KR20100039119A - 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법 - Google Patents

포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레지스트 박리 폐액 재생방법에 관한 것으로, 특히, 반도체 또는 액정 디스플레이 제조시 포토레지스트를 제거한 후 발생한 폐액으로부터 유기용제를 회수하는 방법에 있어서, 상기 폐액을 150 mmHg 이하의 압력 하에서 40 내지 200 ℃로 가열하여 레지스트를 제거하는 제1 증류 단계, 및 상기 레지스트가 제거된 액체상을 100 mmHg 이하의 압력 하에서 60 내지 200 ℃로 분별증류하여 수분을 제거하는 제2 증류 단계를 포함하고, 상기 폐액으로부터 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매를 포함하는 혼합 유기용제를 회수하는 포토레지스트 박리 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 반도체 또는 액정 디스플레이 제조시 발생하는 폐액으로부터 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매의 열적 분해 현상을 방지하며 이들을 고순도로 포함하는 유기용제의 정제 회수에 우수한 효과를 얻을 수 있다.
Figure P1020080098345
폐액, 유기용제, 수용성 유기아민 화합물, 극성 비양자성 용매, 열적 분해 방지, 회수, 증류

Description

포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법{RECOVERY METHOD OF ORGANIC SOLVENT FROM PHOTORESIST WASTE}
본 발명은 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 및 TFT-LCD 등과 같은 액정 디스플레이장치 제조 공정에서 발생되는 포토레지스트 폐액에 포함된 각종 불순물을 제거하여 디스플레이 제조공정에 재사용이 가능하도록 하는 유기용제를 회수 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 대한민국 공개특허공보 제2007-0114037호 및 대한민국 공개특허공보 제2007-0073617호에 기재된 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 적용할 수 있다.
반도체 및 TFT-LCD등과 같은 디스플레이 장치 제조공정에서는 전자회로, 화소 등을 제작하기 위하여 리소그래피(Lithography)가 이용되고 있는데, 이러한 리소그래피는 기판상에 미세한 패턴을 생성하는데 사용되는 방법으로서, 감광성 물질인 포토레지스트가 도포되어 있는 기판에 원하는 패턴이 인쇄되어 있는 마스크를 통해 빛을 조사하여, 마스크의 회로 패턴을 기판으로 전사하는 공정이다.
이와 같은 리소그래피의 기본공정은 다음과 같다.
반도체 또는 디스플레이 장치 (TFT-LCD, PDP, OLED등)의 배선 형성공정에서 사용되는 금속막을 선택적으로 에칭하기 위해서 포토리소그래피(photo-lithography) 공정을 거치게 된다.
특히, 디스플레이 장치에서 일반적으로 포토리소그래피 공정을 세분화하게 되면 세정이 완료된 금속막을 가진 글라스를 스핀쿼터(spin coating Machine) 장치 내에서 글라스 이탈이 없도록 글라스 아래 부분에서 강하게 진공으로 고정한다. 통상적으로 회전속도가 2500~4500 rpm으로 회전하며, 큰 사이즈의 글라스일수록 원심력이 강하고 글라스 중심에 이탈이 생길 경우 글라스 파손 및 장비 파손까지 발생할 수 있다.
회전력이 가해진 글라스 위에 포토레지스트(Photoresist) 일정량을 떨어뜨리게 되면 액체는 원심력에 의해서 중심 부위에서 외부로 흐르게 되고 금속막 위에 일정한 두께로 코팅이 이루어진다.
기판상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고 이를 소프트-베이킹(soft baking)하여 감광제 용매를 제거함으로써 균일하고 건조한 포토레지스트 피막을 만든 후 특정파장의 빛을 회로가 새겨진 마스크를 통과시켜 기판상의 포토레지스트 피막에 조사하게 되면 마스크의 회로패턴 형태에 따라 포토레지스트 피막은 빛을 받은 부분과 받지 못한 부분으로 나누어지게 되는데, 이때 빛을 받은 부분은 포토레지스트의 감광작용에 의하여 화학적 변형을 일으키게 되고, 빛을 받지 못한 부분과 다른 성질을 지니게 됨 으로서 현상공정에서 패턴이 형성되게 된다.
패턴형성공정 이후 에칭공정을 거쳐 금속배선을 형성하고 난 후 박리 액(Stripper)을 사용하여 포토레지스트 피막을 제거하는 공정을 거치게 되면 완성된 금속 배선을 구현할 수 있다. 포토레지스트 피막을 제거하는데 사용된 박리액(Stripper)는 초기 약액 성분과 다른 미량의 금속 성분과 수분 그리고 레지스트 성분을 포함하게 된다.
종래에는 상기와 같이 불순물로 오염된 폐액을 재생하여 사용하지 못하고, 소각처리하여 폐기하는 방법이 사용되었으나, 공정 효율화 및 원가 절감 등을 위하여, 불순물이 함유되어 있는 폐액을 재생하여 포토레지스트 제거 공정에 재투입할 수 있는 기술의 개발이 요구되고 있다.
폐액으로부터 원하는 유기용제를 회수하기 위해서는 포토레지스트 성분의 분리제거가 필요한데 여기서, 포토레지스트는 주성분이 고분자물질과 그 외의 첨가제로 구성되어 있고, 이들은 유기용제에 용해되어 있거나 분산되어 있는 고체성 물질이다. 따라서, 불순물이 함유되어 있는 폐액으로부터 유기용제를 회수하기 위해서는, 상기의 고체성 포토레지스트와 액상의 유기용제를 분리하는 기술이 필요하다.
특히, 유기용제를 회수할 때 포토레지스트 성분 뿐만 아니라, 유기용제에서 금속 이온 성분 또한 제거되어야 한다. 유기용제에 포함된 금속이온성분은 유기용제를 반도체 및 디스플레이장치 제조공정에 재사용할 때, 미세한 회로기판을 오염시켜 전기적 단락 등의 문제를 일으킬 수 있기 때문이다.
더욱이, 일반적인 공업용 유기용제는 그 내부에 매우 미세한 입자를 포함하고 있는데, 이러한 미세입자는 전자산업에 사용될 때, 유기용제중의 미세입자가 전자회로에 잔류하여 큰 불량을 유발할 수 있어 폐액 재생 시 이에 대한 관리가 필요 하다. 이러한 미세입자는 주로 무기물형태의 것 또는 해당 유기용제에 용해되지 않는 유기물형태의 것 등이 있는 것으로 추정되나 그 종류에 불문하고 매우 낮은 수준으로 제거가 되어야 한다.
따라서, 폐액에 함유된 수분, 포토레지스트, 금속이온 및 미세입자를 효과적으로 제거하고 공정에 재투입할 수 있는 정도로 고순도의 유기용제를 회수하는 공정 개발에 대한 연구가 필요하다.
본 발명은 반도체 또는 액정 디스플레이 제조 공정에서 발생되는 폐액으로부터 포토레지스트, 금속이온, 및 미세입자를 효과적으로 제거하고 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매를 포함하는 혼합 유기용제를 고순도로 회수하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 반도체 또는 액정 디스플레이 제조시, 포토레지스트를 제거한 후 발생한 폐액으로부터 유기용제를 회수하는 방법에 있어서, 상기 폐액을 150 mmHg이하의 압력 하에서 40 내지 200 ℃로 가열하여 레지스트를 제거하는 제1 증류 단계, 및 상기 레지스트가 제거된 액체상을 100 mmHg 이하의 압력 하에서 60 내지 200 ℃로 분별증류하여 수분을 제거하는 제2 증류 단계를 포함하고, 상기 폐액으로부터 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매를 포함하는 혼합 유기용제를 회수하는 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명은 반도체 또는 액정 디스플레이 제조시 포토레지스트를 제거하는 데 사용되는 박리액(Stripper)의 폐액으로부터 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매를 포함하는 혼합 유기용제를 열적 분해 현상 없이 고순도로 회수함과 동시에, 박리 폐액에 함유된 기타 불순물 즉, 포토레지스트, 금속이온 및 미세입자 등을 효과적으로 제거할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
특히, 본 발명은 박리 폐액에 있어서, 고비점인 극성 비양자성 용매와 함께 고온에서 분해 가능성이 높은 수용성 유기아민 화합물을 포함하는 혼합 유기용제를 부생성물 생성을 방지하며 고순도로 회수 방법을 제공한다. 이러한 본 발명은 대한민국 공개특허공보 제2007-0114037호 및 대한민국 공개특허공보 제2007-0073617호에 기재된 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 사용한 포토레지스트 폐액에 특히 효과적으로 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 폐유기용제 박리액에 있어서, 상기 수용성 유기아민 화합물의 함량은 1~10 중량%, 극성 비양자성 용매의 함량은 20~95 중량% 및 부식방지제의 함량은 0~5 중량% 레지스트 고형분의 함량은 5~15 중량% 및 수분의 함량은 0~50 중량%인 것이 사용가능하다.
본 발명에서 수용성 유기아민 화합물은 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올 아민(DEA), 트리에탄올 아민(TEA), 및 히드록시에틸피페라진(HEP)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 될 수 있다.
상기 극성 비양자성 용매는 N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF), 및 테트라메틸렌설폰으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 될 수 있다.
상기 부식방지제는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 표시되는 화 합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 될 수 있으며,
[화학식 1]
Figure 112008070042072-PAT00001
[화학식 2]
Figure 112008070042072-PAT00002
[화학식 3]
Figure 112008070042072-PAT00003
식 중,
R1, R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 히드록시기이고,
R3은 수소, t-부틸기, 카르복실기(-COOH), 메틸에스테르기(-COOCH3), 에틸에 스테르기(-COOC2H5) 또는 프로필에스테르기(-COOC3H7)이고,
R4은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
R5, R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 유기용제 회수 공정을 상세히 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 폐액으로부터 유기용제의 회수 공정은 상기 폐액을 저장하는 저장조(100)을 통하여 증류탑에 공급을 수행하고, 증류탑(103)에서 증류하는 것으로 이루어진다.
본 발명의 증류 공정은 좀더 상세하게는 제1 증류장치로서 저장조(100) 탱크에서 펌프 사용하여 가열탱크(102)에 공급할 수 있다. 또한, 이송펌프(101)는 가열탱크(102)에 원료를 공급하는 펌프로서 사용할 수 있다. 가열탱크(102)에서 증류탑(103)에 폐액을 공급한다. 또한, 회수된 유기용제 가스를 응축시키는 응축기(104) 및 수분이나 기타 불순물을 선택적으로 분리하기 위하여 제2 증류장치로서 가열탱크(105)와 응축기 (106)를 사용할 수도 있다. 이 같은 공정을 거쳐 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매를 포함하는 혼합액은 저장조(107)에 보관된다.
본 발명은 또한, 박리 폐액으로부터 레지스트를 제거하기 위한 제1 증류장치 및 상기 제1 증류장치로부터 레지스트가 제거된 액체상을 분별증류하여 수분 및 불순물을 제거하는 제2 증류장치를 포함하는 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수용 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 유기용제의 회수용 장치에 있어서, 상기 제1 증류장치는 박리폐액으로부터 레지스트를 제거하기 위한 가열장치와 증류장치에서 증발되는 유기용제의 증발온도를 저하시키기 위하여 상기 증류장치내의 압력을 낮추기 위한 감압펌프를 포함하며 제2 증류장치로 레지스트가 제거된 액체상의 혼합유기용제를 공급한다.
상기 제2 증류장치는 박리폐액으로부터 수분이나 기타 불순물을 선택적으로 제거하기 위한 증류장치로서 증발되는 유기용제의 증발온도를 저하시키기 위하여 상기 증류장치내의 압력을 낮추기 위한 감압펌프, 상기 분리장치에서 증발된 수분 및 유기용제를 응축시키기 위한 응축기와 상기 응축기에서 나온 수증기중의 유기용매 농도가 기준 농도보다 큰 경우 상기 분리장치로 되돌리기 위한 환류기를 포함하며, 수분과 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매의 유기 용제는 분리 배출된다.
제2 증류장치로부터 회수되는 유기용제의 구성은 수용성 유기아민 화합물의 함량은 2.5 중량% 이하, 극성 비양자성 용매의 함량은 97.4~99.9 중량% 및 상기 수분의 함량은 0.1 중량% 이하가 되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 제1 증류 공정은 150 mmHg 이하 압력 하에서 수행하고, 바람직하게는 120 mmHg 이하, 좀더 바람직하게는 100 mmHg 이하, 더욱 바람직하게는 85 mmHg 이하의 압력 하에서 수행할 수 있다. 상기 제1 증류 공정은 회수하고자 하는 유기용제에서 수용성 유기 아민 화합물 및 극성 비양자성 용매 등의 열분해 방지 측면에서 150 mmHg 이하의 압력 하에서 수행하며, 전체 공정 비용과 회수 성능의 효율 측면에서 85 mmHg 이하의 압력 하에서 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 증류 공정은 40 ℃ 이상의 온도 조건으로 수행하며, 상기 제1 증류 공정은 40 내지 200 ℃, 바람직하게는 60 내지 200 ℃, 좀더 바람직하게는 80 내지 180 ℃, 더욱 바람직하게는 100 내지 160 ℃의 온도 조건 하에서 수행할 수 있다. 폐액으로부터 레지스트 성분과 수분을 포함한 액체상의 유기용제 성분을 분리하는 회수 성능 측면에서 40 ℃ 이상에서 제1 증류 공정을 수행하며, 210 ℃ 이하로 온도를 조절하여 유기용제에서 수용성 유기아민 화합물의 열적 분해 현상을 방지할 수 있다.
본 발명에서 상기 제2 증류 공정은 100 mmHg 이하의 압력 하에서 수행하며, 바람직하게는 0.1 내지 50 mmHg, 좀더 바람직하게는 10 내지 30 mmHg, 더욱 바람직하게는 10 내지 20 mmHg의 압력 하에서 수행할 수 있다. 상기 제2 증류 공정은 회수하고자 하는 유기용제의 열분해 방지 측면에서 100 mmHg 이하의 압력 하에서 수행하는 것이 바람직하고, 전체 공정 비용과 회수 성능의 효율 측면에서 10 내지 20 mmHg 압력 하에서 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2 증류 공정은 60 ℃ 이상의 온도 조건으로 수행하며, 상기 제2 증류 공정은 60 내지 200 ℃, 바람직하게는 80 내지 180 ℃, 좀더 바람직하게는 100 내지 170 ℃, 더욱 바람직하게는 140 내지 165 ℃의 온도 조건 하에서 수행할 수 있다. 레지스트가 제거된 액체상의 유기용제 혼합 용액으로부터 수분을 포함한 기타 불순물들을 제거하기 위해서는 60 ℃ 이상에서 제 2 증류 공정을 수행하며, 유기용제에서 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매의 열적 분해 현상을 방지할 수 있도록 하는 측면에서 200 ℃ 이하에서 증류 공정을 수행하는 것이 바람직하다.
반도체 및 액정 디스플레이 등의 전자 산업에서 사용되는 유기용제의 경우, 다량의 미세입자를 함유하고 있는 유기용제를 사용하게 되면, 제품의 불량을 유발시켜 제품의 생산성이 크게 떨어지게 된다. 이러한 미세입자를 제거하기 위해서 분별증류 공정을 마친 혼합유기용매에 대해서 여과공정은 1.0 micron, 바람직하게는 0.2 내지 0.5 micron, 좀더 바람직하게는 0.1 micron 이하의 포어 크기(pore size)를 갖는 필터를 사용하여 미세입자를 제거한다.
상기와 같이 본 발명은 포토레지스트 제거용으로 사용된 폐액 내에 함유된 미세입자를 효율적으로 제거하고 고순도의 혼합 유기용제를 회수하는 방법을 제안함으로써, 본 발명에 따라 회수된 유기용제가 전자산업에도 효과적으로 이용되도록 할 수 있는 것이다.
특히, 본 발명은 상기 제2 증류 단계 이후에 회수된 유기용제는 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매의 함량이 유기용제 100 중량부에 대하여 95 중량부 이상 바람직하게는 99 중량부 이상, 더욱 바람직하게는 99.5 이상으로, 즉, 약 99.5 내지 99.9 중량부 정도로 포함하여 고순도로 정제하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 회수된 유기용제는 포토레지스트 고형분의 잔류함유량이 유기용제 100 중량부에 대하여 0 내지 0.01 중량부로 포함하는 것이 가능하다.
상기 제2 증류 단계 이후에 회수된 유기용제는 금속 성분의 잔류함유량이 각각의 금속성분당 0 내지 100 ppb로 포함하는 것이 가능하다.
본 발명에 있어서 상기 기재된 내용 이외의 사항은 필요에 따라 가감이 가능한 것이므로, 본 발명에서는 특별히 한정하지 아니한다.
본 발명은 반도체 또는 액정 디스플레이 제조 공정에서 발생되는 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매를 주요성분으로 하는 폐액에 있어서, 부반응 생성물이 발생하지 않도록 하여 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매 원료성분만의 조성을 유지하면서 보다 효과적으로 상기 폐액에 함유된 포토레지스트, 금속이온, 및 미세입자, 수분 등을 제거하여 보다 효율적으로 고순도의 혼합유기용제를 회수할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기용제 회수 공정의 이물질 제거 효율 및 고순도 정제 성능을 알아보기 위하여, 디스플레이 제조공정에 포토레지스트 제거용으로 사용된 폐 액을 대상으로 실험하였다. 여기서, 상기 폐액의 함유된 성분은 하기의 표 1에 나타낸 바와 같으며, 단위는 폐액 총량을 기준으로 한 중량부이다.
구분 조성비율
수분 3.0
유기용제 극성비양자성용매A 32.1
수용성유기아민 2.3
극성비양자성용매B 13.6
극성비양자성용매C 39.8
포토레지스트 함량 9.2
포토레지스트 종류 Posi-PR
실시예 1
상기 표 1에서의 박리폐액을 도 1에 나타낸 바와 같은 제1 증류장치(103)를 통하여 100 mmHg의 압력 하에서 200 ℃로 제1 증류 공정을 수행한 후의 잔류물의 구성은 아래의 표 2과 같으며, 단위는 중량부이다.
구분 조성비율
수분 0.5이하
유기용제 극성비양자성용매A 0.1이하
수용성유기아민 2.9
극성비양자성용매B 6.9
극성비양자성용매C 1.3
포토레지스트 함량 77.2
실시예 2
상기 표 1에서의 유기용제를 도 1에 나타낸 바와 같은 제2 증류장치(105)를 통하여 20 mmHg의 압력 하에서 160 ℃로 제2 증류 공정을 수행한 후 유기용제의 구성은 아래의 표 3과 같으며, 단위는 중량부이다.
구분 조성비율
수분 0.1이하
유기용제 극성비양자성용매A 37.1
수용성유기아민 0.3
극성비양자성용매B 14.8
극성비양자성용매C 45.9
포토레지스트 함량 -
실시예 3
상기 실시예 1에 기재된 바와 같이 제1 증류 공정을 수행한 후, 제1 증류장치의 상부를 통하여 배출 응축수의 구성은 아래의 표 4와 같으며, 단위는 중량부이다.
구분 조성비율
수분 95.1
유기용제 극성비양자성용매A 0.5이하
수용성유기아민 0.5이하
극성비양자성용매B 0.5이하
극성비양자성용매C 3.43
포토레지스트 함량 -
실시예 4
상기 표 4에서의 유기용제를 도 1에 나타낸 제2 증류장치(105)를 통하여 20 mmHg의 압력 하에서 160 ℃로 제2 증류 공정을 수행하여 수분이나 기타 불순물을 제거하는 순환증류를 통하여 배출된 최종 유기용제의 구성은 아래의 표 5와 같으며, 단위는 중량부이다.
구분 조성비율
수분 0.1이하
유기용제 극성비양자성용매A 37.3
수용성유기아민 0.1
극성비양자성용매B 16.7
극성비양자성용매C 45.9
포토레지스트 함량 -
실시예 5
상기 실시예 4에서 최종 회수된 유기용제를 대상으로, 함유된 금속 성분의 농도를 퍼킨 엘머(Perkin Elmer)사의 유도결합플라즈마 질량분석기(ICP-MS DRC Ⅱ)를 이용하여 측정하고, 측정 결과를 하기 표 6에 나타내었다.
분석항목 폐액내 농도 (ppb) 제2 증류후 농도 (ppb)
Na 10.8 0.05
Mg 4.9 0.04
Al 86.7 0.04
K 5.4 0.3
Ca 25.1 0.1
Cr 4.3 0.01
Mn 0.33 0.1
Fe 11.7 0.2
Ni 1.4 0.1
Cu 454.6 0.1
Zn 25.9 0.2
Pb 10.4 0.01
Sn 2.3 0.01
상기 표 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 최종 회수된 유기용제는 금속 이온의 농도가 현저히 저하되어 효과적으로 제거되는 것을 알 수 있으며, 반도체 및 디스플레이 제조 공정에 재사용하기에 충분한 고순도의 정제 성능을 갖는 것임을 알 수 있다.
본 발명은 반도체 또는 액정 디스플레이 제조 공정에서 발생되는 폐액으로부터 포토레지스트, 금속이온, 및 미세입자를 효과적으로 제거하고 고순도의 유기용제를 효율적으로 회수할 수 있으며, 이렇게 회수된 유기용제를 반도체 및 디스플레이 제조 공정에 재사용할 수 있어 공정 효율 향상 및 공정 비용 절감 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기용제의 회수 공정 장치의 일례를 간략히 도시한 구성도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 저장조 탱크 101: 이송펌프
102, 105: 가열탱크 103: 증류탑
104, 106: 응축기 107: 저장조

Claims (6)

  1. 반도체 또는 액정 디스플레이 제조시, 포토레지스트를 제거한 후 발생한 폐액으로부터 유기용제를 회수하는 방법에 있어서,
    상기 폐액을 150 mmHg 이하의 압력 하에서 40 내지 200 ℃로 가열하여 레지스트를 제거하는 제1 증류 단계, 및
    상기 레지스트가 제거된 액체상을 100 mmHg 이하의 압력 하에서 60 내지 200 ℃로 분별증류하여 수분을 제거하는 제2 증류 단계
    를 포함하고,
    상기 폐액으로부터 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매를 포함하는 혼합 유기용제를 회수하는 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수용성 유기아민 화합물은 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올 아민(DEA), 트리에탄올 아민(TEA), 및 히드록시에틸피페라진(HEP)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 극성 비양자성 용매는 N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF), 및 테트라메틸렌설폰으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 증류 단계 이후에 회수된 유기용제는 수용성 유기아민 화합물 및 극성 비양자성 용매의 함량이 유기용제 100 중량부에 대하여 95 중량부 이상인 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 증류 단계 이후에 회수된 유기용제는 포토레지스트 고형분의 잔류함유량이 유기용제 100 중량부에 대하여 0 내지 0.01 중량부가 되는 것인 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 증류 단계 이후에 회수된 유기용제는 금속 성분의 잔류함유량이 각각의 금속성분당 0 내지 100 ppb가 되는 것인 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법.
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