KR20100015029A - The organic light emitting diode and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to smoothly transfer an assistant layer for light leakage prevention to a light-emitting layer between an electron hole transfer layer and a light emitting layer. CONSTITUTION: An electron hole transfer layer transfers an electrode injected from a first electrode. A light-emitting layer(250) performs light emitting by energy discharge of exiton. A secondary layer(240) is formed between the electron hole transfer layer and the light-emitting layer and prevents light leakage by shutting the exiton in the light-emitting layer. An electron transfer layer(260) and a second electrode are successively formed on the top of the light-emitting layer.

Description

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법{THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Organic electroluminescent device and its manufacturing method {THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 정공의 원활한 수송과 발광 누설 방지를 위한 보조층이 구비된 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same provided with an auxiliary layer for smooth transport of holes and prevention of light leakage.

유기 전계 발광 소자(Organic Light Emitting Diode : OLED)는 전자 주입 전극(캐소드 전극)으로부터 주입된 전자(electron)와 정공 주입 전극(애노드 전극)으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 엑시톤(exiton)을 형성하고 그 엑시톤이 에너지를 방출하면서 발광하는 자체 발광형 소자이다.Organic Light Emitting Diodes (OLEDs) have an exciton in which electrons injected from an electron injection electrode (cathode electrode) and holes injected from a hole injection electrode (anode electrode) are combined in an emission layer. ) And its excitons emit light while emitting energy.

이와 같은 유기 전계 발광 소자는 낮은 구동 전압, 높은 휘도, 넓은 시야각 및 빠른 응답속도를 가지며 풀-컬러 평판 발광 디스플레이에 적용 가능하다는 이점 때문에 차세대 광원으로서 각광을 받고 있다.Such organic electroluminescent devices have been spotlighted as next-generation light sources because of their low driving voltage, high luminance, wide viewing angle and fast response speed, and their application to full-color flat panel light emitting displays.

도 1a 내지 도 1c는 종래의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.1A to 1C are diagrams for describing a conventional organic EL device.

먼저, 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자(100)는, 정공 수송층(130)과 발광층(150) 사이의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 준위 차이가 클 경우, 정공 수송층(130)으로부터 발광층(150)으로의 정공 수송이 어려우며, 이로 인해 정공 수송층(130)과 발광층(150) 사이의 계면에 정공의 축적이 발생되는 문제점이 있다.First, referring to FIGS. 1A and 1B, in the conventional organic EL device 100, when the difference between the highest Occupied Molecular Orbital (HOMO) energy level between the hole transport layer 130 and the light emitting layer 150 is large, the hole transport layer Hole transport from the 130 to the light emitting layer 150 is difficult, which causes a problem in that holes are accumulated at the interface between the hole transport layer 130 and the light emitting layer 150.

이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로, 도 1c에 도시된 바와 같이 정공 수송층(130)과 발광층(150) 사이에 장벽 완화층(140)을 형성하여 정공이 발광층(150)으로 수송될 때 장애가 되는 에너지 장벽을 최소화시켜 발광 효율을 향상시키는 방법이 개시되어 있다.As a method for solving this problem, as shown in FIG. 1C, a barrier mitigating layer 140 is formed between the hole transport layer 130 and the light emitting layer 150 to prevent energy from being impeded when holes are transported to the light emitting layer 150. A method of improving luminous efficiency by minimizing a barrier is disclosed.

그러나, 상기 장벽 완화층(140)은 단순히 정공의 수송을 돕는 역할만을 하기 때문에, 발광층(150)의 에너지 준위가 정공 수송층(130)의 에너지 준위 보다 낮을 경우, 발광층(150)에 있던 엑시톤들이 정공 수송층(130)로 누출되어 정공 수송층(130)에서도 발광이 일어나 색안정성이 떨어지거나 발광 효율이 낮아지는 문제점이 있다.However, since the barrier mitigation layer 140 merely serves to help transport holes, when the energy level of the light emitting layer 150 is lower than the energy level of the hole transport layer 130, excitons in the light emitting layer 150 may be holes. Leakage into the transport layer 130 causes light emission in the hole transport layer 130, thereby degrading color stability or lowering the luminous efficiency.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 정공의 원활한 수송 및 발광 누설 방지를 위한 보조층을 형성하여 유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 향상시키는 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to form an auxiliary layer for the smooth transport of holes and prevention of light emission leakage to improve the luminous efficiency of the organic EL device.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는, 제1 전극 상부에 형성되며 상기 제1 전극으로부터 주입된 정공을 수송하는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상부에 형성되며 엑시톤의 에너지 방출에 의해 발광이 이루어지는 발광층; 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 형성되며 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 원활하게 수송되도록 하면서 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 보조층; 및 상기 발광층의 상부에 순차적으로 형성되는 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the organic electroluminescent device according to the present invention comprises: a hole transport layer formed on the first electrode and transporting holes injected from the first electrode; An emission layer formed on the hole transport layer and emitting light by energy emission of exciton; An auxiliary layer formed between the hole transport layer and the light emitting layer to prevent leakage of light by trapping excitons in the light emitting layer while smoothly transporting holes from the hole transport layer to the light emitting layer; And an electron transport layer and a second electrode sequentially formed on the emission layer.

여기에서, 상기 보조층은, 상기 정공 수송층의 상부에 형성되며 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 원활하게 수송되도록 하는 정공 수송 보조층과, 상기 정공 수송 보조층의 상부에 형성되며 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층을 포함한다.Here, the auxiliary layer is formed on top of the hole transport layer and the hole transport auxiliary layer to smoothly transport holes from the hole transport layer to the light emitting layer, and formed on top of the hole transport auxiliary layer and excitons in the light emitting layer It includes a light emission auxiliary layer to confine the light emission leak.

　상기 발광 보조층의 삼중항 에너지밴드갭은 상기 발광층의 삼중항 에너지밴드갭 보다 큰 것이 바람직하다. 그리고, 상기 정공 수송 보조층 및 상기 발광 보조 층의 호스트는 상기 발광층의 호스트 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 정공 수송 보조층의 도펀트는 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.The triplet energy band gap of the light emitting auxiliary layer is preferably larger than the triplet energy band gap of the light emitting layer. The hole transport auxiliary layer and the host of the light emission auxiliary layer are preferably made of the same material as the host material of the light emitting layer, and the dopant of the hole transport auxiliary layer is formed of a material having a higher HOMO energy level than that of the host. desirable.

한편, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상부에 제1 전극 및 정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 정공 수송층 상부에 정공의 원활한 수송과 발광 누수 방지를 위한 보조층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 보조층의 상부에 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, in order to achieve the above object, a method of manufacturing an organic EL device according to the present invention, (a) sequentially forming a first electrode and a hole transport layer on the substrate; (b) forming an auxiliary layer on the hole transport layer to smoothly transport holes and prevent light leakage; And (c) sequentially forming a light emitting layer, an electron transporting layer, and a second electrode on the auxiliary layer.

여기에서, 상기 (b) 단계에서는, 상기 정공 수송층 상부에 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질을 도펀트로 사용하여 상기 발광층으로의 원활한 정공 수송을 위한 정공 수송 보조층을 형성하고, 상기 정공 수송 보조층 상부에 상기 정공 수송 보조층과 동일한 호스트 물질을 사용하여 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층을 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 정공 수송 보조층의 형성시, 호스트 물질로는 mCP를 사용하고 도펀트 물질로는 상기 mCP 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 Ir(2-phq)3를 3 중량 % 이내로 첨가하여 사용하는 것이 바람직하다.Here, in the step (b), by using a material having a higher HOMO energy level than the host as a dopant on the hole transport layer to form a hole transport auxiliary layer for smooth hole transport to the light emitting layer, the hole transport It is preferable to form an emission auxiliary layer that prevents light leakage by trapping excitons in the emission layer using the same host material as the hole transport auxiliary layer on the auxiliary layer. At this time, in forming the hole transport auxiliary layer, mCP is used as a host material and Ir (2-phq) 3 having a HOMO energy level higher than that of mCP is added to the dopant material within 3% by weight. It is preferable.

본 발명에 따르면, 정공 수송층과 발광층 사이에 형성된 보조층에 의하여 정공 수송층으로부터 발광층으로 정공이 보다 원활하게 수송되면서 엑시톤이 발광층 내에 가두어져 발광 누수가 방지되므로, 우수한 발광 효율을 갖는 유기 전계 발광 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since the excitons are confined in the light emitting layer to prevent light leakage due to the smooth transport of holes from the hole transporting layer to the light emitting layer by the auxiliary layer formed between the hole transporting layer and the light emitting layer, an organic electroluminescent device having excellent light emitting efficiency is obtained. There is an effect that can be implemented.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자(200)를 나타낸 도면이다.2 is a view showing an organic electroluminescent device 200 according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자(200)는, 기판(210), 제1 전극(220), 정공 수송층(230), 보조층(240), 발광층(250), 전자 수송층(260) 및 제2 전극(270)을 포함한다.2, the organic EL device 200 according to the present invention includes a substrate 210, a first electrode 220, a hole transport layer 230, an auxiliary layer 240, a light emitting layer 250, and an electron transport layer. 260 and the second electrode 270.

상기 보조층(240)은 정공 수송층(230)으로부터 발광층(250)으로 정공 수송이 보다 원활히 되도록 하는 정공 수송 보조층(240a)과, 발광층(250) 내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층(240b)으로 이루어져 있다.The auxiliary layer 240 is a hole transport auxiliary layer 240a for more smooth hole transport from the hole transport layer 230 to the light emitting layer 250, and a light emission auxiliary layer that traps excitons in the light emitting layer 250 to prevent light leakage. It consists of 240b.

즉, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자(200)는, 상기 정공 수송 보조층(240a)에 의하여 상기 정공 수송층(230)으로부터 상기 발광층(250)으로 정공이 보다 원활하게 수송되면서, 상기 발광 보조층(240b)에 의하여 엑시톤이 발광 층(250) 내에 가두어져 발광층(150)에서만 발광이 이루어지게 되므로, 우수한 발광 효율을 갖게 된다.That is, in the organic electroluminescent device 200 according to the present invention, holes are more smoothly transported from the hole transport layer 230 to the light emitting layer 250 by the hole transport auxiliary layer 240a. Since the exciton is confined in the light emitting layer 250 to emit light only in the light emitting layer 150 by 240b, it has excellent light emission efficiency.

도 3은 도 2에 도시된 유기 전계 발광 소자(200)의 에너지밴드 다이어그램을 나타낸 도면으로, 가는 점선은 삼중항 에너지밴드를 나타내며, 굵은 점선은 도펀트의 에너지밴드를 나타낸다.FIG. 3 is a diagram illustrating an energy band diagram of the organic electroluminescent device 200 illustrated in FIG. 2, wherein a thin dotted line represents a triplet energy band and a thick dotted line represents an energy band of a dopant.

도 3에 도시된 바와 같이, 발광 보조층(240b)의 삼중항 에너지밴드갭은 발광층(250)의 삼중항 에너지밴드갭 보다 크며, 이에 따라 발광층(250)의 엑시톤이 발광 보조층(240b)으로 누출되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 3, the triplet energy bandgap of the emission auxiliary layer 240b is larger than the triplet energy bandgap of the emission layer 250, and thus the excitons of the emission layer 250 are transferred to the emission auxiliary layer 240b. Leakage can be prevented.

또한, 상기 정공 수송 보조층(240a)의 도펀트는 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 가지며, 이러한 도펀트의 HOMO 에너지 준위에 의해 상기 정공 수송층(230)으로부터 상기 발광층(250)으로의 정공 수송이 보다 원활해진다. 여기에서, 상기 정공 수송 보조층(240a)의 에너지밴드갭은 2.0 내지 3.0 eV인 것이 바람직하다.In addition, the dopant of the hole transport auxiliary layer 240a has a higher HOMO energy level than the host, and hole transport from the hole transport layer 230 to the light emitting layer 250 is more smoothly due to the HOMO energy level of the dopant. Become. Here, the energy band gap of the hole transport auxiliary layer 240a is preferably 2.0 to 3.0 eV.

즉, 상기 정공 수송 보조층(240a)에 의하여 상기 정공 수송층(230)으로부터 발광층(250)으로 정공이 보다 원활하게 수송되는 한편, 상기 발광 보조층(240b)에 의하여 엑시톤이 발광층(250) 내에 가두어져 발광 누수가 방지된다. 이러한 정공의 원활한 수송 및 엑시톤의 가둠효과에 의해 유기 전계 발광 소자의 발광 효율이 향상되며, 그 결과가 도 4에 도시되어 있다.That is, holes are more smoothly transported from the hole transport layer 230 to the light emitting layer 250 by the hole transport auxiliary layer 240a, while excitons are confined within the light emitting layer 250 by the light emission auxiliary layer 240b. Luminous leakage is prevented. The light emission efficiency of the organic EL device is improved by the smooth transport of holes and the confinement of excitons, and the results are shown in FIG. 4.

도 4는 종래의 유기 전계 발광 소자, 장벽완화층이 형성된 종래의 유기 전계 발광 소자 및 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 발광 특성을 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing light emission characteristics of a conventional organic EL device, a conventional organic EL device having a barrier releasing layer, and an organic EL device of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 장벽완화층이 형성된 종래의 유기 전계 발광 소자는 장벽완화층이 형성되지 않은 경우와 비교하여 전류밀도가 거의 유사한 반면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 정공 수송 보조층(240a)의 도펀트의 HOMO 에너지 준위에 의해 정공의 수송이 보다 원활해지기 때문에 전류 밀도가 크게 증가하며 여기에 발광 누설 방지 효과가 더해져서 발광 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 4, the conventional organic electroluminescent device having the barrier releasing layer is almost similar in current density as compared with the case where the barrier releasing layer is not formed, whereas the organic electroluminescent device of the present invention has a hole transport auxiliary layer. The HOMO energy level of the dopant 240a facilitates the transport of holes, and thus, the current density is greatly increased, and the light emission leakage effect is added to the light emission efficiency.

이하, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 대하여 더 자세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic EL device according to the present invention will be described in more detail.

우선, 기판(210) 상에 제1 전극(220)을 형성한다. 여기에서, 상기 기판(210)으로는 투명성을 갖는 유리, 석영 또는 플럭서블 가능한 패널(예를 들면, 플라스틱, 금속박막) 등을 사용할 수 있으며, 상기 제1 전극(220)으로는 발광 형태(전면, 배면, 양면 발광)에 따라 여러 가지 전극 물질(투명 전극, 금속 전극)을 사용할 수 있다.First, the first electrode 220 is formed on the substrate 210. Here, the substrate 210 may be a transparent glass, quartz, or a flexible panel (eg, plastic, metal thin film), and the like, and the first electrode 220 may be a light emitting type (front surface). Various electrode materials (transparent electrodes, metal electrodes) can be used depending on the light emission from the back surface and the double-sided light emission.

이어서, 상기 제1 전극(220) 상에 제1 전극(220)으로부터 주입된 정공을 수송하는 정공 수송층(230)을 형성한다. 여기에서, 상기 정공 수송층(230)은 α-NPB(4,4' bis[N-(1-naphyl)-N-phenyl-amino] biphenyl)를 이용하여 35 nm 두께로 형성한다.Subsequently, a hole transport layer 230 for transporting holes injected from the first electrode 220 is formed on the first electrode 220. Here, the hole transport layer 230 is formed to a thickness of 35 nm using α-NPB (4,4 'bis [N- (1-naphyl) -N-phenyl-amino] biphenyl).

그 다음, 상기 정공 수송층(230) 상부에 정공의 원활한 수송 및 발광 누설 방지를 위한 보조층(240)을 형성하되, 먼저 정공의 원활한 수송을 위한 정공 수송 보조층(240a)을 5 nm의 두께로 형성한 후, 상기 정공 수송 보조층(240a) 상부에 발 광 누설 방지를 위한 발광 보조층(240b)을 5 nm의 두께로 형성한다.Subsequently, an auxiliary layer 240 is formed on the hole transport layer 230 to smoothly transport holes and prevent light leakage. First, the hole transport auxiliary layer 240a for smooth transport of holes is 5 nm thick. After the formation, the light emission auxiliary layer 240b for preventing light leakage is formed on the hole transport auxiliary layer 240a to a thickness of 5 nm.

이 때, 상기 정공 수송 보조층(240a)의 호스트로는 mCP를 사용하며, 도펀트로는 호스트로 사용된 mCP 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질(Ir(2-phq)3)을 소량(3 중량 % 이내) 사용한다. 그리고, 상기 발광 보조층(240b)의 호스트 물질로는 상기 정공 수송 보조층(240a)과 동일한 mCP를 사용한다.In this case, mCP is used as a host of the hole transport auxiliary layer 240a, and a small amount of material (Ir (2-phq) 3) having a higher HOMO energy level than mCP used as a host is used as a dopant (3). By weight). In addition, the same mCP as the hole transport auxiliary layer 240a is used as the host material of the light emission auxiliary layer 240b.

다음으로, 상기 보조층(240)의 상부에 발광층(250)을 1 내지 100 ㎚의 두께로 형성한다. 여기에서, 상기 발광층(250)은 상기 보조층(240)에 사용된 mCP를 호스트로 하여 청색 도펀트(Firpic(iridium(III)bis(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2')picolinate))의 농도를 10%, 오렌지색 도펀트(Bt2Ir(acac)(bis(2-phenylbenxothiozolato-N,C2')iridium(III)(acetylacetonate))의 농도를 0.5 %로 하여 15 nm 두께로 형성한다.Next, the emission layer 250 is formed on the auxiliary layer 240 to a thickness of 1 to 100 nm. Here, the light emitting layer 250 is a blue dopant (Firpic (iridium (III) bis (4,6-difluorophenyl) -pyridinato-N, C2 ′) picolinate) using mCP used for the auxiliary layer 240 as a host. 10 nm and orange dopant (Bt2Ir (acac) (bis (2-phenylbenxothiozolato-N, C2 ') iridium (III) (acetylacetonate)) at a concentration of 0.5% to form 15 nm thick.

그 다음, 발광층(250)의 상부에 Bphen(bathocuproine(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)를 이용하여 50 nm 두께의 전자 수송층(260)을 형성한 후, 전자 수송층(260)의 상부에 제 2 전극(270)을 형성한다. 여기에서, 상기 제 2 전극(280) 역시 제1 전극(220)과 마찬가지로 발광 형태에 따라 다양한 재질의 도전 물질을 이용하여 형성할 수 있다. Next, the electron transport layer 260 having a thickness of 50 nm is formed on the light emitting layer 250 using Bphen (bathocuproine (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)). A second electrode 270 is formed on the transport layer 260. Here, the second electrode 280, like the first electrode 220, may be formed using a conductive material of various materials depending on the light emission type. Can be.

따라서, 이와 같은 공정을 거쳐 제조된 유기 전계 발광 소자는 정공 수송 보조층(240a)에 의하여 정공 수송층(230)으로부터 발광층(250)으로 정공이 보다 원활하게 수송되는 한편, 발광 보조층(240b)에 의하여 엑시톤이 발광층(250) 내에 가두 어져 발광 누수가 방지되므로 우수한 발광 효율을 갖게 된다.Therefore, the organic electroluminescent device manufactured through the above process is transported more smoothly from the hole transport layer 230 to the light emitting layer 250 by the hole transport auxiliary layer 240a, while the light emitting auxiliary layer 240b. As a result, excitons are confined in the light emitting layer 250 to prevent light leakage and thus have excellent light emission efficiency.

도 1a 내지 도 1c는 종래의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.1A to 1C are diagrams for describing a conventional organic EL device.

도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자를 나타낸 도면이다.2 is a view showing an organic EL device according to the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 유기 전계 발광 소자의 에너지밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating an energy band diagram of the organic EL device illustrated in FIG. 2.

도 4는 종래의 유기 전계 발광 소자, 장벽완화층이 형성된 종래의 유기 전계 발광 소자 및 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 발광 특성을 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing light emission characteristics of a conventional organic EL device, a conventional organic EL device having a barrier releasing layer, and an organic EL device of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110, 210 : 기판110, 210: Substrate

120, 220 : 제1 전극(양극)120, 220: first electrode (anode)

130, 230 : 정공 수송층130, 230: hole transport layer

140 : 장벽 완화층140: barrier mitigating layer

240 : 보조층240: auxiliary layer

240a : 정공 수송 보조층240a: hole transport auxiliary layer

240b : 발광 보조층240b: light emission auxiliary layer

150, 250 : 발광층150, 250: light emitting layer

160, 260 : 전자수송층160, 260: electron transport layer

170, 270 : 제2 전극(음극)170 and 270: second electrode (cathode)

Claims (11)

제1 전극 상부에 형성되며 상기 제1 전극으로부터 주입된 정공을 수송하는 정공 수송층;A hole transport layer formed on the first electrode and transporting holes injected from the first electrode; 상기 정공 수송층 상부에 형성되며 엑시톤의 에너지 방출에 의해 발광이 이루어지는 발광층;An emission layer formed on the hole transport layer and emitting light by energy emission of exciton; 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 형성되며, 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 원활하게 수송되도록 하면서 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 보조층; 및An auxiliary layer formed between the hole transporting layer and the light emitting layer to prevent light leakage by trapping excitons in the light emitting layer while smoothly transporting holes from the hole transporting layer to the light emitting layer; And 상기 발광층의 상부에 순차적으로 형성되는 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.An organic electroluminescent device comprising an electron transport layer and a second electrode sequentially formed on the light emitting layer. 제 1항에 있어서, 상기 보조층은,The method of claim 1, wherein the auxiliary layer, 상기 정공 수송층의 상부에 형성되며, 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 원활하게 수송되도록 하는 정공 수송 보조층; 및A hole transport auxiliary layer formed on the hole transport layer and configured to smoothly transport holes from the hole transport layer to the light emitting layer; And 상기 정공 수송 보조층의 상부에 형성되며, 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.And an emission auxiliary layer formed on an upper portion of the hole transport auxiliary layer and confining excitons in the emission layer to prevent leakage of light. 　 제 2항에 있어서, 상기 발광 보조층의 삼중항 에너지밴드갭은 상기 발광층의 삼중항 에너지밴드갭 보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the triplet energy band gap of the light emitting auxiliary layer is larger than the triplet energy band gap of the light emitting layer. 제 2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 정공 수송 보조층 및 상기 발광 보조층의 호스트는 상기 발광층의 호스트 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.And the host of the hole transport auxiliary layer and the light emitting auxiliary layer are formed of the same material as the host material of the light emitting layer. 제 2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 정공 수송 보조층의 도펀트는 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The dopant of the hole transport auxiliary layer is an organic electroluminescent device, characterized in that made of a material having a higher HOMO energy level value than the host. (a) 기판 상부에 제1 전극 및 정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계;(a) sequentially forming a first electrode and a hole transport layer on the substrate; (b) 상기 정공 수송층 상부에 정공의 원활한 수송과 발광 누수 방지를 위한 보조층을 형성하는 단계; 및(b) forming an auxiliary layer on the hole transport layer to smoothly transport holes and prevent light leakage; And (c) 상기 보조층의 상부에 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.(c) sequentially forming a light emitting layer, an electron transporting layer, and a second electrode on the auxiliary layer. 제 6항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,The method of claim 6, wherein in step (a), α-NPB(4,4'-bis[N-(1-naphyl)-N-phenyl-amino] biphenyl)를 이용하여 상기 정공 수송층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.A method of manufacturing an organic electroluminescent device, wherein the hole transport layer is formed by using α-NPB (4,4'-bis [N- (1-naphyl) -N-phenyl-amino] biphenyl). 제 6항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,The method of claim 6, wherein in step (b), 상기 정공 수송층 상부에 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질을 도펀트로 사용하여 상기 발광층으로의 원활한 정공 수송을 위한 정공 수송 보조층을 형성하는 제1 단계; 및Forming a hole transport auxiliary layer for smooth hole transport to the light emitting layer by using a material having a higher HOMO energy level than the host as a dopant on the hole transport layer; And 상기 정공 수송 보조층 상부에 상기 정공 수송 보조층과 동일한 호스트 물질을 사용하여 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층을 형성하는 제2 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.And forming a light emission auxiliary layer on the hole transport auxiliary layer using the same host material as the hole transport auxiliary layer to trap excitons in the light emitting layer to prevent light leakage. Method of manufacturing the device. 제 8항에 있어서, 상기 제1 단계에서,The method of claim 8, wherein in the first step, 호스트 물질로 mCP를 사용하고, 도펀트 물질로 상기 mCP 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 Ir(2-phq)3를 3 중량 % 이내로 첨가하여 상기 정공 수송 보조 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.Organic electroluminescence using mCP as a host material and Ir (2-phq) 3 having a higher HOMO energy level than mCP as a dopant material is added within 3% by weight to form the hole transport auxiliary layer. Method of manufacturing the device. 제 8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 정공 수송 보조층 및 상기 발광 보조층을 5 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.The hole transport auxiliary layer and the light emitting auxiliary layer to form a thickness of 5 nm manufacturing method of the organic electroluminescent device. 제 6항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,The method of claim 6, wherein in step (c), 상기 보조층에 사용된 호스트 물질에 도펀트를 소정 농도로 첨가하여 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.And a dopant is added to the host material used in the auxiliary layer at a predetermined concentration to form the light emitting layer.
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