD(Atomic Layer Deposition) 등의 진공증착 방법 등이 제안되었지만 그 제조원가가 비싸기 때문에 진공장비에 따른 제조 비용을 감소시키기 위해 스핀코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯 방법 등이 제안되었다. 이러한 방법으로 반도체층을 형성하기 위해서는 반도체 물질을 액상으로 만드는 것이 중요한데 이를 졸-겔(Sol-Gel)법이라고 한다.In order to overcome these difficulties, oxide semiconductors have been proposed. In addition, the conventional sputtering method and the vacuum deposition method such as ALD (Atomic Layer Deposition) have been proposed, but the manufacturing cost is high, so spin coating or inkjet method is used to reduce the manufacturing cost according to the vacuum equipment. Proposed. In order to form the semiconductor layer in this way, it is important to make the semiconductor material in a liquid state, which is called a sol-gel method.

하지만, 이러한 졸-겔법을 이용한 방법은, 졸-겔을 만들기 위해 첨가제로써 솔벤트 등이 필요한데, 이러한 첨가제는 후 열처리를 통해 날려보내고 우리가 얻고자하는 순순한 산화물만 남기게 된다. 후 열처리를 위해서는 기존에는 Furnace 등을 이용하여 전체적으로 열을 전달한다.However, the sol-gel method requires a solvent or the like as an additive to make the sol-gel, and the additive is blown through the post-heat treatment and leaves only the pure oxide that we want to obtain. For post-heat treatment, conventionally, heat is transferred using Furnace.

이러한 열처리는 보통 수백 ℃에서 행해지는데, 그 이하의 온도에서는 산화물이 형성되지 않아서 반도체 특성을 보이지 않게 때문이다. 하지만, 이러한 열처리는 제조비용이 많이 소요되며 Flexible 기판에 적용하기 어렵다는 문제점이 있다.This heat treatment is usually carried out at several hundred degrees Celsius, since oxides are not formed at temperatures below that and thus exhibit no semiconductor properties. However, this heat treatment takes a lot of manufacturing cost and has a problem that it is difficult to apply to a flexible substrate.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 산화물 반도체 박막 형성 시 후 열처리를 레이저(Laser)를 이용하기 때문에 기판으로의 직접적인 열 전달을 차단할 수 있는 산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to use oxide laser thin film and an oxide semiconductor thin film to block direct heat transfer to a substrate since post-heat treatment is performed when forming an oxide semiconductor thin film. The present invention provides a method for manufacturing a thin film transistor.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은, 기판 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 반도체 수용액 상에 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법을 제공하는 것이다.In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention comprises the steps of forming an aqueous oxide semiconductor solution by a liquid phase manufacturing process on a substrate; And forming an oxide semiconductor thin film by heat treatment by irradiating a laser beam on the oxide semiconductor aqueous solution, wherein when the laser beam is irradiated, different characteristics are formed on the oxide semiconductor thin film by using a half-tone mask. It is to provide a method for producing an oxide semiconductor thin film, characterized in that at least two regions having a plurality formed.

여기서, 상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 물질들의 화합물이 포함되어 이루어지는 것이 바람직하다.Here, the oxide semiconductor is InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , HfInZnO, GaInZnO, HfO 2 , SnO 2 , WO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , In 2 O 3 SnO 2 , MgZnO, ZnSnO 3 , ZnSnO 4 , CdZnO, CuAlO 2 , CuGaO 2 , Nb 2 O 5 or TiSrO 3 It is composed of any one material or a compound of the materials desirable.

바람직하게는, 상기 산화물 반도체 수용액은 졸-겔(Sol-GEL)법을 이용하여 형성할 수 있다.Preferably, the oxide semiconductor aqueous solution may be formed using a sol-gel (Sol-GEL) method.

바람직하게는, 상기 기판 상에 산화물 반도체 수용액을 형성하는 방법으로는 스크린 프린팅 (Screen Printing), 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯(Ink-Jet) 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용할 수 있다.Preferably, a method of forming an aqueous oxide semiconductor solution on the substrate may be any one selected from screen printing, spin coating, and ink-jet methods.

본 발명의 제2 측면은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연층 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성한 후 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것이다.A second aspect of the invention includes forming a gate electrode on a substrate; Forming a gate insulating layer on the gate electrode; And forming an oxide semiconductor thin film by heat treatment after forming an oxide semiconductor aqueous solution by a liquid phase manufacturing process on the gate insulating layer, wherein a half-tone mask is applied when the laser beam is irradiated. The present invention provides a method for manufacturing an oxide thin film transistor, wherein at least two regions having different characteristics are collectively formed on the oxide semiconductor thin film.

여기서, 상기 적어도 2개의 영역 중 적어도 1개의 영역은 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기 위한 영역인 것이 바람직하다.Here, at least one of the at least two regions is preferably a region for use as a source and a drain electrode.

바람직하게는, 상기 적어도 2개의 영역 중 적어도 1개의 영역은 채널 영역일 수 있다.Preferably, at least one of the at least two regions may be a channel region.

바람직하게는, 상기 레이저빔은 상기 적어도 2개의 영역 중 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기 위한 영역에서 에너지 밀도를 가장 크게 하여 조사되도록 할 수 있다.Preferably, the laser beam may be irradiated with the largest energy density in the region for use as the source and drain electrodes of the at least two regions.

바람직하게는, 상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 물질들의 화합물이 포함되어 이루어질 수 있다.Preferably, the oxide semiconductor is InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , HfInZnO, GaInZnO, HfO 2 , SnO 2 , WO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , In 2 O 3 SnO 2 , MgZnO, ZnSnO 3 , ZnSnO 4 , CdZnO, CuAlO 2 , CuGaO 2 , Nb 2 O 5 or TiSrO 3 or any one selected from the above compound Can be done.

바람직하게는, 상기 산화물 반도체 수용액은 졸-겔(Sol-GEL)법을 이용하여 형성할 수 있다.Preferably, the oxide semiconductor aqueous solution may be formed using a sol-gel (Sol-GEL) method.

바람직하게는, 상기 산화물 반도체 수용액을 형성하는 방법으로는 스크린 프린팅 (Screen Printing), 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯(Ink-Jet) 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용할 수 있다.Preferably, as the method for forming the oxide semiconductor aqueous solution, any one method selected from among screen printing, spin coating, and ink-jet methods may be used.

본 발명의 제3 측면은, 기판 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성한 후 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것이다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of forming an oxide semiconductor thin film by heat treatment after forming an aqueous oxide semiconductor solution by a liquid phase manufacturing process on a substrate; Forming a gate insulating layer on the oxide semiconductor thin film; And forming a gate electrode on the gate insulating layer, wherein at least two regions having different characteristics are collectively formed on the oxide semiconductor thin film by using a half-tone mask when the laser beam is irradiated. It is to provide a method for producing an oxide thin film transistor, characterized in that.

여기서, 상기 적어도 2개의 영역 중 적어도 1개의 영역은 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기 위한 영역인 것이 바람직하다. Here, at least one of the at least two regions is preferably a region for use as a source and a drain electrode.

바람직하게는, 상기 적어도 2개의 영역 중 적어도 1개의 영역은 채널 영역일 수 있다.Preferably, at least one of the at least two regions may be a channel region.

바람직하게는, 상기 적어도 2개의 영역 중 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기 위한 영역에 조사하는 상기 레이저빔의 에너지 밀도는 가장 크도록 할 수 있다.Preferably, the energy density of the laser beam irradiated to the area for use as the source and drain electrodes of the at least two areas may be the largest.

바람직하게는, 상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 물질들의 화합물이 포함되어 이루어질 수있다. Preferably, the oxide semiconductor is InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , HfInZnO, GaInZnO, HfO 2 , SnO 2 , WO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , In 2 O 3 SnO 2 , MgZnO, ZnSnO 3 , ZnSnO 4 , CdZnO, CuAlO 2 , CuGaO 2 , Nb 2 O 5 or TiSrO 3 or any one selected from the above compound Can be done.

바람직하게는, 상기 산화물 반도체 수용액은 졸-겔(Sol-GEL)법을 이용하여 형성할 수있다.Preferably, the oxide semiconductor aqueous solution may be formed using a sol-gel (Sol-GEL) method.

바람직하게는, 상기 산화물 반도체 수용액을 형성하는 방법으로는 스크린 프린팅 (Screen Printing), 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯(Ink-Jet) 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용할 수 있다.Preferably, as the method for forming the oxide semiconductor aqueous solution, any one method selected from among screen printing, spin coating, and ink-jet methods may be used.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에 따르면, 산화물 반도체 박막 형성 시 후 열처리를 레이저(Laser)를 이용하기 때문에 기판으로의 직접적인 열 전달을 차단할 수 있으며, 레이저(Laser)의 강한 에너지를 통해 박막 형성에 필요한 온도를 확보하기 용이하다는 이점이 있다.According to the method for manufacturing the oxide semiconductor thin film and the oxide thin film transistor of the present invention as described above, since the heat treatment is used for the post-heat treatment during the formation of the oxide semiconductor thin film can directly block the heat transfer to the substrate, The strong energy of the laser) has the advantage that it is easy to secure the temperature required to form a thin film.

또한 본 발명에 따르면, 산화물 반도체 박막의 형성 시 하프-톤 마스크(Half-tone mask)를 이용하여 채널 영역과 S/D 영역을 동시에 열처리함으로서 공정 시간 및 비용을 줄일 수 있는 이점이 있다.In addition, according to the present invention, there is an advantage that the process time and cost can be reduced by simultaneously heat-treating the channel region and the S / D region using a half-tone mask when forming the oxide semiconductor thin film.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following embodiments of the present invention may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체 박막의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an oxide semiconductor thin film according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액(110)을 형성한다. 구체적으로, 예컨대, InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 어느 1개 또는 2개 이상의 성분을 포함하는 산화물 반도체를 예컨대, 졸-겔(Sol-Gel)법 등과 같이 액상으로 제조하여 기판(100) 상에 도포한다.First, as shown in FIG. 1A, an oxide semiconductor aqueous solution 110 is formed on a substrate 100 by a liquid phase manufacturing process. Specifically, for example, InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , HfInZnO, GaInZnO, HfO 2 , SnO 2 , WO 3 , TiO 2 , Ta 2 An oxide semiconductor comprising any one or two or more components of O 5 , In 2 O 3 SnO 2 , MgZnO, ZnSnO 3 , ZnSnO 4 , CdZnO, CuAlO 2 , CuGaO 2 , Nb 2 O 5, or TiSrO 3 , for example It is manufactured in a liquid state, such as the Sol-Gel method, and applied onto the substrate 100.

여기서, 기판(100)은 예컨대, 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 띠는 재질로 형성할 수 있으며, 유리 기판과 같은 투명 기판이 바람직한데, 이에 국한하지는 않는다.Here, the substrate 100 may be formed of an insulating material such as, for example, glass, plastic, silicon, or synthetic resin, and a transparent substrate such as a glass substrate is preferable, but is not limited thereto.

이러한 기판(100) 상에 산화물 반도체 수용액(110)을 도포하는 방법으로는, 예컨대, 스크린 프린팅(Screen Printing)법, 스핀 코팅(Spin Coating)법 또는 잉크젯(Ink-jet)법 등을 이용하는 것이 가능하며, 이에 국한되지는 않는다.As a method of coating the oxide semiconductor aqueous solution 110 on the substrate 100, for example, a screen printing method, a spin coating method or an ink-jet method may be used. It is not limited thereto.

먼저, 스크린 프린팅(Screen Printing)법이라 함은 예컨대, 소정의 산화물 반도체를 액상 제조하여 예컨대, 졸-겔을 형성한 후 예컨대, 실크스크린(Silk Screen) 또는 스테인리스 메쉬(Stainless Mesh) 등의 방법을 통해 눌러 도장 찍듯이 상기 액상 제조된 산화물 반도체를 기판 상에 도포하는 방법이다.First, the screen printing method is, for example, by forming a predetermined oxide semiconductor in a liquid phase, for example, forming a sol-gel, and then, for example, a method such as silk screen or stainless mesh. It is a method of coating the liquid oxide prepared oxide semiconductor on a substrate as if pressed through the coating.

즉, 스크린 프린팅(Screen Printing)법은 예컨대, 일정한 패턴이 형성된 스크린을 기판(100) 상에 올려놓고 예컨대, 소정의 페이스트(Paste)를 압착 전사시킴으로서 원하는 패턴을 기판에 인쇄하는 방법으로서, 공정이 단순하고 설비 비용이 저렴하기 때문에 제품의 양산 시 그 제조단가를 낮출 수 있는 가능성이 있다.That is, the screen printing method is a method of printing a desired pattern on a substrate by, for example, placing a screen on which a predetermined pattern is formed on the substrate 100 and, for example, compressing and transferring a predetermined paste. Because of its simplicity and low cost of equipment, there is a possibility of lowering the manufacturing cost when mass-producing products.

이러한, 스크린 프린팅 방법의 공정 메카니즘(Mechanism)은 예컨대, 스퀴지(Squeegee)와 스크린(Screen), 기판 등이 접촉하는 부위에서 상기 페이스트(Paste)가 스퀴지(Squeegee)보다 정면 방향으로 회전하게 되고, 스크린의 개구부를 아래로 이동시켜 기판과 접촉하여 패턴 부에 충진되는데, 스퀴지가 지나간 후 스크린이 기판에서 분리될 때, 페이스트는 기판 상에 잔존한다. 이때의 스퀴지는 스크린과 기판의 밀착을 균일하고 안정되게 하고, 페이스트의 회전을 안정되게 하는 작용을 하게된다. The process mechanism of the screen printing method is, for example, the paste is rotated in the front direction than the squeegee at the site where the squeegee, the screen, the substrate and the like contact, the screen The opening of is moved downwards in contact with the substrate and filled in the pattern portion. When the screen is separated from the substrate after the squeegee passes, the paste remains on the substrate. At this time, the squeegee serves to make the adhesion between the screen and the substrate uniform and stable, and to stabilize the rotation of the paste.

한편, 스크린 프린팅 방법의 인쇄조건에 크게 영향을 미치는 4 가지 변수는 예컨대, 스크린의 분리를 위한 클리어런스(Clearance), 페이스트의 회전을 위한 스퀴지(Squeegee)의 각도, 기판과의 균일한 밀착을 위해 실제로 가해지는 압력 및 페이스트의 적정한 유동을 위한 스퀴지(Squeegee)의 속도 등이 있다. On the other hand, the four variables that greatly affect the printing conditions of the screen printing method are, for example, the clearance for the separation of the screen, the angle of the squeegee for the rotation of the paste, and the uniform adhesion with the substrate. Pressure applied and the speed of the squeegee for proper flow of the paste.

다음으로, 스핀 코팅법은 졸-겔법에서 가장 많이 이용하는 방법 중 하나이며, 마지막으로, 잉크젯 방법은 향후 플렉시블 디스플레이(Flexible display)에서 가장 주목받을 수 있는 박막 형성 방법으로서, 예컨대, 코팅 후 반도체층에 대한 패터닝(Patterning)이 따로 필요 치 않아서 공정 비용을 줄일 수 있는 장점이 있다. Next, the spin coating method is one of the most used in the sol-gel method, and finally, the inkjet method is a thin film formation method that can be most noticed in a flexible display in the future, for example, to a semiconductor layer after coating There is an advantage in that the process cost can be reduced because there is no need for patterning.

한편, 도1b를 참조하면, 산화물 반도체 수용액(도 1a의 110)을 열처리하여 기판(100) 상에 산화물 반도체 박막(110')을 형성한다.Meanwhile, referring to FIG. 1B, an oxide semiconductor thin film 110 ′ is formed on the substrate 100 by heat treating the oxide semiconductor aqueous solution (110 in FIG. 1A).

상기 열처리는 산화물 반도체 수용액(도 1a의 110)의 제조상 필요한 예컨대, 솔벤트(Solvents) 또는 안정제 등의 첨가제를 증발시켜 제거하기 위한 공정으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체 박막의 제조방법에서는 예컨대, 레이저(Laser)를 이용하여 열처리함이 바람직하다.The heat treatment is a process for evaporating and removing additives such as solvents or stabilizers necessary for the preparation of the oxide semiconductor aqueous solution (110 of FIG. 1A), and in the method of manufacturing an oxide semiconductor thin film according to an embodiment of the present invention, For example, it is preferable to heat-treat using a laser.

이때, 이용되는 레이저의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 엑시머 레이저(Excimer Laser) 등, 본 발명의 일 실시예에 적용할 수 있는 한 다양한 종류의 레이저를 이용하는 것이 가능하다.In this case, the type of laser used is not particularly limited, and various kinds of lasers can be used as long as it can be applied to an embodiment of the present invention, such as an excimer laser.

이러한 레이저를 이용한 열처리는, 예컨대, 종래의 퍼내스(Furnace)등에 의한 열처리와는 달리, 산화물 반도체 수용액(도 1a의 110)의 열처리 시 수반되는 예컨대, 약 300 ℃ 이상의 고온을 기판(100) 상에 직접 가하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 예컨대, 저온에서 이용 가능한 비교적 저렴한 기판을 이용할 수 있게 됨으로서 제조 비용을 절감할 수 있으며, 예컨대, 플렉시블(Flexible )기판 등을 이용하는 것을 가능하게 한다.Such a heat treatment using the laser is, for example, unlike the conventional heat treatment by Furnace (Furnace), etc., the high temperature, for example, about 300 ℃ or more accompanying the heat treatment of the oxide semiconductor aqueous solution (110 in Fig. 1a) on the substrate 100 Since it is possible to prevent the direct addition to the substrate, for example, it is possible to use a relatively inexpensive substrate that can be used at a low temperature, thereby reducing the manufacturing cost, for example, making it possible to use a flexible substrate or the like.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체 박막(110')의 제조방법에 따르면, 상기 열처리 후 형성된 산화물 반도체 박막(110') 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역(P1 및 P2)을 일괄 형성하는 것이 가능하다.Meanwhile, according to the method of manufacturing the oxide semiconductor thin film 110 ′ according to an embodiment of the present invention, at least two regions P1 and P2 having different characteristics on the oxide semiconductor thin film 110 ′ formed after the heat treatment are provided. It is possible to form a batch.

즉, 1회의 열처리 공정(즉, 레이저빔의 조사에 의한 열처리)을 통하여, 산화물 반도체 박막(110') 상에, 적어도 2개의 영역(P1 및 P2)을 동시에 형성하는 것이 가능한데, 예컨대, 산화물 반도체 박막 상에 반도체 영역(Semi-conductor) 및 도체 영역(Conductor) 등을 동시에 형성하는 것이 가능하다.That is, it is possible to simultaneously form at least two regions P1 and P2 on the oxide semiconductor thin film 110 'through one heat treatment process (that is, heat treatment by irradiation of a laser beam). It is possible to simultaneously form a semiconductor region (Semi-conductor), a conductor region (Conductor) and the like on the thin film.

이때, 상기 반도체 영역은 예컨대, 캐리어가 약 1 × 1013 cm-3 내지 9 × 1016 cm-3 포함되는 것을 말하며, 도체 영역은 예컨대, 캐리어가 약 9 × 1017 cm-3 이상 포함되는 영역을 말한다. 또한, 이 두 영역은 비결정상(Amorphous phase) 및 다결정질상(Polycrystalline phase) 등을 가질 수 있다.In this case, for example, the semiconductor region refers to, for example, about 1 × 10 13 cm −3 to 9 × 10 16 cm −3 , and the conductor region includes, for example, about 9 × 10 17 cm −3 or more of the carrier. Say In addition, these two regions may have an amorphous phase and a polycrystalline phase.

한편, 산화물 반도체 박막(110') 상에 형성된 적어도 2개의 영역(P1 및 P2)은, 예컨대, 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)를 이용함으로서 형성하는 것이 가능한데, 이에 국한하지는 않으며, 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)와 동일한 기능을 갖는 다른 어떤 수단을 이용하는 것도 가능하다.Meanwhile, at least two regions P1 and P2 formed on the oxide semiconductor thin film 110 ′ may be formed by using, for example, a half-tone mask M, but is not limited thereto. It is also possible to use any other means having the same function as the half-tone mask M.

즉, 상기 각각의 영역(P1 및 P2)(예컨대, 반도체(Semi-conductor) 영역 및 도체(Conductor) 영역 등)에 대응하도록, 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M) 상의 적어도 2개의 영역(P1' 및 P2')에 대한 밀도(Density)를 달리한 후, 이러한 하프-톤 마스크((Half-tone mask)(M)를 통해 레이저를 조사함으로서 서로 다른 에너지 밀도를 갖는 레이저를 동시에 조사하는 것이 가능하다.That is, at least two on the half-tone mask M so as to correspond to the respective regions P1 and P2 (e.g., semi-conductor regions and conductor regions, etc.). After varying the density for the regions P1 'and P2', the lasers with different energy densities are irradiated simultaneously by irradiating the laser through this half-tone mask (M). It is possible to.

예컨대, 하프-톤 마스크(M)의 밀도에 따라 레이저의 투과율을 달리함으로서 서로 다른 에너지 밀도를 갖는 레이저를 동시에 조사하는 것이 가능하다.For example, by varying the transmittance of the laser according to the density of the half-tone mask M, it is possible to simultaneously irradiate lasers having different energy densities.

이에 따라, 기판(100) 상에 산화물 반도체 박막(110')을 형성함에 있어서 1회의 열처리 공정으로 적어도 2개의 영역(P1 및 P2)을 동시에 형성할 수 있기 때문에, 예컨대, 마스크 공정의 회수를 줄임으로서, 공정 시간 및 공정 비용 등을 줄일 수 있다.Accordingly, in forming the oxide semiconductor thin film 110 ′ on the substrate 100, at least two regions P1 and P2 may be simultaneously formed in one heat treatment process, thereby reducing the number of mask processes, for example. As a result, the process time and the process cost can be reduced.

도 2a 내지 도 2e 는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도로서, 바텀 게이트(Bottom Gate)방식을 적용한 구조이다.2A through 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention, and have a bottom gate method.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 버퍼층(B)이 형성된 기판(200) 상에 게이트 전극(210)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, the gate electrode 210 is formed on the substrate 200 on which the buffer layer B is formed.

여기서, 게이트 전극(210)은 기판(200) 상에 투명성을 띠는 도전성 금속, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide) 또는 반투명 메탈 중 어느 하나의 금속을 예컨대, 스퍼텅링 등에 의해 증착한 뒤, 이를 소정 형상으로 패터닝하여 형성할 수 있는데, 이에 국한하지는 않는다.Here, the gate electrode 210 is a conductive metal having transparency on the substrate 200, such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), and gallium zinc oxide (GZO). Alternatively, any one of the translucent metals may be formed by depositing, for example, sputtering or the like, and then patterning the metal into a predetermined shape, but is not limited thereto.

또한, 기판(200)은 예컨대, 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 띠는 재질로 형성할 수 있으며, 유리 기판과 같은 투명 기판이 바람직한데, 이에 국한하지는 않는다.In addition, the substrate 200 may be formed of an insulating material such as, for example, glass, plastic, silicon, or synthetic resin, and a transparent substrate such as a glass substrate is preferable, but is not limited thereto.

또한, 버퍼층(B)은 예컨대, 후술할 채널 영역(도 2d의 P2)을 형성하는 과정에서 하부 기판(200)에 의한 오염 등을 방지하는 역할을 하며, 필요에 따라서는 버퍼층(B)을 생략하는 것도 가능하다.In addition, the buffer layer B serves to prevent contamination by the lower substrate 200 in the process of forming a channel region (P2 of FIG. 2D), which will be described later. For example, the buffer layer B may be omitted. It is also possible.

한편, 필요에 따라서는, 레이저(Laser)를 이용한 열처리 시 발생할 수 있는 열이 기판(200)으로의 전달되는 것을 막고, 이러한 열을 효과적으로 외부로 배출시킬 수 있는 연전달 방지막(미도시)을 기판(200) 상에 더 형성하는 것도 가능하다.On the other hand, if necessary, it is possible to prevent the heat generated during the heat treatment using a laser (Laser) to prevent the transfer to the substrate 200, the anti-transmission film (not shown) that can effectively discharge the heat to the substrate It is also possible to form further on 200.

이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(210)을 포함한 기판(200) 상에 게이트 절연층(220)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, a gate insulating layer 220 is formed on the substrate 200 including the gate electrode 210.

게이트 절연층(220)은 예컨대, 산화막, 질화막 또는 투명 절연성 재료를 예컨대, PECVD(plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 법 등으로 증착하여 형성할 수 있는데, 이에 국한하지는 않는다.The gate insulating layer 220 may be formed by, for example, depositing an oxide film, a nitride film, or a transparent insulating material by, for example, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, but is not limited thereto.

다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이, 게이트 절연층(220) 상에 산화물 반도체 수용액(230)을 형성하게 된다.Next, as shown in FIG. 2C, the oxide semiconductor aqueous solution 230 is formed on the gate insulating layer 220.

여기서, 산화물 반도체 수용액(230)은 예컨대, InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 어느 1개 또는 2개 이상의 성분을 포함하는 산화물 반도체를 예컨대, 졸-겔(Sol-Gel)법 등과 같이 액상으로 제조하여 게이트 절연층(220) 상에 도포하는 것이 가능한데, 예컨대, 스크린 프린팅(Screen Printing)법, 스핀 코팅(Spin Coating)법 또는 잉크젯(Ink-jet)법 등을 이용하는 것이 가능하며, 이에 국한되지는 않는다.Here, the oxide semiconductor aqueous solution 230 is, for example, InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , HfInZnO, GaInZnO, HfO 2 , SnO 2 , WO 3 At least one of TiO 2 , Ta 2 O 5 , In 2 O 3 SnO 2 , MgZnO, ZnSnO 3 , ZnSnO 4 , CdZnO, CuAlO 2 , CuGaO 2 , Nb 2 O 5, or TiSrO 3 For example, the oxide semiconductor may be manufactured in a liquid state, such as a sol-gel method, and applied to the gate insulating layer 220. For example, a screen printing method and a spin coating method may be used. It is possible to use the method or the ink-jet (Ink-jet) method and the like, but is not limited thereto.

한편, 도2d에 도시된 바와 같이, 산화물 반도체 수용액(230)을 열처리하여 기판(200) 상에 산화물 반도체 박막(230')을 형성한다.Meanwhile, as shown in FIG. 2D, the oxide semiconductor aqueous solution 230 is heat treated to form the oxide semiconductor thin film 230 ′ on the substrate 200.

상기 열처리는 산화물 반도체 수용액(도 2c의 230)의 제조상 필요한 예컨대, 솔벤트(Solvents) 또는 안정제 등의 첨가제를 증발시켜 제거하기 위한 공정으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에서는 예컨대, 레 이저(Laser)를 이용하여 열처리함이 바람직하다.The heat treatment is a process for evaporating and removing additives, for example, solvents or stabilizers, which are necessary for manufacturing an oxide semiconductor aqueous solution (230 of FIG. 2C), and in the method of manufacturing an oxide thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention, For example, it is preferable to heat-treat using a laser.

이때, 이용되는 레이저의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 엑시머 레이저(Excimer Laser) 등, 본 발명의 일 실시예에 적용할 수 있는 한 다양한 종류의 레이저를 이용하는 것이 가능하다.In this case, the type of laser used is not particularly limited, and various kinds of lasers can be used as long as it can be applied to an embodiment of the present invention, such as an excimer laser.

이러한 레이저를 이용한 열처리는, 예컨대, 종래의 퍼내스(Furnace)등에 의한 열처리와는 달리, 산화물 반도체 수용액(도 2c의 230)의 열처리 시 수반되는 예컨대, 약 300 ℃ 이상의 고온을 기판(200) 상에 직접 가하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 예컨대, 저온에서 이용 가능한 비교적 저렴한 기판(200)을 이용할 수 있도록 함으로서 제조 비용을 절감할 수 있으며, 예컨대, 플렉시블(Flexible )기판(200) 등을 이용하는 것을 가능하게 한다.The heat treatment using such a laser is, for example, unlike a conventional heat treatment using a furnace, etc., a high temperature of about 300 ° C. or higher accompanying the heat treatment of the oxide semiconductor aqueous solution (230 of FIG. 2C) is applied to the substrate 200. Since direct application can be prevented, for example, by using a relatively inexpensive substrate 200 that can be used at a low temperature, manufacturing cost can be reduced, for example, a flexible substrate 200 or the like can be used. Let's do it.

이때, 상기 열처리 후 형성된 산화물 반도체 박막(230') 상에는 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역(P1 및 P2)을 일괄 형성하는 것이 가능하다.In this case, at least two regions P1 and P2 having different characteristics may be collectively formed on the oxide semiconductor thin film 230 ′ formed after the heat treatment.

즉, 1회의 열처리 공정(즉, 레이저빔의 조사에 의한 열처리)을 통하여, 산화물 반도체 박막(230') 상에, 적어도 2개의 영역을 동시에 형성하는 것이 가능한데, 예컨대, 소스/드레인 전극을 형성하기 위한 영역(P1) 및 채널 영역(P2) 등을 동시에 형성하는 것이 가능하다.That is, it is possible to simultaneously form at least two regions on the oxide semiconductor thin film 230 'through one heat treatment step (ie, heat treatment by irradiation of a laser beam), for example, to form a source / drain electrode. It is possible to simultaneously form the region P1 and the channel region P2.

이는, 예컨대, 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)를 이용함으로서 형성하는 것이 가능한데, 이에 국한하지는 않으며, 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)와 동일한 기능을 갖는 다른 어떤 수단을 이용하는 것도 가능하다.This can be formed, for example, by using a half-tone mask (M), but is not limited to any other having the same function as the half-tone mask (M). It is also possible to use means.

즉, 상기 각각의 영역(예컨대, 소스/드레인 전극을 형성하기 위한 영역(P1) 및 채널 영역(P2) 등)에 대응하도록, 서로 다른 밀도의 적어도 2개의 영역(P1' 및 P2')을 갖는 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)를 준비한 후, 이러한 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)를 통해 레이저를 조사함으로서 서로 다른 에너지 밀도를 갖는 레이저를 동시에 조사하는 것이 가능하다. That is, at least two regions P1 'and P2' of different densities are provided to correspond to the respective regions (e.g., regions P1 and channel regions P2 for forming source / drain electrodes, etc.). After preparing a half-tone mask (M), it is possible to irradiate lasers having different energy densities simultaneously by irradiating the laser through the half-tone mask (M). Do.

예컨대, 하프-톤 마스크(M)의 밀도에 따라 레이저의 투과율을 달리함으로서 서로 다른 에너지 밀도를 갖는 레이저를 동시에 조사하는 것이 가능한데, 예컨대, 소오스/드레인 형성 영역(P1)에서는 채널 영역(P2)에서 보다 더 높은 에너지 밀도를 갖는 레이저빔이 조사될 수 있도록, 예컨대, 채널 영역(P2)과 대응하는 일정 영역에 대해서만 하프-톤 마스크(M)에 의해 가려지도록 함으로서, 산화물 반도체 박막(230') 상에 서로 다른 특성을 갖는 2개의 영역을 일괄 형성하는 것이 가능하다.For example, by varying the transmittance of the laser according to the density of the half-tone mask M, it is possible to irradiate lasers having different energy densities simultaneously. For example, in the source / drain formation region P1, in the channel region P2, The laser beam having a higher energy density can be irradiated, for example, by being covered by the half-tone mask M only for a certain region corresponding to the channel region P2, thereby forming an image on the oxide semiconductor thin film 230 '. It is possible to collectively form two regions having different characteristics in the.

한편, 레이저에 의한 열처리는, 높은 온도의 열처리를 통하여 소오스/드레인 전극 형성 영역(P1)의 저항을 낮춤으로서 그 영역에 대한 접촉저항(Contact Resistance)의 개선에 따른 TFT 특성을 향상시키는 것도 가능하다.On the other hand, the heat treatment by the laser can improve the TFT characteristics according to the improvement of the contact resistance for the region by lowering the resistance of the source / drain electrode forming region P1 through the heat treatment at a high temperature. .

이후, 필요에 따라서는, 형성된 산화물 반도체 박막(230')을 소정 패턴으로 패터닝한다. 예컨대, 섬 모양 등으로 패터닝 할 수 있다. Thereafter, if necessary, the formed oxide semiconductor thin film 230 ′ is patterned in a predetermined pattern. For example, it can pattern in an island shape.

도 2e를 참조하면, 상기 형성된 전체 상부에 층간절연층(240)을 형성하고, 층간절연층의 일정영역을 패터닝하여 소오스/드레인 전극(250 및 250')을 형성한다.Referring to FIG. 2E, the interlayer insulating layer 240 is formed on the entire formed portion, and a predetermined region of the interlayer insulating layer is patterned to form source / drain electrodes 250 and 250 ′.

한편, 이러한 바텀 게이트 구조는, 다른 말로 역스태거드(Inverted staggered) 구조라고도 하며, 현재 예컨대, AMLCD 등에서 보편적으로 사용하는 구 조로서 여러 가지 장점을 가지는데, 특히 마스크(Mask)의 저감이 용이하여 양산 시 경비를 절감할 수 있는 이점이 있다.On the other hand, such a bottom gate structure, also referred to as an inverted staggered structure, in other words, has a number of advantages as a structure commonly used in, for example, AMLCD, in particular, it is easy to reduce the mask (Mask) In mass production, there is an advantage to reduce the cost.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도로서, 톱 게이트(Top Gate)방식을 적용한 구조이다.3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention, and have a top gate method.

먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 버퍼층(B)이 형성된 기판(300) 상에 산화물 반도체 수용액(310)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, the oxide semiconductor aqueous solution 310 is formed on the substrate 300 on which the buffer layer B is formed.

여기서, 기판(300)은 예컨대, 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 띠는 재질로 형성할 수 있으며, 유리 기판과 같은 투명 기판이 바람직한데, 이에 국한하지는 않는다.Here, the substrate 300 may be formed of an insulating material such as, for example, glass, plastic, silicon, or synthetic resin, and a transparent substrate such as a glass substrate is preferable, but is not limited thereto.

또한, 버퍼층(B)은 예컨대, 채널 영역(도 3b의 P2)을 형성하는 과정에서 하부 기판(300)에 의한 오염 등을 방지하는 역할을 하며, 필요에 따라서는 버퍼층(B)을 생략하는 것도 가능하다.In addition, the buffer layer B serves to prevent, for example, contamination by the lower substrate 300 in the process of forming the channel region (P2 of FIG. 3B), and the buffer layer B may be omitted if necessary. It is possible.

이때, 필요에 따라서는, 레이저(Laser)를 이용한 열처리 시 발생할 수 있는 열이 기판(300)으로의 전달되는 것을 막고, 이러한 열을 효과적으로 외부로 배출시킬 수 있는 연전달 방지막(미도시)을 기판(300) 상에 더 형성하는 것도 가능하다.At this time, if necessary, the substrate prevents the heat generated during the heat treatment using a laser (Laser) to prevent the transfer to the substrate 300, the anti-transmission film (not shown) that can effectively discharge the heat to the substrate It is also possible to form further on 300.

한편, 산화물 반도체 수용액(310)은 예컨대, InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 어느 1개 또는 2개 이상의 성분을 포함하는 산화물 반도체를 예컨대, 졸-겔(Sol-Gel)법 등을 통해 액상으로 제조하여 게이트 절연층(220) 상에 도포하는 것이 가능한데, 예컨대, 스크린 프린팅(Screen Printing)법, 스핀 코팅(Spin Coating)법 또는 잉크젯(Ink-jet)법 등을 이용하는 것이 가능하며, 이에 국한되지는 않는다.On the other hand, the oxide semiconductor aqueous solution 310 is, for example, InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , HfInZnO, GaInZnO, HfO 2 , SnO 2 , WO 3 At least one of TiO 2 , Ta 2 O 5 , In 2 O 3 SnO 2 , MgZnO, ZnSnO 3 , ZnSnO 4 , CdZnO, CuAlO 2 , CuGaO 2 , Nb 2 O 5, or TiSrO 3 For example, an oxide semiconductor may be manufactured in a liquid state through a sol-gel method and applied to the gate insulating layer 220. For example, a screen printing method and a spin coating method may be used. ) Or ink-jet method, and the like, but is not limited thereto.

이후, 도3b에 도시된 바와 같이, 산화물 반도체 수용액(310)을 열처리하여 기판(300) 상에 산화물 반도체 박막(310')을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 3B, the oxide semiconductor aqueous solution 310 is heat-treated to form an oxide semiconductor thin film 310 ′ on the substrate 300.

상기 열처리는 산화물 반도체 수용액(도 3a의 310)의 제조상 필요한 예컨대, 솔벤트(Solvents), 안정제 등의 첨가제를 증발시켜 제거하기 위한 공정으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에서는 예컨대, 레이저(Laser)를 이용하여 열처리함이 바람직하다.The heat treatment is a process for evaporating and removing additives such as solvents, stabilizers, etc. necessary for manufacturing an oxide semiconductor aqueous solution (310 of FIG. 3A), and in the method of manufacturing an oxide thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention, For example, it is preferable to heat-treat using a laser.

이때, 이용되는 레이저의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 엑시머 레이저(Excimer Laser) 등, 본 발명의 일 실시예에 적용할 수 있는 한 다양한 종류의 레이저를 이용하는 것이 가능하다.In this case, the type of laser used is not particularly limited, and various kinds of lasers can be used as long as it can be applied to an embodiment of the present invention, such as an excimer laser.

이러한 레이저를 이용한 열처리는, 전술한 바와 같이, 산화물 반도체 수용액(도 3a의 310)의 열처리 시 수반되는 예컨대, 약 300 ℃ 이상의 고온을 기판(300) 상에 직접 가하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 예컨대, 저온에서 이용 가능한 비교적 저렴한 기판(300)을 이용할 수 있도록 함으로서 제조 비용을 절감할 수 있으며, 예컨대, 플렉시블(Flexible)기판(300) 등을 이용하는 것을 가능하게 한다.As described above, the heat treatment using the laser can prevent, for example, the direct application of a high temperature of, for example, about 300 ° C. or more at the time of the heat treatment of the oxide semiconductor aqueous solution (310 in FIG. 3A) directly on the substrate 300. By using the relatively inexpensive substrate 300 that can be used at a low temperature, manufacturing cost can be reduced, and for example, the flexible substrate 300 can be used.

이때, 상기 열처리 후 형성된 산화물 반도체 박막(310') 상에는 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역(P1 및 P2)을 일괄 형성하는 것이 가능하다.In this case, at least two regions P1 and P2 having different characteristics may be collectively formed on the oxide semiconductor thin film 310 ′ formed after the heat treatment.

즉, 1회의 열처리 공정(즉, 레이저빔의 조사에 의한 열처리)을 통하여, 산화물 반도체 박막(310') 상에, 적어도 2개의 영역을 동시에 형성하는 것이 가능한데, 예컨대, 소스/드레인 전극을 형성하기 위한 영역(P1) 및 채널 영역(P2) 등을 동시에 형성하는 것이 가능하다.That is, it is possible to simultaneously form at least two regions on the oxide semiconductor thin film 310 'through one heat treatment process (i.e., heat treatment by irradiation of a laser beam), for example, to form source / drain electrodes. It is possible to simultaneously form the region P1 and the channel region P2.

이는, 예컨대, 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)를 이용함으로서 형성하는 것이 가능한데, 이에 국한하지는 않으며, 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)와 동일한 기능을 갖는 다른 어떤 수단을 이용하는 것도 가능하다.This can be formed, for example, by using a half-tone mask (M), but is not limited to any other having the same function as the half-tone mask (M). It is also possible to use means.

즉, 상기 각각의 영역(예컨대, 소스/드레인 전극을 형성하기 위한 영역(P1) 및 채널 영역(P2) 등)에 대응하도록, 서로 다른 밀도의 적어도 2개의 영역(P1' 및 P2')을 갖는 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)를 준비한 후, 이러한 하프-톤 마스크(Half-tone mask)(M)를 통해 레이저를 조사함으로서 서로 다른 에너지 밀도를 갖는 레이저를 동시에 조사하는 것이 가능하다. That is, at least two regions P1 'and P2' of different densities are provided to correspond to the respective regions (for example, regions P1 and channel regions P2 for forming source / drain electrodes, etc.). After preparing a half-tone mask (M), it is possible to irradiate lasers having different energy densities simultaneously by irradiating the laser through the half-tone mask (M). Do.

예컨대, 하프-톤 마스크(M)의 밀도에 따라 레이저의 투과율을 달리함으로서 서로 다른 에너지 밀도를 갖는 레이저를 동시에 조사하는 것이 가능한데, 예컨대, 소오스/드레인 형성 영역(P1)에서는 채널 영역(P2)에서 보다 더 높은 에너지 밀도를 갖는 레이저빔이 조사될 수 있도록, 예컨대, 채널 영역(P2)과 대응하는 일정 영 역에 대해서만 하프-톤 마스크(M)에 의해 가려지도록 함으로서, 산화물 반도체 박막(310') 상에 서로 다른 특성을 갖는 2개의 영역을 일괄 형성하는 것이 가능하다.For example, by varying the transmittance of the laser according to the density of the half-tone mask M, it is possible to irradiate lasers having different energy densities simultaneously. For example, in the source / drain formation region P1, in the channel region P2, The oxide semiconductor thin film 310 ′ may be irradiated with a laser beam having a higher energy density by, for example, being covered by the half-tone mask M only for a predetermined region corresponding to the channel region P2. It is possible to collectively form two regions having different characteristics on the phase.

한편, 레이저에 의한 열처리는, 높은 온도의 열처리를 통하여 소오스/드레인 전극 형성 영역(P1)의 저항을 낮춤으로서 그 영역에 대한 접촉저항(Contact Resistance)의 개선에 따른 TFT 특성을 향상시키는 것도 가능하다.On the other hand, the heat treatment by the laser can improve the TFT characteristics according to the improvement of the contact resistance for the region by lowering the resistance of the source / drain electrode forming region P1 through the heat treatment at a high temperature. .

이후, 필요에 따라서는, 형성된 산화물 반도체 박막(310')을 소정 패턴으로 패터닝 한다. 예컨대, 섬 모양으로 패터닝 할 수 있다. Then, if necessary, the formed oxide semiconductor thin film 310 'is patterned in a predetermined pattern. For example, it can pattern in an island shape.

이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 산화물 반도체 박막(310')의 상부에 게이트 절연층(320)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3C, the gate insulating layer 320 is formed on the oxide semiconductor thin film 310 ′.

게이트 절연층(320)은 예컨대, 산화막, 질화막 또는 투명 절연성 재료를 예컨대, PECVD(plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 법 등으로 증착하여 형성할 수 있는데, 이에 국한하지는 않는다.The gate insulating layer 320 may be formed by, for example, depositing an oxide film, a nitride film, or a transparent insulating material by, for example, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, but is not limited thereto.

이후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 게이트 전연층(320) 상에 게이트 전극(330)을 형성한다. 구체적으로, 기판(300) 상에 투명성을 띠는 도전성 금속, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide) 또는 반투명 메탈 중 어느 하나의 금속을 예컨대, 스퍼텅링 등에 의해 증착한 뒤, 이를 소정 형상으로 패터닝하여 형성할 수 있는데, 이에 국한하지는 않는다.Thereafter, as illustrated in FIG. 3D, the gate electrode 330 is formed on the gate leading layer 320. Specifically, any conductive metal having transparency on the substrate 300, such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), gallium zinc oxide (GZO), or translucent metal One metal may be formed by depositing, for example, sputtering or the like, and then patterning the metal into a predetermined shape, but is not limited thereto.

도 3e를 참조하면, 상기 형성된 전체 상부에 층간절연층(340)을 형성하고, 층간절연층(340)의 일정영역을 패터닝하여 소오스/드레인 전극(350 및 350')을 형 성한다.Referring to FIG. 3E, an interlayer insulating layer 340 is formed over the entire formed layer, and a predetermined region of the interlayer insulating layer 340 is patterned to form source / drain electrodes 350 and 350 '.

한편, 이러한 탑 게이트 구조는, 다른 말로 코플라나(Coplanar) 구조라고 부르며, 채널 영역(P1)의 형성 이후에 게이트 메탈이 형성되기 때문에 채널 영역(P1) 형성 시 열 전달이 고르게 일어날 수 있는 장점이 있다.On the other hand, the top gate structure, in other words, the coplanar structure (Coplanar) structure, because the gate metal is formed after the formation of the channel region (P1) has the advantage that the heat transfer can occur evenly when forming the channel region (P1). have.

이러한 탑 게이트 구조는, 본 발명의 일 실시예에서와 같이 엑시머 레이저(ELA) 또는 SLS 등과 같은 레이저 열처리(Laser Annealing)을 이용하는 폴리 실리콘(P-Si) TFT의 경우 이 구조를 주로 채택한다. 이는 레이저 에너지가 하부 게이트 메탈에 의해 국부적으로 달라지는 것을 방지할 수 있기 때문에 그레인 사이즈(Grain Size)를 일정하게 형성할 수 있기 때문이다.This top gate structure mainly adopts this structure in the case of a polysilicon (P-Si) TFT using laser annealing such as excimer laser (ELA) or SLS as in one embodiment of the present invention. This is because the grain size can be made constant because the laser energy can be prevented from being locally changed by the lower gate metal.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법이 적용된 액정표시장치의 백플레인구조를 설명하기 위한 평면도 및 단면도로서, 바텀 게이트(Bottom Gate)방식을 일 예로서 설명하였지만, 이에 국한되지는 않으며 톱 게이트(Top Gate)가 적용되는 것도 가능하다.4A and 4B are plan views and cross-sectional views illustrating a backplane structure of a liquid crystal display device to which a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to an embodiment of the present invention is applied, but the bottom gate method is described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and a top gate may be applied.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 액정표시장치의 백플레인은 기판(400) 상에 서로 교차되는 복수개의 게이트 라인들(410)과 데이터 라인들(420)을 구비하고 이들에 의해 정의되는 각 단위픽셀(L1 및 L2)들 및 이들이 교차되는 영역에 형성된 박막 트랜지스터를 구비한다.4A and 4B, a backplane of a liquid crystal display includes a plurality of gate lines 410 and data lines 420 intersecting each other on a substrate 400 and each unit pixel defined by them. (L1 and L2) and a thin film transistor formed in the region where they cross.

박막 트랜지스터는 게이트 라인(410)의 일부가 돌출되어 형성된 게이트 전극(410)과, 선택적으로 패터닝되어 있는 산화물 반도체 박막(430)을 구비하고, 게 이트 전극(410)과 산화물 반도체 박막(430)을 전기적으로 절연시키는 게이트 절연층(440)을 구비하여 형성된다.The thin film transistor includes a gate electrode 410 formed by protruding a portion of the gate line 410, and an oxide semiconductor thin film 430 that is selectively patterned. The thin film transistor includes a gate electrode 410 and an oxide semiconductor thin film 430. It is formed with a gate insulating layer 440 to electrically insulate.

이때, 본 발명의 일 실시예에 적용된 산화물 반도체 박막(430)은, 게이트 절연층(440)의 일정 영역에 산화물 반도체 수용액을 도포한 후, 전술한 도 2c 및 도2d를 통해 설명한 바와 같이, 일정 패턴의 하프-톤 마스크(Half-tone mask) 및 레이저빔을 이용한 열처리 공정을 수행함으로서 형성될 수 있는데, 산화물 반도체 박막(430) 상에는 각각의 소스/드레인 전극 형성 영역(P1) 및 채널영역(P2)이 일괄 형성될 수 있다. At this time, the oxide semiconductor thin film 430 applied to an embodiment of the present invention, after applying the oxide semiconductor aqueous solution to a predetermined region of the gate insulating layer 440, as described above with reference to Figures 2c and 2d, It can be formed by performing a heat treatment process using a half-tone mask of the pattern and a laser beam, each of the source / drain electrode formation region (P1) and the channel region (P2) on the oxide semiconductor thin film 430 ) May be formed in a batch.

이러한 산화물 반도체 박막(430)의 소스/드레인 전극 형성 영역(P1)은 픽셀(L1 및 L2) 내에서 데이터 신호를 전달하기 위한 소정의 전극을 형성하기 위한 영역으로 활용하는 것이 가능하다.The source / drain electrode formation region P1 of the oxide semiconductor thin film 430 may be used as a region for forming a predetermined electrode for transmitting a data signal in the pixels L1 and L2.

예컨대, 액정표시장치에 있어서는 데이터 라인(420)을 통해 인가되는 데이터 신호를 박막 트랜지스터를 통해 전달하고, 전달된 데이터 신호는 액정의 양단 중 일면에 전압을 인가하기 위한 화소전극(450)으로 전달할 수 있다.For example, in the liquid crystal display, a data signal applied through the data line 420 may be transmitted through the thin film transistor, and the transferred data signal may be transmitted to the pixel electrode 450 for applying a voltage to one surface of both ends of the liquid crystal. have.

전술한 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.Although preferred embodiments of the method for manufacturing the oxide semiconductor thin film and the oxide thin film transistor according to the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, but the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings are various. It is possible to carry out the transformation by the branch and this also belongs to this invention.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체 박막의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an oxide semiconductor thin film according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도로서, 바텀 게이트(Bottom Gate)방식을 적용한 구조이다.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention and have a bottom gate method.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도로서, 톱 게이트(top Gate)방식을 적용한 구조이다.3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention and have a top gate method.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법이 적용된 액정표시장치의 백플레인구조를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.4A and 4B are plan and cross-sectional views illustrating a backplane structure of a liquid crystal display device to which a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention is applied.

Claims (12)

기판 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성하는 단계; 및Forming an oxide semiconductor aqueous solution by a liquid phase manufacturing process on a substrate; And 상기 산화물 반도체 수용액 상에 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하되,Irradiating a laser beam on the oxide semiconductor aqueous solution to form an oxide semiconductor thin film by heat treatment, 상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법.When the laser beam is irradiated, at least two regions having different characteristics are formed on the oxide semiconductor thin film by using a half-tone mask to collectively form. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 물질들의 화합물이 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법. The oxide semiconductor is InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , HfInZnO, GaInZnO, HfO 2 , SnO 2 , WO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , In 2 O 3 SnO 2 , MgZnO, ZnSnO 3 , ZnSnO 4 , CdZnO, CuAlO 2 , CuGaO 2 , Nb 2 O 5 or TiSrO 3 characterized in that any one material or a compound of the above materials is included. Method for producing an oxide semiconductor thin film. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 산화물 반도체 수용액은 졸-겔(Sol-GEL)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법.The oxide semiconductor aqueous solution is a method for producing an oxide semiconductor thin film, characterized in that formed using a sol-gel (Sol-GEL) method. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 기판 상에 산화물 반도체 수용액을 형성하는 방법으로는 스크린 프린팅 (Screen Printing), 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯(Ink-Jet) 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법. An oxide semiconductor thin film may be formed on the substrate by using any one method selected from among screen printing, spin coating, and ink-jet methods. Manufacturing method. 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및Forming a gate insulating layer on the gate electrode; And 상기 게이트 절연층 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성한 후 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하되,Forming an oxide semiconductor thin film by heat treatment after forming an oxide semiconductor aqueous solution by a liquid phase manufacturing process on the gate insulating layer, 상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.When irradiating the laser beam, at least two regions having different characteristics are formed on the oxide semiconductor thin film by using a half-tone mask to collectively form. 기판 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성한 후 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계;Forming an oxide semiconductor thin film by heat treatment after forming an aqueous oxide semiconductor solution by a liquid phase manufacturing process on a substrate; 상기 산화물 반도체 박막 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및Forming a gate insulating layer on the oxide semiconductor thin film; And 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되,Forming a gate electrode on the gate insulating layer; 상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.When irradiating the laser beam, at least two regions having different characteristics are formed on the oxide semiconductor thin film by using a half-tone mask to collectively form. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, The method according to claim 5 or 6, 상기 적어도 2개의 영역 중 적어도 1개의 영역은 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기 위한 영역인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.At least one of the at least two regions is a region for use as a source and a drain electrode. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, The method according to claim 5 or 6, 상기 적어도 2개의 영역 중 적어도 1개의 영역은 채널 영역인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.And at least one of the at least two regions is a channel region. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, The method according to claim 5 or 6, 상기 레이저빔은 상기 적어도 2개의 영역 중 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기 위한 영역에서 에너지 밀도를 가장 크게 하여 조사되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.And the laser beam is irradiated with the largest energy density in a region for use as a source and a drain electrode among the at least two regions. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, The method according to claim 5 or 6, 상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 물질들의 화합물이 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법. The oxide semiconductor is InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , HfInZnO, GaInZnO, HfO 2 , SnO 2 , WO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , In 2 O 3 SnO 2 , MgZnO, ZnSnO 3 , ZnSnO 4 , CdZnO, CuAlO 2 , CuGaO 2 , Nb 2 O 5 or TiSrO 3 characterized in that any one material or a compound of the above materials is included. Method for producing an oxide thin film transistor. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, The method according to claim 5 or 6, 상기 산화물 반도체 수용액은 졸-겔(Sol-GEL)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.The oxide semiconductor aqueous solution is formed using a sol-gel (Sol-GEL) method. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, The method according to claim 5 or 6, 상기 산화물 반도체 수용액을 형성하는 방법으로는 스크린 프린팅 (Screen Printing), 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯(Ink-Jet) 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.The method of forming the oxide semiconductor aqueous solution is a method of manufacturing an oxide thin film transistor, characterized in that using any one selected from the screen printing (Spin Printing), spin coating (Ink-Jet) method.
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