KR20090131248A - 전류 제어형 전력 변환기 및 전류 제어형 전력 변환기의 출력 전류 파형 개선 방법 - Google Patents
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Abstract
[과제] 출력 전류 파형의 왜곡을 개선할 수 있는 전류 제어형 전력 변환기를 제공한다. [해결 수단] 고주파 시프팅부(4)는 상전압 파형(Vu)을 기준으로 했을 경우의 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)을 소정 시간(Δt) 시프팅해서 얻은 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분(V3')을 얻는다. 신호 감산부(4)는 제 3 차 고주파 전압 성분(V3')에 게인(K1)을 승산해서 감산 신호(ΔI3)를 얻고, 피드백 제어에 사용하는 3상분의 전류 지령 신호(Iu_ref∼Iw_ref)로부터 감산 신호(ΔI3)를 각각 감산해서 3상분의 보정된 전류 지령 신호(Iux∼Iwx)를 얻는다. 게이트 신호 발생 회로(2)는 3상분의 보정된 전류 지령 신호(Iux∼Iwx)에 의거해서 3상 인버터 회로(IV)의 6개의 반도체 스위칭 소자에 게이트 신호를 출력한다.
전류 제어형 전력 변환기, 출력 전류 파형 개선 방법
Description
본 발명은 전류 제어형 전력 변환기 및 이 변환기의 출력 전류 파형의 왜곡을 개선하는 전류 제어형 전력 변환기의 출력 전류 파형 개선 방법에 관한 것이다.
일본 특허 공개 2000-224862호 공보(특허문헌 1)에는 3상 4선식의 전압 제어형 전력 변환기의 종래 기술이 개시되어 있다. 이 전압 제어형 전력 변환기에서는 직류 전원의 한쌍의 직류 출력 단자간에 직렬 접속된 한쌍의 커패시터를 구비하고, 한쌍의 커패시터의 접속점을 중성상(中性相)으로 하고 있다.
또한, 일본 특허 공개 2007-274825호 공보(특허문헌 2)에는 3상 전력 변환기에 대하여 2조의 반도체 스위칭 소자를 직렬 접속한 중성상 암(arm)을 설치하고, 또한, 일단이 중성상 암의 중간점에 접속되고, 타단이 중성선(中性線)으로서 인출되는 리액터를 구비한 3상 4선식의 전압 제어형 전력 변환기가 개시되어 있다. 중성상 암은 듀티 50%로 교대로 스위칭된다. 그리고 중성상 암의 스위칭 소자를 PWM 제어함으로써 제 3 차 고주파가 캔슬(cancel)된다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 2000-224862호 공보
[특허문헌 2] 일본 특허 공개 2007-274825호 공보
상기 3상 4선식의 전압 제어형 전력 변환기에서는 출력 전류 파형에 비교적 큰 왜곡이 발생한다. 또한, 후자의 전압 제어형 전력 변환기에서는 출력 전압 파형의 왜곡은 작아지지만 중성상 암을 설치하고, 중성상 암을 PWM 제어할 필요가 있고, 구성이 복잡해진다. 또한, 종래의 전압 제어형 전력 변환기는 출력 전압을 일정하게 제어하는 전력 변환기이기 때문에 출력 전류 파형의 왜곡을 적극적으로 개선하는 것은 어려웠다. 또한, 이 문제는 다상 인버터 회로를 사용하고 한쌍의 커패시터의 접속점을 중성상으로 하는 전류 제어형 전력 변환기에 있어서 공통으로 발생하는 문제이다.
본 발명의 목적은 출력 전류 파형의 왜곡을 개선할 수 있는 전류 제어형 전력 변환기 및 전류 제어형 전력 변환기의 출력 전류 파형 개선 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 개량의 대상으로 하는 전류 제어형 전력 변환기는 직류 전원의 한쌍의 직류 출력 단자간에 직렬 접속된 한쌍의 커패시터와, 한쌍의 직류 출력 단자에 접속된 다상 인버터 회로와, 다상 인버터 회로를 피드백 제어하기 위한 다상분의 전류 지령 신호를 발생하는 전류 지령 신호 발생 회로를 구비하고, 한쌍의 커패시터의 접속점을 중성상으로 한다. 전류 지령 신호 발생 회로는 다상 인버터 회로의 다상 출력 전압에 의거하여 다상의 상전압에 동기한 제 3 차 고주파 전압 성분을 작성하는 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부와, 제 3 차 고주파 전압 성분을 시간적 지연 방향으로 소정 시간 시프팅해서 얻어진 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분을 출력하는 고주파 시프팅부와, 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분에 소정의 게인을 승산한 감산 신호를 다상분의 전류 지령 신호로부터 각각 감산해서 다상분의 보정된 전류 지령 신호로서 다상 인버터 회로에 출력하는 신호 감산부를 구비하고 있다.
구체적인 3상 4선식의 전류 제어형 전력 변환기에서는 직류 전원의 한쌍의 직류 출력 단자간에 직렬 접속된 한쌍의 커패시터와, 3상 인버터 회로와, 전류 지령 신호 발생 회로와, 게이트 신호 발생 회로를 구비하고 있다. 3상 인버터 회로는 브릿지 접속된 6개의 반도체 스위칭 소자를 포함해서 구성되어서 직류 전원의 한쌍의 직류 출력 단자에 접속되어 있다. 또한, 전류 지령 신호 발생 회로는 6개의 반도체 스위칭 소자를 피드백 제어하기 위한 3상분의 전류 지령 신호를 발생한다. 또한, 게이트 신호 발생 회로는 3상분의 전류 지령 신호에 의거해서 6개의 반도체 스위칭 소자를 PWM 제어하기 위한 게이트 신호를 발생한다. 이 전류 제어형 전력 변환기에서는 한쌍의 커패시터의 접속점을 중성상으로 한다.
본원 발명자는 3상 4선식의 전류 제어형 전력 변환기에서 출력 전류의 파형에 비교적 큰 왜곡이 발생하는 것의 원인이 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분에 있다는 것을 찾아냈다. 발명자는 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분을 제거할 수 있는 보정된 3상분의 전류 지령 신호를 게이트 회로에 부여함으로써 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 성분을 제거하는 기술적 사상을 발안하고, 효과가 있는 것을 확인했다.
따라서, 본 발명의 구체적인 구성에 있어서는 전류 지령 신호 발생 회로를 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부와, 고주파 시프팅부와, 신호 감산부로 구성한다. 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부는 3상 인버터 회로의 3상 출력 전압에 의거해서 3상의 상전압의 모두와 동기한 제 3 차 고주파 전압 성분을 작성한다. 또한, 고주파 시프팅부는 제 3 차 고주파 전압 성분을 시간적 지연 방향으로 소정 시간 시프팅해서 얻은 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분을 출력한다.
또한, 신호 감산부는 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분에 소정의 게인을 승산한 감산 신호를 3상분의 전류 지령 신호로부터 각각 감산해서 3상분의 보정된 전류 지령 신호로서 게이트 신호 발생 회로에 출력한다. 감산 신호는 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 원인 성분이다. 따라서, 감산 신호를 3상분의 전류 지령 신호로부터 감산해서 얻은 3상분의 보정된 전류 지령 신호를 이용해서 게이트 신호 발생 회로가 게이트 신호를 발생하면 3상 인버터 회로로부터 출력되는 3상의 출력 전류 파형에는 고주파 성분이 포함되지 않게 된다. 따라서, 본 발명의 전류 제어형 전력 변환기에 의하면, 출력 전류 파형의 왜곡을 개선하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 기술적 사상은 한쌍의 커패시터의 접속점을 중성상으로 하는 전류 제어형 전력 변환기에 적용할 수 있다.
전술한 「소정 시간」 및 「소정의 게인」은 다상 인버터 회로의 다상 출력 전류에 제 3 차 고주파 전류 성분에 의거한 전류 파형 왜곡이 발생하는 것을 억제하도록 각각 정해져 있다. 「소정 시간」 및 「소정의 게인」은 본 발명을 적용하고 있지 않은 종래의 전류 제어형 전력 변환기의 출력 전류 파형으로부터 제 3 차 고주파 전류 성분을 해석에 의해 추출하고, 그 제 3 차 고주파 전류 성분의 파형에 의거하여 정하면 좋다. 구체적으로는 소정 시간은 다상 출력 전압에 대한 다상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 시간 지연분에 상당하는 시간이다. 또한, 소정의 게인은 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분의 진폭을 다상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 성분의 진폭과 일치시키도록 정하면 좋다. 이와 같이 하면 높은 정밀도로 출력 전류 파형의 왜곡을 개선할 수 있다.
본 발명은 상기 전류 제어형 전력 변환기에 있어서의 다상 출력 전류의 파형 왜곡을 개선하는 방법으로서도 파악할 수 있다. 즉, 본 발명의 방법에서는 다상분의 전류 지령 신호를 다상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 성분을 제거하도록 보정함으로써 다상 출력 전류의 파형 왜곡을 개선한다.
3상 4선식의 전류 제어형 전력 변환 기구를 대상으로 하는 구체적인 방법에서는 우선 3상 인버터 회로의 3상 출력 전압에 의거해서 3상의 상전압에 동기한 제 3 차 고주파 전압 성분을 3상의 상전압으로부터 작성한다. 이어서, 제 3 차 고주파 전압 성분의 위상을 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 성분의 위상과 일치시키도록 제 3 차 고주파 전압 성분을 각각 시간적 지연 방향으로 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분을 작성한다. 또한, 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분의 진폭을 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 진폭과 일치시키는 소정의 게인을 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분에 승산해서 감산 신호를 작성한다. 그리고, 최후에 감산 신호를 3상분의 전류 지령 신호로부터 각각 감산해서 3상분의 보정된 전류 지령 신호를 작성하고, 게이트 신호 발생 회로에 출력한다. 이와 같이 하면, 3상 출력 전류 파형에 제 3 차 고주파 전류 성분이 포함되지 않게 되기 때문에 출력 전류 파형의 왜곡을 개선하는 것이 가능하다.
[발명의 효과]
본 발명의 전류 제어형 전력 변환기에 의하면, 다상분의 전류 지령 신호로부터 제 3 차 고주파 성분을 발생시키는 원인이 되는 신호를 제거한 다상분의 보정된 전류 지령 신호를 게이트 신호 발생 회로에 입력하므로 다상 인버터 회로의 출력 전류로부터 실질적으로 제 3 차 고주파 전류 성분을 포함하지 않는 출력 전류 파형을 얻을 수 있다.
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 전류 제어형 전력 변환기의 실시형태의 일례의 구성을 나타내는 회로도이며, 도 2는 전류 지령 신호 발생 회로 및 게이트 신호 발생 회로의 구성의 일례를 나타낸 도면이다. 도 1에 도시된 3상 4선식의 전류 제어형 전력 변환기는 직류 전원(DC)의 한쌍의 직류 출력 단자간에 직렬 접속된 한쌍의 커패시터(C1 및 C2)를 구비하고 있다. 또한, 한쌍의 직류 출력 단자간에는 3상 인버터 회로(IV)가 접속되어 있다. 3상 인버터 회로(IV)는 브릿지 접속된 6개의 반도체 스위칭 소자(Tr1∼Tr6)와, 6개의 반도체 스위칭 소자(Tr1∼Tr6)에 역병렬 접속된 6개의 다이오드(D1∼D6)를 포함해서 구성되어 있다. 3상 인버터 회로(IV)의 3개의 출력 단자는 각각 리액터(L1∼L3)를 통해 교류원(AC)의 3상 교류 라인에 접속되어 있다. 또한, 한쌍의 커패시터(C1 및 C2)의 접속점이 교류원(AC)의 중성상 라인에 접속되어 있다. 3상 교류 라인과 중성상 라인 사이에는 각각 커패시터(C3∼C5)가 접속되어 있다. 그리고 전류 지령 신호 발생 회로(1)는 6개의 반도체 스위칭 소자(Tr1∼Tr6)를 피드백 제어하기 위한 3상분의 전류 지령 신호를 발생한다. 또한, 게이트 신호 발생 회로(2)는 3상분의 전류 지령 신호에 의거해서 6개의 반도체 스위칭 소자(Tr1∼Tr6)를 PWM 제어하기 위한 게이트 신호를 발생한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시형태의 전류 지령 신호 발생 회로(1)는 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부(3)와, 고주파 시프팅부(4)와, 신호 감산부(5)를 포함하고 있다. 전류 지령 신호 발생 회로(1)에는 3대의 전류 검출기(CT1∼CT3)에 의해 검출된 3상 교류 출력 전류가 입력되고, 또한 3상 교류 출력 라인으로부터의 출력 전압(U상 전압, V상 전압, W상 전압)이 입력되어 있다. 또한, 중성상 라인의 전압이 3상의 상전압(Vu, Vv, Vw)을 검출하여 제어할 때의 OV의 기준점으로서 전류 지령 신호 발생 회로(1)에 입력되어 있다. 또한, 도 2에는 중성상 라인은 도시되어 있지 않다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부(3)는 3상 인버터 회로(IV)의 3상 출력 전압에 의거하여 3상의 상전압 파형(Vu, Vv, Vw)에 동기한 제 3 차 고주파 전압 성분을 작성한다. 도 3은 상전압 파형(Vu)을 기준으로 했을 경우의 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)을 나타내고 있다. 3상의 상전압 파형(Vu, Vv, Vw)에 대하여 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)은 1개만 존재한다. 따라서, 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)의 위상과 3상의 상전압 파형(Vu, Vv, Vw)의 위상의 위상차는 각각 상이하다.
고주파 시프팅부(4)는 작성한 하나의 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)을 시간 적 지연 방향으로 소정 시간(Δt) 시프팅하여 시프팅된 하나의 제 3 차 고주파 전압 성분(V3')을 출력한다. 또한, 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부(3)에 있어서의 제 3 차 고주파 전압 성분의 작성 방법은 주지이기 때문에 설명은 생략한다. 신호 감산부(5)는 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분(V3')에 소정의 게인(K1)을 승산 한 하나의 감산 신호(ΔI3)를 피드백 제어에 사용하는 3상분의 전류 지령 신호(Iu_ref∼Iw_ref)로부터 각각 감산해서 3상분의 보정된 전류 지령 신호(Iux∼Iwx)로서 게이트 신호 발생 회로(2)에 출력한다. 도 3은 상전압 파형(Vu)을 기준으로 했을 경우의 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)을 소정 시간(Δt) 시프팅해서 얻은 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분(V3')에 게인(K1)을 승산해서 얻은 감산 신호(ΔI3)를 나타내고 있다. 소정의 게인(K1)은 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분(ΔI3)의 진폭을 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 진폭과 일치시키도록 정한다. 게인(K1)도 고정값으로서 미리 정한다. 또한, 게인(K1)을 지나치게 크게 하면 전류 지령 신호와 보정된 전류 지령 신호의 위상 관계가 어긋나기 때문에 본 실시형태에서는 이 게인(K1)은 위상 관계가 벗어나지 않는 정도의 작은 값(예를 들면, 0.02 이하의 값)으로 하고 있다.
여기서, 고주파 시프팅부(4)에 있어서의 소정 시간(Δt) 및 신호 감산부(5)에 있어서의 소정의 게인(K1)은 3상 인버터 회로(IV)의 3상 출력 전류에 제 3 차 고주파 전류 성분에 의거한 전류 파형 왜곡이 발생하는 것을 억제하도록 각각 정해져 있다. 구체적인 소정 시간(Δt) 및 소정의 게인(K1)은 본 발명을 적용하고 있지 않은 종래의 전류 제어형 전력 변환기의 출력 전류 파형으로부터 제 3 차 고주파 전류 성분을 해석에 의해 추출하고, 그 제 3 차 고주파 전류 성분의 파형에 의거하여 미리 정하는 것이 가능하다. 이 제 3 차 고주파 전류 성분은 3상 출력 전류 각각 모두 같은 위상으로 포함되어 있다. 또한, 구체적으로 소정 시간(Δt)은 3상 출력 전압에 대한 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 시간 지연분에 상당하는 시간이다. 일반적으로 이 소정 시간(Δt)은 1msec∼10msec을 고정값으로서 미리 정하고 있다.
본 실시형태에서는 피드백 제어에 사용하는 3상분의 전류 지령 신호(Iu_ref∼Iw_ref)를 도시되지 않은 전류 지령 발생 수단으로부터 출력된 각 상의 전류 지령 신호(U상 전류 지령 신호, V상 전류 지령 신호, W상 전류 지령 신호)로부터 전류 검출기(CT1∼CT3)에 의해 검출한 U상 전류∼W상 전류를 감산한 신호에 게인(K2)을 승산하여 얻은 신호에 U상 전압∼W상 전압을 가산함으로써 얻고 있다. 이 피드백 제어에 사용하는 3상분의 전류 지령 신호(Iu_ref∼Iw_ref)를 얻을 때에 U상 전압∼W상 전압을 가산하고 있는 것은 출력 상전류를 출력 상전압에 동기시키기 위함이다.
하나의 감산 신호(ΔI3)는 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 성분의 원인 성분이다. 따라서, 감산 신호(ΔI3)를 3상분의 전류 지령 신호(Iu_ref∼Iw_ref)로부터 감산해서 얻은 3상분의 보정된 전류 지령 신호(Iux∼Iwx)를 이용하여 게이트 신호 발생 회로(2)는 PWM 제어에 필요한 게이트 신호(Su, XSu, Sv, XSv, Sw, XSw)를 발생한다. 또한, 게이트 신호 발생 회로(2)는 비교기(CMP)에 의해 반송파 발생기(6)로부터 출력된 반송파와 전류 지령 신호(Iux∼Iwx)를 비교해서 PWM 제 어 신호에 필요한 게이트 신호(Su, XSu, Sv, XSv, Sw, XSw)를 발생한다. 또한, 게이트 신호 발생 회로(2)에서는 게이트 신호(Su), 게이트 신호(XSu)가 한쌍의 반도체 스위칭 소자를 동시에 온이 되지 않도록 하기 위한 데드 타임(dead time)을 양신호 사이에 추가하고 있다. 또한, 게이트 신호 발생 회로(2)에서는 게이트 신호간의 절록(絶綠)을 하여 각 반도체 스위칭 소자(Tr1∼Tr6)에 게이트 신호를 부여한다.
본 발명의 방법에서는 3상분의 전류 지령 신호(Iu_ref∼Iw_ref)를 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 성분을 제거하도록 보정함으로써 3상 출력 전류의 파형 왜곡을 개선한다. 따라서, 3상 인버터 회로의 3상 출력 전압에 의거해서 3상의 상전압에 동기한 하나의 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)을 작성한다. 이어서, 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)의 위상을 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 위상과 일치시키도록 제 3 차 고주파 전압 성분(V3)을 각각 시간적 지연 방향으로 시프팅해서 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분(V3')을 작성한다. 또한, 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분(V3')의 진폭을 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 진폭과 일치시키는 소정의 게인(K1)을 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분(V3')에 승산해서 감산 신호(ΔI3)를 작성한다. 그리고, 최후에 감산 신호(ΔI3)를 3상분의 전류 지령 신호(Iu_ref∼Iw_ref)로부터 각각 감산해서 3상분의 보정된 전류 지령 신호(Iux∼Iwx)를 작성하여 게이트 신호 발생 회로(2)에 출력한다. 이와 같이 하면 3상 출력 전류 파형에 제 3 차 고주파 전류 성분이 포함되지 않게 되기 때문에 출력 전류 파형의 왜곡을 개선할 수 있다.
상기 실시형태에서는 3상 4선식의 전류 제어형 전력 변환기를 대상으로 하였으나, 본 발명은 다상 인버터 회로를 사용하고 한쌍의 커패시터의 접속점을 중성상으로 하는 전류 제어형 전력 변환기에 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 전류 제어형 전력 변환기의 실시형태의 일례의 구성을 나타낸 회로도이다.
도 2는 전류 지령 신호 발생 회로 및 게이트 신호 발생 회로의 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3은 1개의 상전압 파형, 제 3 차 고주파 전압 성분 및 감산 신호의 일례를 나타낸 파형도이다.
[부호의 설명]
1 : 전류 지령 신호 발생 회로 2 : 게이트 신호 발생 회로
3 : 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부 4 : 고주파 시프팅부
5 : 신호 감산부 Tr1∼Tr6 : 반도체 스위칭 소자
C1∼C5 : 커패시터 CT1∼CT3 : 전류 검출기
L1∼L3 : 리액터 D1∼D6 : 다이오드
DC : 직류 전원 AC : 상용 교류 전원(교류원)
Claims (7)
- 직류 전원의 한쌍의 직류 출력 단자에 접속된 다상 인버터 회로를 구비하고, 상기 직류 전원의 한쌍의 직류 출력 단자간에 직렬 접속된 한쌍의 커패시터의 접속점을 중성상으로 하는 전류 제어형 전력 변환 장치로부터 출력되는 다상 출력 전류의 파형 왜곡을 개선하는 방법으로서:상기 다상 인버터 회로를 피드백 제어하기 위한 다상분의 전류 지령 신호를 상기 다상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분을 제거하도록 보정하는 것을 특징으로 하는 전류 제어형 전력 변환기의 출력 전류 파형 개선 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 다상 인버터 회로의 다상 출력 전압에 의거해서 다상의 상전압에 동기한 제 3 차 고주파 전압 성분을 작성하고,상기 제 3 차 고주파 전압 성분의 위상을 상기 다상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 위상과 일치시키도록 상기 제 3 차 고주파 전압 성분을 시간적 지연 방향으로 시프팅해서 얻은 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분을 작성하고,상기 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분의 진폭을 상기 다상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 진폭과 일치시키는 소정의 게인을 상기 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분에 승산해서 감산 신호를 작성하고,상기 감산 신호를 상기 다상분의 전류 지령 신호로부터 각각 감산해서 다상분의 보정된 전류 지령 신호로서 상기 다상 인버터 회로에 출력하는 것을 특징으로 하는 전류 제어형 전력 변환기의 출력 전류 파형 개선 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 다상 인버터 회로는 브릿지 접속된 6개의 반도체 스위칭 소자를 포함해서 구성되어 상기 한쌍의 직류 출력 단자에 접속된 3상 인버터 회로로 이루어지고,상기 전류 지령 신호 발생 회로는 상기 6개의 반도체 스위칭 소자를 피드백 제어하기 위한 3상분의 전류 지령 신호를 발생하도록 구성되고,상기 3상분의 전류 지령 신호에 의거해서 상기 6개의 반도체 스위칭 소자를 PWM 제어하기 위한 게이트 신호를 발생하는 게이트 신호 발생 회로를 더 구비하고,상기 3상분의 전류 지령 신호를 상기 3상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분을 제거하도록 보정하는 것을 특징으로 하는 전류 제어형 전력 변환기의 출력 전류 파형 개선 방법.
- 직류 전원의 한쌍의 직류 출력 단자간에 직렬 접속된 한쌍의 커패시터와,상기 한쌍의 직류 출력 단자에 접속된 다상 인버터 회로와,상기 다상 인버터 회로를 피드백 제어하기 위한 다상분의 전류 지령 신호를 발생하는 전류 지령 신호 발생 회로를 구비하고,상기 한쌍의 커패시터의 접속점을 중성상으로 하는 전류 제어형 전력 변환기 로서:상기 전류 지령 신호 발생 회로는 상기 다상 인버터 회로의 다상 출력 전압에 의거하여 다상의 상전압에 동기한 제 3 차 고주파 전압 성분을 작성하는 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부와,상기 제 3 차 고주파 전압 성분을 시간적 지연 방향으로 소정 시간 시프팅해서 얻은 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분을 출력하는 고주파 시프팅부와,상기 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분에 소정의 게인을 승산한 감산 신호를 상기 다상분의 전류 지령 신호로부터 각각 감산해서 다상분의 보정된 전류 지령 신호로서 상기 다상 인버터 회로에 출력하는 신호 감산부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 전류 제어형 전력 변환기.
- 제 4 항에 있어서,상기 다상 인버터 회로는 브릿지 접속된 6개의 반도체 스위칭 소자를 포함해서 구성되어서 상기 한쌍의 직류 출력 단자에 접속된 3상 인버터 회로로 이루어지고,상기 전류 지령 신호 발생 회로는 상기 6개의 반도체 스위칭 소자를 피드백 제어하기 위한 3상분의 전류 지령 신호를 발생하도록 구성되고,상기 3상분의 전류 지령 신호에 의거해서 상기 6개의 반도체 스위칭 소자를 PWM 제어하기 위한 게이트 신호를 발생하는 게이트 신호 발생 회로를 더 구비하고,상기 전류 지령 신호 발생 회로는 상기 3상 인버터 회로의 3상 출력 전압에 의거하여 3상의 상전압에 동기한 제 3 차 고주파 전압 성분을 작성하는 제 3 차 고주파 전압 성분 작성부와,상기 제 3 차 고주파 전압 성분을 시간적 지연 방향으로 소정 시간 시프팅해서 얻은 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분을 출력하는 고주파 시프팅부와,상기 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분에 소정의 게인을 승산한 감산 신호를 상기 3상분의 전류 지령 신호로부터 각각 감산해서 3상분의 보정된 전류 지령 신호로서 상기 게이트 신호 발생 회로에 출력하는 신호 감산부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 전류 제어형 전력 변환기.
- 제 5 항에 있어서,상기 소정 시간 및 상기 소정의 게인은 상기 3상 인버터 회로의 3상 출력 전류에 제 3 차 고주파 전류 성분에 의거한 전류 파형 왜곡이 발생하는 것을 억제하도록 각각 정해져 있는 것을 특징으로 하는 전류 제어형 전력 변환기.
- 제 4 항에 있어서,상기 소정 시간은 상기 다상 출력 전압에 대한 상기 다상 출력 전류에 포함되는 제 3 차 고주파 전류 성분의 시간 지연분에 상당하는 시간이고, 상기 소정의 게인은 상기 시프팅된 제 3 차 고주파 전압 성분의 진폭을 상기 다상 출력 전류에 포함되는 상기 제 3 차 고주파 전류 성분의 진폭과 일치시키도록 정해져 있는 것을 특징으로 하는 전류 제어형 전력 변환기.
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