KR20100032358A - 광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
이형성 및 기계적 강도가 우수한 경화물을 얻을 수 있는 광경화성 조성물, 및 몰드의 반전 패턴이 정밀하게 전사된 미세 패턴을 표면에 갖는, 내구성이 우수한 성형체를 제조할 수 있는 방법을 제공한다.
고리를 2 개 이상 갖는 방향족 화합물 또는 고리를 2 개 이상 갖는 지환식 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 갖는 화합물 (A) 의 15 ∼ 60 질량% 와, 불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 2 중 결합을 1 개 이상 갖는 화합물 (B) (단 화합물 (A) 를 제외한다) 의 5 ∼ 40 질량% 와, (메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 화합물 (C) (단 화합물 (B) 를 제외한다) 의 10 ∼ 55 질량% 과, 광중합 개시제 (D) 의 1 ∼ 12 질량% 를 함유하는 (단 (A)+(B)+(C)+(D) = 100 질량% 이다) 광경화성 조성물 (20) 을 사용한다.
Description
본 발명은 광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법에 관한 것이다.
광학 부재, 기록 미디어, 반도체 장치 등의 제조에 있어서 미세 패턴을 단시간에 형성하는 방법으로서, 그 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를 기판 표면에 배치된 광경화성 조성물에 가압하고, 그 광경화성 조성물에 광을 조사하여 그 광경화성 조성물을 경화시켜, 기판 표면에 미세 패턴을 형성하는 방법 (나노 임프린트법) 이 알려져 있다 (특허 문헌 1, 2 참조).
그러나, 그 방법에 있어서는, 광경화성 조성물의 경화물이 몰드에 밀착되기 때문에 경화물과 몰드를 분리하기 어렵다. 그 때문에 몰드의 표면에 이형제를 도포할 필요가 있다. 그러나, 이형제 자체의 막두께, 이형제의 도포 불균일 등에 의해, 몰드의 반전 패턴을 정밀하게 전사 (轉寫) 하는 것은 곤란해진다.
이형성이 양호한 경화물을 형성할 수 있는 광경화성 조성물로서는, 하기의 것이 제안되어 있다.
(1) 함불소 모노머와, 불소를 함유하지 않는 모노머와, 함불소 계면활성제 또는 함불소 폴리머와, 중합 개시제를 함유하는 광경화성 조성물 (특허 문헌 3).
그러나, (1) 의 광경화성 조성물의 경화물은, 함불소 모노머와 함불소 계면활성제 또는 함불소 폴리머를 함유하기 때문에 기계적 강도가 낮다. 나노미터 오더의 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 경우에는, 패턴 형상을 유지할 수 있는 내구성이 필요해진다. 그 때문에 기계적 강도가 높은 경화물을 얻을 수 있는 광경화성 조성물이 요구되고 있다. 또, 반도체 장치의 제조에 있어서도, 레지스트의 높은 드라이 에칭 내성이 요구되고 있음과 함께, 특히 나노 레벨의 미세 패턴에서는 패턴 형상을 유지하기 위해 기계적 강도가 높은 경화물을 얻을 수 있는 광경화성 조성물이 요구되고 있다.
특허 문헌 1 : 미국 특허 제6696220호 명세서
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 2004-071934호
특허 문헌 3 : 국제 공개 제2006/114958호 팜플렛
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은 이형성 및 기계적 강도가 우수한 경화물을 얻을 수 있는 광경화성 조성물, 및 몰드의 반전 패턴이 정밀하게 전사된 미세 패턴을 표면에 갖는, 내구성이 우수한 성형체를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명의 광경화성 조성물은, 고리를 2 개 이상 갖는 방향족 화합물 또는 고리를 2 개 이상 갖는 지환식 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 갖는 화합물 (A) 와, 불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 2 중 결합을 1 개 이상 갖는 화합물 (B) (단, 화합물 (A) 를 제외한다) 와, (메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 화합물 (C) (단, 화합물 (B) 를 제외한다) 와, 광중합 개시제 (D) 를 함유하고, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량%) 중, 화합물 (A) 가 15 ∼ 60 질량% 이고, 화합물 (B) 가 5 ∼ 40 질량% 이고, 화합물 (C) 가 10 ∼ 55 질량% 이고, 광중합 개시제 (D) 가 1 ∼ 12 질량% 인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광경화성 조성물은 실질적으로 용제를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 30 질량부의, (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 갖는 화합물 (E) (단, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 를 제외한다) 를 추가로 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 90 질량부의, (메트)아크릴로일옥시기를 3 개 이상 갖는 화합물 (F) (단, 화합물 (B) 를 제외한다) 를 추가로 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 광경화성 조성물은 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 3 질량부의 함불소 계면활성제 (G) 를 추가로 함유하고, 또한 함불소 계면활성제 (G) 의 총량에 대한 화합물 (B) 의 양이, 0.5 ∼ 100 배 질량인 것이 바람직하다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 25 질량부의 함불소 폴리머 (H) 를 추가로 함유하고, 또한 함불소 폴리머 (H) 의 총량에 대한 화합물 (B) 의 양이, 0.5 ∼ 100 배 질량인 것이 바람직하다.
본 발명의 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 본 발명의 광경화성 조성물을, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 접촉시키는 공정과, 상기 몰드의 표면에 상기 광경화성 조성물을 접촉시킨 상태로, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과, 상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 본 발명의 광경화성 조성물을, 기판 표면에 배치하는 공정과, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 그 몰드의 반전 패턴이 상기 광경화성 조성물에 접하도록, 상기 광경화성 조성물에 가압하는 공정과, 상기 몰드를 상기 광경화성 조성물에 가압한 상태로, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과, 상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 본 발명의 광경화성 조성물을, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 배치하는 공정과, 기판을, 상기 광경화성 조성물에 가압하는 공정과, 상기 기판을 상기 광경화성 조성물에 가압한 상태로, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과, 상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 기판과, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 그 몰드의 반전 패턴이 상기 기판측이 되도록 접근 또는 접촉시키는 공정과, 본 발명의 광경화성 조성물을, 상기 기판과 상기 몰드 사이에 충전하는 공정과, 상기 기판과 상기 몰드가 접근 또는 접촉된 상태로, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과, 상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
발명의 효과
본 발명의 광경화성 조성물에 의하면, 이형성 및 기계적 강도가 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
본 발명의 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법에 의하면, 몰드의 반전 패턴이 정밀하게 전사된 미세 패턴을 표면에 갖는, 내구성이 우수한 성형체를 제조할 수 있다.
도 1 은 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2 는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 3 은 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4 는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 다른 예를 나타내는 단면도이다. 부호의 설명
10 몰드
12 반전 패턴
20 광경화성 조성물
30 기판
40 성형체
42 경화물
44 미세 패턴
발명을 실시하기
위한 최선의 형태
본 명세서에 있어서는, 식 (A1) 로 나타내는 화합물을 화합물 (A1) 이라고 기재한다. 다른 식으로 나타내는 화합물도 동일하게 기재한다. 또, 본 명세서에 있어서는, (메트)아크릴로일옥시기는, 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 의미한다. 또, 본 명세서에 있어서는, (메트)아크릴레이트는, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.
<광경화성 조성물>
본 발명의 광경화성 조성물은 화합물 (A) ∼ (C), 및 광중합 개시제 (D) 를 함유하고, 필요에 따라 화합물 (E), 화합물 (F), 함불소 계면활성제 (G), 함불소 폴리머 (H), 다른 첨가제를 추가로 함유하는 조성물이다.
화합물 (A) : 고리를 2 개 이상 갖는 방향족 화합물 또는 고리를 2 개 이상 갖는 지환식 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 갖는 화합물.
화합물 (B) : 불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 2 중 결합을 1 개 이상 갖는 화합물 (단, 화합물 (A) 를 제외한다).
화합물 (C) : (메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 화합물 (단, 화합물 (B) 를 제외한다).
화합물 (E) : (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 갖는 화합물 (단, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 를 제외한다).
화합물 (F) : (메트)아크릴로일옥시기를 3 개 이상 갖는 화합물 (단, 화합물 (B) 를 제외한다).
본 발명의 광경화성 조성물의 25 ℃ 에 있어서의 점도는, 0.1 ∼ 300 mPa·s 가 바람직하고, 1 ∼ 200 mPa·s 가 특히 바람직하다. 광경화성 조성물의 점도가 그 범위이면, 특별한 조작 (예를 들어, 광경화성 조성물을 고온으로 가열하여 저점도로 하는 조작 등) 을 실시하지 않고, 광경화성 조성물과, 몰드의 반전 패턴을 갖는 표면과의 접촉을 용이하게 실시할 수 있다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 실질적으로 용제를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 광경화성 조성물이 실질적으로 용제를 함유하지 않으면, 광의 조사를 제외한 특별한 조작 (예를 들어, 광경화성 조성물을 고온으로 가열하여 용매를 제거 하는 조작 등) 을 실시하지 않고, 광경화성 조성물의 경화를 용이하게 실시할 수 있다.
용제란, 화합물 (A) ∼ (C), 광중합 개시제 (D), 화합물 (E), 화합물 (F), 함불소 계면활성제 (G), 함불소 폴리머 (H), 및 다른 첨가제를 제외한 화합물이고, 또한 화합물 (A) ∼ (C), 광중합 개시제 (D), 화합물 (E), 화합물 (F), 함불소 계면활성제 (G), 함불소 폴리머 (H), 및 다른 첨가제 중 어떠한 것을 용해시키는 능력을 갖는 화합물이다.
실질적으로 용제를 함유하지 않는다는 것은, 용제를 전혀 함유하지 않거나, 또는, 광경화성 조성물 (100 질량%) 중, 바람직하게는 1 질량% 이하, 특히 0.7 질량% 이하의 용제 밖에 함유하지 않는 경우를 의미한다. 특히, 본 발명에서는, 광경화성 조성물을 조제할 때에 사용한 용제를 잔존 용제로서 함유하고 있어도 되지만, 이 경우에도, 잔존 용제는, 최대한 제거되어 있는 것이 바람직하고, 광경화성 조성물 (100 질량%) 중, 1 질량% 이하인 것이 바람직하다.
(화합물 (A))
고리를 2 개 이상 갖는 방향족 화합물이란, 벤젠 고리를 2 이상 갖는 화합물이고, 2 개 이상의 벤젠 고리는, 축합 고리 (나프탈렌 고리, 안트라센 고리 등) 를 형성하고 있어도 된다. 방향족 화합물로서는, 비스페놀 골격을 갖는 화합물, 나프탈렌 골격을 갖는 화합물, 플루오렌 골격을 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
고리를 2 개 이상 갖는 지환식 화합물이란, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소 고리를 2 이상 갖는 화합물이고, 1 개의 고리 내에 브리지를 형성한 다환계 화합물이어도 된다. 다환계 화합물로서는, 아다만탄 골격을 함유하는 트리시클로데칸 골격을 갖는 화합물, 데칼린 골격을 갖는 화합물, 노르보르넨 골격을 갖는 화합물, 이소보르닐 골격을 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
화합물 (A) 로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트(에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 프로폭시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 프로폭시화 에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A 글리세롤레이트디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A 프로폭실레이트글리세롤레이트디(메트)아크릴레이트 등), 에톡시화 비스페놀 F 디(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 플루오렌디(메트)아크릴레이트 등.
화합물 (A) 로서는, 상용성 면에서 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트(에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 프로폭시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 프로폭시화 에톡시화 비스 페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A 글리세롤레이트디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A 프로폭실레이트글리세롤레이트디(메트)아크릴레이트 등), 에톡시화 비스페놀 F 디(메트)아크릴레이트가 특히 바람직하다.
화합물 (A) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (A) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량%) 중, 15 ∼ 60 질량% 이고, 20 ∼ 45 질량% 가 바람직하다. 화합물 (A) 의 함유량이 15 질량% 이상이면, 기계적 강도가 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 화합물 (A) 의 함유량이 60 질량% 이하이면, 경화물이 약해지는 경우는 없다.
(화합물 (B))
화합물 (B) 로서는, 플루오로(메트)아크릴레이트류, 플루오로디엔류, 플루오로비닐에테르류, 플루오로 고리형 모노머류 등을 들 수 있고, 상용성 면에서 플루오로(메트)아크릴레이트류 또는 플루오로디엔류가 바람직하다.
플루오로(메트)아크릴레이트류로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
3-(퍼플루오로-3-메틸부틸)-2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸(메트)아크릴레이트,
플루오로(메트)아크릴레이트류로서는, 상용성 및 환경 특성 면에서 화합물 (B1) 이 바람직하다.
[화학식 1]
단, R1 은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2 및 R3 은, 각각 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5 는, 각각 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 퍼플루오로알콕시기를 나타내고, R6 은, 수소 원자 또는 불소 원자를 나타내고, m 은, 1 ∼ 4 의 정수를 나타내고, n 은, 1 ∼ 16 의 정수를 나타낸다. n 은, 상용성 면에서 1 ∼ 10 의 정수가 바람직하고, 환경 특성 면에서 3 ∼ 6 의 정수가 보다 바람직하다.
플루오로디엔으로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
플루오로비닐에테르류로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
CF2=CFO(CF2)3F,
CF2=CFO(CF2)3COOCH3 등,
플루오로 고리형 모노머류로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
[화학식 2]
화합물 (B) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (B) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량%) 중, 5 ∼ 40 질량% 이고, 15 ∼ 35 질량% 가 바람직하다. 화합물 (B) 의 함유량이 5 질량% 이상이면, 이형성이 우수한 경화물을 얻을 수 있고, 또한 광경화성 조성물의 기포 발생이 억제된다. 광경화성 조성물의 기포 발생을 억제할 수 있기 때문에, 조제시에 여과가 용이해지고, 또한 나노 임프린트할 때에 기포의 혼입에 의한 패턴 형상의 결함을 없앨 수 있다. 화합물 (B) 의 함유량이 40 질량% 이하이면, 균일하게 혼합할 수 있다는 점에서 기계적 강도의 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
(화합물 (C))
화합물 (C) 는, 다른 성분을 용해시키는 성분이고, 또한 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 상용성을 향상시키는 성분이다. 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 상용성이 양호하면, 광경화성 조성물의 조제시의 기포 발생이 억제되어, 필터를 통과하기 쉬워지는 등, 광경화성 조성물의 조제가 용이해지고, 또, 균일한 광경화성 조성물이 얻어진다. 또한 균질한 경화물이 얻어짐으로써, 이형성, 기계적 강도를 충분히 발휘할 수 있다. 화합물 (C) 의 25 ℃ 에 있어서의 점도는, 0.1 ∼ 200 mPa·s 가 바람직하다. 화합물 (C) 의 점도가 그 범위이면, 광경화성 조성물의 점도를 낮게 조정하기 쉽다.
화합물 (C) 로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 베헤닐(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸숙신산, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 3-(트리메톡시실릴)프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 알릴(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, N,N-디에틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메 트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시-1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, β-카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 2-(tert-부틸아미노)에틸(메트)아크릴레이트, 1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 4-tert-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트 등.
화합물 (C) 는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (C) 의 함유량은 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량%) 중, 10 ∼ 55 질량% 이고, 15 ∼ 45 질량% 가 바람직하다. 화합물 (C) 의 함유량이 10 질량% 이상이면, 광경화성 조성물의 점도를 낮게 조정할 수 있고, 또한 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 상용성이 양호해진다. 화합물 (C) 의 함유량이 55 질량% 이하이면, 감도가 양호해지고, 가교 밀도도 상승된다는 점에서, 기계 강도가 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
(광중합 개시제 (D))
광중합 개시제 (D) 로서는, 아세토페논계 광중합 개시제, 벤조인계 광중합 개시제, 벤조페논계 광중합 개시제, 티옥산톤계 광중합 개시제, -아미노케톤계 광중합 개시제, -히드록시케톤계 광중합 개시제, -아실옥심에스테르, 벤질-(o- 에톡시카르보닐)--모노옥심, 아실포스핀옥사이드, 글리옥시에스테르, 3-케토쿠마린, 2-에틸안트라퀴논, 캠퍼퀴논, 테트라메틸티우람술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시피발레이트 등을 들 수 있고, 감도 및 상용성 면에서 아세토페논계 광중합 개시제, 벤조인계 광중합 개시제, -아미노케톤계 광중합 개시제 또는 벤조페논계 광중합 개시제가 바람직하다.
아세토페논계 광중합 개시제로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
아세토페논, p-(tert-부틸) 1',1',1'-트리클로로아세토페논, 클로로아세토페논, 2',2'-디에톡시아세토페논, 히드록시아세토페논, 2,2-디메톡시-2'-페닐아세토페논, 2-아미노아세토페논, 디알킬아미노아세토페논 등.
벤조인계 광중합 개시제로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 벤질디메틸케탈 등.
2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1,2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모리폴리노프로판-1-온 등.
벤조페논계 광중합 개시제로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
벤조페논, 벤조일벤조산, 벤조일벤조산메틸, 메틸-o-벤조일벤조에이트, 4-페 닐벤조페논, 히드록시벤조페논, 히드록시프로필벤조페논, 아크릴벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 등.
광중합 개시제 (D) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
광중합 개시제 (D) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량%) 중, 1 ∼ 12 질량% 이고, 4 ∼ 10 질량% 가 바람직하다. 광중합 개시제 (D) 의 함유량이 1 질량% 이상이면, 가열 등의 조작을 실시하지 않고, 용이하게 경화물을 얻을 수 있다. 광중합 개시제 (D) 의 함유량이 12 질량% 이하이면, 균일하게 혼합할 수 있다는 점에서, 경화물에 잔존하는 광중합 개시제 (D) 가 적어져, 경화물의 물성의 저하가 억제된다.
(화합물 (E))
화합물 (E) 는 다른 성분을 용해시키는 성분이고, 또한 경화물의 기계적 강도를 향상시키는 성분이다. 화합물 (E) 가 글리콜계 화합물인 경우, 경화물의 유연성이 더욱 향상된다.
화합물 (E) 로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,3-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 글리세롤 1,3-디글리세롤레이트디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올에톡실레이트디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올프로폭실레이트(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 3-히드록시-2,2-디메틸프로피오네이트디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜프로폭실레이트디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜글리세롤레이트디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜글리세롤레이트디(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-아크릴로일옥시프로필(메트)아크릴레이트, 2-메틸-1,3-프로판디올디아크릴레이트, 트리메틸올프로판벤조에이트디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트모노스테아르산, 트리메틸올프로판에톡실레이트메틸에테르디(메트)아크릴레이트, 디우레탄디(메트)아크릴레이트, 1,3-비스(3-메타크릴로일옥시프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 등.
화합물 (E) 는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (E) 의 함유량은 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 30 질량부가 바람직하고, 10 ∼ 25 질량부가 보다 바람직하다. 화합물 (E) 의 함유량이 5 질량부 이상이면, 광경화성 조성물의 감도가 향상된다. 화합물 (E) 의 함유량이 30 질량부 이하이면, 각 성분의 상용성이 양호해진다.
(화합물 (F))
화합물 (F) 는 경화물의 기계적 강도 (경도) 를 향상시키는 성분이다.
화합물 (F) 로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
트리(메트)아크릴레이트 : 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판에톡시트리(메트)아크릴레이트, 폴리에테르트리(메트)아크릴레이트, 글리세린프로폭시트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 에톡시화 이소시아눌산 트리아크릴레이트, 에톡시화 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 프로폭시화 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 등.
테트라(메트)아크릴레이트 : 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨에톡시테트라(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 프로폭시화 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트 등.
디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 방향족 우레탄트리(메트)아크릴레이트, 방향족 우레탄테트라(메트)아크릴레이트, 방향족 우레탄헥사(메트)아크릴레이트 등.
화합물 (F) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (F) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 90 질량부가 바람직하고, 10 ∼ 80 질량부가 보다 바람직하다. 화합물 (F) 의 함유량이 5 질량부 이상이면, 경화물의 기계적 강도가 향상된다. 화합물 (F) 의 함유량이 90 질량부 이하이면, 광경화성 조성물의 점도를 낮게 억제할 수 있다.
화합물 (E) 및 화합물 (F) 의 합계는, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 110 질량부가 바람직하고, 10 ∼ 65 질량부가 보다 바람직하다.
(함불소 계면활성제 (G))
함불소 계면활성제 (G) 는, 경화물의 이형성을 향상시키는 성분이다.
함불소 계면활성제 (G) 로서는, 불소 함유량이 10 ∼ 70 질량% 인 함불소 계면활성제가 바람직하고, 불소 함유량이 10 ∼ 40 질량% 인 함불소 계면활성제가 보다 바람직하다. 함불소 계면활성제는, 수용성이어도 되고, 지용성이어도 된다.
함불소 계면활성제 (G) 로서는, 아니온성 함불소 계면활성제, 카티온성 함불소 계면활성제, 양쪽성 함불소 계면활성제, 또는 노니온성 함불소 계면활성제가 바람직하고, 광경화성 조성물에 있어서의 상용성, 및 경화물에 있어서의 분산성 면에서 노니온성 함불소 계면활성제가 보다 바람직하다.
아니온성 함불소 계면활성제로서는, 폴리플루오로알킬카르복실산염, 폴리플루오로알킬인산에스테르, 또는 폴리플루오로알킬술폰산염이 바람직하다.
아니온성 함불소 계면활성제의 구체예로서는, 사프론 S-111 (상품명, 세이미 케미컬사 제조), 플로라드 FC-143 (상품명, 스리엠사 제조), 메가파크 F-120 (상품명, 다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조) 등을 들 수 있다.
카티온성 함불소 계면활성제로서는, 폴리플루오로알킬카르복실산의 트리메틸암모늄염, 또는 폴리플루오로알킬술폰산아미드의 트리메틸암모늄염이 바람직하다.
카티온성 함불소 계면활성제의 구체예로서는, 사프론 S-121 (상품명, 세이미 케미컬사 제조), 플로라드 FC-134 (상품명, 스리엠사 제조), 메가파크 F-150 (상품명, 다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조) 등을 들 수 있다.
양쪽성 함불소 계면활성제로서는, 폴리플루오로알킬베타인이 바람직하다.
양쪽성 함불소 계면활성제의 구체예로서는, 사프론 S-132 (상품명, 세이미 케미컬사 제조), 플로라드 FX-172 (상품명, 스리엠사 제조), 메가파크 F-120 (상품명, 다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조) 등을 들 수 있다.
노니온성 함불소 계면활성제로서는, 폴리플루오로알킬아민옥사이드, 또는 폴리플루오로알킬·알킬렌옥사이드 부가물이 바람직하다.
노니온성 함불소 계면활성제의 구체예로서는, 사프론 S-145 (상품명, 세이미 케미컬사 제조), 사프론 S-393 (상품명, 세이미 케미컬사 제조), 사프론 KH-20 (상품명, 세이미 케미컬사 제조), 사프론 KH-40 (상품명, 세이미 케미컬사 제조), 플로라드 FC-170 (상품명, 스리엠사 제조), 플로라드 FC-430 (상품명, 스리엠사 제조), 메가파크 F-141 (상품명, 다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조) 등을 들 수 있다.
함불소 계면활성제 (G) 는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
함불소 계면활성제 (G) 의 함유량은 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 3 질량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 1 질량부가 보다 바람직하다. 함불소 계면활성제 (G) 의 함유량이 0.1 질량부 이상이면, 이형성이 향상된다. 함불소 계면활성제 (G) 의 함유량이 3 질량 부 이하이면, 광경화성 조성물 경화의 저해가 억제되고, 또, 경화물의 상분리가 억제된다.
함불소 계면활성제 (G) 의 총량에 대한 화합물 (B) 의 양은, 0.5 ∼ 100 배 질량이 바람직하고, 특히 10 ∼ 75 배 질량이 바람직하다. 화합물 (B) 의 양이 그 범위이면, 화합물 (B) 및 함불소 계면활성제 (G) 의 이형성을 상승 (相乘) 효과적으로 이끌어 낼 수 있다. 화합물 (B) 의 양이 0.5 배 질량 미만에서는, 균일하게 상용 (相溶) 되지 않게 되어, 기포가 발생한다. 화합물 (B) 의 양이 100 배 질량을 초과하면, 함불소 계면활성제 (G) 의 이형성의 효과가 발현되지 않게 된다.
(함불소 폴리머 (H))
함불소 폴리머 (H) 는 광경화성 조성물의 점도를 조정하는 성분이다.
함불소 폴리머 (H) 의 질량 평균 분자량은 500 ∼ 2000000 이 바람직하고, 1000 ∼ 1000000 이 보다 바람직하며, 3000 ∼ 500000 이 특히 바람직하다. 함불소 폴리머 (H) 의 질량 평균 분자량이 그 범위이면, 다른 성분과의 상용성이 양호해진다.
함불소 폴리머 (H) 의 불소 함유량은 30 ∼ 70 질량% 가 바람직하고, 45 ∼ 70 질량% 가 보다 바람직하다. 함불소 폴리머 (H) 의 불소 함유량이 그 범위이면, 광경화성 조성물에 균일하게 용해되어, 광경화성 조성물의 점도를 조정하기 쉽다.
함불소 폴리머 (H) 로서는, 헤테로 원자를 갖는 함불소 폴리머가 바람직하 고, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 또는 인 원자를 갖는 함불소 폴리머가 보다 바람직하며, 수산기, 에테르성 산소 원자, 에스테르기, 알콕시카르보닐기, 술포닐 기, 인산 에스테르기, 아미노기, 니트로기, 또는 케톤기를 갖는 함불소 폴리머가 더욱 바람직하고, 상용성 면에서 수산기, 에테르성 산소 원자, 에스테르기, 알콕시카르보닐기를 갖는 함불소 폴리머가 특히 바람직하다. 헤테로 원자를 갖는 함불소 폴리머는, 다른 성분과 상용성이 높아, 균일한 광경화성 조성물을 조제하기 쉽다.
함불소 폴리머 (H) 로서는, 하기의 함불소 폴리머 (H1) ∼ (H4) 를 들 수 있고, 상용성 면에서 함불소 폴리머 (H4) 가 바람직하다.
함불소 폴리머 (H1) : 화합물 (H1) 을 중합시킨 함불소 폴리머.
CF2 = CR11-Q-CR12 = CH2 …(h1).
단, R11 및 R12 는 각각 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 플루오로알킬기를 나타내고, Q 는 산소 원자, -NR13- 또는 관능기를 가지고 있어도 되는 2 가 유기기를 나타내고, R13 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 알킬카르보닐기, 또는 토실기를 나타낸다.
함불소 폴리머 (H2) : 플루오로올레핀 단위와 탄화수소계 모노머 단위를 갖는 함불소 폴리머.
플루오로올레핀 단위로서는, 불화 비닐, 불화 비닐리덴, 트리플루오로에틸 렌, 테트라플루오로에틸렌, 펜타플루오로프로필렌, 헥사플루오로프로필렌 등을 들 수 있다. 탄화수소계 모노머 단위로서는, 비닐에테르, 비닐에스테르, 알릴에테르, 탄화수소계 올레핀, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 등을 들 수 있다.
함불소 폴리머 (H3) : 플루오로에틸렌 단위와 플루오로(메트)아크릴레이트 단위를 갖는 함불소 폴리머.
플루오로에틸렌 단위로서는, 테트라플루오로에틸렌, CF2 = CFCl 등을 들 수 있다. 플루오로(메트)아크릴레이트 단위로서는, 메타크릴산 2-(퍼플루오로헥실)에틸, 아크릴산 2-(퍼플루오로헥실)에틸, 메타크릴산 2-(퍼플루오로옥틸)에틸, 아크릴산 2-(퍼플루오로옥틸)에틸 등을 들 수 있다.
함불소 폴리머 (H4) : 플루오로에틸렌 단위와 화합물 (h4) 단위를 갖는 함불소 폴리머.
CHR17 = CH-O-R18 …(h4).
단, R17 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 페닐기, 벤질기를 나타내고, R18 은 탄소수 1 ∼ 18 의 알킬기, 방향 고리를 함유하는 탄소수 10 이하의 알킬기 혹은 페닐기, 수산기를 함유하는 탄소수 10 이하의 알킬기 혹은 페닐기, 불소 원자를 함유하는 탄소수 10 이하의 알킬기 혹은 페닐기, 또는, 카르복실산 혹은 에스테르기를 함유하는 탄소수 10 이하의 알킬기 혹은 페닐기를 나타낸다.
함불소 폴리머 (H) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해 도 된다.
함불소 폴리머 (H) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 25 질량부가 바람직하고, 7 ∼ 20 질량부가 보다 바람직하다. 함불소 폴리머 (H) 의 함유량이 5 질량부 이상이면, 광경화성 조성물의 점도 조정 효과가 얻어진다. 함불소 폴리머 (H) 의 함유량이 25 질량부 이하이면, 광경화성 조성물의 경화 저해가 억제되고 또, 경화물의 상분리가 억제된다.
함불소 폴리머 (H) 의 총량에 대한 화합물 (B) 의 양은, 0.5 ∼ 100 배 질량이 바람직하고, 2 ∼ 50 배 질량이 특히 바람직하다. 화합물 (B) 의 양이 그 범위이면, 상분리를 일으키지 않고 균일한 광경화성 조성물을 얻을 수 있다. 화합물 (B) 의 양이 0.5 배 질량 미만에서는, 이형성의 효과가 발현되지 않게 된다. 화합물 (B) 의 양이 100 배 질량을 초과하면, 상분리를 일으킨다.
함불소 계면활성제 (G) 및 함불소 폴리머 (H) 의 합계는, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 35 질량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 25 질량부가 보다 바람직하다.
화합물 (E), 화합물 (F), 함불소 계면활성제 (G) 및 함불소 폴리머 (H) 의 합계는, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 125 질량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 85 질량부가 보다 바람직하다.
(다른 첨가제)
광경화성 조성물은, 화합물 (A) ∼ (C), 광중합 개시제 (D), 화합물 (E), 화합물 (F), 함불소 계면활성제 (G), 함불소 폴리머 (H) 를 제외한, 다른 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
다른 첨가제로서는, 광증감제, 다른 수지, 금속 산화물 미립자, 탄소 화합물, 금속 미립자, 다른 유기 화합물 등을 들 수 있다.
광증감제로서는, n-부틸아민, 디-n-부틸아민, 트리-n-부틸포스핀, 아릴티오 우레아, s-벤질이소티우로늄-p-톨루엔술피네이트, 트리에틸아민, 디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 트리에틸렌테트라민, 4,4'-비스(디알킬아미노)벤조페논 등의 아민 화합물을 들 수 있다.
다른 수지로서는, 폴리에스테르, 폴리에스테르 올리고머, 폴리카보네이트, 폴리(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
금속 산화물 미립자로서는, 티타니아, 실리카 등을 들 수 있다.
탄소 화합물로서는, 카본나노 튜브, 풀러렌 등을 들 수 있다.
금속 미립자로서는, 구리, 백금 등을 들 수 있다.
다른 유기 화합물로서는, 포르피린, 금속 내포 폴리피린 등을 들 수 있다.
다른 첨가제의 총량은, 광경화성 조성물 (100 질량%) 중, 20 질량% 이하가 바람직하다. 다른 첨가제의 총량이 20 질량% 이하이면, 광경화성 조성물을 균일하게 혼합할 수 있어, 균질한 광경화성 조성물이 얻어진다.
이상 설명한 본 발명의 광경화성 조성물에 있어서는, 화합물 (A) 를 함유하고 있기 때문에 기계적 강도가 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 또, 화합물 (B) 를 함유하고 있기 때문에 이형성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 또한 화합물 (C) 를 함유하고 있기 때문에 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 상용성이 우수하고, 그 결과, 경화물의 이형성 및 기계적 강도가 더욱 향상된다.
<표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법>
본 발명의 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 하기의 (1) ∼ (3) 의 공정을 갖는다.
(1) 본 발명의 광경화성 조성물을, 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 접촉시키는 공정.
(2) 몰드의 표면에 광경화성 조성물을 접촉시킨 상태로, 광경화성 조성물에 광을 조사하여 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정.
(3) 경화물로부터 몰드를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정.
본 발명의 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서는, 보다 구체적으로는, 하기의 (a) ∼ (c) 방법을 들 수 있다.
(a) 방법 :
하기의 공정 (a-1) ∼ (a-4) 를 갖는 방법.
(a-1) 도 1 에 나타내는 바와 같이, 광경화성 조성물 (20) 을 기판 (30) 의 표면에 배치하는 공정.
(a-2) 도 1 에 나타내는 바와 같이, 몰드 (10) 를, 그 몰드 (10) 의 반전 패턴 (12) 이 광경화성 조성물 (20) 에 접하도록, 광경화성 조성물 (20) 에 가압하는 공정.
(a-3) 몰드 (10) 를 광경화성 조성물 (20) 에 가압한 상태로, 광경화성 조성물 (20) 에 광을 조사하여 광경화성 조성물 (20) 을 경화시켜 경화물로 하는 공정.
(a-4) 경화물로부터 몰드 (10), 또는 기판 (30) 및 몰드 (10) 를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정.
(b) 의 방법 :
하기의 공정 (b-1) ∼ (b-4) 를 갖는 방법.
(b-1) 도 2 에 나타내는 바와 같이, 광경화성 조성물 (20) 을 몰드 (10) 의 반전 패턴 (12) 의 표면에 배치하는 공정.
(b-2) 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 (30) 을 몰드 (10) 표면의 광경화성 조성물 (20) 에 가압하는 공정.
(b-3) 기판 (30) 을 광경화성 조성물 (20) 에 가압한 상태로, 광경화성 조성물 (20) 에 광을 조사하여 광경화성 조성물 (20) 을 경화시켜 경화물로 하는 공정.
(b-4) 경화물로부터 몰드 (10), 또는 기판 (30) 및 몰드 (10) 를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정.
(c) 방법 :
하기의 공정 (c-1) ∼ (c-4) 를 갖는 방법.
(c-1) 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 (30) 과 몰드 (10) 를, 몰드 (10) 의 반전 패턴 (12) 이 기판 (30) 측이 되도록 접근 또는 접촉시키는 공정.
(c-2) 도 1 에 나타내는 바와 같이, 광경화성 조성물 (20) 을 기판 (30) 과 몰드 (10) 사이에 충전하는 공정.
(c-3) 기판 (30) 과 몰드 (10) 가 접근 또는 접촉된 상태로, 광경화성 조성물 (20) 에 광을 조사하여 광경화성 조성물 (20) 을 경화시켜 경화물로 하는 공정.
(c-4) 경화물로부터 몰드 (10), 또는 기판 (30) 및 몰드 (10) 를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정.
기판으로는, 무기 재료제 기판 또는 유기 재료제 기판을 들 수 있다.
무기 재료로서는, 실리콘 웨이퍼, 유리, 석영 유리, 금속 (알루미늄, 니켈, 구리 등), 금속 산화물 (알루미나 등), 질화 규소, 질화 알루미늄, 니오브산 리튬 등을 들 수 있다.
유기 재료로서는, 불소 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리에스테르 (폴리에틸렌테레프탈레이트 등), 폴리이미드, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 나일론 수지, 폴리페닐렌술파이드, 고리형 폴리올레핀 등을 들 수 있다.
기판으로는, 광경화성 조성물과의 밀착성이 우수하다는 점에서, 표면 처리된 기판을 사용해도 된다. 표면 처리로서는, 프라이머 도포 처리, 오존 처리, 플라즈마 에칭 처리 등을 들 수 있다. 프라이머로서는, 실란 커플링제, 실라잔 등을 들 수 있다.
몰드로서는, 비투광 재료제 몰드 또는 투광 재료제 몰드를 들 수 있다.
비투광 재료로서는, 실리콘 웨이퍼, 니켈, 구리, 스테인리스, 티탄, SiC, 마 이카 등을 들 수 있다.
투광 재료로서는, 석영, 유리, 폴리디메틸실록산, 고리형 폴리올레핀, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 투명 불소 수지 등을 들 수 있다.
기판 및 몰드 중 적어도 일방은, 광중합 개시제 (D) 가 작용하는 파장의 광을 40 % 이상 투과하는 재료로 한다.
몰드는 표면에 반전 패턴을 갖는다. 반전 패턴은 성형체 표면의 미세 패턴에 대응한 반전 패턴이다.
반전 패턴으로서는, 미세한 볼록부 및/또는 오목부를 갖는다.
볼록부로서는, 몰드의 표면에 연장하는 길이가 긴 볼록조 (條), 표면에 점재하는 돌기 등을 들 수 있다.
오목부로서는, 몰드의 표면에 연장하는 길이가 긴 홈, 표면에 점재하는 구멍 등을 들 수 있다.
볼록조 또는 홈의 형상으로서는, 직선, 곡선, 구부러진 형상 등을 들 수 있다. 볼록조 또는 홈은, 복수가 평행하게 존재하여 줄무늬 형상을 이루고 있어도 된다.
볼록조 또는 홈의, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면 (斷面) 형상으로서는, 직사각형, 사다리꼴, 삼각형, 반원형 등을 들 수 있다.
돌기 또는 구멍의 형상으로서는, 삼각 기둥, 사각 기둥, 육각 기둥, 원기둥, 삼각뿔, 사각뿔, 육각뿔, 원추, 반구, 다면체 등을 들 수 있다.
볼록조 또는 홈의 폭은, 평균으로 1 nm ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 10 nm ∼ 10 ㎛ 가 보다 바람직하다. 볼록조의 폭이란, 길이 방향으로 직교하는 방향의 단면에 있어서의 저변의 길이를 의미한다. 홈의 폭이란, 길이 방향으로 직교하는 방향의 단면에 있어서의 상변의 길이를 의미한다. 돌기 또는 구멍의 폭은, 평균으로 1 nm ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 10 nm ∼ 10 ㎛ 가 보다 바람직하다. 돌기의 폭이란, 저면이 가늘고 긴 경우, 길이 방향으로 직교하는 방향의 단면에 있어서의 저변의 길이를 의미하고, 그렇지 않은 경우, 돌기 저면에 있어서의 최대 길이를 의미한다. 구멍의 폭이란, 개구부가 가늘고 긴 경우, 길이 방향으로 직교하는 방향의 단면에 있어서의 상변의 길이를 의미하고, 그렇지 않은 경우, 구멍의 개구부에 있어서의 최대 길이를 의미한다.
볼록부의 높이는, 평균으로 1 nm ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 10 nm ∼ 10 ㎛ 가 보다 바람직하다.
오목부의 깊이는, 평균으로 1 nm ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 10 nm ∼ 10 ㎛ 가 보다 바람직하다.
반전 패턴이 밀집되어 있는 영역에 있어서, 인접하는 볼록부 (또는 오목부) 간의 간격은, 평균으로 1 nm ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 1 nm ∼ 50 ㎛ 가 보다 바람직하다. 인접하는 볼록부간의 간격이란, 볼록부 단면의 저변의 종단 (終端) 으로부터, 인접하는 볼록부 단면의 저변의 시단 (始端) 까지의 거리를 의미한다. 인접하는 오목부 사이의 간격이란, 오목부 단면 상변의 종단으로부터, 인접하는 오목부 단면 상변의 시단까지의 거리를 의미한다.
볼록부의 최소 치수는 1 nm ∼ 50 ㎛ 가 바람직하고, 1 nm ∼ 500 nm 가 보 다 바람직하며, 1 nm ∼ 50 nm 가 특히 바람직하다. 최소 치수란, 볼록부의 폭, 길이 및 높이 중 최소의 치수를 의미한다.
오목부의 최소 치수는 1 nm ∼ 50 ㎛ 가 바람직하고, 1 nm ∼ 500 nm 가 보다 바람직하며, 1 nm ∼ 50 nm 가 특히 바람직하다. 최소 치수란, 오목부의 폭, 길이 및 깊이 중 최소의 치수를 의미한다.
공정 (a-1) :
광경화성 조성물의 배치 방법으로서는, 잉크젯법, 포팅법, 스핀코트법, 롤 코트법, 캐스트법, 딥코트법, 다이코트법, 랭뮤어 프로젝트법, 진공 증착법 등을 들 수 있다.
광경화성 조성물은, 기판의 전체면에 배치해도 되고, 기판 표면의 일부에 배치해도 된다.
공정 (a-2) :
몰드를 광경화성 조성물에 가압했을 때의 프레스 압력 (게이지압) 은, 0 초과 ∼ 10 MPa 이하가 바람직하고, 0.1 ∼ 5 MPa 가 보다 바람직하다. 몰드를 광경화성 조성물에 가압했을 때의 온도는, 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
공정 (b-1) :
광경화성 조성물의 배치 방법으로서는, 잉크젯법, 포팅법, 스핀코트법, 롤 코트법, 캐스트법, 딥코트법, 다이코트법, 랭뮤어 프로젝트법, 진공 증착법 등을 들 수 있다.
광경화성 조성물은 몰드의 반전 패턴의 전면에 배치해도 되고, 반전 패턴의 일부에 배치해도 되고, 반전 패턴의 전면에 배치하는 것이 바람직하다.
공정 (b-2) :
기판을 광경화성 조성물에 가압했을 때의 프레스 압력 (게이지압) 은, 0 초과 ∼ 10 MPa 이하가 바람직하고, 0.1 ∼ 5 MPa 가 보다 바람직하다. 기판을 광경화성 조성물에 가압했을 때의 온도는, 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
공정 (c-2) :
광경화성 조성물을 기판과 몰드 사이에 충전하는 방법으로서는, 모세관 현상에 의해 공극에 광경화성 조성물을 흡인하는 방법을 들 수 있다.
광경화성 조성물을 충전할 때의 온도는, 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
공정 (a-3), (b-3), (c-3) :
광을 조사하는 방법으로서는, 투광 재료제 몰드를 사용하여 그 몰드측으로부터 광조사하는 방법, 투광 재료제 기판을 사용하여 그 기판측으로부터 광조사하는 방법을 들 수 있다. 광의 파장은, 200 ∼ 500 nm 가 바람직하다. 광을 조사할 때에는, 광경화성 조성물을 가열하여 경화를 촉진시켜도 된다.
광을 조사할 때의 온도는, 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
공정 (a-4), (b-4), (c-4) :
경화물로부터 몰드, 또는 기판 및 몰드를 분리할 때의 온도는, 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
경화물로부터 기판 및 몰드를 분리한 경우, 도 3 에 나타낸 바와 같은, 몰드의 반전 패턴이 전사된 표면을 갖는 경화물 (42) 만으로 이루어지는, 표면에 미세 패턴 (44) 을 갖는 성형체 (40) 가 얻어진다.
경화물로부터 몰드만을 분리한 경우, 도 4 에 나타낸 바와 같은, 몰드의 반전 패턴이 전사된 표면을 갖는 경화물 (42) 과 기판 (30) 으로 이루어지는, 표면에 미세 패턴 (44) 를 갖는 성형체 (40) (적층체) 가 얻어진다.
표면에 미세 패턴을 갖는 성형체로서는, 하기의 물품을 들 수 있다.
광학 소자 : 마이크로 렌즈 어레이, 광도파로 소자, 광 스위칭 소자 (그리드 편광 소자, 파장판 등), 프레넬 존 플레이트 소자, 바이너리 소자, 브레이즈 소자, 포토닉 결정 등.
반사 방지 부재 : AR (Anti Reflection) 코트 부재 등.
칩류 : 바이오칩, μ-TAS (Micro-Total Analysls Systems) 용 칩, 마이크로 리액터칩 등.
그 외 : 기록 미디어, 디스플레이 재료, 촉매의 담지체, 필터, 센서 부재, 반도체 장치의 제조에 사용되는 레지스트, 나노임프린트용 도터 몰드 등.
레지스트로서 사용하는 경우, 그 미세 패턴을 갖는 성형체를 마스크로 하여 기판을 에칭함으로써, 기판에 미세 패턴을 형성할 수 있다.
이상 설명한 본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법에 있 어서는, 이형성 및 기계적 강도가 우수한 경화물을 얻을 수 있는 본 발명의 광경화성 조성물을 사용하고 있기 때문에 몰드의 반전 패턴이 정밀하게 전사된 미세 패턴을 표면에 갖는, 내구성이 우수한 성형체를 제조할 수 있다.
실시예
이하에 실시예를 들어 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다.
예 1 ∼ 10, 19 ∼ 27 은 실시예이고, 예 11 ∼ 18 은 비교예이다.
(질량 평균 분자량)
함불소 폴리머 (H) 의 질량 평균 분자량은, GPC 분석 장치 (토소사 제조, HLC-8220) 를 사용하여 측정하였다.
(점도)
광경화성 조성물의 25 ℃ 에 있어서의 점도는, 점도계 (토기 산업사 제조, TV-20) 를 사용하여 측정하였다. 그 점도계는 표준액 (JS 50 (25 ℃ 에서 33.17 mPa·S)) 으로 교정 후의 것이다. 점도는 300 mPa·S 이하의 값일 때에 양호하다고 판단하였다.
(감도)
광경화성 조성물의 감도는, 하기와 같이 하여 구하였다.
광경화성 조성물을 스핀코트법으로 막두께 약 1.5 ㎛ 가 되도록 도포막하여, 그것에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 kHz 에 있어서 255, 315, 및 365 nm 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 조사하여 완전하게 경화될 때까지의 적산광량을 구하 여 감도로 하였다.
광경화성 조성물이 완전하게 경화되었는지 여부는, IR 스펙트럼을 측정하여, 아크릴 부분의 올레핀의 흡수 유무에 의해 판단하였다. 감도는 500 mJ/㎠ 이하의 값일 때에 양호한 것으로 판단하였다.
(체적 수축률)
체적 수축률은 하기와 같이 하여 구하였다.
25 ℃ 에서, 시험관 (유리제) 에 광경화성 조성물을 L1 의 높이까지 봉입하여, 광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 kHz 에 있어서 255, 315, 및 365 nm 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 15 초간 조사하여 얻어진 경화물의 높이 L2 를 측정하였다. 하기 식으로부터 체적 수축률을 구하였다. 체적 수축률은 15 % 이하일 때에 양호한 것으로 판단하였다.
체적 수축률 (%) = (L1-L2)/L1×100.
(접촉각)
경화물의 물에 대한 접촉각은 하기와 같이 하여 측정하였다.
광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 kHz 에 있어서 255, 315, 및 365 nm 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 15 초간 조사하여 경화물을 얻었다.
그 경화물에 대해, 접촉각계 (쿄와 계면 과학사 제조, CA-X150 형) 를 사용하여 4 ㎕ 의 물을 경화물의 표면에 물방울로 떨어뜨려 측정하였다.
접촉각은 경화물의 이형성 기준이 된다. 접촉각은 75 도 이상일 때에 양 호한 것으로 판단하였다.
(연필 경도)
경화물의 연필 경도는, 하기와 같이 하여 측정하였다.
광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 kHz 에 있어서 255, 315, 및 365 nm 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 15 초간 조사하여 경화물을 얻었다.
그 경화물의 연필 경도를, JIS K 5400 (구 JIS) 에 준거하여, 1 kg 하중의 조건으로 구하였다.
연필 경도는, 경화물의 기계적 강도의 기준이 된다. 연필 경도는, F 이상일 때에 양호한 것으로 판단하였다.
(드라이 에칭 내성)
드라이 에칭 내성은, 하기와 같이 하여 구하였다.
광경화성 조성물을 기판 (실리콘 웨이퍼) 에 도포한 후, 광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 kHz 에 있어서 255, 315, 및 365 nm 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 15 초간 조사하여 경화물로 하였다. 그 경화물이 형성된 기판과 폴리메틸메타크릴레이트 (이하, PMMA 라고 기재한다) 를 도포한 기판을 준비하여, 동시에 RIE-10 NR (SAMCO 사 제조) 을 사용하여 CF4/O2 (40/10 sccm), 압력 5 Pa, 출력 70 W, 120 초의 조건으로, 동시에 에칭 처리를 실시하여, 에칭 처리 전후의 막두께의 차이로부터, 에칭 속도를 산출하여, PMMA 의 에칭 속도를 1 로 했을 때의 경화물의 에칭 속도 상대값을 구하여 드라이 에칭 내성으로 하였다. 드라이 에칭 내성은 0.6 이하일 때에 양호한 것으로 판단하였다.
(화합물 (A1))
[화학식 3]
(화합물 (A2))
[화학식 4]
단, q 및 r 은, 각각 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.
(화합물 (A3))
[화학식 5]
(화합물 (B11))
CH2 = CHCOOCH2CH2(CF2)6F …(B11).
(화합물 (B2))
CF2 = CFCF2C(CF3)(OH)CH2CH = CH2…(B2).
(화합물 (C1))
[화학식 6]
(화합물 (C2))
[화학식 7]
(광중합 개시제 (D1))
광중합 개시제 (D1) : 치바·가이기·스페셜리티사 제조, 상품명 : 이르가큐어 651.
(화합물 (E1))
[화학식 8]
(화합물 (F1))
[화학식 9]
(함불소 계면활성제 (G1))
함불소 계면활성제 (G1) : 노니온계 함불소 계면활성제, 세이미 케미컬사 제조, 상품명 : 사프론 S-393.
(함불소 폴리머 (H11))
화합물 (B2) 의 9.00 g, 1,4-디옥산의 38.37 g 을, 내압 반응기 (내부 용적 50 ㎖, 유리제) 에 주입하고, 다음으로 디이소프로필퍼옥시디카보네이트의 0.71 g 을 주입하였다. 반응기 내를 동결 탈기하고 나서, 내온을 40 ℃ 로 유지하여, 18 시간 중합을 실시하였다. 다음으로 헥산 중에 반응기의 내용액을 적하하였다. 응집된 고형분을 회수하여, 110 ℃ 에서 40 시간, 진공 건조시켜 백색 분말 형상의, 하기 반복 단위를 갖는 비결정성 함불소 폴리머 (불소 함유량 56.3 질량%) (이하, 함불소 폴리머 (H11) 라고 기재한다) 의 6.33 g 을 얻었다. 함불소 폴리머 (H11) 는, 유리 전이점 온도가 118 ℃ 이며, 수평균 분자량이 2600 이며, 질량 평균 분자량이 4800 이었다.
[화학식 10]
(함불소 폴리머 (H41))
함불소 폴리머 (H41) : 아사히가라스사 제조, 상품명 : 루미프론 LF 710, 질량 평균 분자량 40000.
[예 1]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 1.52 g, 화합물 (B11) 의 0.88 g, 화합물 (C1) 의 1.44 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (이하, PTFE 라고 기재한다) 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 2]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.52 g, 화합물 (B11) 의 0.88 g, 화합물 (C1) 의 1.44 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 3]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A3) 의 1.52 g, 화합물 (B11) 의 0.88 g, 화합물 (C1) 의 1.44 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 4]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.52 g, 화합물 (B2) 의 0.88 g, 화합물 (C1) 의 1.44 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 5]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.52 g, 화합물 (B11) 의 0.88 g, 화합물 (C2) 의 1.44 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 6]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.32 g, 화합물 (B11) 의 0.80 g, 화합물 (C1) 의 1.32 g, 화합물 (E1) 의 0.40 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 7]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.20 g, 화합물 (B11) 의 0.80 g, 화합물 (C1) 의 1.20 g, 화합물 (E1) 의 0.32 g, 화합물 (F1) 의 0.32 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 8]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.20 g, 화합물 (B11) 의 0.80 g, 화합물 (C1) 의 1.20 g, 화합물 (E1) 의 0.28 g, 화합물 (F1) 의 0.28 g, 함불소계면 활성제 (G1) 의 0.08 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 9]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.20 g, 화합물 (B11) 의 0.80 g, 화합물 (C1) 의 1.20 g, 화합물 (E1) 의 0.28 g, 함불소 계면활성제 (G1) 의 0.08 g, 함불소 폴리머 (H11) 의 0.28 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 10]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.20 g, 화합물 (B11) 의 0.80 g, 화합물 (C1) 의 1.20 g, 화합물 (E1) 의 0.28 g, 함불소 계면활성제 (G1) 의 0.08 g, 함불소 폴리머 (H41) 의 0.28 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 11]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 0.28 g, 화합물 (B11) 의 1.56 g, 화합물 (C1) 의 2.00 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 12]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 3.00 g, 화합물 (B11) 의 0.40 g, 화합물 (C1) 의 0.44 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그러나, 경화물은 딱딱하여 부서지기 쉬워 자립막으로서 취급하는 것이 곤란하였다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 13]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 1.84 g, 화합물 (B11) 의 0.12 g, 화합물 (C1) 의 1.88 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 14]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 0.80 g, 화합물 (B11) 의 2.20 g, 화합물 (C1) 의 0.84 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합했지만, 균일하게 혼합되지 않고, 상분리를 일으켰다. 그 조성물의 조성을 표 1 에 나타낸다.
[예 15]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 1.96 g, 화합물 (B11) 의 1.60 g, 화합물 (C1) 의 0.28 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합했지만, 균일하게 혼합되지 않고, 상분리를 일으켰다. 그 조성물의 조성을 표 1 에 나타낸다.
[예 16]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 0.60 g, 화합물 (B11) 의 0.24 g, 화합물 (C1) 의 3.00 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그러나, 경화물은 부서지기 쉬워 자립막으로서 취급하는 것이 곤란하였다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 17]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 1.60 g, 화합물 (B11) 의 0.96 g, 화합물 (C1) 의 1.42 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.02 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었 다. 그러나, 광조사하여도 미경화 부분이 많아 경화물을 얻을 수 없었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 18]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 1.20 g, 화합물 (B11) 의 0.72 g, 화합물 (C1) 의 1.28 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.80 g 을 혼합했지만, 완전하게 광중합 개시제 (D1) 가 용해되지 않았기 때문에 균일한 조성물을 얻을 수 없었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에 나타낸다.
[예 19]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 1.44 g, 화합물 (B11) 의 0.88 g, 화합물 (C1) 의 1.44 g, 화합물 (E1) 의 0.08 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 20]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A1) 의 1.08 g, 화합물 (B11) 의 0.56 g, 화합물 (C1) 의 1.20 g, 화합물 (E1) 의 1.00 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 21]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.32 g, 화합물 (B11) 의 0.88 g, 화합물 (C1) 의 1.40 g, 화합물 (E1) 의 0.20 g, 화합물 (F1) 의 0.04 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 22]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 0.64 g, 화합물 (B11) 의 0.40 g, 화합물 (C1) 의 0.72 g, 화합물 (E1) 의 0.26 g, 화합물 (F1) 의 1.82 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 23]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.20 g, 화합물 (B11) 의 0.20 g, 화합물 (C1) 의 1.24 g, 화합물 (E1) 의 0.80 g, 화합물 (F1) 의 0.40 g, 함불소 계면활성제 (G1) 의 0.002 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 24]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.08 g, 화합물 (B11) 의 0.88 g, 화합물 (C1) 의 1.08 g, 화합물 (E1) 의 0.68 g, 함불소 계면활성제 (G1) 의 0.12 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 25]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 1.28 g, 화합물 (B11) 의 0.80 g, 화합물 (C1) 의 1.28 g, 화합물 (E1) 의 0.280 g, 함불소 계면활성제 (G1) 의 0.08 g, 함불소 폴리머 (H11) 의 0.12 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.16 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 26]
바이알 용기 (내부 용적 6 ㎖) 에, 화합물 (A2) 의 0.96 g, 화합물 (B11) 의 0.68 g, 화합물 (C1) 의 1.00 g, 화합물 (E1) 의 0.20 g, 함불소 계면활성제 (G1) 의 0.08 g, 함불소 폴리머 (H11) 의 0.84 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 의 0.24 g 을 혼합하여, 0.2 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여, 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
[예 27]
25 ℃ 에서, 예 2 의 광경화성 조성물 한 방울을 실리콘 웨이퍼 상에 떨어뜨려, 그 조성물이 균일하게 도포된 실리콘 웨이퍼를 얻었다. 폭 800 nm, 깊이 180 nm, 길이 10 ㎛ 의 오목부를 표면에 갖는 석영제 몰드를, 실리콘 웨이퍼 상의 광경화성 조성물에 가압하여, 그대로 0.5 MPa (게이지압) 로 프레스하였다.
다음으로 25 ℃ 에서, 몰드측으로부터 광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 kHz 에 있어서 255, 315, 및 365 nm 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 15 초간 조사하여 광경화성 조성물의 경화물을 얻었다. 25 ℃ 에서, 몰드를 실리콘 웨이퍼로부터 분리하여, 몰드의 오목부가 반전된 볼록부를 표면에 갖는 경화물이 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성된 성형체를 얻었다. 그 볼록부의 저면에서 정상면까지 높이는 178 ∼ 180 nm 가었다.
본 발명의 제조 방법에서 얻어지는, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체는, 광학 소자, 반사 방지 부재, 바이오칩, 마이크로 리액터칩, 기록 미디어, 촉매 담지체, 생산용 레플리카 몰드, 레지스트 등으로서 유용하다.
또한, 2007년 6월 20일에 출원된 일본 특허출원 2007-162466호의 명세서, 특허 청구 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.
Claims (10)
- 고리를 2 개 이상 갖는 방향족 화합물 또는 고리를 2 개 이상 갖는 지환식 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 갖는 화합물 (A) 와,불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 2 중 결합을 1 개 이상 갖는 화합물 (B) (단, 화합물 (A) 를 제외한다) 와,(메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 화합물 (C) (단, 화합물 (B) 를 제외한다) 와,광중합 개시제 (D) 를 함유하고,화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량%) 중, 화합물 (A) 가 15 ∼ 60 질량% 이고, 화합물 (B) 가 5 ∼ 40 질량% 이고, 화합물 (C) 가 10 ∼ 55 질량% 이고, 광중합 개시제 (D) 가 1 ∼ 12 질량% 인, 광경화성 조성물.
- 제 1 항에 있어서,실질적으로 용제를 함유하지 않는 광경화성 조성물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 30 질량부의, (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 갖는 화합물 (E) (단, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 를 제외한다) 를 추가로 함유하는 광경화성 조성물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 90 질량부의, (메트)아크릴로일옥시기를 3 개 이상 갖는 화합물 (F) (단, 화합물 (B) 를 제외한다) 를 추가로 함유하는 광경화성 조성물.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 3 질량부의 함불소 계면활성제 (G) 를 추가로 함유하고,또한 함불소 계면활성제 (G) 의 총량에 대한 화합물 (B) 의 양이, 0.5 ∼ 100 배 질량인 광경화성 조성물.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 25 질량부의 함불소 폴리머 (H) 를 추가로 함유하고,또한 함불소 폴리머 (H) 의 총량에 대한 화합물 (B) 의 양이, 0.5 ∼ 100 배 질량인 광경화성 조성물.
- 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서,제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 광경화성 조성물을, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 접촉시키는 공정과,상기 몰드의 표면에 상기 광경화성 조성물을 접촉시킨 상태로, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과,상기 경화물로부터 상기 몰드를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
- 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서,제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 광경화성 조성물을, 기판 표면에 배치하는 공정과,상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 그 몰드의 반전 패턴이 상기 광경화성 조성물에 접하도록 상기 광경화성 조성물에 가압하는 공정과,상기 몰드를 상기 광경화성 조성물에 가압한 상태로, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과,상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
- 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서,제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 광경화성 조성물을, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 배치하는 공정과,기판을, 상기 광경화성 조성물에 가압하는 공정과,상기 기판을 상기 광경화성 조성물에 가압한 상태로, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과,상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리하여, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
- 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서,기판과, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 그 몰드의 반전 패턴이 상기 기판측이 되도록 접근 또는 접촉시키는 공정과,제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 광경화성 조성물을, 상기 기판과 상기 몰드 사이에 충전하는 공정과,상기 기판과 상기 몰드가 접근 또는 접촉된 상태로, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과,상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리하여, 표 면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
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