KR20100008558A - Solar cell having infrared reflecting layers - Google Patents

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임진성
서지윤
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Abstract

PURPOSE: A solar cell with an infrared blocking film is provided to prevent thermal damage to a solar cell body by arranging an infrared blocking film on a light incident surface. CONSTITUTION: A solar cell body(100) converts electric energy into the solar energy. A solar cell body includes an amorphous silicon layer, a transparent electrode, and a rear electrode. A transparent electrode is formed on one side of the amorphous silicon layer. The rear electrode is formed on the other side of the amorphous silicon layer. An infrared blocking film(200) is arranged on the incident surface of the solar cell body. The infrared blocking film blocks the sunlight of the infrared wavelength. The infrared blocking film is comprised of one or plurality of layers.

Description

적외선 차단막을 구비한 태양전지 {SOLAR CELL HAVING INFRARED REFLECTING LAYERS} SOLAR CELL HAVING INFRARED REFLECTING LAYERS

본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 태양광 중 열을 발생하는 적외선 파장대를 차단하여 태양전지가 열에 의해 손상되는 것을 최소화할 수 있는 적외선 차단막을 구비한 태양전지에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell, and more particularly, to a solar cell having an infrared blocking film that can block the infrared wavelength band that generates heat in the sunlight to minimize damage to the solar cell by heat.

현재 화석 연료의 고갈로 인한 에너지 문제 및 연료 연소시 발생되는 환경오염 문제 등을 대응하기 위해 대체에너지 개발이 활발하게 진행되고 있다. 특히, 태양광 에너지를 이용한 대체에너지 개발방법의 하나로 태양광 산업이 날로 발전되고 있고, 태양광 산업의 중요 요소 중 하나인 태양전기의 개발이 가속되고 있다. Currently, development of alternative energy is actively progressed to cope with energy problems caused by exhaustion of fossil fuels and environmental pollution caused by fuel combustion. In particular, the solar industry is being developed as one of alternative energy development methods using solar energy, and the development of solar electricity, which is one of the important elements of the solar industry, is being accelerated.

태양전지는 무한한 청정에너지인 태양광 에너지를 광기전력효과(Photo-voltaic Effect)를 이용해서 전기적 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다. Solar cells are semiconductor devices that convert solar energy, which is infinitely clean energy, into electrical energy using a photovoltaic effect.

이러한 태양전지는 단결정 실리콘 태양전지, 다결정 실리콘 태양전지 및 비정질 실리콘 태양전지 등으로 구분되고, 이 중 비정질 실리콘 태양전지는 결정질 실리콘 태양전기에 비해 효율이 떨어지지만 플라즈마 CVD법으로 제조하기 때문에 대량 생산이 가능하고, 200℃ 정도의 저온에서 제조하여 에너지 소비량이 낮은 장점이 있기 때문에 현재 개발이 활발하게 진행되고 있다. These solar cells are classified into monocrystalline silicon solar cells, polycrystalline silicon solar cells, and amorphous silicon solar cells. Among these, amorphous silicon solar cells are less efficient than crystalline silicon solar cells, but are manufactured by plasma CVD, so mass production is difficult. It is possible to manufacture at a low temperature of about 200 ℃ because of the advantage of low energy consumption is currently being actively developed.

하지만, 기존의 태양전지는 태양광 에너지가 직접 가해지기 때문에 태양광 중 열이 발생하는 적외선 파장대에 의해 태양전기에 열이 가해지고, 이 태양열로 인하여 태양전지의 수명을 단축시키는 문제점이 있다. However, the conventional solar cell is directly applied to the solar energy, the heat is applied to the solar electricity by the infrared wavelength band that generates heat in the sunlight, there is a problem that shortens the life of the solar cell due to this solar heat.

본 발명의 목적은 태양전지에 적외선 차단막을 구비하여 태양광 중 열을 발생시키는 근외선 파장대를 차단하여 태양전지의 열적 데미지를 최소화하고, 태양전지의 수명을 연장할 수 있는 태양전지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a solar cell having an infrared blocking film in a solar cell to block near-infrared wavelength bands that generate heat during solar light, thereby minimizing thermal damage of the solar cell and extending the life of the solar cell. .

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 태양전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 태양전지 본체와, 태양전지 본체의 태양광이 입사되는 표면에 설치되어 태양광 중 적외선 파장대를 차단시키는 적외선 차단막을 포함한다.In order to achieve the above object, the solar cell of the present invention is installed on the solar cell body for converting the solar energy into electrical energy, and the infrared ray to block the infrared wavelength band of the solar light is installed on the surface of the solar light incident A barrier film.

적외선 차단막은 태양전지 본체의 표면에 설치되는 투명기판의 표면에 형성되는 것을 특징으로 한다. The infrared blocking film is formed on the surface of the transparent substrate installed on the surface of the solar cell body.

적외선 차단막은 상기 투명기판의 표면에 적층되는 TiO2층과, 상기 TiO2층의 표면에 적층되는 Ag층과, 상기 Ag층의 표면에 적층되는 Ti층과, 상기 Ti층의 표면에 적층되는 TiO2층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.The infrared blocking film is a TiO 2 layer laminated on the surface of the transparent substrate, an Ag layer laminated on the surface of the TiO 2 layer, a Ti layer laminated on the surface of the Ag layer, and a TiO laminated on the surface of the Ti layer. It is characterized by consisting of two layers.

태양전지 본체는 불순물을 도핑한 P형층 및 n형층 사이에 불순물을 함유하지 않은 i형이 구비되는 비정질 실리콘층과, 비정질 실리콘층의 일측면에 적층되는 투명전극과, 비정질 실리콘의 타측면에 적층되는 이면전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The solar cell body includes an amorphous silicon layer including an i-type containing no impurities between a P-type layer and an n-type layer doped with impurities, a transparent electrode laminated on one side of the amorphous silicon layer, and a second side of the amorphous silicon. Characterized in that it comprises a back electrode.

상기한 구성에 따르면, 본 발명은 태양전지의 본체의 태양광이 입사되는 표면에 적외선 차단막을 구비하여 태양광 중 열을 발생시키는 적외선 파장대를 차단하여 태양전지 본체를 열적 데미지로부터 보호하고, 태양전지의 수명을 연장할 수 있는 장점이 있다. According to the above configuration, the present invention is provided with an infrared ray blocking film on the surface of the solar cell of the main body of the solar cell to block the infrared wavelength band that generates heat in the solar cell to protect the solar cell body from thermal damage, the solar cell It has the advantage of prolonging its life.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 태양전지 본체(100)와, 이 태양전지 본체(100)의 태양광이 입사되는 면쪽 에 배치되어 태양광 중 적외선 파장대를 차단하여 태양전지 본체(100)가 태양광의 열에 의해 손상되는 것을 방지하는 적외선 차단막(200)을 포함한다. The solar cell according to an embodiment of the present invention is disposed on the solar cell body 100 for converting solar energy into electrical energy, and the side of the solar light incident on the solar cell body 100 is incident to the infrared wavelength band of the sunlight By blocking the solar cell body 100 includes an infrared blocking film 200 to prevent the damage by the heat of sunlight.

본 실시예에 따른 태양전지 본체(100)는 도 2에 도시된 바와 같이, 불순물을 도핑한 P형층(110) 및 n형층(130) 사이에 불순물을 함유하지 않은 i형(120)이 구비되는 비정질 실리콘층(140)과, 이 비정질 실리콘층(140)의 일측면에 적층되는 투명전극(150)과, 비정질 실리콘(140)의 타측면에 적층되는 이면 전극(160)으로 구성된다.As shown in FIG. 2, the solar cell body 100 according to the present exemplary embodiment includes an i-type 120 containing no impurities between the P-type layer 110 and the n-type layer 130 doped with impurities. An amorphous silicon layer 140, a transparent electrode 150 stacked on one side of the amorphous silicon layer 140, and a back electrode 160 stacked on the other side of the amorphous silicon 140 are formed.

여기에서, 투명전극(150)은 광이 p형층(110)으로 입사되므로 p형층(110)의 표면에 적층되고, 도전성과 투명성을 갖는 TCO(Transparent Conductive Oxide) 필름이나 ITO 필름이 적용될 수 있다. 그리고, 이면전극(160)은 입사광 중 일부는 비정질 실리콘층에서 흡수되지 않고 통과하므로 반사율이 좋은 Ag 또는 금으로 형성되어 빛을 다시 비정질 실리콘층으로 반사시킨다. Herein, since the light is incident on the p-type layer 110, the transparent electrode 150 may be stacked on the surface of the p-type layer 110, and a transparent conductive oxide (TCO) film or an ITO film having conductivity and transparency may be applied. Since the back electrode 160 passes through some of the incident light without being absorbed by the amorphous silicon layer, the back electrode 160 is formed of Ag or gold having good reflectivity to reflect light back to the amorphous silicon layer.

본 실시예는 태양전지 본체로 비정질 실리콘 태양전지에 대해 설명하고 있지만, 이는 태양전지의 하나의 예로 설명하는 것이고, 비정질 실리콘 태양전지 이외에 단결정 실리콘 태양전지, 다결정 실리콘 태양전지 등 어떠한 형태의 태양전지도 적용이 가능하다. This embodiment describes an amorphous silicon solar cell as a solar cell body, but this is described as an example of a solar cell, and any type of solar cell such as a monocrystalline silicon solar cell or a polycrystalline silicon solar cell in addition to an amorphous silicon solar cell is also described. Application is possible.

적외선 차단막(200)은 태양광 중 열을 발생시키는 파장대인 적외선 파장대를 반사시켜 태양전지 본체(100)에 가해지는 열적 데미지를 최소화하기 위한 것으로, 태양광이 입사되는 태양전지 본체(100)의 일측에 부착되는 투명기판(210)의 표면에 형성된다. The infrared ray blocking layer 200 reflects an infrared wavelength band, which is a band generating heat among sunlight, to minimize thermal damage to the solar cell body 100, and one side of the solar cell body 100 to which sunlight is incident. It is formed on the surface of the transparent substrate 210 attached to.

여기에서, 투명기판(210)은 태양전지 본체(100)를 보호하는 보호판 역할을 할 수 있고, 투명한 유리재질로 형성될 수 있고, 투명한 플라스틱 재질 등으로 형성될 수 있다. 즉, 투명기판(210)은 적외선 차단막(200)을 그 표면에 형성할 수 있고 투명성을 갖는 어떠한 재질 및 형태도 적용이 가능하다. Herein, the transparent substrate 210 may serve as a protective plate for protecting the solar cell body 100, may be formed of a transparent glass material, or may be formed of a transparent plastic material. That is, the transparent substrate 210 may form the infrared blocking film 200 on its surface, and any material and shape having transparency may be applied.

일 실시예에 따른 적외선 차단막(200)는 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 층이 적층되는 적층막 형태로 형성되고, TiO2와 Ag가 반복하여 적층되는 구조이고, 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다. 보다 상세하게 설명하면, 적외선 차단막(200)의 하나의 층을 살펴보면, 투명기판(210)의 표면에 적층되는 TiO2층(310)과, 이 TiO2층(310)의 표면에 적층되는 Ag층(320)과, 이 Ag층(320)의 표면에 적층되는 Ti층(330)과, 이 Ti층(330)의 표면에 적층되는 TiO2층(340)으로 구성된다. As shown in FIG. 3, the infrared blocking film 200 according to an embodiment has a structure in which a plurality of layers are stacked, a structure in which TiO 2 and Ag are repeatedly stacked, and may be configured as a single layer or a multilayer. Can be. In more detail, when looking at one layer of the infrared blocking film 200, the TiO 2 layer 310 stacked on the surface of the transparent substrate 210, and the Ag layer laminated on the surface of the TiO 2 layer 310 And a Ti layer 330 stacked on the surface of the Ag layer 320 and a TiO 2 layer 340 stacked on the surface of the Ti layer 330.

여기에서, TiO2층(310)은 산소 및 투명기판의 오염으로부터 Ag층(320)을 보호하기 위한 층이고, Ag층(320)은 전극으로 사용이 가능한 층이고, Ti층(330)은 Ag층(320)을 보호하기 위한 층이고, TiO2층(340)은 광학 투과스펙트럼을 보정하는 층이다. Here, the TiO 2 layer 310 is a layer for protecting the Ag layer 320 from contamination of oxygen and the transparent substrate, the Ag layer 320 is a layer that can be used as an electrode, and the Ti layer 330 is Ag The layer 320 is for protecting the layer 320, and the TiO 2 layer 340 is a layer for correcting an optical transmission spectrum.

아래 표 1은 일예로서, 4층 구조일 경우를 나타낸 것으로, 표 1에 나타낸 바와 같이, 적외선 차단막의 층착순서는 먼저 투명기판(210)의 표면에 TiO2층(310)을 증착시키고, TiO2층(310)의 표면에 Ag층(320)을 증착시키고, Ag층(320)의 표면에 Ti 층(330)을 증착시키고, Ti층(330)의 표면에 TiO2층(340)을 증착시킨다. 그리고, 적외선 차단막이 복층 구조일 경우 위의 증착순서와 동일한 증착 순서대로 반복 증착시킨다. Table 1 below shows an example in the case of a four-layer structure, and as shown in Table 1, the deposition order of the infrared blocking film is first deposited with a TiO 2 layer 310 on the surface of the transparent substrate 210, TiO 2 The Ag layer 320 is deposited on the surface of the layer 310, the Ti layer 330 is deposited on the surface of the Ag layer 320, and the TiO 2 layer 340 is deposited on the surface of the Ti layer 330. . In addition, when the infrared blocking film has a multilayer structure, it is repeatedly deposited in the same deposition order as the above deposition order.

TiO2층(310)의 증착 시간은 12분 30초 정도가 바람직하고, 두께는 30nm 정도가 바람직하다. 그리고, Ag층(320)의 증착시간은 30초 정도가 바람직하고, 두께는 10nm 정도가 바람직하다. 그리고, Ti층(330)의 증착시간은 12초 정도가 바람직하고, 두께는 0.51nm 정도가 바람직하다. 그리고, TiO2층(340)의 증착 시간은 12분 30초 정도가 바람직하고, 두께는 30nm 정도가 바람직하다. The deposition time of the TiO 2 layer 310 is preferably about 12 minutes and 30 seconds, and preferably about 30 nm in thickness. The deposition time of the Ag layer 320 is preferably about 30 seconds, and preferably about 10 nm in thickness. The deposition time of the Ti layer 330 is preferably about 12 seconds, and preferably about 0.51 nm in thickness. In addition, the deposition time of the TiO 2 layer 340 is preferably about 12 minutes and 30 seconds, and preferably about 30 nm in thickness.

여기에서, 적외선 차단막(200)이 복수의 층으로 적층될 경우 TiO2층(310)과 TiO2층(340)이 도면 및 표 1에서 구분되어 표시된 것은 복수의 층이 적층되는 것을 보여주기 위한 것이고, 실제 제조시 TiO2층(310)과 TiO2층(340)은 하나의 층으로 형성된다. 즉, 서로 인접하는 TiO2층(310)과 TiO2층(340)이 두께 60nm로 하여 하나의 층으로 형성된다. Here, when the infrared blocking film 200 is stacked in a plurality of layers, the TiO 2 layer 310 and the TiO 2 layer 340 are separately shown in the drawings and Table 1 to show that the plurality of layers are stacked. In actual production, the TiO 2 layer 310 and the TiO 2 layer 340 are formed as one layer. That is, the TiO 2 layer 310 and the TiO 2 layer 340 adjacent to each other are formed as one layer with a thickness of 60 nm.

이와 같이 구성되는 적외선 차단막(200)은 단층 또는 다층으로 구성될 수 있고, 2 층으로 적층될 경우 구성될 때 가장 좋은 특성을 발휘할 수 있다. The infrared blocking film 200 configured as described above may be composed of a single layer or a multilayer, and may exhibit the best characteristics when the infrared blocking layer 200 is stacked in two layers.

표 1Table 1

증착순서Deposition order 층 layer RF 출력     RF output 증착 시간   Deposition time 두께      thickness 1One TiO2층TiO 2 Layer 300W300 W 12분 30초12 minutes 30 seconds 30nm30 nm 2 2 Ag층Ag layer 100W100 W 5초5 sec 10nm10 nm 33 Ti층Ti layer 100W100 W 12초12 seconds 0.51nm0.51 nm 44 TiO2층TiO 2 Layer 300W300 W 12분 30초12 minutes 30 seconds 30nm30 nm 55 TiO2층TiO 2 Layer 300W300 W 12분 30초12 minutes 30 seconds 30nm30 nm 66 Ag층Ag layer 100W100 W 5초5 sec 10nm10 nm 77 Ti층Ti layer 100W100 W 12초12 seconds 0.51nm0.51 nm 88 TiO2층TiO 2 Layer 300W300 W 12분 30초12 minutes 30 seconds 30nm30 nm 99 TiO2층TiO 2 Layer 300W300 W 12분 30초12 minutes 30 seconds 30nm30 nm 1010 Ag층Ag layer 100W100 W 5초5 sec 10nm10 nm 1111 Ti층Ti layer 100W100 W 12초12 seconds 0.51nm0.51 nm 1212 TiO2층TiO 2 Layer 300W300 W 12분 30초12 minutes 30 seconds 30nm30 nm 1313 TiO2층TiO 2 Layer 300W300 W 12분 30초12 minutes 30 seconds 30nm30 nm 1414 Ag층Ag layer 100W100 W 5초5 sec 10nm10 nm 1515 Ti층Ti layer 100W100 W 12초12 seconds 0.51nm0.51 nm 1616 TiO2층TiO 2 Layer 300W300 W 12분 30초12 minutes 30 seconds 30nm30 nm

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 적외선 차단막을 나타낸 단면도로서, 위에서 설명한 일 실시예의 적외선 차단막에 태양광 중 가시광선 영역의 빛을 최대한 투과시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 반사 방지층(400)이 추가되는 구조를 갖는다.4 is a cross-sectional view illustrating an infrared ray blocking film according to a second exemplary embodiment of the present invention, wherein the infrared ray blocking film according to an embodiment of the present invention transmits the light in the visible light region of the sunlight to the maximum to improve the efficiency of the solar cell The prevention layer 400 has a structure added.

여기에서, 반사 방지층(400)은 적외선 차단막 중 최외층에 위치되는 층의 표면에 적층되어 태양광의 반사를 줄여서 태양전지의 표면으로 가시광선 영역의 빛을 최대한 전달하여 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있도록 한다.Here, the anti-reflection layer 400 is laminated on the surface of the layer located in the outermost layer of the infrared blocking film to reduce the reflection of sunlight to maximize the light in the visible region to the surface of the solar cell to improve the efficiency of the solar cell. Make sure

이러한 반사 방지층(400)을 형성하기 위해 적외선 반사막의 표면에 반사방지 기능을 가진 막을 도포, 인쇄, 또는 각종 막형성법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 반사방지 기능을 가진 막이 형성된 투명성형물 또는 반사방지 기능을 가진 투명성형물을 임의의 투명한 점착제 또는 접착제를 개재해서 적외선 반사막의 표면에 붙 임으로써 형성할 수 있다. In order to form the antireflection layer 400, a film having an antireflection function may be formed on the surface of the infrared reflecting film by coating, printing, or various film forming methods. In addition, the transparent molded article having an antireflective function or the transparent molded article having an antireflective function can be formed by adhering to the surface of the infrared reflecting film via any transparent adhesive or adhesive.

도 5는 본 발명에 따른 적외선 차단막의 각 층별 차단율을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing the blocking rate of each layer of the infrared blocking film according to the present invention.

도 5의 그래프에 나타낸 바와 같이, 적외선 차단막을 태양전지의 표면에 형성할 경우 1000nm 이상의 적외선 파장대의 반사율이 증가되어 태양전지의 열에 의한 데미지를 최소화할 수 있게 된다. As shown in the graph of FIG. 5, when the infrared blocking film is formed on the surface of the solar cell, the reflectance of the infrared wavelength band of 1000 nm or more is increased, thereby minimizing damage caused by the heat of the solar cell.

그래프에서, 선(A)는 적외선 차단막이 단층일 경우 적외선 파장대의 반사율을 나타낸 것이고, 선(B)는 적외선 차단막이 2층일 경우 적외선 파장대의 반사율을 나타낸 것이고, 선(C)는 적외선 차단막이 3층일 경우 적외선 파장대의 반사율을 나타낸 것이고, 선(D)는 적외선 차단막이 4층일 경우 적외선 파장대의 반사율을 나타낸 것이다. 그래프에 나타낸 바와 같이, 적외선 반사막이 2층으로 적층될 경우 효과가 가장 큰 것을 알 수 있다. In the graph, the line A represents the reflectance of the infrared wavelength band when the infrared shielding film is a single layer, the line B shows the reflectance of the infrared wavelength band when the infrared blocking film is two layers, and the line C is the infrared ray shielding film 3 The layer shows the reflectance of the infrared wavelength band, and the line (D) shows the reflectance of the infrared wavelength band when the infrared blocking film is four layers. As shown in the graph, it can be seen that the effect is greatest when the infrared reflecting film is laminated in two layers.

이상에서, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다. Although described above with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims to be described later Various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope thereof.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 본체의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a solar cell body according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 차단막의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an infrared ray blocking film according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 적외선 차단막의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an infrared ray blocking film according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 적외선 차단막의 각 층별 적외선 차단율을 나타낸 그래프이다. 5 is a graph showing the infrared ray blocking rate of each layer of the infrared ray blocking film according to the present invention.

Claims (8)

태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 태양전지 본체와; A solar cell body for converting solar energy into electrical energy; 상기 태양전지 본체의 태양광이 입사되는 면에 배치되어 태양광 중 적외선 파장대를 차단시키는 적외선 차단막을 포함하는 태양전지.The solar cell is disposed on the surface of the solar cell incident to the solar cell including an infrared ray blocking film for blocking the infrared wavelength band of the sunlight. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 적외선 차단막은 태양전지 본체의 표면에 설치되는 투명기판의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.The infrared blocking film is a solar cell, characterized in that formed on the surface of the transparent substrate installed on the surface of the solar cell body. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 적외선 차단막은 TiO2와 Ag가 반복하여 적층되고, 단층 또는 다층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.The infrared blocking film is a solar cell, characterized in that the TiO 2 and Ag are repeatedly stacked, consisting of a single layer or multiple layers. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 적외선 차단막은 상기 투명기판의 표면에 적층되는 TiO2층과, 상기 TiO2층의 표면에 적층되는 Ag층과, 상기 Ag층의 표면에 적층되는 Ti층과, 상기 Ti층의 표면에 적층되는 TiO2층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.The infrared blocking film is a TiO 2 layer laminated on the surface of the transparent substrate, an Ag layer laminated on the surface of the TiO 2 layer, a Ti layer laminated on the surface of the Ag layer, and is laminated on the surface of the Ti layer A solar cell comprising a TiO 2 layer. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 적외선 차단막이 복수의 층으로 적층될 경우 인접하여 배치되는 두 TiO2층은 두께를 두 배로 하여 하나의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지. When the infrared blocking film is stacked in a plurality of layers, the two TiO 2 layers disposed adjacent to each other is formed as a single layer with a double thickness. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 태양전지 본체는 불순물을 도핑한 P형층 및 n형층 사이에 불순물을 함유하지 않은 i형이 구비되는 비정질 실리콘층과;The solar cell body includes an amorphous silicon layer having an i-type containing no impurities between a P-type layer and an n-type layer doped with impurities; 상기 비정질 실리콘층의 일측면에 적층되는 투명전극과;A transparent electrode stacked on one side of the amorphous silicon layer; 상기 비정질 실리콘의 타측면에 적층되는 이면전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.A solar cell comprising a back electrode stacked on the other side of the amorphous silicon. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 투명전극은 도전성과 투명성을 갖는 TCO 필름 또는 ITO 필름으로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.The transparent electrode is a solar cell, characterized in that consisting of TCO film or ITO film having conductivity and transparency. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 이면전극은 Ag 또는 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.The back electrode is a solar cell, characterized in that formed of Ag or gold.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120035294A (en) * 2010-10-05 2012-04-16 엘지전자 주식회사 Solar cell module
KR101307015B1 (en) * 2013-03-19 2013-09-11 주식회사 에이치와이티씨 Structure of cover glass layer for solar battery
WO2017034078A1 (en) * 2015-08-26 2017-03-02 고려대학교 산학협력단 Flexible transparent electrode having tio2/ag/tio2 multi-layered thin film structure, and method for manufacturing same
KR20190124044A (en) 2018-04-25 2019-11-04 두성금속 주식회사 holding apparatus of cable tray

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