KR20100046784A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100046784A
KR20100046784A KR1020080105797A KR20080105797A KR20100046784A KR 20100046784 A KR20100046784 A KR 20100046784A KR 1020080105797 A KR1020080105797 A KR 1020080105797A KR 20080105797 A KR20080105797 A KR 20080105797A KR 20100046784 A KR20100046784 A KR 20100046784A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
substrate
processing liquid
optical signal
housing
Prior art date
Application number
KR1020080105797A
Other languages
English (en)
Inventor
송길훈
김태호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080105797A priority Critical patent/KR20100046784A/ko
Publication of KR20100046784A publication Critical patent/KR20100046784A/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/005Nozzles or other outlets specially adapted for discharging one or more gases
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 노즐이 대기 포트에서 대기하는 동안, 노즐의 선단으로부터 석백된 처리액의 흘림을 검출하는 것을 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 노즐이 대기 포트의 대기 위치로부터 기판상의 공정 위치로 이동하는 동안 처리액의 흘림에 의해 야기되는 공정 불량을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
대기 포트, 처리액 흘림, 감지 부재

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 회전하는 스핀 척상에 지지된 기판에 처리액을 공급하여 기판을 매엽 방식으로 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정이 요구된다.
이들 공정 중 사진 공정 중에는 기판상에 감광액을 도포하는 도포 공정과, 기판상에 현상액을 공급하는 현상 공정이 포함되며, 식각 공정은 기판상에 식각액을 공급하여 기판상에 형성된 막질을 제거하는 공정이고, 세정 공정은 기판상에 세정액을 공급하여 기판 표면에 잔류하는 오염 물질을 제거하는 공정이다.
도포, 현상, 식각 및 세정 공정은 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 처리액(감광액, 현상액, 식각액, 세정액)을 공급하는 스핀 타입의 방식에 의해 진행된다.
본 발명은 기판 처리의 완료 후 노즐이 대기 포트에서 대기하는 동안, 노즐 내의 석백된 처리액의 노즐로부터의 흘림을 감지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판에 처리액을 토출하는 노즐; 및 상기 기판 지지 부재의 일측에 배치되며, 상기 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 포함하되, 상기 대기 포트는 상부가 개방되고, 상기 노즐이 수용되는 공간을 제공하는 하우징; 및 상기 하우징 내의 상기 공간에 설치되며, 상기 하우징 내에서 공정 진행을 위해 대기하는 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림을 검출하는 감지 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 일 실시 예에 의하면, 상기 감지 부재는 광 신호를 방출하는 발광부와, 상기 광 신호를 수광하는 수광부를 포함하되, 상기 발광부와 상기 수광부는 상기 광 신호의 이동 경로가 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림 방향과 교차하도록 배치될 수 있다.
다른 실시 예에 의하면, 상기 감지 부재는 광 신호를 방출하는 발광부와, 상기 광 신호를 수광하는 수광부를 가지는 광 센서; 및 상기 광 센서의 상기 발광부가 방출하는 상기 광 신호를 상기 수광부로 반사하는 반사판을 포함하되, 상기 광 센서와 상기 반사판은 상기 광 신호의 이동 경로가 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림 방향과 교차하도록 배치될 수 있다.
상기 하우징의 상기 공간과 통하도록 상기 하우징에 형성된 배수 라인에 연결되는 배수 부재를 더 포함할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판을 지지하며, 회전 가능한 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판에 처리액을 토출하는 노즐; 상기 노즐에 연결된 처리액 공급 라인상에 배치되며, 상기 노즐 내의 상기 처리액이 상기 노즐의 선단으로부터 후퇴하도록 상기 처리액을 흡입하는 석백 밸브; 및 상기 기판 지지 부재의 일측에 배치되며, 상기 석백 밸브에 의해 상기 처리액이 선단으로부터 후퇴된 상기 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 포함하되, 상기 대기 포트는 상부가 개방되고, 상기 노즐이 수용되는 공간을 제공하는 하우징; 및 상기 하우징 내의 상기 공간에 설치되며, 상기 노즐의 선단으로부터 후퇴된 상기 처리액의 상기 노즐로부터의 흘림을 검출하는 감지 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 일 실시 예에 의하면, 상기 감지 부재는 광 신호를 방출하는 발광부와, 상기 광 신호를 수광하는 수광부를 포함하되, 상기 발광부와 상기 수광부는 상기 광 신호의 이동 경로가 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림 방향과 교차하도록 배치될 수 있다.
다른 실시 예에 의하면, 상기 감지 부재는 광 신호를 방출하는 발광부와, 상기 광 신호를 수광하는 수광부를 가지는 광 센서; 및 상기 광 센서의 상기 발광부가 방출하는 상기 광 신호를 상기 수광부로 반사하는 반사판을 포함하되, 상기 광 센서와 상기 반사판은 상기 광 신호의 이동 경로가 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림 방향과 교차하도록 배치될 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법은 노즐로부터 기판의 상면에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하고, 상기 노즐 내의 상기 처리액이 상기 노즐의 선단으로부터 후퇴하도록 상기 노즐 내의 상기 처리액을 석백하고, 공정 진행을 위해 상기 노즐이 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트로 상기 노즐을 이동시키고, 상기 노즐이 상기 대기 포트에서 대기하는 동안, 상기 노즐의 선단으로부터 후퇴된 상기 처리액의 상기 노즐로부터의 흘림을 검출하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 노즐의 상기 대기 포트에서의 대기 시간 중, 후속 처리될 기판에 탈이온수를 공급하는 프리-디스펜스(Pre-dispense) 시간을 제외한 나머지 시간에 상기 처리액의 상기 노즐로부터의 흘림을 검출할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 처리의 완료 후 노즐이 대기 포트에서 대기하는 동 안, 노즐 내의 석백된 처리액의 노즐로부터의 흘림을 감지할 수 있다.
그리고 본 발명에 의하면, 노즐이 대기 포트의 대기 위치로부터 기판상의 공정 위치로 이동하는 동안 처리액의 흘림에 의해 야기될 수 있는 공정 불량을 최소화할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 A - A' 선에 따른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 기판 지지 부재(100), 처리액 공급 부재(200), 처리액 회수 부재(300), 배기통(400), 그리고 대기 포트(500)를 포함한다.
기판 지지 부재(100)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(140)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(100)는 원형의 상부 면을 갖는 지지판(110)을 가지며, 지지판(110)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재(120)가 설치된다. 핀 부재(120)는 지지 핀(122)들과 척킹 핀(124)들을 가진다. 지지 핀(122)들은 지지판(110)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 지지판(110)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(122)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 지지판(110)으로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(122)들의 외 측에는 척킹 핀(124)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(124)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(124)들은 다수의 지지 핀(122)들에 의해 지지된 기판(W)이 지지판(110) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(124)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
지지판(110)의 하부에는 지지판(110)을 지지하는 지지 축(130)이 연결되며, 지지 축(130)은 그 하단에 연결된 구동부(140)에 의해 회전한다. 구동부(140)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지 축(130)이 회전함에 따라 지지판(110) 및 기판(W)이 회전한다. 또한, 구동부(140)는 지지판(110) 상에 기판(W)을 로딩하거나 지지판(110)으로부터 기판(W)을 언로딩하는 경우, 그리고 기판 처리 공정 중 필요할 때 지지판(110)을 상하로 이동시킬 수 있다.
처리액 공급 부재(200)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 이하에서는 이들 중 하나의 처리액 공급 부재(200)에 대해 설명한다. 처리액 공급 부재(200)는 기판 지지 부재(100) 상에 놓인 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 부재(200)는 수직하게 배치되며 기판(W)으로 처리액을 공급하는 노즐(220)을 가진다. 노즐(220)은 노즐 지지대(240)에 의해 지지되며, 노즐 지지대(240)는 노즐(220)과 직각을 유지하도록 수평 방향으로 배치되며, 노즐 지지대(240)의 일단은 노즐(220)의 끝단에 결합된다. 노즐 지지대(240)의 타단에는 노즐 지지대(240)와 직각을 유지하도록 수직 방향으로 배치되며, 공정 진행시 또는 공정 전후에 노즐(220)을 이동시키는 이동 로드(260)가 결합된다. 이동 로드(260)를 이동시키는 구동 부재(280)는 노즐(220)을 회전시키기 위한 모터일 수 있으며, 선택적으로 노즐(220)을 기판(W)의 반경 방향으로 직선 이동시키기 위한 어셈블리일 수도 있다.
노즐(220)은 처리액 공급 라인(270)에 의해 처리액 공급원(271)에 연결된다. 처리액 공급 라인(270)상에는 처리액 공급원(271)으로부터 노즐(220) 방향으로 펌프(272), 필터(273) 및 밸브(274)가 순차적으로 배치된다. 밸브(274)는 컷 오프 밸브(Cut-Off Valve, 274a)와 석백 밸브(Suckback Valve, 274b)를 가진다. 처리액 공급원(271)으로부터 공급되는 처리액은 펌프(272)에 의해 가압되고, 가압된 처리액은 필터(273)를 거쳐 컷 오프 밸브(274a) 및 석백 밸브(274b)를 통과한 후, 노즐(220)을 통해 기판상에 토출된다. 컷 오프 밸브(274a)는 가압된 처리액의 흐름을 온/오프(On/Off)하고, 석백 밸브(274b)는 처리액 토출후 노즐(220)의 토출구(미도시) 끝단에 존재하는 일정량의 처리액을 흡입하여 후퇴시킴으로써 처리액의 흘림을 방지한다.
처리액 공급 부재(200)가 회전하는 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급할 때, 처리액은 원심력에 의해 기판(W) 상면의 중심으로부터 가장자리로 이동하고, 처리액 회수 부재(300)로 회수된다.
처리액 회수 부재(300)는 노즐(220)로부터 공급되는 처리액들을 회수하여 처리액의 재사용이 가능하도록 한다. 처리액 회수 부재(300)는 내측에 기판 지지부재(100)가 위치하는 공간(310)을 제공하며, 기판 지지 부재(100)를 감싸도록 배치되는 처리액 회수통들(320, 340)을 가진다.
처리액은 기판(W)에서 제거하고자 하는 막질의 종류에 따라 다양하게 제공될 수 있으며, 본 실시 예의 기판 처리 장치(10)의 경우 두 종류의 처리액(식각액/세정액)을 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다.
처리액 회수통들(320, 340)은 식각액 회수통들(320)과 세정액 회수통(340)을 포함한다. 식각액 회수통들(320)은 기판(W)으로 공급되는 식각액들을 회수하고, 세정액 회수통(340)은 기판(W)로 공급되는 탈이온수를 회수한다. 세정액 회수통(340)은 최외곽에 배치되고, 식각액 회수통들(320)은 세정액 회수통(340)의 안쪽에 배치된다. 식각액 회수통들(320)은 내부 회수통(320a)과 외부 회수통(320b)을 가지며, 내부 회수통(320a)은 기판 지지 부재(100)에 가장 인접하게 기판 지지 부재(100)를 감싸도록 배치되고, 외부 회수통(320b)은 내부 회수통(320a)과 세정액 회수통(340) 사이에 배치된다.
기판 지지 부재(100) 및 처리액 회수 부재(300)의 아래에는 배기통(400)이 제공된다. 배기통(400)은 대체로 원통 형상을 가진다. 구체적으로 배기통(400)은 원형의 하부 벽(410)과, 하부 벽(410)으로부터 상부로 연장되는 측벽(412), 그리고 기판 처리 공정이 진행되는 공간(310)과 배기통(400) 내부를 분리하기 위해 제공되는 분리 벽(414)을 가진다. 배기통(400)에는 펌프와 같은 흡입 부재(420)가 설치된 배기관(430)이 연결된다. 기판 처리 공정이 진행되는 공간(330) 내에서 기류가 처리액 회수통(320, 340)들을 향하는 방향으로 형성되도록 각각의 처리액 회수통(320, 340)과 배기통(400)은 서로 통하도록 형상지어진다.
구동부(140)는 처리액 회수 부재(300) 내에서 기판 지지 부재(100)와 처리액 회수통들(320a, 320b, 340) 간의 상대 높이가 조절되도록 기판 지지 부재(100)를 상하 이동시킬 수 있다. 예컨대, 구동부(140)는 기판(W)으로 공급되는 처리액의 종류에 따라 기판 지지 부재(100)가 내부 회수통(320a)에 대응하는 높이, 외부 회수통(320b)에 대응하는 높이, 그리고 세정액 회수통(340)에 대응하는 높이에 위치하도록 기판 지지 부재(100)를 이동시킬 수 있다.
대기 포트(500)는 기판 지지 부재(100)의 일측에 배치되며, 기판 처리 공정의 진행 후 노즐(220)이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 대기 포트(500)는 하우징(510)을 가진다. 하우징(510)은 상부가 개방된 구조를 가지며, 내부에는 노즐(220)이 수용되는 공간(512)이 제공된다. 노즐(220)이 대기 포트(500)의 하우징(510)에서 대기하는 동안, 석백 밸브(274b)에 의해 석백된 노즐(220) 내의 처리액이 흘러내릴 수 있다. 노즐(220)로부터 흘러내린 처리액은 하우징(510)의 하부 공간으로 떨어지고, 하우징(510)의 바닥벽에 형성된 배수 홀(514)을 통해 외부로 배출된다.
배수 홀(514)에는 배수 부재(520)가 연결된다. 배수 부배(520)는 배수 홀(514)에 연결되는 배수 라인(522)과, 배수 라인(522)을 개폐하는 밸브(524)를 포함한다. 밸브(524) 후단의 배수 라인(522)상에는 배수 탱크(미도시)가 설치될 수 있으며, 배수 탱크(미도시)에는 하우징(510)으로부터 배수되는 처리액이 저장된다.
그런데, 노즐(220)이 대기 포트(500)에서 대기하는 동안 노즐(220)로부터 처리액이 흘러내리는가의 여부를 알지못할 경우, 노즐(220)이 대기 포트(500)의 대기 위치로부터 기판상의 공정 위치로 이동하는 동안 처리액이 기판상에 흘러내려 공정 불량이 야기될 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 노즐(220)이 대기 포트(500)에서 대기하는 동안, 노즐(220) 선단으로부터의 처리액의 흘림을 검출하는 감지 부재(600)를 구비한다. 감지 부재(600)는 대기 포트(500) 하우징(510)의 공간(512)에 설치될 수 있다.
감지 부재(600)는 광 신호를 방출하는 발광부(610)와, 광 신호를 수광하는 수광부(620)를 가지며, 발광부(610)와 수광부(620)는 광 신호의 이동 경로가 노즐(220) 선단으로부터 흘려지는 처리액의 낙하 방향과 교차하도록 하우징(510)의 내부 공간(512) 하부에 설치될 수 있다.
이와 달리, 감지 부재(600)는 광 신호를 방출하는 발광부 및 광 신호를 수광하는 수광부를 가지는 광 센서(610)와, 광 센서(610)의 발광부가 방출하는 광 신호를 수광부로 반사하는 반사판(620)으로 이루어질 수 있다. 광 센서(610)와 반사 판(620)은 광 신호의 이동 경로가 노즐(221) 선단으로부터 흘려지는 처리액의 낙하 방향과 교차하도록 하우징(510)의 내부 공간(512) 하부에 설치될 수 있다.
노즐(220)로부터 기판의 상면에 처리액이 공급되어 기판 처리 공정이 완료되면, 석백 밸브(274b)는 노즐(220) 내의 처리액이 노즐(220)의 선단으로부터 후퇴하도록 처리액을 석백(흡입)한다. 이 상태에서 노즐(220)은 대기 포트(500)로 이동하고, 공정 진행을 위해 대기한다. 노즐(220)이 대기 포트(500)에서 대기하는 동안, 노즐(220)의 선단으로부터 후퇴된 처리액이 노즐(220)로부터 흘러내리며, 흘러내린 처리액은 대기 포트(500) 하우징(510)의 배수 홀(514)을 통해 외부로 배출된다. 이와 동시에, 기판 지지 부재(100)에는 후속 처리될 기판(W)이 로딩되고, 로딩된 기판(W)에 대해 탈이온수를 공급하는 프리-디스펜스(Pre-dispense) 공정이 진행된다.
감지 부재(600)는 후속 처리될 기판에 대한 프리-디스펜스(Pre-dispense) 공정이 진행되는 동안에는 노즐(220)로부터의 처리액의 흘림을 감지하지 않을 수 있다. 이는 프리-디스펜스(Pre-dispense) 공정이 진행되는 동안에 노즐(220)이 대기 포트(500)의 대기 위치로부터 기판상의 공정 위치로 이동하지 않기 때문이다.
그러나, 프리-디스펜스(Pre-dispense) 공정이 완료되면, 감지 부재(600)는 노즐(220)로부터의 처리액의 흘림을 감지해야 한다. 이는 프리-디스펜스(Pre-dispense) 공정이 완료되면 노즐(220)이 대기 포트(500)의 대기 위치로부터 기판상의 공정 위치로 이동할 수 있으며, 이때 노즐(220)로부터 처리액이 흘러내리면 노즐(220)이 공정 위치로 이동하는 중 기판상에 흘러내리는 처리액에 의해 공정 불량 이 발생할 수 있기 때문이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 감지 부재(600)는 처리액에 의한 기판 처리의 완료 후 노즐(220)이 대기 포트(500)에서 대기하는 동안, 노즐(220) 내의 석백된 처리액의 노즐(220)로부터의 흘림을 감지할 수 있다. 이를 통해, 노즐(220)이 대기 포트(500)의 대기 위치로부터 기판상의 공정 위치로 이동하는 동안 처리액의 흘림에 의해 야기될 수 있는 공정 불량을 최소화할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 평면도,
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 A - A' 선에 따른 단면도,
도 3은 노즐이 도 1의 대기 포트에서 대기하는 상태를 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 기판 지지 부재 200 : 처리액 공급 부재
300 : 처리액 회수 부재 400 : 배기통
500 : 대기 포트 600 : 감지 부재

Claims (9)

  1. 기판을 지지하는 기판 지지 부재;
    상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판에 처리액을 토출하는 노즐; 및
    상기 기판 지지 부재의 일측에 배치되며, 상기 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 포함하되,
    상기 대기 포트는,
    상부가 개방되고, 상기 노즐이 수용되는 공간을 제공하는 하우징; 및
    상기 하우징 내의 상기 공간에 설치되며, 상기 하우징 내에서 공정 진행을 위해 대기하는 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림을 검출하는 감지 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 감지 부재는 광 신호를 방출하는 발광부와, 상기 광 신호를 수광하는 수광부를 포함하되,
    상기 발광부와 상기 수광부는 상기 광 신호의 이동 경로가 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림 방향과 교차하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 감지 부재는 광 신호를 방출하는 발광부와, 상기 광 신호를 수광하는 수광부를 가지는 광 센서; 및 상기 광 센서의 상기 발광부가 방출하는 상기 광 신호를 상기 수광부로 반사하는 반사판을 포함하되,
    상기 광 센서와 상기 반사판은 상기 광 신호의 이동 경로가 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림 방향과 교차하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 하우징의 상기 공간과 통하도록 상기 하우징에 형성된 배수 라인에 연결되는 배수 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 기판을 지지하며, 회전 가능한 기판 지지 부재;
    상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판에 처리액을 토출하는 노즐;
    상기 노즐에 연결된 처리액 공급 라인상에 배치되며, 상기 노즐 내의 상기 처리액이 상기 노즐의 선단으로부터 후퇴하도록 상기 처리액을 흡입하는 석백 밸브; 및
    상기 기판 지지 부재의 일측에 배치되며, 상기 석백 밸브에 의해 상기 처리액이 선단으로부터 후퇴된 상기 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 포함하되,
    상기 대기 포트는,
    상부가 개방되고, 상기 노즐이 수용되는 공간을 제공하는 하우징; 및
    상기 하우징 내의 상기 공간에 설치되며, 상기 노즐의 선단으로부터 후퇴된 상기 처리액의 상기 노즐로부터의 흘림을 검출하는 감지 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 감지 부재는 광 신호를 방출하는 발광부와, 상기 광 신호를 수광하는 수광부를 포함하되,
    상기 발광부와 상기 수광부는 상기 광 신호의 이동 경로가 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림 방향과 교차하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 감지 부재는 광 신호를 방출하는 발광부와, 상기 광 신호를 수광하는 수광부를 가지는 광 센서; 및 상기 광 센서의 상기 발광부가 방출하는 상기 광 신호를 상기 수광부로 반사하는 반사판을 포함하되,
    상기 광 센서와 상기 반사판은 상기 광 신호의 이동 경로가 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 흘림 방향과 교차하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 노즐로부터 기판의 상면에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하고,
    상기 노즐 내의 상기 처리액이 상기 노즐의 선단으로부터 후퇴하도록 상기 노즐 내의 상기 처리액을 석백하고,
    공정 진행을 위해 상기 노즐이 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트로 상기 노즐을 이동시키고,
    상기 노즐이 상기 대기 포트에서 대기하는 동안, 상기 노즐의 선단으로부터 후퇴된 상기 처리액의 상기 노즐로부터의 흘림을 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 노즐의 상기 대기 포트에서의 대기 시간 중, 후속 처리될 기판에 탈이온수를 공급하는 프리-디스펜스(Pre-dispense) 시간을 제외한 나머지 시간에 상기 처리액의 상기 노즐로부터의 흘림을 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020080105797A 2008-10-28 2008-10-28 기판 처리 장치 및 방법 KR20100046784A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080105797A KR20100046784A (ko) 2008-10-28 2008-10-28 기판 처리 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080105797A KR20100046784A (ko) 2008-10-28 2008-10-28 기판 처리 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100046784A true KR20100046784A (ko) 2010-05-07

Family

ID=42273988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080105797A KR20100046784A (ko) 2008-10-28 2008-10-28 기판 처리 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100046784A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180080432A (ko) * 2017-01-04 2018-07-12 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190100368A (ko) * 2017-02-27 2019-08-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180080432A (ko) * 2017-01-04 2018-07-12 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190100368A (ko) * 2017-02-27 2019-08-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100267618B1 (ko) 처리장치 및 처리방법
KR20140084735A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TWI397118B (zh) 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
KR102297377B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102128183B1 (ko) 막처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20090064430A (ko) 기판 세정 방법
KR101065627B1 (ko) 스핀 코터
KR100924930B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20100046784A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220038033A (ko) 기판 처리 장치
KR101034507B1 (ko) 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JP2004507102A (ja) 半導体ウェハコンテナ洗浄装置
JP2009224692A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20230268201A1 (en) Device for etching the periphery edge of a substrate comprising substrate sensing unit
KR101080865B1 (ko) 기판 처리 방법
KR101015229B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이용한 기판 처리 장치
KR20110007868A (ko) 기판 표면을 선택적으로 에칭하기 위한 기판 처리 장치 및 방법
JP2012173510A (ja) 有機現像処理方法及び有機現像処理装置
KR20070092530A (ko) 매엽식 기판처리장치
KR101460272B1 (ko) 노즐 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102284908B1 (ko) 프리 디스펜스 유닛 및 기판 처리 장치
KR101018016B1 (ko) 기판 지지 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JPH09167751A (ja) 回転式基板処理装置
KR102450031B1 (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP7340634B2 (ja) 基板処理方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application