KR20100070747A - 광기전력 변환 소자 어레이 및 이의 제조 방법 - Google Patents

광기전력 변환 소자 어레이 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

불량이 감소되고 제조 공정이 단순화된 광기전력 변환 소자 어레이 및 이의 제조 방법이 제공된다. 광기전력 변환 소자 어레이는, 기판 상에 서로 이격되어 형성된 복수의 광기전력 변환 셀로서, 기판 상에 순차 배치된 투명 전극 패턴, 광기전력 변환 패턴, 및 이면 전극 패턴을 포함하는 광기전력 변환 셀과, 광기전력 변환 셀 사이에 형성된 적어도 하나의 트렌치와, 일 광기전력 변환 셀의 투명 전극 패턴으로부터 타 광기전력 변환 셀 측으로 연장되고 타 광기전력 변환 셀과 이격되어 트렌치 내에 배치되는 연결 전극과, 트렌치에 의해 노출된 일 광기전력 변환 셀의 측벽 및 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 각각 덮는 복수의 절연벽과, 복수의 광기전력 변환 셀을 전기적으로 연결하는 도전벽을 포함한다.
트렌치, 레이저, 유효 면적

Description

광기전력 변환 소자 어레이 및 이의 제조 방법{Photovoltaic device array and method of fabricating the same}
본 발명은 광기전력 변환 소자 어레이 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불량이 감소되고 제조 공정이 단순화된 광기전력 변환 소자 어레이 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
광기전력 변환 소자 어레이는 광 에너지를 전기로 변환시키는 소자의 어레이로서, 태양 전지가 대표적인 광기전력 변환 소자로서 예시된다.
태양 전지는 기판 재료를 기초로 실리콘 결정계 태양 전지, 비정질 실리콘 태양 전지와 같은 실리콘계 태양 전지, 화합물 반도체계 태양 전지, 염료 감응형 태양 전지 등으로 구분될 수 있다.
실리콘계 태양 전지는 얇은 유리나 플라스틱과 같은 투명 기판 또는 스테인레스-호일(Stainless Foil)과 같은 금속 기판에 막을 입히는 박막형 태양 전지로 형성할 수 있다.
비정질 실리콘(a-Si:H)과 미세 결정 실리콘(mc-Si:H) 또는 비정질 실리콘-게르마늄(a-SiGe:H)을 이용한 박막 태양 전지는 광흡수층으로 수 마이크론 이하의 두 께를 갖는 박막을 사용하고 실리콘 자체의 광흡수계수가 낮아, 단일 PIN 접합으로는 고효율을 달성하는데 한계가 있다. 따라서, PIN 구조의 비정질 실리콘(a-Si:H)과 미세 결정 실리콘(mc-Si:H) 태양 전지를 2층 또는 3층으로 적층하여 제조하는 적층형 태양 전지가 실제로 사용된다. 이는 태양 전지를 직렬 연결함으로써 개방 전압을 높일 수 있고, 입사광에 대한 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
적층형 태양 전지는 태양 전지를 직렬 연결하기 위하여 복수의 레이저 공정을 이용하여 복수의 트렌치를 형성하는 공정이 요구된다. 이 경우 각 레이저 공정은 소자층이 형성된 반대측의 기판의 타면을 통해서 이루어진다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 불량이 감소되고 제조 공정이 단순화된 광기전력 변환 소자 어레이를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 불량이 감소되고 제조 공정이 단순화된 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이는, 기판 상에 서로 이격되어 형성된 복수의 광기전력 변환 셀로서, 상기 기판 상에 순차 배치된 투명 전극 패턴, 광기전력 변환 패턴, 및 이면 전극 패턴을 포함하는 광기전력 변환 셀과, 상기 광기전력 변환 셀 사이에 형성된 적어도 하나의 트렌치와, 상기 일 광기전력 변환 셀의 상기 투명 전극 패턴으로부터 상기 타 광기전력 변환 셀 측으로 연장되고 상기 타 광기전력 변환 셀과 이격되어 상기 트렌치 내에 배치되는 연결 전극과, 상기 트렌치에 의해 노출된 상기 일 광기전 력 변환 셀의 측벽 및 상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 각각 덮는 복수의 절연벽과, 상기 연결 전극과 상기 타 광기전력 변환 셀의 상기 이면 전극 패턴을 연결하는 도전벽을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법은, 상기 기판 상에 투명 전극층, 광기전력 변환층, 및 이면 전극층을 순차 형성하는 단계와, 상기 이면 전극층, 상기 투명 전극층, 및 상기 광기전력 변환층을 패터닝하여, 서로 이격된 복수의 광기전력 변환 셀로서 상기 기판 상에 순차 배치된 투명 전극 패턴, 광기전력 변환 패턴, 및 이면 전극 패턴을 포함하는 광기전력 변환 셀, 상기 광기전력 변환 셀 사이에 배치된 적어도 하나의 트렌치, 및 상기 일 광기전력 변환 셀의 상기 투명 전극 패턴으로부터 상기 타 광기전력 변환 셀 측으로 연장되고 상기 타 광기전력 변환 셀과 이격되어 상기 트랜치 내에 배치되는 연결 전극을 형성하는 단계와, 상기 트렌치에 의해 노출된 상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽 및 상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 각각 덮는 복수의 절연벽을 형성하는 단계와, 상기 연결 전극과 상기 타 광기전력 변환 셀의 상기 전극 패턴을 연결하는 도전벽을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태 로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상 의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이에 대하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 평면도이다. 도 2는 A-A'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예의 광기전력 변환 소자 어레이는 기판(100), 기판(100)의 일면에 서로 이격되어 형성된 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b), 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b) 사이에 형성된 적어도 하나의 트렌치(200), 일 광기전력 변환 셀(210a)로부터 연장되어 트렌치(200) 내에 배치되는 연결 전극(1110a), 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)을 각각 절연시키는 복수의 절연벽(410a, 410b), 및 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)을 전기적으로 연결시키는 도전벽(510)을 포함한다.
본 실시예의 기판(100)은 예를 들어 유리나 플라스틱 같은 투명기판일 수 있다.
복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)은 소정 간격(P1)으로 이격된 라인 패턴으로 형성될 수 있다.
각 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)은 기판(100) 상에 순차 배치된 투명 전극 패턴(110a, 110b), 광기전력 변환 패턴(210a, 210b), 및 이면 전극 패턴(310a, 310b)을 포함한다.
투명 전극 패턴(110a, 110b)은 태양광이 입사할 수 있도록 예를 들어 투명 도전 산화막(TCO: Transparent Conduction Oxide)으로 이루어질 수 있다. 투명 도전 산화막은 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide)일 수 있다.
광기전력 변환 패턴(210a, 210b)은 순차 적층된 제1 반도체층(220a, 220b), 제2 반도체층(230a, 230b), 및 제3 반도체층(240a, 240b)으로 이루어질 수 있으며, 각각 비정질 실리콘 또는 미세 결정 실리콘을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(220a, 220b)은 제1 도전형으로 이루어진 불순물을 포함하는 비정질 실리콘 또는 미세 결정 실리콘일 수 있다.
제2 반도체층(230a, 230b)은 진성 반도체로 이루어지며 광흡수층으로 작용할 수 있다.
제3 반도체층(240a, 240b)은 제2 도전형으로 이루어진 불순물을 포함하는 비정질 실리콘 또는 미세 결정 실리콘일 수 있다.
여기서, 제1 도전형의 불순물과 제2 도전형의 불순물은 서로 다른 타입의 불순물을 의미한다. 예를 들어 제1 도전형은 주기율표상의 3족의 화학원소(B, Al, Ga, 등)를 포함하는 P형이고, 제2 도전형은 주기율표상의 5족의 화학원소(P, As, 등)를 포함하는 N형일 수 있다. 따라서 광 입사방향으로부터 PIN층으로 적층된 순서를 따라 광전환이 이루어질 수 있다.
광기전력 변환 패턴(210a, 210b) 상에는 이면 전극 패턴(310a, 310b)이 형성되어 있다. 이면 전극 패턴은, 예를 들어 ZAO(ZnO:Al), Mo, ITO, Cu, W, Al 또는 그 합금 등으로 이루어질 수 있으며, ZAO/Al 또는 ZAO/Mo 등과 같이 2이상의 재질을 적층하여 형성될 수도 있다.
일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)과 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)은 소정 간격(P1)으로 이격되어 주기적으로 배치된다.
트렌치(200)는 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b) 사이에 1개 형성될 수 있다. 이에 따라 본 실시예의 트렌치(200)는 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 이격 간격(P1)과 동일한 폭(P1)으로 형성될 수 있다. 트렌치(200)는 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 일 측벽 및 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 타 측벽을 노출시킨다.
각 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)은 소정의 폭(P1)을 가진 라인 패턴으로 형성될 수 있다. 본 실시예의 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 이격 공간에 하나의 트렌치(200)만이 형성되어 있으므로 광을 변환하여 기전력을 발생시키는 기판(100) 내 유효 면적이 향상될 수 있다.
본 실시예에서, 트렌치(200)의 폭(P1) 대 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 폭(w1)의 비는 0.003 내지 0.017일 수 있다. 구체적으로 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 폭(w1)은 예를 들어 7 ~ 10mm일 수 있고, 트렌치(200)의 폭(P1)은 30 ~ 120㎛일 수 있다. 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)이 형성된 기판(100)의 가로, 세로 크기가 1100mm × 1400mm이고, 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 폭(w1)이 8mm이고, 트렌치(200)의 폭(P1)이 30㎛이고, 에지 절단폭이 15mm인 경우, 기판(100) 중에 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b) 및 트렌치(200)가 형성된 면적은 8.03mm × 1100mm이고, 광기전력 변환이 이루어지는 유효 면적은 8mm × 1100mm이며, 손실 면적은 0.03mm × 1100mm이 되고, 유효 면적 손실은 (0.03mm × 1100mm)/(8.03mm × 1100mm)로서 0.037%에 지나지 않는다. 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 분리 및 전기적 연결에 3개 이상의 트렌치를 형성하는 경우 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)간 이격 거리가 400㎛인 점을 고려하면, 본 실시예의 유효 면적 손실은 매우 적음을 알 수 있다.
일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)과 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)은 전기적으로 연결될 수 있다. 본 실시예에서는 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)로부터 연장된 연결 전극(1110a)과 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 이면 전극 패턴(310a, 310b)이 도전벽(510)에 의해 연결되어 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)과 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)이 직렬로 연 결된 것을 예로 들어 설명하였으나, 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 전기적 연결 방식이 이에 한정되는 것은 아니다.
연결 전극(1110a)은 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 투명 전극 패턴(110a, 110b)으로부터 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b) 측으로 연장되어 형성된다. 연결 전극(1110a)은 투명 전극 패턴(110a, 110b)과 동일한 물질로 이루어지며 동일한 높이에 형성될 수 있다.
연결 전극(1110a)은 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)과 이격되어 트렌치(200) 내에 배치된다. 트렌치(200)의 바닥면의 일부는 연결 전극(1110a)의 일면으로 이루어지고, 트렌치(200)의 바닥면의 일부는 기판(100)의 일면으로 이루어진다.
일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽을 덮는 일 절연벽(410a)은 연결 전극(1110a)의 일부 영역을 덮고, 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽을 덮는 타 절연벽(410b)은 기판(100)의 일면을 덮도록 형성된다.
일 절연벽(410a)은 후술하는 도전벽(510)과 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 이면 전극 패턴(310a)의 단락(short)을 방지하는 역할을 한다. 일 절연벽(410a)은 이면 전극(310a)의 상면의 일부와 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽 전부를 덮도록 형성된다. 또한, 타 절연벽(410b)은 도전벽(510)에 의해 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 이면 전극 패턴(310b)과 투명 전극 패턴(310b)의 단락을 방지하는 역할을 한다. 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)은 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽 중 적어도 제2 반도 체층(230b)을 덮도록 형성된다. 절연벽(410a, 410b)은 예를 들어 폴리 이미드로 이루어질 수 있으나, 절연성을 지니고 도포성을 가지는 한 특정 물질에 한정되는 것은 아니다.
절연벽(410a, 410b)의 폭(w2, w3)은 각각 5 ~ 40㎛로 형성될 수 있다. 절연벽(410a, 410b)의 폭(w2, w3)이 5㎛ 미만인 경우 절연 역할을 하지 못할 수 있고, 40㎛를 초과하는 경우 도전벽(510)이 형성될 공간이 부족해질 수 있다.
도전벽(510)은 타 절연벽(410b)을 덮고 트렌치(200) 내에서 일 절연벽(410a)에 의해 노출된 연결 전극(1110a)의 나머지 영역과 접촉된다. 도전벽(510)은 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 이면 전극 패턴(310a, 310b) 및 연결 전극(1110a)과 직접 접촉하여 서로 인접한 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)을 전기적으로 연결시킨다. 도전벽(510)은 Ag 또는 Al과 같은 반사성 물질로 이루어질 수 있다.
도전벽(510)의 폭(w4)은 접촉 저항 등을 고려하여 예를 들어 30 ~ 80㎛일 수 있다.
광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b) 및 도전벽(510) 상에는 접착층(600)이 형성될 수 있다. 접착층(600)은 예를 들어 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)로 이루어질 수 있다.
접착층(600) 상에는 이면 기판(700)이 부착될 수 있다. 이면 기판(700)은 반사성을 가지는 물질로 이루어질 수 있다.
이하, 도 2 및 도 3 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광 기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 3 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법을 공정 순서대로 나타낸 단면도이다. 이하의 실시예들에서는 이전 실시예와 동일한 기능을 하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 설명의 편의상 해당 구성 요소에 대한 상세한 설명은 생략하거나 간략화 한다.
먼저, 도 3을 참조하면, 기판(100)의 일면 상에 투명 전극층(109), 광기전력 변환층(209), 및 이면 전극층(309)을 순차 형성한다.
구체적으로 투명 전극층(109) 및 이면 전극층(309)은 스퍼터링법을 이용하여 형성할 수 있고, 광기전력 변환층(209)은 예를 들어 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD) 등의 방법을 통하여 제1 반도체층(219), 제2 반도체층(229), 및 제3 반도체층(239)을 순차 적층하여 형성할 수 있다.
이어서, 도 4를 참조하면, 이면 전극층(309), 투명 전극층(109), 및 광기전력 변환층(209)을 패터닝하여 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b), 트렌치(200), 및 연결 전극(1110a)을 형성한다.
이를 위해, 구체적으로 기판(100)을 뒤집어 기판(100)의 타면측에서 레이저를 조사한다. 기판(100)의 타면측에서 레이저를 조사하므로 레이저 가공 시 발생하는 이물이 제거될 수 있다.
광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b), 트렌치(200), 및 연결 전극(1110a)은 파장이 다른 2개의 레이저를 사용하여 동시에 형성된다. 즉, 예를 들어 532nm의 파장을 가진 일 레이저(laser 1)는 연결 전극(1110a)의 상부에 위치한 이면 전극층(309) 및 광기전력 변환층(209)을 제거하도록 조사하여 트렌치(200)의 바닥면의 일부를 연결 전극(1110a)의 일면으로 이루어지도록 한다. 또한, 예를 들어 1064nm의 파장을 가진 다른 레이저(laser 2)는 기판(100) 상의 이면 전극층(309), 광기전력 변환층(209), 및 투명 전극층(109)을 제거하도록 조사하여 트렌치(200)의 바닥면의 일부를 기판(100)의 일면으로 이루어지도록 한다.
광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 폭(w1)과 이들의 이격 간격인 트렌치(200)의 폭(P1)은 이전 실시예에서 설명한 바와 같다.
이와 같이, 본 실시예는 파장이 상이한 2개의 레이저(laser 1, laser 2)를 조사하여 하나의 트렌치(200)를 형성하고 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)을 형성한다. 먼저 투명 전극층을 형성하고 기판을 뒤집어서 레이저를 조사하여 트렌치를 형성하고, 이어서 다시 기판을 뒤집어 광기전력 변환층을 형성한 후 기판을 뒤집고 레이저를 다시 조사하여 다른 트렌치를 형성하고, 이어서 다시 기판을 뒤집어 이면 전극층을 형성한 후 기판을 뒤집고 레이저를 또 다시 조사하여 또 다른 트렌치를 형성하는 방식에 비해 본 실시예의 경우 기판을 뒤집는 장치와 공정이 감소하고, 레이저 가공이 1회로 감소하며, 트렌치간 미스 얼라인(misalign)의 위험이 감소할 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 기판(100)을 다시 뒤집고 세정(cleaning) 공정을 수행하여 레이저 조사 단계에서 형성된 이물질을 제거한다. 레이저 조사 공정이 1회이므로 세정 공정도 1회로 감소할 수 있다.
이어서, 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽 및 타 광기전력 변 환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽을 각각 덮는 복수의 절연벽(410a, 410b)을 형성한다.
절연벽(410a, 410b)은 잉크젯(ink jet)법 또는 디스펜스(dispense)법을 이용하여 형성할 수 있다. 이에 따라 절연을 위해 수행하는 레이저 공정 수를 감소시킬 수 있다. 또한, 정확한 위치에 절연벽(410a, 410b)을 형성할 수 있어 미스 얼라인 위험을 감소시킬 수 있다. 절연벽(410a, 410b)의 폭(w2, w3)은 이전 실시예와 동일하게 형성할 수 있다.
이어서, 도 6을 참조하면, 복수의 광기전력 변환 셀을 전기적으로 연결하는 도전벽(510)을 형성한다.
도전벽(510)은 잉크젯(ink jet)법 또는 디스펜스(dispense)법을 이용하여 형성한다. 도전벽(510)은 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 상면 일부, 타 절연벽(410b), 및 연결 전극(1110a)을 덮도록 형성한다. 도전벽(510)을 형성함으로써 일 절연벽(410a)에 의해 커버되지 않은 연결 전극(1110a)의 나머지 부분이 커버된다. 즉, 트렌치(200)의 바닥면은 절연벽(410a, 410b) 및 도전벽(510)에 의해 덮혀진다. 이에 따라 트렌치(200)의 바닥면에 수분 또는 이물질이 고이는 현상이 방지되어 후술하는 접착층(도 2의 600 참조)의 황변 현상이나 이물질에 의한 단락이 방지될 수 있다.
이어서, 도 2를 참조하면, 상기 결과물 상에 접착층(600)을 형성하고, 이면 기판(700)을 부착시킨다.
이어서, 도 7을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이에 대하여 상세히 설명한다. 도 7은 도 1의 A-A'선을 따라 자른 본 발명의 제2 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 단면도이다.
본 실시예의 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)은 소정 간격(P2)으로 이격되어 있다. 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 이격 간격(P2)에는 2개의 트렌치(201a, 201b)가 형성되어 있다. 본 실시예의 트렌치(201a, 201b)는 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽을 노출시키는 제1 트렌치(201a), 및 제1 트렌치(201a)와 이격되어 형성되고 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽을 노출시키는 제2 트렌치(201b)를 포함한다.
여기서, 제1 트렌치(201a)의 바닥면은 연결 전극(1110a)의 일면으로 이루어지고, 제2 트렌치(201b)의 바닥면은 기판(100)의 일면으로 이루어진다.
제2 트렌치(201b)의 폭(w5)은 제1 트렌치(201a)의 폭(P2-w5)보다 작을 수 있다. 제1 트렌치(201a)의 폭(P2-w5)은 10 ~120㎛일 수 있고, 제2 트렌치(201b)의 폭(w5)은 예를 들어 10 ~ 60㎛일 수 있다. 제1 트렌치(201a)와 제2 트렌치(201b)는 연결 전극(1110a) 상에 형성된 분리벽(1201)에 의해 이격될 수 있다. 분리벽(1201)의 폭(w5')은 예를 들어 10 ~ 60㎛일 수 있다. 제2 트렌치(201b) 및 분리벽(1201)은 후술하는 도전벽(511)이 제1 트렌치(201a)를 넘쳐 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 이면 전극 패턴(310a, 310b)과 단락될 위험을 방지하는 역할을 한다.
여기서, 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 이격 간격(P2) 대 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 폭(w1)의 비는 0.003 내지 0.024일 수 있다. 구체적으로 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 이격 간격(P2)은 30 ~ 240㎛일 수 있다. 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 폭(w1)이 예를 들어 7 ~ 10mm일 수 있다.
일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽을 덮는 일 절연벽(410a)은 연결 전극(1110a)의 일부 영역을 덮고, 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽을 덮는 타 절연벽(410b)은 제2 트렌치(201b) 내에 형성된다.
일 절연벽(410a)의 폭(w5)은 제2 트렌치(201b)를 충전하도록 형성되어 제2 트렌치(201b)와 같은 사이즈를 가질 수 있다.
도전벽(511)은 타 절연벽(410b) 및 분리벽(1201)을 덮고 일 절연벽(410a)에 의해 노출된 연결 전극(1110a)의 나머지 영역 및 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 이면 전극 패턴(310a, 310b)과 직접 접촉한다. 제1 및 제2 트렌치(201a, 201b)의 바닥면은 절연벽(411a, 411b) 및 도전벽(511)에 의해 덮혀진다. 이에 따라 트렌치(201a, 201b)의 바닥면에 수분 또는 이물질이 고이는 현상이 방지되어 후술하는 접착층(도 7의 600 참조)의 황변 현상이나 이물질에 의한 단락이 방지될 수 있다.
이하, 도 2, 도 7 및 도 8 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 8 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법 을 공정 순서대로 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 8을 참조하면, 이면 전극층(309), 투명 전극층(109), 및 광기전력 변환층(209)을 패터닝하여 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b), 트렌치(201a, 201b), 및 연결 전극(1110a)을 형성한다. 이 경우 기판(100)의 일면 상에 이면 전극층(309), 투명 전극층(109), 및 광기전력 변환층(209)을 형성한 이후 기판(100)을 뒤집고, 기판(100)의 타면으로부터 레이저를 조사하여 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b), 트렌치(201a, 201b), 및 연결 전극(1110a)을 동시에 형성한다. 이 경우 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽을 노출시키는 제1 트렌치(201a) 및 제1 트렌치(201a)와 이격되고 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽을 노출시키는 제2 트렌치(201b)가 동시에 형성된다.
제1 및 제2 트렌치(201a, 201b)를 형성하는 단계는, 제1 파장을 가진 제1 레이저(laser1)를 이용하여 제1 트렌치(201a)를 형성하고, 제2 파장을 가진 제2 레이저(laser2)를 이용하여 제2 트렌치(201b)를 형성한다.
이에 따라 제1 트렌치(201a)의 바닥면은 연결 전극(1110a)의 일면으로 이루어지고, 제2 트렌치(201b)의 바닥면은 기판(100)의 일면으로 이루어진다.
이어서, 도 9를 참조하면, 기판(100)을 뒤집고 세정한 다음, 제1 트렌치(201a) 내의 연결 전극(1110a)의 일부 영역을 덮도록 일 절연벽(411a)을 형성하고, 제2 트렌치(201b)를 충전하도록 타 절연벽(411b)을 형성한다. 타 절연벽(411b)에 의해 기판(100)의 일면, 분리벽(1201)의 일 측벽, 및 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽이 덮혀진다.
절연벽(411a, 411b)의 형성 방법은 본 발명의 제1 실시예와 동일하다.
이어서, 도 10을 참조하면, 타 절연벽(411b) 및 분리벽(1201)을 덮고 일 절연벽(411a)에 의해 노출된 연결 전극(1110a)의 나머지 영역 및 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 이면 전극 패턴(310a, 310b)과 직접 접촉하도록 도전벽(511)을 형성한다.
도전벽(511)의 형성 방법도 본 발명의 제1 실시예와 동일하다.
이어서, 도 7을 참조하면, 상기 결과물 상에 접착층(600)을 형성하고, 이면 기판(700)을 부착하여 광기전력 변환 소자 어레이를 완성한다.
이어서, 도 11을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이에 대하여 상세히 설명한다. 도 11은 도 1의 A-A'선을 따라 자른 본 발명의 제3 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 단면도이다.
도 11을 참조하면, 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)은 소정 간격(P3)으로 이격되어 있다. 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 이격 간격(P3)에는 3개의 트렌치(202a, 202b, 202c)가 형성되어 있다. 본 실시예의 트렌치(202a, 202b, 202c)는 연결 전극(1110a)을 노출시키는 제1 트렌치(202a), 제1 트렌치(202a)와 이격되어 형성되고 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽을 노출시키는 제2 트렌치(202b), 및 제1 트렌치(202a)와 이격되어 제2 트렌치(202b)의 반대편에 형성되고 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽을 노출시키는 제3 트렌치(202c)를 포함한다.
여기서, 제1 및 제2 트렌치(202a, 202b)의 바닥면은 연결 전극(1110a)의 일면으로 이루어지고, 제3 트렌치(202c)의 바닥면은 기판(100)의 일면으로 이루어진다.
제1 및 제2 트렌치(202a, 202b)는 연결 전극(1110a) 상에 형성된 제1 분리벽(1202)에 의해 이격되고, 제1 및 제3 트렌치(202a, 202c)는 연결 전극(1110a) 상에 형성된 제2 분리벽(1203)에 의해 이격된다.
제1 트렌치(202a) 내지 제3 트렌치(202c)의 폭(w7, w8, w9)은 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 제1 분리벽(1202) 및 제2 분리벽(1203)의 폭(w8', w9')도 제1 트렌치(202a) 내지 제3 트렌치(202c)의 폭(w7, w8, w9)과 동일할 수 있다.
여기서, 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 이격 간격(P3) 대 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 폭(w1)의 비는 0.005 내지 0.043일 수 있다. 구체적으로 제3 트렌치(202c)의 폭(w7, w8, w9)과 제1 분리벽(1202) 및 제2 분리벽(1203)의 폭(w8', w9')은 10 ~ 60㎛일 수 있으며, 복수의 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 이격 간격(P3)은 50 ~ 300㎛일 수 있다. 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 폭(w1)이 예를 들어 7 ~ 10mm일 수 있다.
타 절연벽(412b)은 제3 트렌치(202c) 내에 형성되어 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b)의 측벽을 덮을 수 있다.
일 절연벽(412a)은 제2 트렌치(202b)를 충전하도록 형성되어 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽을 덮을 수 있다. 수분 또는 이물질 침투 위험이 낮은 경우에는 일 절연벽(412a)은 형성되지 않고 제2 트렌치(202b)는 연결 전극(1110a)을 노출시킬 수 있다.
도전벽(512)은 타 절연벽(412b) 및 제2 분리벽(1203)을 덮고 제1 트렌치(202a) 내에 노출된 연결 전극(1110a) 및 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 이면 전극 패턴(310a, 310b)과 직접 접촉한다. 도전벽(512)의 폭(w10)은 접촉 저항을 고려하여 30 ~ 150㎛으로 형성될 수 있다.
이하, 도 2, 도 11, 및 도 12 내지 도 14를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 12 내지 도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법을 공정 순서대로 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 11을 참조하면, 기판(100)의 일면 상에 이면 전극층(309), 투명 전극층(109), 및 광기전력 변환층(209)을 형성한 이후 기판(100)을 뒤집고, 기판(100)의 타면으로부터 레이저를 조사하여 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a, 110b, 210b, 310b), 트렌치(202a, 202b, 202c), 및 연결 전극(1110a)을 동시에 형성한다. 이 경우 연결 전극(1110a)을 노출시키는 제1 트렌치(202a), 제1 트렌치(202a)와 이격되고 일 광기전력 변환 셀(110a, 210a, 310a)의 측벽을 노출시키는 제2 트렌치(202b), 및 제1 트렌치(202a)와 이격되어 제2 트렌치(202b)의 반대편에 위치하고 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 측벽을 노출시키는 제3 트렌치(202c)가 동시에 형성된다.
제1, 제2 및 제3 트렌치(202a, 202b, 202c)를 형성하는 단계는, 제1 파장을 가진 제1 레이저(laser1)를 이용하여 제1 및 제2 트렌치(202a, 202b)를 형성하고, 제1 파장과 상이한 제2 파장을 가진 제2 레이저(laser2)를 이용하여 제3 트렌치(202c)를 형성한다.
제1 및 제2 트렌치(202a, 202b)의 바닥면은 연결 전극(1110a)의 일면으로 이루어지고, 제3 트렌치(202c)의 바닥면은 기판(100)의 일면으로 이루어진다.
이어서, 도 13을 참조하면, 기판(100)을 뒤집고 세정한 다음 제2 트렌치(202b) 및 제3 트렌치(202c)에 절연벽(412a, 412b)을 충전시킨다. 수분 또는 이물질 오염 위험이 낮은 경우 일 절연벽(412a)은 형성하지 않을 수 있다. 절연벽(412a, 412b)은 이전 실시예와 동일한 방식으로 형성할 수 있다.
이어서, 도 14를 참조하면, 타 절연벽(412b) 및 제2 분리벽(1203)을 덮고 제1 트렌치(202a) 내에 노출된 연결 전극(1110a) 및 타 광기전력 변환 셀(110b, 210b, 310b)의 이면 전극 패턴(310a, 310b)과 직접 접촉하는 도전벽(512)을 형성한다. 도전벽(512)도 이전 실시예와 동일한 방식으로 형성할 수 있다.
이어서, 도 11을 참조하면, 상기 결과물 상에 접착층(600)을 형성하고, 이면 기판(700)을 부착하여 광기전력 변환 소자 어레이를 완성한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법을 공정 순서대로 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 1의 A-A'선을 따라 자른 본 발명의 제2 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법을 공정 순서대로 나타낸 단면도이다.
도 11은 도 1의 A-A'선을 따라 자른 본 발명의 제3 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 단면도이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법을 공정 순서대로 나타낸 단면도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100: 기판 110a, 110b: 투명 전극 패턴
200, 201a, 201b, 202a, 202b, 202c: 트렌치
210a, 210b: 광기전력 변환 셀 220a, 220b: 제1 반도체층
230a, 230b: 제2 반도체층 240a, 240b: 제3 반도체층
310a, 310b: 이면 전극 패턴 410a, 410b: 절연벽
510: 도전벽 600: 접착층
700: 이면 기판

Claims (21)

  1. 기판 상에 서로 이격되어 형성된 복수의 광기전력 변환 셀로서, 상기 기판 상에 순차 배치된 투명 전극 패턴, 광기전력 변환 패턴, 및 이면 전극 패턴을 포함하는 광기전력 변환 셀;
    상기 광기전력 변환 셀 사이에 형성된 적어도 하나의 트렌치;
    상기 일 광기전력 변환 셀의 상기 투명 전극 패턴으로부터 상기 타 광기전력 변환 셀 측으로 연장되고 상기 타 광기전력 변환 셀과 이격되어 상기 트렌치 내에 배치되는 연결 전극;
    상기 트렌치에 의해 노출된 상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽 및 상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 각각 덮는 복수의 절연벽; 및
    상기 복수의 광기전력 변환 셀을 전기적으로 연결하는 도전벽을 포함하는 광기전력 변환 소자 어레이.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 트렌치는 상기 복수의 광기전력 변환 셀 사이에 1개 형성되어 있고, 상기 복수의 광기전력 변환 셀의 이격 거리는 상기 트렌치의 폭과 동일한 광기전력 변환 소자 어레이.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 트렌치의 폭 대 상기 광기전력 변환 셀의 폭의 비는 0.003 내지 0.017인 광기전력 변환 소자 어레이.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 트렌치의 바닥면의 일부는 상기 연결 전극의 일면으로 이루어지고,
    상기 트렌치의 바닥면의 일부는 상기 기판의 일면으로 이루어지는 광기전력 변환 소자 어레이.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽을 덮는 상기 일 절연벽은 상기 연결 전극의 일부 영역을 덮고,
    상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 덮는 상기 타 절연벽은 상기 기판의 일면을 덮고,
    상기 도전벽은 상기 타 절연벽을 덮고 상기 일 절연벽에 의해 노출된 상기 연결 전극의 나머지 영역 및 상기 타 광기전력 변환 셀의 상기 이면 전극 패턴과 직접 접촉하는 광기전력 변환 소자 어레이.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 트렌치는 상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽을 노출시키는 제1 트렌치, 및 상기 제1 트렌치와 이격되어 형성되고 상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 노출 시키는 제2 트렌치를 포함하고,
    상기 제1 트렌치의 바닥면은 상기 연결 전극의 일면으로 이루어지고,
    상기 제2 트렌치의 바닥면은 상기 기판의 일면으로 이루어진 광기전력 변환 소자 어레이.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 트렌치는 상기 연결 전극 상에 형성된 분리벽에 의해 이격되는 광기전력 변환 소자 어레이.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽을 덮는 상기 일 절연벽은 상기 연결 전극의 일부 영역을 덮고,
    상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 덮는 상기 타 절연벽은 상기 제2 트렌치 내에 형성되고,
    상기 도전벽은 상기 타 절연벽 및 상기 분리벽을 덮고 상기 일 절연벽에 의해 노출된 상기 연결 전극의 나머지 영역 및 상기 타 광기전력 변환 셀의 상기 이면 전극 패턴과 직접 접촉하는 광기전력 변환 소자 어레이.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 트렌치는 상기 연결 전극을 노출시키는 제1 트렌치, 상기 제1 트렌치와 이격되어 형성되고 상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽을 노출시키는 제2 트렌치, 및 상기 제1 트렌치와 이격되어 상기 제2 트렌치의 반대편에 형성되고 상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 노출시키는 제3 트렌치를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 트렌치의 바닥면은 상기 연결 전극의 일면으로 이루어지고, 상기 제3 트렌치의 바닥면은 상기 기판의 일면으로 이루어진 광기전력 변환 소자 어레이.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 트렌치는 상기 연결 전극 상에 형성된 제1 분리벽에 의해 이격되고,
    상기 제1 및 제3 트렌치는 상기 연결 전극 상에 형성된 제2 분리벽에 의해 이격되는 광기전력 변환 소자 어레이.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 덮는 상기 타 절연벽은 상기 제3 트렌치 내에 형성되고,
    상기 도전벽은 상기 타 절연벽 및 상기 제2 분리벽을 덮고 상기 제1 트렌치 내에 노출된 상기 연결 전극 및 타 광기전력 변환 셀의 상기 이면 전극 패턴과 직접 접촉하는 광기전력 변환 소자 어레이.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽을 덮는 상기 일 절연벽은 상기 제2 트렌치 내에 형성되어 상기 제2 트렌치를 충전시키는 광기전력 변환 소자 어레이.
  13. 상기 기판 상에 투명 전극층, 광기전력 변환층, 및 이면 전극층을 순차 형성하는 단계;
    상기 이면 전극층, 상기 투명 전극층, 및 상기 광기전력 변환층을 패터닝하여, 서로 이격된 복수의 광기전력 변환 셀로서 상기 기판 상에 순차 배치된 투명 전극 패턴, 광기전력 변환 패턴, 및 이면 전극 패턴을 포함하는 광기전력 변환 셀, 상기 광기전력 변환 셀 사이에 배치된 적어도 하나의 트렌치, 및 상기 일 광기전력 변환 셀의 상기 투명 전극 패턴으로부터 상기 타 광기전력 변환 셀 측으로 연장되고 상기 타 광기전력 변환 셀과 이격되어 상기 트랜치 내에 배치되는 연결 전극을 형성하는 단계;
    상기 트렌치에 의해 노출된 상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽 및 상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 각각 덮는 복수의 절연벽을 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 광기전력 변환 셀을 전기적으로 연결하는 도전벽을 형성하는 단계를 포함하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 투명 전극층, 상기 광기전력 변환층, 및 상기 이면 전극층은 상기 기판 의 일면 상에 형성되고,
    상기 광기전력 변환 셀, 상기 트렌치, 및 상기 연결 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판의 타면 상에 레이저를 조사하여 상기 광기전력 변환 셀, 상기 트렌치, 및 상기 연결 전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 기판의 상기 일면 상에 상기 투명 전극층, 상기 광기전력 변환층, 및 상기 이면 전극층을 형성한 이후 상기 레이저를 조사하기 이전에 상기 기판을 뒤집는 단계를 더 포함하고,
    상기 레이저 조사는 상기 기판의 타면측으로부터 수행하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 절연벽을 형성하는 단계 및 상기 도전벽을 형성하는 단계는 잉크젯법 또는 디스펜스법을 이용하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 트렌치를 형성하는 단계는 상기 복수의 광기전력 변환 셀 사이에 1개의 트렌치를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 1개의 트렌치를 형성하는 단계는, 파장이 다른 2개의 레이저를 상기 기판에 동시에 조사하여 상기 트렌치의 바닥면의 일부는 상기 연결 전극의 일면으로 이루어지고 상기 트렌치의 바닥면의 일부는 상기 기판의 일면으로 이루어진 상기 트렌치를 형성하는 것을 포함하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
  18. 제 13항에 있어서,
    상기 트렌치를 형성하는 단계는, 상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽을 노출시키는 제1 트렌치 및 상기 제1 트렌치와 이격되고 상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 노출시키는 제2 트렌치를 동시에 형성하는 것을 포함하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 트렌치를 형성하는 단계는, 제1 파장을 가진 제1 레이저를 이용하여 상기 제1 트렌치의 바닥면은 상기 연결 전극의 일면으로 이루어지도록 형성하고 상기 제1 파장과 상이한 제2 파장을 가진 제2 레이저를 이용하여 상기 제2 트렌치의 바닥면은 상기 기판의 일면으로 이루어지도록 형성하는 단계를 포함하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
  20. 제 13항에 있어서,
    상기 트렌치를 형성하는 단계는, 상기 연결 전극을 노출시키는 제1 트렌치, 상기 제1 트렌치와 이격되고 상기 일 광기전력 변환 셀의 측벽을 노출시키는 제2 트렌치, 및 상기 제1 트렌치와 이격되어 상기 제2 트렌치의 반대편에 위치하고 상기 타 광기전력 변환 셀의 측벽을 노출시키는 제3 트렌치를 동시에 형성하는 것을 포함하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 제1, 제2 및 제3 트렌치를 형성하는 단계는, 제1 파장을 가진 제1 레이저를 이용하여 상기 제1 및 제2 트렌치의 바닥면은 상기 연결 전극의 일면으로 이루어지도록 형성하고, 상기 제1 파장과 상이한 제2 파장을 가진 제2 레이저를 이용하여 상기 제3 트렌치의 바닥면은 상기 기판의 일면으로 이루어지도록 형성하는 단계를 포함하는 광기전력 변환 소자 어레이의 제조 방법.
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