KR20100086597A - Photovoltaic apparatus - Google Patents

Photovoltaic apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20100086597A
KR20100086597A KR1020090005896A KR20090005896A KR20100086597A KR 20100086597 A KR20100086597 A KR 20100086597A KR 1020090005896 A KR1020090005896 A KR 1020090005896A KR 20090005896 A KR20090005896 A KR 20090005896A KR 20100086597 A KR20100086597 A KR 20100086597A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoelectric conversion
conversion unit
light
layer
reflection
Prior art date
Application number
KR1020090005896A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
전상원
김우열
Original Assignee
한국철강 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국철강 주식회사 filed Critical 한국철강 주식회사
Priority to KR1020090005896A priority Critical patent/KR20100086597A/en
Publication of KR20100086597A publication Critical patent/KR20100086597A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PURPOSE: A photovoltaic apparatus is provided to improve the efficiency of a photoelectric conversion unit by reducing the reflectivity of an incident light. CONSTITUTION: A first electrode(110) is arranged on one side of a substrate(100). A first photoelectric conversion unit(120) is arranged on the first electrode and converts a light to electricity. A second photoelectric conversion unit(130) is arranged on the first photoelectric conversion unit and converts a light to electricity. The second electrode(140) is located on the second photoelectric conversion unit. A reflection preventing unit(150) is arranged on the other side of the substrate and includes a first and second reflection barriers.

Description

광기전력 장치{PHOTOVOLTAIC APPARATUS}Photovoltaic device {PHOTOVOLTAIC APPARATUS}

본 발명은 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a photovoltaic device and a method for manufacturing the photovoltaic device.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 광기전력장치는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다. Recently, as the prediction of depletion of existing energy sources such as oil and coal is increasing, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, photovoltaic devices are particularly attracting attention because they are rich in energy resources and have no problems with environmental pollution.

광기전력장치는 빛을 전기에너지로 변환시키는 광전변환현상을 이용한다. 광기전력 장치는 실리콘 반도체(silicon semiconductor)나 화합물 반도체를 이용하는 것과 같이 다양한 형태가 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체의 경우 불순물로 도핑된 실리콘 반도체에 빛이 입사되면 빛의 에너지가 반도체 내부의 전자와 홀을 발생시키고 반도체에 연결된 전극 및 도선을 통하여 외부로 전류가 흐르게 된다. Photovoltaic devices use photoelectric conversion to convert light into electrical energy. Photovoltaic devices come in various forms, such as using silicon semiconductors or compound semiconductors. For example, in the case of a silicon semiconductor, when light is incident on a silicon semiconductor doped with an impurity, energy of the light generates electrons and holes in the semiconductor, and current flows to the outside through electrodes and conductors connected to the semiconductor.

이와 같은 광기전력 장치에 대한 관심이 높아지고 시장이 형성됨에 따라 입사되는 빛의 반사율을 줄여 광기전력 장치의 효율을 증가시키려는 연구가 진행되고 있다. As interest in such a photovoltaic device is increased and a market is formed, researches are being conducted to increase the efficiency of the photovoltaic device by reducing the reflectance of incident light.

본 발명은 입사되는 빛의 반사율을 낮출 수 있는 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a photovoltaic device and a method of manufacturing the photovoltaic device that can lower the reflectance of the incident light.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. Could be.

본 발명의 광기전력 장치는 기판, 상기 기판의 일면 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하며, 빛을 전기로 변환하는제1 광전변환유닛, 상기 제1 광전변환유닛 상에 위치하며, 빛을 전기로 변환하는 제2 광전변환유닛, 상기 제2 광전변환유닛 상에 위치하는 제2 전극 및 제1 굴절률을 가진 제1 반사 방지층과, 상기 제1 반사 방지층 상에 위치하며 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지고 상기 제1 반사 방지층에 비하여 나중에 빛이 입사되는 제2 반사 방지층을 포함하며, 상기 기판의 다른 일면 상에 위치하는 반사 방지부를 포함한다.The photovoltaic device of the present invention includes a substrate, a first electrode positioned on one surface of the substrate, a first photoelectric conversion unit positioned on the first electrode and converting light into electricity, and on the first photoelectric conversion unit. And a second photoelectric conversion unit for converting light into electricity, a second electrode disposed on the second photoelectric conversion unit, a first antireflection layer having a first refractive index, and positioned on the first antireflection layer. It includes a second anti-reflection layer having a second refractive index greater than the first refractive index, the light is incident later than the first anti-reflection layer, and includes an anti-reflection portion located on the other side of the substrate.

본 발명의 광기전력 장치는 절연성 투명 기판, 상기 기판의 일면 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하며, 빛을 전기로 변환하는제1 광전변환유닛, 상기 제1 광전변환유닛 상에 위치하며, 빛을 전기로 변환하는 제2 광전변환유닛, 상기 제1 광전변환유닛과 상기 제2 광전변환유닛 사이에 위치하는 버퍼층, 상기 제2 광전변환유닛 상에 위치하는 제2 전극 및 제1 굴절률을 가진 제1 반사 방지층과, 상기 제1 반사 방지층 상에 위치하며 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지고 상기 제1 반사 방지층에 비하여 나중에 빛이 입사되는 제2 반사 방지층을 포함하며, 상기 기판의 다른 일면 상에 위치하는 반사 방지부를 포함한다.The photovoltaic device of the present invention is an insulating transparent substrate, a first electrode positioned on one surface of the substrate, a first photoelectric conversion unit positioned on the first electrode and converting light into electricity, and the first photoelectric conversion unit A second photoelectric conversion unit positioned on the second photoelectric conversion unit, the buffer layer positioned between the first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit, a second electrode positioned on the second photoelectric conversion unit, and A first anti-reflection layer having a first refractive index, and a second anti-reflection layer positioned on the first anti-reflection layer and having a second refractive index greater than the first refractive index, wherein light is later incident than the first anti-reflection layer; And an anti-reflection portion located on the other side of the substrate.

상기 제1 광전변환유닛 및 상기 제2 광전변환유닛은 각각 순차적으로 적층된 제1 타입 반도체층, 제2 타입 반도체층 및 제3 타입 반도체층을 포함할 수 있다.The first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit may each include a first type semiconductor layer, a second type semiconductor layer, and a third type semiconductor layer sequentially stacked.

상기 제1 광전변환층의 제1 내지 제3 타입 반도체층들은 비정질 반도체층일 수 있다.The first to third type semiconductor layers of the first photoelectric conversion layer may be an amorphous semiconductor layer.

상기 제2 광전변환유닛은 비정질 반도체층 또는 미세결정질 반도체층일 수 있다.The second photoelectric conversion unit may be an amorphous semiconductor layer or a microcrystalline semiconductor layer.

상기 제2 광전변환 유닛 상에 위치하는 제3 광전변환유닛을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a third photoelectric conversion unit positioned on the second photoelectric conversion unit.

상기 제1 반사 방지층은 SiO2를 포함하고, 상기 제2 반사 방지층은 TiO2를 포함할 수 있다.The first anti-reflection layer may include SiO 2 , and the second anti-reflection layer may include TiO 2 .

상기 제1 반사 방지층의 굴절률은 1.2 이상 1.47 이하이고, 상기 제2 반사 방지층의 굴절률은 2.35 이상 2.9 이하일 수 있다.The refractive index of the first antireflection layer may be 1.2 or more and 1.47 or less, and the refractive index of the second antireflection layer may be 2.35 or more and 2.9 or less.

제1 반사 방지층과 제2 반사 방지층을 포함하는 또다른 반사 방지부를 하나 이상 더 포함할 수 있다.The display device may further include one or more antireflection parts including the first antireflection layer and the second antireflection layer.

상기 반사 방지부는 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛의 반사를 감소시킬 수 있다.The anti-reflection portion may reduce reflection of light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less.

상기 반사 방지부는 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛의 반사를 감소시키며, 상기 제1 광전변환유닛은 400 nm 이상 750 nm 이하의 파장을 지닌 빛을 750 nm 보다 크고 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛보다 잘 흡수하고, 상기 제2 광전변환유닛은 750 nm 보다 크고 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛을 400 nm 이상 750 nm 이하의 파장을 지닌 빛 보다 잘 흡수할 수 있다.The anti-reflection portion reduces reflection of light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less, and the first photoelectric conversion unit emits light having a wavelength of 400 nm or more and 750 nm or less and a wavelength greater than 750 nm and 1100 nm or less. It absorbs better than the light, and the second photoelectric conversion unit can absorb light having a wavelength greater than 750 nm and 1100 nm or less than light having a wavelength of 400 nm or more and 750 nm or less.

상기 기판은 상기 기판 중량의 0 % 초과 0.14% 이하인 철을 포함하는 글라스일 수 있다.The substrate may be a glass containing iron that is greater than 0% and less than or equal to 0.14% of the weight of the substrate.

상기 기판은 소다 라임 글라스를 포함할 수 있다.The substrate may include soda lime glass.

본 발명의 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법은 복수 개의 층으로 이루어진 반사 방지층을 통하여 빛의 반사율을 낮춤으로써 광기전력 장치의 광전 변환 효율을 증가시킬 수 있다. The photovoltaic device and the method of manufacturing the photovoltaic device of the present invention can increase the photoelectric conversion efficiency of the photovoltaic device by lowering the reflectance of light through an antireflection layer composed of a plurality of layers.

도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 상세히 설명된다. Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치를 나타낸다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치는 기판(100), 제1 전극(110), 제1 광전변환유닛(120), 제2 광전변환유닛(130), 제2 전극(140) 및 반사 방지부(150)를 포함한다. 1 illustrates a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention may include a substrate 100, a first electrode 110, a first photoelectric conversion unit 120, a second photoelectric conversion unit 130, and a second photovoltaic device. The second electrode 140 and the anti-reflection portion 150 are included.

제1 전극(110)은 기판(100)의 일면 상에 위치한다. 기판(100)은 빛의통과가 용이하고 광기전력 장치 내부의 회로 단락을 방지할 수 있는 절연성 투명기판(100)일 수 있다. 제1 전극(210)은 CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성될 수 있으며, 산화주석(SnO2)이나 산화아연(ZnO)과 같은 투명 전도성 산화물(TCO : Transparent Conductive Oxide)로 이루어질 수 있다. The first electrode 110 is located on one surface of the substrate 100. The substrate 100 may be an insulating transparent substrate 100 that may easily pass light and prevent a short circuit inside the photovoltaic device. The first electrode 210 may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, and may be formed of a transparent conductive oxide (TCO) such as tin oxide (SnO 2 ) or zinc oxide (ZnO).

제1 광전변환유닛(120)은 제1 전극(110) 상에 위치하며, 순차적으로적층된 제1 타입 반도체층(121), 제2 타입 반도체층(123) 및 제3 타입 반도체층(125)을 포함한다. 제1 타입 반도체층(121)은 제1 전극(110) 상에 위치한다. 제1 타입 반도체층(121), 제2 타입 반도체층(123) 및 제3 타입 반도체층(125)은 각각 p 타입 반도체층, i 타입 반도체층 및 n 타입 반도체층일 수 있다. p 타입 반도체층은 3족 원소와 같이 정공을 제공하는 불순물로 도핑된 반도체층이고, i 타입 반도체층은 진성 반도체층이고, n 타입 반도체층은 5족 원소와 같이 전자를 제공하는 불순물로 도핑된 반도체층이다. The first photoelectric conversion unit 120 is positioned on the first electrode 110 and sequentially stacked on the first type semiconductor layer 121, the second type semiconductor layer 123, and the third type semiconductor layer 125. It includes. The first type semiconductor layer 121 is positioned on the first electrode 110. The first type semiconductor layer 121, the second type semiconductor layer 123, and the third type semiconductor layer 125 may be p type semiconductor layers, i type semiconductor layers, and n type semiconductor layers, respectively. The p-type semiconductor layer is a semiconductor layer doped with an impurity that provides holes, such as a Group 3 element, the i-type semiconductor layer is an intrinsic semiconductor layer, and the n-type semiconductor layer is doped with an impurity that provides electrons, such as a Group 5 element. It is a semiconductor layer.

제1 광전변환층(120)의 제1 내지 제3 타입 반도체층(121, 123, 125)들은 비정질 반도체층일 수 있다. 즉, p 타입 반도체층의 형성을 위하여 모노 실란(SiH4)과 같이 실리콘을 포함하는 원료 가스와 B2H6와 같이 3족 원소를 포함하는 도핑 가스가 반응실에 혼입되면 CVD법에 따라 p 타입 반도체층이 적층된다. 이 때 반응실 내에는 원료 가스의 희석을 위하여 수소가 주입될 수 있다. 이후 실리콘을 포함하는 원료 가스와 수소가 반응실에 유입되면 CVD법에 따라 진성 반도체층이 p 타입 반도체층 상에 형성된다. 마지막으로 PH3와 같이 5족 원소를 포함하는 도핑 가스와 실리콘을 포함하는 원료 가스가 혼입되면 CVD법에 따라 n 타입 반도체층이 진성 반도체층 상에 적층된다. The first to third type semiconductor layers 121, 123, and 125 of the first photoelectric conversion layer 120 may be amorphous semiconductor layers. That is, in order to form a p-type semiconductor layer, when a source gas containing silicon such as monosilane (SiH4) and a doping gas containing a group III element such as B2H6 are mixed in the reaction chamber, the p-type semiconductor layer is formed by CVD. Are stacked. At this time, hydrogen may be injected into the reaction chamber for dilution of the source gas. Then, when the source gas containing silicon and hydrogen flow into the reaction chamber, an intrinsic semiconductor layer is formed on the p-type semiconductor layer by the CVD method. Finally, when a doping gas containing a Group 5 element such as PH 3 and a raw material gas containing silicon are mixed, an n-type semiconductor layer is laminated on the intrinsic semiconductor layer by the CVD method.

제2 광전변환유닛(130)은 제1 광전변환유닛(120) 상에 위치하며, 순차적으로 적층된 제1 타입 반도체층(131), 제2 타입 반도체층(133) 및 제3 타입 반도체층(135)을 포함한다. 제2 광전변환유닛(130)은 앞서 설명된 제1 광전변환유닛(120)과 같이 비정질 반도체층을 포함할 수도 있고, 미세결정질 반도체층으로 이루어질 수 있다. The second photoelectric conversion unit 130 is positioned on the first photoelectric conversion unit 120 and sequentially stacked on the first type semiconductor layer 131, the second type semiconductor layer 133, and the third type semiconductor layer ( 135). The second photoelectric conversion unit 130 may include an amorphous semiconductor layer like the first photoelectric conversion unit 120 described above, or may be formed of a microcrystalline semiconductor layer.

미세결정질 반도체층의 경우, CVD법에 따라 반응실 내에 원료 가스와 수소, 또는 원료 가스와 수소 그리고 도핑 가스가 주입되며, 원료 가스의 수소 희석이 상변이 임계값보다 커짐으로써 비정질 반도체층 상에 미세결정질 반도체층이 형성된다. 이 때 도핑 가스의 종류에 따라 미세결정질 p 타입 반도체층이나 미세결정질 n 타입 반도체층이 형성되고 도핑 가스가 주입되지 않으면 미세결정질 진성 반도체층이 형성된다. In the case of the microcrystalline semiconductor layer, source gas and hydrogen, or source gas and hydrogen, and a doping gas are injected into the reaction chamber according to the CVD method. A crystalline semiconductor layer is formed. At this time, the microcrystalline p-type semiconductor layer or the microcrystalline n-type semiconductor layer is formed according to the type of the doping gas, and if the doping gas is not injected, the microcrystalline intrinsic semiconductor layer is formed.

이와 같이 제1 광전변환유닛(120)과 제2 광전변환유닛(130)의 접합은비정질 반도체층과 비정질 반도체층의 접합인 호모지니어스 접합(homogenous junction)일 수도 있고, 비정질 반도체층과 미세결정질 반도체층의 접합인 헤테로 접합(hetero junction) 일 수 있다. 이와 같이 본 발명의 반사 방지부(150)는 호모지니어스 접합 또는 헤테로 접합을 지닌 광기전력 장치와 같이 다양한 광기전력 장치에 적용될 수 있다. As described above, the junction between the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric conversion unit 130 may be a homogenous junction, which is a junction between the amorphous semiconductor layer and the amorphous semiconductor layer, or the amorphous semiconductor layer and the microcrystalline semiconductor. It may be a hetero junction that is a junction of layers. As described above, the anti-reflection unit 150 of the present invention may be applied to various photovoltaic devices such as a photovoltaic device having a homogeneous junction or a hetero junction.

본 발명의 실시예에서는 제2 광전변환유닛(130)의 제1 타입 반도체층(131), 제2 타입 반도체층(133) 및 제3 타입 반도체층(135)은 각각 p 타입 반도체층, i 타입 반도체층 및 n 타입 반도체층일 수 있다. 제2 광전변환유닛(130)의 p 타입 반도체층, i 타입 반도체층 및 n 타입 반도체층은 제1 광전변환유닛(120) 상에 순차적으로 적층된다. In the exemplary embodiment of the present invention, the first type semiconductor layer 131, the second type semiconductor layer 133, and the third type semiconductor layer 135 of the second photoelectric conversion unit 130 may be a p type semiconductor layer and an i type, respectively. It may be a semiconductor layer and an n-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer, the i-type semiconductor layer, and the n-type semiconductor layer of the second photoelectric conversion unit 130 are sequentially stacked on the first photoelectric conversion unit 120.

제2 전극(140)은 제2 광전변환유닛(130) 상에 위치하며 Al이나 Ag와 같은 금속 전극일 수 있다.The second electrode 140 is positioned on the second photoelectric conversion unit 130 and may be a metal electrode such as Al or Ag.

반사 방지부(150)는 기판(100)의 다른 일면 상에 위치하며, 외부로부터 입사된 빛의 반사를 감소시킨다. 반사 방지부(150)는 제1 굴절률을 가진 제1 반사 방지층(151)과, 제1 반사 방지층(151) 상에 위치하며 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지고 제1 반사 방지층(151)에 비하여 나중에 빛이 입사되는 제2 반사 방지층(153)을 포함한다. 즉, 빛은 제1 반사 방지층(151)으로 먼저 입사되어 투과된 후 제2 반사 방지층(153)으로 입사된다. The anti-reflection unit 150 is positioned on the other surface of the substrate 100 and reduces reflection of light incident from the outside. The anti-reflection unit 150 may be disposed on the first anti-reflection layer 151 having a first refractive index, and on the first anti-reflection layer 151 having a second refractive index greater than the first refractive index and positioned on the first anti-reflection layer 151. Compared with the second anti-reflection layer 153, the light is incident. That is, light is first incident on the first antireflection layer 151 and transmitted thereafter and then is incident on the second antireflection layer 153.

즉, 빛은 굴절률이 작은 제1 반사 방지층(151)을 지나 굴절률이 큰 제2 반사 방지층(153)을 통과하도록 제2 반사 방지층(153)이 기판(100)의 다른 일면 상에 위치하고 제1 반사 방지층(153)은 제2 반사 방지층(153) 상에 위치한다. That is, the second anti-reflection layer 153 is positioned on the other surface of the substrate 100 so that light passes through the first anti-reflection layer 151 having a small refractive index and passes through the second anti-reflection layer 153 having a large refractive index. The prevention layer 153 is positioned on the second antireflection layer 153.

이와 같이 빛이 굴절률이 작은 제1 반사 방지층(151)을 지나 굴절률이 큰 제2 반사 방지층(153)을 통과함으로써 빛의 반사율을 낮추기 위하여 제1 반사 방지층(151)은 SiO2를 포함할 수 있고, 제2 반사 방지층(153)은 TiO2를 포함할 수 있다. 제1 반사 방지층(151)의 굴절률은 1.2 이상 1.47 이하이고, 제2 반사 방지층(153) 의 굴절률은 2.35 이상 2.9 이하일 수 있다. As such, the light passes through the first antireflection layer 151 having a small refractive index and passes through the second antireflection layer 153 having a large refractive index, so that the first antireflection layer 151 may include SiO 2 to lower the reflectance of light. The second anti-reflection layer 153 may include TiO 2 . The refractive index of the first antireflection layer 151 may be 1.2 or more and 1.47 or less, and the refractive index of the second antireflection layer 153 may be 2.35 or more and 2.9 or less.

본 발명의 실시예는 굴절률이 작은 제1 반사 방지층(151)을 지나 굴절률이 큰 제2 반사 방지층(153)을 포함하는 하나의 반사 방지부(150)를 포함하나, 제1 반사 방지층과 제2 반사 방지층을 포함하는 또다른 반사 방지부를 하나 이상 더 포함할 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이 굴절률이 작은 제1 반사 방지층을 지나 굴절률이 큰 제2 반사 방지층을 포함하는 반사 방지부를 2개 이상 포함할 수 있다. 이에 따라 반사 방지부(150)의 제1 반사 방지층(151) 상에 또다른 반사 방지부(170)의 제2 반사 방지층(173)이 위치할 수 있다. 이와 같이 두 개 이상의 반사 방지부(150, 170)인 경우 빛의 반사가 더욱 감소하여 광전변환효율이 증가한다. An embodiment of the present invention includes one anti-reflection portion 150 including a second anti-reflection layer 153 having a high refractive index past the first anti-reflection layer 151 having a small refractive index, but including a first anti-reflection layer and a second anti-reflection layer 153. It may further include one or more anti-reflective portion including an anti-reflection layer. That is, as shown in FIG. 2, two or more anti-reflection parts including a second anti-reflection layer having a high refractive index may be included after passing through the first anti-reflection layer having a small refractive index. Accordingly, the second anti-reflection layer 173 of another anti-reflection portion 170 may be positioned on the first anti-reflection layer 151 of the anti-reflection portion 150. As described above, in the case of two or more anti-reflection parts 150 and 170, the reflection of light is further reduced to increase the photoelectric conversion efficiency.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 반사율을 나타낸다. 도 3에서 굵은 실선은 본 발명의 실시예와 같이 반사 방지부(150)가 기판(100) 상에 위치할 때의 반사율을 나타낸 것이고, 도 3의 가는 실선은 반사 방지부(150)가 포함되지 않을 경우 반사율을 나타낸 것이다. 3 illustrates a reflectance of a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 3, the thick solid line represents the reflectance when the antireflection unit 150 is positioned on the substrate 100 as in the exemplary embodiment of the present invention, and the thin solid line of FIG. 3 does not include the antireflection unit 150. If not, the reflectance is shown.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 반사 방지층(151)과, 제1 반사 방지층(151)의 굴절률보다 큰 굴절률을 지닌 제2 반사 방지층(153)을 포함하는 반사 방지부(150)가 기판(100) 상에 위치할 경우 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛의 반사가 감소한다. As illustrated in FIG. 3, an antireflection unit 150 including a first antireflection layer 151 and a second antireflection layer 153 having a refractive index greater than that of the first antireflection layer 151 may be formed of a substrate ( 100) reduces the reflection of light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less.

제1 광전변환유닛(120)은 입사되는 빛의 전체 파장 대역 중 제1 파장 대역의 빛을 나머지 파장 대역의 빛보다 잘 흡수하고, 제2 광전변환유닛(130)은 입사되는 빛의 전체 파장 대역 중 제2 파장 대역의 빛을 나머지 파장 대역의 빛보다 잘 흡수 한다. 이 때 제1 파장 대역과 제2 파장 대역은 서로 다르다. The first photoelectric conversion unit 120 absorbs the light of the first wavelength band of the total wavelength band of the incident light better than the light of the remaining wavelength band, the second photoelectric conversion unit 130 is the full wavelength band of the incident light The light of the second wavelength band is absorbed better than the light of the remaining wavelength band. In this case, the first wavelength band and the second wavelength band are different from each other.

예를 들어, 제1 광전변환유닛(120)은 400 nm 이상 750 nm 이하의 파장을 지닌 빛을 750 nm 보다 크고 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛보다 잘 흡수할 수 있다. 또한 제2 광전변환유닛(130)은 750 nm 보다 크고 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛을 400 nm 이상 750 nm 이하의 파장을 지닌 빛 보다 잘 흡수할 수 있다. 따라서 넓은 범위의 파장을 지닌 빛을 효율적으로 이용할 수 있다. For example, the first photoelectric conversion unit 120 may absorb light having a wavelength of 400 nm or more and 750 nm or less than light having a wavelength greater than 750 nm and 1100 nm or less. In addition, the second photoelectric conversion unit 130 may absorb light having a wavelength greater than 750 nm and less than 1100 nm than light having a wavelength greater than or equal to 400 nm and less than or equal to 750 nm. Thus, light having a wide range of wavelengths can be efficiently used.

앞서 도 3을 통하여 설명된 바와 같이 반사 방지부(150)는 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛에 대한 반사율을 낮추므로 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛이 제1 광전변환유닛(120) 및 제2 광전변환유닛(130)을 통하여 투과되는 광량이 증가한다. 따라서 특정 파장 대역의 빛을 나머지 파장 대역의 빛보다 잘 흡수하는 제1 광전변환유닛(120) 및 제2 광전변환유닛(130)의 광전변환효율 또한 증가한다. As described above with reference to FIG. 3, the anti-reflection unit 150 lowers the reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less, so that light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less is formed in the first photoelectric conversion unit. The amount of light transmitted through the 120 and the second photoelectric conversion unit 130 increases. Therefore, the photoelectric conversion efficiency of the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric conversion unit 130 that absorbs light of a specific wavelength band better than that of the remaining wavelength band also increases.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 광투과율을 나타낸다. 도 4에서 굵은 실선은 본 발명의 실시예와 같이 반사 방지부(150)가 기판(100) 상에 위치할 때의 광투과율을 나타낸 것이고, 도 4의 가는 실선은 반사 방지부(150)가 포함되지 않을 경우의 광투과율을 나타낸 것이다. 4 shows light transmittance of a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 4, the thick solid line shows the light transmittance when the anti-reflection portion 150 is positioned on the substrate 100 as in the embodiment of the present invention, and the thin solid line of FIG. 4 includes the anti-reflection portion 150. If not, the light transmittance is shown.

도 4에 도시된 바와 같이, 작은 굴절률을 지닌 제1 반사 방지층(151)과 큰 굴절률을 지닌 제2 반사 방지층(153)을 포함하는 반사 방지부(150)가 기판(100) 상에 위치할 경우 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛이 제1 광전변환유닛(120) 및 제2 광전변환유닛(130)으로 입사되는 광량이 증가한다. As shown in FIG. 4, when the anti-reflection portion 150 including the first anti-reflection layer 151 having a small refractive index and the second anti-reflection layer 153 having a large refractive index is positioned on the substrate 100. The amount of light incident on the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric conversion unit 130 with light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less increases.

앞서 설명된 바와 같이 제1 광전변환유닛(120)은 제1 파장 대역의 빛을 제2 파장 대역의 빛보다 잘 흡수하고 제2 광전변환유닛(130)은 제2 파장 대역의 빛을 제1 파장 대역의 빛보다 잘 흡수한다. 또한 반사 방지부(150)는 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛에 대한 반사율을 낮추므로 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛이 제1 광전변환유닛(120) 및 제2 광전변환유닛(130)을 통하여 투과되는 광량이 증가한다. 제1 광전변환유닛(120) 및 제2 광전변환유닛(130)이 서로 다른 특정 파장 대역들의 빛을 나머지 파장 대역의 빛보다 잘 흡수하더라도 반사 방지부(150)가 특정 파장 대역을 지닌 빛의 반사율만을 낮추는 것이 아니라 넓은 파장 대역의 빛의 반사율을 낮추므로 제1 광전변환유닛(120) 및 제2 광전변환유닛(130)로 투과되는 빛이 증가하므로 제1 광전변환유닛(120) 및 제2 광전변환유닛(130) 의 광전변환효율 또한 증가한다. As described above, the first photoelectric conversion unit 120 absorbs light of the first wavelength band better than the light of the second wavelength band, and the second photoelectric conversion unit 130 absorbs light of the second wavelength band to the first wavelength. Absorbs better than light in the band. In addition, the anti-reflection unit 150 lowers the reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less, so that light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less is converted into the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric conversion. The amount of light transmitted through the unit 130 is increased. Although the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric conversion unit 130 absorb light of different specific wavelength bands better than the light of the remaining wavelength bands, the antireflection unit 150 reflects light having a specific wavelength band. Since not only lowers the reflectance of light in a wide wavelength band but also increases the light transmitted to the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric conversion unit 130, the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric The photoelectric conversion efficiency of the conversion unit 130 also increases.

본 발명의 실시예는 2개의 광전변환유닛(120, 130)을 포함하나 경우에 따라 3개 이상의 광전변환유닛 또한 포함할 수 있다. 즉, 제2 광전변환유닛(130) 상에는 제3 광전변환유닛(미도시)이 위치할 수 있다. 이에 따라 반사 방지막(150)에 의하여 증대된 빛의 투과량에 의하여 보다 큰 전류가 생성될 수 있다.An embodiment of the present invention includes two photoelectric conversion units 120 and 130, but may also include three or more photoelectric conversion units in some cases. That is, a third photoelectric conversion unit (not shown) may be positioned on the second photoelectric conversion unit 130. Accordingly, a larger current may be generated by the amount of light transmitted by the anti-reflection film 150.

도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광기전력 장치를 나타낸다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광기전력 장치는 제1 광전변환유닛(120)과 제2 광전변환유닛(130) 사이에 위치하는 버퍼층(160)을 더 포함할 수 있다. 5 shows a photovoltaic device according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the photovoltaic device according to another embodiment of the present invention may further include a buffer layer 160 positioned between the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric conversion unit 130. Can be.

버퍼층(160)은 반사 방지부(150) 및 제1 광전변환유닛(120)을 통과한 빛의 일부를 제1 광전변환 유닛(120)으로 반사하고 나머지 빛을 제2 광전변환 유닛(130)으로 투과시킨다. 즉, 반사 방지부(150) 및 버퍼층(160)은 제1 광전변환유닛(120)의 출력 전류 밀도를 증대시킨다. 본 발명과 같이 제1 광전변환유닛(120)과 제2 광전변환유닛(130)을 포함하는 탠덤형 광기전력 장치의 경우 빛이 먼저 입사되는 제1 광전변환유닛(120)의 최소 전류에 따라 전체 광기전력 장치의 출력 전류가 영향을 받으므로 제1 광전변환유닛(120)은 반사 방지부(150) 및 버퍼층(160)에 의하여 최소 전류가 증가되어 전체 광기전력 장치의 출력 전류를 증대시킨다. The buffer layer 160 reflects a part of the light passing through the anti-reflection unit 150 and the first photoelectric conversion unit 120 to the first photoelectric conversion unit 120 and the remaining light to the second photoelectric conversion unit 130. Permeate. That is, the antireflection unit 150 and the buffer layer 160 increase the output current density of the first photoelectric conversion unit 120. In the case of the tandem photovoltaic device including the first photoelectric conversion unit 120 and the second photoelectric conversion unit 130 according to the present invention, the light is first received according to the minimum current of the first photoelectric conversion unit 120 to which light is incident. Since the output current of the photovoltaic device is affected, the first photoelectric conversion unit 120 increases the minimum current by the anti-reflection unit 150 and the buffer layer 160 to increase the output current of the entire photovoltaic device.

도 5에 도시된 버퍼층(160) 이외의 다른 특징에 대한 설명은 도 1에 도시된 실시예를 통하여 상세히 이루어졌으므로 생략된다. Description of other features other than the buffer layer 160 shown in FIG. 5 is made in detail through the embodiment shown in FIG.

이상에서 설명된 바와 같이 본 발명의 광기전력 장치가 도 1 또는 도2의 반사 방지부(150, 170)를 포함하므로 광기전력 장치에 포함된 기판(100)은 소다 라임 글라스 또는 저철분 글라스를 포함할 수 있다. As described above, since the photovoltaic device of the present invention includes the anti-reflective parts 150 and 170 of FIG. 1 or 2, the substrate 100 included in the photovoltaic device includes soda lime glass or low iron glass. can do.

즉, 소다 라임 글라스의 경우 가격이 싸지만 빛의 파장 대역 중 800 nm에서 1100 nm 사이의 대역에서 광을 흡수하여 광기전력 장치의 효율을 떨어뜨린다. 하지만 본 발명과 같이 반사 방지부(150, 170)에 의하여 투과되는 빛의 양이 증가하므로 소다 라임 글라스로 인한 광의 손실이 보상될 수 있다. That is, soda lime glass is inexpensive, but absorbs light in a band between 800 nm and 1100 nm of the wavelength band of light, thereby decreasing the efficiency of the photovoltaic device. However, since the amount of light transmitted by the anti-reflection parts 150 and 170 increases as in the present invention, the loss of light due to the soda lime glass may be compensated.

또한 저철분 글라스는 기판 중량의 0 % 초과 0.14% 이하인 철(Fe)을 포함하며, 소다 라임 글라스와는 다르게 특정 파장 대역의 빛을 흡수하지 않으므로 광기전력 장치의 효율을 높인다. 따라서 본 발명과 같은 반사 방지부(150, 170)에 의하여 광기전력 장치의 효율이 더욱 높아질 수 있다. In addition, the low iron glass contains iron (Fe) that is greater than 0% and less than 0.14% of the weight of the substrate, and unlike soda lime glass does not absorb light of a specific wavelength band to increase the efficiency of the photovoltaic device. Therefore, the efficiency of the photovoltaic device can be further improved by the anti-reflection parts 150 and 170 as in the present invention.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. will be. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive, the scope of the invention being indicated by the appended claims rather than the foregoing description, It is intended that all changes and modifications derived from the equivalent concept be included within the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치를 나타낸다.1 illustrates a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광기전력 장치를 나타낸다.2 illustrates a photovoltaic device according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 광투과율을 나타낸다. 3 shows a light transmittance of a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 반사율을 나타낸다.4 shows a reflectance of a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광기전력 장치를 나타낸다.5 shows a photovoltaic device according to another embodiment of the present invention.

Claims (13)

기판;Board; 상기 기판의 일면 상에 위치하는 제1 전극; A first electrode on one surface of the substrate; 상기 제1 전극 상에 위치하며, 빛을 전기로 변환하는제1 광전변환유닛;A first photoelectric conversion unit positioned on the first electrode and converting light into electricity; 상기 제1 광전변환유닛 상에 위치하며, 빛을 전기로 변환하는 제2 광전변환유닛;A second photoelectric conversion unit positioned on the first photoelectric conversion unit and converting light into electricity; 상기 제2 광전변환유닛 상에 위치하는 제2 전극; 및A second electrode on the second photoelectric conversion unit; And 제1 굴절률을 가진 제1 반사 방지층과, 상기 제1 반사 방지층 상에 위치하며 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지고 상기 제1 반사 방지층에 비하여 나중에 빛이 입사되는 제2 반사 방지층을 포함하며, 상기 기판의 다른 일면 상에 위치하는 반사 방지부A first anti-reflection layer having a first refractive index, and a second anti-reflection layer positioned on the first anti-reflection layer and having a second refractive index greater than the first refractive index, wherein light is later incident than the first anti-reflection layer; An anti-reflection portion on the other side of the substrate 를 포함하는 광기전력 장치.Photovoltaic device comprising a. 절연성 투명 기판;Insulating transparent substrates; 상기 기판의 일면 상에 위치하는 제1 전극; A first electrode on one surface of the substrate; 상기 제1 전극 상에 위치하며, 빛을 전기로 변환하는제1 광전변환유닛;A first photoelectric conversion unit positioned on the first electrode and converting light into electricity; 상기 제1 광전변환유닛 상에 위치하며, 빛을 전기로 변환하는 제2 광전변환유닛;A second photoelectric conversion unit positioned on the first photoelectric conversion unit and converting light into electricity; 상기 제1 광전변환유닛과 상기 제2 광전변환유닛 사이에 위치하는 버퍼층;A buffer layer positioned between the first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit; 상기 제2 광전변환유닛 상에 위치하는 제2 전극; 및A second electrode on the second photoelectric conversion unit; And 제1 굴절률을 가진 제1 반사 방지층과, 상기 제1 반사 방지층 상에 위치하며 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지고 상기 제1 반사 방지층에 비하여 나중에 빛이 입사되는 제2 반사 방지층을 포함하며, 상기 기판의 다른 일면 상에 위치하는 반사 방지부A first anti-reflection layer having a first refractive index, and a second anti-reflection layer positioned on the first anti-reflection layer and having a second refractive index greater than the first refractive index, wherein light is later incident than the first anti-reflection layer; An anti-reflection portion on the other side of the substrate 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.Photovoltaic device comprising a. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 광전변환유닛 및 상기 제2 광전변환유닛은 각각 순차적으로 적층된 제1 타입 반도체층, 제2 타입 반도체층 및 제3 타입 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.And the first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit each include a first type semiconductor layer, a second type semiconductor layer, and a third type semiconductor layer sequentially stacked. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 광전변환층의 제1 내지 제3 타입 반도체층들은 비정질 반도체층인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.And the first to third type semiconductor layers of the first photoelectric conversion layer are amorphous semiconductor layers. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제2 광전변환유닛은 비정질 반도체층 또는 미세결정질 반도체층인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.And the second photoelectric conversion unit is an amorphous semiconductor layer or a microcrystalline semiconductor layer. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제2 광전변환 유닛 상에 위치하는 제3 광전변환유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.The photovoltaic device further comprises a third photoelectric conversion unit located on the second photoelectric conversion unit. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 반사 방지층은 SiO2를 포함하고, 상기 제2 반사 방지층은 TiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.And the first antireflective layer comprises SiO 2 and the second antireflective layer comprises TiO 2 . 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 상기 제1 반사 방지층의 굴절률은 1.2 이상 1.47 이하이고, 상기 제2 반사 방지층의 굴절률은 2.35 이상 2.9 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.The refractive index of the first antireflection layer is 1.2 or more and 1.47 or less, and the refractive index of the second antireflection layer is 2.35 or more and 2.9 or less. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 제1 반사 방지층과 제2 반사 방지층을 포함하는 또다른 반사 방지부를 하나 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.The photovoltaic device further comprises at least one other anti-reflection portion comprising a first anti-reflection layer and a second anti-reflection layer. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반사 방지부는 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛의 반사를 감소시키는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.The anti-reflective unit is a photovoltaic device, characterized in that for reducing the reflection of light having a wavelength of more than 400 nm 1100 nm. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반사 방지부는 400 nm 이상 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛의 반사를 감소시키며,The anti-reflection portion reduces the reflection of light having a wavelength of 400 nm or more and 1100 nm or less, 상기 제1 광전변환유닛은 400 nm 이상 750 nm 이하의 파장을 지닌 빛을 750 nm 보다 크고 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛보다 잘 흡수하고, The first photoelectric conversion unit absorbs light having a wavelength of 400 nm or more and 750 nm or less than light having a wavelength greater than 750 nm and 1100 nm or less, 상기 제2 광전변환유닛은 750 nm 보다 크고 1100 nm 이하의 파장을 지닌 빛을 400 nm 이상 750 nm 이하의 파장을 지닌 빛 보다 잘 흡수하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치. The second photovoltaic unit is a photovoltaic device, characterized in that the absorption of light having a wavelength greater than 750 nm and less than 1100 nm better than light having a wavelength of 400 nm or more and 750 nm or less. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판은 The substrate is 상기 기판 중량의 0 % 초과 0.14% 이하인 철을 포함하는 글라스인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.The photovoltaic device, characterized in that the glass containing iron that is more than 0% and less than 0.14% of the weight of the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판은 소다 라임 글라스를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.And the substrate comprises soda lime glass.
KR1020090005896A 2009-01-23 2009-01-23 Photovoltaic apparatus KR20100086597A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090005896A KR20100086597A (en) 2009-01-23 2009-01-23 Photovoltaic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090005896A KR20100086597A (en) 2009-01-23 2009-01-23 Photovoltaic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100086597A true KR20100086597A (en) 2010-08-02

Family

ID=42753612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090005896A KR20100086597A (en) 2009-01-23 2009-01-23 Photovoltaic apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100086597A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012128439A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-27 Kcc Corporation Transparent substrate for a solar cell having a broadband anti-reflective multilayered coating thereon and method for preparing the same
KR101307991B1 (en) * 2011-12-26 2013-09-12 전자부품연구원 Sheet preventing a temperature rise for solar cell module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012128439A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-27 Kcc Corporation Transparent substrate for a solar cell having a broadband anti-reflective multilayered coating thereon and method for preparing the same
KR101307991B1 (en) * 2011-12-26 2013-09-12 전자부품연구원 Sheet preventing a temperature rise for solar cell module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8278549B2 (en) TCO-based hybrid solar photovoltaic energy conversion apparatus
KR101292061B1 (en) Thin film solar cell
US8779281B2 (en) Solar cell
US20080236661A1 (en) Solar cell
US20130174897A1 (en) Thin film solar cell
US11810993B2 (en) Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system
US20120138129A1 (en) Bifacial solar cell
US20110023959A1 (en) Photovoltaic Cell Substrate And Method Of Manufacturing The Same
US20120097227A1 (en) Solar cells
KR101018319B1 (en) Method for manufacturing a organic-inorganic hybrid tandem solar cell
US20120305062A1 (en) Solar cell
US9224886B2 (en) Silicon thin film solar cell
KR101306913B1 (en) Solar Cell
JP2009141059A (en) Thin-film photoelectric converter
KR20100086597A (en) Photovoltaic apparatus
KR20130006904A (en) Thin flim solar cell
US20100212739A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US20110186122A1 (en) Solar cell
US20110023950A1 (en) Photovoltaic cell substrate
US20110220177A1 (en) Tandem photovoltaic device with dual function semiconductor layer
KR20150057820A (en) Solar cell
EP2834856B1 (en) Thin film solar cell
US20110221026A1 (en) Photovoltaic device including a substrate or a flexible substrate and method for manufacturing the same
US20110088776A1 (en) Solar cell structure and manufacturing method thereof
US20130160853A1 (en) Solar cell having a pn hetero-junction

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application