KR20100026810A - Method of fabricating hydrogen sensor and hydrogen sensor thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 수소가스를 검출하는 수소센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 MEMS 기술이 적용되어 접촉 연소식 칩(Chip)이 제작되고 알루미나 담체에 백금(Pt)을 고분산시킨 촉매가 구비됨으로서 저전력, 저가이면서도 빠른 응답특성과 고감도의 특성을 갖춘 접촉 연소식 수소센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a hydrogen sensor for detecting hydrogen gas, and more particularly, MEMS technology is applied to produce a catalytic combustion chip (chip) and a high dispersion of platinum (Pt) on the alumina carrier, thereby providing a low power, The present invention relates to a contact combustion hydrogen sensor having a low cost, fast response and high sensitivity, and a manufacturing method thereof.
현재 친환경적인 대체 에너지로써 수소에 대한 관심은 지속적으로 증가하고 있다. 이에 따라 자동차, 연료전지, 내연기관 등 다양한 분야에서 연구가 진행되어 급속하게 기존의 화석연료를 대체하고 있는 추세이며, 연구개발되는 관련 산업분야 역시 늘어나고 있는 추세이다. 하지만 수소는 높은 확산성으로 인해 누설 및 폭발의 우려가 있으므로 수소의 누설에 대비한 안전성에 관련한 대책 마련이 필수적으로 요구된다. 그러므로 수소 저장소 및 수소 관련 장치의 주변에는 각종 수소센서를 이용하여 안전 대책을 마련하고 있으며, 수소센서와 관련한 연구 및 개발이 활발하게 이루어지고 있다.At present, interest in hydrogen as an environmentally friendly alternative energy continues to increase. Accordingly, research is being conducted in various fields such as automobiles, fuel cells, and internal combustion engines to rapidly replace existing fossil fuels, and related industrial fields that are being researched and developed are also increasing. However, since hydrogen may leak and explode due to its high diffusivity, it is essential to prepare safety-related measures against leakage of hydrogen. Therefore, around the hydrogen reservoir and the hydrogen-related device, safety measures are prepared by using various hydrogen sensors, and research and development related to hydrogen sensors are being actively performed.
일반적으로 수소센서는 검출 방식에 따라 반도체식, 접촉 연소식, FET(Field Effect Transistor) 방식, 전해질식(전기화학식), 광섬유식, 열전식 등으로 나누어지는데, 그 중 접촉 연소식 수소센서는 히터를 구비하여 외부 온도의 변화 및 습도 등의 외부 환경에 안정하고 수소에 대한 선택성이 높은 백금족 촉매를 사용하여 선택성 및 안정성에 효과가 있는 것으로 확인되고 있다.In general, the hydrogen sensor is divided into semiconductor type, contact combustion type, field effect transistor (FET) type, electrolytic type (electrochemical type), optical fiber type, and thermoelectric type according to the detection method. It is confirmed that it is effective in selectivity and stability by using a platinum group catalyst having a high selectivity for hydrogen and stable to an external environment such as a change in external temperature and humidity.
그러나 현재 개시된 접촉 연소식 수소센서는 대부분 비드(Bead) 타입으로 제작되고 있어 동작시 많은 전력을 필요로 하며, 제작과정이 대부분 수작업에 의해 이루어지고 있어 양산성이 떨어진다는 문제점을 가진다. 또한 일부에서 비드형이 아닌 후막이나 박막형 재료를 이용하는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 제조기술을 이용하여 수소센서를 제작하고는 있으나, 이는 고가에 해당하며, 전력소비가 크고, 감도가 낮아 개선이 요구되고 있다. However, the presently disclosed catalytic combustion hydrogen sensor is mostly made of bead (Bead) type requires a lot of power during operation, and the manufacturing process is made by hand most often has a problem that the mass production is inferior. In addition, some of the hydrogen sensors are manufactured using MEMS (Micro Electro Mechanical System) manufacturing technology using thick film or thin film material rather than bead type, but this is expensive and requires high power consumption and low sensitivity. It is becoming.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술상의 제반 문제점들을 감안하여 이를 해결하고자 창출된 것으로, MEMS 기술을 이용하여 칩(Chip)을 제작하고 알루미나 담체에 백금(Pt)을 고분산시킨 촉매를 구비함으로서, 응답특성 및 감도가 향상되고, 저전력 및 저가의 수소센서 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention was created in view of the above-described problems in the prior art, by fabricating a chip (chip) using MEMS technology and having a high dispersion of platinum (Pt) on the alumina carrier, It is an object of the present invention to provide a low power and low cost hydrogen sensor and a method of manufacturing the same, with improved response characteristics and sensitivity.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 접촉 연소식 수소센서는 실리콘(Si)기판과; 상기 실리콘기판의 상부면에 형성되고, 실리콘산화막(SiO2)/실리콘질화막 (Si3N4)/실리콘산화막(SiO2) 순으로 이루어진 적층막과; 상기 적층막의 상부에 접착력을 향상시키도록 형성된 접착층과; 상기 접착층의 상부에 형성되어 수소를 감지하고 가열 기능을 수행하도록 된 코일 형태의 백금히터와; 전극층이 증착되는 부분을 제외한 백금히터의 상부에 증착 형성되어 백금히터의 절연기능을 수행하는 절연층과; 상기 백금히터의 양단 끝 부분에 형성된 전극층과; 상기 절연층의 상부에 백금족 촉매를 알루미나 담체에 분산시켜 제작된 세라믹 촉매를 형성한 촉매층; 및 상기 실리콘기판과, 실리콘기판의 하부면에 차례로 형성된 실리콘산화막과 실리콘질화막이 건식 에칭되어 형성된 멤브레인부를 포함하여 이루어지는 검지소자를 구비하는 것을 특징으로 한다. Contact combustion hydrogen sensor of the present invention for solving the above problems is a silicon (Si) substrate; A laminated film formed on the upper surface of the silicon substrate and formed of a silicon oxide film (SiO 2 ) / silicon nitride film (Si 3 N 4 ) / silicon oxide film (SiO 2 ); An adhesive layer formed to improve adhesion to an upper portion of the laminated film; A platinum heater formed in an upper portion of the adhesive layer to sense hydrogen and perform a heating function; An insulation layer formed on the platinum heater other than the portion where the electrode layer is deposited to perform an insulation function of the platinum heater; Electrode layers formed at both ends of the platinum heater; A catalyst layer having a ceramic catalyst formed by dispersing a platinum group catalyst on an alumina carrier on the insulating layer; And a detection element including the silicon substrate, and a membrane portion formed by dry etching the silicon oxide film and the silicon nitride film sequentially formed on the lower surface of the silicon substrate.
이 때, 상기 실리콘산화막은 5000~9000Å의 두께로 형성되고, 상기 실리콘질 화막은 3000~6000Å의 두께로 형성되고, 상기 백금히터와 전극층은 1000~3000Å의 두께로 형성되고, 상기 접착층은 100~300Å의 두께로 형성되고, 상기 절연층은 2000~3500Å의 두께로 형성되며, 상기 멤브레인부는 16000~38000Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. At this time, the silicon oxide film is formed to a thickness of 5000 ~ 9000Å, the silicon nitride film is formed to a thickness of 3000 ~ 6000Å, the platinum heater and the electrode layer is formed to a thickness of 1000 ~ 3000Å, the adhesive layer is 100 ~ It is preferably formed to a thickness of 300Å, the insulating layer is formed to a thickness of 2000 ~ 35003, the membrane portion is preferably formed to a thickness of 16000 ~ 38000Å.
또한, 상기 수소센서는 상기 검지소자와, 검지소자의 구성에서 촉매층이 형성되어 있지 않은 구조로 된 보상소자가 칩-본딩(Chip Bonding)되어 하나의 패키지 내에 구성되는 것이 보다 바람직하다. In the hydrogen sensor, it is more preferable that the detector and the compensation device having a structure in which the catalyst layer is not formed in the configuration of the detector are chip-bonded and configured in one package.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 양상에 의하면, 본 발명의 접촉 연소식 수소센서 제조방법은 실리콘기판의 상부면과 하부면에 건식 산화방식으로 SiO2를 증착하여 제1실리콘산화막을 형성하는 제1단계와; 상기 제1단계에서 실리콘기판의 상부면에 형성된 제1실리콘산화막의 상부 및 실리콘기판의 하부면에 형성된 제1실리콘산화막의 하부에 실리콘질화막을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계에서 제1실리콘산화막의 상부에 형성된 실리콘질화막의 상부에 제2실리콘산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계에서 형성된 제2실리콘산화막의 상부에 접착층을 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 접착층의 상부에 백금히터를 형성하는 제5단계와; 상기 제5단계에서 형성된 백금히터를 덮도록 백금히터의 상부에 절연층을 형성하는 제6단계와; 상기 제5단계에서 형성된 백금히터의 양단 끝 부분에 전극층을 형성하는 제7단계와; 실리콘기판과, 상기 제1단계에서 실리콘기판의 하부면에 형성된 제1실리콘산화막과, 상기 제2단계에서 제1실리콘산화막의 하부에 형성된 실리콘질 화막을 건식 에칭하여 백에칭부를 형성하는 제8단계; 및 상기 제6단계에서 형성된 절연층의 상부에 백금족 촉매를 알루미나 담체에 분산시켜 세라믹 촉매층을 형성하는 제9단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. According to another aspect for solving the above problems, the method of manufacturing a contact combustion hydrogen sensor of the present invention is a first step of forming a first silicon oxide film by depositing SiO 2 on the upper and lower surfaces of the silicon substrate by dry oxidation method. Wow; Forming a silicon nitride film on an upper surface of the first silicon oxide film formed on the upper surface of the silicon substrate and a lower part of the first silicon oxide film formed on the lower surface of the silicon substrate in the first step; A third step of forming a second silicon oxide film on the silicon nitride film formed on the first silicon oxide film in the second step; A fourth step of forming an adhesive layer on the second silicon oxide film formed in the third step; A fifth step of forming a platinum heater on top of the adhesive layer formed in the fourth step; A sixth step of forming an insulating layer on the platinum heater to cover the platinum heater formed in the fifth step; A seventh step of forming electrode layers at both ends of the platinum heater formed in the fifth step; An eighth step of dry etching the silicon substrate, the first silicon oxide film formed on the lower surface of the silicon substrate in the first step, and the silicon nitride film formed on the lower part of the first silicon oxide film in the second step to form a back etching portion ; And a ninth step of forming a ceramic catalyst layer by dispersing the platinum group catalyst on the alumina carrier on the insulating layer formed in the sixth step.
청구항 4의 제1단계~제9단계에 의해 검지소자를 제조하는 단계와, Manufacturing the detection device by the first to ninth steps of
청구항 4의 제1단계~제8단계에 의해 보상소자를 제조하는 단계와, Manufacturing a compensation device by
상기 검지소자와 보상소자를 하나의 패키지 내에서 분리된 상태로 칩-본딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉 연소식 수소센서 제조방법. And chip-bonding the detection element and the compensation element in a separated state in one package.
또한 본 발명의 접촉 연소식 수소센서 제조방법은 상기 제1단계~제9단계에 의해 검지소자를 제조하는 단계와, 상기 제1단계~제8단계에 의해 보상소자를 제조하는 단계와, 상기 검지소자와 보상소자를 하나의 패키지 내에서 분리된 상태로 칩-본딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. In addition, the method of manufacturing a contact combustion hydrogen sensor of the present invention comprises the steps of manufacturing the detection element in the first to ninth step, the step of manufacturing the compensation element in the first to eighth step, and the detection And chip-bonding the device and the compensation device in a separated state in one package.
본 발명의 접촉 연소식 수소센서에 의하면, According to the contact combustion hydrogen sensor of the present invention,
첫째, 고분산된 세라믹 촉매를 이용함으로서 촉매의 성능효율이 향상되며, 이로 인해 수소센서의 감도특성이 향상되고 반응시간이 단축되는 효과를 얻을 수 있다. First, the performance of the catalyst is improved by using a highly dispersed ceramic catalyst, thereby improving the sensitivity characteristics of the hydrogen sensor and shortening the reaction time.
둘째, 실리콘기판(1)의 상부로 SiO2/Si3N4/SiO2 순으로 적층된 샌드위치 구조의 적층막을 형성함으로서 수소센서의 내구성이 강화되는 이점이 있다. Second, there is an advantage in that the durability of the hydrogen sensor is strengthened by forming a sandwich film of a sandwich structure stacked in the order of SiO 2 / Si 3 N 4 / SiO 2 on the silicon substrate 1.
셋째, 검지소자와 보상소자를 분리제작하여 칩-본딩에 의해 하나의 패키지 내에 형성함으로서 열 차폐의 효율성을 증대하여 수소센서의 응답 및 감도 특성을 향상시키는 효과가 있다. Third, since the detection element and the compensation element are separately manufactured and formed in one package by chip-bonding, the efficiency of heat shielding is increased to improve the response and sensitivity characteristics of the hydrogen sensor.
넷째, MEMS 기술을 적용함으로서 양산성이 용이하며, 저전력, 소형화가 가능하고, 낮은 가격으로 생산할 수 있는 장점이 있다. Fourthly, by applying MEMS technology, it is easy to mass-produce, low power, small size, and can be produced at a low price.
다섯째, 건식 에칭에 의하여 멤브레인부를 형성함으로서 에칭용액으로부터 생성되는 이온들을 제거하는 추가 공정이 추가 공정이 생략되며, 깔끔하게 공정을 수행할 수 있다. Fifth, an additional process of removing ions generated from the etching solution by forming the membrane portion by dry etching is omitted, and the process can be performed neatly.
이하에서는 첨부도면을 참고하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment according to the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉 연소식 수소센서의 평면도, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉 연소식 수소센서 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉 연소식 수소센서의 개략도이다. 1 is a plan view of a contact combustion hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a process cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a contact combustion hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is A schematic diagram of a catalytic combustion hydrogen sensor according to one embodiment.
우선, 본 발명의 접촉 연소식 수소센서(12)는 수소가스와 촉매층의 산화반응으로부터 발생되는 열에 의한 국부적인 온도차를 검지하여, 검지된 온도차로부터 수소가스의 절대적인 농도를 측정할 수 있도록 된 것이다. First, the contact
도 2의 (h), 도 2의 (i) 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 수소센서(12)는 실리콘기판(1)과, 적층막(2~4)과, 접착층(5)과, 백금히터(6)와, 절연층(7)과, 전극층(8) 및 멤브레인부(9)를 포함하여 이루어진 보상소자(12a)와; 상기 보상소자(12a)의 구성에 촉매층(10)이 부가되어 이루어진 검지소자(12b)가 칩-본딩(Chip-Bonding)되어 하나의 패키지 내에 포함되어 구성된다. As shown in FIG. 2 (h), FIG. 2 (i), and FIG. 3, the
본 발명의 접촉 연소식 수소센서(12)는 이하에서 상세히 설명될 검지소자(12b)만으로 이루어지는 것도 가능하나, 후술되는 바와 같이 외부 환경에 의한 변화 요소를 상쇄시키기 위해 촉매층(10)이 형성되지 않은 보상소자(12a)를 함께 구비하도록 하는 것이 바람직하다. The contact
먼저, 본 발명의 접촉 연소식 수소센서는 250~400㎛ 두께의 실리콘(Si)기판(1)이 구비되고, 상기 실리콘기판(1)의 상부면과 하부면에는 절연체인 SiO2가 도포된 제1실리콘산화막(2)이 형성된다. 이 때, 상기 제1실리콘산화막(2)의 두께는 5000~ 9000Å 범위 내인 것이 바람직하다. First, the contact combustion hydrogen sensor of the present invention is provided with a silicon (Si)
실리콘기판(1) 상부면에 형성된 제1실리콘산화막(2)의 상부와, 실리콘기판(1) 하부면에 형성된 제1실리콘산화막(2)의 하부에는 실리콘질화막(Si3N4)(3)이 형성된다. 상기 실리콘질화막(3)의 두께는 3000~6000Å 범위 내인 것이 바람직하다. A silicon nitride film (Si 3 N 4 ) 3 is disposed on the upper portion of the first
상기 실리콘산화막(2)의 상부에 형성된 실리콘질화막(3)의 상부에는 제2실리콘산화막(SiO2)(4)이 형성된다. 이 때, 상기 제2실리콘산화막(4)은 5000~9000Å 의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. A second silicon oxide film (SiO 2 ) 4 is formed on the
상기 제2실리콘산화막(4)의 상부에는 접착력을 향상시키기 위한 접착층(5)이 형성되는데, 상기 접착층(5)은 티타늄(Ti)으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 접착층은 백금히터의 약 1/10의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. An
상기 접착층(5)의 상부에는 백금(Pt)으로 형성되어 수소를 감지하고 가열 기능을 수행하는 백금히터(6)가 형성된다. 이 때, 백금히터(6)는 코일 형태로 형성되고, 두께는 1000~3000Å 인 것이 바람직하다. A
또한 전극층(8)이 증착되는 부분을 제외한 백금히터(6)의 상부에는 백금히터(6)의 절연기능을 수행하는 SiO2 절연층(7)이 형성된다. 상기 절연층(7)은 백금히터(6)와 촉매층(10)의 전기적 간섭을 막기 위한 것으로서 SiO2로 형성하는 것이 바람직하다. 또한 상기 절연층(7)의 두께는 2000~3500Å 로 형성되는 것이 바람직하다. In addition, SiO 2 performing an insulation function of the
상기 백금히터(6)의 양단 끝 부분에는 전극층(8)이 형성되며, 상기 전극층(8)의 두께는 백금히터(6)의 두께와 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 실리콘기판(1)과, 실리콘기판(1)의 하부면에 차례로 형성된 제1실리콘산화막(2)과 실리콘질화막(3)이 건식 에칭되어 멤브레인부(9)가 형성된다. 이 때, 상기 멤브레인부(9)는 16000~38000Å 의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. The
상기 절연층(7)의 상부에는 백금족 촉매를 알루미나 담체에 분산시켜 제작된 세라믹 촉매를 디스펜서에 의해 형성한 촉매층(10)이 형성된다. Above the insulating
백금족 촉매를 사용하는 것은 온도계수가 크고, 안정하여 응답특성이 개선되고, 적은 소비전력으로 높은 출력을 얻을 수 있기 때문이다. 이와 같은 백금족 촉매로는 백금(Pt)과 팔라듐(Pd) 등이 사용될 수 있다. The use of the platinum group catalyst is because the temperature coefficient is large and stable, the response characteristics are improved, and high output can be obtained with low power consumption. As such a platinum group catalyst, platinum (Pt) and palladium (Pd) may be used.
이와 같이 촉매층(10)이 형성됨으로서, 검지소자(12b)로 구성되는 접촉 연소식 수소센서(12)가 완성된다. As the
이하에서는 도 2를 참조하여 상술한 바와 같은 구조로 된 본 발명의 접촉 연소식 수소센서의 제조방법을 상세히 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a contact combustion hydrogen sensor of the present invention having a structure as described above with reference to FIG. 2 will be described in detail.
먼저, 도 2의 (a)와 (b)에 도시된 바와 같이, 백사이드 폴리싱(Back Side Polishing) 공정을 거쳐 250~400㎛ 범위의 두께를 가진 실리콘(Si)기판(1)을 구비한 상태에서 상기 실리콘기판(1)의 상, 하부 양면에 건식(Dry) 산화방식으로 제1실리콘산화막(SiO2)(2)을 5000~ 9000Å 범위의 두께로 형성한다. First, as shown in FIGS. 2A and 2B, a silicon (Si)
이어서, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(1)의 상부면에 형성된 제1실리콘산화막(2)의 상부와, 실리콘 기판(1)의 하부면에 형성된 제1실리콘산화막(2)의 하부에 실리콘 질화막(Si3N4)(3)을 3000~6000Å 범위의 두께로 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 2C, an upper portion of the first
다음으로, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이 실리콘기판(1)의 상부면에 형성된 제1실리콘산화막(2)의 상부에 형성된 실리콘질화막(3)의 상부에 제2실리콘산화막(SiO2)(4)을 5000~9000Å범위의 두께로 증착하여 형성한다. 이와 같이 하여 실리콘기판(1)의 상부로는 SiO2/Si3N4/SiO2 순으로 적층된 샌드위치 구조의 적층막이 형성된다. 이는 수소센서의 검지부가 벡에칭에 의해 멤브레인 구조가 될 때 수소센서의 내구성이 강화되도록 하는 구조체이다. Next, as shown in FIG. 2D, a second silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the
이어서, 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 적층막의 상부에는 백금히터(6)를 형성하기 전에 백금히터(6)와 실리콘 산화막(4)간의 접착력을 높이기 위해 티타늄(Ti)으로 이루어진 접착층(5)을 증착하여 형성하고, 상기 접착층(5)의 상부에는 백금(Pt)으로 된 백금히터(6)를 증착하여 형성한다. 이 때, 상기 백금히터(6)는 1000~3000Å 범위의 두께로 형성하고, 접착층(5)은 백금히터(6) 두께의 약 1/10 비율의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 백금히터(6)는 스퍼터링(Sputtering) 및 에바포레이터(Evaporator)를 사용하여 증착하고, ICP(Induc tively Coupled Plasma)를 이용하여 코일 형태로 패터닝할 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 2E, before the
다음으로, 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이, 백금히터(6)의 전기적 간섭을 차단하기 위해 백금히터(6)의 상부에 절연층(7)을 2000~3500Å두께로 증착하며, RIE(Reactive ion etching system) 장비에 의해 패터닝할 수 있다. 이 때, 상기 절연층(7)은 SiO2로 형성할 수 있다. 아울러, 상기 SiO2 절연막의 패터닝은 백금히터(6)를 모두 덮고, 금(Au)으로 된 전극층(8)이 증착될 부분만 노출되도록 함이 바람직하다.Next, as shown in (f) of FIG. 2, in order to block electrical interference of the
이후, 도 2의 (g)에 도시된 바와 같이, 백금히터(6)의 외부와의 직접적인 접촉을 막기 위해, 백금히터(6)의 양단 끝 부분에 금(Au)으로 이루어진 전극층(8)을 백금히터(6)와 동일한 두께로 증착 형성하여 ICP(Inductively Coupled Plasma)에 의해 패터닝한다. Thereafter, as shown in FIG. 2G, in order to prevent direct contact with the outside of the
이어서, 도 2의 (h)에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(1)과, 실리콘 기판(1)의 하부면에 형성된 실리콘 산화막(SiO2)과, 실리콘 질화막(Si3N4)을 건식(Dry) 방법으로 식각하여 멤브레인을 형성한다. 이 때, 상기 멤브레인부는 16000~38000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 용액에 넣어서 식각을 하는 습식방법에 의하지 않고 건식방법에 의하여 수소센서 제조 공정을 수행함으로서, 에칭용액으로부터 생성되는 이온들을 제거하는 추가 공정이 생략되며, 깔끔하게 공정을 수행할 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 2H, the
Deep RIE(Reactive ion etching system) 장비를 사용하여 실리콘기판(1)을 클린 에칭(Clean Etching)함으로써 실리콘기판(Substrate)과 패키지(Can Type Package) 사이의 열 전달이 최소화되며, 이로 인해 수소센서의 소비전력이 절감되고, 반응시간이 단축되며, 감도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다. Clean etching of the
마지막으로, 도 2의 (i)에 도시된 바와 같이, MEMS 공정을 통해 제작된 칩(Chip) 상에 수십~수백 나노 입자 크기의 알파-알루미나(α-alumina ; Al2O3) 담체에 수 나노 크기의 백금(Pt) 입자를 분산시킨 촉매를 함침법을 이용하여 제조한 후, 제조된 세라믹 촉매를 디스펜서를 이용하여 절연층(7) 상부에 촉매층(10)을 형성함으로서 수소센서의 제작이 완성된다. 이와 같이 알루미나 담체에 백금 입자를 분산시킴으로서 촉매의 성능효율이 향상되며, 이로 인해 수소센서의 감도특성이 향상되고 반응시간이 단축된다.Finally, as shown in (i) of FIG. 2, a number of nano-alumina (Al 2 O 3 ) carriers having a size of tens to hundreds of nanoparticles on a chip fabricated through a MEMS process may be used. After preparing a catalyst in which nano-sized platinum (Pt) particles are dispersed using an impregnation method, a manufactured hydrogen catalyst is formed by forming a
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉 연소식 수소센서의 개략도로서, 칩-본딩(Chip-Bonding)시 패키징(Packaging)된 수소센서를 나타낸다. 3 is a schematic diagram of a catalytic combustion hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention, which shows a hydrogen sensor packaged during chip-bonding.
일반적으로 가스센서는 가스를 검지하는 검지소자와 검지소자의 외부 환경에 의한 변화 요소를 상쇄시키는 보상소자로 이루어진다. 검지소자와 보상소자간의 열 차폐가 나쁠수록 수소 가스와 반응시 검지소자에서 발생하는 반응열이 보상소자로 많이 전달되며, 이는 센서의 불안정 및 저감도를 일으키는 요인으로 작용한다. In general, the gas sensor is composed of a detection element for detecting the gas and a compensation element for canceling the change element caused by the external environment of the detection element. The worse the heat shield between the detection element and the compensation element, the more heat of reaction generated from the detection element when reacted with hydrogen gas is transferred to the compensation element, which causes the instability and the sensitivity of the sensor.
상기한 바와 같은 제조방법에 의해 제작된 칩(Chip)은 단일 칩 내에 한 개의 히터 저항체만 구성되어 있어, 이것에 촉매를 형성하여 검지소자로 하였을 경우, 동일한 구조를 가진 별도의 칩을 보상소자로써 사용하여 한 센서 내에 두 개의 칩으로 분리하여 구성한다. 이와 같이 한 센서 내에 두 개의 칩으로 각 소자를 구성함으로서, 검지소자(12b)와 보상소자(12a)간의 열 차폐 효율이 증대되므로, 수소센서가 안정되며 감도특성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다. The chip manufactured by the manufacturing method as described above is composed of only one heater resistor in a single chip, and when a catalyst is formed thereon and a detection element is used, a separate chip having the same structure is used as a compensation element. Using two chips separated into one sensor. By configuring each element with two chips in one sensor as described above, since the heat shielding efficiency between the
본 발명의 수소센서는 용이하게 구현 가능하며, 대량 생산도 가능하므로 비용을 크게 낮출 수 있는 이점이 있다. 또한, 반도체 공정에서 성막공정에 대한 많은 개선이 이루어져 있으므로 정밀한 구조체 및 멤브레인 두께, 면적에 대한 재현성이 뛰어나 성능의 편차없는 수소센서를 생산할 수 있다.The hydrogen sensor of the present invention can be easily implemented, and mass production is also possible, which greatly lowers the cost. In addition, many improvements have been made to the film forming process in the semiconductor process, and thus it is possible to produce a hydrogen sensor without variation in performance due to excellent reproducibility of precise structure, membrane thickness, and area.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉 연소식 수소센서의 평면도. 1 is a plan view of a contact combustion hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉 연소식 수소센서 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도. Figure 2 is a process cross-sectional view for explaining a method for producing a catalytic combustion hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉 연소식 수소센서의 개략도. Figure 3 is a schematic diagram of a contact combustion hydrogen sensor according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols for the main parts of the drawings
1 : 실리콘기판 8a : 전선1:
2 : 제1실리콘산화막 9 : 멤브레인부2: first silicon oxide film 9: membrane portion
3 : 실리콘질화막 10 : 촉매층3: silicon nitride film 10: catalyst layer
4 : 제2실리콘산화막 11 : 전극4: second silicon oxide film 11: electrode
5 : 접착층 12 : 수소센서5
6 : 백금히터 12a : 보상소자6:
7 : 절연층 12b : 검지소자7
8 : 전극층8: electrode layer
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101481659B1 (en) * | 2013-02-28 | 2015-01-12 | 세종공업 주식회사 | Packaging structure of gas sensor |
| CN109932402A (en) * | 2019-04-23 | 2019-06-25 | 苏州纳格光电科技有限公司 | The preparation method of hot wire type gas sensors chip, sensor and sensor |
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2008
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101481659B1 (en) * | 2013-02-28 | 2015-01-12 | 세종공업 주식회사 | Packaging structure of gas sensor |
| CN109932402A (en) * | 2019-04-23 | 2019-06-25 | 苏州纳格光电科技有限公司 | The preparation method of hot wire type gas sensors chip, sensor and sensor |
| WO2022052392A1 (en) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | 苏州芯镁信电子科技有限公司 | Side-heating type silicon-based thin film catalytic hydrogen sensor and processing method therefor |
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